KR20070110208A - 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및그의 제조방법 - Google Patents

나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및그의 제조방법 Download PDF

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KR20070110208A
KR20070110208A KR1020070045945A KR20070045945A KR20070110208A KR 20070110208 A KR20070110208 A KR 20070110208A KR 1020070045945 A KR1020070045945 A KR 1020070045945A KR 20070045945 A KR20070045945 A KR 20070045945A KR 20070110208 A KR20070110208 A KR 20070110208A
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차한선
양신주
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주식회사 에스앤에스텍
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Abstract

본 발명은 나노 임프린트 리소그래피에 적용되는 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 나노 임프린트 리소그래피 방식으로 레지스트 패턴을 형성할 때 사용되는 스템프를 위한 나노 임프린트 블랭크 마스크에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 투명기판 위에 나노 임프린트막이 선택적으로 증착되고 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 블랭크 마스크인 것을 특징으로 하며, 우수한 성능을 가지는 나노 임프린트 블랭크 마스크를 통해 고품질을 가지는 나노 임프린트 스탬프의 제조가 가능해져 결국에는 우수한 성능을 가지는 나노 임프린트 리소그래피 공정을 통해 고성능의 반도체 소자의 제조가 가능하다.
나노 임프린트, 스템프, 마스크, 블랭크, 리소그래피(lithography)

Description

나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및 그의 제조방법{Nano imprint blankmask, nano imprint stamp and its manufacturing method}
도 1은 본 발명에 의해 제조된 나노 임프린트 블랭크 마스크의 단면을 나타내는 도면이다.
도 2a 내지 2c는 본 발명에 의해 제조된 나노 임프린트 스탬프의 제조과정을 나타내는 도면이다.
도 3a, 3b는 본 발명에 의해 제조된 나노 임프린트 스탬프의 양호한 단면을 나타내는 도면이다.
도 3c는 나노 임프린트 스탬프의 양호하지 못한 단면을 나타내는 도면이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명에 의해 제조된 나노 임프린트 스탬프의 다양한 실시예의 단면을 나타내는 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 투명기판 10a : 투명기판 패턴
20 : 나노 임프린트막 20a : 나노 임프린트막 패턴
21 : 제 2 나노 임프린트막 21a : 제 2 나노 임프린트막 패턴
30 : 실리콘이 포함된 표면처리막 40 : 레지스트막
100 : 본 발명에 의해 제조된 나노 임프린트 블랭크 마스크
200, 300, 400, 500, 600 : 본 발명에 의해 제조된 나노 임프린트 블랭크 마스크를 사용하여 제조된 나노 임프린트 스탬프
본 발명은 나노 임프린트 리소그래피에 적용되는 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 나노 임프린트 리소그래피 방식으로 레지스트 패턴을 형성할 때 사용되는 스템프를 위한 나노 임프린트 블랭크 마스크에 관한 것이다.
반도체 집적회로의 고집적화로 인해 반도체 집적회로의 패턴(Pattern) 크기가 더 미세화 되고 있으며 통상적으로 반도체 집적회로의 미세한 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피(Photolithography) 공정이 적용되어 왔다. 포토리소그래피 공정의 경우 더욱 미세한 패턴 형성을 하기 위해 노광파장 감소, 개구수 증가, 공정 능력 증대 등을 통해 패턴 형성 기술을 발전시켜 왔다. 그러나 패턴의 하프 피치 크기가 45nm 혹은 32nm 급으로 축소됨에 따라 기존의 포토리소그래피 공정을 통해 패턴 형성시 노광파장의 반사, 회절 세기 변화 등과 같은 문제가 발생하게 되어 패턴 형성에 어려움이 발생하게 되었다.
상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 차세대 리소그래피 공정으로 나노 임프린트(Nano Imprint) 리소그래피 기술이 개발되었다. 나노 임프린트 리소그래피의 경우 기존의 포토리소그래피에서 노광파장을 사용하여 포토마스크(Photomask)에 형성되어 있는 패턴을 1/4 혹은 1/5배 축소 노광 방식이 아닌 1:1 접촉 방식의 패턴 형성 기술이 적용되고 있다. 그리고 종래의 포토마스크가 아닌 미세한 패턴이 형성된 스탬프(Stamp)가 사용된다. 스탬프의 경우 나노 임프린트 방식에 따라 분류가 되게 되며 열경화성 나노 임프린트, 자외선 경화성 나노 임프린트 리소그래피 등의 방에 따라 스탬프의 구조 및 물질이 달라지게 된다.
그리고 스탬프를 제작하기 위해서는 스탬프를 제작하기 위한 나노 임프린트 블랭크 마스크가 필요하며, 나노 임프린트 블랭크 마스크 또한 나노 임프린트 방식에 따라 여러 종류의 물질 및 구조가 필요하게 된다.
하지만 나노 임프린트 블랭크 마스크의 경우 물질 및 구조 등에 대한 표준화가 마련되어 있지 않아 우수한 품질을 가지는 스탬프의 제작이 불가능하며 결국에는 나노 임프린트 리소그래피시 우수한 성능의 패턴 형성이 불가능하게 된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 나노 임프린트 리소그래피시 사용되는 스탬프를 제작하기 위한 나노 임프린트 블랭크 마스크를 제공하기 위함이며 열경화성 나노 임프린트 및 자외선 경화성 나노 임프린트 등과 같은 다양한 방식에 적용될 수 있는 스탬프 제작을 위한 우수한 품질을 가지는 나 노 임프린트 블랭크 마스크 및 나노 임프린트 스탬프를 제공하기 위함이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 스탬프 및 그의 제조방법의 특징은 투명기판 위에 나노 임프린트막이 선택적으로 증착되고 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 블랭크 마스크인 것을 특징으로 한다.
특히 상기 본 발명에 의한 나노 임프린트 블랭크 마스크 제조 공정의 경우, 바람직하게는 a1) 투명기판 상에 나노임프린트막을 형성하는 단계; b1) 상기 a1) 단계에서 형성된 나노 임프린트막 상에 실리콘이 포함된 유기물질을 사용하여 표면처리를 실시하여 실리콘이 포함된 박막을 형성하는 단계; c1) 상기 b1) 단계에서 표면 처리를 실시한 후 레지스트막을 형성하여 나노 임프린트 블랭크 마스크를 제조하는 단계를 포함하여 이루어 질 수 있다.
상기 a1) 단계에서 박막이 형성되는 투명 기판의 형태는 원형 또는 사각형의 기판이 사용될 수 있으며 4인치 이상의 크기를 가지는 유리, 소다라임 글라스, 석영 기판 등이 사용는 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 경우 성분이 보론(B), 카본(C), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크 롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 비소(As), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드늄(Cd), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 플래티늄(Pt), 금(Au), 탈륨(Tl), 납(Pb) 중에서 적어도 선택된 1종 이상의 물질과 산소, 질소, 탄소 중에서 적어도 선택된 1종 이상의 화합물인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 경우 막의 입도(Grain Size)가 500nm 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 경우 막의 두께가 1000Å 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 노광 또는 폴리머(Polymer) 경화 파장에 대한 투과율이 0.0001~99% 인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 노광 또는 또는 폴리머(Polymer) 경화파장에 대한 위상반전이 0~180° 인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 노광 또는 폴리머(Polymer) 경화파장에 대한 반사율이 50% 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 증착 방식으로는 DC 스퍼터링, RF 스퍼터링, Ion Beam 증착, 원자층 증착 등의 방법 중에서 선택된 방법으로 증착되는 것을 특 징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막은 단층막 또는 2층 이상의 구조로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 b1) 단계에서 표면처리를 실시하는 방법으로는 담금(Dipping), 회전, 베이퍼 프라이밍 중에서 선택된 1종 이상의 방법으로 표면 처리가 실시되는 것을 특징으로 한다.
상기 b1) 단계에서 표면처리에 의해 표면처리가 실시된 표면 위에 실리콘이 포함된 박막이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 c1) 단계에서 레지스트막의 경우 포토레지스트, 전자빔 레지스트, 화학증폭형 레지스트 중에서 선택된 1종 이상의 레지스트를 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 c1) 단계에서 레지스트막의 경우 스핀 코팅, 스캔 코팅, 스핀-스캔 코팅 등을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 c1) 단계에서 레지스트막의 두께가 4000Å 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 형성은 생략이 가능하는 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 형성이 생략될 경우 b1) 단계에서 수행하는 표면 처리는 투명기판에 실시되는 것을 특징으로 한다.
상기 a1) 단계에서 나노 임프린트막의 형성이 생략될 경우 c1) 단계에서 형성되는 레지스트막의 경우 표면처리가 실시된 투명 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 한 다.
상기의 과정을 통해 본 발명에 의한 나노 임프린트 블랭크 마스크의 제조를 실시하였다. 이하, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
<실시예>
본 실시예는 자외선 경화성 나노임프린트 리소그래피에 적합한 실시예며, 도 1은 본 발명의 실시예에 의해 제조된 나노 임프린트 블랭크 마스크를 나타낸 단면도이다. 이때 이하의 설명에 있어서, 동일 또는 상당 부분에는 동일한 부호를 부착하여 그 설명을 생략한다.
도 1을 참조하여, 합성 석영으로 이루어지고 표면 면적이 6인치x6인치이고 두께가 0.25인치인 투명기판(10) 위에 DC 마그네트론 스퍼터와 Ru 타겟을 질소 반응성 가스를 사용하여 두께가 10~700Å이고 노광파장에서 0.001%의 투과율을 가지고 위상반전이 50° 이하인 질화루테늄(RuN)의 나노 임프린트막(20)을 형성하였다.
이때 나노 임프린트 막의 두께는 10Å 이하가 되면 패턴이 빛을 차단하는 기능을 잃기 때문에 10Å으로 하한을 설정하였다. 또한 700Å 이상이 되면 65nm 이하의 패턴을 형성하기 힘들기 때문에 700Å 이상의 두께를 가질 수 없다. 또한 스퍼터링 방법은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF 마그네트론 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링, 원자층 증착 중에서 어느 방법을 통해서라도 형성이 가능하다.
또한 상기의 과정을 통해 형성된 나노 임프린트막의 입도(grain size)를 투과전자현미경(transmission electron microscope)을 통해 측정한 결과 평균적으로 30nm로 측정되었다. 입도의 관측을 통해 나노 임프린트막이 안정적으로 형성되었음을 확인할 수 있었다.
다음에 나노 임프린트막 위에 실리콘이 포함된 유기물질을 베이퍼 프라이밍 방식을 통해 표면 처리를 실시하여 100Å 이하의 두께를 가지는 실리콘이 포함된 표면처리막(30)을 형성하였다. 이때 표면 처리막은 하나의 막이 구분되는 박막이 아니라 표면 개질의 의미를 가진다. 일반적으로는 실리콘을 포함하는 유기물질의 단분자막이 형성되게 된다. 표면처리막의 역할은 단순히 레지스트막과 나노임프린트막간의 접착력을 향상시키는 기능을 하며 나노 임프린트막의 특성변화에는 영향을 미치지 않는다.
다음에 표면처리막이 형성된 나노 임프린트막 위에 500~4000Å 이하의 두께를 가지 는 화학증폭형 레지스트를 스핀 코팅을 실시하여 레지스트막(40)을 형성하였다. 화학증폭형 레지스트의 두께가 500Å 이하로 형성될 경우 나노 임프린트막과의 충분한 선택비를 가지지 못하게 되어 마스킹 역할을 잃게 되므로 500Å 이상의 두께를 가져야 한다.
상기의 과정을 통해 자외선 경화성 나노 임프린트 리소그래피에 적용이 가능한 나노 임프린트 블랭크 마스크(100)를 제조 하였다.
다음에 본 발명을 통해 제작된 나노 임프린트 블랭크 마스크를 사용하여 나노 임프린트 포토마스크, 즉 나노 임프린트 리소그래피용 스템프 제작을 실시하였다.
도 2a를 참조하여, 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크를 사용하여 패턴 형성을 원하는 영역에 50kV의 가속전압을 가지는 e-beam 패턴 형성기를 사용하여 레지스트막의 노광을 실시한 후 현상 공정을 실시하여 레지스트막 패턴(40a)을 형성하였다.
다음에 도 2b를 참조하여, 레지스트막 패턴을 마스킹으로 하고 Cl2+O2 혼합가스를 통해 건식 식각을 실시하여 나노 임프린트막 패턴(20a)을 형성하였다. 이때 표면처리막은 건식 식각에 의해 식각이 된다.
다음에 도 2c를 참조하여, 120℃ 황산 용액에 담금질하여 레지스트막 패턴과 표면처리막 패턴을 제거하여 나노 임프린트 리소그래피용 스템프(200)의 제작을 완료하였다.
일반적으로 나노 임프린트 리소그래피는 열경화방식과 자외선 경화 방식 모두 웨이퍼 위에 코팅된 포토레지스트막과 스템프의 표면이 접촉되어 공정이 진행되게 된다. 그런데 만약에 스템프의 표면이 거친 경우 포토레지스트막에 대한 손상을 주게 된다. 따라서 스템프 표면의 거칠기가 양호해야만 한다. 도 3a는 스템프 중 일부를 확대한 그림이다. 상기 스템프의 경우, 나노 임프린트막 패턴(20a)의 표면(a)과 측면(b)의 거칠기가 모두 우수해야 하며 기판의 표면거칠기 또한 우수해야만 한다. 본 실시예를 통해 제조된 스템프의 경우, 표면거칠기는 중심선평균조도(Ra)가 모두 5nm 이하로 측정되어 리소그래피 공정시 포토레지스트의 손상을 발생시키지 않았다.
또한 스템프는 나노 임프린트막 패턴의 기울기도 중요하다. 도 3b와 도 3c를 참조하여, 도 3b의 경우에는 나노 임프린트막 패턴에 있어서 표면 쪽의 패턴 폭(x)이 기판 쪽의 패턴 폭(y)보다 작은 경우 나타내고 있으며, 도 3c의 경우에는 표면 쪽의 패턴 폭(x)이 기판 쪽의 패턴 폭(y)보다 큰 경우를 나타내고 있다. 도 3c의 경우와 같이, 표면 쪽의 패턴 폭(x)이 기판 쪽의 패턴 폭(y)보다 상대적으로 큰 경우에는 리소그래피 공정시 웨이퍼 위에 형성되어 있는 포토레지스트막 패턴의 손상을 입히게 되어 고품질의 소자 제작이 불가능해진다. 따라서 스템프에 형성되어 있는 패턴은 도 3b의 경우와 같이 표면 쪽의 패턴 폭(x)이 기판 쪽의 패턴 폭(y)보다 작거나 적어도 같아야만 한다.(즉, x≤y 조건을 만족하여야 한다.)
또한, 스템프 표면에 리소그래피 공정시 포토레지스트막과 분리를 용이하게 하기 위해 스템프 표면을 자외선, 플라즈마, 레이저 조사 중에서 선택된 방법을 통해 표면의 젖음성(wettability)을 조절하는 것이 가능하다. 또한 본 실시예에서는 단일막으로 구성된 나노 임프린트막을 형성하였지만 2층 이상의 다층막 구조로 형성되는 것도 가능하다.
그리고 본 발명을 통해 제조할 수 있는 나노 임프린트 스탬프의 경우, 나노 임프린트 블랭크 마스크에 따라 열경화성 나노 임프린트 리소그래피, 자외선 경화성 나노 임프린트 리소그래피, 스텝 앤 플래쉬(Step and flash) 나노 임프린트 리소그래피 등에 적용될 수 있는 여러 가지 형태로 제조가 가능하다.
도 4a를 참조하여 나노 임프린트막 패턴(20a) 및 투명 기판 패턴(10a)이 동시에 형성되는 스탬프(300), 도 4b를 참조하여, 투명 기판 패턴(10a)만 형성되어 있는 스탬프(400), 도 4c를 참조하여, 투명기판 위에 제 1 나노 임프린트막 패턴(20a), 제 2 나노 임프린트막 패턴(21a)이 형성되어 있는 스탬프(500), 도 4d를 참조하여, 투명기판 패턴(10a), 제 1 나노 임프린트막 패턴(20a), 제 2 나노 임프린트막 패턴(21a)이 형성되어 있는 스탬프(600) 등의 다양한 형태로 제조가 가능하다.
이상과 같이 본 실시예에 관한 발명에 의하면 우수한 성능을 가지는 나노 임프린트 블랭크 마스크를 통해 고품질을 가지는 나노 임프린트 스탬프의 제조가 가능해져 결국에는 우수한 성능을 가지는 나노 임프린트 리소그래피 공정을 통해 고성능의 반도체 소자의 제조가 가능하다.
본 발명에 의한 나노 임프린트 블랭크 마스크, 나노 임프린트 포토마스크는 우수한 성능을 가지는 나노 임프린트 블랭크 마스크를 통해 고품질을 가지는 나노 임프린트 스탬프의 제조가 가능해져 결국에는 우수한 성능을 가지는 나노 임프린트 리소그래피 공정을 통해 고성능의 반도체 소자의 제조가 가능하다.

Claims (18)

  1. 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서,
    나노 임프린트막의 입도(grain size)가 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  2. 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 자외선 경화용 나노 임프린트 리소그래피에 적용되는 블랭크 마스크에 있어서,
    나노 임프린트막의 두께가 10~700Å이고 투과율이 자외선 경화 파장에 대해 1% 미만의 투과율을 가지고 자외선 경화 파장에 대한 위상반전량이 180도 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  3. 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서,
    레지스트막의 두께가 500~4000Å 사이인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  4. 투명기판 위에 나노 임프린트막, 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 리소그래피용 블랭크 마스크에 있어서,
    나노 임프린트막의 표면거칠기가 5nmRa 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  5. 제 1항 내지 제 4항에 있어서,
    나노 임프린트막의 경우 성분이 보론(B), 카본(C), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge), 비소(As), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 카드늄(Cd), 인듐(In), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 루테튬(Lu), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 플래티늄(Pt), 금(Au), 탈륨(Tl), 납(Pb) 등으로 이루어진 물질군에서 선택된 1종 이상의 물질 또는 2종 이상의 물질 조합으로 이루어지거나, 또는 물질군에서 선택된 1종 혹은 2종 이상의 물질과 산소, 질소, 탄소, 불소 등으로 이루어진 가스군에서 선택된 1종 혹은 2종 이상의 가스가 포함된 나노임프린트 막인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 블랭크 마스크
  6. 제 2항에 있어서,
    나노 임프린트막의 노광 또는 폴리머(Polymer) 경화 파장에 대한 반사율이 50% 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  7. 제 1항 내지 제 4항에 있어서,
    나노 임프린트막의 증착 방식으로 DC 스퍼터링, RF 스퍼터링, Ion Beam 증착, 원자층 증착 등의 방법 중에서 선택된 방법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  8. 제 1항 내지 제 4항에 있어서,
    나노 임프린트막 단일막 또는 2층 이상의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  9. 제 1항 내지 제 4항에 있어서,
    투명 기판 위에 나노 임프린트막을 형성한 후 실리콘이 포함된 유기물질을 사용하 여 표면 처리를 실시하여 나노 임프린트막 위에 실리콘이 포함된 표면처리막이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  10. 투명기판 위에 레지스트막이 순차적으로 형성된 나노 임프린트 블랭크 마스크에 있어서,
    실리콘이 포함된 유기물질을 사용하여 표면 처리를 실시하여 나노 투명기판 위에 실리콘이 포함된 표면처리막이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 블랭크 마스크
  11. 제 1 내지 제 10항에 의해 제조되는 나노 임프린트 블랭크 마스크의 제조 방법
  12. 제 1 내지 제 10항에 의해 제조된 나노 임프린트 블랭크 마스크를 사용하여 제조되는 열경화성 나노 임프린트 리소그래피 또는 자외선 경화성 나노 임프린트 리소그래피 또는 스텝 앤 플래쉬 나노 임프린트 리소그래피에 적용될 수 있는 나노 임프린트 스템프의 제조 방법
  13. 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프리트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서,
    스템프 패턴의 표면거칠기가 5nmRa 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프
  14. 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서,
    상기 기판의 표면거칠기가 5nmRa 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프
  15. 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서,
    상기 나노 임프린트 패턴의 표면과 측면의 표면거칠기가 5nmRa 이하인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프
  16. 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서,
    상기 나노 임프린트 패턴은 표면 쪽의 패턴 폭(x)이 기판 쪽의 패턴 폭(y)보다 작 거나 같은 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 스템프
  17. 나노 임프린트 리소그래피에 사용되는 기판, 나노 임프린트 패턴이 순차적으로 형성된 스템프에 있어서,
    스템프 표면을 웨이퍼 위에 형성된 레지스트막과의 분리를 용이하게 하기 위해 표면 젖음성 조절을 위해 자외선 조사, 플라즈마 처리, 레이저 조사 중에서 선택된 방법을 통해 표면 젖음성을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 리소그래피 스템프
  18. 제 13 내지 제 17항에 의해 제조되는 나노 임프린트 리소그래피 스템프의 제조 방법
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