KR20090038461A - 원자 층 침착용 전구체 용액의 기화 및 이송을 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title abstract description 47
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 31
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 31
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 16
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 3
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GGBJHURWWWLEQH-UHFFFAOYSA-N butylcyclohexane Chemical compound CCCCC1CCCCC1 GGBJHURWWWLEQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N ethylcyclohexane Chemical compound CCC1CCCCC1 IIEWJVIFRVWJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 2
- DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N propylcyclohexane Chemical compound CCCC1CCCCC1 DEDZSLCZHWTGOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAMDIHYPBYVYAP-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-(2-methoxyethoxy)ethane Chemical compound COCCOCCOC.COCCOCCOC NAMDIHYPBYVYAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJTMTUWTYSMETK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethane;strontium Chemical compound [Sr].COCCOCCOCCOC AJTMTUWTYSMETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOSWMGMRDGAPIG-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C1=CC=CC1[Hf](C)(C)C1C=CC=C1C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC1[Hf](C)(C)C1C=CC=C1C(C)(C)C SOSWMGMRDGAPIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URQIVZBTTCUDJZ-UHFFFAOYSA-N [CH3-].[CH3-].[CH3-].[Ti+3].C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C Chemical compound [CH3-].[CH3-].[CH3-].[Ti+3].C[C]1[C](C)[C](C)[C](C)[C]1C URQIVZBTTCUDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUJSIVIXCTVEI-UHFFFAOYSA-N barium(2+);propan-2-olate Chemical compound [Ba+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] CPUJSIVIXCTVEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQCHOLVSSJJVGE-UHFFFAOYSA-N barium;1-methoxy-2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethane Chemical compound [Ba].COCCOCCOCCOC DQCHOLVSSJJVGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 150000002362 hafnium Chemical class 0.000 description 1
- GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4] GVOLZAKHRKGRRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCJQNNVSZNFWAH-UHFFFAOYSA-J hafnium(4+);tetraiodide Chemical compound I[Hf](I)(I)I YCJQNNVSZNFWAH-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002779 inactivation Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 239000013212 metal-organic material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N strontium;propan-2-olate Chemical compound [Sr+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OHULXNKDWPTSBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- CMWCOKOTCLFJOP-UHFFFAOYSA-N titanium(3+) Chemical compound [Ti+3] CMWCOKOTCLFJOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N zirconium(4+) ion Chemical class [Zr+4] GBNDTYKAOXLLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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Abstract
원자 층 침착(ALD)을 위한 개선된 장치 및 방법이 기술된다. 특히, ALD 전구체 용액의 기화 및 이송을 위한 개선된 방법 및 장치가 제공된다. 특히, 본 발명은 저휘발성 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 다른 박막 전구체를 가공하는데 유용하다. 본 발명은, 전구체 용액의 이용 효율을 증가시키면서 진성(true) ALD 증기 펄스를 생성하기 위해 완전 기화 챔버 및 실온 밸브 시스템을 사용한다.
Description
본 발명은, 원자 층 침착(ALD) 공정을 이용하여 박막을 형성시키기 위한 신규하고 유용한 방법 및 장치에 관한 것이다. 다양한 종류의 전구체로부터의 고품질 박막 형성용 ALD 전구체 용액의 기화 및 이송을 위한 방법 및 장치가 기술된다.
원자 층 침착(ALD)은 규소 웨이퍼 공정에서의 차세대 도체 장벽 층, 고-k 게이트 유전층, 고-k 커패시턴스 층, 캡핑 층, 및 금속성 게이트 전극에 이용가능한 기술이다. 또한, ALD는 다른 전자 산업, 예를 들어 평판 디스플레이, 반도체 화합물, 자기 및 광학 저장장치, 태양 전지, 나노공학 및 나노 재료에 적용된다. 순환식 증착 공정에서, 금속, 산화물, 질화물의 초박형 고-등각성 층을, 다른 하나의 단층과 동시에 형성시키는데 ALD가 이용된다. 많은 주족 금속 원소 및 전이 금속 원소, 예컨대 알루미늄, 티타늄, 지르코늄, 하프늄 및 탄탈의 산화물 및 질화물은 산화 또는 질화 반응을 이용하는 ALD 공정에 의해 제조된다. 또한, 예컨대, Ru, Cu, Ta 등의 순수한 금속 층은 환원 또는 연소 반응을 통한 ALD 공정을 이용하여 침착될 수 있다.
전형적인 ALD 공정은, 퍼지에 의해 분리되는 각각의 전구체 펄스를 사용하여 기판의 표면에 둘 이상의 전구체를 순차적으로 적용하는 것에 기초한다. 전구체를 각각 적용시키는 것은, 상기 기판 상에 침착된 물질의 단일 단층을 생성시키기 위한 것이다. 이러한 단층은 상기 전구체와 상기 표면 간의 자가-종결 표면 반응 때문에 형성된다. 즉, 상기 전구체와 상기 표면간의 반응은 반응에 이용가능한 표면 부위가 더 이상 존재하지 않을 때까지 계속된다. 이어서, 과잉의 전구체가 침착 챔버로부터 퍼지되고, 제 2 전구체가 도입된다. 각각의 전구체 펄스 및 퍼지 순서는, 물질의 추가적인 단일 단층을 생성시키는 하나의 ALD 반-주기를 포함한다. 상기 공정의 자가-종결 특성 때문에, 더 많은 전구체 분자가 표면에 도달하더라도, 추가의 반응은 일어나지 않을 것이다. 이러한 자가-종결 특성은, ALD 공정을 이용할 경우 높은 균일성, 등각성 및 정확한 두께 제어를 제공한다.
본 발명은 용매계 전구체에 의존한다. 적합한 용매계 전구체의 예는 동시-계류중인 2006년 4월 10일자 미국 특허 출원 제 11/400,904 호에 기술되어 있다. 전구체 용질의 예는 하기 표 1에 기술되는 바와 같이 광범위한 저 증기압 용질 또는 고체로부터 선택될 수 있다.
| 성분명 | 화학식 | MW | 융점(℃) | 비점(℃/mmHg) | 밀도(g/mL) |
| 테트라키스 (에틸메틸아 미노) 하프늄(TEMAH) | Hf[N(EtMe)]4 | 410.9 | -50 | 79/0.1 | 1.324 |
| 무수 하프 늄(IV) 질화 물 | Hf(NO3)4 | 426.51 | 300 초과 | 측정 안됨 | |
| 무수 하프 늄(IV) 요오 드화물 | HfI4 | 686.11 | 400(승화) | 측정 안됨 | 5.6 |
| 다이메틸비 스(3급-부틸 사이클로펜타 다이엔일) 하 프늄(IV)) | [(3급-Bu)Cp]2HfMe2 | 450.96 | 73 내지 76 | 측정 안됨 | |
| 테트라키스(1 -메톡시-2-메 틸-2-프로폭 사이드) 하프 늄(IV) | Hf(O2C5H11)4 | 591 | 측정 안됨 | 135/0.01 | |
| 다이(사이클 로펜타다이엔 일)Hf 이염화물 | Cp2HfCl2 | 379.58 | 230 내지 233 | 측정 안됨 | |
| 하프늄 3급- 부톡사이드 | Hf(OC4H9)4 | 470.94 | 측정 안됨 | 90/5 | |
| 하프늄 에톡 사이드 | Hf(OC2H5)4 | 358.73 | 178 내지 180 | 180 내지 200/13 | |
| 알루미늄 i- 프로폭사이드 | Al(OC3H7)3 | 204.25 | 118.5 | 140.5/8 | 1.0346 |
| 납 3급-부톡 사이드 | Pb(OC(CH3)3)2 | 353.43 | |||
| 지르코늄(IV) 3급-부톡사이 드 | Zr(OC(CH3)3)4 | 383.68 | 90/5; 81/3 | 0.985 | |
| 티타늄(IV) i-프로폭사이 드 | Ti(OCH(CH3)2)4 | 284.25 | 20 | 58/1 | 0.955 |
| 바륨 i-프로 폭사이드 | Ba(OC3H7)2 | 255.52 | 200 | 측정 안됨 | |
| 스트론튬 i- 프로폭사이드 | Sr(OC3H7)2 | 205.8 | |||
| 비스(펜타메 틸Cp) 바륨 | Ba(C5Me5)2 | 409.8 |
| 비스(트라이프로필Cp) 스트론튬 | Sr(C5-i-Pr3H2)2 | 472.3 | |||
| (트라이메틸)펜타메틸사이클로펜타다이엔일 티타늄(IV) | Ti(C5Me5)(Me3) | 228.22 | |||
| 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄다이오네이토) 바륨 트라이글라임 부가물 | Ba(thd)2 * 트라이글라임 | 503.85 (682.08) | 88 | ||
| 비스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄다이오네이토) 스트론튬 트라이글라임 부가물 | Sr(thd)2 * 트라이글라임 | 454.16 (632.39) | 75 | ||
| 트리스(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄다이오네이토) 티타늄(III) | Ti(thd)3 | 597.7 | 75/0.1(sp) | ||
| 비스(사이클로펜타다이엔일) 루테늄 (II) | RuCp2 | 231.26 | 200 | 80 내지 85/0.01 |
전구체 용질의 다른 예는 Ta(NMe2)5 및 Ta(NMe2)3(NC9H11)을 포함하며, 이것은 탄탈 막 전구체로서 이용될 수 있다.
용매의 선택은 ALD 전구체 용액에 있어서 중요하다. 특히, 전술된 용질에 유용한 용매의 예를 하기 표 2에 제시한다.
| 성분명 | 화학식 | 비점@760 토르(℃) |
| 다이옥산 | C4H8O2 | 101 |
| 톨루엔 | C7H8 | 110.6 |
| n-부틸 아세테이트 | CH3CO2(n-Bu) | 124 내지 126 |
| 옥탄 | C8H18 | 125 내지 127 |
| 에틸사이클로헥산 | C8H16 | 132 |
| 2-메톡시에틸 아세테이트 | CH3CO2(CH2)2OCH3 | 145 |
| 사이클로헥산온 | C6H10O | 155 |
| 프로필사이클로헥산 | C9H18 | 156 |
| 2-메톡시에틸 에터(다이글라임) | (CH3OCH2CH2)2O | 162 |
| 부틸사이클로헥산 | C10H20 | 178 |
본 발명에 유용한 용매의 다른 예는 2,5-다이메틸옥시트라하이드로푸란이다.
ALD용 전구체에 기초한 용매를 사용함으로써, 임의의 물리적 형태의 덜 휘발성인 전구체를 사용하는 것이 가능하다. 또한, 희석된 전구체가 사용되기 때문에, 화합물의 이용 효율이 개선된다. 또한, 전술된 동시-계류중인 특허는 2가지 기화/이송 방법, 즉, 기화기에서의 일정한 펌핑 속도 및 일정한 압력 방식을 기술하고 있다. 일정한 펌핑 속도 방식에서는, 침착 챔버에 고온 증기의 펄스를 가하기 위해 실온 기체 변동 시스템이 사용되며, 펄스 중단 시간 동안 상기 증기는 상기 침착 챔버의 하류로 우회하게 된다. 일정한 압력 방식에서는, 고온 압력 게이지 및 밸브가 필요하다.
따라서, 당분야에는 용매계 전구체의 화학적 이용 효율을 개선시키는 것이 여전히 요구된다.
발명의 요약
본 발명은, ALD 전구체 용액의 기화 및 이송을 위한 개선된 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명은 저휘발성 금속, 금속 산화물, 금속 질화물 및 다른 박막 전구체의 가공에 특히 유용하다. 본 발명은, 진성 ALD 증기 펄스를 생성시키기 위한 완전 기화 챔버 및 실온 밸브 시스템을 사용한다. 전구체 용액의 이용 효율은, 본 발명에 따라 액체 투여와 증기 상 펄스 체계를 조합함으로써 개선된다. 그 결과, 고품질의 ALD 박막이 다양한 종류의 전구체로부터 침착될 수 있다.
도 1은 본 발명의 하나의 실시양태에 따른 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 또 하나의 실시양태에 따른 장치의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 추가의 실시양태에 따른 장치의 개략도이다.
본 발명은, 전구체 용액의 정확한 ALD 투여량을 이송하기 위해 조절되거나 펄스화된, 액상과 증기상의 조합을 이용하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 당분야의 공지된 방법 및 장치에 비해 많은 이점을 제공한다.
특히, 전술된 동시-계류중인 특허에 비해 전구체 소비가 90% 이하로 감소될 수 있다(예를 들어, 10초 ALD 주기 시간에 대해 1초 액체 펄스). 또한, 용액 공급원 용기(예를 들어, 표준 1 L 딥 튜브 전기-연마된 스테인레스 강 용기)에 대한 더 작은 형태 인자(factor)가 가능하며, 이것은 다시 더 작은 형태 인자의 기화기 및 더 작은 총 기구 풋프린트(footprint)를 가능하게 한다. 또한, 실온 밸브 시스템이 여전히 사용될 수 있지만, 후술되는 바와 같이, ALD 증기 펄스 중단 시간 동안 액체 전구체 용액의 우회가 더 이상 필요하지 않다.
도 1, 도 2 및 도 3은 모두 본 발명에 따른 장치의 개략도이다. 각각의 경우, 상기 장치는 많은 구성요소, 즉, 용액 공급원, 액체 계량 또는 유체 이동 수단, 액체 조절 수단, 기화기, 밸브 시스템 및 ALD 침착 챔버를 포함한다. 상기 도면 전반에서, 동일한 참조 번호는 동일한 구성요소에 대해 사용된다.
특히, 도 1, 도 2 및 도 3에서, 상기 장치는 펌프(20) 및 밸브(90)를 통해 기화기(30)와 유체 연통하는 용액 공급원 용기(10)를 포함한다. 기화기(30)는 체크 밸브 또는 주입 노즐(35)을 포함할 수 있다(도 3). 또한, 퍼지 기체 공급원(미도시)은 물질 흐름 제어기(85)와 밸브(91)를 통해 기화기(30)에 연결된다. 또한, 기화기는 침착 챔버(40)에 연결되거나, 밸브(97)를 통해 시스템 펌프(70)에 연결된다. 또한, 물질 흐름 제어기(85)는 밸브(92)를 통해 침착 챔버(40)에 퍼지 기체를 공급할 수도 있다. 또한, 별도의 퍼지 기체 공급원(미도시)이 물질 흐름 제어기(80)와 밸브(93)를 통해 침착 챔버(40)에 퍼지 기체를 공급할 수도 있다. 도 1 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 기체 공급원 용기(50)는 조절기(60)와 일련의 밸브(94, 95 및 96)를 통해 침착 챔버(40)에 상기 기체를 공급한다. 다르게는, 상기 기체는 밸브(98)를 통해 시스템 펌프(70)로 보내질 수도 있다. 또한, 침착 챔버(40)는 시스템 펌프(70)에 연결된다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 다른 실시양태에서, 액체 반응물 용기(55)는 밸브(96)를 통해 침착 챔버(70)에 액체 반응물을 공급하거나, 밸브(98)를 통해 시스템 펌프(70)에 액체 반응물을 공급한다. 이 실시양태에서, 퍼지 기체는 물질 흐름 제어기(80)와 밸브(95)를 통해 액체 반응물 용기(55)로 보내진다.
용액 공급원은 실온에서 용액 공급원 용기(10)에 저장될 수 있다. 이 용액 공급원은 하나 이상의 용매에 용해된 ALD 전구체를 포함한다. 상기 전구체는 고체, 액체 또는 기체일 수 있다. 저휘발성 및 넓은 범위의 비점 또는 융점을 갖는 전구체를 비롯한 많은 전구체가 사용될 수 있다. 상기 전구체는 금속 유기물 또는 무기물일 수 있으며, 금속, 산화물, 질화물의 일부, 또는 ALD 공정을 이용하는 다른 유형의 박막을 형성하기에 적합할 수 있다. 용매는 선택된 전구체에 대해 1 M 초과, 0.01 M 초과 또는 0.1 M 초과의 용해력을 가져야 한다. 또한, 용매는 전구체와 유사한 물리적 및 화학적 특성을 가져야 하며, 잔사를 생성하지 않으면서 완전히 기화시키기 위해 전구체와 혼화성인 기화 특성을 갖도록 선택되어야 한다. 용액 공급원 용기(10)는 바람직하게는, 액체 이송, 가압 기체 포트 및 용액 재충전 포트를 위한 딥 튜브를 갖는다.
도 1, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 용액은 펌프(20)를 사용하여 용액 공급원 용기(10)로부터 나오게 된다. 이 펌프(20)는 몇몇 상이한 형태를 취할 수 있다. 바람직하게는, 펌프(20)는 눈금이 있는 모세관 라인의 형태를 취할 수 있으며, 비활성 기체를 사용하는 용액 공급원 용기의 기체 포트를 통해 적용되는 압력에 의해 용액이 모세관 라인으로 들어가게 된다. 비활성 기체는 바람직하게는, 0 내지 50 psig의 범위로 제공된다. 다르게는, 펌프(20)는 액체 물질 흐름 제어기, 액체 펌프 또는 시린지 펌프일 수 있다. 본 발명에 따르면, 용액은 실온에서 기화, 분해 또는 분리 없이 이송된다.
기화기(30)에 제공되는 용액의 양은, 온오프 스위칭 밸브인 밸브(90)에 의해 조절되거나 제어된다. 기화기(30)에 제공되는 용액의 투여량은, ALD 증기 펄스를 위해 필요한 양에 따라 선택되며, ALD 증기 펄스 정지 기간 동안 과도한 용액 전구체 손실을 피하도록 제어된다. 밸브(90)는 ALD 2-포트 밸브이거나, 다르게는 소정의 액체 저장 부피를 가질 수 있다(예컨대, 모세관 저장 튜브를 갖는 HPLC 유형 다중-포트 밸브). 도 3에 나타낸 바와 같이, 투여물 용액은 체크 밸브 또는 주입 노즐(35)에 의해 분리되거나 제어되어, 기화기(30)에 유입되기 전에 투여물 용액이 액상으로 유지되게 한다. 조절 시스템, 예를 들어 밸브(90)는 단열 도관을 사용하여 단열될 수 있다(예컨대, 세라믹 공급물-통과 파이프).
기화기(30)는, 용액 투여물 주입구, 고온의 비활성 기체 주입구 및 고온의 증기 배출구를 포함한다. 기화기는 바람직하게는, 분리 및 분해를 유발하지 않으면서 전구체 투여물 용액이 완전히 기화되게 하는 내부 및 외부 에너지 공급원을 포함한다. 조작 시, 투여물 용액은 기화기(30)에 유입되고, 고온 기화 챔버에서 감압 하에 증기 상으로 기화된다. 상기 전구체의 분압은, 기화기(30) 조작 온도에서 상기 전구체 화합물의 포화 압력 미만으로 유지되어야 한다. 제어된 시간 지연 후, 제어량의 비활성 기체가 물질 흐름 제어기(85)와 밸브(91)를 사용하여 비활성 기체 공급원으로부터 제공된다. 이 비활성 기체는, 고온의 증기 배출구를 통해 기화기(30)로부터 기화된 전구체를 수반한다. 본 발명은, 고온의 증기가 목적하는 농도에서 균일한 기상일 수 있게 한다. 상기 비활성 기체는 바람직하게는, 예를 들어 기화기를 위한 외부 에너지 공급원과의 열 교환에 의해 예비-가열된다. 상기 비활성 기체는 바람직하게는, 용액 투여물 주입구 부근에 주입되어 제트 스트림을 형성한다. 기화기(30)를 위한 내부 및 외부 에너지 공급원은 전기적으로 가열된 표면일 수 있다. 도 1, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 용액 투여물 주입구 및 고온의 비활성 기체 주입구는 기화기(30)의 상부 근처에 위치하고, 고온의 증기 배출구는 기화기(30)의 기저부 근처의 윗부분에 존재한다. 증기를 추가로 정제하기 위해, 비활성 필터 매체가 고온의 증기 배출구에 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 장치를 위한 밸브 시스템은 많은 상이한 유형의 밸브를 사용한다. 특히, 밸브(90, 91 및 95)는 ALD 밸브이며, 밸브(92, 93, 94, 97 및 98)는 계량 밸브이고, 밸브(96)는 온오프 밸브이다. 본 발명의 하나의 이점은, 사용되는 모든 밸브가 실온 액체 또는 기체 밸브라는 것이다. 이것은 빠른 반응 시간 내에 기체 밸브가 온오프 스위칭될 수 있게 한다. 도 1, 도 2 및 도 3은 모두, 비활성 기체를 위한 2개의 개별적인 물질 흐름 제어기를 나타내고 있으며, 적합한 밸브 및 제어를 이용하여 이들을 단일 단위로 결합할 수 있다는 것에 주목해야 한다. 기체 공급원 용기(50) 또는 액체 반응물 용기(55)로부터 제공되는 다른 반응물은 기체 또는 액체 형태, 예를 들어 산소, 공기, 암모니아, 오존, 물, 수소 및 이들의 플라즈마 형태 등일 수 있다.
ALD 침착 챔버(40)는 단일 웨이퍼 또는 웨이퍼들의 배치용으로 제조될 수 있다. 침착 챔버(40)를 위한 전형적인 조작 조건은 0.1 내지 50 토르의 압력, 및 50℃ 내지 800℃의 독립적인 기판 히터이다. 기화기(30)와 침착 챔버(40) 사이에서 연장된 도관은 가열 수단을 포함함으로써, 고온의 증기가 기화기(30)의 온도 이상으로 유지될 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 고온의 증기는 단순한 유동 주입구 또는 샤워 헤드에 의해 침착 챔버로 이송될 수 있다. 또한, 기화기(30)보다 낮은 압력 및 기화 온도보다 낮은 온도에서 침착 챔버(40)를 조작하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면, 고온의 증기 전구체는 침착 챔버(30)의 벽에 대해 최소의 손실을 가지면서 기판으로 향한다.
본 발명에 따른 장치의 조작은 하기와 같이 기술될 수 있다:
ALD 밸브(90, 91 및 95)를 오프 상태로 스위칭하고, 밸브(92, 93)를 통한 비활성 기체의 흐름을 이용하여 시스템을 퍼지시킨다. 이러한 퍼지는 0.1 내지 50초 동안 지속될 수 있다.
ALD 밸브(95)를 개방하여, 기체 공급원 용기(50)(도 1 및 도 3) 또는 액체 반응물 용기(55)(도 2)로부터 침착 챔버로 반응물을 이송한다. 이러한 이송은 0.1 내지 50초 동안 지속될 수 있다.
ALD 밸브(95)를 폐쇄하고, (ALD 밸브(90 및 91)가 폐쇄된 채로) 비활성 기체를 사용하여 0.1 내지 50초 동안 시스템을 다시 퍼지시킨다.
ALD(또는 액체 밸브)(90)를 개방하여 전구체 투여물 용액을 기화기(30)로 이송한다. 이러한 이송은 0.1 내지 50초 동안 연장될 수 있다.
ALD 밸브(90)를 폐쇄하고, (밸브(91 및 95)가 폐쇄된 채로) 비활성 기체를 사용하여 0.1 내지 50초 동안 시스템을 퍼지시킨다.
ALD 밸브(91)를 개방하여 고온의 비활성 기체를 기화기(30)로 이송하고, 이에 따라 고온의 전구체 투여물 증기를 생성하고, 이를 침착 챔버(40)로 이송한다. 이러한 이송은 또한 0.1 내지 50초 동안 수행될 수 있다.
상기 단계들을 반복하여 후속 ALD 층을 생성한다.
본 발명에 따르면, 용액 펄스와 고온 증기의 펄스 사이의 지연 시간, 즉, 제 3 퍼지 단계는 시스템 펌프(70)를 통한 전구체 증기의 손실을 최소화하도록 조정된다. 더욱 특히, 조작 시에는, 심지어 ALD 밸브(90, 91 또는 95)가 개방된 경우에도, 물질 흐름 제어기(80)와 밸브(93), 또는 물질 흐름 제어기(85)와 밸브(92)를 통한 비활성 기체가 시스템을 통해 계속적으로 유동한다. ALD 밸브(90, 91 및 95)가 폐쇄되면, 상기 비활성 기체는, 기화기(30)로부터의 전구체 증기를 차단하고 임의의 과잉의 전구체 증기를 시스템 펌프(70)로 우회하게 하는 확산 장벽을 생성한다. 하지만, ALD 밸브가 개방되면, 예를 들어 ALD 밸브(91)가 개방되면, 생성된 고온의 전구체 증기는, 상기 확산 장벽의 압력을 극복하고 상기 전구체 증기가 침착 챔버(40)로 유입되기에 충분한 압력에서 기화기(30)로부터 나오게 된다. 확산 장벽의 압력은 침착 챔버(40)의 진공 설정에 의해 결정된다.
상기에는 전구체 공급원을 사용하는 ALD 공정을 기술하였지만, 추가적인 공급원이 설치될 수 있다. 예를 들어, 혼합 성분의 ALD 막, 예를 들어 HfAlOx를 형성하기 위해, 하프늄과 알루미늄 둘다를 위한 개별적인 전구체 용액 공급원이 반응물 공급원과 함께 시스템에 포함될 수 있다. 둘 이상의 전구체를 하나의 용액 공급원에서 함께 혼합하는 것이 가능하지만, 개별적인 용액 공급원을 제공하는 것이, 조성 제어에 더 큰 융통성을 부여한다.
전술된 기재에 비추어, 본 발명에 대한 다른 실시양태 및 변형은 숙련가에게 용이하게 명백할 것이며, 마찬가지로, 이러한 실시양태 및 변형도 첨부된 청구의 범위에 기재된 바와 같은 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 의도된다.
Claims (7)
- 전구체 용액 공급원 용기;반응물 공급원;제 1 퍼지 기체(purge gas) 공급원;제 2 퍼지 기체 공급원;상기 전구체 용액 공급원 용기 및 상기 제 1 퍼지 기체 공급원 모두와 유체 연통하는 기화기;상기 반응물 공급원, 상기 제 1 퍼지 기체 공급원, 상기 제 2 퍼지 기체 공급원 및 상기 기화기와 각각 유체 연통하는 침착 챔버; 및상기 반응물 공급원, 상기 기화기 및 상기 침착 챔버 각각과 유체 연통하는 시스템 펌프를 포함하는, 원자 층 침착 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전구체 용액 공급원 용기와 상기 기화기 사이에서 유체 연통된 펌프, 상기 반응물 공급원과 관련된 조절기, 상기 제 1 퍼지 기체 공급원과 관련된 제 1 물질 흐름 제어기, 및 상기 제 2 퍼지 기체 공급원과 관련된 제 2 물질 흐름 제어기를 추가로 포함하는, 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 기화기에 체크 밸브 또는 주입 노즐을 추가로 포함하는, 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반응물 공급원이 기체 용기인, 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 반응물 공급원이 액체 용기인, 장치.
- 제 1 항에 따른 장치를 제공하는 단계;제 1 퍼지 기체 공급원 및 제 2 퍼지 기체 공급원으로부터 퍼지 기체를 침착 챔버를 통해 유동시켜 침착 챔버를 퍼지하는 단계;반응물 공급원으로부터 침착 챔버로 반응물을 이송하는 단계;제 1 퍼지 기체 공급원 및 제 2 퍼지 기체 공급원으로부터 퍼지 기체를 침착 챔버를 통해 유동시켜 침착 챔버를 퍼지하는 단계;전구체 용액 공급원 용기로부터 기화기로 전구체 용액을 이송하는 단계;전구체 용액을 기화시키는 단계;기화된 전구체 용액을 침착 챔버로 이송하는 단계;제 1 퍼지 기체 공급원 및 제 2 퍼지 기체 공급원으로부터 퍼지 기체를 침착 챔버를 통해 유동시켜 침착 챔버를 퍼지하는 단계; 및목적한 두께의 박막이 달성될 때까지 상기 단계들을 반복하는 단계를 포함하는, 박막 침착 방법.
- 제 6 항에 따른 방법에 의해 침착된 박막.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US83255806P | 2006-07-21 | 2006-07-21 | |
| US60/832,558 | 2006-07-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090038461A true KR20090038461A (ko) | 2009-04-20 |
Family
ID=38981960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020097003373A KR20090038461A (ko) | 2006-07-21 | 2007-07-06 | 원자 층 침착용 전구체 용액의 기화 및 이송을 위한 방법 및 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100151261A1 (ko) |
| EP (1) | EP2047009B1 (ko) |
| JP (1) | JP2009544842A (ko) |
| KR (1) | KR20090038461A (ko) |
| TW (1) | TWI427182B (ko) |
| WO (1) | WO2008013665A2 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011011207A2 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Boston Scientific Scimed, Inc. | Medical devices having an inorganic coating layer formed by atomic layer deposition |
| US8628618B2 (en) * | 2009-09-29 | 2014-01-14 | Novellus Systems Inc. | Precursor vapor generation and delivery system with filters and filter monitoring system |
| US20110143035A1 (en) * | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Byoung Ha Cho | Thin Film Deposition System and Method for Depositing Thin Film |
| WO2014039597A2 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | Linde Aktiengesellschaft | Direct liquid injection of solution based precursors for atomic layer deposition |
| US11970772B2 (en) | 2014-08-22 | 2024-04-30 | Lam Research Corporation | Dynamic precursor dosing for atomic layer deposition |
| US11072860B2 (en) | 2014-08-22 | 2021-07-27 | Lam Research Corporation | Fill on demand ampoule refill |
| JP6821327B2 (ja) * | 2015-05-22 | 2021-01-27 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | オンデマンド充填アンプルの補充 |
| JP2024521705A (ja) * | 2021-05-21 | 2024-06-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 大気チャンバから真空チャンバへの一貫した既知の体積の液体金属または金属合金の移送 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3633763B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2005-03-30 | 株式会社荏原製作所 | 気化装置 |
| US6203613B1 (en) * | 1999-10-19 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Atomic layer deposition with nitrate containing precursors |
| WO2003065424A2 (en) * | 2002-01-25 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for cyclical deposition of thin films |
| US6893506B2 (en) * | 2002-03-11 | 2005-05-17 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition apparatus and method |
| JP2003282554A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| TWI277140B (en) * | 2002-07-12 | 2007-03-21 | Asm Int | Method and apparatus for the pulse-wise supply of a vaporized liquid reactant |
| US6921702B2 (en) * | 2002-07-30 | 2005-07-26 | Micron Technology Inc. | Atomic layer deposited nanolaminates of HfO2/ZrO2 films as gate dielectrics |
| KR100513719B1 (ko) * | 2002-08-12 | 2005-09-07 | 삼성전자주식회사 | 하프늄 산화막 형성용 전구체 및 상기 전구체를 이용한하프늄 산화막의 형성방법 |
| WO2004040630A1 (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
| JP4330907B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | 金属酸化膜の製造方法および容量素子の製造方法 |
| JP2004313998A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Ebara Corp | ハロゲン化物の分解装置 |
| US20050070126A1 (en) * | 2003-04-21 | 2005-03-31 | Yoshihide Senzaki | System and method for forming multi-component dielectric films |
| JP4312006B2 (ja) * | 2003-08-25 | 2009-08-12 | 株式会社Ａｄｅｋａ | 希土類金属錯体、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 |
| US7169713B2 (en) * | 2003-09-26 | 2007-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Atomic layer deposition (ALD) method with enhanced deposition rate |
| US20050250347A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-11-10 | Bailey Christopher M | Method and apparatus for maintaining by-product volatility in deposition process |
| KR20060020194A (ko) | 2004-08-31 | 2006-03-06 | 삼성전자주식회사 | Ａｌｄ 박막 증착 장치 및 그를 이용한 증착 방법 |
| KR100636037B1 (ko) * | 2004-11-19 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 티타늄 질화막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
-
2007
- 2007-07-06 KR KR1020097003373A patent/KR20090038461A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-07-06 US US12/374,066 patent/US20100151261A1/en not_active Abandoned
- 2007-07-06 EP EP07796728.9A patent/EP2047009B1/en not_active Not-in-force
- 2007-07-06 WO PCT/US2007/015596 patent/WO2008013665A2/en active Application Filing
- 2007-07-06 JP JP2009520752A patent/JP2009544842A/ja active Pending
- 2007-07-20 TW TW96126673A patent/TWI427182B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200815622A (en) | 2008-04-01 |
| EP2047009B1 (en) | 2016-04-27 |
| WO2008013665A2 (en) | 2008-01-31 |
| EP2047009A2 (en) | 2009-04-15 |
| TWI427182B (zh) | 2014-02-21 |
| US20100151261A1 (en) | 2010-06-17 |
| EP2047009A4 (en) | 2010-05-19 |
| JP2009544842A (ja) | 2009-12-17 |
| WO2008013665A3 (en) | 2008-03-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
| J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20140423 Effective date: 20150623 |