KR20090034379A - 전극 형성용 감광성 도전 페이스트 및 전극 - Google Patents

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아쯔히꼬 사또
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이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니
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Abstract

도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트가 개시된다.
전극, 감광성, 도전 페이스트, 반사율, 자외선 흡수제, 디스플레이

Description

전극 형성용 감광성 도전 페이스트 및 전극{PHOTOSENSITIVE CONDUCTIVE PASTE FOR ELECTRODE FORMATION AND ELECTRODE}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)의 전극에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 본 발명은 광-패턴가능한 페이스트(photo-patternable paste)를 개질하여 노광 관용도(exposure latitude)를 향상시키고 향상된 PDP 품질을 부여하는 기술에 관한 것이다.
PDP에서, 폭이 80 내지 100 ㎛이고 길이가 0.5 내지 1.5 m인 1000개 이상의 전극이 형성되어 있다. 이러한 전극은 결함이 없고 선형성이 탁월한 것이 바람직하다. 전극에 포함되는 도전성 금속 입자용으로 전형적으로 은이 사용된다.
최근, 포토리소그래피가 PDP에서 전극을 형성하는 데 널리 사용되고 있다. 이러한 방법에서는, 광-패턴가능한 페이스트가 먼저 코팅된다. 그리고 나서, 광-패턴가능한 페이스트로 구성된 필름을 노광 및 현상하여 패턴을 형성한다. 최근 수년간 유리 기판 크기의 증가에 수반하여, 노광 동안 근접 노광(proximity exposure)이 사용되게 되었다. 근접 노광은 포토마스크와 노광될 코팅된 필름 사이에 수 백 마이크로미터의 갭을 제공하면서 노광을 수행하는 시스템을 말한다.
광-패턴가능한 페이스트를 사용하는 패턴 형성의 경우에, 프로세스 관용 도(process latitude)를 증가시키는 것이 바람직하다. 노광 조건의 자유도를 증가시키는 것이 바람직하다. 프로세스 관용도가 낮은 경우에, 패턴 형상이 노광 조건에 따라 쉽게 변할 수 있거나, 또는 전극의 폭이 고르지 않게 될 수 있다. 노광 조건에 따른 패턴 형상의 변화에 대한 감광성은 낮은 자유도를 의미하며, 심지어 생산 공정을 제한할 수 있다. 특히, 근접 노광을 수행할 때, 형성되는 전극의 폭은 디자인된 전극 폭보다 큰 경향이 있어 이미지 선명도가 감소되게 된다. 선명도의 이러한 감소를 피하기 위한 대책이 필요하다.
일본 특허 출원 공개 제2003-195487호는 미세하고 예리한 투명 전극을 형성할 목적으로 자외선 흡수제를 첨가하는 기술을 개시한다. 이 공보에 따르면, 자외선 흡수제의 첨가는 페이스트 내에서 노광 광의 산란이 줄어들게 할 수 있다. 자외선 흡수제의 예에는 아조계 염료, 아미노 케톤계 염료, 잔텐계 염료, 퀴놀린계 염료, 안트라퀴논계 염료, 벤조페논계 염료, 다이페닐시아노아크릴레이트계 염료, 트라이아진계 염료 및 p-아미노벤조산계 염료가 포함된다.
그러나, 일본 특허 출원 공개 제2003-195487호에 개시된 것과 같은 염료계 자외선 흡수제가 사용될 경우, 자외선 흡수제 그 자체가 광을 흡수하기 때문에 생성되는 페이스트도 착색된다. 도전 페이스트를 사용하여 PDP를 제조하는 공정에서, 페이스트의 코팅된 상태를 확인하기 위하여 가시광을 사용하여 결함 검사를 빈번하게 수행한다. 이 때, 가시광을 흡수하는 염료가 페이스트에 포함되면, 결함이 존재하지 않는 장소가 검출될 가능성이 있다. 게다가, 자외선 흡수제의 첨가의 결과로서 가시광의 흡광도가 변화될 경우, 광개시제의 효율성에 해로운 영향을 미칠 위험이 있다. 예를 들어, 일부 광개시제는 최대 450 ㎚ 근처의 범위에서 흡광도를 갖기 때문에, 그러한 광개시제를 사용하는 경우 상기 범위에서의 흡광도의 변화는 또한 광개시제의 반사 효율성에 영향을 주게 된다.
발명의 개요
본 발명의 목적은 상기 문제의 발생을 방지할 수 있으면서 한편으로는 또한 고도의 패턴 해상도도 실현하는 수단을 제공하는 것이다.
본 발명은 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 감광성 도전 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 패턴 형성용 감광성 도전 페이스트에 관한 것이다.
게다가, 본 발명은 당해 도전 페이스트를 사용하여 형성된 전극에 관한 것이다.
게다가, 본 발명은 상기한 전극을 갖는 PDP에 관한 것이다.
게다가, 본 발명은 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 감광성 도전 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 코팅하는 단계; 코팅된 도전 페이스트를 건조시키는 단계; 도전 페이스트를 건조시킴으로써 형성된 필름을 포토마스크를 사용하여 노광하는 단계; 노광된 필름을 현상하여 전극 패턴을 얻는 단계; 및 생성된 전극 패턴을 소성하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에서, 자외선 흡수제를 사용함으로써 고도의 패턴 해상도가 달성된다. 더욱이, 자외선 흡수제의 첨가에 의해 야기되는 가시광 범위에서의 페이스트의 광학 특징의 변화가 거의 없다. 따라서, 가시광을 사용한 결함 검사에서의 결함 인식 에러(error)의 발생이 거의 없다.
더욱이, 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 흡광도의 변화를 거의 야기하지 않기 때문에 광개시제의 반응 효율성에 대한 영향이 또한 방지된다.
도 1은 샘플 1을 사용하여 형성시킨 전극 패턴의 일반적 개념(general view)을 예시한 사진.
도 2는 샘플 2를 사용하여 형성시킨 전극 패턴의 일반적 개념을 예시한 사진.
도 3은 샘플 3을 사용하여 형성시킨 전극 패턴의 일반적 개념을 예시한 사진.
도 4는 샘플 4를 사용하여 형성시킨 전극 패턴의 일반적 개념을 예시한 사진.
도 5는 샘플 5를 사용하여 형성시킨 전극 패턴의 일반적 개념을 예시한 사진.
도 6은 샘플 1 내지 샘플 5의 반사율을 도시한 도면.
본 발명의 제1 태양은 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 감광성 도전 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트에 관한 것이다.
본 발명의 페이스트는 광-패턴가능한 페이스트이다. 바꿔 말하면, 페이스트를 코팅하고 이어서 소정의 부위에서 노광한 결과로서 광개시제에 의해 중합이 유도된다. 통상적으로, 자외광이 사용된다. 중합이 진행된 부위와 그렇지 않은 부위 사이의 해상도의 차이를 이용하여 패턴이 형성된다.
감광 공정에서 해상도를 향상시키기 위하여 도전 페이스트 표면층 및 도전 페이스트의 내부에서 광산란이 적은 것이 바람직하다. 도전 페이스트의 표면층 및 내부에서 광산란이 발생하는 경우, 심지어 노광되지 않은 부위에서도 결국 중합이 진행되며, 그럼으로써 패턴 폭이 원하는 폭에서 벗어나게 된다. 극단적인 경우에, 인접 선들이 결국 연결되게 된다.
본 발명에서, 자외선 흡수제가 페이스트에 포함된다. 자외선 흡수제는 페이스트의 표면층 및 내부에서 노광 광의 산란을 방지하며, 그럼으로써 원하는 형상의 패턴, 즉, 고해상도를 갖는 패턴이 형성된다.
자외선 흡수제의 첨가는 노광 조건의 자유도를 증가시킨다. 이러한 이점은 실제 제조 설비에서 대단히 중요하다. 근접 노광을 수행하는 경우에, 자외선 흡수제를 첨가하여 패턴 폭의 증가를 억제하는 것이 특히 효과적이다. 특히 도전성 금속 입자에 있어서 은을 사용하는 것이 근접 노광을 수행하는 경우에 대단히 효과적이다. 은은 광 반사율이 크기 때문에, 근접 노광을 수행한 경우 패턴 폭이 쉽게 증가한다 하더라도, 심지어 은 페이스트를 사용하여 근접 노광을 수행한 경우에도 본 발명을 적용하면 고해상도가 실현된다.
근접 노광을 수행할 때 갭은 특별히 한정되지 않는다. 본 발명은 예를 들어, 150 ㎛ 이상의 근접 노광 또는 300 ㎛ 이상의 근접 노광에 적용될 수 있다.
본 발명에서, 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않는다. 본 명세서에서, "사실상 변화시키지 않는"은 페이스트의 반사 스펙트럼의 형상이 자외선 흡수제의 첨가에 의해 영향을 받지 않음을 의미한다. 변화의 존재 또는 부재는, 예를 들어 자외선 흡수제를 제외하고는 동일한 페이스트를 제조하고, 자외선 흡수제를 포함하지 않는 페이스트의 반사율 (R-이전: %)과 자외선 흡수제를 포함하는 페이스트의 반사율 (R-이후: %) 사이의 반사 스펙트럼을 비교함으로써 비교하여 판단될 수 있다. 더욱 구체적으로는 R-이전과 R-이후 사이의 차이는 전체 가시광 범위에 걸쳐 바람직하게는 5% 미만, 그리고 더욱 바람직하게는 3% 미만이다. 더욱이, 본 발명에서 가시광 범위는 400 내지 700 ㎚ 범위를 말한다.
본 발명에서 광학 특징을 평가하는 기준으로서 반사율을 사용하는 이유는 결함 검사 장비에서 반사광을 사용하여 결함이 탐지되기 때문이다.
이러한 유형의 자외선 흡수제의 사용은 자외선 흡수제에 의해 야기되는 결함 검사에서의 인식 에러를 방지한다. 게다가, 자외선 흡수제의 첨가에 수반되는 가시광 범위에서의 광학 특징의 변화의 양이 적기 때문에, 광개시제의 반응 효율성의 영향이 또한 방지된다.
계속하여, 전극 형성용 감광성 도전 페이스트의 구성 성분에 대한 설명이 순차적으로 제공된다. 하기에 표시된 성분들을 자외선 흡수제 이외의 성분용으로 사용할 수 있다. 그러나, 표시된 성분들은 단지 예일 뿐이며, 다른 성분들이 또한 사용될 수 있다. 게다가, 상기 성분들은 새로 개발된 성분들로 또한 대체될 수 있거나, 또는 새로 개발된 성분들이 첨가될 수 있다.
(A) 도전성 금속 입자
도전성 금속 입자는 본 발명의 페이스트로부터 형성된 전극에 도전성을 부여한다. 그러한 도전성 금속에는 금, 은, 백금, 팔라듐, 구리 및 그 조합이 포함된다. 원형 입자 및 플레이크(막대형, 원뿔형 및 판형)를 포함하는 실질적으로 임의의 형태의 금속 분말을 본 발명의 조성물에 사용할 수 있다. 바람직한 금속 분말은 금, 은, 팔라듐, 백금, 구리 및 그 조합을 포함하는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직한 금속 분말은 은이다. 은은 통상적으로 입수가능하며 저렴하다. 은의 소결 온도는 금과 같은 다른 금속과 비교하여 상대적으로 낮다. 더욱이, 공기 조건과 같은 산소-함유 분위기 하에서 은 금속을 소결하는 것이 가능하다. 입자는 원형인 것이 바람직하다. 적어도 80 중량%의 도전성 금속 입자가 0.5-10 ㎛의 범위에 속하는 것이 바람직하다.
전체 페이스트 중량을 기준으로, 도전성 금속 입자 함량은 전형적으로 50-80 중량%이다.
(B) 유리 바인더(유리 프릿(glass frit))
본 발명에 사용되는 유리 바인더(유리 프릿)는 도전성 성분 입자의 소결을 촉진한다.
환경적인 관점에서, 본 발명에서 사용되는 유리 바인더는 바람직하게는 무연 및 무카드뮴 Bi계 비결정성, 저융점 유리 바인더이다. 다른 무연, 저융점 유리는 P계 또는 Zn-B계 조성물이다. 그러나, P계 유리는 내수성이 양호하지 못하며, Zn-B 유리는 비결정성 상태로 얻기 어렵고 따라서 Bi계 유리가 바람직하다. Bi 유리는 알칼리 금속을 첨가하지 않고 상대적으로 낮은 융점을 갖도록 제조될 수 있으며, 분말의 제조에서 문제가 거의 없다. 본 발명에서는, 하기 특성을 갖는 Bi 유리가 가장 바람직하다.
유리 조성물의 바람직한 실시 형태가 하기에 설명되어 있다. 그러나, 본 발명은 하기의 특정 조성물에 한정되지 않는다.
(I) 유리 조성물
55-85 중량% Bi2O3
0-20 중량% SiO2
0-5 중량% Al2O3
2-20 중량% B2O3
0-20 중량% ZnO
0-15 중량% BaO, CaO, 및 SrO로부터 선택된 하나 이상의 산화물(산화물 혼합물의 경우에, 최대 총계는 15 중량% 이하임)
0-3 중량% Na2O, K2O, Cs2O 및 Li2O로부터 선택된 하나 이상의 산화물(산화물 혼합물의 경우에, 최대 총량은 3 중량% 이하임).
전체 페이스트 중량을 기준으로, 유리 바인더 함량은 전형적으로 1-10 중량%이다. 유리 바인더 함량이 너무 적을 때에는 기판에 대한 접합이 약하다.
(C) 단량체
본 발명에서 사용되는 단량체 성분은 적어도 하나의 중합성 에틸렌기를 포함하는 화합물 및 적어도 하나의 부가-중합성 에틸렌계 불포화기를 포함하는 화합물을 포함한다. 단량체는 노광에 의해 중합될 수 있다.
이러한 화합물들의 사슬-연장 부가 중합은 자유 라디칼에 의해 유도된다. 단량체 화합물은 기체가 아닌데, 즉, 비등점이 100℃보다 높다. 단량체 화합물은 유기 중합체 바인더에 가소화 효과를 나타낸다.
단독으로 또는 다른 단량체와 조합하여 사용할 수 있는 바람직한 단량체에는 t-부틸 (메트)아크릴레이트, 1,5-펜탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, N,N-다이메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 다이에틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 헥사메틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,3-프로판다이올 다이(메트)아크릴레이트, 데카메틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,4-사이클로헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, 2,2-다이메틸올프로판 다이(메트)아크릴레이트, 글리세롤 다이(메트)아크릴레이트, 트라이프로필렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 글리세롤 트라이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 미국 특허 제3,380,381호에 기재된 화합물들, 2,2-다이(p-하이드록시페닐)프로판 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 트라이에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌 -1,2-다이(p-하이드록시에틸)프로판 다이메타크릴레이트, 비스페놀 A 다이[3-(메트)아크릴로일옥시-2-하이드록시프로필] 에테르, 비스페놀 A 다이[2-(메트)아크릴로일옥시에틸] 에테르, 1,4-부탄다이올 다이(3-메타크릴로일옥시-2-하이드록시프로필) 에테르, 트라이에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트, 폴리옥시포르필트라이메틸올프로판 트라이아크릴레이트, 부틸렌 글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 1,2,4-부탄다이올 [원문대로] 트라이(메트)아크릴레이트, 2,2,4-트라이메틸-1,3-펜탄다이올 다이(메트)아크릴레이트, 1-페닐에틸렌 1,2-다이메타크릴레이트, 다이알릴 푸마레이트, 스티렌, 1,4-벤젠다이올 다이메타크릴레이트, 1,4-다이아이소프로페닐벤젠, 및 1,3,5-트라이아이소프로페닐벤젠 [(메트)아크릴레이트는 아크릴레이트와 메타크릴레이트 둘 모두를 의미함]이 포함된다.
분자량이 300 미만인 에틸렌계 불포화 화합물, 예를 들어, 1-10개의 에테르 결합-함유 C2-15 알킬렌 글리콜과 같은 알킬렌 글리콜 또는 폴리알킬렌 글리콜로부터 제조된 알킬렌 또는 폴리알킬렌 글리콜 다이아크릴레이트, 및 말단 부가-중합성 에틸렌 결합을 포함하는 것들과 같이 미국 특허 제2,927,022호에 기재된 것들이 유용하다.
다른 바람직한 단량체는 폴리옥시에틸렌화된 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 에틸화된 펜타에리트리톨 아크릴레이트, 트라이메틸올프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 모노하이드록시펜타크릴레이트, 및 1,10-데칸다이올 다이메타크릴레이트이다.
다른 바람직한 단량체는 모노하이드록시폴리카프로락톤 모노아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 다이아크릴레이트(분자량: 약 200), 및 폴리에틸렌 글리콜 다이메타크릴레이트(분자량: 약 400)이다. 불포화 단량체 성분 함량은 건조 광중합성 층의 전체 중량을 기준으로 1-20 중량%이다.
다른 유용한 단량체가 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제5,032,490호에 개시되어 있다.
전체 페이스트 중량을 기준으로, 단량체 함량은 전형적으로 약 3-10 중량%이다.
(D) 광개시제
적합한 광개시제는 열적으로 불활성이지만 185℃ 미만의 온도에서 화학 방사선에 노광시 자유 라디칼을 생성한다. 이러한 광개시제는 콘쥬게이트된 탄소 고리 시스템 내에 2개의 분자내 고리를 갖는 화합물이며, (비)치환된 다핵 퀴닌, 예를 들어, 9,10-안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트렌퀴논, 벤즈[a]안트라센-7,12-다이온, 2,3-나프타센-5,12-다이온, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 1,4-다이메틸안트라퀴논, 2,3-다이메틸안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-다이페닐안트라퀴논, 레텐퀴논 [음역], 7,8,9,10-테트라하이드로나프타센 -5,12-다이온, 및 1,2,3,4-테트라하이드로벤즈[a]안트라센-7,12-다이온을 포함한다. 다른 유용한 광개시제가 미국 특허 제2,760,863호에 기재되어 있다[물론, 일부는 비시날 케탈도닐 알코올, 예를 들어, 벤조인 및 피발로인; 벤조인 메틸 또는 에틸 에테르와 같은 아실로인 에테르; α-메틸벤조인, α-알릴벤조인, α-페닐벤조인, 티오잔톤 및 그 유도체, 수소 공여체, 탄화수소-치환된 방향족 아실로인 등과 같이 85℃의 저온에서 열적으로 활성임].
전체 페이스트 중량을 기준으로, 광개시제 함량은 전형적으로 약 5-15 중량%이다.
(E) 유기 중합체 바인더
중합체 바인더는 본 발명의 조성물에서 중요하며, 당해 수성 현상성(water developability) 및 고해상도를 고려하여 선택되는 것이 바람직하다. 그러한 요건은 하기 바인더에 의해서 충족된다. 그러한 바인더는 (1) C1-10 알킬 아크릴레이트, C1-10 알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 치환된 스티렌 또는 그 조합과 같은 비-산성 공단량체, 및 (2) 에틸렌계 불포화 카르복실산을 전체 중합체 중량의 적어도 15 중량%로 포함하는 산성 공단량체로부터 제조된 공중합체 및 혼성중합체(혼합된 중합체)일 수 있다.
그러한 산성 작용기를 사용하여, 0.4 중량%의 탄산나트륨 수용액과 같은 수성 염기에서 현상이 가능하다. 산성 공단량체 함량이 15 중량% 미만인 경우, 조성물이 수성 염기에 의해서 완전히 세척되지 않을 수 있다. 산성 공단량체 함량이 30%보다 큰 경우, 조성물은 현상 조건 하에서 안정성이 낮고 이미지 영역이 단지 부분적으로 현상된다. 적합한 산성 공단량체는 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등과 같은 에틸렌계 불포화 모노카르복실산; 푸마르산, 이타콘산, 시트라콘산, 비닐석신산, 말레산 등과 같은 에틸렌계 불포화 다이카르복실산, 이들의 하프 에스테르(헤미에스테르)뿐만 아니라 때로 이들의 무수물 및 혼합물일 수 있다. 저-산소 분위기 하에서의 깨끗한 연소를 위하여, 메타크릴 중합체가 아크릴 중합체에 비하여 바람직하다.
비-산성 공단량체가 상기에 기재된 알킬 아크릴레이트 또는 알킬 메타크릴레이트일 때, 중합체 바인더 중의 비-산성 공단량체 함량은 전형적으로 적어도 50 중량%, 바람직하게는 70-75 중량%인 것이 바람직하다. 비-산성 공단량체가 스티렌 또는 치환된 스티렌일 때, 중합체 바인더 중의 비-산성 공단량체 함량은 전형적으로 50 중량%인 것이 바람직하며, 나머지 50 중량%는 말레산 무수물 헤미에스테르와 같은 산 무수물이다. 바람직한 치환된 스티렌은 α-메틸스티렌이다.
바람직하지는 않지만, 중합체 바인더의 비-산성 부분은 중합체의 알킬 아크릴레이트, 알킬 메타크릴레이트, 스티렌, 또는 치환된 스티렌 부분을 대신하는 약 50 중량% 미만의 다른 비-산성 공단량체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 이들은 아크릴로니트릴, 비닐 아세테이트, 및 아크릴아미드를 포함한다. 그러나, 그러한 경우에, 완전한 연소가 더욱 어려우며, 따라서 그러한 단량체의 함량은 전체 중합체 바인더 중량의 약 25 중량% 미만이어야 한다. 바인더는 상기에 기재된 다양한 표준을 충족시키는 단일 공중합체 또는 공중합체들의 조합으로 이루어질 수 있다. 상기에 기재된 공중합체 외에, 다른 예에는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 폴리아이소부틸렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등과 같은 폴리올레핀뿐만 아니라 폴리에틸렌 산화물을 포함하는 저급 알킬렌 산화물 중합체와 같은 폴리에테르가 포함된다.
이러한 중합체는 아크릴산 에스테르 중합 분야에서 통상적으로 사용되는 용액 중합 기술에 의해 제조될 수 있다.
전형적으로, 상기에 기재된 산성 아크릴산 에스테르 중합체는 비등점이 상대적으로 낮은 (75-150℃) 유기 용매 중에서 α- 또는 β-에틸렌계 불포화 산(산성 공단량체)을 하나 이상의 공중합성 비닐 단량체(비-산성 공단량체)와 혼합하여 10-60% 단량체 혼합물 용액을 얻은 다음, 단량체에 중합 촉매를 첨가한 후 중합하여 얻을 수 있다. 생성된 혼합물을 주변 압력 하에 용매의 환류 온도에서 가열한다. 중합 반응의 완료 후에, 생성된 산성 중합체 용액을 실온으로 냉각한다. 샘플을 회수하고 중합체 점도, 분자량 및 산당량을 측정한다.
상기에 기재된 산-함유 중합체 바인더는 분자량이 50,000 미만인 것이 바람직하다.
그러한 조성물을 스크린 인쇄로 코팅하는 경우, 중합체 바인더는 Tg(유리 전이 온도)가 60℃를 초과하는 것이 바람직하다.
전체 페이스트 중량을 기준으로, 중합체 바인더 함량은 전형적으로 10-30 중량%이다.
(F) 유기 매질
유기 매질은 미세하게 분말화된 조성물을 포함하는 분산물을 세라믹 및 다른 기판 상에 쉽게 코팅하기 위하여 주로 사용된다. 따라서, 첫째로, 유기 매질은 고체 성분을 안정한 방식으로 분산시킬 수 있는 것이 바람직하며, 둘째로, 유기 매질의 유동 특성은 분산물에 양호한 코팅성(coatability)을 부여한다.
유기 매질에서, 용매 혼합물일 수 있는 용매 성분은 중합체 및 다른 유기 성분들의 완전한 용해가 가능한 것들로부터 선택되는 것이 바람직하다. 용매는 페이스트 조성물 성분에 대하여 불활성(반응성이 아님)인 것들로부터 선택된다. 용매는 휘발성이 충분히 크며 따라서 심지어 주변 압력 하에 상대적으로 저온에서 코팅될 때에도 분산물로부터 잘 증발되는 것들로부터 선택되는 반면, 인쇄 공정의 경우에는, 실온에서 스크린 상에서 페이스트의 신속한 건조를 야기하며 휘발성이 너무 크지 않은 것이 바람직하다. 페이스트 조성물 중에 유리하게 사용될 수 있는 용매는 주변 압력 하에 비등점이 300℃ 미만, 바람직하게는 250℃ 미만인 것이 바람직하다. 그러한 용매는 지방족 알코올 또는 그의 에스테르, 예를 들어 아세트산 에스테르 또는 프로피온산 에스테르; 테르펜, 예를 들어 송진, α- 또는 β-테르피네올, 또는 그 혼합물; 에틸렌 글리콜, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 및 에틸렌 글리콜 에스테르, 예를 들어 부틸 셀로솔브(Cellosolve) 아세테이트; 부틸 카르비톨(Carbitol) 및 카르비톨 에스테르, 예를 들어 부틸 카르비톨 아세테이트 및 카르비톨 아세테이트; 텍사놀(Texanol) (2,2,4-트라이메틸-1,3-펜탄다이올 모노아이소부티레이트), 및 다른 적합한 용매일 수 있다.
전체 페이스트 중량을 기준으로, 유기 매질 함량은 전형적으로 약 20-40 중량%이다.
(G) 자외선 흡수제
이전에 설명된 바와 같이, 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않는 자외선 흡수제가 사용된다. 자외선 흡수제는 바람직하게는 유기 화합물이다. 유기 화합물의 사용은, 전극의 전기적 특징이 자외선 흡수제의 첨가에 의해 영향을 받지 않도록 하는 것을 가능하게 하며, 그 이유는 유기 화합물이 사라져서 소결 공정에서 전극에 남아있지 않기 때문이다.
자외선 흡수제의 구체예에는 벤조트라이아졸 유도체 및 하이드록시페닐트라이아진 유도체가 포함된다. 이들 자외선 흡수제는 소결 이후 전극의 도전성에 거의 영향을 주지 않는다. 또한, 구매가능한 화합물이 자외선 흡수제용으로 사용될 수 있다. 사용될 수 있는 구매가능한 화합물의 예로는 시바(Ciba)에 의해 제조된 티누빈(Tinuvin)(등록상표) 109가 있다.
첨가되는 자외선 흡수제의 양은 바람직하게는 사용되는 자외선 흡수제에 따라 제어된다. 자외선 흡수제에 의한 자외선 흡수 효과가 과도하게 큰 경우에, 노광 광이 코팅된 페이스트 밑에 충분히 도달할 수 없으며 그럼으로써 원하는 크기에서 벗어난 패턴 형상의 위험성으로 이어지게 된다. 반대로, 첨가량이 불충분한 경우, 자외선 흡수제의 효과가 충분히 얻어질 수 없게 될 위험성이 있다. 이들 요인을 고려하면, 최적량은 사용되는 자외선 흡수제에 상응하여 결정된다.
예를 들어, 첨가되는 벤조트라이아졸 유도체의 양은 전체 페이스트 중량을 기준으로 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 0.15 내지 0.25 중량%이다. 첨가되는 하이드록시페닐트라이아진 유도체의 양은 바람직하게는 0.2 내지 1.0 중량%, 그리고 더욱 바람직하게는 0.3 내지 0.5 중량%이다.
(H) 추가적인 성분들
분산제, 안정제, 가소제, 이형제, 박리제(stripping agent), 소포제, 습윤제 등이 당업계에 알려져 있다. 통상적인 재료들이 본 명세서에 참고로 포함된 미국 특허 제5,032,490호에 개시된다.
본 발명의 페이스트는 전극을 형성하는 데 사용된다. 예를 들어, 이는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전극을 형성하는 데 사용된다. PDP는 후방 패널 전극 및 전방 패널 전극을 갖지만, 본 발명은 이들 중 어느 하나에 적용될 수 있다. PDP 구조 및 PDP 제조 방법에 대해서는 알려진 기술이 적용될 수 있기 때문에, 본 명세서에서는 이의 설명은 생략된다.
본 발명의 제2 태양은 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 감광성 도전 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 코팅하는 단계; 코팅된 도전 페이스트를 건조시키는 단계; 도전 페이스트를 건조시킴으로써 형성된 필름을 포토마스크를 사용하여 노광하는 단계; 노광된 필름을 현상하여 전극 패턴을 얻는 단계; 및 생성된 전극 패턴을 소성하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법이다.
통상적인 도전 페이스트를 사용하여 전극을 형성하는 방법은 공지된 기술이지만, 하기는 그의 개요의 간략한 설명을 제공한다.
첫째, 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 감광성 도전 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 코팅한다. 도전 페이스트는 이전에 설명된 바와 같기 때문에, 여기서는 그 설명을 생략한다.
도전 페이스트가 코팅되는 기판은 응용에 상응하도록 선택될 수 있다. 예를 들어, PDP의 후방 패널 전극을 형성하는 경우에, 당해 페이스트는 후방 유리 패널 상에 코팅된다. 전체 표면을, 예를 들어, 코팅 동안 스크린 인쇄로 코팅한다.
다음으로, 코팅된 도전 페이스트를 건조시킨다. 도전 페이스트가 건조될 수 있다면 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 도전 페이스트는 예를 들어 100℃에서 10 내지 20분간 건조될 수 있다. 게다가, 예를 들어, 컨베이어형 적외선 건조기를 사용하여 건조를 수행할 수 있다. 건조 후 전극 두께는 PDP에서 보통 8 내지 10 ㎛이다.
건조된 도전 페이스트의 필름을 포토마스크를 사용하여 노광한다. 포토마스크는 형성하기를 원하는 전극 패턴을 가지며, 광은 포토마스크를 통한 노광에 의해 원하는 패턴 상으로 조사된다. 노광 동안 사용되는 광의 파장은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 i-선 (365 ㎚)이 사용될 수 있다. 노광 조건은 사용되는 페이스트의 성분, 그의 필름 두께 등에 따라 달라진다. 노광 수준은 특별히 한정되지 않지만, 보통 100 내지 1000 mJ/㎠이다.
본 발명에서, 필름을 노광하는 단계는 바람직하게는 근접 노광하는 것이다. 근접 노광에서 자외선 흡수제에 의해 얻어지는 효과는 중요하다. 본 발명의 효과는 300 ㎛ 이상의 갭의 근접 노광의 경우에 특히 중요하다. 게다가, 이전에 설명한 바와 같이, 본 발명은 도전성 금속 입자용으로 은을 사용하는 경우에 중요하다.
계속하여, 패턴을 노광된 필름을 현상하여 얻는다. 현상은 알칼리 용액을 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 0.4% 탄산나트륨 수용액을 알칼리 용액용으로 사용할 수 있다. 이러한 유형의 알칼리 용액을 기판 상의 필름 상에 분무하는 것, 또는 노광된 필름을 갖는 기판을 알칼리 용액에 침지시키는 것과 같은 수단을 사용하여 현상된 전극 패턴을 얻을 수 있다.
마지막으로, 현상된 전극 패턴을 소성한다. 소성은 소정의 온도 프로파일을 갖는 소성 오븐 중에서 수행될 수 있다. 소성 동안 최대 온도는 바람직하게는 400 내지 600℃, 그리고 더욱 바람직하게는 500 내지 600℃이다. 소성 시간은 바람직하게는 1 내지 3시간이다. 소성 후, 냉각에 의해서 원하는 패턴을 갖는 전극을 얻는다. 건조 후 전극의 두께는 보통 4 내지 5 ㎛이다.
1. 자외선 흡수제의 효과의 확인
실시예 1
알칼리 수용액으로 현상할 수 있는 유기 수지 바인더 (메틸 메타크릴레이트 및 메타크릴산의 공중합체, 산가: 120 ㎎KOH/g, 중량 평균 분자량: 6400) 8 중량부, 광개시제(2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온과 에틸-4-다이메틸아미노벤조에이트의 1:1 혼합물) 1.2 중량부, 감광제(2,4-다이에틸티오잔톤) 0.5 중량부, 증점제 (폴리비닐 피롤리돈과 비닐 아세테이트의 공중합체) 0.3 중량부, 및 열적 중합 개시제(1,4,4-트라이메틸-2,3-다이아조바이사이클로 [3.2.2]논-2-엔-N,N'-다이옥사이드) 0.02 중량부를 유기 매질(텍사놀) 16 중량부 중에 용해하였다. 반응성 단량체(트라이메틸올 프로판 트라이아크릴레이트) 6 중량부, 점도 안정제 (말론산) 0.2 중량부, 유리 바인더(연화점: 550℃, 평균 입자 직경: 0.8 ㎛, Bi2O3-SiO2-B2O3) 2.2 중량부 및 은 입자 형태의 도전성 금속 입자(비표면적: 0.5 ㎡/g) 66 중량부를 이 용액에 첨가하여 교반시켰다. 그 후, 이 혼합물을 3-롤 믹서로 혼련하여 페이스트로 형성하였다. 1 중량부의 자외선 흡수제 (시바(등록상표): 티누빈(등록상표) 109, 옥틸-3-[3-tert-부틸-4-하이드록시-5-(5-클로로-2H-벤조트라이아졸- 2-일)페닐]프로피오네이트 및 2-에틸헥실-3-[3-ter-부틸-4- 하이드록시-5-(클로로-2H-벤조트라이아졸-2-일)페닐]프로피오네이트의 1:1 혼합물)를 생성된 페이스트에 첨가하고, 이어서 교반시켜 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 이 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않는 자외선 흡수제이다.
실시예 2
자외선 흡수제용으로 티누빈(등록상표) 400 (시바(등록상표), 2-(2H-벤조트라이아졸-2-일)-6-(1-메틸-1-페닐에틸)-4-(1,1,3,3-테트라메틸부틸)페놀)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 방식으로 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다. 이 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않는 자외선 흡수제이다.
비교예 1
자외선 흡수제를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다.
평가
하기 공정 조건 하에 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1의 페이스트를 사용하여 PDP 전극을 제조하고 이어서 그 특징을 평가하였다. 그 결과가 표 1에 나타나 있다. 표 1에는 300 ㎛의 갭으로 근접 노광을 수행한 경우의 선폭과 500 ㎛의 갭으로 근접 노광을 수행한 경우의 선폭 사이의 차이가 나타나 있다.
i) 코팅: 5 ㎝ × 7.5 ㎝ 치수의 고왜점(high strain point) 유리 기판 상에 400 스테인리스 강 메시 스크린으로 인쇄하여 코팅을 수행하였다.
ii) 건조: IR 오븐 내에서 100℃의 온도로 15분간 유지하여 건조를 수행하였다.
iii) 노광: 300 ㎛ 및 500 ㎛의 오프-컨택량(off contact amount)으로 이루어진 2가지의 세트의 조건 하에 광원용 고압 수은 램프를 구비한 자외선 노광 장치를 사용하여 근접 노광을 수행하였다. 10 ㎛ 내지 80 ㎛의 선의 군(group)을 갖는 네가티브 마스크를 포토마스크용으로 사용하였다. 누적 노광 수준은 600 mJ/㎠이었다.
iv) 현상: 컨베이어형 현상기를 사용하여 30℃의 온도로 유지된 0.4% 탄산나트륨 수용액 중에서 17초간 현상을 수행하였다. 현상 시간(17초)은 비노광 부분으 로부터 필름을 제거하는 데 필요한 시간(중단)의 양의 대략 2배가 되게 하였다.
v) 광학 현미경 유형의 길이 측정 기기를 사용하여 현상된 선의 해상도 및 선폭을 측정하여 노광 마스크로부터의 선폭 이탈(aberration)을 평가하였다.
Figure 112009008983292-PCT00001
통상적으로, 노광 동안 마스크와 필름 사이의 거리가 비교예 1에서와 같이 증가할 때, 노광 블러링(exposure blurring)이 증가하며, 선폭은 원래의 마스크의 디자인 선폭보다 커지게 된다. 실시예 1에서, 선폭은 마스크와 필름 사이의 거리에 관계없이 일정하게 남아있었다. 게다가, 실시예 2에서도 선폭 변화량이 비교예 1의 선폭 변화량보다 적었다. 이들 결과에 기초하면, 본 발명은 선폭이 거의 증가하지 않음을 시사하였는데, 즉, 근접 노광의 갭이 증가할지라도 생산 공정의 자유도를 향상시킴을 시사하였다.
2. 자외선 흡수제의 첨가량의 영향
실시예 3
자외선 흡수제(티누빈(등록상표) 109, 시바(등록상표))의 양을 0.5 중량부로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다.
실시예 4
첨가하는 자외선 흡수제(티누빈(등록상표) 109, 시바(등록상표))의 양을 0.2 중량부로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다.
실시예 5
첨가하는 자외선 흡수제(티누빈(등록상표) 109, 시바(등록상표))의 양을 0.1 중량부로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다.
실시예 6
첨가하는 자외선 흡수제(티누빈(등록상표) 109, 시바(등록상표))의 양을 0.05 중량부로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 얻었다.
평가
하기 공정 조건 하에 실시예 1, 실시예 3, 실시예 4, 실시예 5 및 실시예 6과 비교예 1의 페이스트를 사용하여 PDP 전극을 제조하고 이어서 그 특징을 평가하였다. 그 결과가 표 2에 나타나 있다.
i) 코팅: 5 ㎝ × 7.5 ㎝ 치수의 고왜점(high strain point) 유리 기판 상에 400 스테인리스 강 메시 스크린으로 인쇄하여 코팅을 수행하였다.
ii) 건조: IR 오븐 내에서 100℃의 온도로 15분간 유지하여 건조를 수행하였다.
iii) 노광: 300 ㎛ 및 500 ㎛의 오프-컨택량(off contact amount)으로 이루어진 2가지의 세트의 조건 하에 광원용 고압 수은 램프를 구비한 자외선 노광 장치를 사용하여 근접 노광을 수행하였다. 10 ㎛ 내지 80 ㎛의 선의 군(group)을 갖는 네가티브 마스크를 포토마스크용으로 사용하였다. 누적 노광 수준은 600 mJ/㎠이었다.
iv) 현상: 컨베이어형 현상기를 사용하여 30℃의 온도로 유지된 0.4% 탄산나트륨 수용액 중에서 17초간 현상(중단의 2배)을 수행하였다.
v) 소성: 롤러 하스식(roller hearth type)의 소성 오븐을 사용하여 580°의 온도에서 10분간 유지함으로써 총 1시간 동안 소성을 수행하였다.
vi) 소성 후 선폭들을 광학 현미경식의 길이 측정 기기를 사용하여 측정하여 수평 방향의 소성 수축 특징을 평가하였다.
vii) 전체의 소성된 선의 단면적을 접촉식 표면 조도 게이지를 사용하여 측정하여 수직 방향의 소성 수축 특징 및 라인 에지들의 왜곡된(warped) 형상을 평가하였다.
Figure 112009008983292-PCT00002
표 2에 나타낸 바와 같이, 자외선 흡수제의 첨가에 의해 증가되는 노광 조건의 자유도를 확인하였다. 더욱이, 자외선 흡수제의 첨가 동안 전기 저항 값에 대한 영향을 확인하기 위하여 실시예와 비교예 사이의 전기 저항 변화를 조사하였지만, 영향은 관찰되지 않았다.
3. 자외선 흡수제의 반사율 평가
페이스트의 반사율에 대한 자외선 흡수제의 영향을 조사하기 위하여 하기 5가지 유형의 샘플을 제조하였다.
샘플 1: 자외선 흡수제 없음
샘플 2: 티누빈(등록상표) 109
샘플 3: 베이직 블루(Basic Blue) 7 (트라이페닐메탄계 청색 염료)
샘플 4: 베이직 블루 41 (아조계 염료)
샘플 5: 베이직 블루 54 (아조계 염료)
각각의 샘플을 사용하여 실시예 1과 동일한 방식으로 전극 패턴을 형성하였다. 전극 패턴의 일반적 개념의 사진이 도 1 내지 도 5에 예시되어 있다. 각각의 페이스트의 반사율이 도 6에 도시되어 있다.
도 1에 예시된 바와 같이, 자외선 흡수제를 포함하지 않는 샘플 1을 사용하여 형성시킨 패턴은 포토마스크 크기보다 훨씬 더 큰 선폭을 보여주었다.
도 2에 예시된 바와 같이, 자외선 흡수제를 포함하는 본 발명의 샘플 2를 사용하여 형성시킨 패턴은 원하는 크기로 형성된 패턴을 보여주었다. 게다가, 패턴은 변색 및 결함이 없는 것으로 확인되었다.
도 3에 예시된 바와 같이, 자외선 흡수제용 염료 (베이직 블루 7)를 포함하는 샘플 3은 유리한 패턴 폭을 보여주었지만, 청색으로 착색되었다. 게다가, 염료 응집의 미소한 영역이 관찰되었다.
도 4에 예시된 바와 같이, 자외선 흡수제용 염료 (베이직 블루 41)를 포함하는 샘플 4는 패턴 폭의 증가를 보여주었다. 더욱이, 두드러진 염료 응집이 확인되었다.
도 5에 예시된 바와 같이, 자외선 흡수제용 염료 (베이직 블루 54)를 포함하는 샘플 5는 패턴 폭의 증가를 보여주었다. 더욱이, 두드러진 염료 응집이 확인되었다.
도 6에 도시된 바와 같이, 샘플 2의 형태의 본 발명의 페이스트는, 자외선 흡수제를 첨가할지라도 가시광 범위에서 페이스트의 반사율의 상당한 변화를 보이지 않았다. 반면에, 염료계 자외선 흡수제를 첨가한 실시예 3 내지 실시예 5에서는 반사 스펙트럼이 상당히 변화하였다.
도 1 내지 도 6은, 본 발명의 페이스트를 사용하면 결함 검사에서 인식 에러가 거의 없을뿐만 아니라 고해상도도 실현될 수 있게 됨을 시사하였다.

Claims (15)

  1. 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트.
  2. 제1항에 있어서, 가시광 범위에서 자외선 흡수제를 포함하지 않는 페이스트의 반사율과 자외선 흡수제를 포함하는 페이스트의 반사율 사이의 차이가 5% 미만인 전극 형성용 감광성 도전 페이스트.
  3. 제1항에 있어서, 가시광 범위에서 자외선 흡수제를 포함하지 않는 페이스트의 반사율과 자외선 흡수제를 포함하는 페이스트의 반사율 사이의 차이가 3% 미만인 전극 형성용 감광성 도전 페이스트.
  4. 제1항에 있어서, 도전성 금속 입자가 금, 은, 팔라듐, 백금, 구리 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트.
  5. 제4항에 있어서, 도전성 금속 입자가 은 입자인 전극 형성용 감광성 도전 페이스트.
  6. 제1항에 있어서, 자외선 흡수제가 벤조트라이아졸 유도체 또는 하이드로페닐트라이아진 유도체인 전극 형성용 감광성 도전 페이스트.
  7. 제1항에 따른 도전 페이스트를 사용하여 형성된 전극.
  8. 제7항에 따른 전극을 갖는 PDP.
  9. 도전성 금속 입자, 유리 바인더, 단량체, 광개시제, 유기 중합체 바인더, 유기 매질 및 자외선 흡수제 - 자외선 흡수제는 가시광 범위에서 페이스트의 반사율을 사실상 변화시키지 않음 - 를 포함하는 전극 형성용 감광성 도전 페이스트를 기판 상에 코팅하는 단계;
    코팅된 도전 페이스트를 건조시키는 단계;
    도전 페이스트를 건조시킴으로써 형성된 필름을 포토마스크를 사용하여 노광하는 단계;
    노광된 필름을 현상하여 전극 패턴을 얻는 단계; 및
    생성된 전극 패턴을 소성하는 단계
    를 포함하는 전극 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 필름을 노광하는 단계가 근접 노광을 사용하는 전극 형성 방법.
  11. 제9항에 있어서, 가시광 범위에서 자외선 흡수제를 포함하지 않는 페이스트의 반사율과 자외선 흡수제를 포함하는 페이스트의 반사율 사이의 차이가 5% 미만인 전극 형성 방법.
  12. 제9항에 있어서, 가시광 범위에서 자외선 흡수제를 포함하지 않는 페이스트의 반사율과 자외선 흡수제를 포함하는 페이스트의 반사율 사이의 차이가 3% 미만인 전극 형성 방법.
  13. 제9항에 있어서, 도전성 금속이 금, 은, 팔라듐, 백금, 구리 및 그 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전극 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 도전성 금속 입자가 은 입자인 전극 형성 방법.
  15. 제9항에 있어서, 자외선 흡수제가 벤조트라이아졸 유도체 또는 하이드로페닐트라이아진 유도체인 전극 형성 방법.
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