KR20090040572A - 조명 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치 - Google Patents

조명 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치 Download PDF

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KR20090040572A
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Abstract

조명 유닛은 원호 형상을 갖고, 원호 형상의 내측부에 검사를 위한 웨이퍼의 이면 일부를 위치시키는 몸체와, 몸체의 내측면에 설치되고, 원호 형상의 내측부에 위치시킨 웨이퍼의 이면 상태를 검사할 때 웨이퍼의 이면의 일 지점에 집중적으로 광의 조사가 가능한 복수의 광원을 포함한다. 따라서, 여러 각도로부터 광이 조사됨에 따라 다양한 각도로 발생하는 결함의 검출이 가능해져, 검사의 신뢰성 확보 및 생산 수율을 개선한다.

Description

조명 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치{Illumination unit and Apparatus for inspecting backside of wafer having the same}
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 이면의 비전 검사를 위한 조명 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼로 사용되는 실리콘웨이퍼 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
이러한 제조 및 테스트 공정 중의 핸들링 시에는 웨이퍼의 파손 또는 손상이 발생하지 않도록 웨이퍼가 충분한 두께를 가져야만 한다. 하지만, 칩 부품의 소형화 및 고집적화를 달성하기 위해서는 얇은 웨이퍼 두께를 요하고 있다. 따라서, 패키지 조립공정을 위해 웨이퍼를 각 칩별로 절단하기 전에 웨이퍼의 이면을 연마하여 소정 두께로 감소시키는 웨이퍼 이면 연마 공정을 진행한다. 이러한 웨이퍼 이 면 연마 공정은 웨이퍼 이면 연마 장치를 통해 이루어진다.
상기 웨이퍼 이면 연마 장치는 빠르게 회전하는 연마 휠을 이용하여 웨이퍼의 이면을 연마하여 두께를 감소시키는 장치이다. 이 연마 과정에서, 웨이퍼에 브로큰, 치핑, 크랙 등의 결함이 발생하게 되며, 이러한 결함의 검출을 위해 연마 공정 후에 이면의 연마 상태를 검사하기 위한 검사 공정을 진행한다.
상기 웨이퍼 이면의 연마 상태를 검사하기 위한 장치는 웨이퍼의 이면을 촬영하는 촬영부재와, 웨이퍼로 촬영을 위한 광을 조사하는 조명을 포함한다. 즉, 조명이 웨이퍼의 이면으로 광을 조사하고, 이 상태에서 촬영부재가 웨이퍼의 이면을 촬영하고, 이를 통해 이면의 상태를 검사하게 된다.
하지만, 종래 검사 장치의 조명은 라인 스캔 방식으로 일방향에서만 광을 조사함에 따라 여러 각도로 발생하는 결함에 대해서는 정확한 검출이 어렵다는 문제점이 있다. 이러한 결합 검출의 신뢰성 저하는 생산 수율을 저하시키는 문제점이 된다.
본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 일 과제는 여러 각도로 발생할 수 있는 웨이퍼의 결함 검출이 가능한 조명 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 다른 과제는 언급한 조명 유닛을 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치를 제공하는 것이다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 조명 유닛은 원호 형상을 갖고, 상기 원호 형상의 내측부에 검사를 위한 웨이퍼의 이면 일부를 위치시키는 몸체, 그리고 상기 몸체의 내측면에 설치되고, 상기 원호 형상의 내측부에 위치시킨 상기 웨이퍼의 이면 상태를 검사할 때 상기 웨이퍼의 이면의 일 지점에 집중적으로 광의 조사가 가능한 복수의 광원을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 몸체는 수직으로 적층되는 다단 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 광원은 광의 파장대역이 600nm ~ 800nm의 범위를 갖는 발광 소자일 수 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 웨이퍼 이면 검사 장치는 척 테이블, 조명부, 촬영부 및 검사부를 포함한다. 상기 척 테이블은 이면 연마 공정이 진행된 웨이퍼를 이면이 노출되도록 고정 지지한다. 상기 조명부는 원호 형상을 갖고, 상기 원호 형상의 내측부에 검사를 위한 웨이퍼의 이면 일부를 위치 시키는 몸체, 그리고 상기 몸체의 내측면에 설치되고, 상기 원호 형상의 내측부에 위치시킨 상기 웨이퍼의 이면 상태를 검사할 때 상기 웨이퍼의 이면의 일 지점에 집중적으로 광의 조사가 가능한 복수의 광원을 갖는다. 상기 촬영부는 상기 척 테이블에 놓여지는 웨이퍼의 상부에 위치하고, 상기 조명부로부터 웨이퍼로 조사되는 광을 이용하여 상기 웨이퍼의 이면을 촬영한다. 상기 검사부는 상기 촬영부에 연결되고, 상기 촬영부에서 촬영한 이미지를 이용하여 웨이퍼의 이면 연마 상태의 불량 유무를 판단한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 촬영부는 상기 조명부의 원호 형상의 중심점 상부에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 조명부는 상기 몸체와 상기 촬영부 사이의 공간에 설치되고, 상기 원호 형상의 내측부에 위치시킨 웨이퍼의 이면으로 조사되는 광이 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 광 차단부를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 조명 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치는 이면 검사를 위해 웨이퍼의 이면으로 광을 공급할 때 여러 각도로부터 집중광 형태로 광을 공급함에 의해 다양한 각도로 발생하는 결함의 검출이 가능해져 검사의 신뢰성 확보 및 이에 따른 생산 수율 개선을 이룰 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 조명 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
조명 유닛
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 유닛을 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 조명 유닛의 수평 및 수직 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 조명 유닛(100)은 반도체 제조를 위한 실리콘 웨이퍼(예컨대 반도체 기판) 또는 평판 디스플레이 제조를 위한 기판의 이면 연마 공정 후에 브로큰(broken), 치핑(chipping), 크랙(crack) 등과 같은 웨이퍼의 결함을 검출하기 위해 웨이퍼 이면의 연마 상태를 검사하기 위하여 사용될 수 있다.
상기 조명 유닛(100)은 몸체(110) 및 광원(120)을 포함하여 이루어진다.
상기 몸체(110)는 원호 형상을 갖는다. 예컨대, 원기둥을 수직 방향으로 절단한 형상 혹은 곡선 형상의 플레이트(혹은 벽체) 구조로 설명할 수 있다. 상기 몸체(110)는 웨이퍼(W)를 검사할 때 원호 형상의 내측부에 상기 웨이퍼(W)의 일부를 위치시킨다.
상기 몸체(110)는 상기 광원(120)의 위치를 가이드 하는 역할을 하고, 원호 형상의 중심점 상부에는 웨이퍼(W)의 이면을 촬영하기 위한 카메라(310)가 위치한다. 즉, 상기 카메라(310)의 하부 영역은 웨이퍼(W) 이면의 연마 상태에 대한 비전 검사가 실질적으로 이루어지는 검사 영역으로 설명할 수 있다.
상기 몸체(110)는 수직으로 적층되는 다단 구조를 갖고, 상기 다단 구조의 각 단에는 이하 설명하게 될 광원(120)이 위치한다. 한편, 예시적으로 상기 몸체(110)가 원호 형상을 갖는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고 1회 이상 절곡된 플레이트 형상 즉, 호 형상에 대응하도록 1회 이상 절곡되는 플레이트 구조를 가질 수도 있다.
상기 광원(120)은 상기 몸체(110)의 일면에 설치된다. 더욱 상세하게는 상기 몸체(110)의 내측면(예컨대 원호 안쪽 면)에 원호를 따라서 복수의 광원(120)이 설치된다. 상기 광원(120)은 원호 형상의 내측부로 광을 조사하는 역할을 한다. 즉, 상기 몸체(110)의 원호 형상의 내측부에 위치시킨 웨이퍼(W)의 이면 상태를 검사할 때 상기 웨이퍼(W)의 이면으로 검사를 위한 광을 조사한다.
상기 몸체(110)에 설치되는 상기 복수의 광원(120)은 웨이퍼의 이면 상태를 검사하기 위한 광을 공급할 때, 상기 웨이퍼(W) 이면의 일 지점에 집중적으로 광을 조사한다. 예컨대, 상기 복수의 광원(120)으로부터 조사되는 광은 상기 몸체(110)의 원호 형상의 중심점 부위에 집중적으로 조사된다. 이는 원호 형상의 내측부에 위치시킨 상기 웨이퍼(W) 이면의 일 지점에 여러 각도로부터 광이 조사되도록 하기 위한 것으로 설명할 수 있다.
또한, 상기 광원(120)은 상기 몸체(110)의 다단 구조에 대응하여 각 단에 광 원(120)열 형태로 설치됨에 의해 수직으로 적층되는 복수의 광원(120)열 구조를 가질 수 있다.
언급한 바와 같이 상기 조명 유닛(100)은 웨이퍼(W) 이면의 연마 상태를 검사하기 위해 사용된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 이면으로 조사되어 검사에 이용되는 광은 카메라(310)에 대한 응답성이 가장 좋은 파장대역의 광을 조사하는 발광 소자를 사용하는 것이 바람직하다. 광의 파장대역이 600nm ~ 800nm 범위를 가질 때 상기 카메라(310)에 대한 응답성이 가장 좋게 나타난다. 통상 상기 광원(120)으로 할로겐(halogen) 램프의 사용되는데, 상기 할로겐 램프는 수명이 약 2,000시간으로 비교적 짧고, 발열이 약 80℃로 다소 높으며, 응답속도가 약 50ms로 낮은 단점을 갖는다.
따라서, 본 실시예에서는 상기 광원(120)의 일 예로, 카메라(310)에 대한 응답성이 가장 좋은 파장대역인 600nm ~ 800nm 범위의 광을 조사하는 발광다이오드(Luminescent diode : LED)를 포함한다. 상기 발광다이오드(LED)는 파장대역이 600nm ~ 800nm 범위의 광을 조사하는 장점과 더불어 약 10,000시간의 수명과, 약 60℃의 발열 및 조명 설정 값에 따라 약 3ms의 빠른 응답속도로 상기 할로겐 램프와 비교하여 많은 장점을 갖는다.
한편, 상기 광원(120)의 설치 위치는 상기 몸체(110)의 형상에 의해 크게 가이드 됨에 따라서 상기 몸체(110)는 상기 조명 유닛(100)을 사용하여 웨이퍼(W)의 이면 상태를 검사할 때, 각각의 광원(120)으로부터 조사되는 광이 서로 상쇄되지 않으면서 최대한으로 다양한 각도로부터 광이 조사되어 집중될 수 있도록 반원 형 상을 갖는 것이 바람직하다. 이와 달리, 상기 몸체(110)는 반원 보다 작은 원호, 또는 반원 보다 큰 원호 형상을 가질 수 있으며, 경우에 따라서는 원기둥 형상을 가질 수도 있다.
이처럼, 상기 조명 유닛(100)은 웨이퍼(W)의 이면 상태를 검사할 때, 몸체(110)의 내측부에 위치시킨 웨이퍼(W)의 이면으로 여러 각도 및 서로 다른 높이로부터 일 지점에 광이 집중적으로 조사된다. 예컨대, 측광과 집중광 형태를 갖게 됨에 따라서 여러 각도로 발생하는 웨이퍼의 결함 검출이 가능해져 웨이퍼(W) 이면 상태의 검사 신뢰성이 향상되고, 이에 따른 생산 수율이 개선된다. 또한, 상기 광원(120)으로 LED를 사용함에 따라서 수명, 발열량, 응답속도 등의 성능이 향상됨에 의해 검사 장치의 관리유지비 등의 비용 절감 효과를 얻을 수 있다.
웨이퍼 이면 검사 장치
이하, 언급한 조명 유닛을 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 도 1의 조명 유닛을 부재로 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
여기서, 도 4에 도시된 조명부는 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 조명 유닛과 유사하므로, 동일 부재에 대해서는 동일한 부호를 사용하고, 중복되는 부분은 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기 웨이퍼 이면 검사 장치는 척 테이블(200), 조명부(100), 촬영부(300) 및 검사부(400)를 포함하여 이루어진다.
상기 척 테이블(200)은 이면 연마 공정을 수행한 웨이퍼(W)가 이송되어 진공 흡착 방식 등을 통해 이면이 노출되도록 고정 지지된다. 여기서, 상기 척 테이블(200)의 상부면과 상기 웨이퍼(W) 사이에는 상기 웨이퍼(W) 상면에 형성되어 있는 회로 패턴을 보호하기 위하여 보호 테이프(미도시)가 구비될 수 있다. 상기 척 테이블(200)의 상부면은 통상 원판형으로 형성되고, 상기 웨이퍼(W)는 상기 척 테이블(200)의 중심축을 공유하도록 위치된다.
상기 척 테이블(200)의 하부에는 모터 등과 같이 구동을 위한 척 구동부(210)가 배치된다. 상기 척 구동부(210)는 척 테이블(200)을 회전시키는 역할을 한다. 예컨대, 상기 척 구동부(210)는 척 테이블(200)의 구동축과 연결되어 상기 척 테이블(200)을 회전시킴에 의해 상기 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
상기 조명부(100)는 몸체(110), 그리고 상기 몸체(110)에 설치되고, 웨이퍼(W)의 이면 상태의 검사를 위한 광을 몸체(110)의 내측부에 위치시킨 웨이퍼(W) 이면으로 조사하는 복수의 광원(120)을 포함하여 이루어진다. 상기 광원(120)은 상기 몸체(110)를 따라서 설치됨에 따라, 여러 각도로부터 웨이퍼(W)의 일 지점에 여러 각도로부터 측광 및 집중광 형태로 공급하는 것이 특징이다.
상기 조명부(100)는 몸체(110)의 중심점 상부에는 이하 언급하게될 촬영부(300)의 카메라(310)가 위치하는데, 상기 몸체(110)와 상기 카메라(310) 사이의 공간에는 웨이퍼(W)의 이면 상태를 검사할 때, 외부로 누설되지 않도록 광을 차단하는 광 차단부(130)를 더 포함한다. 또한, 상기 광원(120)을 온/오프 제어하여 광 의 조사 유무를 제어하기 위한 광 제어부(140)를 더 포함할 수 있다.
상기 촬영부(300)는 상기 척 테이블(200)에 놓여지는 웨이퍼(W)의 상부에 위치하고, 상기 조명부(100)로부터 웨이퍼(W)의 이면으로 조사되는 광을 이용하여 상기 웨이퍼(W)의 이면을 촬영한다. 상기 촬영부(300)는 상기 웨이퍼(W)의 이면을 실질적으로 촬영하는 카메라(310)와, 상기 카메라(310)에서 촬영된 이미지를 디지털 신호로 변환하여 이하 설명하게 될 검사부(400)로 전송하는 이미지 변환부(320)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 촬영부(300)는 웨이퍼(W)의 이면을 촬영하고, 촬영된 이미지를 상기 검사부(400)에서 처리 가능한 디지털 신호 등으로 변환하여 제공하는 역할을 한다. 상기 카메라(310)의 일 예로는 고해상도의 고체촬상소자(Charge Coupled Devices: CCD)를 이용한 카메라를 포함한다.
한편, 상기 촬영부(300)가 한번에 촬영할 수 있는 영역은 일반적으로 상기 웨이퍼(W) 보다 작은 면적을 갖는다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)를 다수개의 영역으로 구획하여 수회 촬영하게 된다. 즉, 첫 번째 촬영에서 상기 웨이퍼(W)의 이면 일부를 촬영하고, 상기 척 구동부(210)의 구동에 의한 상기 웨이퍼(W)의 회전으로 상기 웨이퍼(W) 이면의 다른 영역을 촬영하고, 이를 반복하면서 상기 웨이퍼(W)의 전면에 대한 촬영을 수행한다.
상기 검사부(400)는 상기 촬영부(300)에 연결되고, 상기 촬영부(300)에서 촬영한 이미지를 이용하여 웨이퍼(W)의 이면 상태를 판단하여 결함 여부를 판단한다. 상세하게는 상기 검사부(400)는 상기 이미지 변환부(320)에 연결되고, 상기 이미지 변환부(320)로부터 웨이퍼(W)의 이면 이미지를 디지털 신호로 전송 받고, 이를 통 해 웨이퍼(W)의 결함 유무를 판단하다. 도시하진 않았지만, 상기 검사부(400)는 웨이퍼(W)의 결함 유무를 판단하고, 결과를 사용자가 확인 가능하도록 디스플레이 하거나, 결과에 대응하는 신호를 메인 제어부 등으로 전송하도록 구성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 조명 유닛 및 이를 갖는 웨이퍼 이면 검사 장치는 웨이퍼의 이면 상태의 검사할 때, 웨이퍼 이면의 일 지점에 여러 각도로부터 집중적으로 광을 조사함에 따라서 웨이퍼에 다양한 각도로 발생하는 결함의 검출이 가능해진다. 따라서, 웨이퍼의 이면 상태 검사 신뢰성이 확보되고, 이를 통해 웨이퍼의 손실을 절감하여 생산 수율을 개선할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 조명 유닛을 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 조명 유닛의 수평 및 수직 단면도이다.
도 4는 도 1의 조명 유닛을 부재로 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100: 조명 유닛 110: 몸체
120: 광원 130: 광 차단부
140: 광 제어부 200: 척 테이블
210: 척 구동부 300: 촬영부
310: 카메라 320: 이미지 변환부
400: 검사부 W: 웨이퍼

Claims (6)

  1. 원호 형상을 갖고, 상기 원호 형상의 내측부에 검사를 위한 웨이퍼의 이면 일부를 위치시키는 몸체; 및
    상기 몸체의 내측면에 설치되고, 상기 원호 형상의 내측부에 위치시킨 상기 웨이퍼의 이면 상태를 검사할 때 상기 웨이퍼의 이면의 일 지점에 집중적으로 광의 조사가 가능한 복수의 광원을 포함하는 조명 유닛.
  2. 제1항에 있어서, 상기 몸체는 수직으로 적층되는 다단 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 조명 유닛.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광원은 광의 파장대역이 600nm ~ 800nm의 범위를 갖는 발광 소자인 것을 특징으로 하는 조명 유닛.
  4. 이면 연마 공정이 진행된 웨이퍼를 이면이 노출되도록 고정 지지하는 척 테이블;
    원호 형상을 갖고, 상기 원호 형상의 내측부에 검사를 위한 웨이퍼의 이면 일부를 위치시키는 몸체, 그리고 상기 몸체의 내측면에 설치되고, 상기 원호 형상의 내측부에 위치시킨 상기 웨이퍼의 이면 상태를 검사할 때 상기 웨이퍼의 이면의 일 지점에 집중적으로 광의 조사가 가능한 복수의 광원을 갖는 조명부;
    상기 척 테이블에 놓여지는 웨이퍼의 상부에 위치하고, 상기 조명부로부터 웨이퍼로 공급되는 광을 이용하여 상기 웨이퍼의 이면을 촬영하는 촬영부; 및
    상기 촬영부에 연결되고, 상기 촬영부에서 촬영한 이미지를 이용하여 웨이퍼의 이면 연마 상태를 판단하는 검사부를 포함하는 웨이퍼 이면 검사 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 촬영부는 상기 조명부의 원호 형상의 중심점 상부에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면 검사 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 조명부는 상기 몸체와 상기 촬영부 사이의 공간에 설치되고, 상기 원호 형상의 내측부에 위치시킨 웨이퍼의 이면으로 조사되는 광이 외부로 누설되는 것을 차단하기 위한 광 차단부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 이면 검사 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2019212011A1 (ja) * 2018-05-01 2019-11-07 株式会社ナノシステムソリューションズ 検査装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160116239A (ko) 2015-03-27 2016-10-07 (주)오로스 테크놀로지 다크 필드 조명 장치
WO2019212011A1 (ja) * 2018-05-01 2019-11-07 株式会社ナノシステムソリューションズ 検査装置
JPWO2019212011A1 (ja) * 2018-05-01 2021-05-13 株式会社ナノシステムソリューションズ 検査装置
US11774374B2 (en) 2018-05-01 2023-10-03 Nanosystem Solutions, Inc. Inspection device

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