KR20090054785A - 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치 - Google Patents

세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090054785A
KR20090054785A KR1020070121643A KR20070121643A KR20090054785A KR 20090054785 A KR20090054785 A KR 20090054785A KR 1020070121643 A KR1020070121643 A KR 1020070121643A KR 20070121643 A KR20070121643 A KR 20070121643A KR 20090054785 A KR20090054785 A KR 20090054785A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic
heat generating
plate
powder state
substrate
Prior art date
Application number
KR1020070121643A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101177749B1 (ko
Inventor
이성민
최정덕
채제호
Original Assignee
주식회사 코미코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 코미코 filed Critical 주식회사 코미코
Priority to KR1020070121643A priority Critical patent/KR101177749B1/ko
Priority to SG200808729-8A priority patent/SG153018A1/en
Priority to TW097145834A priority patent/TWI398185B/zh
Publication of KR20090054785A publication Critical patent/KR20090054785A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101177749B1 publication Critical patent/KR101177749B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)

Abstract

세라믹 히터는 플레이트 및 발열 부재를 포함한다. 플레이트는 그 상면에 기판이 놓여지고, 분말 상태의 세라믹으로부터 한번의 소결 공정을 통하여 수득한다. 발열 부재는 플레이트에 내장되어 열을 발생하고, 플레이트가 소결 공정을 진행할 때 분말 상태의 세라믹에 매설된다. 따라서, 세라믹 히터를 제조하기 위한 공정수를 감소시켜 전체적인 제조 공정 시간과 비용을 감소시킬 수 있다.

Description

세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치{CERAMIC HEATER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND APPARATUS FOR DEPOSITING A THIN FILM HAVING THE SAME}
본 발명은 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 기판에 박막을 증착하기 위하여 상기 기판을 가열하는 세라믹 히터 및 이의 제조 방법과 상기 세라믹 히터를 갖는 박막 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 실리콘 재질의 기판 상에 전기적인 회로 패턴을 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 회로 패턴이 형성된 기판의 전기적인 특성을 검사하는 EDS(electrical die sorting)공정과, 상기 검사한 기판을 절단하여 다수의 칩들을 형성한 후 이 칩들을 리드 프레임과 같이 에폭시 수지로 개별 봉지하는 패키징 공정을 통해 제조된다.
상기 회로 패턴은 상기 기판에 금속 박막을 증착시키는 공정과, 상기 박막 상에 사용자가 원하는 포토레지스트를 패터닝하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지스트의 형상에 대응되도록 상기 박막을 식각하는 공정과, 상기 패터닝된 포토레지 스트를 제거하는 공정 등을 포함하여 형성된다.
최근, 상기 박막을 증착시키는 공정으로는 상기 박막의 두께를 얇게 하면서 증착률도 우수한 플라즈마 처리 방식이 널리 사용되고 있다. 상기 플라즈마 처리 방식은 일예로, 플라즈마 강화 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical vapor deposition : 이하, PE-CVD) 장치를 이용할 수 있다.
상기 PE-CVD 장치는 반응 가스가 주입되는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 배치되어 상기 반응 가스로부터 상기 기판에 박막을 증착시키기 위한 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 전극 및 상기 기판이 실질적으로 놓여지는 안착부를 포함한다.
여기서, 상기 안착부는 상기 기판에 상기 박막이 원활하게 증착되도록 하기 위하여 상기 기판을 가열하면서 상기 기판에 전기적인 간섭을 배제할 수 있는 세라믹 히터로 이루어진다.
상기 세라믹 히터는 전체적으로 세라믹 재질로 이루어지고 그 상면에 상기 기판이 실질적으로 놓여지는 플레이트 및 상기 플레이트에 내장되어 열을 발생하는 발열 부재를 포함한다.
이러한 상기 세라믹 히터는 먼저, 분말 상태의 세라믹을 기재로 하여 소결한 제1 예비 소결체와 다른 분말 상태의 세라믹을 기재로 하고 그 일면에 상기 발열 부재를 배치시켜 소결한 제2 예비 소결체를 형성한 다음, 상기 제1 및 제2 예비 소결체를 적층시켜 다시 한번 소결함으로써, 제조된다.
이와 같이, 상기 세라믹 히터는 상기 제1 및 제2 예비 소결체를 통해 상기에 서와 같이 세 번에 걸쳐 소결함으로써, 제조 공정이 복잡하고, 제조 비용 또한 증가하는 문제점이 있다.
또한, 상기 세라믹 히터는 상기 제1 및 제2 예비 소결체를 적층시켜 소결할 때 상기 제1 및 제2 예비 소결체와 상기 발열 부재의 열팽창 차이로 인하여, 상기 세라믹 히터의 내부에 크랙(crack) 또는 변형이 발생되는 또 다른 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 한번의 소결 공정을 통해 제조할 수 있는 세라믹 히터를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기한 세라믹 히터를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 상기한 세라믹 히터를 갖는 박막 증착 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 세라믹 히터는 플레이트 및 발열 부재를 포함한다. 상기 플레이트는 그 상면에 기판이 놓여지고, 분말 상태의 세라믹으로부터 한번의 소결 공정을 통하여 수득한다. 상기 발열 부재는 상기 플레이트에 내장되어 열을 발생하고, 상기 플레이트가 상기 소결 공정을 진행할 때 상기 분말 상태의 세라믹에 매설된다.
한편, 상기 세라믹 히터는 상기 플레이트에 내장되어 외부로 접지되고, 상기 플레이트가 상기 소결 공정을 진행할 때 상기 분말 상태의 세라믹에 매설되는 전극 부재를 더 포함한다. 이에, 상기 발열 부재 및 상기 전극 부재 각각은 메쉬 형상의 판 또는 벌크로 이루어질 수 있다.
상기 발열 부재는 상기 플레이트에 놓여지는 기판의 중심 영역에서 상기 기판을 가열하는 제1 발열부 및 상기 플레이트에 놓여지는 기판의 주변 영역에서 상 기 기판을 가열하는 제2 발열부를 포함한다. 여기서, 상기 제1 및 제2 발열부에는 상기 기판을 가열하기 위한 구동 전원이 선택적으로 인가될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 세라믹 히터의 제조 방법이 개시된다. 일측이 개방된 구조를 갖는 수납 몰드에 분말 상태의 세라믹을 제n 번째(n은 1이상의 자연수) 충진한다. 이어, 상기 제n 번째로 충진된 분말 상태의 세라믹에 발열 부재를 배치시킨다. 이어, 상기 발열 부재가 배치된 상태에서 상기 분말 상태의 세라믹을 제n+1 번째 충진하여 상기 발열 부재를 매설한다. 이어, 상기 발열 부재가 매설된 상태에서 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹을 한번에 소결한다.
여기서, 상기 분말 상태의 세라믹을 소결하는 단계는 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹에 고온 상태를 제공하는 단계를 포함한다. 이에 추가적으로, 상기 분말 상태의 세라믹을 소결하는 단계는 상기 분말 상태의 세라믹이 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 수납 몰드의 개방된 일측에 가압 몰드를 배치시키는 단계 및 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹에 고온 상태를 제공할 때 상기 가압 몰드를 이용하여 상기 분말 상태의 세라믹을 가압하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 발열 부재가 배치된 위치는 상기 분말 상태로 상기 제n 번째 충진된 세라믹의 충진량을 통하여 조정될 수 있다. 또한, 상기 분말 상태의 세라믹을 상기 제n 번째 충진한 단계 이후에, 상기 제n 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹을 평탄화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 세라믹 히터를 제조할 때, 상기 수납 몰드에 상기 분말 상태의 세라믹을 제m 번째(m은 상기 n과 다른 자연수) 충진하고, 상기 제m 번째로 충진된 분말 상태의 세라믹에 전극 부재를 배치시킨 다음, 상기 전극 부재가 배치된 상태에서 상기 분말 상태의 세라믹을 제m+1 번째 충진하여 상기 전극 부재를 매설하는 단계를 더 포함한다.
이에, 상기 전극 부재가 배치된 위치는 상기 분말 상태로 상기 제m 번째 충진된 세라믹의 충진량을 통하여 조정될 수 있다. 또한, 상기 분말 상태의 세라믹을 상기 제m 번째 충진한 단계 이후에, 상기 제m 번째 충진된 분말 상태의 세라믹을 평탄화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 또 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 박막 증착 장치는 공정 챔버, 세라믹 히터 및 플라즈마 전극을 포함한다. 상기 공정 챔버에는 반응 가스가 주입된다. 상기 세라믹 히터는 상기 공정 챔버에 배치되고, 박막을 증착하기 위한 기판이 외부로부터 반입되어 놓여지며, 상기 놓여진 기판을 가열한다. 상기 플라즈마 전극은 상기 공정 챔버에서 상기 세라믹 히터와 마주보도록 배치되고, 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 생성한다. 이에, 상기 세라믹 히터는 그 상면에 상기 반입되는 기판이 놓여지고, 분말 상태의 세라믹으로부터 한번의 소결 공정을 통해 수득한 플레이트 및 상기 플레이트에 내장되어 열을 발생하고, 상기 플레이트가 상기 소결 공정을 진행할 때 상기 분말 상태의 세라믹에 매설되는 발열 부재를 포함한다.
이러한 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치에 따르면, 분말 상태의 세라믹을 발열 부재 및 전극 부재가 그 사이에 매설되도록 여러번에 걸쳐서 수납 몰드에 충진시킨 다음, 한번의 소결 공정을 통하여 상기 세라믹 히터를 제조함으로써, 제조 공정수를 감소시켜 전체적인 제조 비용을 절감하고, 제조 공정 시간을 단축할 수 있다.
또한, 상기 세라믹 히터가 상기 한번의 소결 공정으로 제조됨으로써, 종래와 같이, 상기 세라믹 히터의 내부에 적어도 두 개의 예비 소결체들로 인하여 생성되는 계면을 방지할 수 있다.
또한, 상기 소결 공정이 이루어질 때, 상기 발열 부재 및 상기 전극 부재의 주위가 분말 상태의 상기 세라믹으로 형성됨으로써, 상기 소결 공정이 진행되는 도중 상기 발열 부재 및 상기 전극 부재의 열팽창에 대한 잔류 응력을 자연스럽게 소멸시킬 수 있다. 즉, 상기 열팽창으로 인하여 상기 세라믹 히터의 내부에 크랙 또는 변형이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설 명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하 지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터를 나타낸 개략적인 구성도이도, 도 2는 도 1에 도시된 세라믹 히터의 발열 부재를 구체적으로 나타낸 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 세라믹 히터의 전극 부재를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 1, 도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터(100)는 플레이트(110), 발열 부재(120) 및 전극 부재(130)를 포함한다.
상기 플레이트(110)는 그 상면에 기판(W)이 놓여진다. 상기 기판(W)은 일예로, 반도체 소자를 제조하기 위한 실리콘 재질의 웨이퍼일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 평판표시장치의 핵심 구성인 표시패널의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 기판 또는 컬러 필터(Color Filter; CF) 기판일 수 있다.
상기 플레이트(110)는 내열성이 우수하면서 전기적으로 절연체인 세라믹(C)으로 이루어진다. 상기 세라믹(C)은 일예로, 질화 알루미늄(AlN), 질화 실리콘(Si3N4), 탄화 실리콘(SiC), 질화 붕소(BN) 및 알루미나(Al2O3) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
이로써, 외부로부터 인가되는 고주파 전압을 통한 플라즈마를 이용하여 상기 플레이트(110)에 놓여진 상기 기판(W)에 박막을 증착하고자 할 경우, 상기 플레이트(110)를 통해 상기 기판(W)을 안정적으로 가열할 수 있고, 상기 플레이트(110)로 인하여 상기 기판(W)이 전기적으로 간섭되는 것도 방지할 수 있다.
상기 플레이트(110)는 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 기재로 하여 전체를 한번에 소결함으로써, 제조된다. 즉, 상기 플레이트(110)는 상기 소결 공정을 적어도 두개 이상의 예비 소결체들을 이용하여 부분적으로 여러번 진행할 경우, 상기 예비 소결체들로 인하여 생성되는 계면을 방지할 수 있다.
상기 발열 부재(120)는 상기 플레이트(110)에 내장된다. 상기 발열 부재(120)는 외부의 전원 공급부(미도시)와 전기적으로 연결된다. 이로써, 상기 발열 부재(120)는 상기 전원 공급부(미도시)로부터 구동 전원을 인가 받아 열을 발생하여 상기 플레이트(110)에 놓여지는 상기 기판(W)을 가열할 수 있게 된다.
상기 발열 부재(120)는 발열 기능이 가능한 금속 재질로 이루어진다. 일예로, 상기 발열 부재(120)는 탄탈(Tantalum, Ta), 텅스텐(Tungsten, W), 몰리브덴(Molybdenum, Mo) 및 니켈(Nickel, Ni) 중 어느 하나를 약 50% 이상 함유한 함금으로 이루어질 수 있다.
상기 발열 부재(120)는 상기 플레이트(110)가 상기 소결 공정을 진행할 때, 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 매설된다. 다시 말해, 상기 플레이트(110)는 상기 발열 부재(120)를 그 내부에 매설시킨 상태로 상기 소결 공정을 진행한다.
상기 발열 부재(120)는 분말 상태의 상기 세라믹(C)과 구분되도록 하기 위하여 소정 부피를 갖는 벌크(bulk)로 매설될 수 있다. 이와 달리, 상기 발열 부재(120)는 분말 상태의 상기 세라믹(C)처럼 분말 상태로 매설될 수 있다. 이때, 상기 발열 부재(120)와 상기 세라믹(C)은 서로 다른 색상으로 구분될 수 있다.
구체적으로, 상기 발열 부재(120)는 도 2에서와 같이, 상기 벌크로부터 형성 되고 상기 플레이트(110)에 놓여지는 상기 기판(W)의 위치에 따라 균일하게 분포된 발열선(122)으로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 상기 기판(W)이 웨이퍼와 같이 원 형상을 가질 경우, 상기 발열선(122)은 동심원 구조를 가질 수 있다. 이로써, 상기 발열 부재(120)는 상기 기판(W)을 위치에 따라 균일하게 가열할 수 있다.
상기 전극 부재(130)는 상기 플레이트(110)에 내장된다. 상기 전극 부재(130)는 외부의 접지부(미도시)와 전기적으로 연결되어 접지된다. 이에, 상기 전극 부재(130)는 전도성이 우수한 금속 재질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 전극 부재(130)는 상기 발열 전극(120)과 유사한 재질로 이루어질 수도 있다.
상기 전극 부재(130)는 상기 발열 부재(120)의 상부에 배치될 수 있다. 상기 전극 부재(130)는 상기 발열 부재(120)와 마찬가지로, 상기 플레이트(110)가 상기 소결 공정을 진행할 때, 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 매설된다.
이러한 상기 전극 부재(130)는 상기에서 언급하였던 것처럼 고주파 전압을 통한 플라즈마를 이용하여 상기 플레이트(110)에 놓여진 상기 기판(W)에 박막을 증착하고자 할 경우, 상기 고주파 전압에 의한 상기 플라즈마가 원활하게 형성되도록 하기 위한 기준 전압을 제공한다.
한편, 상기 전극 부재(130)는 상기 소결 공정을 진행할 때, 분말 상태의 상기 세라믹(C)과 구분되도록 하기 위하여 도 3에서와 같이, 메쉬 형상의 판(132)으로 이루어질 수 있다.
이와 다르게, 상기 발열 부재(120)가 메쉬 형상의 판(132)으로 이루어질 수 도 있고, 상기 전극 부재(130)가 벌크로 이루어질 수도 있다.
이하, 도 4a 및 도 4f를 참조하여 상기 세라믹 히터(100)를 제조하는 방법을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 4a 및 도 4f는 도 1에 도시된 세라믹 히터를 제조하는 방법을 나타낸 도면들이다.
도 4a를 참조하면, 먼저, 일측이 개방된 구조를 갖는 수납 몰드(30)에 분말 상태의 세라믹(C)을 제1 충진(C1)한다.
이어, 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 평탄화시킨다. 예를 들어, 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 세라믹에 별도의 프레스와 같은 도구를 사용하여 눌러서 평탄화시킬 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 충진(C1)된 상기 수납 몰드(30)를 지면과 수평한 방향으로 흔들어서 평탄화시킬 수 있다. 또한, 상기 제1 충진(C1)된 상기 수납 몰드(30)에 회전하는 부재를 투입시켜 평탄화시킬 수 있다.
도 4b를 추가적으로 참조하면, 이어, 열을 발생하는 발열 부재(120)를 상기 평탄화 공정이 이루어진 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 배치시킨다.
여기서, 상기 발열 부재(120)가 배치되는 위치는 분말 상태로 상기 제1 충진(C1)된 상기 세라믹(C)의 충진량을 통해 조정될 수 있다. 구체적으로, 상기 충진량을 많이 하면, 상기 발열 부재(120)의 위치는 상부 방향으로 높아지게 되고, 적게 하면, 하부 방향으로 낮아지게 된다.
또한, 상기 발열 부재(120)는 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라 믹(C)과 구분되도록 하기 위하여 메쉬 형상을 갖는 판 또는 벌크로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 상기 발열 부재(120)는 분말 상태의 상기 세라믹(C)처럼 분말 상태로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 발열 부재(120)가 한쪽으로 치우지거나 유동하는 것을 방지하기 위하여 지지 부재를 이용할 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 소정의 단단함을 가지도록 별도의 도구로 압착할 수 있다.
또한, 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)과 접하는 상기 발열 부재(120)의 일면에 소정의 오목, 볼록 또는 요철 구조를 형성하여 그 접하는 면적을 증가시킴으로써, 상기 발열 부재(120)를 어느 정도 고정하는 효과를 얻을 수 있다.
이는, 상기 접하는 면적의 증가를 통하여 상기 발열 부재(120)의 일면과 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C) 사이에서의 마찰력이 증가하기 때문이다. 또한, 상기 발열 부재(120)의 가장 자리를 돌출시켜 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 박아주는 방법을 사용할 수도 있다.
도 4c를 추가적으로 참조하면, 이어, 상기 제1 충진(C1)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 배치된 상기 발열 부재(120)를 매설하기 위하여 상기 발열 부재(120)에 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 다시 제2 충진(C2)한다. 이어, 상기 제2 충진(C2)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 상기 제1 충진(C1)할 때와 동일한 방식으로 평탄화시킨다.
도 4d를 추가적으로 참조하면, 이어, 외부로 접지되는 전극 부재(130)를 상 기 평탄화 공정이 이루어진 상기 제2 충진(C2)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 배치시킨다.
여기서, 상기 전극 부재(130)가 배치되는 위치는 상기 발열 부재(120)의 위치를 조정하는 방식과 동일한 방식으로 분말 상태로 상기 제2 충진(C2)된 세라믹(C)의 충진량을 통해 조정될 수 있다. 또한, 상기 전극 부재(120)는 상기 발열 부재(120)와 마찬가지로, 메쉬 형상을 갖는 판, 벌크 또는 분말 상태로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 전극 부재(130)는 한쪽으로 치우지거나 유동하는 것을 방지하기 위하여 상기 발열 부재(120)에서와 동일한 방식을 이용할 수 있다.
도 4e를 추가적으로 참조하면, 이어, 상기 제2 충진(C2)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)에 배치된 상기 전극 부재(130)를 매설하기 위하여 상기 전극 부재(130)에 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 다시 한번 제3 충진(C3)한다.
도 4f를 추가적으로 참조하면, 이어, 상기 수납 몰드(30)의 개방된 일측에 가압 몰드(40)를 배치시켜 그 내부에 상기 발열 부재(120) 및 상기 전극 부재(130)가 매설되도록 상기 제1, 제2 및 제3 충진(C1, C2, C3)된 상기 세라믹(C)을 전체적으로 한번에 소결한다.
여기서, 상기 소결 공정은 먼저, 분말 상태의 상기 세라믹(C)이 상기 제1, 제2 및 제3 충진(C1, C2, C3)된 상기 수납 몰드(30)를 고온 상태를 제공할 수 있는 소결로(미도시)에 이동 배치시킨다. 이어, 상기 고온 상태가 제공되는 상기 수납 몰드(30)의 일측에서 상기 가압 몰드(40)를 통해 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 가 압함으로써, 진행된다. 이때, 상기 제3 충진(C3)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)은 상기 가압 몰드(40)를 통하여 자연스럽게 평탄화된다.
여기서, 상기 고온 상태는 약 1600도 내지 약 1950도일 수 있다. 상기 가압 몰드(40)를 가압하는 압력은 약 0.01ton/㎠ 내지 약 0.3ton/㎠일 수 있다. 상기 소결 공정을 진행하는 시간은 경우에 따라 차이가 있을 수 있지만, 대략 10시간 내외일 수 있다. 한편, 상기 소결로(미도시)의 내부는 불활성 가스인 질소(N2) 또는 아르곤(Ar)으로 채워질 수 있다
이와 달리, 상기 소결 공정은 상기 가압 몰드(40)를 사용하지 않고, 단순히 상기 소결로(미도시)에 이동 배치시켜 상기 고온 상태만을 제공함으로써, 진행될 수 있다. 이때에는, 상기 가압 몰드(40)를 사용할 때와 달리, 상기 제3 충진(C3)된 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 평탄화시키는 공정이 추가적으로 필요할 수 있다.
도 1을 다시 추가적으로 참조하면, 이어, 상기 소결하는 공정이 진행된 상기 세라믹(C)을 상기 수납 몰드(30)로부터 분리시켜 세라믹 히터(100)를 완성한다. 구체적으로, 상기 수납 몰드(30)를 부분적으로 분리되는 구조로 제작하여 상기 소결 공정이 진행된 상기 세라믹(C)으로부터 분리시킨다.
이와 같이, 분말 상태의 상기 세라믹(C)을 상기 발열 부재(120) 및 상기 전극 부재(130)가 매설되도록 수납 몰드(30)에 상기 제1, 제2 및 제3 충진(C1, C2, C3)시킨 다음, 한번의 상기 소결 공정을 통하여 상기 세라믹 히터(100)를 제조함으로써, 제조 공정수를 감소시켜 전체적인 제조 비용을 절감하고, 제조 공정 시간을 단축할 수 있다.
또한, 상기 세라믹 히터(100)가 상기 한번의 소결 공정으로 제조됨으로써, 종래와 같이, 상기 세라믹 히터(100)는 적어도 두개 이상의 예비 소결체들을 이용하여 부분적으로 상기 소결 공정을 여러번 진행할 경우, 상기 예비 소결체들로 인하여 생성되는 계면을 방지할 수 있다.
또한, 상기 소결 공정이 이루어질 때, 상기 발열 부재(120) 및 상기 전극 부재(130)의 주위가 분말 상태의 상기 세라믹(C)으로 형성됨으로써, 상기 소결 공정이 진행되는 도중 상기 발열 부재(120) 및 상기 전극 부재(130)의 열팽창에 대한 잔류 응력을 자연스럽게 소멸시킬 수 있다. 즉, 상기 열팽창으로 인하여 상기 세라믹 히터(100)의 내부에 크랙 또는 변형이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 발열 부재(120) 및 상기 전극 부재(130) 중 상기 세라믹 히터(100)의 기능에 직접 영향을 미치는 상기 발열 부재(120)만 매설될 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 히터는 나타낸 개략적인 구성도이다.
본 실시예에서, 세라믹 히터는 발열 부재의 구성을 제외하고는 도 1, 도 2 및 도 3의 구성과 동일할 수 있으므로, 동일한 참조 번호를 사용하며, 그 중복되는 상세한 설명을 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 히터(200)의 발열 부재(210)는 제1 발열부(212) 및 제2 발열부(214)를 포함한다.
상기 제1 발열부(212)는 플레이트(220)에 놓여지는 기판(W)의 중심 영역에서 상기 기판(W)을 가열한다. 상기 제2 발열부(214)는 상기 플레이트(220)에 놓여지는 상기 기판(W)의 주변 영역에서 상기 기판(W)을 가열한다. 이러한 상기 제1 및 제2 발열부(212, 214)는 서로 적층된 구조를 갖는다. 예를 들어, 상기 제1 발열부(212)는 상기 제2 발열부(214)의 하부에 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 발열부(212, 214) 각각은 상기 기판(W)을 가열하기 위한 구동 전원을 인가 받기 위하여 외부의 전원 공급부(미도시)와 전기적으로 연결된다. 이때, 상기 전원 공급부(미도시)는 상기 구동 전원을 상기 제1 및 제2 발열부(212, 214)에 선택적으로 인가할 수 있다.
따라서, 상기 발열 부재(210)가 상기 제1 및 제2 발열부(212, 214)로 구분됨으로써, 경우에 따라 선택적으로 상기 기판(W)의 중심 영역 또는 주변 영역을 별개로 가열하여 상기 기판(W)의 온도를 위치에 따라 조절할 수 있다.
이와 달리, 상기 제1 및 제2 발열부(212, 214) 중 어느 하나가 다른 하나와 전기적으로 연결되고, 그 다른 하나가 상기 전원 공급부(미도시)와 연결된 구조를 가질 수 있다. 이때에는, 상기 제1 및 제2 발열부(212, 214)의 사이에 상기 전원 공급부(미도시)로부터 인가되는 상기 구동 전원을 제어할 수 있는 제어부(미도시)가 형성될 수 있다.
즉, 상기 제어부(미도시)는 상기 제1 및 제2 발열부(212, 214) 중 상기 전원 공급부(미도시)와 연결된 어느 하나로부터 상기 구동 전원을 다른 하나로 선택적으로 인가할 수 있다. 상기 제어부(미도시)는 일예로, 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 다른 박막 증착 장치를 나타낸 개략적인 구성 도이다.
본 실시예에서, 세라믹 히터는 도 1, 도 2, 도 3 및 도 5에 도시된 실시예 중 어느 하나와 동일할 수 있으므로, 이들 중 어느 하나의 실시예와 동일한 참조 번호를 사용하고, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 장치(1000)는 공정 챔버(300), 세라믹 히터(100) 및 플라즈마 전극(400)을 포함한다.
상기 공정 챔버(300)는 반응 가스가 주입되는 가스 주입부(310)를 포함한다. 상기 반응 가스는 불활성 기체인 아르곤 가스를 예로 들 수 있다. 또한, 상기 공정 챔버(300)에는 상기 가스 주입부(310)를 통하거나, 다른 별도의 입구를 통하여 소오스 가스가 추가적으로 주입된다. 상기 소오스 가스는 실란(SiH4), 질소(NO2) 또는 암모니아(NH3)가 하나 이상 혼합된 기체일 수 있다.
상기 세라믹 히터(100)는 상기 공정 챔버(300) 내에 배치된다. 상기 세라믹 히터(100)의 상면에는 외부로부터 반입된 기판(W)이 놓여진다. 상기 세라믹 히터(100)는 그 상면에 놓여진 상기 기판(W)에 박막이 원활하게 형성되도록 하기 위하여 상기 기판(W)을 가열한다.
상기 세라믹 히터(100)는 분말 형태의 세라믹(C)으로부터 한번의 소결 공정을 통하여 제조된다. 이로써, 상기 세라믹 히터(100)는 그 제조에 소요되는 시간과 비용을 감소시킬 수 있다.
이때, 상기 박막 증착 장치(1000)는 상기 세라믹 히터(100)를 지지하기 위한 지지대(500)를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 세라믹 히터(100)의 플레이트(110)에 내장된 발열 부재(120) 및 전극 부재(130)는 각각 상기 지지대(500)를 거쳐서 외부에 설치된 전원 공급부(10) 및 접지부(20)와 전기적으로 연결된다.
상기 플라즈마 전극(400)은 상기 세라믹 히터(100)와 마주보도록 상기 공정 챔버(300) 내에 배치된다. 상기 플라즈마 전극(400)은 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 생성한다. 상기 플라즈마는 상기 소오스 가스와 반응하여 상기 박막을 실질적으로 형성하기 위한 입자를 생성할 수 있다.
상기 플라즈마 전극(400)은 외부의 고주파 전원(RF)과 전기적으로 연결된다. 상기 플라즈마 전극(400)에는 상기 플라즈마의 생성을 위한 고주파 전압이 인가된다.
한편, 상기 박막 증착 장치(1000)는 상기 세라믹 히터(100)와 상기 플라즈마 전극(400) 사이에 샤워 헤드(600)를 더 포함할 수 있다. 상기 샤워 헤드(600)는 상기 반응 가스 및 상기 소오스 가스를 상기 기판(W)에 균일하게 분사시켜 상기 박막을 상기 기판(W)의 위치에 따라 균일한 두께를 갖도록 증착시킬 수 있다.
이와 같이, 상기 박막 증착 장치(1000)가 제조 공정 시간과 비용이 감소된 상기 세라믹 히터(100)를 포함함으로써, 이를 제조하기 위한 시간 및 비용 또한 감소되는 효과를 얻을 수 있다. 이와 같은 상기 박막 증착 장치(1000)는 PE-CVD 장치일 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통 상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 세라믹 히터를 한번의 소결 공정을 통해 제조함으로써, 제조 공정 시간과 비용을 감소시키는데 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세라믹 히터를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 세라믹 히터의 발열 부재를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 세라믹 히터의 전극 부재를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 4a 및 도 4f는 도 1에 도시된 세라믹 히터를 제조하는 방법을 나타낸 도면들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 세라믹 히터는 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 다른 박막 증착 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
W : 기판 C : 세라믹
30 : 수납 몰드 40 : 가압 몰드
100: 세라믹 히터 110 : 플레이트
120 : 발열 부재 130 : 전극 부재
300 : 공정 챔버 400 : 플라즈마 전극
500 : 지지대 600 : 샤워 헤드
1000 : 박막 증착 장치

Claims (14)

  1. 그 상면에 기판이 놓여지고, 분말 상태의 세라믹으로부터 한번의 소결 공정을 통해 수득한 플레이트; 및
    상기 플레이트에 내장되어 열을 발생하고, 상기 플레이트가 상기 소결 공정을 진행할 때 상기 분말 상태의 세라믹에 매설되는 발열 부재를 포함하는 세라믹 히터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플레이트에 내장되어 외부로 접지되고, 상기 플레이트가 상기 소결 공정을 진행할 때 상기 분말 상태의 세라믹에 매설되는 전극 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 발열 부재 및 상기 전극 부재 각각은 메쉬 형상의 판 또는 벌크로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발열 부재는
    상기 플레이트에 놓여지는 기판의 중심 영역에서 상기 기판을 가열하는 제1 발열부; 및
    상기 플레이트에 놓여지는 기판의 주변 영역에서 상기 기판을 가열하는 제2 발열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2 발열부에는 상기 기판을 가열하기 위한 구동 전원이 선택적으로 인가되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터.
  6. 일측이 개방된 구조를 갖는 수납 몰드에 분말 상태의 세라믹을 제n 번째(n은 1이상의 자연수) 충진하는 단계;
    상기 제n 번째로 충진된 분말 상태의 세라믹에 발열 부재를 배치시키는 단계;
    상기 발열 부재가 배치된 상태에서 상기 분말 상태의 세라믹을 제n+1 번째 충진하여 상기 발열 부재를 매설하는 단계; 및
    상기 발열 부재가 매설된 상태에서 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹을 한번에 소결하는 단계를 포함하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 분말 상태의 세라믹을 소결하는 단계는 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹에 고온 상태를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 분말 상태의 세라믹을 소결하는 단계는,
    상기 분말 상태의 세라믹이 상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 수납 몰드의 개방된 일측에 가압 몰드를 배치시키는 단계; 및
    상기 제n 및 제n+1 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹에 고온 상태를 제공할 때 상기 가압 몰드를 이용하여 상기 분말 상태의 세라믹을 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 발열 부재가 배치된 위치는 상기 분말 상태로 상기 제n 번째 충진된 세라믹의 충진량을 통하여 조정되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 분말 상태의 세라믹을 상기 제n 번째 충진한 단계 이후에,
    상기 제n 번째 충진된 상기 분말 상태의 세라믹을 평탄화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 수납 몰드에 상기 분말 상태의 세라믹을 제m 번째(m은 상기 n과 다른 자연수) 충진하는 단계;
    상기 제m 번째로 충진된 분말 상태의 세라믹에 전극 부재를 배치시키는 단계; 및
    상기 전극 부재가 배치된 상태에서 상기 분말 상태의 세라믹을 제m+1 번째 충진하여 상기 전극 부재를 매설하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라 믹 히터의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전극 부재가 배치된 위치는 상기 분말 상태로 상기 제m 번째 충진된 세라믹의 충진량을 통하여 조정되는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 분말 상태의 세라믹을 상기 제m 번째 충진한 단계 이후에,
    상기 제m 번째 충진된 분말 상태의 세라믹을 평탄화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세라믹 히터의 제조 방법.
  14. 반응 가스가 주입되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 배치되고, 박막을 증착하기 위한 기판이 외부로부터 반입되어 놓여지며, 상기 놓여진 기판을 가열하는 세라믹 히터; 및
    상기 공정 챔버에서 상기 세라믹 히터와 마주보도록 배치되고, 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 생성하기 위한 플라즈마 전극을 포함하고,
    상기 세라믹 히터는,
    그 상면에 상기 반입되는 기판이 놓여지고, 분말 상태의 세라믹으로부터 한번의 소결 공정을 통해 수득한 플레이트; 및
    상기 플레이트에 내장되어 열을 발생하고, 상기 플레이트가 상기 소결 공정 을 진행할 때 상기 분말 상태의 세라믹에 매설되는 발열 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치.
KR1020070121643A 2007-11-27 2007-11-27 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치 KR101177749B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070121643A KR101177749B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치
SG200808729-8A SG153018A1 (en) 2007-11-27 2008-11-25 Ceramic heater, method of manufactruing the same and deposition apparatus for forming a thin layer using the ceramic heater
TW097145834A TWI398185B (zh) 2007-11-27 2008-11-26 陶瓷加熱器及其製造方法與應用其之形成薄膜之沈積裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070121643A KR101177749B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090054785A true KR20090054785A (ko) 2009-06-01
KR101177749B1 KR101177749B1 (ko) 2012-08-29

Family

ID=40847822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070121643A KR101177749B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101177749B1 (ko)
SG (1) SG153018A1 (ko)
TW (1) TWI398185B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333629B1 (ko) * 2013-07-03 2013-11-27 (주)보부하이테크 낮은 누설전류와 전력효율이 향상된 반도체 제조용 질화알루미늄 세라믹히터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 낮은 누설전류와 전력효율이 향상된 반도체 제조용 질화알루미늄 세라믹히터
KR20190058330A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가열식 기판 지지부

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4445595B2 (ja) * 1995-09-12 2010-04-07 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ、セラミックグロープラグおよびその製造方法
JPH11260534A (ja) * 1998-01-09 1999-09-24 Ngk Insulators Ltd 加熱装置およびその製造方法
JP2000290777A (ja) * 1999-04-07 2000-10-17 Tokyo Electron Ltd ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法
JP2001102157A (ja) * 1999-10-01 2001-04-13 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒータ
JP2003212658A (ja) * 2002-10-30 2003-07-30 Ibiden Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体およびセラミック基板
JP4761723B2 (ja) * 2004-04-12 2011-08-31 日本碍子株式会社 基板加熱装置
TW200709296A (en) * 2005-05-31 2007-03-01 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333629B1 (ko) * 2013-07-03 2013-11-27 (주)보부하이테크 낮은 누설전류와 전력효율이 향상된 반도체 제조용 질화알루미늄 세라믹히터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 낮은 누설전류와 전력효율이 향상된 반도체 제조용 질화알루미늄 세라믹히터
KR20190058330A (ko) * 2017-11-20 2019-05-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 가열식 기판 지지부
US11330673B2 (en) 2017-11-20 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Heated substrate support

Also Published As

Publication number Publication date
TWI398185B (zh) 2013-06-01
TW200932032A (en) 2009-07-16
SG153018A1 (en) 2009-06-29
KR101177749B1 (ko) 2012-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101120599B1 (ko) 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
JP6741548B2 (ja) 半導体製造装置用部材及びその製法
TW492075B (en) Electrode, wafer stage, plasma device, method of manufacturing electrode and wafer stage
JP4476701B2 (ja) 電極内蔵焼結体の製造方法
JP5018244B2 (ja) 静電チャック
KR101531726B1 (ko) 정전 척 및 그 제조 방법
KR20090079540A (ko) 기판 지지 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치
KR101357971B1 (ko) 가열 장치
KR20050018599A (ko) 전극 내장 발열체의 제조 방법
US7175714B2 (en) Electrode-built-in susceptor and a manufacturing method therefor
KR20080037879A (ko) 히터 및 이의 제조방법
KR20170120144A (ko) 패키지의 제조 방법 및 해당 방법에 의해 제조되는 패키지
KR101177749B1 (ko) 세라믹 히터, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 박막 증착 장치
CN110876211B (zh) 陶瓷加热器以及筒状轴的制法
JP2020150247A (ja) セラミックス回路複合構造およびその製造方法
KR20180117275A (ko) 반응 결합 보론카바이드를 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 제조방법
CN104465453A (zh) 等离子体cvd装置用的晶片加热器
KR101542149B1 (ko) 정전척의 제조방법
KR102339563B1 (ko) 플라즈마 화학기상증착 장치용 배플 구조물 및 이의 제조 방법
JP2022553302A (ja) モノリス異方性基板支持体
KR101000746B1 (ko) 기판 지지 장치 및 이를 갖는 기판 처리 장치
US6306325B1 (en) Method of manufacturing ceramic sintered bodies
KR101575859B1 (ko) 캡형 정전척의 제조방법
KR101583767B1 (ko) 히터가 장착된 캡형 정전척 및 그 제조방법
KR101575855B1 (ko) 정전척의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150617

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160608

Year of fee payment: 5