KR20090068164A - 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 제1전극판 및 상기 제1전극판과 일정한 간격을 두고 설치된 제2전극판을 구비하는 터치패널을 제공한다. 상기 제1전극판은, 제1기판 및 상기 제1기판의 표면에 설치된 제1도전층을 구비한다. 상기 제2전극판은, 제2기판 및 상기 제2기판의 표면에 설치된 제2도전층을 구비한다. 상기 제1도전층과 상기 제2도전층은 서로 대향하도록 설치된다. 상기 제1도전층 및 제2도전층 중 적어도 하나의 도전층은, 서로 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비한다. 그리고, 상기 터치패널을 이용한 표시장치를 제공한다.
Description
본 발명은 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치에 관한 것으로, 특히 탄소 나노튜브에 의한 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치에 관한 것이다.
근래, 핸드폰 및 네비게이션 시스템 등과 같은 여러가지 전자장치의 고기능화 및 다양화의 발전에 따라, 액정 등과 같은 표시장치의 앞면에 투광성 터치패널을 설치하는 전자장치들이 점차 증가되고 있다. 이러한 전자장치의 이용자들은, 터치패널의 뒤면의 표시장치에 표시된 내용에 대해 시각적으로 확인하는 한편, 상기 터치패널을 손가락 또는 펜으로 접촉하여 상기 전자장치를 제어한다. 즉, 상기 전자장치의 각종 기능을 원하는 대로 제어할 수 있다.
터치패널은 작동원리 및 전송매질의 차이 등에 따라, 압력식 터치패널, 커패시턴스(Capacitance)식 터치패널, 적외선식 터치패널 및 표면음파식 터치패널로 나눌 수 있다. 그 중에서, 압력식 터치패널이 제일 광범하게 이용되고 있 다("Production of Transparent Conductive Films with Inserted SiO2 Anchor Layer, and Application to a Resistive Touch Panel" Kazuhiro Noda, Kohtaro Tanimura. Electronics and Communications in Japan, Part 2, Vol.84, P39-45(2001) 참고).
종래의 압력식 터치패널은, 일반적으로 상부 기판，하부 기판 및 도트 스페이서(Dot Spacer)를 구비한다. 상기 상부 기판의 아래 표면에는 상부 투명도전층이 형성되어 있고, 상기 하부 기판의 윗 표면에는 하부 투명도전층이 형성되어 있으며, 상기 도트 스페이서는 상기 상하부 투명도전층의 사이에 설치되어 있다. 상기 상하부 투명도전층은, 일반적으로 도전특성을 가지고 있는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO)층을 채용한다.
상기 종래의 압력식 터치패널을 이용할 경우, 상기 상부 기판을 손가락 또는 펜으로 압력식 터치패널을 누르면, 상기 상부 기판이 변형되어 압축부위의 상기 상부 투명도전층과 상기 하부 투명도전층이 서로 접촉하게 된다. 이 때, 외부의 전자회로에 의해 상기 상하부 투명도전층에 각각 전압이 인가된다. 또, 터치패널의 제어장치는, 상기 상부 투명도전층의 전압변화와 상기 하부 투명도전층의 전압변화를 각각 측정하고 정확하게 계산을 수행한 다음, 압축부위의 좌표로 변환한다. 그 다음, 상기 터치패널의 제어장치는 상기 압축부위의 좌표를 중앙처리장치(CPU)로 전송한다. 상기 CPU는 상기 압축부위의 좌표를 기초로 대응하는 명령을 전송하여 전자장치의 여러가지 기능의 변환을 실현한다. 그리고, 표시유닛의 표시는 표시유닛 제어장치에 의해 제어된다.
종래의 압력식 터치패널의 제조방법에 있어서, 일반적으로 이온빔 스퍼터링(Ion-Beam Sputtering) 또는 증착방법으로 상하부 기판의 표면에 ITO층을 침적하여 투명도전층을 형성한다. 상기 투명도전층의 제조과정에 있어서, 진공환경 및 200∼300℃까지의 가열이 필요로 된다. 이로 인해, ITO층은, 제조비용이 비교적 높아지고, 기계적 및 화학적 내구성(耐久性)이 나빠지며, 완곡이 어렵게 되고, 저항치의 분포가 균일하지 않고, 습한 공기 중에서 투명도가 저하되므로, 터치패널 및 이를 이용한 표시장치는 내구성이 나쁘고, 민감도(敏感度)가 낮으며, 선형성(線形性, linearity) 및 정확성이 비교적 나쁘다.
본 발명은, 내구성이 좋고, 민감도가 높으며, 선형성 및 정확성이 좋은 터치패널 및 이를 이용한 표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 터치패널은, 제1전극판 및 상기 제1전극판과 일정한 간격을 두고 설치된 제2전극판을 구비한다. 상기 제1전극판은, 제1기판 및 상기 제1기판의 표면에 설치된 제1도전층을 구비한다. 상기 제2전극판은, 제2기판 및 상기 제2기판의 표면에 설치된 제2도전층을 구비한다. 상기 제1도전층과 상기 제2도전층은 서로 대향하도록 설치된다. 상기 제1도전층 및 제2도전층 중 적어도 하나의 도전층은, 서로 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비한다.
또한 본 발명에 따른 표시장치는, 터치패널 및 표시유닛을 구비한다. 상기 터치패널은, 제1전극판 및 상기 제1전극판과 일정한 간격을 두고 실치된 제2전극판을 구비한다. 상기 제1전극판은, 제1기판 및 상기 제1기판의 표면에 설치된 제1도전층을 구비한다. 상기 제2전극판은, 제2기판 및 상기 제2기판의 표면에 설치된 제2도전층을 구비한다. 상기 표시유닛은, 상기 터치패널의 제2전극판에 마주하도록 설치된다. 상기 제1도전층 및 상기 제2도전층 중 적어도 하나의 도전층은, 서로 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비한다.
본 발명에 따른 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치는 아래와 같은 이점이 있다.
첫째, 투명도전층 중의 복수개의 탄소 나노튜브 구조는 평행으로 간격을 두고 설치되고, 상기 탄소 나노튜브 구조는 적어도 2층의 탄소 나노튜브막의 중첩에 의해 형성되므로, 상기 투명도전층은 우수한 역학적 특성을 갖음과 더불어 우수한 인성과 기계적 강도를 갖는다. 이 때문에, 터치패널의 내구성을 향상시킬 수 있고, 또 이 터치패널을 이용한 표시장치의 내구성도 향상시킬 수 있다.
둘째, 투명도전층 중의 복수개의 탄소 나노튜브 구조는 평행으로 간격을 두고 설치되므로, 상기 투명도전층은 균일한 저항치 및 투광성을 갖는다. 이 때문에, 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치의 해상도 및 정확도를 향상시킬 수 있다.
이하, 예시도면을 참조하면서 본 발명에 따른 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치에 대해 상세히 설명한다.
도 1내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 터치패널(10)은, 제1전극판(12)과, 제2전극판(14) 및, 상기 제1전극판(12)과 상기 제2전극판 사이에 설치된 복수개의 도트 스페이서(16)를 구비한다.
상기 제1전극판(12)은 제1기판(120)과, 제1도전층(122) 및, 적어도 2개의 제1전극(124)을 구비한다. 상기 제1기판(120)의 구조는 평면구조이다. 상기 제1도전층(122)과 적어도 2개의 제1전극(124)은 모두 상기 제1기판(120)의 표면에 설치된다. 상기 적어도 2개의 제1전극(124)은 제1방향에서 상기 제1도전층(122)의 양단에 각각 설치되는 한편, 상기 제1도전층(122)에 전기접속된다.
상기 제2전극판(14)은 제2기판(140)과, 제2도전층(142) 및, 적어도 2개의 제2전극(144)을 구비한다. 상기 제2기판(140)의 구조는 평면구조이다. 상기 제2도전층(142)과 적어도 2개의 제2전극(144)은 모두 상기 제2기판(140)의 표면에 설치된다. 상기 적어도 2개의 제2전극(144)은 제2방향에서 상기 제2도전층(142)의 양단에 각각 설치되는 한편, 상기 제2도전층(142)에 전기접속된다. 상기 제1방향과 상기 제2방향은 서로 수직한다. 상기 적어도 2개의 제1전극(124)과 상기 적어도 2개의 제2전극(144)은 서로 수직으로 설치된다.
상기 제1기판(120)은 투명한 유연성(柔軟性) 박막 또는 박판(薄板)이다. 상기 제2기판(140)의 재료는 유리, 석영, 다이아몬드 및 플라스틱 등과 같은 경질재료 또는 유연성 재료로 된다. 상기 제2기판(140)은 주로 그 위에 설치되는 여타 부품을 지지하는 역할을 한다.
상기 제1기판(120) 및 상기 제2기판(140)이 유연성 평면구조일 경우, 그 기판의 두께는 0.01mm∼1cm이고, 재료는 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸 메타크리레이트(PMMA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 등과 같은 폴리에스터(Polyester)재료, 폴리에테르설폰(PES), 셀룰로오스 에스테르(Cellulose ester), 벤조사이클로부텐 인(BCB), 폴리염화 비닐(PVC), 아크릴수지(Acrylic resin) 등의 재료일 수 있다. 상기 제2기판(140)의 재료는 상기한 재료에 한정되지 않고, 지지역할을 할 수 있고, 또한 일정한 투명도를 갖는 재료이기만 하면, 모두 본 발명의 범주에 속한다.
상기 제1전극(124)과 상기 제2전극(144)의 재료로서는 금속, 합금, 도전성 폴리머(polymer), 탄소 나노튜브 구조 또는 기타 도전성 재료를 이용할 수 있다. 즉, 상기한 제1전극(124) 및 제2전극(144)의 도전성만 확보할 수 있으면 된다.
본 실시형태에서, 상기 제1기판(120)으로서 폴리에스터막, 상기 제2기판(140)으로서 유리기판, 상기 제1전극(124) 및 제2전극(144)을 도전성 은페이스트(Conductive Silver Paste)층 또는 탄소 나노튜브 구조로 한다.
또한, 상기 전극은 상기 도전층과 상기 기판 사이, 또는 상기 기판 위에 설치되어 있는 한편, 상기 도전층에 전기접속될 수 있고, 그의 설치방식에 대해서는 한정되지 않는다. 상기 전극과 상기 도전층에 전기적 접속이 될 수만 있으면 모두 본 발명의 범주에 속한다.
상기 제1도전층(122) 및 제2도전층(142) 중 적어도 하나의 도전층은 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비한다. 상기 탄소 나노튜브 구조는 적어도 하나의 탄소 나노튜브막, 적어도 하나의 탄소 나노튜브 선상구조, 또는 그들의 복합구조를 포함할 수 있다. 구체적으로 설명하면, 상기 탄소 나노튜브 구조는 적어도 하나의 탄소 나노튜브막 또는 적어도 2개가 중첩설치된 탄소 나노튜브막을 포함할 수 있다. 상기 탄소 나노튜브막은 균일하게 분포되고, 질서정연하게 또는 무질서하게 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함한다. 상기 탄소 나노튜브 막의 두께는 0.5nm∼100㎛이다. 상기 복수개의 탄소 나노튜브 선상구조는 가지런히 배열될 수 있다. 상기 탄소 나노튜브 선상구조는 적어도 하나의 묶음형태의 탄소 나노튜브선, 적어도 하나의 비틀림형태의 탄소 나노튜브선, 또는 그들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 탄소 나노튜브 선상구조는 복수개의 탄소 나노튜브선의 평행설치에 의해 형성되는 묶음형태의 선상구조 또는 복수개의 탄소 나노튜브가 서로 비틀려서 형성된 비틀림형태의 선상구조를 포함할 수 있다. 상기 탄소 나노튜브 선상구조의 직경은 0.5nm∼1mm이고, 상기 탄소 나노튜브 구조의 폭은 1mm∼10cm이며, 상기 탄소 나노튜브 구조의 두께는 0.5nm∼1mm이고, 상기 탄소 나노튜브 구조 사이의 간격은 5nm∼1mm이다.
상기 탄소 나노튜브막은 탄소 나노튜브 어레이에서 직접 드로잉(drawing)하여 얻을 수 있다. 상기 탄소 나노튜브막은 우선방위로 배열되고, 끝단과 끝단이 반 데르 발스의 힘(Van der Waals forces)에 의해 연결된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함한다. 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 탄소 나노튜브막은 연속적이고 동일한 방향을 따라 일정한 방향으로 배열[정향배열(定向配列)이라고도 한다]된 복수개의 탄소 나노튜브 단편(Segment)(143)을 포함한다. 상기 복수개의 탄소 나노튜브 단편(143)의 끝단과 끝단은 반 데르 발스의 힘에 의해 연결된다. 각 탄소 나노튜브 단편(143)은 서로 평행이고 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 연결된 복수개의 탄소 나노튜브(145)를 포함한다. 상기 탄소 나노튜브 단편(143)은 임의의 길이, 두께, 균일성 및 형상을 가질 수 있다. 상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브(145)는 동일한 방향을 따라 우선방위로 배열된다.
상기 탄소 나노튜브 구조가 중첩설치된 적어도 2개의 탄소 나노튜브막을 포함할 경우, 서로 인접하는 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브의 배열방향은 일정한 각(β)을 이루고, 그 각(β)은 0도 보다 크거나 같고 90도 보다 작거나 같다. 즉, 0도≤β≤90도이다.
상기 탄소 나노튜브는, 단일벽 탄소 나노튜브, 이중벽 탄소 나노튜브 또는 다중벽 탄소 나노튜브를 포함한다. 상기 단일벽 탄소 나노튜브의 직경은 0.5nm∼50nm이고, 이중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.0nm∼50nm이며, 다중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.5nm∼50nm이다.
상기 탄소 나노튜브막 및 그의 제조방법은 2007년 2월 9일에 출원된 중국 공개특허출원 제CN101239712A호(탄소 나노튜브막 및 그의 제조방법)를 참조할수 있다(출원인: 칭화 유니버시티; 훙푸진 징미꿍예(썬쩐)여우쌘꿍쓰, 발명자: 판 서우싼 등).
또한, 상기 탄소 나노튜브막은 탄소 나노튜브 어레이에 대한 프레스(press)에 의해 형성되는 탄소 나노튜브 프레스막일 수 있다. 상기 탄소 나노튜브 프레스막 중의 탄소 나노튜브들은 등방적(Isotropic)으로, 또는 동일한 방향이거나 다른 방향을 따라 배열된다. 상기 탄소 나노튜브막은 면모화법에 의해 형성되는 탄소 나노튜브 면모구조막(carbon nanotube strip-shaped film structure)일 수도 있다. 상기 면모구조막은 서로 뒤엉킨 복수개의 탄소 나노튜브를 포함한다.
상기 묶음형태의 탄소 나노튜브선은 축방향을 따라 서로 평행으로 배열되고 끝단과 끝단이 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 연결된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함한다. 상기 묶음형태의 탄소 나노튜브선은 탄소 나노튜브막, 즉 드로잉막을 유기용제로 처리하여 얻는다. 즉, 상기 묶음형태의 탄소 나노튜브선은 끝단과 끝단이 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 연결된 복수개의 탄소 나노튜브 단편을 포함한다. 각 탄소 나노튜브 단편은 서로 평행하고 반 데르 발스의 힘에 의해 끝단과 끝단이 연결된 복수개의 탄소 나노튜브를 함유한다. 상기 탄소 나노튜브 단편은 임의의 길이, 두께, 균일성 및 형상을 가질 수 있다. 상기 묶음형태의 탄소 나노튜브선의 길이에 대해서는 한정되지 않는다. 상기 묶음형태의 탄소 나노튜브선의 직경은 0.5nm∼100㎛이다.
상기 탄소 나노튜브막을 유기용제로 처리하는 공정은, 적하관(Dropping tube)으로 상기 유기용제를 상기 탄소 나노튜브막의 표면에 적하(滴下)시켜 상기 탄소 나노튜브막을 전면적으로 침투(浸透)시킨다. 상기 침투된 탄소 나노튜브막은 유기용제가 휘발할 때에 생성되는 표면장력에 의하여, 상기 탄소 나노튜브막 중에서 서로 평행하고 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 연결된 복수개의 탄소 나노튜브는 한데 모여서 묶음형태의 탄소 나노튜브선을 형성한다. 상기 유기용제로서 에탄올(Ethanol), 아세톤(Acetone), 이염화에테인(Dichloroethane) 및 클로로포름(Chloroform) 등과 같은 휘발성 유기용제를 이용한다. 유기용제처리에 의해 형성된 탄소 나노튜브선은 유기용제로 처리하지 않은 탄소 나노튜브막에 비하여, 비표면적이 작고 점착성이 저하된다.
상기 비틀림형태의 탄소 나노튜브선은 기계적 외력을 이용하여 상기 탄소 나노튜브막의 양단을 역방향으로 비틀어 얻는다. 상기 비틀림형태의 탄소 나노튜브 선을 휘발성 유기용제로 더욱 처리할 수 있다. 휘발성 유기용제가 휘발할 때에 생성되는 표면장력의 작용 하에, 상기 비틀림형태의 탄소 나노튜브선 중의 서로 인접하고 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 연결된 탄소 나노튜브들은 더욱 오그라들어, 비틀림형태의 탄소 나노튜브선의 비표면적이 작아지고, 밀도 및 강도가 향상된다(도 8 참조).
상기 탄소 나노튜브선 및 그의 제조방법은 2002년 9월 16일에 출원되고, 2008년 8월 20일에 등록된 중국 등록특허 제CN100411979A호(탄소 나노튜브선 및 그의 제조방법) 및, 2005년 12월 16일에 출원한 중국 공개특허출원 제CN19822209호(탄소 나노튜브선 및 그의 제조방법)를 참조할 수 있다(출원인: 칭화 유니버시티; 훙푸진 징미꿍예(썬쩐)여우쌘꿍쓰, 발명자: 판 서우싼 등).
본 실시형태에 있어서, 제1도전층(122) 및 제2도전층(142)은 모두 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비한다. 상기 탄소 나노튜브 구조들이 서로 평행 및 등간격으로 설치되는 것이 바람직하다. 상기 제1도전층(122) 중의 탄소 나노튜브 구조와 상기 제2도전층(142) 중의 탄소 나노튜브 구조는 서로 교차되도록 설치된다. 구체적으로 설명하면, 상기 제1도전층(122) 중의 탄소 나노튜브 구조는 제1방향을 따라 서로 평행으로 간격을 두고 설치되고, 상기 제2도전층(142) 중의 탄소 나노튜브 구조는 제2방향을 따라 서로 평행으로 간격을 두고 설치된다. 또한, 상기 제1도전층(122) 중의 탄소 나노튜브 구조의 배열방향은 제1방향에 대해 기울어 질 수 있고, 상기 제2도전층(122) 중의 탄소 나노튜브 구조의 배열방향도 제2방향에 대해 기울어질 수 있다.
상기 탄소 나노튜브 구조는 탄소 나노튜브 어레이에서 직접 드로잉하여 얻은 탄소 나노튜브 드로잉막이다. 상기 제1도전층(122) 및 제2도전층(142) 중의 탄소 나노튜브 구조가 서로 평행하고 등간격으로 배열되므로, 상기 제1도전층(122) 및 제2도전층(142)이 균일한 저항치 분포와 투광특성을 가지도록 한다. 이로 인해, 터치패널(10)의 해상도 및 정확율이 향상된다.
상기 제1전극판(12)이 복수개의 제1전극(124)을 포함하고, 상기 제2전극판(14)이 복수개의 제2전극(144)을 포함하는 경우, 각 탄소 나노튜브 구조의 양단에는 서로 대응하는 전극이 각각 전기접속되고, 상기 각 전극에는 적어도 하나의 탄소 나노튜브 구조의 일단이 전기접속된다. 상기 전극은 덩어리 형상(塊狀)전극이다. 도 4는 터치패널의 탄소 나노튜브 구조가 탄소 나노튜브 선상구조일 경우이고, 도 5는 터치패널의 탄소 나노튜브 구조가 탄소 나노튜브막일 경우이다.
본 실시형태에 있어서의 제1도전층(122) 및 제2도전층(124)의 제조방법은 다음과 같다.
공정 1: 우선, 탄소 나노튜브 어레이를 제공한다. 상기 어레이는 초정렬 어레이(Superaligned Array) 탄소 나노튜브 어레이인 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 탄소 나노튜브 어레이는, 단일벽 탄소 나노튜브 어레이, 이중벽 탄소 나노튜브 어레이 또는 다중벽 탄소 나노튜브 어레이이다.
본 실시예에서, 초정렬 어레이 탄소 나노튜브 어레이는, 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)에 의해 형성된다. 그 공정은 다음과 같다.
(a) 평탄한 성장기판을 제공한다. 상기 기판으로서 P타입 또는 N타입 실리 콘 웨이퍼(Silicon Wafer), 또는 표면에 산화층이 형성된 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있다. 본 실시예에서는, 성장기판으로서 4인치의 실리콘 웨이퍼를 이용한다.
(b) 상기 성장기판의 표면에 균일한 촉매제(Catalyst)층을 형성한다. 상기 촉매제층의 재료로서는, 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni) 또는 상기 금속의 임의의 조합의 합금 중의 어느 한가지를 이용할 수 있다.
(c) 상기 촉매제층이 형성되어 있는 성장기판에 대하여, 700∼900℃의 공기 중에서 약 30∼90분 동안 어닐(Anneal: 풀림)처리를 수행한다.
(d) 상기 어닐처리를 한 성장기판을 보호기체가 있는 반응로에 넣고, 500∼740℃까지 가열한다. 그 후, 탄소소스(Carbon Source) 가스를 반응로에 주입한 후 약 5∼30분 동안 반응시키고, 상기한 성장기판에 탄소 나노튜브를 성장시켜 탄소 나노튜브 어레이를 얻는다. 상기 탄소 나노튜브 어레이의 높이는 200㎛∼400㎛이다. 상기 탄소 나노튜브 어레이는 서로 평행하고 상기 성장기판에 수직으로 성장한 복수개의 탄소 나노튜브로 형성된 순수한 탄소 나노튜브 어레이이다. 즉, 상기한 성장조건의 제어에 의해, 성장한 탄소 나노튜브 어레이 중에 다른 물질(무정형탄소 또는 촉매제의 금속과립)이 거의 존재하지 않는다. 상기 탄소 나노튜브 어레이에 있어서, 탄소 나노튜브들이 서로 반 데르 발스의 힘에 의해 긴밀히 연결하여 어레이를 이룬다. 상기 탄소 나노튜브 어레이와 상기 성장기판의 면적은 거의 동등하다.
상기한 탄소소스 가스로서는 화학적 성질이 비교적 활발한 에틸렌(C2H4), 메 탄(CH4), 아세틸렌(C2H2) 등을 이용할 수 있고, 상기한 보호기체로서는 질소 또는 비활성 기체를 이용할 수 있다. 본 실시예에서는, 탄소소스 가스로서 아세틸렌을 이용하고, 보호기체로서 아르곤(Ar)가스를 이용한다.
상기한 탄소 나노튜브 어레이의 성장방법은, 상기 화학기상증착법에만 한정 되지 않고, 흑연전극 아크증착법(Arc Deposition), 레이저 증착법(Laser Evaporation)에 의해서도 탄소 나노튜브 어레이를 성장시킬 수 있다.
공정 2: 다음에, 드로잉 공구로 상기한 탄소 나노튜브 어레이에서 적어도 하나의 탄소 나노튜브막을 취출(取出)한다.
상기 탄소 나노튜브막의 구체적인 제조방법은 아래와 같다.
(a) 상기한 탄소 나노튜브 어레이에서 하나 또는 일정한 폭의 복수개의 탄소 나노튜브를 선택한다. 본 실시형태에서, 일정한 폭을 가지는 접착용 테이프 또는 집게와 같은 공구를 상기 탄소 나노튜브 어레이에 접촉하여 하나 또는 일정한 폭의 복수개의 탄소 나노튜브를 선택한다.
(b) 상기 탄소 나노튜브 어레이의 성장방향에 거의 수직으로 되는 방향을 따라 일정한 속도로 상기 선택한 탄소 나노튜브를 드로잉하여, 연속적인 탄소 나노튜브 단편을 얻음과 더불어, 나아가 연속적인 탄소 나노튜브막을 얻는다.
상기한 드로잉과정에서, 당기는 힘의 작용 하에 상기 복수개의 탄소 나노튜브 단편이 당기는 힘의 방향을 따라 상기한 성장기판에서 점진적으로 비틀려지게 된다. 이 때, 비틀려진 탄소 나노튜브 단편들의 끝단이 각각 반 데르 발스의 힘에 의해 기타 탄소 나노튜브 단편들의 끝단과 연결되어, 균일하고 일정한 폭을 가지는 연속적인 탄소 나노튜브막을 형성한다. 이 탄소 나노튜브막은 복수개의 탄소 나노튜브를 포함하고, 이들 탄소 나노튜브는 끝단과 끝단이 연속적으로 연결되어 당기는 방향을 따라 배열되어 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 탄소 나노튜브막은, 우선방위로 배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함하고, 또한 끝단과 끝단이 연속적으로 연결되며 일정한 폭을 가지는 탄소 나노튜브막이다. 상기 직접 끌어 당겨 얻고, 탄소 나노튜브가 우선방위로 배열된 탄소 나노튜브막은 탄소 나노튜브가 무질서하게 배열된 탄소 나노튜브막 보다 균일성이 우수하다. 즉, 상기 직접 끌어 당겨 얻은 탄소 나노튜브막의 두께 및 도전성이 더욱 균일하다. 또한, 직접 끌어 당겨 얻은 탄소 나노튜브막의 제조방법은 간단하고 신속하여 산업화 실현에 적용된다.
상기 탄소 나노튜브막의 폭은 상기 탄소 나노튜브 어레이가 성장하는 성장기판의 사이즈와 관련되고, 상기 탄소 나노튜브막의 길이에 대해 한정하지 않는다. 즉, 그 길이는 실제 수요에 따라 결정한다. 본 실시형태에서는, 4인치의 성장기판에 초정렬 어레이 탄소 나노튜브 어레이를 성장시킨다. 상기 탄소 나노튜브막의 폭의 범위는 0.5nm∼10cm이고, 두께의 범위는 0.5nm∼100㎛이다. 상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브는 단일벽 탄소 나노튜브, 이중벽 탄소 나노튜브 및 다중벽 탄소 나노튜브 중의 1종 또는 몇가지이다. 상기 단일벽 탄소 나노튜브의 직경은 0.5nm∼50nm이고, 이중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.0nm∼50nm이며, 다중벽 탄소 나노튜브의 직경은 1.5nm∼50nm이다.
공정 3: 복수개의 상기 탄소 나노튜브막을 제조하여 탄소 나노튜브 구조를 형성한다. 상기 제1기판(120) 및 제2기판(140)의 표면에 상기 탄소 나노튜브 구조를 평행으로 간격을 두고 가지런히 배열하여 제1도전층(122) 및 제2도전층(142)을 형성한다.
상기 탄소 나노튜브 구조는 하나의 탄소 나노튜브막 또는 중첩설치된 복수개의 탄소 나노튜브막일 수 있다. 상기 중첩설치된 복수개의 탄소 나노튜브막에 있어서, 서로 인접하는 2층의 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브의 배열방향에 대해 한정하지 않는다. 즉, 상기 탄소 나노튜브들이 동일한 방향을 따라 배열되거나 또는 다른 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 탄소 나노튜브 구조들 사이의 간격의 범위는 0.5nm∼1mm이다. 구체적으로는, 상기 탄소 나노튜브 구조들 사이의 간격은 터치패널(10)의 투광성에 기초하여 선택된다.
또한, 상기 탄소 나노튜브막은 다음과 같은 방법에 의해 제작될 수도 있다. 즉, 탄소 나노튜브 어레이에서 드로잉공구로 드로잉하여 사이즈가 비교적 큰 탄소 나노튜브막을 얻은 후, 상기 탄소 나노튜브막을 절단하여 사이즈가 같은 복수개의 탄소 나노튜브막을 얻는다.
본 발명에 있어서의 탄소 나노튜브막의 제작방법은 상기한 방법에만 한정되는 것이 아니다. 즉, 프레스 방법으로도 탄소 나노튜브막을 얻을 수 있다. 상기 프레스 방법에 의해 얻은 탄소 나노튜브막 중의 복수개의 탄소 나노튜브는 동일한 방향 또는 다른 방향, 또는 등방적으로 배열된다. 또한, 면모화 방법으로도 탄소 나노튜브막을 얻을 수 있다. 상기 면모화 방법으로 얻은 탄소 나노튜브막 중의 복 수개의 탄소 나노튜브는 서로 뒤엉켜 있다.
본 발명의 초정렬 어레이 탄소 나노튜브 어레이 중의 탄소 나노튜브의 순도(Purity)가 상당이 높고, 탄소 나노튜브 자체가 매우 큰 비표면적(Specific Surface Area)을 가지기 때문에, 탄소 나노튜브막 자체가 매우 우수한 점착성을 가진다. 이 때문에, 제1도전층(122) 및 제2도전층(142)으로서의 상기 탄소 나노튜브막에 의해 형성된 상기 탄소 나노튜브 구조를 상기 제1기판(120) 또는 제2기판(140)의 표면에 직접 부착시킬 수 있다.
또한, 상기 제1기판(120) 또는 제2기판(140)의 표면에 부착된 탄소 나노튜브 구조를 유기용제로 처리할 수 있다. 상기 탄소 나노튜브 구조를 유기용제로 처리하는 공정은, 적하관(Dropping tube)으로 상기 유기용제를 상기 탄소 나노튜브 구조의 표면에 적하(滴下)하여 상기 탄소 나노튜브 구조를 전면적으로 침투(浸透)시킨다. 상기 유기용제로서 에탄올(Ethanol), 아세톤(Acetone), 이염화에테인(Dichloroethane) 및 클로로포름(Chloroform) 등 휘발성 유기용제를 이용한다. 상기 휘발성 유기용제가 휘발할 때에 생성되는 표면장력(Surface Tension)의 작용 하에, 미세적 환경에서는, 탄소 나노튜브 구조 중의 서로 인접하는 일부분의 탄소 나노튜브들이 수축하여 묶음형태를 이룬다. 이 경우, 단일 탄소 나노튜브 묶음은 상기 기판에 대한 접촉면적이 상대적으로 커진다. 따라서, 유기용제처리 후의 탄소 나노튜브 구조는 기판에 더욱 긴밀히 접착된다. 그리고, 탄소 나노튜브 구조 중의 서로 인접하는 일부분의 탄소 나노튜브가 수축하여 묶음형태로 되므로, 상기 탄소 나노튜브 구조의 기계적 강도 및 인성(靭性, Toughness)이 향상되고, 전체적 인 탄소 나노튜브 구조의 표면적이 작아지고 점착성이 저하된다. 거시적인(Macroscopical) 환경속에서는, 상기 탄소 나노튜브 구조는 균일한 막상(膜狀)구조이다.
또한, 탄소 나노튜브 구조가 설치된 구역과 설치되지 않은 구역은 다른 굴절율 및 투광율을 가진다. 전체 터치패널(10)의 투광성의 시각적 차이를 최소화하기 위하여, 상기 탄소 나노튜브 구조들 사이의 간격에 채움층(filling layer; 도시되지 않았음)을 추가로 설치할 수 있다. 상기 채움층의 재료는 상기 탄소 나노튜브 구조의 재료의 굴절율 및 투광율과 같거나 비슷한 재료를 채용한다.
또한, 상기 제2전극판(14)의 상부 표면의 외연부에 절연층(18)이 추가로 설치될 수 있다. 상기 제1전극판(12)은 상기 절연층(18)의 위에 설치되어 있고, 상기 제1전극판(12)의 제1도전층(122)과 상기 제2전극판(14)의 제2도전층(142)이 서로 대향한다. 상기한 복수개의 도트 스페이스(16)는 상기 제1도전층(122)과 상기 제2도전층(142) 사이에 서로 간격을 두고 설치되어 있다. 상기 제1전극판(12)과 상기 제2전극판(14) 사이의 간격은 2㎛∼10㎛이다.
상기 절연층(18) 및 상기 복수개의 도트 스페이스(16)는 모두 절연성 수지 또는 기타 절연성 재료에 의해 형성될 수 있다. 상기 절연층(18) 및 상기 도트 스페이스(16)를 설치하는 것은 상기 제1전극판(12)과 상기 제2전극판(14)의 불필요한 전기 접촉을 방지하기 위해서이다. 또한, 터치패널(10)의 사이즈가 작을 경우, 상기 제1전극판(12)과 상기 제2전극판(14)의 절연을 확보할 수만 있다면 도트 스페이스(16)를 설치하지 않아도 좋다.
또한, 상기 제1전극판(12)의 상부 표면에 투명보호층(126)을 추가로 설치할 수 있다. 상기 투명보호층(126)은 질화규소, 산화규소, 벤조사이클로부텐인(BCB), 폴리에스터, 또는 아크릴수지 등의 재료에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 투명보호층(150)을 표면이 경화처리에 의해 반들반들하고 울퉁불퉁해지는 것을 방지하는 플라스틱층으로 할 수 있다. 예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)막으로 할 수 있다. 상기 투명보호층은 상기 제1전극판(12)을 보호하여 터치패널(10)의 내구성을 향상시킨다. 상기 투명보호층(126)는 글레어(Glare) 및/또는 반사를 저감시키는 부가기능을 추가로 가지도록 할 수 있다.
또한, 상기 터치패널(10)에 있어서, 전자파 방해(Electromagnetic Interference)를 저감하여 터치패널(10)이 잘못된 신호를 출력하는 것을 방지하기 위하여, 제2기판(140)의 하부 표면에 쉴드층(Shield)(도시되지 않았음)을 추가로 구비할 수 있다. 상기 쉴드층은 인듐주석산화물(ITO)막, 안티몬주석산화물(ATO)막, 니켈막, 은막, 또는 탄소 나노튜브막 등의 투명한 도전성 재료에 의해 형성될 수 있다. 본 실시형태에서는, 쉴드층은 탄소 나노튜브막에 의해 형성된다. 상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브들의 배열방식에 대해서는 한정하지 않는다. 즉, 상기 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브들이 정향배열되거나, 또는 탄소 나노튜브들이 기타 방식으로 배열될 수 있다. 본 실시형태에서는, 쉴드층은 정향배열된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함한다. 상기 탄소 나노튜브막은 접지(Earth)소자로서 쉴드작용을 하여 터치패널(10)이 외부의 방해를 받지 않는 환경에서 작동되도록 한다.
도 5는본 발명에 따른 터치패널(10)을 이용한 표시장치(100)의 단면도이다. 상기 표시장치(100)는, 터치패널(10) 및 표시유닛(20)을 구비한다.
상기 표시유닛(20)은 상기 터치패널(10)의 제2전극판(14)에 대향하여 설치된다. 상기 터치패널(10)은 상기 표시유닛(20)과 일정한 간격을 두고 설치될 수 있고, 또 상기 표시유닛(20)의 표면에 통합(Integration)하여 설치될 수도 있다. 상기 터치패널(100)과 상기 표시유닛(20)이 통합하여 설치될 경우, 상기 터치패널(10)은 접착제에 의해 상기 표시유닛(20)에 부착될 수 있다.
상기 표시유닛(20)은 액정표시장치(LCD), 전계방출 표시장치(FED), 플라즈마 표시장치(PDP), 전계발광 표시장치(ELD), 진공형광 표시장치(VFD) 및 음극선관 표시장치(CRT)등의 표시유닛이다.
또한, 상기 터치패널(10)의 제2기판(140)의 하부 표면에 쉴드층(22)이 설치될 경우, 상기 제2기판(140)으로부터 멀어지는 쉴드층(22)의 표면에 패시베이션층(24)을 추가로 설치할 수 있다. 상기 패시베이션층(24)은 질화규소, 산화규소, 벤조사이클로부텐인(BCB), 폴리에스터, 또는 아크릴수지 등의 재료에 의해 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층(24)과 표시유닛(20)의 정면 사이에 일정한 간격의 격리부(26)를 형성할 수 있다. 상기 패시베이션층(24)은 유전체(Dielectric)층으로 이용되며 표시유닛(20)이 외부의 과대(過大)한 힘에 의해 손상되는 것을 방지한다.
또한, 상기 표시장치(100)는 터치패널 제어기(30), 중앙처리장치(CPU)(40) 및 표시유닛 제어기(50)를 추가로 구비할 수 있다. 상기 터치패널 제어기(30), CPU(40) 및 표시유닛 제어기(50)는 회로에 의해 서로 연결되어 있다. 상기 터치패 널 제어기(30)는 터치패널(10)에 전기접속되고, 상기 표시유닛 제어기(50)는 상기 표시유닛(20)에 전기적으로 접속된다. 상기 터치패널 제어기(30)는 손가락 등과 같은 접촉부재(60)에 의해 접촉되는 기호 또는 메뉴의 위치를 기초로 입력되는 정보를 선택하는 한편, 상기 CPU(40)에 상기 입력정보를 전송한다. 상기 CPU(40)는 상기 표시장치 제어기(50)을 통하여 상기 표시유닛(20)의 표시를 제어한다.
상기 표시장치(100)를 이용할 경우, 제1전극판(12)들의 사이와 제2전극판(14)들의 사이에 각각 5볼트(V)의 전압을 인가한다. 이용자는 터치패널(10)의 뒤면의 표시유닛(20)에 표시된 내용에 대해 시각적 확인을 진행하는 한편, 상기 터치패널(10)의 제1전극판(12)을 손가락 또는 펜으로 누르는 것으로 상기 표시장치(100)를 이용한 전자장치에 대해 조작을 수행하게 된다. 이 때, 상기 제1전극판(12)의 제1기판(120)이 변형을 발생시켜, 상기 압축부위(70)의 제1전극판(12)의 제1도전층(122)과 제2전극판(14)의 제2도전층(142)이 전기접촉된다. 이 때, 상기 터치패널 제어기(30)는 각각 상기 제1도전층(122)의 제1방향에서의 전압변화와 상기 제2도전층(142)의 제2방향에서의 전압변화를 측정한 후, 상기 전압변화의 정보에 대해 정확히 계산하고 좌표로 전환시킨 후, 디지털화된 상기 좌표를 CPU(40)로 전송한다. 상기 CPU(40)는 상기 좌표에 기초로 대응되는 명령을 출력하여 전자장치의 각종 기능간의 변환을 실현한다. 그 결과 상기 표시장치 제어기(50)의 제어에 의해 표시유닛(20)에 표시된다..
종래기술에 비하여, 상기한 본 발명에 따른 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치는 아래와 같은 이점이 있다.
첫째, 투명도전층 중의 복수개의 탄소 나노튜브 구조는 평행으로 간격을 두고 설치되고, 상기 탄소 나노튜브 구조는 적어도 2층의 탄소 나노튜브막의 중첩에 의해 형성되므로, 상기 투명도전층은 우수한 역학적 특성을 가지고, 또한 상기 투명도전층이 우수한 인성과 기계적 강도를 가진다. 이 때문에, 터치패널의 내구성을 향상시킬 수 있고, 또 이 터치패널을 이용한 표시장치의 내구성도 향상시킬 수 있다.
둘째, 투명도전층 중의 복수개의 탄소 나노튜브 구조는 평행으로 간격을 두고 설치되므로, 상기 투명도전층은 균일한 저항치 및 투광성을 가진다. 이 때문에, 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치의 해상도 및 정확도를 향상시킬 수 있다.
셋째, 투명도전층 중의 복수개의 탄소 나노튜브 구조는 평행으로 간격을 두고 설치되고, 각 전극이 그가 위치하는 투명도전층 중의 적어도 하나의 탄소 나노튜브 구조의 일단에 전기접속된다. 이에 인해, 압축부위의 전극간의 전압변화의 측정을 통해 압축부위의 위치를 더욱 정확하게 측정한다. 이 때문에, 터치패널 및 이 터치패널을 이용한 표시장치의 해상도 및 정확도를 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니고, 첨부된 특허 청구범위에 의하여 해석되여야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 터치패널의 사시도이다.
도 2는 본 발명에 따른 터치패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 탄소 나노튜브 구조가 탄소 나노튜브막일 경우의 터치패널의 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전극판이 복수개의 전극을 채용할 경우의 터치패널의 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 전극판이 복수개의 전극을 채용하고, 탄소 나노튜브 구조가 탄소 나노튜브막일 경우의 터치패널의 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 터치패널 중의 탄소 나노튜브막의 전자현미경 사진이다.
도 7은 본 발명에 따른 터치패널의 탄소 나노튜브막 중의 탄소 나노튜브 단편의 전자현미경 사진이다.
도 8은 본 발명에 따른 터치패널 중의 탄소 나노튜브의 선상구조의 전자현미경 사진이다.
도 9는 본 발명에 따른 표시장치의 단면도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
10 --- 터치패널 12 --- 제1전극판
120 --- 제1기판 122 --- 제1도전층
124 --- 제1전극 126 --- 투명보호막
14 --- 제2전극판 140 --- 제2기판
142 --- 제2도전층 144 --- 제2전극
16 --- 도트 스페이서 18 --- 절연층
143 --- 탄소 나노튜브 단편 145 --- 탄소 나노튜브
100 --- 표시장치 20 --- 표시유닛
22 --- 쉴드층 24 --- 보호층
26 --- 격리부 30 --- 터치패널 제어기
40 --- 중앙처리장치 50 --- 표시장치 제어기
60 --- 접촉부재 70 --- 압축부위
Claims (15)
- 제1전극판과, 상기 제1전극판과 일정한 간격을 두고 설치된 제2전극판을 구비한 터치패널에 있어서,상기 제1전극판이, 제1기판과, 상기 제1기판의 표면에 설치된 제1도전층을 구비하고;상기 제2전극판이, 제2기판과, 상기 제2기판의 표면에 설치된 제2도전층을 구비하고, 상기 제2도전층이 상기 제1전극판의 제1도전층에 대향하도록 설치되며;상기 제1도전층과 상기 제2도전층 중 적어도 하나의 도전층이 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제1항에 있어서,상기 탄소 나노튜브 구조가, 적어도 하나의 탄소 나노튜브막, 적어도 하나의 탄소 나노튜브 선상구조, 또는 그들에 의해 구성된 복합구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제2항에 있어서,상기 탄소 나노튜브구조가, 중첩설치된 적어도 2층의 탄소 나노튜브막을 포 함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제2항에 있어서,상기 탄소 나노튜브막이, 균일하게 분포된 복수개의 탄소 나노튜브를 포함하고,상기 탄소 나노튜브가, 질서정연하게 또는 무질서하게 배열되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제4항에 있어서,상기 복수개의 탄소 나노튜브가, 끝단과 끝단이 서로 연결되고 동일한 방향을 따라 배열되며, 탄소 나노튜브들 사이가 반 데르 발스의 힘에 의해 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제2항에 있어서,상기 탄소 나노튜브 구조가, 서로 평행으로 가지런히 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 선상구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제2항에 있어서,상기 탄소 나노튜브 선상구조가, 적어도 하나의 묶음형태의 탄소 나노튜브선, 적어도 하나의 비틀림형태의 탄소 나노튜브선, 또는 그들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제7항에 있어서,상기 탄소 나노튜브 선상구조가, 복수개의 탄소 나노튜브선이 서로 평행설치되어 구성된 묶음형태구조 또는 복수개의 탄소 나노튜브선이 서로 비틀려서 구성된 비틀림형태구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제1항에 있어서,상기 탄소 나노튜브 구조들 사이의 간격이 5nm∼1mm인 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제1항에 있어서,상기 제1전극판이 적어도 2개의 제1전극을 더 구비하고, 상기 적어도 2개의 제1전극이 제1방향에 따른 제1도전층의 양단에 각각 전기접속되도록 설치되고;상기 제2전극판이 적어도 2개의 제2전극을 더 구비하고, 상기 적어도 2개의 제2전극이 제2방향에 따른 제2도전층의 양단에 각각 전기접속되도록 설치되고;상기 탄소 나노튜브 구조의 양단에 서로 대향하는 2개의 전극이 각각 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제10항에 있어서,상기 제1도전층과 제2도전층이 모두 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 포함하고, 상기 제1도전층의 탄소 나노튜브 구조와 상기 제2도전층의 탄소 나노튜브 구조가 서로 교차되도록 설치되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제11항에 있어서,상기 제1도전층의 탄소 나노튜브 구조가 제1방향을 따라 평행으로 간격을 두고 설치되고, 상기 제2도전층의 탄소 나노튜브 구조가 제2방향을 따라 평행으로 간격을 두고 설치되며, 상기 제1방향과 상기 제2방향이 수직으로 되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 제10항에 있어서,상기 제1전극판이 제1방향에 따른 제1도전층의 양단에 설치된 복수개의 제1전극을 구비하고, 상기 투명도전층 중의 탄소 나노튜브 구조의 양단에는 서로 대향하는 제1전극이 전기접속되며, 각 제1전극은 적어도 하나의 탄소 나노튜브 구조의 일단에 전기접속되고;상기 제2전극판은 제2방향에 따른 제2도전층의 양단에 설치된 복수개의 제2전극을 구비하고, 상기 투명도전층 중의 탄소 나노튜브 구조의 양단에는 서로 대향하는 제2전극이 전기접속되며, 각 제2전극은 적어도 하나의 탄소 나노튜브 구조의 일단에 전기접속되는 것을 특징으로 하는 터치패널.
- 표시유닛과 상기 표시유닛에 대향하게 설치된 터치패널을 구비하는 표시장치에 있어서,상기 터치패널이, 상기 제1전극판과, 상기 제1전극판과 일정한 간격을 두고 실치된 제2전극판을 구비하고,상기 제1전극판이, 제1기판과, 상기 제1기판의 표면에 설치된 제1도전층을 구비하고,상기 제2전극판이, 제2기판과, 상기 제2기판의 표면에 설치된 제2도전층을 구비하고, 상기 제2도전층이 상기 제1전극판의 제1도전층에 대향하게 설치되고;상기 제1도전층과 상기 제2도전층 중 적어도 하나의 도전층이 간격을 두고 설치된 복수개의 탄소 나노튜브 구조를 구비하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
- 제14항에 있어서,상기 터치패널과 상기 표시유닛이 통합으로 또는 간격을 두고 설치될 수 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.
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Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120531 Patent event code: PE09021S01D |
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