KR20090054720A - 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법 - Google Patents

임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090054720A
KR20090054720A KR1020070121547A KR20070121547A KR20090054720A KR 20090054720 A KR20090054720 A KR 20090054720A KR 1020070121547 A KR1020070121547 A KR 1020070121547A KR 20070121547 A KR20070121547 A KR 20070121547A KR 20090054720 A KR20090054720 A KR 20090054720A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
imprint
dimensional structure
pattern
photo
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020070121547A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100906627B1 (ko
Inventor
박세근
김한형
Original Assignee
인하대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인하대학교 산학협력단 filed Critical 인하대학교 산학협력단
Priority to KR1020070121547A priority Critical patent/KR100906627B1/ko
Priority to PCT/KR2008/001138 priority patent/WO2009069858A1/en
Priority to TW097107044A priority patent/TWI360519B/zh
Publication of KR20090054720A publication Critical patent/KR20090054720A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100906627B1 publication Critical patent/KR100906627B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
    • B41K3/00—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped
    • B41K3/02—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00031—Regular or irregular arrays of nanoscale structures, e.g. etch mask layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0037—Production of three-dimensional images
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0147—Film patterning
    • B81C2201/015—Imprinting
    • B81C2201/0153—Imprinting techniques not provided for in B81C2201/0152

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법에 관한 것으로서, 공정시간의 제어만으로 임프린트 공정에서 문제가 되고 있는 잔여층의 높이를 제어함으로써 새로운 3차원 구조물 제조방법을 제안하고, 포토 리소그래피 공정을 추가시켜 공정을 마무리함으로써 잔여층 제거를 위한 추가 공정 없이 3차원 구조물을 제조할 수 있는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 기판(substrate) 상부에 스핀 코팅하여 포토 레지스트를 증착하는 단계; (b) 상기 (a) 단계를 통해 증착된 포토 레지스트 위에 소정 패턴이 기록된 금형(mold)을 이용하여 소정 온도 및 소정 압력으로 임프린트하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계를 통해 제작된 구조물 위에 소정 패턴이 기록된 포토 마스크(photo mask)를 마련하여, 노광(expose) 및 현상(develop) 공정을 통해 특정 패턴을 갖는 3차원 구조물을 형성하는 단계; 를 포함한다.
임프린트, 포토 리소그래피

Description

임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법{THE METHOD FOR FABRICATING 3D PATTERN USING IMPRINTRING LITHOGRAPHY PROCESS AND PHOTO LITHOGRAPHY PROCESS}
본 발명은 임프린트 공정 시에 작용하는 공정 온도와 공정 압력, 공정 시간 등의 환경조건을 이용하여 평평한 포토 레지스트의 형태를 다양한 높이를 가지는 평평하지 않은 형태로 제작이 가능한 3차원 구조물 제조방법에 관한 것으로서, 특히 간단한 방법으로 공정시간의 제어만으로 임프린트 공정 후, 문제가 되고 있는 포토 레지스트 잔여층의 높이를 제어함으로써, 잔여층 제거를 위한 추가 공정 없이 3차원 구조물을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.
현재 반도체 공정을 이용하는 MEMS, MOMS, 센서, 반도체 산업분야는 많은 발전과 연구가 되고 있다. 이 산업분야들은 복잡하고 고기능의 성능의 소자를 제작하기 위하여 3차원 구조의 필요성이 날이 갈수록 확대되고 있다.
하지만, 일반적으로 3차원 구조물을 제작하기 위해서는 많은 공정을 사용하거나 다양한 물질을 사용하여 제작이 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 gray mask photo-lithography, imprint lithography 등의 연구가 많이 이루어지고 있다. 그 중에서도 임프린트 리소그래피(imprint lithography) 는 차세대 공정으로 많은 연구가 진행되고 있다. 이 공정은 기존의 포토 리소그래피(photo-lithography) 에 비교하여 많은 장점이 있으나, 임프린트 공정을 한 후에 잔여층(residual layer)이 항상 남게 되어 O2 plasma 등을 이용한 제거 공정이 추가적으로 필요하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 공정시간의 제어만으로 임프린트 공정에서 문제가 되고 있는 잔여층의 높이를 제어함으로써 새로운 3차원 구조물 제조방법을 제안하고, 포토 리소그래피 공정을 추가시켜 공정을 마무리함으로써, 잔여층 제거를 위한 추가 공정 없이 3차원 구조물을 제조할 수 있는, 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법을 제공함에 그 특징적인 목적이 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, (a) 기판(substrate) 상부에 스핀 코팅하여 포토 레지스트를 증착하는 단계; (b) 상기 (a) 단계를 통해 증착된 포토 레지스트 위에 소정 패턴이 기록된 금형(mold)을 이용하여 소정 온도 및 소정 압력으로 임프린트하는 단계; 및 (c) 상기 (b) 단계를 통해 제작된 구조물 위에 소정 패턴이 기록된 포토 마스크(photo mask)를 마련하여, 노광(expose) 및 현상(develop) 공정을 통해 특정 패턴을 갖는 3차원 구조물을 형성하는 단계; 를 포함한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 임프린트 공정을 통해 복잡한 구조의 3차원 구조물 패턴을 포토 레지스트 뿐만 아니라 포토 리소그래피 공정으로 패턴을 정의할 수 있는 모든 물질을 제작할 수 있으며, 포토 리소그래피 공정을 통해 구조물의 패턴을 형성하도록 함으로써 종래보다 복잡한 구조의 3차원 패턴을 쉽게 제조할 수 있으며, 잔여층 제거를 위한 추가 공정이 필요치 않은 바 종국적으로는 공정 전체의 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법에 관하여 도 1 내지 도 4 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 본 발명에 따른 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법의 전체 흐름도이며, 도 2a 및 도 2b 는 도 1 의 공정도에 대한 상태 예시도이다.
[제 1 공정] 포토 레지스트 증착.
도 1 및 도 2a 의 (a) 에 나타낸 바와 같이, 실리콘 재질의 기판(siilcon substrate) 상부에 스핀 코팅하여 포토 레지스트(photo resist: 감광막)를 증착한다(S110). 이때, 포토 레지스트는 novolak 계열의 포토 레지스트(AZ-9260, AZ Electronic Materials)로서, 20 μm 적층한 후, soft-baking 을 95°C에서 실시한 다. 이때, 포토 레지스트 뿐만이 아닌 포토 리소그래피로 패턴이 가능한 고분자를 사용할 수 있다.
[제 2 공정] 임프린트(imprint).
도 2a 의 (b) 에 나타낸 바와 같이, 제 1 공정을 통해 증착된 포토 레지스트 위에 소정 패턴이 기록된 금형(mold)을 이용하여 소정 온도 및 소정 압력으로 임프린트한다(S120). 본 실시예에서, 상기 소정 온도는 80°C 내지 100°C, 바람직하게 90°C 인 것으로 설정하겠으며, 소정 압력은 5 bar 내지 10 bar, 바람직하게 8 bar 인 것으로 설정하겠으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 금형(mold)은 상기 도 2a 의 (b) 에 도시된 바와 같이 3차원 음각구조로서, 실리콘 기판 위에 크롬(Cr)을 접착층으로 하여 금(Au)이 증착된다.
상기 금형(mold)는 도 2a 에 나타낸 바와 같이, 길이 8 cm, 상부 너비 60 μm, 하부 너비 50 μm, 단면의 높이 60 μm, 상부와 하부 너비가 5°의 경사를 갖는 바, 상기 금형(mold)을 통해 포토 레지스트를 임프린트함으로써, 포토 레지스트의 상부는 도 3 에 도시된 바와 같이 금형과 같은 길이, 상부 너비, 하부 너비, 단면의 높이, 상부와 하부 너비간의 경사도를 갖는다.
이때, 임프린트 공정시간 조절을 통해 포토 레지스트 잔여층(residual layer)의 두께를 제어한다. 잔여층의 두께는 Squeezed flow 방정식을 사용하여 예측할 수 있으며, 이러한 방정식에 있는 공정변수를 바탕으로 시간에 따른 높이를 측정하였다.
도 4 는 임프린트 공정시간에 따른 잔여층의 높이 변화를 보여주는 그래프로서, 도시된 바와 같이 0초에서 30초까지는 공정시간과 잔여층의 높이가 비례하며 낮아지며, 30초에서 50초까지는 더 완만하게 낮아지는 결과가 나타났다. 즉, 이러한 특성은 공정시간의 제어만으로 간단히 잔여층의 높이를 제어할 수 있음을 보여준다. 본 실시예에서, 임프린트 공정시간을 1초 내지 60초 인 것으로 설정하겠으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
[제 3 공정] 포토 리소그래피.
도 2b 의 (c) 에 나타낸 바와 같이, 제 2 공정을 통해 제작된 구조물 위에 소정 패턴이 기록된 포토 마스크(photo mask)를 마련하여, 노광(expose) 및 현상(develop) 공정을 통해 도 2b 의 (d) 와 같이 특정 패턴을 갖는 3차원 구조물을 형성한다(S130).
지금까지 상술한 바와 같은 구성 및 특징을 갖는 본 발명은, 종래와 달리 임프린팅 공정을 통해 3차원 구조물의 한 부분으로 제작함으로써, 잔여층 제거를 위한 추가적인 공정이 필요치 않으며, 잔여층의 높이가 임프린팅 공정시간에 따라 선형적으로 변화한다는 것을 통해 3차원 구조물 제작에 대한 신뢰성을 높일 수 있는 특징적인 장점을 갖는다.
이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하 여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1 은 본 발명에 따른 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법의 전체 흐름도.
도 2a 는 본 발명에 따른 도 1 의 공정도에 대한 상태 예시도.
도 2b 는 본 발명에 따른 도 1 의 공정도에 대한 상태 예시도.
도 3 은 본 발명에 따른 금형을 통해 임프린트된 포토 레지스트를 보여주는 일예시도.
도 4 는 본 발명에 따른 임프린트 공정시간에 따른 잔여층의 높이 변화를 보여주는 그래프.

Claims (7)

  1. 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법에 있어서,
    (a) 기판(substrate) 상부에 스핀 코팅하여 포토 레지스트를 증착하는 단계;
    (b) 상기 (a) 단계를 통해 증착된 포토 레지스트 위에 소정 패턴이 기록된 금형(mold)을 이용하여 소정 온도 및 소정 압력으로 임프린트하는 단계; 및
    (c) 상기 (b) 단계를 통해 제작된 구조물 위에 소정 패턴이 기록된 포토 마스크(photo mask)를 마련하여, 노광(expose) 및 현상(develop) 공정을 통해 특정 패턴을 갖는 3차원 구조물을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (b) 단계의 임프린트 공정시간을 통해 포토 레지스트 잔여층의 두께를 조절하며, 상기 임프린트 공정시간은 1초 내지 60초 인 것을 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정 온도는, 80°C 내지 100°C 인 것을 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 소정 압력은, 5 bar 내지 10 bar 인 것을 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금형(mold)는, 3차원 음각구조로서 실리콘 기판 위에 크롬(Cr)을 접착층으로 하여 금(Au)이 증착되어 있는 것을 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 금형(mold)은,
    길이 8 cm, 상부 너비 60 μm, 하부 너비 50 μm, 단면의 높이 60 μm, 상부와 하부 너비가 5°의 경사를 갖는 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은, 실리콘(silicon) 재질인 것을 특징으로 하는 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물 제조방법.
KR1020070121547A 2007-11-27 2007-11-27 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법 KR100906627B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070121547A KR100906627B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법
PCT/KR2008/001138 WO2009069858A1 (en) 2007-11-27 2008-02-27 Method of fabricating three-dimensional patterned structure using imprinting lithography process and photo lithography process
TW097107044A TWI360519B (en) 2007-11-27 2008-02-29 Method of fabricating three-dimensional patterned

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070121547A KR100906627B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090054720A true KR20090054720A (ko) 2009-06-01
KR100906627B1 KR100906627B1 (ko) 2009-07-10

Family

ID=40678733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070121547A KR100906627B1 (ko) 2007-11-27 2007-11-27 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR100906627B1 (ko)
TW (1) TWI360519B (ko)
WO (1) WO2009069858A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101422112B1 (ko) * 2012-03-14 2014-07-23 한국기계연구원 나노임프린트 리소그래피 방법
KR101508185B1 (ko) * 2013-11-13 2015-04-07 (재)한국나노기술원 3차원 금속 산화물 구조체 및 그 제조방법
KR20160012809A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 삼성전자주식회사 임프린트 공정을 이용하여 패턴형성영역에 정렬된 패턴을 형성하는 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9372399B2 (en) 2010-08-26 2016-06-21 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography method and imprintable medium

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10258094B4 (de) * 2002-12-11 2009-06-18 Qimonda Ag Verfahren zur Ausbildung von 3-D Strukturen auf Wafern
KR100528960B1 (ko) * 2003-02-17 2005-11-16 학교법인 포항공과대학교 폴리머 미세 바늘 어레이의 제조방법
US20070117389A1 (en) * 2003-12-11 2007-05-24 Yasuhiro Takaki Pattern formation method using nanoimprinting and device for carrying out same
KR100527540B1 (ko) * 2004-01-15 2005-11-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 소자분리막 형성 방법
KR101264944B1 (ko) * 2005-12-22 2013-05-20 매그나칩 반도체 유한회사 나노 임프린트 리소그래피 방법
KR20070110208A (ko) * 2006-05-13 2007-11-16 주식회사 에스앤에스텍 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및그의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101422112B1 (ko) * 2012-03-14 2014-07-23 한국기계연구원 나노임프린트 리소그래피 방법
KR101508185B1 (ko) * 2013-11-13 2015-04-07 (재)한국나노기술원 3차원 금속 산화물 구조체 및 그 제조방법
KR20160012809A (ko) * 2014-07-25 2016-02-03 삼성전자주식회사 임프린트 공정을 이용하여 패턴형성영역에 정렬된 패턴을 형성하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100906627B1 (ko) 2009-07-10
TW200922862A (en) 2009-06-01
TWI360519B (en) 2012-03-21
WO2009069858A1 (en) 2009-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI391986B (zh) 於晶圓邊緣作局部區域之壓印
TWI338615B (en) Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features
KR100508337B1 (ko) 나노미터 수준으로 패턴화된 고분자 박막의 제조 방법
JP2005203797A (ja) ナノインプリントリソグラフィ用大面積スタンプ製作方法
US8956962B2 (en) Method for fabricating large-area nanoscale pattern
KR101107474B1 (ko) 소프트몰드와 이를 이용한 패턴방법
KR20110055586A (ko) 템플레이트 및 리소그래피용 고종횡비 템플레이트의 제조방법과 나노스케일로 기판을 천공하기 위한 템플레이트의 용도
KR100906627B1 (ko) 임프린트와 포토 리소그래피 공정을 이용한 3차원 구조물제조방법
KR20090119041A (ko) 임프린트 기판의 제조방법 및 임프린팅 방법
KR20180071971A (ko) 임프린트 템플레이트 복제 프로세스 중에 압출을 제어하기 위한 방법
TW201319636A (zh) 用於奈米壓印之模具的製造方法
JP7112470B2 (ja) 時計構成要素を製作するための方法および前記方法に従って製造された構成要素
JP5030618B2 (ja) 電鋳型とその製造方法
KR100884811B1 (ko) 임프린트 리소그래피를 이용한 대면적 스탬프의 제조방법
KR100744550B1 (ko) 나노 임프린트용 질화실리콘 스탬프, 및 이의 제작 방법
KR101408181B1 (ko) 나노패턴이 형성된 기판 제조방법
KR100881233B1 (ko) 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 이를 이용한 임프린트리소그래피방법
TWI264823B (en) Thin film transistor manufacture method and structure therefor
KR100413334B1 (ko) 모세관 효과를 이용한 미세 패턴 형성 방법
KR20050075581A (ko) 나노 임프린트용 쿼츠 스템프 제작 방법
CN104238264A (zh) 一种溶液辅助软压印方法
JP6357753B2 (ja) ナノインプリントモールドの製造方法
KR101273618B1 (ko) 액체 유동층을 매개로한 나노 전사 직접 인쇄법을 이용한 미세 패턴 형성 방법
JP6015140B2 (ja) ナノインプリントモールドおよびその製造方法
KR100685900B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130527

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140612

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150626

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160602

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee