JP2006100368A - Apparatus and method for substrate treatment - Google Patents

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JP2006100368A JP2004281732A JP2004281732A JP2006100368A JP 2006100368 A JP2006100368 A JP 2006100368A JP 2004281732 A JP2004281732 A JP 2004281732A JP 2004281732 A JP2004281732 A JP 2004281732A JP 2006100368 A JP2006100368 A JP 2006100368A
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JP2004281732A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Miya
勝彦 宮
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment apparatus which can clean the entire rear surface of a substrate and etch and remove an unnecessary substance from the surface periphery of the substrate while controlling a peripheral etching width accurately and its entire circumferential surface uniformly, and to provide its treatment method. <P>SOLUTION: A bevel etching part 1 is placed on the upper side of a rear-surface cleaner 2 in the same space of a treatment vessel 5. While the surface of an untreated substrate W is kept downfaced, the nearly central part of the rear surface thereof is sucked and the substrate W is positioned at a bevel etching position P1, and a treatment liquid is supplied to the periphery of the surface thereof from the side of the surface thereof so as to remove an unnecessary substance by etching. Then, the substrate W is conveyed to the rear-surface cleaning position P2 of the rear-surface cleaner 2 and positioned thereat. A nitrogen gas is discharged toward the surface of the substrate W positioned at the rear-surface cleaning position P2 to keep the substrate W, and the treatment liquid is supplied to the rear surface of the substrate W while the substrate W is kept being floated. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板に、エッチング液やリンス液などの処理液を供給して基板に所定の処理を行う基板処理装置および方法に関する。 This invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a liquid crystal glass substrate, a substrate such as a substrate for an optical disk, a substrate processing apparatus and performs predetermined processing on a substrate by supplying a processing solution such as an etchant and rinsing solution a method for.

半導体ウエハ等の基板の一連の処理工程においては、基板の表面にフォトレジスト等の薄膜を形成するための成膜工程を複数工程有しているが、この成膜工程では基板の裏面あるいは表面端部にも成膜されることがある。 In a series of process steps of a substrate such as a semiconductor wafer, although the film forming process for forming a thin film such as a photoresist on the surface of the substrate has a plurality of steps, the back surface or surface edge of the substrate in the film forming step which it may also be deposited on parts. しかしながら、一般的には基板において成膜が必要なのは基板の表面のみであり、基板の裏面あるいは表面周縁部に成膜されてしまうと、成膜工程の後工程において、他の装置との接触により基板の裏面あるい表面端部に形成された薄膜が剥がれたりすることがあり、これが原因となって歩留まりの低下や基板処理装置自体のトラブルが起こることがある。 However, the generally required deposition in the substrate are only the surface of the substrate, the result is deposited on the back surface or peripheral surfaces of the substrate, in a step after film formation step, the contact with other devices There is a thin film formed on the back there have surface and edge of the substrate is peeled off, which sometimes troubles degradation and the substrate processing apparatus itself yield caused to occur.

そこで、基板の裏面および表面周縁部に形成された薄膜を除去するために、例えば特許文献1に記載された装置が提案されている。 Therefore, in order to remove the thin film formed on the back surface and the peripheral surfaces of the substrate, for example, apparatus disclosed in Patent Document 1 has been proposed. この装置では、その表面に薄膜が形成された基板を基板保持手段によって保持するとともに、該基板保持手段を回転させる。 In this apparatus, a substrate on which a thin film is formed on its surface while held by the substrate holding means to rotate the substrate holding means. また、回転している基板の裏面に対してエッチング液を供給する。 Moreover, supplying etching liquid to the rear surface of a rotating substrate. このとき、基板の表面に対向する対向面を有し、かつ基板の表面と所定の間隔離れた回転部材を回転させると、基板の回転および回転部材の回転によって、エッチング液は基板裏面全体に広がって基板裏面の不要物をエッチング除去するのみならず、基板の端面を介して基板表面の周縁部に回り込み、該周縁部の不要物をもエッチング除去する。 In this case, it has a surface facing the surface of the substrate, and when the rotary member spaced surfaces at a predetermined distance of the substrate, by the rotation of the rotation and the rotation member of the substrate, the etchant spreads across the substrate back surface not unwanted substances rear surface of the substrate only is etched away Te, sneak the peripheral portion of the substrate surface via the end surface of the substrate, it is also etched away unwanted material of the peripheral edge. こうして、基板の裏面および基板の表面周縁部のみにおいて薄膜がエッチング除去される。 Thus, the thin film is etched away only at the peripheral surfaces of the rear surface and the substrate of the substrate.

特開2000−235948号公報(第2−3頁、図1) JP 2000-235948 JP (2-3 pages, Fig. 1)

ところで、上記した基板処理は基板表面の略中央部に形成された非処理部の周辺から一定範囲の薄膜を除去するために行われるが、この除去範囲、つまり端面から内側に向かってエッチング除去される幅(以下「周縁エッチング幅」という)を正確にコントロールするのが望まれる。 Incidentally, the substrate process described above is performed to remove the thin film in a certain range from the periphery of the untreated portion formed at a substantially central portion of the substrate surface, the removal area, i.e. etched away from the end surface toward the inside that width is to accurately control (hereinafter referred to as "rim etching width") is desired. 特に、薄膜として銅などのメタル層が基板表面に形成された場合には、上記基板処理では端面(べベル)近傍でのメタル除去を目的とするため、周縁エッチング幅を周面全体にわたって均一化することが非常に重要となっている。 In particular, when a metal layer such as copper as a thin film is formed on the substrate surface, for the purpose of metal removal in the end surface (bevel) near the above substrate processing, equalizing the rim etching width across the circumferential surface it has become very important to.

従来装置では、周縁エッチング幅をエッチング液の回り込み量で制御していた。 In prior art devices, it controlled the rim etching width wraparound of the etching solution. つまり、基板の回転数を変更することでエッチング液の回り込み量が変化し、それに応じて周縁エッチング幅が調整される。 In other words, wraparound of the etching solution is changed by changing the rotational speed of the substrate, the peripheral etching width is adjusted accordingly. しかしながら、基板の回転数により回り込み量を安定化することが困難であり、十分な均一性で周縁エッチング幅をコントロールすることは事実上できなかった。 However, it is difficult to stabilize the wraparound amount by the rotation speed of the substrate, it was not practically control the peripheral etching width sufficient uniformity. また、周縁エッチング幅を所望値に制御するために基板の回転数を高めると、基板から飛散したエッチング液が基板周辺に配置された部材、例えば飛散処理液の捕集用カップなどに衝突し、それにより跳ね返ったエッチング液が非処理部に付着してしまうことがあった。 Moreover, increasing the rotational speed of the substrate in order to control a peripheral etching width desired value, members etching liquid scattered from the substrate is disposed around the substrate, and collide the collection cup, for example scattering treatment liquid, was sometimes thereby rebounded etchant adheres to the non-treated section.

この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の裏面全体を洗浄するとともに、周縁エッチング幅を正確に、しかも周面全体にわたって均一に制御しながら基板の表面周縁部から不要物をエッチング除去することができる基板処理装置および方法を提供することを目的とする。 This invention has been made in view of the above problems, as well as clean the entire back surface of the substrate, exactly a peripheral etching width, etching away unwanted material yet with controlled uniformly over the entire circumference from the peripheral surfaces of the substrate and to provide a substrate processing apparatus and method capable of.

この発明にかかる基板処理装置は、上記目的を達成するため、基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で基板を位置決めしながら、基板表面側から基板表面の周縁部に第1処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング部と、フェースダウン姿勢のまま基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させてベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置で基板を位置決めしながら、基板の裏面に第2処理液を供給して洗浄する裏面洗浄部とを備え、ベベルエッチング部により不要物がエッチング除去された基板をフェースダウン姿勢のままベベルエッチング位置から裏面洗浄位置に搬送して該基板の裏面洗浄を行うことを特徴としてい The substrate processing apparatus according to the present invention, in order to achieve the above object, while positioning the substrate with bevel etching position by sucking the substantially central portion of the rear surface of the left board face-down posture toward the surface of the substrate downwardly, the by discharging a bevel etching unit for etching away unwanted material from the peripheral edge of the substrate surface by supplying a first processing liquid to the peripheral portion of the substrate surface, the gas toward the left surface of the substrate face-down posture while the substrate is floated to position the substrate with different backside cleaning position the bevel etching position, and a back surface cleaning unit for cleaning by supplying a second processing liquid to the back surface of the substrate, unwanted matter by bevel etching unit is etched are characterized by performing the back surface cleaning of the substrate the removed substrate from left bevel etching position of face-down posture is transported to the back surface cleaning position .

また、この発明にかかる基板処理方法は、基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で基板を位置決めしながら、基板表面側から基板表面の周縁部に第1処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング工程と、ベベルエッチング工程を受けた基板をフェースダウン姿勢のままベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置に搬送して位置決めする搬送工程と、裏面洗浄位置に位置決めされる基板の表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させたまま、基板の裏面に第2処理液を供給して洗浄する裏面洗浄工程とを備えたことを特徴としている。 Substrate The substrate processing method according to the present invention, while positioning the substrate surface of the substrate bevel etching position by sucking the substantially central portion of the back surface of the substrate while the face-down posture downward, from the substrate surface side the back surface cleaning position different from the bevel etching process of etching away the unwanted matter the first processing liquid to the peripheral portion from the peripheral edge supplies, remains bevel etching position of the substrate receiving a bevel etching process face-down orientation of the surface a conveying step of positioning conveyed to, while keeping floating the substrate by ejecting gas toward the surface of the substrate to be positioned on the back surface cleaning position, cleaning and supplying a second processing liquid to the back surface of the substrate is characterized in that a back surface cleaning step for.

このように構成された発明(基板処理装置および方法)では、基板表面の周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング処理と、基板裏面を洗浄する裏面洗浄処理とを分離する、いわゆる2ステップ処理を実行している。 In the thus configured invention (substrate processing apparatus and method), separating the bevel etching process of etching away the unwanted material from the peripheral portion of the substrate surface and a back surface cleaning process for cleaning the back surface of the substrate, so-called two step process running. すなわち、基板表面側から基板表面の周縁部に第1処理液が供給されて該周縁部から不要物がエッチング除去される。 In other words, unnecessary matters from the peripheral edge of the substrate surface side is the first processing liquid is supplied to the peripheral portion of the substrate surface is etched away. このように、基板表面の周縁部に直接第1処理液が供給されてエッチング処理が実行されるため、回込方式の従来装置に比べて周縁エッチング幅を正確に、しかも優れた均一性でコントロールすることができる。 Control Since the etching treatment first treatment liquid directly supplied to the peripheral portion of the substrate surface is performed, exactly a peripheral etching width as compared with the conventional apparatus Kaikomi method, moreover with good uniformity can do.

また、ベベルエッチング処理後に、基板裏面に対して裏面洗浄処理が実行される。 Further, after the bevel etching process, the back surface cleaning process is performed on the rear surface of the substrate. このとき、基板表面に向けて気体が吐出されて該基板は裏面洗浄位置で浮上位置決めされている。 At this time, the gas is discharged toward the substrate surface substrate is floated positioned at the back surface cleaning position. このように基板を非接触状態で位置決めしながら裏面洗浄が行われるため、基板表面が汚染されるなどの不具合を発生させることなく、裏面洗浄を行うことができる。 Thus for back surface cleaning is performed while positioning the substrate in a non-contact state, without causing problems such as the substrate surface is contaminated, it is possible to perform the back surface cleaning.

さらに、2ステップ処理を行う際、各処理において基板の位置決め方式が同一であると、基板の位置決め支持による汚染蓄積が問題となる場合がある。 Further, when performing the two-step process, the positioning system of the substrate is the same in each processing, there are cases where pollution accumulation by positioning the supporting substrate becomes a problem. これに対し、本発明では、ベベルエッチング処理では基板の裏面の略中央部を吸引して基板を位置決めするのに対し、裏面洗浄処理では基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させて位置決めしているため、基板の位置決めに伴う汚染蓄積が発生するのを効果的に防止することができる。 In contrast, in the present invention, in the bevel etching process while positioning the substrate by sucking the substantially central portion of the back surface of the substrate, floating the substrate by ejecting gas toward the substrate surface in the back surface cleaning process due to the positioning by, it is possible to prevent the pollution accumulation associated with positioning of the substrate may occur effectively.

ここで、ベベルエッチング部と裏面洗浄部との配置レイアウトを考えると、例えば両者をそれぞれ個別の処理容器に収容するとともに、従来より周知の搬送機構によってベベルエッチング部から裏面洗浄部に基板を搬送するようにしてもよい。 Here, conveys Given the layout of the bevel etching unit and the back surface cleaning unit, for example, accommodates both to each individual processing chamber, the substrate on the back surface cleaning unit from the bevel etching unit by a well-known transfer mechanism from the conventional it may be so. しかしながら、このような配置レイアウトを採用した場合には、(1)処理容器が2個必要となる、(2)基板の搬送距離が必然的に長くなる、等の問題が発生する。 However, in the case of employing such an arrangement layout, (1) the processing vessel is two required, (2) transport distance of the substrate becomes inevitably long, problems such occurs. そこで、このような問題を解消するためには、例えば次のように構成するのが望ましい。 To solve such problems, for example, it is desirable to construct as follows. すなわち、処理容器の同一空間内において、ベベルエッチング部を裏面洗浄部の上方に配置するとともに、裏面洗浄部が、基板表面に対向する支持面を有し、該支持面に設けられた吐出口から基板表面に向けて気体を吐出させて基板を略水平状態で浮上させて保持する基板浮上ヘッドと、基板浮上ヘッドを上下方向に相対的に昇降駆動させることで基板浮上ヘッドにより浮上される基板をベベルエッチング位置と裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部とを備えるように構成してもよい。 That is, in the same space of the processing vessel, with disposing the bevel etching unit above the back surface cleaning unit, the back surface cleaning unit has a supporting surface facing the substrate surface, from a discharge port provided in the support surface a substrate floating head for holding by flying in a substantially horizontal state substrate by ejecting a gas toward the substrate surface, the substrate to be floated by the substrate floating head by causing relative elevation driving the substrate floating head in the vertical direction it may be configured with a lifting drive unit for positioning and moving to the bevel etching position and back surface cleaning position. また、ベベルエッチング部と裏面洗浄部とを処理容器の同一空間内に収容するとともに、ベベルエッチング部が、基板の裏面の略中央部を吸引して保持する真空チャックと、真空チャックを上下方向に相対的に昇降移動させることで基板をベベルエッチング位置と裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部とを備えるように構成してもよい。 Further, accommodates a bevel etching unit and the back surface cleaning unit in the same space of the processing vessel, the bevel etching unit includes a vacuum chuck for holding by suction a substantially central portion of the back surface of the substrate, a vacuum chuck in the vertical direction relatively substrate by vertically moving may be configured with a lifting drive unit for positioning and moving to the bevel etching position and back surface cleaning position. これらのように構成することで、単一の処理容器内でベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とを実行することができ、基板処理装置の小型化および低フットプリント化が可能となる。 By configuring like these, it is possible to perform a bevel etching process and the back surface cleaning process in a single processing vessel, size reduction and footprint of the substrate processing apparatus can be realized. また、ベベルエッチング部と裏面洗浄部の間での基板の搬送距離が短くなり、スループットの向上を図ることができる。 The transport distance of the substrate between the bevel etching unit and the back surface cleaning unit is reduced, it is possible to improve the throughput. さらに、基板搬送を非接触状態で行うことができ、基板搬送に伴う汚染などを確実に防止することができる。 Furthermore, it can be performed a substrate transfer in a non-contact state, the pollution caused by the substrate transfer can be reliably prevented.

また、基板浮上ヘッドにより浮上される基板を処理容器に対する基板の搬出入を行う搬出入位置に対応する基板受渡し位置に位置決めすることができるように構成してもよい。 It may also be configured to be positioned on the substrate transfer position corresponding to the loading and unloading position for loading and unloading of the substrate to the processing chamber a substrate is levitated by the substrate floating head. このように構成することによって、基板搬入から基板搬出までの間、基板は非接触状態で搬送されることとなる。 By the above configuration, between the substrate loading to the substrate carry-out, the substrate becomes to be transported in a non-contact state. しかも、本発明にかかる基板処理装置に対して基板の搬出入を行う搬送ロボットなどの基板搬送装置の構成に合わせて搬出入位置を設定することができ、種々の基板搬送装置や基板処理システムに対して柔軟に対応することができる。 Moreover, it is possible to set the loading and unloading position in accordance with the configuration of the substrate transfer apparatus, such as a transfer robot for performing loading and unloading of the substrate relative to the substrate processing apparatus according to the present invention, the various substrate transfer apparatus and a substrate processing system it can be flexibly against.

さらに、基板浮上ヘッドは、基板表面に向けて気体を上向きかつ基板の端縁側に向けて吐出口から吐出させることでベルヌーイ効果により基板を支持面に近接状態で吸着させながら浮上させるように構成してもよい。 Furthermore, substrate floating head gas was adapted to float while adsorbed at proximity of the substrate to the support surface by the upward and Bernoulli effect by causing discharged from the discharge port toward the end edge of the substrate toward the substrate surface it may be. このように基板浮上ヘッドから基板表面に向けて気体を上向きかつ基板の端縁側に吐出させると、ベルヌーイ効果により基板を支持面へと吸着しようとする力が作用する。 When in this manner discharged from the substrate floating head upwardly and the edge side of the substrate a gas toward the substrate surface, the force to be adsorbed to the substrate to the support surface by the Bernoulli effect is exerted. これにより、基板は基板浮上ヘッドの支持面に近接状態で浮上させられる。 Thus, the substrate is floated in proximity to the support surface of the substrate floating head. したがって、基板を基板浮上ヘッドに非接触で吸着させた状態で安定してベベルエッチング位置と裏面洗浄位置とに位置決めさせることができる。 Therefore, it is possible to the substrate stably in a state of being adsorbed in a non-contact manner substrate floating head is positioned on the bevel etching position and back surface cleaning position.

この発明によれば、基板表面側から基板表面の周縁部に第1処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去しているので、周縁エッチング幅を正確に、しかも優れた均一性でベベルエッチングを行うことができる。 According to the present invention, since the unnecessary substances from the peripheral edge by supplying a first processing liquid from the substrate surface side to the peripheral portion of the substrate surface are removed by etching, accurately a peripheral etching width, yet excellent uniformity in can be carried out bevel etching. また、ベベルエッチング処理後に、基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を裏面洗浄位置で浮上位置決めしながら裏面洗浄を行うため、基板表面が汚染されるなどの不具合を発生させることなく、基板裏面全体を洗浄することができる。 Further, after the bevel etching process, for performing the back surface cleaning while floating positioning in the back surface cleaning position the substrate by ejecting gas toward the substrate surface, without the substrate surface cause problems such as contamination, it is possible to clean the entire back surface of the substrate.

<基板処理装置> <Substrate processing apparatus>
図1は、この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す平面レイアウト図である。 Figure 1 is a plan layout diagram showing a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the invention. この基板処理装置では、基板表面の周縁部からメタル層やフォトレジスト層などの薄膜をエッチング除去するベベルエッチング部1と、基板裏面を洗浄する裏面洗浄部2とが一定距離だけ離間して配置されるとともに、それらの間に基板搬送部3が配置されている。 In the substrate processing apparatus, a bevel etching unit 1 is removed by etching the thin film such as a metal layer and a photoresist layer from the peripheral portion of the substrate surface, and the back surface cleaning unit 2 for cleaning the back surface of the substrate are spaced apart by a predetermined distance Rutotomoni substrate transport unit 3 is disposed therebetween. そして、ベベルエッチング部1によりベベルエッチング処理を受けた基板が基板搬送部3により裏面洗浄部2に搬送されて裏面洗浄処理が行われる。 Then, the back surface cleaning process is performed the substrate receiving a bevel etching process by the bevel etching unit 1 is transported to the back surface cleaning unit 2 by the substrate transport unit 3. このように、本実施形態では、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とは相互に分離されており、いわゆる2ステップ処理が実行される。 Thus, in the present embodiment, the bevel etching process and the back surface cleaning process are separated from each other, so-called two-step process is executed. 以下、ベベルエッチング部1と裏面洗浄部2との構成および動作について図面を参照しつつ詳述する。 Hereinafter will be described in detail with reference to the drawings the configuration and operation of a bevel etching unit 1 and the back surface cleaning unit 2. なお、基板搬送部3は従来より多用されている搬送ロボットを用いているため、ここでは構成および動作の説明は省略する。 Since the substrate transport unit 3 uses a transfer robot which is frequently used conventionally, where the description of the configuration and operation will be omitted.

図2はベベルエッチング部の構成を示す図である。 Figure 2 is a diagram showing the configuration of a bevel etching unit. また、図3はベベルエッチング部の部分拡大図である。 Further, FIG. 3 is a partially enlarged view of the bevel etching unit. このベベルエッチング部1では、真空チャック11が設けられており、基板Wの表面Wfを下方に向けたフェースダウン姿勢のまま基板Wの裏面Wbの略中央部が真空チャック11により吸引保持される。 In the bevel etching unit 1, and the vacuum chuck 11 is provided, substantially central portion of the rear surface Wb remains substrates W face-down posture with its surface Wf of the substrate W downwardly is sucked and held by the vacuum chuck 11. これにより、基板表面Wfに例えばメタル層やフォトレジスト層などの薄膜TFを形成してなる基板Wがフェースダウン姿勢で、かつ略水平姿勢でベベルエッチング位置P1に位置決めされる。 Thus, the substrate W obtained by forming a thin film TF, such as the substrate surface Wf e.g. metal layers and the photoresist layer is in a face-down orientation, and positioned in the bevel etching position P1 in a substantially horizontal position. また、真空チャック11の後端部には、モータ12が連結されており、装置全体を制御する制御ユニット4からの動作指令に応じて回転駆動される。 Further, the rear end of the vacuum chuck 11, the motor 12 is coupled, is driven to rotate in response to an operation command from the control unit 4 for controlling the entire apparatus. このモータ駆動により真空チャック11が基板Wを保持したまま回転し、その結果、ベベルエッチング位置P1で基板Wが回転される。 The vacuum chuck 11 is rotated while holding the substrate W by the motor drive, so that the substrate W is rotated at a bevel etching position P1.

また、真空チャック11に保持された基板Wの外周方向には、水平方向に伸びるガイド13A,13Bに沿って処理ヘッド14A,14Bがそれぞれ移動自在に設けられている。 Further, in the outer circumferential direction of the substrate W held by the vacuum chuck 11, the guide 13A extending in the horizontal direction, the processing head 14A along the 13B, 14B are provided movably respectively. また、処理ヘッド14A,14Bにはアクチュエータ15A,15Bがそれぞれ連結されており、制御ユニット4からの動作指令に応じてアクチュエータ15A,15Bが作動することで処理ヘッド14A,14Bが基板Wの周縁部に近接したり(図2の実線位置)、逆に離間する(図2の破線位置)ように構成されている。 The processing head 14A, the actuator 15A to 14B, 15B are respectively connected, the peripheral portion of the operation actuator 15A according to a command, the processing head 14A by 15B operates, 14B are a substrate W from the control unit 4 or close to the (solid line position of FIG. 2), and is configured to be separated in the reverse (broken line position in FIG. 2). なお、この実施形態では、アクチュエータ15A,15Bは水平方向における処理ヘッド14A,14Bの移動量を連続的に設定することができるように構成されている。 In this embodiment, the actuator 15A, 15B is configured to be able to set the treatment head 14A in the horizontal direction, the moving amount of 14B continuously.

2つの処理ヘッド14A,14Bはともに同一構成を有しており、薬液供給ユニット16からエッチング処理に適した薬液の供給を受けて後述するようにエッチング処理を実行したり、リンス液供給ユニット17から純水やDIWなどのリンス液の供給を受けて後述するようにリンス処理を実行する。 Two treatment head 14A, 14B are both have the same structure, and perform an etching process as will be described later receives a supply of the chemical that is suitable from the chemical solution supply unit 16 to the etching process, the rinsing liquid supply unit 17 supplied with a rinsing liquid such as pure water or DIW to perform a rinsing process as described below. また、ガス供給ユニット18が処理ヘッド14A,14Bのガスノズルに接続されており、各ノズルに窒素ガスを供給する。 The gas supply unit 18 is processing head 14A, is connected to the gas nozzle 14B, the nitrogen gas is supplied to each nozzle. より詳しくは、処理ヘッド14A,14Bは以下のように構成されている。 More particularly, the treatment head 14A, 14B is constructed as follows. なお、両処理ヘッド14A,14Bは同一構成であるため、処理ヘッド14Aの構成のみを説明し、処理ヘッド14Bの構成説明は省略する。 Incidentally, both treatment head 14A, since 14B have the same configuration, describes only the configuration of the processing head 14A, the configuration description of the processing head 14B will be omitted.

この処理ヘッド14Aは、2つの本体部材141、142を連結してなるヘッド本体を有している。 The treatment head 14A has a head main body formed by connecting two body members 141, 142. このヘッド本体では、本体部材141、142の間に基板Wの厚みよりも若干広い隙間SPが形成されており、アクチュエータ15Aの作動により処理ヘッド14Aが基板Wの周縁部に近接すると、基板Wの端面が処理ヘッド14Aの内部に入り込み、基板裏面Wbおよび基板表面Wfの周縁部がそれぞれ本体部材141、142と対向する。 In the head main body is formed slightly wider gap SP than the thickness of the substrate W between the body member 141, 142, the processing head 14A by the operation of the actuator 15A is close to the peripheral portion of the substrate W, the substrate W end surface enters into the processing head 14A, the peripheral portion of the substrate rear surface Wb and the substrate surface Wf faces the body member 141 and 142, respectively.

これらの本体部材141、142のうち基板裏面Wbと対向する上方側本体部材141には、ガスノズル143が設けられている。 The upper body member 141 that faces the substrate rear surface Wb of these body members 141 and 142, the gas nozzle 143 is provided. このガスノズル143は上記したようにガス供給ユニット18と接続されており、基板裏面Wb側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。 The gas nozzle 143 is connected to a gas supply unit 18 as described above, to discharge the nitrogen gas toward the peripheral portion from the substrate rear surface Wb side. これによって、後述するようにしてベベルエッチング処理(エッチング処理+リンス処理)中に処理液(薬液やリンス液)が基板裏面Wbに飛散して付着するのを防止している。 Thus, the bevel etching process in the manner described below (etching + rinsing) treatment liquid in (drug solution or rinse liquid) is prevented from adhering scattered on the back surface of the substrate Wb. なお、この実施形態では、ガスノズル143に窒素ガスを供給しているが、空気や他の不活性ガスなどを吐出するように構成してもよい。 In this embodiment, although nitrogen gas is supplied to the gas nozzle 143 may be configured to discharge air or other inert gas.

もう一方の下方側本体部材142には、ガスノズル144および処理液ノズル145が設けられている。 The other of the lower body member 142, the gas nozzle 144 and the treatment liquid nozzle 145 is provided. ガスノズル144は、ガスノズル143と同様に、ガス供給ユニット18と接続されており、基板表面Wf側から周縁部に向けて窒素ガスを吐出する。 Gas nozzle 144, similar to the gas nozzle 143 is connected to the gas supply unit 18, to discharge the nitrogen gas toward the peripheral portion from the substrate surface Wf side. これによって、ベルヌーイ効果を発揮させて基板表面Wfを下方側本体部材142に近接状態で吸着させながら浮上させ、基板表面Wfと下方側本体部材142との離間距離を一定に保っている。 Thus, by exerting a Bernoulli effect is floated while adsorbed at proximity to the substrate surface Wf in the lower-side body member 142, which maintains a distance between the substrate surface Wf and the lower-side body member 142 constant.

また、処理液ノズル145はガスノズル144よりも基板外周側(図3の左手側)に設けられている。 Further, the treatment liquid nozzle 145 is provided on the substrate periphery side (left side in FIG. 3) than nozzle 144. この処理液ノズル145は薬液供給ユニット16およびリンス液供給ユニット17と接続されており、薬液またはリンス液が本発明の「第1処理液」として供給される。 The treatment liquid nozzle 145 is connected to the chemical solution supply unit 16 and the rinsing liquid supply unit 17, the chemical liquid or the rinse liquid is supplied as a "first processing liquid" in the present invention. また、処理液ノズル145の先端には、断面形状が台形形状を有する処理規定部材146が取り付けられており、基板表面Wfの周縁部と近接配置される。 Further, the distal end of the treatment liquid nozzle 145, the cross-sectional shape is attached processing defining member 146 having a trapezoidal shape, are arranged close the peripheral portion of the substrate surface Wf. このため、例えば制御ユニット4からの動作指令に応じて薬液供給ユニット16から薬液が圧送されると、処理液ノズル145から薬液が吐出され、処理規定部材146と基板表面Wfの周縁部との間で薬液が液密状態となるとともに、薬液の一部は処理規定部材146よりも基板外周側に広がる。 Thus, for example, chemical is pumped from the chemical solution supply unit 16 in response to an operation command from the control unit 4, the chemical liquid is discharged from the treatment liquid nozzle 145, between the processing defining member 146 and the peripheral edge portion of the substrate surface Wf in conjunction with chemical is a liquid-tight state, a portion of the chemical liquid spreads on the substrate outer peripheral side of the process defining member 146. したがって、処理規定部材146よりも基板内周側(図3の右手側)には薬液は供給されず、その結果、薬液によるエッチング範囲、つまり周縁エッチング幅EHは処理規定部材146の位置により決定される。 Thus, the chemical liquid to the substrate inner circumference side (the right side in FIG. 3) than the processing defining member 146 is not supplied, so that the etching range of the chemical, i.e. peripheral etching width EH is determined by the position of the processing defining member 146 that. さらに言えば、上記したように処理ヘッド14Aの移動量を連続的に設定することができるため、処理ヘッド14Aの移動量を制御することで処理規定部材146の位置を変更させて周縁エッチング幅EHを任意の値に調整することができる。 For that matter, since the amount of movement of the processing head 14A as described above can be set continuously, the treatment head 14A position changed so by peripheral etching width EH processing defining member 146 by controlling the amount of movement of it can be adjusted to any value.

上記においては薬液を処理液ノズル145に圧送する場合について説明したが、薬液に代えてリンス液を圧送する場合も上記と同様である。 In the above it has been described a case where pumping chemical into the process liquid nozzle 145 but is the same as the case for pumping rinsing liquid instead of drug solution. つまり、制御ユニット4からの動作指令に応じてリンス液供給ユニット17からリンス液が圧送されると、処理液ノズル145からリンス液が吐出され、処理規定部材146と基板表面Wfの周縁部との間でリンス液が液密状態となるとともに、リンス液の一部は処理規定部材146よりも基板外周側に広がる。 That is, from the rinsing liquid supply unit 17 in response to an operation command from the control unit 4 when the rinsing liquid is pumped, the rinsing liquid from the treatment liquid nozzle 145 is discharged, the process defining member 146 and the peripheral portion of the substrate surface Wf with rinsing liquid is a liquid-tight state between a portion of the rinse liquid spreads on the substrate outer peripheral side of the process defining member 146. これによって、リンス液が供給される範囲をコントロールすることが可能となっている。 Thus, it is possible to control the extent to which rinsing liquid is supplied.

次に、裏面洗浄部2の構成について図4および図5を参照しつつ説明する。 Next, it will be described with reference to FIGS. 4 and 5 the structure of the back surface cleaning unit 2. 図4は裏面洗浄部の構成を示す図である。 Figure 4 is a diagram showing the configuration of the back surface cleaning unit. また、図5は図4の裏面洗浄部を上方から見た平面図である。 Further, FIG. 5 is a plan view of the back surface cleaning unit of FIG. 4 from above. この裏面洗浄部2はベベルエッチング部1によりベベルエッチング処理が施された基板Wの裏面Wbを洗浄するものである。 The back surface cleaning unit 2 is for cleaning the back surface Wb of the substrate W bevel etching process is performed by the bevel etching unit 1. この裏面洗浄部2は、中空の回転軸21がモータ22の回転軸に駆動伝達機構を介して連結されており、このモータ22の駆動により鉛直軸J(図5)周りに回転可能となっている。 The back surface cleaning unit 2 includes a hollow rotary shaft 21 is rotatable in the vertical axis J (Fig. 5) around the drive are connected through a drive transmission mechanism to the rotating shaft of the motor 22, the motor 22 there. この回転軸21の上端部には、基板Wよりも若干大きな平面サイズを有するスピンベース23が一体的にネジなどの締結部品によって連結されている。 The upper end portion of the rotary shaft 21, the spin base 23 having a larger planar size slightly larger than the substrate W are joined by fastening components such as integrally screws. したがって、モータ22の駆動によりスピンベース23が鉛直軸J周りに回転可能となっている。 Therefore, the spin base 23 is rotatable about the vertical axis J by driving the motor 22. なお、スピンベース23の構成および特徴点については後で詳述する。 Note that will be described later in the configuration and the characteristic point of the spin base 23.

また、この裏面洗浄部2には、その上面から基板Wの表面Wfに向けて窒素ガスを吐出することで基板Wを非接触に略水平状態で支持する基板浮上ヘッド24が設けられるとともに、該基板浮上ヘッド24を昇降させる基板昇降機構25が設けられている。 Also, with this on the back surface cleaning unit 2, the substrate floating head 24 for supporting a substantially horizontal state substrate W in a non-contact is provided by discharging the nitrogen gas toward the upper surface thereof to the surface Wf of the substrate W, the substrate lifting mechanism 25 for raising and lowering the substrate floating head 24 is provided. この基板昇降機構25は基板搬送部3による基板Wの搬入出を可能としながらも、基板Wとスピンベース23とを近接配置させることを可能としている。 The substrate elevating mechanism 25 while allowing the loading and unloading of the substrate W by the substrate transport unit 3, it is made possible to arranged close to the substrate W and the spin base 23. すなわち、基板Wとスピンベース23とを近接配置させると、その隙間に基板搬送部3の搬送アーム等を挿入することができない。 That is, when placed close to the substrate W and the spin base 23, it is impossible to insert the transfer arm of the substrate transport unit 3 into the gap. そこで、基板昇降機構25は、スピンベース23から上方に十分に離れた位置を基板受渡し位置P3として、基板受渡し位置P3にて基板搬送部3と基板Wの受け渡しを行いながら、基板Wとスピンベース23とを近接配置させた位置を裏面洗浄位置P2として、裏面洗浄位置P2に基板Wを搬送している。 Therefore, the substrate elevating mechanism 25 is sufficiently away upward from the spin base 23 as a substrate delivery position P3, while transferring the substrate transport unit 3 and the substrate W at a substrate delivery position P3, the substrate W and the spin base the closely spaced so position and 23 as the back washing position P2, carrying the substrate W on the back surface cleaning position P2. より具体的には、基板昇降機構25は、 More specifically, the substrate elevating mechanism 25,
・基板受渡し位置P3でベベルエッチング処理済の基板Wを基板搬送部3から基板浮上ヘッド24に受け取り、 In-substrate delivery position P3 receives the substrate W of the bevel etching processed from the substrate transport unit 3 to the substrate floating head 24,
・基板浮上ヘッド24を下降させて受け取った基板Wを裏面洗浄位置P2に位置決めし、 · A wafer W received lowers the substrate floating head 24 is positioned on the back surface cleaning position P2,
・基板浮上ヘッド24を上昇させて裏面洗浄済の基板Wを基板受渡し位置P3に位置決めし、 - raise the substrate floating head 24 to the substrate W of the back surface cleaned and positioned in the substrate delivery position P3, the
・裏面洗浄済基板Wを基板浮上ヘッド24から基板搬送部3に引渡している。 · The back surface cleaned substrate W is passing from the substrate floating head 24 to the substrate transport unit 3.

この基板昇降機構25は、基板浮上ヘッド24の下方に取付けられてヘッドを支持する内部が中空の筒状のヘッド支持アーム251と、ヘッド支持アーム251の中空部に接続され、ヘッド支持アーム251を介して基板浮上ヘッド24に窒素ガスを供給可能なガス供給ユニット252と、基板浮上ヘッド24およびヘッド支持アーム251を一体的に上下方向に移動させるエアシリンダ等のアクチュエータ253とを備えている。 The substrate elevating mechanism 25 includes a head supporting arm 251 internally hollow cylindrical which is attached below the substrate floating head 24 for supporting the head, is connected to the hollow portion of the head supporting arm 251, a head support arm 251 a gas supply unit 252 can supply nitrogen gas to the substrate floating head 24 through, and an actuator 253 such as an air cylinder for moving the integrally vertically substrate floating head 24 and the head support arm 251.

また、基板浮上ヘッド24は、後端部(底部)の中央部がヘッド支持アーム251の上端部と一体的に固着されて、ヘッド支持アーム251により水平姿勢で支持されている。 The substrate floating head 24, the central portion is an upper end portion and integrally fixed in the head support arm 251 of the rear end portion (bottom portion), and is supported in a horizontal posture by the head supporting arm 251. ヘッド支持アーム251は回転軸21の中空部に鉛直軸Jの軸方向に同軸に貫通して配置されるとともに、昇降自在に構成されている。 Together with the head support arm 251 is disposed through the coaxially in the axial direction of the vertical axis J in the hollow portion of the rotary shaft 21, and is vertically movable configuration. ヘッド支持アーム251は、アクチュエータ253と連結されており、制御ユニット4がアクチュエータ253を駆動させることにより、基板浮上ヘッド24とヘッド支持アーム251とを一体的に昇降可能となっている。 Head support arm 251 is coupled with the actuator 253, the control unit 4 by driving the actuator 253, which is integrally movable upward and downward and a substrate floating head 24 and the head support arm 251. このように、この実施形態では、アクチュエータ253が基板浮上ヘッド24を昇降駆動させる、本発明の「昇降駆動部」として機能している。 Thus, in this embodiment, the actuator 253 causes the lift driving the substrate floating head 24, function as the "elevation drive unit" of the present invention.

基板浮上ヘッド24の先端部(上方部)は基板Wの表面Wfの略中央部に対向しており、基板浮上ヘッド24の先端部から吐出される不活性ガスにより基板Wが浮上することで、基板Wは裏面Wbを上方に向けた状態で基板浮上ヘッド24に非接触で支持される。 Substrate tip portion of floating head 24 (upper portion) that faces the substantially central portion of the surface Wf of the substrate W, the substrate W by the inert gas discharged from the tip of the substrate floating head 24 floats, substrate W is supported without contact to the substrate floating head 24 in a state with its rear surface Wb upwards. この基板浮上ヘッド24は、基板Wの平面サイズより小さな平面サイズD2を有する円盤形状をしており、その先端部に設けられた上面241が支持面として基板Wの表面Wfと平行して(水平に)対向配置されている。 The substrate floating head 24 has a disc shape having a smaller planar size D2 than the plane size of the substrate W, the upper surface 241 provided on the distal end portion is parallel to the surface Wf of the substrate W as a supporting surface (a horizontal a) they are oppositely disposed. この基板浮上ヘッド24の上面241の周縁部には複数のガス吐出口242が開口しており、各ガス吐出口242から基板Wの表面Wfに向けて上向きかつ基板Wの端縁側に窒素ガスを吐出可能となっている。 This is the peripheral portion of the upper surface 241 of the substrate floating head 24 has a plurality of gas discharge ports 242 are opened, the nitrogen gas to the end edge of the upward and the substrate W toward the respective gas discharge ports 242 on the top surface Wf of the substrate W It has become a possible discharge. 図5に示すように、複数のガス吐出口242は上面241において径方向外側に長い楕円形状をしている。 As shown in FIG. 5, a plurality of gas discharge ports 242 is a long oval shape radially outward on the upper surface 241. また、ガス吐出口242は上面241に対して所定の角度(好ましくは、20°〜40°)をなして基板Wの端縁側に向けて窒素ガスを吐出するように形成されている。 The gas discharge ports 242 a predetermined angle (preferably, 20 ° to 40 °) with respect to the top surface 241 is formed so as to discharge the nitrogen gas toward the edge side of the substrate W forms a. これにより、基板浮上ヘッド24から基板Wの下面に向けて窒素ガスを吐出させることでベルヌーイ効果によって基板Wを上面241に吸着させながら略水平状態で浮上させることができる。 Thus, it is possible to float in a substantially horizontal state while attracted to the upper surface 241 of the substrate W by the Bernoulli effect by ejecting nitrogen gas toward the substrate floating head 24 to the lower surface of the substrate W.

図4に戻って説明を続ける。 Referring back to FIG. 基板浮上ヘッド24の上面241に設けられた複数のガス吐出口242はそれぞれ、基板浮上ヘッド24の内部に形成されたガス流通空間243に連通している。 Each of the plurality of gas discharge ports 242 provided on the upper surface 241 of the substrate floating head 24 communicates with the gas flow space 243 formed inside the substrate floating head 24. このような基板浮上ヘッド24は、例えば、内方に凹部を有する皿形状の受け部材と、上面が基板Wの下面と対向する支持面(上面)241となっている円盤状の蓋部材とを備えることにより、受け部材に蓋部材を嵌め込むことにより、基板浮上ヘッド24の内部にガス流通空間243が形成される。 Such substrate floating head 24, for example, a receiving member of dish-shaped having a concave inwardly, and a disk-shaped lid member having an upper surface and has a supporting surface (upper surface) 241 facing the lower surface of the substrate W the provision, by fitting the lid member to the receiving member, the gas flow space 243 is formed in the substrate floating head 24. また、ヘッド支持アーム251の内部にはガス供給路254が鉛直軸Jの軸線方向に沿って設けられており、その上方側がガス流通空間243に連通している。 Further, the inside of the head support arm 251 is provided a gas supply passage 254 in the axial direction of the vertical axis J, its upper side is in communication with the gas flow space 243. さらに、ガス供給路254の下方側はガス供給ユニット252に接続されている。 Further, the lower side of the gas supply passage 254 is connected to a gas supply unit 252.

また、回転軸21の内壁面とヘッド支持アーム251の外壁面との間の隙間は、円筒状のガス供給路255を形成している。 Further, the gap between the inner wall and the outer wall surface of the head support arm 251 of the rotary shaft 21 forms a cylindrical gas supply passage 255. このガス供給路255もガス供給ユニット252に連続接続されていてガス供給路255を介して基板Wの表面Wfとスピンベース23の上面との間に形成される空間に窒素ガスを供給することができる。 The gas supply passage 255 be continuously connected to the gas supply unit 252 to supply the nitrogen gas into the space formed between the surface Wf and the upper surface of the spin base 23 of the substrate W through the gas supply path 255 it can.

また、基板浮上ヘッド24により支持される基板Wが水平方向に移動するのを防止するために、6つのチャック26a〜26fがスピンベース23の周縁に設けられている(図5)。 Further, in order to prevent the substrate W supported by the substrate floating head 24 is moved in the horizontal direction, six chucks 26a~26f is provided on the periphery of the spin base 23 (FIG. 5). これら6つのチャック26a〜26fのうちチャック26a、26c,26eは同一タイミングで制御ユニット4からの動作信号に応じて基板Wの外周端面に対して離当接する一方、残りのチャック26b、26d,26fは同一タイミングで制御ユニット4からの動作信号に応じて基板Wの外周端面に対して離当接する。 Chuck 26a of these six chucks 26a to 26f, 26c, 26e whereas away abuts against the outer peripheral edge surface of the substrate W in accordance with the operation signal from the control unit 4 at the same timing, the remaining chuck 26b, 26 d, 26f away it abuts against the outer peripheral edge surface of the substrate W in accordance with the operation signal from the control unit 4 at the same timing. そして、制御ユニット4はチャック26a〜26fを基板Wの外周端面から離間させた状態で基板浮上ヘッド24に対する基板Wの搬入出を行う。 Then, the control unit 4 performs the loading and unloading of the substrate W relative to the substrate floating head 24 while being spaced a chuck 26a~26f from the outer peripheral edge surface of the substrate W. そして、基板浮上ヘッド24に支持される基板Wが裏面洗浄位置P2に位置決めされた後、チャック26a〜26fを基板Wの外周端面と当接して水平方向に保持する。 Then, the substrate W supported on the substrate floating head 24 after being positioned on the back surface cleaning position P2, to hold the chuck 26a~26f horizontally in contact with the outer peripheral edge surface of the substrate W. このように、この実施形態では、基板浮上ヘッド24により基板Wを略水平状態に支持するとともに、6つのチャック26a〜26fで基板Wの水平方向の移動を規制している。 Thus, in this embodiment, to support the substrate W in a substantially horizontal state by the substrate floating head 24, and restricts the horizontal movement of the substrate W in six chucks 26a to 26f. また、後述するようにして処理液(薬液+リンス液)による裏面洗浄処理を行っている間、例えばチャック26a、26c,26eからなるチャック群と、チャック26b、26d,26fからなるチャック群とを交互に基板Wの外周端面に当接させる。 Further, while performing the back surface cleaning processing with a processing solution (solution + rinse liquid) as described later, for example a chuck 26a, 26c, a chuck group consisting 26e, the chuck 26b, 26 d, and a chuck group consisting 26f alternately into contact with the outer peripheral edge surface of the substrate W. これによって、処理液が基板Wの全周にわたって均一に供給されて処理の均一化を図っている。 Thus, the processing liquid is made uniform processing is uniformly supplied over the entire periphery of the substrate W. なお、チャックの個数、配置については任意であり、例えば、チャックを4つとして、裏面洗浄処理中に4つのチャックが順番に基板Wの外周端面から一時的に離間するように制御ユニット4がチャックの離当接動作を制御するようにしてもよい。 The number of the chuck, is arbitrary for placement, for example, as four chuck, the control unit 4 as four chucks in the back surface cleaning process is temporarily spaced from the outer peripheral edge surface of the substrate W in order chuck it may be controlled to a separation and contact operation.

また、基板Wの上方位置において、処理液供給用のノズル27が基板Wの直上位置(図4の実線位置)と退避位置(破線位置)との間を移動可能に構成されている。 Further, in the upper position of the substrate W, a nozzle 27 for process liquid supply is configured to be movable between the position immediately above the substrate W and the retracted position (solid line position in FIG. 4) (broken line position). このノズル27は、裏面洗浄に適した薬液を供給する薬液供給ユニット28と、リンス液を供給するリンス液供給ユニット29とに接続されている。 The nozzle 27 includes a chemical supply unit 28 for supplying a chemical solution that is suitable for the back surface cleaning, and to the rinsing liquid supply unit 29 for supplying the rinsing liquid. そして、制御ユニット4からの動作指令に応じて、ノズル27が基板Wの直上位置に移動するとともに、該ノズル27に薬液またはリンス液が本発明の「第2処理液」として供給されて裏面洗浄処理が実行される。 Then, in response to an operation command from the control unit 4, together with the nozzle 27 is moved to a position directly above the substrate W, is supplied back surface cleaning as a "second treatment liquid" chemical liquid or the rinse liquid to the nozzle 27 is the invention processing is executed.

次にスピンベース23の構成について説明する。 Next will be described the structure of the spin base 23. スピンベース23は、基板Wの表面Wfに対向する上面の略中央部に内部に向けて窪んだ窪部231を有している。 Spin base 23 has a recess 231 which is recessed toward the inside in a substantially central portion of the upper surface opposite the surface Wf of the substrate W. この窪部231は、その平面サイズD1が基板浮上ヘッド24の平面サイズD2よりも大きく、上下方向における深さが基板浮上ヘッド24の高さよりも深くなるように、スピンベース23に形成されている。 The recess 231 is larger than the planar size D2 of the plane size D1 is a substrate floating head 24, as the depth in the vertical direction is deeper than the height of the substrate floating head 24, is formed on the spin base 23 . したがって、基板浮上ヘッド24を降下させた際に基板浮上ヘッド24を窪部231に退避させることが可能となっている。 Therefore, it is possible to retract the substrate floating head 24 to the recess 231 when the lowering the substrate floating head 24. また、窪部231の周囲を取り囲むドーナツ状の円環部位の上面は基板Wの表面Wfと対向する基板対向面232となっている。 Further, donut-shaped upper surface of the annular portion surrounding the recess 231 has a substrate-facing surface 232 facing the front surface Wf of the substrate W. この対向面232は水平に(基板浮上ヘッド24の上面241と平行に)形成されており、基板浮上ヘッド24に略水平状態で吸着支持される基板Wの表面Wfの周縁部と平行して対向可能となっている。 The facing surface 232 is horizontally (parallel to the upper surface 241 of the substrate floating head 24) formed, opposite to and parallel with the periphery of the surface Wf of the substrate W to be sucked and supported in a substantially horizontal state to the substrate floating head 24 It has become possible.

次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図6ないし図8を参照しつつ説明する。 Next, it will be described with reference to FIGS. 6 to 8, the operation of the substrate processing apparatus having the structure as described above. 図6は図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 6 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus shown in FIG. この装置では、基板Wの表面Wfにメタル層やフォトレジスト層などの薄膜TFが形成された基板Wがフェースダウン姿勢でベベルエッチング部1に搬入されると、該基板Wに対してベベルエッチング処理(エッチング工程+リンス工程+乾燥工程)が実行される(ステップS1)。 In this apparatus, when the substrate W on which the thin film TF is formed such metal layer and a photoresist layer on the surface Wf of the substrate W is carried into the bevel etching unit 1 face down posture, the bevel etching process on the substrate W (etching process + rinsing + drying step) is performed (step S1). より具体的には、図7のフローチャートに示す一連の処理が実行される。 More specifically, a series of processes shown in the flowchart of FIG. 7 is executed.

図7はベベルエッチング処理を示すフローチャートである。 Figure 7 is a flowchart showing the bevel etching process. まずステップS11でベベルエッチング位置P1にフェースダウン姿勢で搬送されてきた基板Wの裏面Wbの略中央部を真空チャック11により吸引保持する。 First, in step S11 the substantially central portion of the rear surface Wb of the substrate W that has been conveyed by the face-down orientation to the bevel etching position P1 sucks held by the vacuum chuck 11. これにより、基板Wがフェースダウン姿勢で、かつ略水平姿勢でベベルエッチング位置P1に位置決めされる。 Thus, the substrate W is face down posture, and is positioned in the bevel etching position P1 in a substantially horizontal position. このとき、両処理ヘッド14A,14Bは基板Wの周縁部から離間しており(図2の破線位置)、基板Wとの干渉を防止している。 In this case, both the processing head 14A, 14B are spaced apart from the peripheral edge of the substrate W (the dashed-line position of FIG. 2), to prevent interference with the substrate W.

そして、モータ12の駆動を開始させて基板Wをベベルエッチング位置P1で回転させる(ステップS12)。 Then, the substrate W is rotated at a bevel etching position P1 to initiate the driving of the motor 12 (step S12). また、ステップS12と同時、あるいは前後して、両処理ヘッド14A,14Bを基板Wの周縁部に近接移動させて薬液による基板表面Wfの周縁部に対するエッチング処理が可能な状態に位置決めする(ステップS13)。 Further, the step S12 and simultaneously or one after, both processing heads 14A, 14B to be positioned at the ready etching process on the peripheral portion of the substrate surface Wf by chemical in proximity moved to the peripheral portion of the substrate W (step S13 ). すなわち、基板処理装置の操作パネル(図示省略)を介してオペレータが基板種類や薄膜種類などに対応するレシピを選択すると、そのレシピで予め設定された移動量だけ処理ヘッド14A,14Bがそれぞれガイド13A,13Bに沿って基板内周側(同図の右手側)に移動されて周縁エッチング幅EHに対応するように処理規定部材146が位置決めされる(同図(a))。 That is, when the operator via the operation panel of the substrate processing apparatus (not shown) selects a recipe corresponding like substrate type and a thin film type, the movement amount by the treatment head 14A which is previously set in the recipe, 14B each guide 13A , the process defining member 146 is positioned so as to move in the peripheral-side substrate (right-hand side of the figure) corresponding to the peripheral etching width EH along the 13B (FIG. (a)).

こうして処理規定部材146の位置決めが完了すると、ガスノズル143,144から基板Wに向けて窒素ガスが吐出される。 Thus the positioning of the process defining member 146 is completed, nitrogen gas is discharged toward the gas nozzle 143 to the substrate W. また、薬液供給ユニット16からエッチング処理に適した薬液がノズル145に圧送されて処理規定部材146と基板表面Wfの周縁部との間で薬液が液密状態となるとともに、薬液の一部は処理規定部材146よりも基板外周側に広がる。 Further, the chemical that is suitable from the chemical solution supply unit 16 to the etching process chemical is a liquid-tight state between the peripheral portion of the pumped to the nozzle 145 and process defining member 146 and the substrate surface Wf, some of the chemical processing It spreads the substrate outer peripheral side of the regulating member 146. これによって、周縁エッチング幅EHは処理規定部材146の位置により決定される周縁エッチング幅EHで基板表面Wfの周縁部から不要物(薄膜TF)がエッチング除去される(ステップS14;エッチング処理)。 Thus, peripheral etching width EH is unwanted materials from the periphery of the substrate surface Wf at the edge etching width EH determined by the position of the processing defining member 146 (film TF) is etched away (step S14; etching). このエッチング処理が基板回転に伴い連続的に行われて基板表面Wfの周縁部を所定の周縁エッチング幅EHで正確に、しかも外周全体にわたって均一にエッチング除去される。 The etching process is precisely, yet uniformly etched over the entire periphery of the peripheral portion of the continuously performed with the substrate surface Wf with the substrate rotating at a predetermined peripheral etching width EH.

このエッチング処理が完了すると、同図(b)に示すように、処理ヘッド14A,14Bがそれぞれガイド13A,13Bに沿って基板内周側にさらに移動されて処理規定部材146がエッチング除去された箇所の端部に対向するように位置決めされる(ステップS15)。 When the etching process is completed, as shown in FIG. (B), the processing head 14A, 14B each guide 13A, the process defining member 146 is further moved to the inner circumference side substrate along 13B is etched away portions It is positioned to face the end (step S15). そして、薬液の代わりに、リンス液がノズル145に圧送されて処理規定部材146と基板表面Wfの周縁部との間でリンス液が液密状態となるとともに、リンス液の一部は処理規定部材146よりも基板外周側に広がる。 Then, instead of the chemical solution, together with the rinsing liquid rinsing liquid is a liquid-tight state between the peripheral portion of the pumped to the nozzle 145 and process defining member 146 and the substrate surface Wf, part of the rinsing liquid is treated defining member It spreads the substrate periphery side than 146. これによって、薄膜TFの周縁部および外周端部はもちろんのこと、エッチング除去された基板表面Wfの周縁部に対してリンス処理が実行される(ステップS16)。 Thus, the peripheral portion and the outer peripheral end portion of the thin film TF, of course, rinsing is performed on the peripheral portion of the substrate surface Wf which is etched away (step S16).

こうして、エッチング処理およびリンス処理が完了すると、モータ12の回転速度を高めて基板Wを高速回転させる。 Thus, the etching process and the rinsing process is completed, is rotated at high speed the substrate W by increasing the rotational speed of the motor 12. これによって、基板Wに付着する液体成分を振り切って基板Wを乾燥させた(ステップS17)後、基板Wの回転を停止させる(ステップS18)。 Thus, after the substrate W is dried by shaking off liquid component adhering to the substrate W (step S17), it stops the rotation of the substrate W (step S18). こうしてベベルエッチング処理(エッチング処理+リンス処理+乾燥処理)が完了すると、基板搬送部3の搬送アーム等による基板Wの受け取りが可能であることを確認した上で真空チャック11による基板保持を解除する(ステップS19)。 Thus the bevel etching process (etching process + rinsing + drying process) is completed, releasing the substrate being held by a vacuum chuck 11 after confirming that the receipt of the substrate W by the transfer arm of the substrate transport unit 3 is possible (step S19). これによって、ベベルエッチング処理を受けた基板Wを基板搬送部3の搬送アームに受け渡す。 Thus, receiving and transferring the substrates W having received a bevel etching process in the transport arm of the substrate transport unit 3.

この基板Wを受け取った基板搬送部3は、図6に示すように、裏面洗浄部2の基板受渡し位置P3に該基板Wをフェースダウン姿勢のまま搬送する(ステップS2)。 Substrate transfer unit 3 that has received the substrate W, as shown in FIG. 6, the substrate W is conveyed while the face-down orientation to the substrate delivery position P3 of the back surface cleaning unit 2 (step S2). そして、裏面洗浄部2で裏面洗浄処理が実行される(ステップS3)。 Then, the back surface cleaning process is performed by the back surface cleaning unit 2 (Step S3). より具体的には、図8のフローチャートに示す一連の処理が実行される。 More specifically, a series of processes shown in the flowchart of FIG. 8 is executed.

図8は裏面洗浄処理を示すフローチャートである。 Figure 8 is a flow chart illustrating the back surface cleaning process. まずステップS31で制御ユニット4がアクチュエータ253を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド24とヘッド支持アーム251とを一体的に上昇させる。 First, the control unit 4 at step S31 integrally raise the substrate floating head 24 and the head support arm 251 by raising drives the actuator 253. そして、基板浮上ヘッド24の上面241が、スピンベース23から上方に離れた基板受渡し位置P3の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット4は基板浮上ヘッド24のガス吐出口242から上向きに窒素ガスを吐出させる(ステップS32)。 The upper surface 241 of the substrate floating head 24 and is stopped up from the spin base 23 to just below the substrate transfer position P3 spaced upwardly, the control unit 4 upwardly from the gas discharge port 242 of the substrate floating head 24 ejecting nitrogen gas (step S32). これにより、基板浮上ヘッド24は基板搬送部3により搬送されてきた基板Wを受け取ることが可能となる。 Thus, the substrate floating head 24 is allowed to receive the substrate W that has been conveyed by the substrate conveying unit 3. なお、制御ユニット4はガス吐出口242から窒素ガスを吐出させた後に、窒素ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド24を上昇させるようにしてもよいし、窒素ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド24を上昇させるようにしてもよい。 Note that after the control unit 4 which has discharged nitrogen gas from the gas discharge port 242, may be to raise the substrate floating head 24 in a state of discharging the nitrogen gas, at the same time the substrate floating head and the discharge of the nitrogen gas it may be to increase the 24.

続いて、基板搬送部3の搬送アーム等によりベベルエッチング処理済の基板Wが裏面洗浄部2内に搬入され、基板受渡し位置P3に搬送されてくると(ステップS33)、該基板Wはその直下位置に位置する基板浮上ヘッド24から吐出される窒素ガスによるベルヌーイ効果によって基板浮上ヘッド24の上面241に吸着されながら略水平状態で浮上される。 Subsequently, the bevel etching the processed substrate W by the transfer arm or the like of the substrate conveying unit 3 is carried into the back surface cleaning unit 2, when conveyed to the substrate transfer position P3 (step S33), the substrate W is immediately below the It is floated in a substantially horizontal state while being adsorbed on the upper surface 241 of the substrate floating head 24 by the Bernoulli effect due to the nitrogen gas discharged from the substrate floating head 24 located at the position. そして、基板搬送部3の搬送アームの保持されているベベルエッチング処理済の基板Wが基板浮上ヘッド24へ受渡される(ステップS34)。 The bevel etching the processed substrate W held by the transfer arm of the substrate transport unit 3 is delivery to the substrate floating head 24 (step S34). これにより、該基板Wはその表面Wfに向けて基板表面Wfと基板浮上ヘッド24の上面241との間に形成される空間に供給される窒素ガスにより非接触状態で、かつフェースダウン姿勢で基板浮上ヘッド24に保持されることとなる。 Thus, the substrate substrate W is in a non-contact state by the nitrogen gas supplied to the space formed between the upper surface 241 of the substrate surface Wf and the substrate floating head 24 toward the surface Wf, and face down posture and thus it held in the floating head 24.

次に、基板Wは基板浮上ヘッド24により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット4がアクチュエータ253を下降駆動させることで降下される(ステップS35)。 Then, the substrate W is in a state of being floated in a substantially horizontal state by the substrate floating head 24, the control unit 4 is lowered by lowering drives the actuator 253 (step S35). ここで、基板Wは水平方向に移動するのをガイドピン233によって規制されながら降下されるので、基板Wが基板浮上ヘッド24から水平方向に飛び出すようなことがなく、スムーズに裏面洗浄位置P2に向けて案内される。 Here, since the substrate W is lowered while being regulated by the guide pin 233 from moving in the horizontal direction, without such a substrate W pops out horizontally from the substrate floating head 24 smoothly on the back surface cleaning position P2 It is guided toward. そして、基板Wが裏面洗浄位置P2に達する(ステップS36)と、制御ユニット4がチャック26a〜26fを作動させて基板Wの外周端面と当接させる(ステップS37)。 Then, the substrate W reaches the back surface cleaning position P2 (step S36), the control unit 4 is brought into contact with the outer peripheral edge surface of the substrate W by actuating the chuck 26a to 26f (step S37). これによって、基板Wがフェースダウン姿勢で裏面洗浄位置P2に位置決め保持される。 Thus, the substrate W is held positioned in the back surface cleaning position P2 face down posture. この裏面洗浄位置P2では、基板浮上ヘッド24の全体がスピンベース23の窪部231に退避して基板表面Wfの周縁部(ベベルエッチング部分)とスピンベース23の対向面232とが近接状態で対向配置される。 In the back surface cleaning position P2, facing across the proximity state periphery of the substrate surface Wf retreated recess 231 (bevel etching portion) and the opposing surface 232 of the spin base 23 of the spin base 23 of the substrate floating head 24 It is placed.

その後、処理液供給用のノズル27からスピンベース23とともに回転される基板Wの裏面Wbに処理液が供給され、基板Wの裏面(非デバイス形成面)Wbに対して裏面洗浄処理が実行される(ステップS38)。 Thereafter, the processing liquid to the back surface Wb of the substrate W is rotated together with the spin base 23 from the nozzle 27 for processing liquid supply is supplied, the back surface cleaning process is performed on the rear surface of the substrate W (non-device formation surface) Wb (step S38). なお、処理中に制御ユニット4はガス供給路255から基板浮上ヘッド24の下面と窪部231の底面との間に形成される空間を介して基板Wの表面Wfとスピンベース23の上面との間に形成される空間全体に窒素ガスを供給することができる。 Incidentally, the control unit 4 during the processing of the upper surface of the surface Wf and the spin base 23 of the substrate W through a space formed between the bottom surface of the lower surface and the recess portion 231 of the substrate floating head 24 from the gas supply channel 255 nitrogen gas can be supplied to the entire space formed between. そして、基板表面Wfとスピンベース23の上面との間に形成される空間に供給された窒素ガスは、基板表面Wfの周縁部とスピンベース23の周縁部の対向面232との隙間に基板Wの径方向外側に向けて流れることで、基板表面Wf(デバイス形成面)を基板Wの周囲雰囲気から遮断するとともに、基板表面Wfに処理液が付着するなどして基板表面Wfが汚染されるのが防止される。 Then, the nitrogen gas supplied to the space formed between the upper surface of the substrate surface Wf and the spin base 23, the gap to the substrate W and the opposed surface 232 of the peripheral edge of the peripheral portion and the spin base 23 of the substrate surface Wf by flowing radially outward of, as well as blocking the substrate surface Wf (device formation surface) from the ambient atmosphere of the substrate W, the substrate surface Wf and the like processing liquid on the substrate surface Wf is attached is contaminated There is prevented. また、本実施形態では、裏面洗浄処理中においてチャック26a、26c,26eからなるチャック群と、チャック26b、26d,26fからなるチャック群とを交互に基板Wの外周端面に当接させて処理の均一化を図っている。 Further, in the present embodiment, the chuck 26a during the back surface cleaning, 26c, a chuck group consisting 26e, the chuck 26b, 26 d, the processing alternately into contact with the outer peripheral edge surface of the substrate W and the chuck group consisting 26f and made uniform.

また、裏面洗浄済の基板Wの搬出については、裏面洗浄前の基板Wの搬入と逆の手順で実行される。 As for the unloading of the substrate W on the back surface cleaned, it is performed by carrying the reverse order of the substrate W before the back surface cleaning. 基板Wに対する裏面洗浄処理が実行された後、チャック26a〜26fが処理済基板Wの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Wの保持が解除される(ステップS39)。 After the back surface cleaning process for the substrate W is performed, by moving in the direction in which the chuck 26a~26f is separated from the outer peripheral edge surface of the processed substrate W, held in the substrate W is released (step S39). 続いて、制御ユニット4はアクチュエータ253を上昇駆動させることで窪部231内に退避されている基板浮上ヘッド24をガス吐出口242から窒素ガスを吐出させた状態で上昇させる(ステップS40)。 Subsequently, the control unit 4 increases the substrate floating head 24 saved in the recess 231 by raising drives the actuator 253 in a state of discharging the nitrogen gas from the gas discharge ports 242 (step S40). そして、処理済基板Wが基板受渡し位置P3まで上昇するとアクチュエータ253の駆動を停止させて当該位置で基板Wを位置決めさせる(ステップS41)。 Then, the processed substrate W to position the substrate W in the position of the driving of the actuator 253 is stopped when raised to the substrate transfer position P3 (step S41). これにより、基板浮上ヘッド24は処理済基板Wを基板搬送部3に引渡すことが可能となる。 Thus, the substrate floating head 24 it becomes possible to deliver the processed substrate W to the substrate transport unit 3. こうして、基板搬送部3の搬送アーム等により処理済基板Wが装置外に搬出される(ステップS42)。 Thus, the processed substrate W is unloaded from the apparatus by the transfer arm or the like of the substrate transport unit 3 (step S42). なお、この実施形態では、基板搬送部3により裏面洗浄部2から処理済基板Wを搬出しているが、他の基板搬送ロボットなどにより搬出するようにしてもよい。 In this embodiment, although unloads the processed substrate W from the back surface cleaning unit 2 by the substrate transport unit 3, it may be carried out due to other substrate transport robot.

以上のように、この実施形態によれば、基板表面Wfの周縁部から不要物(メタル層やフォトレジスト層などの薄膜TFの一部)をエッチング除去するベベルエッチング部1と、基板裏面Wbを洗浄する裏面洗浄部2とを分離して、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理との2ステップ処理を実行している。 As described above, according to this embodiment, a bevel etching unit 1 unwanted materials from the periphery of the substrate surface Wf (a part of the thin film TF like metal layer and a photoresist layer) is removed by etching, the substrate rear surface Wb and a back surface cleaning unit 2 for cleaning and separating, running two-step process with the bevel etching process and the back surface cleaning process. すなわち、ベベルエッチング部1では、基板表面Wf側から基板表面Wfの周縁部に第1処理液(薬液およびリンス液)が直接的に供給されて該周縁部から不要物をエッチング除去しているため、回込方式を採用した従来装置に比べて周縁エッチング幅EHの精度を高め、しかも優れた均一性でベベルエッチングを行うことができる。 That is, in the bevel etching unit 1, the first processing liquid from the substrate surface Wf side to the peripheral portion of the substrate surface Wf for (chemical and rinse liquid) is removed by etching undesired substances from the peripheral edge is directly supplied , improve the accuracy of the peripheral etching width EH as compared with the conventional device employing a Kaikomi method, moreover it is possible to perform bevel etching with excellent uniformity.

また、この実施形態では、上記したように基板表面Wfの周縁部に第1処理液(薬液およびリンス液)を直接供給するため、基板Wの回転数とは無関係に周縁エッチング幅EHが決定される。 Further, in this embodiment, for supplying a first processing liquid to the peripheral portion of the substrate surface Wf as described above (the chemical and rinse liquid) directly, is determined independently of the peripheral etching width EH is the rotational speed of the substrate W that. したがって、エッチング処理およびリンス処理中の基板回転数を低く設定することも可能であり、基板回転数を落とすことで処理液の跳ね返りを効果的に抑制することができる。 Therefore, it is also possible to set lower substrate rotation speed in the etching process and the rinsing process, it is possible to effectively suppress the rebound of the processing solution by lowering the substrate speed.

また、第1処理液を基板表面Wf側から基板表面Wfの周縁部に直接的に供給するには、ノズル145から第1処理液を基板表面Wfの周縁部に吐出するように構成してもよく、このような構成を採用した場合にも上記実施形態と同様の作用効果が得られる。 In addition, the directly supplies the first treatment liquid from the substrate surface Wf side to the peripheral portion of the substrate surface Wf, from the nozzles 145 of the first treatment liquid configured to discharge the peripheral portion of the substrate surface Wf well, the same effect as the above embodiment can be obtained even in the case of employing such a configuration. ただし、周縁エッチング幅EHの高精度化を図るためには、上記実施形態で採用した供給方式が望ましい。 However, in order to improve the accuracy of the peripheral etching width EH is supplied scheme adopted in the above embodiment is desirable. すなわち、この実施形態では、処理規定部材146を用いて基板Wへの第1処理液の供給範囲を正確にコントロールするように構成しているので、周縁エッチング幅EHをさらに高めることができる。 That is, in this embodiment, since the structure to accurately control the supply range of the first treatment liquid to the substrate W using the processing defining member 146, it is possible to further enhance the peripheral etching width EH.

また、ベベルエッチング処理(ステップS1)後に、基板裏面Wbに対して裏面洗浄処理(ステップS3)が実行されるが、このとき、基板表面Wfに向けて窒素ガスを吐出させて該基板Wを裏面洗浄位置P2で浮上位置決めしている。 Further, after the bevel etching process (step S1), the although the back surface cleaning process on the substrate rear surface Wb (step S3) is performed, this time, the back surface of the substrate W by ejecting nitrogen gas toward the substrate surface Wf It has emerged positioned in the cleaning position P2. つまり、この実施形態では、基板Wを非接触状態で位置決めしながら裏面洗浄処理を行っている。 That is, in this embodiment, is performed back surface cleaning process while positioning the substrate W in a non-contact state. したがって、基板表面Wfが汚染されるなどの不具合を発生させることなく、裏面洗浄処理を良好に行うことができる。 Accordingly, without causing problems such as the substrate surface Wf is contaminated, it is possible to perform the back surface cleaning process well.

また、基板浮上ヘッド24はベルヌーイ効果により基板Wを支持面241に近接状態で吸着させながら浮上させているため、基板Wを基板浮上ヘッド24に非接触で吸着させた状態で安定して裏面洗浄位置P2と基板受渡し位置P3とに位置決めさせることができる。 Further, since the substrate floating head 24 that is floated while adsorbed at proximity of the substrate W on the support surface 241 by the Bernoulli effect, stable back surface cleaning of the substrate W in a state of being adsorbed in a non-contact manner substrate floating head 24 it can be positioned at the position P2 and the substrate transfer position P3. さらに、上記実施形態では、ベベルエッチング部1では基板Wの裏面Wbの略中央部を真空チャック11に吸引して基板Wを位置決めするのに対し、裏面洗浄部2では基板表面Wfに向けて窒素ガスを吐出することで該基板Wを浮上させて位置決めしているため、基板Wの位置決めに伴う汚染蓄積が発生するのを効果的に防止することができる。 Furthermore, in the above embodiment, the substantially central portion of the rear surface Wb of the bevel etching unit 1, the substrate W is sucked into the vacuum chuck 11 while positioning the substrate W, toward the substrate surface Wf in the back surface cleaning unit 2 nitrogen due to the positioning by floating the substrate W by discharging gas, it is possible to prevent the pollution accumulation associated with positioning of the substrate W is generated effectively.

図9はこの発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。 Figure 9 is a diagram showing a second embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. また、図10は図9の基板処理装置の動作を示す図である。 Further, FIG. 10 is a diagram showing an operation of the substrate processing apparatus in FIG. この第2実施形態が第1実施形態と大きく相違する点は、ベベルエッチング部1と裏面洗浄部2とが同一空間内に配置されている点と、裏面洗浄部2の基板浮上ヘッド24および基板昇降機構25とが基板搬送部3の機能を担っている点である。 The second embodiment is differs significantly from the first embodiment, the point where the bevel etching unit 1 and the back surface cleaning unit 2 is disposed in the same space, the back surface cleaning unit 2 substrate floating head 24 and the substrate a lifting mechanism 25 is that it plays the function of the board conveying portion 3. なお、その他の構成は基本的に第1実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。 Since other structure is the same basically the first embodiment, the description thereof is omitted the same numerals are allotted to the same configuration.

この基板処理装置では、処理容器5の内部空間が処理チャンバーとなっており、同図に示すように、内部空間内においてベベルエッチング部1が裏面洗浄部2の上方に配置されている。 In the substrate processing apparatus, the internal space of the processing container 5 has a processing chamber, as shown in the figure, the bevel etching unit 1 is disposed above the back surface cleaning unit 2 in the internal space. また、基板浮上ヘッド24の昇降範囲は第1実施形態でのそれに比べて広がっており、図10に示すように、基板昇降機構25によってベベルエッチング位置P1の直下まで上昇可能となっている。 Moreover, the lifting range of the substrate floating head 24 is spread than that in the first embodiment, as shown in FIG. 10, and can rise to just below the bevel etching position P1 by the substrate lifting mechanism 25. そして、基板昇降機構25は、 Then, substrate lifting mechanism 25,
・基板受渡し位置P3で未処理基板Wを外部の基板搬送装置(図示省略)から基板浮上ヘッド24に受け取り、 Untreated substrate W, a substrate delivery position P3 receives from the outside of the substrate transfer device (not shown) in the substrate floating head 24,
・基板浮上ヘッド24を上昇させて受け取った基板Wをベベルエッチング位置P1に搬送し、 - raise the substrate floating head 24 transports the wafer W received in the bevel etching position P1,
・ベベルエッチング位置P1でベベルエッチング処理済の基板Wを受け取り、 It receives the substrate W of the bevel etching processed in the bevel etching position P1,
・基板浮上ヘッド24を下降させて受け取った基板Wを裏面洗浄位置P2に位置決めし、 · A wafer W received lowers the substrate floating head 24 is positioned on the back surface cleaning position P2,
・基板浮上ヘッド24を上昇させて裏面洗浄済の基板Wを基板受渡し位置P3に位置決めし、 - raise the substrate floating head 24 to the substrate W of the back surface cleaned and positioned in the substrate delivery position P3, the
・裏面洗浄済基板Wを基板浮上ヘッド24から外部の基板搬送装置(図示省略)に引渡している。 · The back surface cleaned substrate W is passing from the substrate floating head 24 to the outside of the substrate transfer device (not shown).

次に、図9の基板処理装置の動作について図11を参照しつつ説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 11, the operation of the substrate processing apparatus in FIG. 図11は図9の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 Figure 11 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus in FIG. この装置では、ステップS51で制御ユニット4がアクチュエータ253を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド24とヘッド支持アーム251とを一体的に上昇させる。 In this apparatus, integrally raise the substrate floating head 24 and the head support arm 251 by the control unit 4 raises drives the actuator 253 at step S51. そして、基板浮上ヘッド24の上面241が、スピンベース23から上方に離れた基板受渡し位置P3の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット4は基板浮上ヘッド24のガス吐出口242から上向きに窒素ガスを吐出させる(ステップS52)。 The upper surface 241 of the substrate floating head 24 and is stopped up from the spin base 23 to just below the substrate transfer position P3 spaced upwardly, the control unit 4 upwardly from the gas discharge port 242 of the substrate floating head 24 to discharge the nitrogen gas (step S52). これによって、処理容器5の内部空間内に搬送されてくる基板Wを受け取ることが可能となる。 This makes it possible to receive the substrate W which is conveyed in the inner space of the processing chamber 5. なお、制御ユニット4はガス吐出口242から窒素ガスを吐出させた後に、窒素ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド24を上昇させるようにしてもよいし、窒素ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド24を上昇させるようにしてもよい。 Note that after the control unit 4 which has discharged nitrogen gas from the gas discharge port 242, may be to raise the substrate floating head 24 in a state of discharging the nitrogen gas, at the same time the substrate floating head and the discharge of the nitrogen gas it may be to increase the 24.

続いて、外部の基板搬送装置の搬送アーム等により未処理基板Wが処理容器5の側面開口51を介してフェースダウン姿勢で処理容器5の内部空間内に搬入され、基板受渡し位置P3に搬送されてくると(ステップS53)、該基板Wはその直下位置に位置する基板浮上ヘッド24から吐出される窒素ガスによるベルヌーイ効果によって基板浮上ヘッド24の上面241に吸着されながら略水平状態で浮上される。 Subsequently, loaded into the internal space of the processing chamber 5 in a face-down posture through unprocessed substrate W by the transfer arm or the like of the outside of the substrate transport device side opening 51 of the processing chamber 5, it is transported to the substrate transfer position P3 When come (step S53), the substrate W is floated in a substantially horizontal state while being adsorbed on the upper surface 241 of the substrate floating head 24 by the Bernoulli effect due to the nitrogen gas discharged from the substrate floating head 24 positioned directly below the position . そして、基板搬送装置の搬送アームの保持されている未処理基板Wが基板浮上ヘッド24へ受渡される(ステップS54)。 The unprocessed substrate W held by the transfer arm of the substrate transport apparatus is delivery to the substrate floating head 24 (step S54). これにより、該基板Wはその表面Wfに向けて基板表面Wfと基板浮上ヘッド24の上面241との間に形成される空間に供給される窒素ガスにより非接触状態で、かつフェースダウン姿勢で基板浮上ヘッド24に保持されることとなる。 Thus, the substrate substrate W is in a non-contact state by the nitrogen gas supplied to the space formed between the upper surface 241 of the substrate surface Wf and the substrate floating head 24 toward the surface Wf, and face down posture and thus it held in the floating head 24.

次に、基板Wは基板浮上ヘッド24により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット4がアクチュエータ253を上昇駆動させることで上昇される(ステップS55)。 Then, the substrate W is in a state of being floated in a substantially horizontal state by the substrate floating head 24, the control unit 4 is raised by raising drives the actuator 253 (step S55). そして、基板浮上ヘッド24に保持された未処理基板Wがベベルエッチング位置P1まで上昇して停止される。 The unprocessed substrate W held by the substrate floating head 24 is stopped rises to bevel etching position P1. また、ベベルエッチング位置P1に搬送されてきた基板Wの裏面Wbの略中央部を真空チャック11が吸引して保持するとともに、基板浮上ヘッド24による基板保持を解除する。 Further, a substantially central portion of the rear surface Wb of the substrate W that has been conveyed to the bevel etching position P1 with a vacuum chuck 11 holds by suction, to release the board holding by the substrate floating head 24. これにより、真空チャック11によるベベルエッチング位置P1での基板Wの位置決めが完了する(ステップS56)。 Thus, the positioning of the substrate W in the bevel etching position P1 by the vacuum chuck 11 completes (step S56). そして、基板浮上ヘッド24が下降してベベルエッチング部1から離れると、第1実施形態と同様にしてベベルエッチング処理が位置P1に位置決めされた基板Wに対して実行される(ステップS57)。 When the distance from the bevel etching unit 1 substrate floating head 24 is lowered, the bevel etching process in the same manner as in the first embodiment is performed on the substrate W which is positioned at a position P1 (step S57). なお、ベベルエッチング処理の最終段階では、制御ユニット4は基板浮上ヘッド24をベベルエッチング位置P1の直下まで上昇させておき、ベベルエッチング処理を受けた基板Wを真空チャック11から基板浮上ヘッド24に受け渡している。 In the final stage of the bevel etching process, the control unit 4 is allowed to increase the substrate floating head 24 to just below the bevel etching position P1, the substrate W having received the bevel etching process from the vacuum chuck 11 in the substrate floating head 24 passing ing.

次に、ベベルエッチング処理が完了すると、基板Wは基板浮上ヘッド24により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット4がアクチュエータ253を下降駆動させることで下降される(ステップS58)。 Then, the bevel etching process is completed, the substrate W is in a state of being floated in a substantially horizontal state by the substrate floating head 24, the control unit 4 is lowered by lowering drives the actuator 253 (step S58). そして、基板Wが裏面洗浄位置P2に達する(ステップS59)と、第1実施形態と同様にして裏面洗浄を行う(ステップS60)。 Then, the substrate W reaches the back surface cleaning position P2 (step S59), back-surface cleaning in the same manner as in the first embodiment (step S60). すなわち、ステップS601で制御ユニット4がチャック26a〜26fを作動させて基板Wの外周端面と当接させる。 That is, the control unit 4 at step S601 is brought into contact with the outer peripheral edge surface of the substrate W by operating the chuck 26a to 26f. これによって、基板Wがフェースダウン姿勢で裏面洗浄位置P2に位置決め保持される。 Thus, the substrate W is held positioned in the back surface cleaning position P2 face down posture. この裏面洗浄位置P2では、基板浮上ヘッド24の全体がスピンベース23の窪部231に退避して基板表面Wfの周縁部(ベベルエッチング部分)とスピンベース23の対向面232とが近接状態で対向配置される。 In the back surface cleaning position P2, facing across the proximity state periphery of the substrate surface Wf retreated recess 231 (bevel etching portion) and the opposing surface 232 of the spin base 23 of the spin base 23 of the substrate floating head 24 It is placed. その後、処理液供給用のノズル27からスピンベース23とともに回転される基板Wの裏面Wbに処理液が供給され、基板Wの裏面(非デバイス形成面)Wbに対して裏面洗浄処理が実行される(ステップS602)。 Thereafter, the processing liquid to the back surface Wb of the substrate W is rotated together with the spin base 23 from the nozzle 27 for processing liquid supply is supplied, the back surface cleaning process is performed on the rear surface of the substrate W (non-device formation surface) Wb (step S602). さらに、基板Wに対する裏面洗浄処理が実行された後、チャック26a〜26fが処理済基板Wの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Wの保持が解除される(ステップS603)。 Moreover, after the back surface cleaning process for the substrate W is performed, by moving in the direction in which the chuck 26a~26f is separated from the outer peripheral edge surface of the processed substrate W, held in the substrate W is released (step S603).

続いて、制御ユニット4はアクチュエータ253を上昇駆動させることで窪部231内に退避されている基板浮上ヘッド24をガス吐出口242から窒素ガスを吐出させた状態で上昇させる(ステップS61)。 Subsequently, the control unit 4 increases the substrate floating head 24 saved in the recess 231 by raising drives the actuator 253 in a state of discharging the nitrogen gas from the gas discharge ports 242 (step S61). そして、処理済基板Wが基板受渡し位置P3まで上昇するとアクチュエータ253の駆動を停止させて当該位置で基板Wを位置決めさせる(ステップS62)。 Then, the processed substrate W to position the substrate W in the position of the driving of the actuator 253 is stopped when raised to the substrate transfer position P3 (step S62). これにより、基板浮上ヘッド24は処理済基板Wを外部の基板搬送装置(図示省略)に引渡すことが可能となる。 Thus, the substrate floating head 24 it becomes possible to deliver the processed substrate W to the outside of the substrate transfer device (not shown). こうして、基板搬送装置の搬送アーム等により処理済基板Wが処理容器5の側面開口51を介して装置外に搬出される(ステップS63)。 Thus, the processed substrate W by the transfer arm of the substrate transfer apparatus is unloaded outside the apparatus through the side opening 51 of the processing chamber 5 (step S63).

以上のように、第2実施形態によれば、第1実施形態と同様に、基板表面Wfの周縁部から不要物(メタル層やフォトレジスト層などの薄膜TFの一部)をエッチング除去するベベルエッチング部1と、基板裏面Wbを洗浄する裏面洗浄部2とを分離して、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理との2ステップ処理を実行しているため、第1実施形態と同様の作用効果が得られる。 As described above, according to the second embodiment, like the first embodiment, bevel unwanted materials from the periphery of the substrate surface Wf (a part of the thin film TF like metal layer and a photoresist layer) is removed by etching an etching unit 1, by separating the back surface cleaning unit 2 for cleaning a substrate backside Wb, because running two-step process with the bevel etching process and the back surface cleaning process, the same effects as the first embodiment can get.

また、第2実施形態では、処理容器5の同一空間内において、ベベルエッチング部1を裏面洗浄部2の上方に配置するとともに、裏面洗浄部2の基板浮上ヘッド24の昇降移動範囲を拡張し、基板浮上ヘッド24により基板Wをベベルエッチング位置P1と裏面洗浄位置P2とに移動して位置決めさせるように構成しているので、次のような作用効果をさらに得ることができる。 In the second embodiment, in the same space of the processing container 5, along with arranging the bevel etching unit 1 above the back surface cleaning unit 2 extends the lifting movement range of the substrate floating head 24 of the back surface cleaning portion 2, since constitute a substrate W by the substrate floating head 24 so as to be positioned by moving the bevel etching position P1 and the back surface cleaning position P2, it is possible to obtain further the following effects.

まず第1点目に、ベベルエッチング部1と裏面洗浄部2との積層構造を採用しているため、基板処理装置の小型化および低フットプリント化が可能となる。 First goal, because it uses a laminated structure of a bevel etching unit 1 and the back surface cleaning unit 2, size reduction and footprint of the substrate processing apparatus can be realized. また、単一の処理容器5内でベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とを実行することができるため、ベベルエッチング部1と裏面洗浄部2の間での基板の搬送距離が短くなり、スループットの向上を図ることができる。 Further, it is possible to perform a bevel etching process and the back surface cleaning process in a single processing vessel 5, the transport distance of the substrate between the bevel etching unit 1 and the back surface cleaning unit 2 is reduced, improving the throughput it can be achieved. さらに、処理容器5内での基板搬送を基板浮上ヘッド24を用いて行っているため、基板搬送を非接触状態で行うことができ、基板搬送に伴う汚染などを確実に防止することができる。 Further, the substrate transfer in the processing chamber 5 because it performed by using the substrate floating head 24, it is possible to perform substrate transfer in a non-contact state, the pollution caused by the substrate transfer can be reliably prevented.

また、上記実施形態では、図9および図10に示すように、裏面洗浄位置P2の直上位置に基板受渡し位置P3を設定しているが、ベベルエッチング位置P1と裏面洗浄位置P2との間であれば、基板受渡し位置P3を任意に設定することができる。 In the above embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, although setting the substrate delivery position P3 to a position immediately above the back surface cleaning position P2, there between the bevel etching position P1 and the back surface cleaning position P2 if, it is possible to arbitrarily set the substrate delivery position P3. 例えば処理容器5に対して基板Wの搬出入を行う搬出入位置(例えば図9および図10の側面開口51)に対応して基板受渡し位置P3を設定してもよい。 For example the processing container 5 may set the substrate delivery position P3 corresponding to the loading and unloading position for loading and unloading of the substrate W (e.g. the side opening 51 of FIG. 9 and FIG. 10). このような構成を採用することによって、上記基板処理装置への基板搬送装置(の搬送アーム等)のアクセス位置がそのまま基板受渡し位置P3となり、基板搬送装置との取り合い等が容易となる。 By adopting such a configuration, the substrate processing substrate transfer apparatus as substrate delivery position P3 next access position of (the transport arm etc.) to the device, scramble a substrate, and the like conveying device is facilitated. また、種々の基板搬送装置に対して柔軟に対応することができ、装置の汎用性を高めることができる。 Further, it is possible to flexibly cope with various substrate transfer apparatus, it is possible to increase the versatility of the device. このような構成を採用することは、特に後で説明する基板処理システムに基板処理装置を組み込む際に非常に有用な構成であるといえる。 Such adopting the structure can be said to be very useful configuration when incorporating the substrate processing apparatus to the substrate processing system described particularly later. なお、この点に関しては、次に説明する第3実施形態も同様である。 Incidentally, in this regard, it is the same the third embodiment described below.

図12はこの発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。 Figure 12 is a diagram showing a third embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. また、図13は図12の基板処理装置の動作を示す図である。 Further, FIG. 13 is a diagram showing an operation of the substrate processing apparatus shown in FIG 12. この第3実施形態が第2実施形態と大きく相違する点は、ベベルエッチング部1の真空チャック11、裏面洗浄部2の基板浮上ヘッド24および基板昇降機構25が基板搬送部3の機能を担っている点である。 The third embodiment is differs significantly from the second embodiment, the vacuum chuck 11 of the bevel etching unit 1, the substrate floating head 24 and the substrate elevating mechanism 25 of the back surface cleaning unit 2 plays a function of the substrate conveying section 3 is the point you are. なお、その他の構成は基本的に第2実施形態と同一であるため、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。 Since other structure is the same basically second embodiment, the description thereof is omitted, the same numerals are allotted to the same configuration.

この基板処理装置では、処理容器5の内部空間が処理チャンバーとなっており、同図に示すように、内部空間内においてベベルエッチング部1が裏面洗浄部2の上方に配置されている。 In the substrate processing apparatus, the internal space of the processing container 5 has a processing chamber, as shown in the figure, the bevel etching unit 1 is disposed above the back surface cleaning unit 2 in the internal space. また、真空チャック11のモータ12の支持部位にはアクチュエータ120が真空チャック11を昇降駆動させる、本発明の「昇降駆動部」として機能している。 Further, the supporting parts of the motor 12 of the vacuum chuck 11 actuator 120 causes the lift driving the vacuum chuck 11, and functions as a "lift drive unit" of the present invention. この真空チャック11の昇降範囲は図13に示すようにアクチュエータ120によって基板受渡し位置P3まで下降可能となっている。 Lifting range of the vacuum chuck 11 is adapted to be lowered to the substrate transfer position P3 by the actuator 120 as shown in FIG. 13. そして、アクチュエータ120と基板昇降機構25は、 Then, the actuator 120 and the substrate lifting mechanism 25,
・基板受渡し位置P3で未処理基板Wを外部の基板搬送装置(図示省略)から基板浮上ヘッド24に受け取り、 Untreated substrate W, a substrate delivery position P3 receives from the outside of the substrate transfer device (not shown) in the substrate floating head 24,
・真空チャック11を下降させて基板浮上ヘッド24から受け取った基板Wを真空チャック11を上昇させてベベルエッチング位置P1に搬送し、 - a vacuum chuck 11 lowers the wafer W received from the substrate floating head 24 to raise the vacuum chuck 11 is transported to the bevel etching position P1,
・基板受渡し位置P3でベベルエッチング処理済の基板Wを基板浮上ヘッド24が受け取り、 - a substrate W of the bevel etching processed is received by the substrate floating head 24 in the substrate transfer position P3,
・基板浮上ヘッド24を下降させて受け取った基板Wを裏面洗浄位置P2に位置決めし、 · A wafer W received lowers the substrate floating head 24 is positioned on the back surface cleaning position P2,
・基板浮上ヘッド24を上昇させて裏面洗浄済の基板Wを基板受渡し位置P3に位置決めし、 - raise the substrate floating head 24 to the substrate W of the back surface cleaned and positioned in the substrate delivery position P3, the
・裏面洗浄済基板Wを基板浮上ヘッド24から外部の基板搬送装置(図示省略)に引渡している。 · The back surface cleaned substrate W is passing from the substrate floating head 24 to the outside of the substrate transfer device (not shown).

次に、図12の基板処理装置の動作について図14を参照しつつ説明する。 Next, it will be described with reference to FIG. 14, the operation of the substrate processing apparatus shown in FIG 12. 図14は図12の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 Figure 14 is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus in FIG. 12. この装置では、ステップS71で制御ユニット4がアクチュエータ253を上昇駆動させることで基板浮上ヘッド24とヘッド支持アーム251とを一体的に上昇させる。 In this apparatus, integrally raise the substrate floating head 24 and the head support arm 251 by the control unit 4 raises drives the actuator 253 at step S71. そして、基板浮上ヘッド24の上面241が、スピンベース23から上方に離れた基板受渡し位置P3の直下まで上昇して停止されると、制御ユニット4は基板浮上ヘッド24のガス吐出口242から上向きに窒素ガスを吐出させる(ステップS72)。 The upper surface 241 of the substrate floating head 24 and is stopped up from the spin base 23 to just below the substrate transfer position P3 spaced upwardly, the control unit 4 upwardly from the gas discharge port 242 of the substrate floating head 24 to discharge the nitrogen gas (step S72). これによって、処理容器5の内部空間内に搬送されてくる基板Wを受け取ることが可能となる。 This makes it possible to receive the substrate W which is conveyed in the inner space of the processing chamber 5. なお、制御ユニット4はガス吐出口242から窒素ガスを吐出させた後に、窒素ガスを吐出させた状態で基板浮上ヘッド24を上昇させるようにしてもよいし、窒素ガスの吐出と同時に基板浮上ヘッド24を上昇させるようにしてもよい。 Note that after the control unit 4 which has discharged nitrogen gas from the gas discharge port 242, may be to raise the substrate floating head 24 in a state of discharging the nitrogen gas, at the same time the substrate floating head and the discharge of the nitrogen gas it may be to increase the 24.

続いて、外部の基板搬送装置の搬送アーム等により未処理基板Wが処理容器5の側面開口51を介してフェースダウン姿勢で処理容器5の内部空間内に搬入され、基板受渡し位置P3に搬送されてくると(ステップS73)、該基板Wはその直下位置に位置する基板浮上ヘッド24から吐出される窒素ガスによるベルヌーイ効果によって基板浮上ヘッド24の上面241に吸着されながら略水平状態で浮上される。 Subsequently, loaded into the internal space of the processing chamber 5 in a face-down posture through unprocessed substrate W by the transfer arm or the like of the outside of the substrate transport device side opening 51 of the processing chamber 5, it is transported to the substrate transfer position P3 When come (step S73), the substrate W is floated in a substantially horizontal state while being adsorbed on the upper surface 241 of the substrate floating head 24 by the Bernoulli effect due to the nitrogen gas discharged from the substrate floating head 24 positioned directly below the position . そして、基板搬送装置の搬送アームの保持されている未処理基板Wが基板浮上ヘッド24へ受渡される(ステップS74)。 The unprocessed substrate W held by the transfer arm of the substrate transport apparatus is delivery to the substrate floating head 24 (step S74). これにより、該基板Wはその表面Wfに向けて基板表面Wfと基板浮上ヘッド24の上面241との間に形成される空間に供給される窒素ガスにより非接触状態で、かつフェースダウン姿勢で基板浮上ヘッド24に保持されることとなる。 Thus, the substrate substrate W is in a non-contact state by the nitrogen gas supplied to the space formed between the upper surface 241 of the substrate surface Wf and the substrate floating head 24 toward the surface Wf, and face down posture and thus it held in the floating head 24.

次に、基板Wは基板浮上ヘッド24により略水平状態に浮上された状態で、制御ユニット4がアクチュエータ120を下降駆動させることで真空チャック11が下降される(ステップS75)。 Then, the substrate W is in a state of being floated in a substantially horizontal state by the substrate floating head 24, the control unit 4 is a vacuum chuck 11 is lowered by lowering drives the actuator 120 (step S75). そして、基板浮上ヘッド24に保持された未処理基板Wを吸着できる基板受渡し位置P3まで真空チャック11が下降して停止される。 Then, the vacuum chuck 11 is stopped lowered to the substrate transfer position P3 capable of adsorbing unprocessed substrate W held by the substrate floating head 24. そして、基板受渡し位置P3に搬送されてきた基板Wの裏面Wbの略中央部を真空チャック11が吸引して保持するとともに、基板浮上ヘッド24による基板保持を解除する。 Then, the substantially central portion of the rear surface Wb of the substrate W that has been conveyed to the substrate transfer position P3 together with the vacuum chuck 11 is held by suction, to release the board holding by the substrate floating head 24. こうして真空チャック11により基板Wが吸着保持されると、制御ユニット4がアクチュエータ120を上昇駆動させることで真空チャック11が上昇される。 Thus the substrate W is held by suction by the vacuum chuck 11, the control unit 4 is a vacuum chuck 11 is raised by raising drives the actuator 120. これにより、真空チャック11によるベベルエッチング位置P1での基板Wの位置決めが完了する(ステップS76)。 Thus, the positioning of the substrate W in the bevel etching position P1 by the vacuum chuck 11 completes (step S76). そして、第1実施形態と同様にしてベベルエッチング処理が位置P1に位置決めされた基板Wに対して実行される(ステップS77)。 Then, the bevel etching process in the same manner as in the first embodiment is performed on the substrate W which is positioned at a position P1 (step S77).

次に、ベベルエッチング処理が完了すると、基板Wは真空チャック11により吸着保持された状態で、制御ユニット4がアクチュエータ120を下降駆動させることで下降され基板受渡し位置P3で真空チャック11から基板浮上ヘッド24に受け渡している(ステップS78)。 Then, the bevel etching process is completed, the substrate W is in a state of being sucked and held by the vacuum chuck 11, lowered by the substrate floating head from the vacuum chuck 11 in the substrate transfer position P3 by the control unit 4 lowers drives the actuator 120 are passing received in 24 (step S78). そして、真空チャック11が上昇移動されて元に戻るとともに、制御ユニット4がアクチュエータ253を下降駆動させることで基板浮上ヘッド24が下降されて基板Wが裏面洗浄位置P2に達する(ステップS79)と、第1実施形態と同様にして裏面洗浄を行う(ステップS80)。 Then, the flow returns to the original vacuum chuck 11 is moved increases, the control unit 4 substrate floating head 24 is lowered by the substrate W by lowering drives the actuator 253 reaches the back surface cleaning position P2 (step S79), back-surface cleaning in the same manner as in the first embodiment (step S80). すなわち、ステップS801で制御ユニット4がチャック26a〜26fを作動させて基板Wの外周端面と当接させる。 That is, the control unit 4 at step S801 is brought into contact with the outer peripheral edge surface of the substrate W by operating the chuck 26a to 26f. これによって、基板Wがフェースダウン姿勢で裏面洗浄位置P2に位置決め保持される。 Thus, the substrate W is held positioned in the back surface cleaning position P2 face down posture. この裏面洗浄位置P2では、基板浮上ヘッド24の全体がスピンベース23の窪部231に退避して基板表面Wfの周縁部(ベベルエッチング部分)とスピンベース23の対向面232とが近接状態で対向配置される。 In the back surface cleaning position P2, facing across the proximity state periphery of the substrate surface Wf retreated recess 231 (bevel etching portion) and the opposing surface 232 of the spin base 23 of the spin base 23 of the substrate floating head 24 It is placed. その後、処理液供給用のノズル27からスピンベース23とともに回転される基板Wの裏面Wbに処理液が供給され、基板Wの裏面(非デバイス形成面)Wbに対して裏面洗浄処理が実行される(ステップS802)。 Thereafter, the processing liquid to the back surface Wb of the substrate W is rotated together with the spin base 23 from the nozzle 27 for processing liquid supply is supplied, the back surface cleaning process is performed on the rear surface of the substrate W (non-device formation surface) Wb (step S802). さらに、基板Wに対する裏面洗浄処理が実行された後、チャック26a〜26fが処理済基板Wの外周端面と離間する方向に移動することで、基板Wの保持が解除される(ステップS803)。 Moreover, after the back surface cleaning process for the substrate W is performed, by moving in the direction in which the chuck 26a~26f is separated from the outer peripheral edge surface of the processed substrate W, held in the substrate W is released (step S803).

続いて、制御ユニット4はアクチュエータ253を上昇駆動させることで窪部231内に退避されている基板浮上ヘッド24をガス吐出口242から窒素ガスを吐出させた状態で上昇させる(ステップS81)。 Subsequently, the control unit 4 increases the substrate floating head 24 saved in the recess 231 by raising drives the actuator 253 in a state of discharging the nitrogen gas from the gas discharge ports 242 (step S81). そして、処理済基板Wが基板受渡し位置P3まで上昇するとアクチュエータ253の駆動を停止させて当該位置で基板Wを位置決めさせる(ステップS82)。 Then, the processed substrate W to position the substrate W in the position of the driving of the actuator 253 is stopped when raised to the substrate transfer position P3 (step S82). これにより、基板浮上ヘッド24は処理済基板Wを外部の基板搬送装置(図示省略)に引渡すことが可能となる。 Thus, the substrate floating head 24 it becomes possible to deliver the processed substrate W to the outside of the substrate transfer device (not shown). こうして、基板搬送装置の搬送アーム等により処理済基板Wが処理容器5の側面開口51を介して装置外に搬出される(ステップS83)。 Thus, the processed substrate W by the transfer arm of the substrate transfer apparatus is unloaded outside the apparatus through the side opening 51 of the processing chamber 5 (step S83).

以上のように、第3実施形態によれば、第1および第2実施形態と同様に、基板表面Wfの周縁部から不要物(メタル層やフォトレジスト層などの薄膜TFの一部)をエッチング除去するベベルエッチング部1と、基板裏面Wbを洗浄する裏面洗浄部2とを分離して、ベベルエッチング処理と裏面洗浄処理との2ステップ処理を実行しているため、第1および第2実施形態と同様の作用効果が得られる。 As described above, according to the third embodiment, as in the first and second embodiments, etching the unwanted material from the peripheral portion of the substrate surface Wf (part of the thin film TF like metal layer and a photoresist layer) a bevel etching unit 1 for removing, by separating the back surface cleaning unit 2 for cleaning a substrate backside Wb, because running two-step process with the bevel etching process and the back surface cleaning process, the first and second embodiments same effect as is obtained.

また、第3実施形態では、処理容器5の同一空間内において、ベベルエッチング部1を裏面洗浄部2の上方に配置するとともに、ベベルエッチング部1の真空チャック11の昇降移動範囲を拡張し、真空チャック11により基板Wをベベルエッチング位置P1と基板受渡し位置P3とに移動して位置決めさせるように構成しているので、次のような作用効果をさらに得ることができる。 In the third embodiment, in the same space of the processing container 5, along with arranging the bevel etching unit 1 above the back surface cleaning unit 2 extends the vertical movement range of the vacuum chuck 11 of the bevel etching unit 1, the vacuum since the substrate W by the chuck 11 is configured to be positioned by moving the bevel etching position P1 and the substrate transfer position P3, it is possible to obtain further the following effects.

まず第1点目に、ベベルエッチング部1と裏面洗浄部2との積層構造を採用しているため、基板処理装置の小型化および低フットプリント化が可能となる。 First goal, because it uses a laminated structure of a bevel etching unit 1 and the back surface cleaning unit 2, size reduction and footprint of the substrate processing apparatus can be realized. また、単一の処理容器5内でベベルエッチング処理と裏面洗浄処理とを実行することができるため、ベベルエッチング部1と裏面洗浄部2の間での基板の搬送距離が短くなり、スループットの向上を図ることができる。 Further, it is possible to perform a bevel etching process and the back surface cleaning process in a single processing vessel 5, the transport distance of the substrate between the bevel etching unit 1 and the back surface cleaning unit 2 is reduced, improving the throughput it can be achieved.

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。 The present invention is not limited to the embodiments described above, but can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit. 例えば、上記第1実施形態では、基板浮上ヘッド24を昇降させることで基板Wを基板受渡し位置P3と裏面洗浄位置P2に位置決めさせているが、基板浮上ヘッド24とスピンベース23の双方を昇降させることで基板Wを位置決めするようにしてもよい。 For example, in the first embodiment, although by positioning the substrate W to the substrate transfer position P3 and the back surface cleaning position P2 by raising and lowering the substrate floating head 24 to lift both the substrate floating head 24 and the spin base 23 it may be position the substrate W by.

また、上記実施形態では、2つの処理ヘッド14A,14Bを設けてベベルエッチング処理を行っているが、処理ヘッドの個数や配置などはこれに限定されるものではなく、任意である。 In the above embodiment, the two processing heads 14A, is performed the bevel etching process provided 14B, like the number and arrangement of the processing head is not limited to this, is optional. また、上記実施形態では、窒素ガスを用いているが、窒素ガス以外の不活性ガスや空気などの気体を用いてもよいことは言うまでもない。 Further, in the above embodiment uses nitrogen gas, may of course be used a gas such as inert gas or air other than nitrogen gas.

<基板処理システム> <Substrate processing system>
また、この発明にかかる基板処理装置を単体で使用してもよいが、他の基板処理を実行する基板処理装置、基板Wを搬送する基板搬送ユニットやインデクサ部などと組み合わせて基板処理システムを構築してもよい。 Further, construction may be used a substrate processing apparatus according to the invention alone, but the substrate processing apparatus to perform other substrate processing, the substrate processing system in conjunction with such substrate transfer unit and indexer unit for transporting the substrate W it may be. その一例として、例えば図15に示す基板処理システムがある。 As an example, there is a substrate processing system shown in FIG. 15 for example. 以下、図15を参照しつつ、この発明にかかる基板処理システムの一実施形態について説明する。 Hereinafter, with reference to FIG. 15, a description will be given of an embodiment of a substrate processing system according to the present invention.

図15はこの発明にかかる基板処理装置を用いて構成した基板処理システムの一実施形態を示す図である。 Figure 15 is a diagram showing an embodiment of a substrate processing system using the substrate processing apparatus according to the invention. この基板処理システムは、半導体ウエハ等の基板Wに対して処理液や処理ガスなどによる処理を施すための枚葉式の処理システムである。 The substrate processing system is a single-wafer processing system for performing processing by such processing liquid and the processing gas to the substrate W such as a semiconductor wafer. この基板処理システムは、基板Wに対して処理を施す基板処理部PPと、この基板処理部PPに結合されたインデクサ部IDと、処理流体(液体または気体)の供給/排出のための構成を収容した処理流体ボックス110,111とを備えている。 The substrate processing system includes a substrate processing unit PP for performing processing on the substrate W, and the indexer ID that is coupled to the substrate processing part PP, a configuration for the supply / discharge of the processing fluid (liquid or gas) and a housing with a treatment fluid box 110 and 111.

インデクサ部IDは、基板Wを収容するためのカセットC(複数の基板Wを密閉した状態で収容するFOUP(Front Opening Unified Pod)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face)ポッド、OC(Open Cassette)など)を複数個保持することができるカセット保持部210と、このカセット保持部210に保持されたカセットCにアクセスして、未処理の基板WをカセットCから取り出したり、処理済の基板をカセットCに収納したりするためのインデクサロボット220とを備えている。 Indexer ID is a cassette C for accommodating the substrate W (FOUP accommodating in a closed state of the plurality of substrates W (Front Opening Unified Pod), SMIF (Standard Mechanical Inter Face) pods, OC (Open Cassette), etc.) the cassette holder 210 that can be multiple holding, by accessing the cassette C held by the cassette holding section 210, or takes out an unprocessed substrate W from the cassette C, the substrate processed in the cassette C and an indexer robot 220 for or storage. 各カセットCは、複数枚の基板Wを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚(図示省略)を備えており、各段の棚に1枚ずつ基板Wを保持することができるようになっている。 Each cassette C has a shelf (not shown) of a plurality of stages for holding stacked vertically a plurality of substrates W at a small spacing, the substrate W one by one on the shelf at each stage and it is capable of holding the. 各段の棚は、基板Wの下面の周縁部に接触し、基板Wを下方から保持する構成となっており、基板Wは表面(デバイス形成面)を上方に向け、裏面を下方に向けたほぼ水平な姿勢でカセットCに収容されている。 Shelves in each stage, in contact with the periphery of the lower surface of the substrate W, and is configured to hold a substrate W from below, the substrate W is directed surface (device formation surface) upward, toward the rear surface downward It housed in the cassette C in a substantially horizontal posture.

基板処理部PPは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット(基板搬送装置)130と、この基板搬送ロボット130が取付けられたフレーム300とを有している。 The substrate processing unit PP includes a substrate transfer robot (substrate transfer apparatus) 130 which is disposed substantially in the center in plan view, and a frame 300 which the substrate transfer robot 130 is attached. このフレーム300には、基板搬送ロボット130を取り囲むように、複数個(この実施形態では4個)のユニット配置部310,320,330,340が設けられており、さらに、基板搬送ロボット130によるアクセスが可能な位置に、基板反転ユニット140が取付けられている。 The frame 300, so as to surround the substrate transfer robot 130, a plurality and unit arrangement 310, 320, 330, 340 of are provided (four in this embodiment), and further, the access by the substrate conveying robot 130 to the possible locations, the substrate reversing unit 140 is attached.

ユニット配置部310,320,330,340には、上記実施形態にかかる基板処理装置をユニット化した処理ユニット以外に、(a)基板Wを保持して回転させるとともに基板Wに薬液ノズルから薬液を供給して基板Wを処理する薬液処理ユニットMP、(b)基板Wを保持して回転させ、基板Wに純水を供給するとともに、基板表面をスクラブブラシでスクラブするスクラブ洗浄ユニットSS、(c)基板Wを保持して回転させるとともに基板Wにポリマー除去液を供給して基板W上の残渣物を除去するポリマー除去ユニットSR、および(d)保持された基板Wに薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給して基板Wを処理する気相洗浄ユニットVPから選択した任意の処理ユニットを取付けることができる。 The unit arrangement 310, 320, 330, 340, in addition to the processing units unitized substrate processing apparatus according to the above embodiment, the chemical from the chemical nozzle to the substrate W is rotated by holding the (a) substrate W supplied chemical liquid treatment unit for processing the substrate W MP, (b) holding the substrate W is rotated, while supplying pure water to the substrate W, scrubbing unit SS scrubbing the substrate surface with a scrub brush, (c ) vapor or chemical association with a holding and rotating a substrate W polymer removal unit SR supplies the polymer removal liquid on the substrate W to remove the residue on the substrate W, and (d) is chemical to the substrate W held it can be attached to any of the processing units selected from the gas phase cleaning unit VP for processing a substrate W by supplying vapor containing gas. すなわち、フレーム300は、上記の複数種類(この実施形態では5種類)の処理ユニットに対する共通のプラットフォームを提供しており、複数種類(最大で4種類)の処理ユニットを任意に組み合わせて搭載することができるように構成されている。 That is, the frame 300, a plurality of types of (in this embodiment five) provides a common platform for the processing unit, be mounted in combination processing unit of a plurality of types (a maximum of four types) optionally and it is configured to allow. これにより、新材料に対応したプロセスや、微細化に対応したプロセスに容易に対応することができる。 Thus, the process and corresponding to the new material, it is possible to easily cope with the process corresponding to the miniaturization. また、2種類の処理ユニットを搭載する場合に、処理タクトに合わせて、第1の種類の処理ユニットを1個搭載し、第2の種類の処理ユニットを3個搭載したり、第1の種類の処理ユニットを2個搭載し、第2の種類の処理ユニットを2個搭載したりすることもできる。 Further, 2 in the case of the type of mounting the processing unit, in accordance with the processing tact, the first type of processing unit 1 is mounted, three or mounting a second type of processing unit, the first type the processing unit 2 is mounted, it can be or the second type of processing unit with two mounting.

この構成により、少なくとも2種類の処理ユニットが基板搬送ユニットとともに1台の基板処理システムに備えられることから、1台の基板処理システムで2種以上の処理を基板Wに対して連続的に施すことが可能となる。 With this configuration, since at least two processing units are provided to one substrate processing system together with the substrate transport unit, continuously subjecting it more processing to the substrate W in one of the substrate processing system it is possible. これにより、多品種少量生産に良好に対応することができる。 Thus, it is possible to satisfactorily cope with limited production of diversified products. また、複数の処理が要求される場合において連続的に基板Wに対して処理を施すことでスループットを向上させることができる。 Further, it is possible to improve the throughput by performing processing on continuous substrate W when a plurality of processing is required.

また、各処理ユニット(薬液処理ユニットMP、スクラブ洗浄ユニットSS、ポリマー除去ユニットSR、および気相洗浄ユニットVP)は、共通のベースユニットを基本骨格に有しており、ベースユニットは上記実施形態にかかる基板処理装置と同一の構成を備えている。 Further, each processing unit (chemical liquid treatment unit MP, scrubbing unit SS, the polymer removal unit SR, and vapor cleaning unit VP) have a common base unit in the basic skeleton, the base unit to the above-described embodiment It has the same configuration as such a substrate processing apparatus. そして、基板受渡し位置P3において基板搬送ロボット130との間で基板Wを受渡しするため高さ方向に共通の基板受渡し位置P3が設定される。 The common substrate transfer position P3 in the height direction for transferring the substrate W between the substrate transport robot 130 in the substrate delivery position P3 is set. したがって、どの処理ユニットを基板処理部PPに配置したとしても基板搬送ロボット130からのアクセスが変更なく行われる。 Accordingly, access from the substrate transfer robot 130 is performed without changing even any treatment unit as disposed in a substrate processing unit PP.

基板搬送ロボット130は、インデクサロボット220から未処理の基板Wを受け取ることができ、かつ処理済の基板Wをインデクサロボット220に受け渡すことができる。 Substrate transfer robot 130 may receive an unprocessed substrate W from the indexer robot 220, and the processed substrate W can be passed to the indexer robot 220. また、基板搬送ロボット130は、ユニット配置部310,320,330,340に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット140にアクセスすることができ、これらとの間で相互に基板Wの受け渡しを行うことができるようになっている。 The substrate transfer robot 130 can access the processing unit and the substrate reversing unit 140 arranged in the unit arrangement 310, 320, 330, 340, mutually performing the transfer of the substrate W between these so that the can.

より具体的には、例えば、基板搬送ロボット130は、当該基板処理部PPのフレーム300に固定された基台部と、この基台部に対して昇降可能に取付けられた昇降ベースと、この昇降ベースに対して鉛直軸回りの回転が可能であるように取付けられた回転ベースと、この回転ベースに取付けられた一対のハンドとを備えている。 More specifically, for example, the substrate transfer robot 130, and the substrate processing section base portion fixed to the frame 300 of the PP, the lift base mounted for lifting with respect to the base portion, the lifting It includes a rotating base mounted so as to be capable of rotation around the vertical axis relative to the base, and a pair of hands mounted on the rotating base. 一対の基板保持ハンドは、それぞれ、上記回転ベースの回転軸線に対して近接/離反する方向に進退可能に構成されている。 A pair of substrate holding hands are respectively movably configured in a direction coming close to / away from the said rotating base rotational axis. このような構成により、基板搬送ロボット130は、インデクサロボット220、ユニット配置部310,320,330,340に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット140のいずれかに対して基板保持ハンドを向け、その状態で基板保持ハンドを進退させることができ、これによって、基板Wの受け渡しを行うことができる。 With this configuration, the substrate transfer robot 130 toward the substrate holding hand to any of the indexer robot 220, the process is placed in the unit arrangement 310, 320, 330, 340 units, and the substrate reversing unit 140, the it is possible to advance and retreat the substrate holding hand in the state, thereby, can deliver the substrate W.

一対の基板保持ハンドは、一方を未処理の基板Wを保持するために用い、他方を処理済の基板Wを保持するために用いるように使い分けてもよい。 A pair of substrate holding hand, used to hold the substrate W unprocessed one may distinguish as used for holding the processed substrate W and the other. また、一対の基板保持ハンドは、インデクサロボット220、ユニット配置部310,320,330,340に配置された処理ユニットおよび基板反転ユニット140との基板Wの受け渡しの際に、一方の基板保持ハンドで基板Wを相手から受け取り、次いで、他方の基板保持ハンドで基板Wを相手側に受け渡すように作動させるようにしてもよい。 Further, the pair of substrate holding hand, when the transfer of the substrate W between the indexer robot 220, the process is placed in the unit arrangement 310, 320, 330, 340 units, and the substrate reversing unit 140, on one substrate holding hands It receives the substrate W from the other, then the substrate W on the other substrate holding hands may be actuated so as to pass to the other side.

インデクサロボット220は、いずれかのカセットCから未処理の基板Wを取り出して基板搬送ロボット130に受け渡すとともに、基板搬送ロボット130から処理済の基板Wを受け取ってカセットCに収容するように動作する。 Indexer robot 220, with either take out the unprocessed substrate W from the cassette C passed to the substrate conveying robot 130 operates to accommodate the cassette C receives a treated wafer W from the substrate conveying robot 130 . 処理済の基板Wは、当該基板Wが未処理の状態のときに収容されていたカセットCに収容されてもよいし、未処理の基板Wを収容するカセットCと処理済の基板Wを収容するカセットCとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットCとは別のカセットCに処理済の基板Wが収容されるようにしてもよい。 Processed substrate W is to the substrate W may be accommodated in the cassette C which is housed in the state of the untreated, accommodating the processed substrate W cassette C housing the wafers W, the processing keep in separate the cassettes C which, may be treated wafer W to another cassette C from the cassette C is housed in the state of the untreated are accommodated.

基板搬送ロボット130によって、基板反転ユニット140に基板Wを搬入し、この基板Wの表裏を反転させることができるから、ユニット配置部310,320,330,340に配置された処理ユニットにおいて、基板Wのデバイス形成面(本発明の「基板表面」に相当)および非デバイス形成面(本発明の「基板裏面」に相当)のいずれに対しても処理を行わせることができる。 By the substrate transfer robot 130, and carries the substrate W to the substrate reversing unit 140, since it is possible to reverse the front and back surfaces of the substrate W, in the process units arranged in the unit arrangement 310, 320, 330, 340, the substrate W it can also carry out the process for any of the device forming surface (corresponding to the "substrate surface" of the present invention) and the non-device forming surface (corresponding to the "rear surface of the substrate" of the present invention).

この構成により、2種の処理ユニット間で基板Wの表裏を反転することができるので、基板Wの表裏それぞれの面に対して、2種の処理ユニットによる異なる処理を施すことができる。 By this structure, it is possible to reverse the front and back of the substrate W between the two processing units, for each of the surface sides of the substrate W, may be subjected to different treatment by the two processing units. これにより、基板Wの両面それぞれに対して最適な処理を施すことができる。 Thus, it is possible to perform the optimum processing on both surfaces of the substrate W. さらに詳しくは、ある処理ユニットに搬入して基板Wを反転させ、反転後の基板Wを別の処理ユニットに搬入して処理することで、基板Wの他方面に対する処理を行うことができる。 More specifically, by inverting the substrate W carried to a processing unit, by processing by carrying a substrate W after inversion to another processing unit, it is possible to perform the processing for the other surface of the substrate W. これにより、基板Wの各面に適した処理を施すことができ、基板Wの両面を良好に処理することができる。 Thus, the processing suitable for each surface of the substrate W that can subjecting the both surfaces of the substrate W can be satisfactorily processed.

このように構成された基板処理システムに対して、基板Wの表面(デバイス形成面)を上方に向けた状態で複数枚の基板Wを収容したカセットCがインデクサロボット220によりインデクサ部IDに搬送されてくると、以下のようにして各基板Wに対して処理を行う。 Against the thus configured substrate processing system, a cassette C housing a plurality of substrates W with the front surface (device formation surface) of the substrate W upward is transported to the indexer ID by the indexer robot 220 When it comes, it performs processing for the following way each substrate W. ここでは、例えば、ユニット配置部310に上記実施形態にかかる基板処理装置の処理ユニットを配置して該処理ユニットにより基板の裏面(非デバイス形成面)および/または基板Wの表面(デバイス形成面)の周縁部を処理する場合における該システムの動作について説明する。 Here, for example, the back surface (non-device formation surface) of the substrate by the unit arrangement part 310 by arranging a processing unit of a substrate processing apparatus according to the above embodiment the processing unit and / or the surface of the substrate W (device formation surface) the operation of the system will be described in the case of processing the peripheral portion.

まず、インデクサロボット220がカセットCからフェースアップ状態のまま基板Wを取出し、基板搬送ロボット130に受け渡した後、この基板搬送ロボット130が基板Wを基板反転ユニット140に搬送する(ローディング)。 First, the indexer robot 220 takes out the remains substrates W face-up state from the cassette C, after been delivered to the substrate transfer robot 130, the substrate transport robot 130 transports the substrate W to the substrate reversing unit 140 (loading). そして、この基板Wを受けた基板反転ユニット140は、基板Wを反転させた後、フェースダウン状態で、すなわちデバイス形成面を下方に向けた状態にして基板搬送ロボット130に受け渡す。 Then, the substrate reversing unit 140 which has received the substrate W is, after reversing the substrate W, in a face-down state, that passes to the substrate transport robot 130 in a state with its device formation surface downward. この基板搬送ロボット130はユニット配置部310に配置された処理ユニット(例えば図9の基板処理装置の同一構成の処理ユニット)に搬入する。 The substrate transfer robot 130 is loaded into the processing unit disposed on the unit arrangement section 310 (e.g., processing units having the same structure of the substrate processing apparatus shown in FIG. 9).

この処理ユニットでは、基板搬送ロボット130から未処理基板Wを基板受渡し位置P3で受け取るべく、予め基板浮上ヘッド24が上昇して窒素ガスを吐出させた状態で基板Wの受け取りの準備が整えられる。 In this processing unit, to receive the unprocessed substrate W from the substrate conveying robot 130 in the substrate delivery position P3, ready for receipt of the substrate W are trimmed with the substrate floating head 24 previously was shown to eject the nitrogen gas increased. そして、基板受渡し位置P3で基板搬送ロボット130から未処理基板Wを受け取ると、処理ユニットは、上記した第2実施形態にかかる基板処理装置と同一動作を実行して基板表面(デバイス形成面)Wfの周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング処理および基板裏面(非デバイス形成面)Wbの裏面洗浄処理を実行する。 Upon receiving the unprocessed substrate W from the substrate conveying robot 130 in the substrate delivery position P3, the processing unit, the substrate surface by performing the substrate processing apparatus and the same operation according to the second embodiment described above (device formation surface) Wf the periphery unwanted material from performing the bevel etching process and the substrate rear surface (non-device formation surface) back surface cleaning process Wb etching removal.

一連の処理が完了すると、基板Wを基板受渡し位置P3に位置決めさせる。 When a series of processing is completed, thereby positioning the substrate W to the substrate transfer position P3. そして、この基板受渡し位置P3から基板搬送ロボット130が処理済基板Wを受け取り、基板反転ユニット140に搬送する。 Then, the substrate transfer robot 130 from the substrate delivery position P3 receives the processed the substrate W, is transported to the substrate reversing unit 140. そして、この基板反転ユニット140により基板Wをフェースアップ状態にした後、この基板Wを基板搬送ロボット130が受け取り、さらにインデクサロボット220に受け渡した後、このインデクサロボット220がカセットCに戻す(アンローディング)。 Then, after the substrate W by the substrate reversing unit 140 in the face-up state, receive the substrate W substrate transport robot 130, after further hands over the indexer robot 220, the indexer robot 220 is returned to the cassette C (unloading ). なお、処理ユニットによる処理後、引き続き別の処理を実行させる場合は、処理内容に応じて基板搬送ロボット130は基板Wをそのままフェースダウン状態で、あるいは基板反転ユニット140に搬送することで基板Wをフェースアップ状態にした後に他の処理ユニット(薬液処理ユニットMP、スクラブ洗浄ユニットSS、ポリマー除去ユニットSR、および気相洗浄ユニットVP)に搬送する。 Incidentally, after the processing by the processing unit, the case of continuing to execute another processing, substrate transfer robot 130 according to the processing contents as they face down the substrate W, or the substrate W by conveying the substrate reversing unit 140 face other processing units after the up state to transport (chemical liquid treatment unit MP, scrubbing unit SS, the polymer removal unit SR, and vapor cleaning unit VP) to.

以上のように、上記実施形態にかかる基板処理装置では、基板Wは基板処理システムに対応して設定される基板受渡し位置P3で受渡しされるので、基板搬送ロボット130との基板Wの受渡しが容易である。 As described above, in the substrate processing apparatus according to the embodiment, the substrate W so is passed by the substrate transfer position P3 set corresponding to the substrate processing system, facilitate transfer of the substrate W between the substrate transport robot 130 it is. しかも、基板受渡し位置P3で基板Wの受け渡しを行うとともに、基板Wを所望の基板処理位置(ベベルエッチング位置P1や裏面洗浄位置P2)に位置決めさせることができるので、相異なる数種の処理を施す処理ユニットとして好適である。 Moreover, along with receiving and transferring the substrates W substrate transfer position P3, since the substrate W can be positioned at a desired substrate processing position (bevel etching position P1 and the back surface cleaning position P2), subjected to different several processing it is suitable as a processing unit. すなわち、上記実施形態にかかる基板処理装置は処理ユニットとしての汎用性が高く、各種の処理ユニットを配置可能なユニット配置部310,320,330,340に組込み易いという利点を有している。 That has the advantage that the substrate processing apparatus according to the embodiment highly versatile as a processing unit, built liable various processing units deployable unit arrangement 310, 320, 330, 340. さらに、基板Wを非接触でベース部材に近接する基板処理位置に位置決めさせることができるので、基板裏面が損傷したり汚染されるなどの不具合が効果的に防止される。 Furthermore, it is possible to position the substrate processing position adjacent to the base member of the substrate W in a non-contact, malfunction, such as a substrate back surface is damaged or contamination is effectively prevented. このため、基板Wの処理精度を高めることができる。 Therefore, it is possible to enhance the processing accuracy of the substrate W.

なお、この実施形態にかかる基板処理システムでは、処理ユニットとして4つの処理ユニットを装備しているが、その個数や配置などについては任意である。 In the substrate processing system according to this embodiment, it is equipped with four processing units as the processing unit, is optional for such the number and arrangement. また、基板処理システムとしては、上記実施形態にかかる基板処理装置と同一構成を有する処理ユニットと、該処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットとを少なくとも設けているものであれば、上記作用効果が得られる。 Further, the substrate processing system, a processing unit having a substrate processing apparatus having the same configuration according to the embodiment, as long as it is at least provided with a transport unit that transports the substrate into the processing unit, the operational effects can can get. したがって、処理ユニットおよび搬送ユニット以外に、他のユニットを追加して基板処理システムを構築するようにしてもよい。 Therefore, in addition to the processing unit and the conveying unit, it may be constructed of a substrate processing system by adding other units.

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対してベベルエッチング処理などの処理を施す基板処理装置に適用することができる。 This invention relates to a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, a substrate processing apparatus for performing processing such as bevel etching process on the surface of all substrates including substrates for optical disks it is possible to apply.

この発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を示す平面レイアウト図である。 It is a plan layout diagram showing a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the invention. ベベルエッチング部の構成を示す図である。 It is a diagram showing a configuration of a bevel etching unit. ベベルエッチング部の部分拡大図である。 It is a partially enlarged view of the bevel etching unit. 裏面洗浄部の構成を示す図である。 It is a diagram showing a configuration of the back surface cleaning unit. 図4の裏面洗浄部を上方から見た平面図である。 Is a plan view from above back surface cleaning unit of FIG. 図1の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus shown in FIG. ベベルエッチング処理を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the bevel etching process. 裏面洗浄処理を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the back surface cleaning process. この発明にかかる基板処理装置の第2実施形態を示す図である。 It is a diagram illustrating a second embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. 図9の基板処理装置の動作を示す図である。 Is a diagram showing an operation of the substrate processing apparatus in FIG. 図9の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 Is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus in FIG. この発明にかかる基板処理装置の第3実施形態を示す図である。 It is a diagram showing a third embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. 図12の基板処理装置の動作を示す図である。 It is a diagram illustrating the operation of the substrate processing apparatus shown in FIG 12. 図12の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 It is a flowchart showing the operation of the substrate processing apparatus in FIG. 12. この発明にかかる基板処理装置を用いて構成した基板処理システムの一実施形態を示す図である。 Is a diagram illustrating an embodiment of a substrate processing system using the substrate processing apparatus according to the invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…ベベルエッチング部 2…裏面洗浄部 5…処理容器 11…真空チャック 24…基板浮上ヘッド 25…基板昇降機構 51…側面開口(搬出入位置) 1 ... bevel etching unit 2 ... back surface cleaning unit 5 ... processing vessel 11 ... vacuum chuck 24 ... substrate floating head 25 ... substrate lifting mechanism 51 ... side opening (loading and unloading position)
120…アクチュエータ(昇降駆動部) 120 ... actuator (up-and-down drive portion)
241…支持面 242…ガス吐出口 P1…ベベルエッチング位置 P2…裏面洗浄位置 P3…基板受渡し位置 Wb…基板裏面 Wf…基板表面 W…基板 241 ... supporting surface 242 ... gas discharge ports P1 ... bevel etching position P2 ... back surface cleaning position P3 ... substrate delivery position Wb ... substrate rear Wf ... substrate surface W ... substrate

Claims (6)

  1. 基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま前記基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で前記基板を位置決めしながら、前記基板表面側から前記基板表面の周縁部に第1処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング部と、 While positioning the substrate with bevel etching position by sucking the substantially central portion remains on the back surface of the substrate face-down posture toward the surface of the substrate downward, first from the front surface of the substrate to the peripheral portion of the substrate surface 1 a bevel etching unit for etching away unwanted material from the peripheral edge by supplying a processing liquid,
    フェースダウン姿勢のまま基板表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させて前記ベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置で前記基板を位置決めしながら、前記基板の裏面に第2処理液を供給して洗浄する裏面洗浄部とを備え、 While positioning the substrate with different backside cleaning position and the bevel etching position by floating the substrate by ejecting gas toward the left surface of the substrate face-down posture, the second treatment liquid to the rear surface of the substrate and a back surface cleaning unit for cleaning supply to,
    前記ベベルエッチング部により不要物がエッチング除去された基板をフェースダウン姿勢のまま前記ベベルエッチング位置から前記裏面洗浄位置に搬送して該基板の裏面洗浄を行うことを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus, characterized in that back-surface cleaning unwanted matter is conveyed to the back surface cleaning position of the substrate that is etched away from the bevel etching position remains face-down orientation substrate by the bevel etching unit.
  2. 前記ベベルエッチング部と前記裏面洗浄部とを同一空間内に収容する処理容器をさらに備え、 Further comprising a process vessel containing said bevel etching unit and the back surface cleaning unit in the same space,
    前記空間内で、前記ベベルエッチング部が前記裏面洗浄部の上方に配置されるとともに、 In said space, together with the bevel etching unit is disposed above the back surface cleaning unit,
    前記裏面洗浄部は、 The back surface cleaning unit,
    前記基板表面に対向する支持面を有し、該支持面に設けられた吐出口から前記基板表面に向けて気体を吐出させて前記基板を略水平状態で浮上させて保持する基板浮上ヘッドと、 A support surface facing the substrate surface, and the substrate floating head for holding by ejecting gas toward the substrate surface from a discharge port provided in the support surface is floated to the substrate substantially in a horizontal state,
    前記基板浮上ヘッドを上下方向に相対的に昇降駆動させることで前記基板浮上ヘッドにより浮上される前記基板を前記ベベルエッチング位置と前記裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部とを備えた請求項1記載の基板処理装置。 And a lift drive unit for positioning and moving the substrate to be floated by the substrate floating head by causing relative elevation driving the substrate floating head in the vertical direction and the back surface cleaning position and the bevel etching position the substrate processing apparatus according to claim 1.
  3. 前記ベベルエッチング部と前記裏面洗浄部とを同一空間内に収容する処理容器をさらに備え、 Further comprising a process vessel containing said bevel etching unit and the back surface cleaning unit in the same space,
    前記ベベルエッチング部は、 The bevel etching unit,
    基板の裏面の略中央部を吸引して保持する真空チャックと、 A vacuum chuck for holding by suction a substantially central portion of the back surface of the substrate,
    前記真空チャックを上下方向に相対的に昇降移動させることで前記基板を前記ベベルエッチング位置と前記裏面洗浄位置とに移動して位置決めさせる昇降駆動部とを備えた請求項1記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an elevating drive unit for positioning and moving the substrate to said back surface cleaning position and the bevel etching position by which relatively move up and down the vacuum chuck in the vertical direction.
  4. 前記昇降駆動部は前記基板浮上ヘッドにより浮上される前記基板を前記処理容器に対する基板の搬出入を行う搬出入位置に対応する基板受渡し位置に位置決め可能となっている請求項2記載の基板処理装置。 The elevation drive unit a substrate processing apparatus according to claim 2, characterized in that a positionable substrate transfer position corresponding to the substrate to be floated by the substrate floating head in loading and unloading position for loading and unloading of the substrate relative to the processing chamber .
  5. 前記基板浮上ヘッドは、前記基板表面に向けて前記気体を上向きかつ前記基板の端縁側に向けて前記吐出口から吐出させることでベルヌーイ効果により前記基板を前記支持面に近接状態で吸着させながら浮上させる請求項2または4記載の基板処理装置。 Floating the substrate floating head while the substrate is adsorbed in proximity to the support surface by the Bernoulli effect by discharged from the discharge port toward the end edge of the upward and the substrate to the gas toward the substrate surface the substrate processing apparatus according to claim 2 or 4 wherein is.
  6. 基板の表面を下方に向けたフェースダウン姿勢のまま前記基板の裏面の略中央部を吸引してベベルエッチング位置で前記基板を位置決めしながら、前記基板表面側から前記基板表面の周縁部に第1処理液を供給して該周縁部から不要物をエッチング除去するベベルエッチング工程と、 While positioning the substrate with bevel etching position by sucking the substantially central portion remains on the back surface of the substrate face-down posture toward the surface of the substrate downward, first from the front surface of the substrate to the peripheral portion of the substrate surface 1 a bevel etching step of etching away the unwanted material from the peripheral edge by supplying a processing liquid,
    前記ベベルエッチング工程を受けた基板をフェースダウン姿勢のまま前記ベベルエッチング位置とは異なる裏面洗浄位置に搬送して位置決めする搬送工程と、 A conveying step of positioning transported to different back surface cleaning position and the bevel etching position remains the bevel etching process the received substrate facedown posture,
    前記裏面洗浄位置に位置決めされる基板の表面に向けて気体を吐出することで該基板を浮上させたまま、前記基板の裏面に第2処理液を供給して洗浄する裏面洗浄工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。 While keeping floating the substrate by ejecting gas toward the surface of the substrate which is positioned in the back surface cleaning position, and a back surface cleaning step for cleaning by supplying a second processing liquid to the back surface of the substrate the substrate processing method characterized by.
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