KR20090040531A - 노광 장치 및 그 제어방법 - Google Patents

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KR20090040531A
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이성진
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Abstract

본 발명은 노광 장치 및 그 제어방법에, 본 발명의 목적은 스캔시간과 스캔거리를 짧게 하여 생산비용이 절감되며 노광의 정확성이 향상되도록 하고, 다양한 크기의 노광 영역을 가지는 기판에 대하여 신속하게 노광 할 수 있도록 하는 노광 장치 및 그 제어방법을 제공함에 있다. 이를 위해 본 발명에 따른 노광 장치는 서로 다른 위치의 노광 영역에 패턴광을 조사하며 서로 간의 이격 거리가 조절되는 복수의 광학모듈집합어셈블리를 포함한다. 그리고 본 발명에 따른 노광 장치의 제어방법은 노광 방식이 변경되었는지를 판단하는 단계;노광 방식이 변경되었으면 변경된 노광 방식에 따라 복수의 광학모듈집합어셈블리의 이격 거리를 조절하는 단계를 포함한다.
노광 장치, 광학모듈집합어셈블리

Description

노광 장치 및 그 제어방법{Exposure system and control method thereof}
본 발명은 노광 장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 스캔시간과 스캔거리를 짧게 하여 생산비용이 절감되며 노광의 정확성이 향상되도록 하고, 다양한 크기의 노광 영역을 가지는 기판에 대하여 신속하게 노광 할 수 있도록 하는 노광 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 기판과, 액정표시장치 및 플라즈마표시장치의 유리기판 등(이하, '기판'이라 한다.)에 형성되는 감광재료에 빛을 조사하는 것에 의해 패턴을 묘화하는 방법으로서, 프록시미티 노광 방식과 스텝 노광 방식 등과 같이 감광재료에 마스크 패턴을 전사하는 방법이 알려져 있다.
프록시미티 노광 방식은 묘화되는 패턴에 대응하는 개구가 형성된 기판과 같은 크기의 마스크를 기판에 근접시켜 광을 조사하여, 기판상의 감광 재료에 일괄 전사한다. 스텝 노광 방식은 마스크 패턴의 투영과 마스크 패턴의 이동을 번갈아 반복하여 행하는 것에 의해 기판 전체에 패턴의 묘화를 행한다.
근래에는 평판표시장치의 패널과 컬러필터 등과 같은 기판 제조장치 시장에 서는, 기판에 형성되는 패턴이 고 정세화 및 기판의 대형화에 따른 대응이 강하게 요구되고 있다. 마스크 패턴을 감광 재료에 일괄 전사하는 프록시미티 노광 방식은 마스크와 기판을 근접시켜 광을 조사하므로 패턴의 고 정세화와, 기판의 대형화에 대응하기 위해 대형 및 고 정세화된 고가의 마스크 제작이 요구되는 단점이 있다. 그리고 프록시미티 노광 방식과 스텝 노광 방식은 묘화되는 패턴의 피치와 폭의 변경이 유연하게 대응하지 못하는 단점이 있다.
최근에는 전술되는 프록시미티 노광 방식과 스텝 노광 방식의 단점을 극복을 방안으로, 한국공개특허공보 특2005-0012163호에서 제시되는 바와 같이, 기판의 상측에 배치되는 디지털 마이크로 미러 디바이스가 레이저광원으로부터 조사되는 레이저를 기판을 향하여 반사되도록 하는 묘화 방식이 제안되고 있다.
한편, 한국공개특허공보 특2005-0012163호에서 제시되고 있는 노광장치는 하나의 광학모듈집합 어셈블리를 포함한 노광장치는 하나의 광학모듈집합어셈블리를 구비한다. 이러한 전술된 한국공개특허공보 특2005-0012163호에서 제시되는 노광장치는, 하나의 광학모듈집합어셈블리에 설치되는 오버레이계측부가 기판의 오버레이를 계측하도록 기판이 오버레이계측부에 의해 완전스캔이 이루어지도록 한 후에 하나의 광학모듈집합어셈블리를 이용하여 기판을 노광한다.
그러나, 전술되는 한국공개특허공보 특2005-0012163호에서 제시되는 노광장치는 하나의 광학모듈집합어셈블리와 하나의 오버레이계측부를 구비하여 기판의 오버레이 계측을 위한 스캔시간이 길게 되며, 스캔을 위한 기판의 이동거리가 증가함으로써 설치대의 크기를 크게 만들기 위한 비용이 증가되어 생산비용이 증가되는 단점이 있다.
그리고 긴 스캔거리는 긴 스캔거리에 따른 오차파라미터가 증가되어 노광의 정확성이 저하되는 단점이 있다.
그리고 다양한 크기의 노광 영역(이하, 노광 영역은 기판상에서 노광이 이루어져야 할 영역을 의미한다.)을 가지는 기판에 대하여 노광을 수행하는 데에 소요되는 시간이 길어지는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 스캔시간과 스캔거리를 짧게 하여 생산비용이 절감되며 노광의 정확성이 향상되도록 하고, 다양한 크기의 노광 영역을 가지는 기판에 대하여 신속하게 노광 할 수 있도록 하는 노광 장치 및 그 제어방법을 제공함에 있다.
상기와 같은 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 노광 장치는 서로 다른 위치의 노광 영역에 패턴광을 조사하며 서로 간의 이격 거리가 조절되는 복수의 광학모듈집합어셈블리를 포함한다.
여기서, 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리 각각에는 기판의 오버레이정렬을 위한 오버레이계측부가 설치된다.
그리고, 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리는 서로 다른 패턴광을 조사한다.
그리고 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리가 조절되도록, 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리가 설치되는 복수의 게이트 구조물의 이격 거리를 조절하는 이격거리 조절부를 포함한다.
다른 측면에서 상기와 같은 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 노광 장치는 서로 다른 위치의 노광 영역에 패턴 광을 조사하는 복수의 광학모듈집합어셈블리; 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리를 조절하는 이격 거리 조절부; 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리 데이터와 복수의 광학모듈집합어셈블리가 조사하는 패턴광 데이터를 포함하는 노광방식이 저장되는 마스크 스택 라이버리; 상기 마스크 스택 라이버리에 저장되는 상기 노광 방식의 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리 데이터와 복수의 광학모듈집합어셈블리가 조사하는 패턴광 데이터를 이용하여 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리와 이격 거리 조절부를 제어하는 제어부를 포함한다.
여기서, 상기 마스크 스택 라이 버리에는 기판의 이송방향을 기준으로 하여 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들 중 전방에 위치한 광학모듈집합 어셈블리가 기판의 전방에 위치라는 전방 노광 영역의 시작점에 위치하며 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들 중 후방에 위치한 광학모듈집합 어셈블리가 후방 노광 영역의 시작점에 위치했을 경우 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리들의 사이의 거리로 정의되는 하이브리드 이격 거리 데이터를 포함하는 하이브리드 노광 방식이 저장되는 노광 장치.
한편, 상기와 같은 본 발명이 해결하고자 하는 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 노광 장치의 제어방법은 노광 방식이 변경되었는지를 판단하는 단계;노광 방식이 변경되었으면 변경된 노광 방식에 따라 복수의 광학모듈집합어셈블리의 이격 거리를 조절하는 단계를 포함한다.
여기서, 노광 방식이 변경되었으면 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리가 상기 변경된 노광 방식에 따른 패턴광을 조사하도록 하는 단계를 포함한다.
그리고, 노광 방식이 변경되었으면 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리의 이격 거리를 조절하고 상기 기판의 오버레이를 계측하는 기판 스캔 단계를 포함한다. 여기서, 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리의 이격 거리를 조절하는 것은 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리가 상기 기판의 긴변을 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 개수로 나눈 이격 거리로 조절한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 노광 장치 및 그 제어방법에 의하여, 스캔시간과 스캔거리를 짧게 하여 생산비용이 절감되며 노광의 정확성이 향상되고, 다양한 크기의 노광 영역을 가지는 기판에 대하여 신속하게 노광 할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 진공 챔버에 설치되는 본 발명에 따른 노광 장치(1)는 네 모서리의 하방으로 연장되는 지지대(20)에 의해 지지되는 설치대(10)와, 설치대(10)에 설치되어 상면에 기판(W)이 안착될 수 있도록 하며 설치대(10)의 긴변방향으로 이동 가능하게 설치되는 스테이지(40)와, 설치대(10)의 상면에 설치되어 스테이지(40)를 이동하는 스테이지 구동부(70)와, 설치대(10)의 상면에 설치되어 스테이지(40)의 이동방향을 가이드하는 스테이지 가이드부(30)와, 'ㄷ'자 모양을 가지며 양단부가 이격 거리 조절부(200)의 이동레일(230)에 이동 가능하게 안착되는 복수의 게이트 구조물(50a, 50b)과, 스테이지(40)에 안착되는 기판(W)에 패턴 광을 조사하기 위해 복수의 게이트 구조물(50a, 50b)의 일측에 각각 설치되는 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a,100b)와, 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)에 각각에 설치되어 기판(W)의 오버레이를 계측하기 위한 복수의 오버레이 계측부(60a, 60b)와, 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)에 광을 제공하는 광원(300)과 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)의 이격 거리가 조절되도록 복수의 게이트 구조물(50a,50b)의 이격거리를 조절하는 이격 거리 조절부(200) 및 노광 장치(1)를 전반적으로 제어하는 제어부(400)를 포함한다.
복수의 오버레이 계측부(60a, 60b)는 기판(W)에 형성된 오버레이를 계측하여 제어부(400)에 제공하여 기판(W)상의 정확한 위치에 패턴 광이 조사될 수 있도록 한다. 다시 말하면, 스테이지(40)에 안착되어 게이트 구조물(50a, 50b)를 통과하면 서 이동하는 기판(W)의 상면에 형성된 오버레이를 계측한다. 이에 따라, 제어부(400)는 계측된 오버레이를 기판(W)을 정렬할 수 있게 된다.
한편, 복수의 오버레이 계측부(400) 각각은 각각의 광학모듈집합어셈블리(100)에 설치되어 오버레이를 계측하는 스캔을 위한 스테이지(40)의 이동거리가 단축되어, 설치대(40)의 크기를 작게 할 수 있다.
광원(300)은 반도체 레이저와 반도체 레이저에서 출사되는 광을 조절하는 광학계를 포함하고, 광섬유(310)를 이용하여 레이저 광을 광학모듈집합어셈블리(100)의 광학모듈(110)의 입사측에 제공한다.
복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b) 각각은 매트릭스 배열되고 패턴광이 출사되는 부분이 스테이지(40)에 안착되는 기판(W)을 바라보는 복수의 광학모듈(110)로 이루어진다.
복수의 광학모듈(110) 각각은 광섬유(310)의 광출사단(311)에서 출사된 광을 보정하여 미러(120)로 출사하는 보정렌즈계(110)와, 보정렌즈계(110)로부터 출사되는 광을 광 변조기(130)로 반사하는 미러(120)와, 미러(120)로부터 반사되는 광을 부분적으로 다른 반사각으로 반사하여 일정한 패턴을 갖는 패턴 광이 반사되도록 하는 광변조기(130) 및 광변조기(130)에서 반사된 패턴 광이 기판(W)의 노광면(160)에 결상되도록 하는 집광 렌즈계(140)로 이루어진다.
보정렌즈계(110)는 광출사단(311)에서 출사된 광이 균일해지도록 하는 제 1 보정 렌즈(111)와 제 1 보정 렌즈(111)를 통과한 광이 미러(120)에 집광되도록 하는 제 2 보정렌즈(112)로 이루어져, 광출사단(311)에서 출사된 광이 균일한 광량 분포를 가지며 미러(120)로 입사되도록 한다.
미러(120)는 일면이 반사면으로 형성되어 보정렌즈계(110)를 통과한 광을 광변조기(130)로 반사한다.
광변조기(130)는 일반적으로 알려진 매트릭스 배열되는 복수의 광변조소자(131)로 이루어진다.
한편, 광변조소자(131)는 메모리셀상에 지지되는 지지부와 지지부에 상단에 설치되는 미소미러로 이루어져 메모리셀이 구동됨에 따라 미소미러의 경사각이 변화되어 광변조소자(131)에 입사되는 광의 반사방향이 조절된다. 이렇게 광변조소자(131)들의 미소미러 경사각이 변화됨에 따라 광변조기(130)는 일정한 패턴을 가지는 패턴 광을 집광렌즈계(140)로 반사한다.
집광렌즈계(140)는 제 1 집광렌즈(141)와 제 2 집광렌즈(142)로 이루어져, 제 1 집광렌즈(141)와 제 2 집광렌즈(142)의 사이거리가 조절됨으로써 집광렌즈(140)를 통과한 패턴 광의 결상 위치가 조절되도록 한다. 이러한 집광렌즈계(140)는 광변조기(130)에서 반사되는 패턴광이 기판(W)의 노광면(160)에 입사되도록 한다. 이에 따라, 노광영역(EW)의 노광면(160)에 형성되는 감광재는 경화되거나 연화된다.
한편, 상기되는 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b) 각각은 제어부(400)에 의해 각각 제어되어 스테이지(40)에 안착되는 기판(W)의 노광영역(EW)에 각각 다른 패턴광이 조사함으로써, 노광장치(1)는 분할 노광을 수행 할 수 있게 된다.
이격 거리 조절부(200)는 게이트 구조물(50a,50b)의 게이트 구조물 다리(51a, 51b)가 이동 가능하게 떠 받치는 가이드 레일(230)과 게이트 구조물 다리(51a, 51b)에 회전 가능하게 스크류 결합되는 스크류 로드(220) 및 스크류 로드(220)를 회전하는 이격거리 조절 구동부(210)를 포함한다.
스크류 로드(220)는 대략 중앙부분을 기준으로 일 측에는 오른 나사 또는 왼 나사가 형성되고 타 측에는 일 측에 형성되는 되는 나사의 방향과 다른 나사가 형성된다. 게이트 구조물의 다리(51a, 51b)에는 스크류 로드(220)의 양측에 대응하는 나사홀(52a, 52b)가 형성된다. 스크류 로드(220)가 어느 일 방향으로 회전하면 스크류 로드(220)의 양측은 나사홀(52a, 52b)에 잠기게 되고, 타 방향으로 회전하게 되면 스크류 로드(220)의 양측은 나사홀(52a, 52b)로부터 풀리게 된다. 이에 따라, 스크류 로드(220)의 회전방향과 회전량을 이용하여 게이트 구조물(50a, 50b)의 이격 거리를 조절할 수 있게 된다.
한편, 상기되는 이격 거리 조절부(200)는 상기에서 설명되는 구성 또는 수단에 한정되지 아니하며 게이트 구조물(50a, 50b)의 이격 거리가 조절될 수 있는 어떠한 수단도 이용 가능할 수 있을 것이다.
제어부(400)의 입력 측에는 제어부(400)는 오퍼레이터의 선택에 따른 노광 방식이 입력되도록 하는 입력부(410)와 노광 방식에 따른 데이터를 저장하는 마스크 스택 라이버리(420) 및 기판(W)의 오버레이를 계측하여 계측된 오버레이를 제어부(400)에 제공하는 오버레이 계측부(60a, 60b)가 제공된다. 그리고 제어부(400)의 출력 측에는 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)와 스테이지구동부(70)와 이 격 거리 조절부(200) 및 광원(300)이 제공된다.
입력부(410)를 이용하여 오퍼레이터는 제어부(400)에 명령을 입력할 수 있게 된다.
마스크 스택 라이버리(420)는 노광 방식에 따른 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)의 이격거리 데이터와 노광 방식에 따른 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)가 조사해야 할 패턴광 데이터를 저장하며, 이를 제어부(400)의 요청에 따라 제공한다.
한편, 제어부(400)는 오버레이 계측부(60a, 60b)로부터 입력되는 계측된 기판(W)의 오버레이를 이용하여 기판(W)을 정렬한다.
그리고 제어부(400)는 마스크 스택 라이버리(420)가 제공하는 노광 방식에 따른 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)의 이격거리 데이터와, 노광 방식에 따른 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)가 조사해야 할 패턴광 데이터를 이용하여 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)와 이격 거리 조절부(200)를 제어한다.
이하, 본 발명에 따른 노광 장치의 제어방법에 대하여 도면과 함께 설명하기로 한다.
우선, 제어부(400)는 노광 방식이 변경되었는지를 판단한다(510). 다시 말하면, 오퍼레이터가 입력부(410)를 통하여 새로운 노광 방식를 선택하여, 입력부(410)로부터 새로운 노광 방식 명령이 입력되는지 여부를 판단한다.
여기서, 노광 방식은 하이브리드 노광 방식과, 분할 노광 방식 및 중복 노 광 방식이 제안된다. 하이브리드 노광 방식은 노광 장치(1)가 기판 상에 노광 영역의 폭이 다른 복수의 노광 영역을 가지는 기판에 노광을 수행하기 위해 노광 영역의 폭이 고려되어 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a,100b)의 이격 거리가 조절된 상태에서 노광을 수행하는 방식이다. 중복 노광 방식은 노광 장치(1)가 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a,100b)들 중 일부가 기판(W) 상의 노광 영역에 충분한 노광을 수행할 수 없는 경우, 기판(W) 상의 노광 영역이 충분히 노광 되도록 노광 영역에 동일한 패턴광을 조사하는 광학모듈집합 어셈블리의 개수를 증가시켜 노광을 수행하는 방식이다. 분할 노광 방식은 노광 장치(1)의 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a,100b)들 중 일부는 선택된 패턴광이 노광 영역에 조사되도록 하고, 다른 일부는 선택된 패턴광과 다른 패턴광이 노광 영역(EW)에 조사되도록 하는 노광 방식이다.
이때에, 노광 방식이 변경되지 않았으면, 제어부(400)는 노광 장치(1)가 기존의 노광 방식에 따라 노광을 수행한다(620).
그 다음, 제어부(400)는 노광 수행 종료 조건인가를 판단하여(540), 노광 수행 종료 조건이 아니면 계속하여 노광 수행 종료 조건인가를 판단하고 노광 수행 종료 조건이면 종료한다.
상기되는 510 단계에서 노광 방식이 변경되었으면, 제어부(400)는 변경된 노광 방식에 따른 노광을 수행한다(530).
다시 말하면, 제어부(400)는 노광 장치(1)가 노광을 수행하고 있으면 수행하고 있는지를 판단하여, 노광 장치(1)가 노광을 수행하고 있지 않으면 후속 단계 를 곧 바로 진행하고 노광 장치(1)가 노광을 수행하고 있으면 수행하고 있는 노광을 정지하고 후속 단계를 진행한다(531).
그 다음, 제어부(400)는 제어부(400)는 마스크 스택 라이버리(420)에 변경된 노광 방식에 대응하는 이격 거리 데이터와 패턴광 데이터를 요청한다(531). 이에 따라, 마스크 스택 라이버리(420)는 제어부(400)가 요청하는 변경된 노광 방식의 이격 거리 데이터와 패턴광 데이터를 제어부(400)에 제공하여, 제어부(400)는 변경된 노광 방식의 이격 거리 데이터와 패턴광 데이터를 수신한다(532).
그 다음, 제어부(400)는 기판 정렬을 위해 스테이지(40)가 이동하도록 하며 오버레이 계측부(60a,60b)를 통하여 기판(W)의 오버레이를 계측하기 위한 스캔을 수행한다(533). 이때에, 제어부(400)는 이격 거리 조절부(200)에 제어신호를 공급하여 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)들의 이격 거리(D)가 기판(W)의 긴변을 복수의 광학모듈집합어셈블리(100a, 100b)들의 개수로 나눈 이격 거리를 갖도록 한다. 이에 따라, 스테이지(40)의 이동거리가 단축된다. 그리고, 제어부(400)는 계측된 오버레이를 이용하여 기판(W)을 정렬한다(534).
그 다음, 제어부(400)는 변경된 노광 방식의 이격 거리 데이터와 패턴광 데이터에 따라 이격 거리 조절부(200)가 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a,100b)들의 이격 거리(D)를 조절하도록 제어하고(535), 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a,100b)들이 변경된 노광 방식의 패턴광 데이터에 따른 패턴 광을 조사하도록 제어한다(536).
다시 말하면, 변경된 노광 방식이 하이브리드 노광 방식이면, 도 6a에서 도시되는 바와 같이, 제어부(400)는 이격 거리 조절부(200)에 제어신호를 공급하여 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)들의 이격 거리(D)를 하이브리드 노광 방식에 따른 하이브리드 이격 거리(D1)로 조절한다(635).
여기서, 하이브리드 이격 거리(D1)는 기판(W)의 이송방향을 기준으로 하여 전방에 위치한 광학모듈집합 어셈블리(100a)가 기판(W)의 전방에 위치라는 전방 노광 영역(EW1)의 시작점에 위치하며 후방에 위치한 광학모듈집합 어셈블리(100b)가 후방 노광 영역(EW2)의 시작점에 위치했을 경우 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b) 사이의 거리로 정의될 수 있다.
그 다음, 제어부(400)는 스테이지(40)가 이동되도록 하여 스테이지(40)가 기판(W)을 이송되도록 하면서, 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)가 동일한 패턴 광을 조사하도록 있도록 제어한다(536).
그리고 변경된 노광 방식이 분할 노광 방식이면, 도 6b에서 도시되는 바와 같이, 제어부(400)는 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)의 이격 거리(D)가 최단거리(D2)로 조절되도록 한다(535). 그리고 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)가 서로 다른 패턴 광을 조사하도록 제어한다(536).
그리고 변경된 노광 방식이 중복 노광 방식이면, 도 6c에서 도시되는 바와 같이, 제어부(400)는 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)의 이격 거리(D)가 최단거리(D2)로 조절되도록 한다(535). 그리고 복수의 광학모듈집합 어셈블리(100a, 100b)가 서로 동일한 패턴 광을 조사하도록 제어한다(536).
도 1은 본 발명에 따른 노광 장치를 나타낸 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 광학모듈집합어셈블리를 나타낸 개략도이다.
도 3은 본 발명에 따른 광학모듈의 구성과 작용을 설명하기 위한 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 노광 장치의 제어계통을 나타낸 블럭도이다.
도 5는 본 발명에 따른 노광 장치의 제어수순을 나타낸 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명에 따른 노광 장치의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
50a, 50b: 게이트구조물 200:이격 거리 조절부
100a,100b: 광학모듈집합어셈블리

Claims (10)

  1. 서로 다른 위치의 노광 영역에 패턴광을 조사하며 서로 간의 이격 거리가 조절되는 복수의 광학모듈집합어셈블리를 포함하는 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 광학모듈집합어셈블리 각각에는 기판의 오버레이정렬을 위한 오버레이계측부가 설치되는 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 광학모듈집합어셈블리는 서로 다른 패턴광을 조사하는 노광장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리가 조절되도록, 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리가 설치되는 복수의 게이트 구조물의 이격 거리를 조절하는 이격 거리 조절부를 포함하는 노광 장치.
  5. 서로 다른 위치의 노광 영역에 패턴 광을 조사하는 복수의 광학모듈집합어셈블리;
    상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리를 조절하는 이격 거리 조 절부;
    상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리 데이터와 복수의 광학모듈집합어셈블리가 조사하는 패턴광 데이터를 포함하는 노광방식이 저장되는 마스크 스택 라이버리;
    상기 마스크 스택 라이버리에 저장되는 상기 노광 방식의 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리 데이터와 복수의 광학모듈집합어셈블리가 조사하는 패턴광 데이터를 이용하여 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리와 이격 거리 조절부를 제어하는 제어부를 포함하는 노광 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 마스크 스택 라이버리에는 기판의 이송방향을 기준으로 하여 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들 중 전방에 위치한 광학모듈집합 어셈블리가 기판의 전방에 위치라는 전방 노광 영역의 시작점에 위치하며 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들 중 후방에 위치한 광학모듈집합 어셈블리가 후방 노광 영역의 시작점에 위치했을 경우 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리들의 사이의 거리로 정의되는 하이브리드 이격 거리 데이터를 포함하는 하이브리드 노광 방식이 저장되는 노광 장치.
  7. 노광 방식이 변경되었는지를 판단하는 단계;
    노광 방식이 변경되었으면 변경된 노광 방식에 따라 복수의 광학모듈집합어셈블리의 이격 거리를 조절하는 단계를 포함하는 노광 장치의 제어방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    노광 방식이 변경되었으면 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리가 상기 변경된 노광 방식에 따른 패턴광을 조사하도록 하는 단계를 포함하는 노광 장치의 제어방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    노광 방식이 변경되었으면 상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리의 이격 거리를 조절하고 상기 기판의 오버레이를 계측하는 기판 스캔 단계를 포함하는 노광 장치의 제어방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 광학모듈집합 어셈블리의 이격 거리를 조절하는 것은 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 이격 거리가 상기 기판의 긴변을 상기 복수의 광학모듈집합어셈블리들의 개수로 나눈 이격 거리로 조절하는 노광 장치의 제어방법.
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JP2006334894A (ja) * 2005-06-01 2006-12-14 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 画像記録装置
JP2007003934A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Sharp Corp マルチヘッド露光装置および露光方法
JP2007108559A (ja) * 2005-10-17 2007-04-26 Nikon Corp 走査型露光装置及びデバイスの製造方法

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