KR20090033879A - 감지를 위한 기준을 사용하는 메모리 회로 - Google Patents

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KR20090033879A
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존 에스. 초이
타미나 악터
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프리스케일 세미컨덕터, 인크.
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Abstract

메모리(12)는 복수의 메모리 셀(12)과, 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나에 연결된 감지 증폭기(18)와, 복수의 선택가능한 온도 의존 전류원(52-62)을 포함하여 온도 의존 전류를 생성하는 온도 의존 전류 생성기(26)와, 복수의 선택가능한 온도 독립 전류원(70, 72, 74)을 포함하여 온도 독립 전류를 생성하는 온도 독립 전류 생성기(28)와, 온도 의존 전류 생성기(26) 및 온도 독립 전류 생성기(28)에 연결되며, 온도 의존 전류 및 온도 독립 전류를 결합시켜 감지 증폭기(18)에 의해 사용되는 기준 전류를 생성하는 합산기(30)를 포함한다. 기준 전류의 온도 계수는 복수의 메모리 셀 중 적어도 하나의 메모리 셀 전류의 온도 계수와 대략 동일하다.
Figure P1020097001640
메모리, 셀, 감지 증폭기, 온도 의존, 온도 독립, 온도 계수

Description

감지를 위한 기준을 사용하는 메모리 회로{MEMORY CIRCUIT USING A REFERENCE FOR SENSING}
본 발명은 메모리 회로(memory circuit)에 관한 것으로, 특히, 기준(reference)을 사용하여 메모리 회로 내의 메모리 셀의 로직 상태(logic state)를 감지하는 것에 관한 것이다.
NVM(nonvolatile memories)에서, 감지를 위한 전형적인 기준은 메모리의 어레이 내에서 사용되는 메모리 셀과 동일한 방식으로 구성된 하나 이상의 메모리 셀에 기초한다. 이는 상기 어레이의 메모리 셀의 특성을 추적하는데 유리하다. 한가지 어려움은 기준 셀(reference cells)의 상태를 교란하는 데 있다. 기준 셀은 통상 프로그램 및 소거로 나누어질 것으로 예상된다. 그런 다음, 이 프로그램된 셀 및 소거된 셀이 상기 기준을 생성할 때 사용될 것이다. 이 기준 셀이 교란되어 전자를 잃을 경우에는 기준이 변해서 기준의 유효성이 감소된다.
따라서, 쉽게 교란되지 않는 기준을 사용하여 감지하는 것이 바람직하다.
도 1은 본 발명의 실시에에 따른 메모리의 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 1의 메모리의 부분 및 테스터의 블럭도 이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2에 도시된 메모리의 대부분의 블럭도이다.
본 발명의 구체적인 목적 및 이점은 후속하는 도면이 첨부된 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명으로부터 당업자에게 명백할 것이다.
일 양태에서, 메모리는 온도 독립 전류와 온도 의존 전류의 결합으로부터 생성되는 기준을 사용하는 감지 증폭기를 갖는다. 메모리 셀은 전류가 온도에 따라 증가하는 도메인(domain)에서 바이어스된다. 마찬가지로, 온도 의존 전류는 온도가 증가함에 따라 증가한다. 온도 독립 전류는 온도 의존 전류에 가산되어, 메모리 셀 전류와 동일한 레이트로 변하는 결합 전류(combination current)를 이룬다. 따라서, 결합 전류는 메모리 셀의 온도의 효과를 트래킹한다. 결합 전류는 원하는 바이어스 레벨을 이루도록 스케일링되고, 메모리 셀의 로직 상태를 감지할 때 사용되는 감지 증폭기용 기준 전류로서 사용된다. 이는 도면과 후속하는 구제적 실시예를 참조하면 더 잘 이해될 것이다.
실시예
도 1에는, 비휘발성 메모리 셀의 메모리 어레이(12), 어레이(12)에 연결되고 로우 어드레스를 수신하는 로우 디코더(14), 어레이(12)에 연결되고 컬럼 어드레스를 수신하는 컬럼 디코더(16), 컬럼 디코더(16)에 연결된 감지 증폭기(18), 감지 증폭기(18)에 연결되고 출력 신호 DO를 공급하는 출력 버퍼, 및 감지 증폭기(18)에 연결되고 기준 젼류 Iref를 생성하는 기준 생성기(22)를 포함하는 메모리 회로(10)가 도시되어 있다. 이 예에서, 어레이(12)의 메모리 셀은 플로팅 게이트 메모리 셀이고, 메모리(10)는 플래시 메모리인 것이 바람직하다. 기준 생성기(22)는, 어레이(12) 내에 있는 유형의 메모리 셀을 사용할 필요 없이, 온도에 대해 어레이(12)의 메모리 셀을 트래킹하는 기준 전류 Iref를 제공한다. 동작시, 메모리 셀은, 로우 어드레스에 의해 워드 라인이 선택되도록 하는 로우 디코더와 컬럼 어드레스에 의해 선택된 비트 라인을 감지 증폭기(18)에 연결시키는 컬럼 디코더(16)에 의한 감지를 위해 선택된다. 선택된 워드 라인과 선택된 비트 라인의 교차점에서의 메모리 셀이 감지 증폭기(18)에 의해 감지된다. 감지 증폭기(18)는 선택된 메모리 셀의 전류를 기준 전류 Iref와 비교하여, 선택된 메모리 셀의 로직 상태, 즉 프로그램 상태 또는 소거 상태인지를 판정한다. 출력 버퍼(20)는 감지 증폭기(18)에 의해 감지된 로직 상태를 나타내는 로직 상태에서 출력 신호를 공급한다.
도 2에는, 메모리 외부에 있는 테스터(tester)(24)와 기준 생성기(22)가 더 상세히 도시되어 있다. 기준 생성기(22)는 입력 TD에 의해 선택된 출력 전류 Itd를 생성하는 온도 의존 전류원(temperature dependent current source: TDCS)(26), 입력 Ti에 의해 선택된 출력 전류 Iti를 생성하는 온도 독립 전류원(temperature independent current source: TICS)(28), 전류 Itd 및 Iti를 합해서 전류 I30을 제공하는 합산기(30), 기준 전류 Iref를 출력으로서 공급하고, 테스트 기준 전류 Ireft를 공급하며, 전류 스케일러(32)의 스케일링을 선택하는 전류 스케일러 신호 CS를 수신하는 전류 스케일러(32), 및 테스트 기준 전류 Ireft를 수신하고, 외부 전류 Iext를 수신하며, 외부 전류 Iext와 테스트 기준 전류가 일치하는 것을 나타내기 위한 출력을 제공하는 비교기(34)를 포함한다. 테스터(24)는 비교기(34)의 출력에 연결되는 입력을 가지며, 전류 스케일러 신호 CS를 전류 스케일러(32)에 공급한다. 테스터(24)는, 외부 전류 Iext와 테스트 기준 전류 Ireft가 일치할 때까지, 전류 스케일러 신호 CS를 조정한다. 전류 스케일러(32)는 전류 기준 Iref를 감지 증폭기(18)에 제공한다. 테스트 기준 전류 Ireft와 기준 전류 Iref는 동일한 크기(magnitude) 또는 정배수(precise multiple)인 것이 바람직하다. 따라서, 테스터(24)는 외부 전류 Iext로 기준 전류 Iref의 레벨을 설정한다.
기준 전류 Iref에 대해 선택된 레벨은 프로그램된 메모리 셀의 전류와 소거된 메모리 셀의 전류 사이의 중간인 것이 바람직하다. 프로그램 기능 및 소거 기능은 선택된 바이어스 레벨로부터 이격된 약간의 마진이 있는 것에 기초하여 수행된다. 따라서, 프로그램된 셀은 적어도 바이어스 레벨보다 작은 적어도 소정 양인 전류를 공급해야 한다. 유사하게, 소거된 셀이 소거되어, 적어도 바이어스 레벨보다 큰 소정 양의 전류를 공급한다.
도 3에는, TDCS(26) 및 TICS(28), 합산기(30), 및 전류 스케일러(32)의 부분이 도시되어 있다. TDCS(26)는 회로 형태로 도시되어 있고 트랜지스터(40, 41, 42, 43, 44, 46, 47, 48, 49, 51, 52, 54, 56, 58, 60, 62), 스위치(64, 66, 68), 및 저항(50)을 포함한다. TICS(28)는 정전류원(70, 72, 74)과, 신호 TI에 의해 제어되는 스위치를 포함한다. 도 3의 스케일러(32)의 부분은 트랜지스터(78, 80, 82) 및 스위치(84, 86, 88)를 포함한다.
TDCS(26)에 대해, P 채널 트랜지스터인 트랜지스터(40)는 VDD로 표시된 양의 전원 단자에 연결된 소스, 게이트 및 드레인을 갖는다. P 채널인 트랜지스터(41)는 트랜지스터(40)의 드레인에 접속된 소스, 바이어스 신호 Pbias를 수신하는 게이트, 및 드레인을 갖는다. N 채널인 트랜지스터(42)는 트랜지스터(41)의 드레인에 접속된 드레인, 바이어스 신호 Nbias를 수신하는 게이트, 및 소스를 갖는다. N 채널인 트랜지스터(43)는 트랜지스터(42)의 소스에 접속된 드레인, 트랜지스터(42)의 드레인에 접속된 게이트, 및 소스를 갖는다. PNP 바이폴라 트랜지스터인 트랜지스터(44)는 트랜지스터(43)의 소스에 접속된 에미터와, 베이스 및 그라운드로서 도시된 음의 전원 단자에 접속된 컬렉터를 갖는다. P 채널인 트랜지스터(46)는 VDD에 접속된 소스, 트랜지스터(40)의 게이트에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. P 채널인 트랜지스터(47)는 트랜지스터(46)의 드레인에 접속된 소스, 트랜지스터(41)의 게이트에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. N 채널인 트랜지스터(48)는 트랜지스터(47)의 드레인에 접속된 드레인, 트랜지스터(42)의 게이트에 접속된 게이트, 및 소스를 갖느다. N 채널인 트랜지스터(49)는 트랜지스터(48)의 소스에 접속된 드레인, 트랜지스터(43)의 게이트에 접속된 게이트, 및 소스를 갖는다. 저항(50)은 트랜지스터(49)의 소스에 접속된 제1 단자, 및 제2 단자를 갖는다. PNP인 트랜지스터(51)는 저항(50)의 제2 단자에 접속된 에미터, 및 그라운드에 접속된 베이스 및 컬렉터를 갖는다. P 채널인 트랜지스터(52)는 VDD에 접속된 소스, 트랜지스터(46)의 게이트에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. P 채널인 트랜지스터(54)는 트랜지스터(52)의 드레인에 접속된 소스, 트랜지스터(47)의 게이트에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. 스위치(64)는 트랜지스터(54)의 드레인에 접속된 제1 단자, 및 합산기(30)에 접속된 제2 단자를 갖는다. P 채널인 트랜지스터(56)는 VDD에 접속된 소스, 트랜지스터(46)의 게이트에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. P 채널인 트랜지스터(58)는 트랜지스터(56)의 드레인에 접속되는 제1 단자, 및 드레인을 갖는다. 스위치(66)는 트랜지스터(58)의 드레인에 접속된 제1 단자, 및 스위치(64)의 제2 단자에 접속된 제2 단자를 갖는다. P 채널인 트랜지스터(60)는 VDD에 접속된 소스, 트랜지스터(46)의 게이트에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. P 채널인 트랜지스터(62)는 트랜지스터(60)의 드레인에 접속된 소스, 및 드레인을 갖는다. 스위치(68)는 트랜지스터(62)의 드레인에 접속된 제1 단자와, 스위치(64)의 제2 단자에 접속된 제2 단자를 갖는다.
트랜지스터(52, 54)와 스위치(64)는, 신호 TD에 의해 선택가능하고 전류가 온도에 따라 상승한다는 점에서 온도 의존적인 전류원을 포함한다. 3개의 점으로 표시된 바와 같이, 한쌍의 트랜지스터, 가령 트랜지스터(52, 54)와 스위치, 가령 스위치(64)의 쌍으로 이루어진 부가적인 전류원이 존재할 수 있다. PNP 트랜지스터(44, 51)는, 트랜지스터(51)가 더 커짐에 따라, 소정의 크기 비율을 갖는다. 전형적으로, 이는 단순히 트랜지스터를 복제시켜(replicating) 달성될 수 있다. 따라서, 8의 비율에서는, 트랜지스터(44)와 동일한 크기인 8개의 트랜지스터를 병렬로 하여 트랜지스터(51)를 형성할 수 있다. 트랜지스터(44, 51)는 동일한 전류를 가지도록 바이어스되지만, 그들은 크기가 다르기 때문에, 상이한 베이스 에미터, Vbe, 드롭을 갖는다. 이러한 차이는, 온도 의존적인 바이어스를 셋업하는데 사용되어, 전류원을 통해 공급되는 전류가 온도 의존적이 되도록 한다. 이러한 유형의 구성은 밴드갭 기준의 부분에서 공통적이다. 신호 TD는 온도 의존 전류를 합산기(30)에 공급하기 위한 전류원을 선택한다. 전류원은, 가령 2배수 방식(binary fashion)으로, 상이한 크기를 가질 수도 있다. 따라서, 각 전류원은 그 다음 전류원의 전류보다 두 배인 전류를 공급할 것이다. 온도에 대한 전류의 변화 비율인 기울기는 공급된 전류가 증가함에 따라 증가한다. 이는 TDCS(26)에 의해 공급되는 4개의 상이한 전류 Itd1, Itd2, Itd3 및 Itd4로 도 4에 도시되어 있다. 이 경우, 전류 Itd1는 공급되는 가장 큰 전류이고 가장 큰 기울기, 즉 전류 변화에 대한 온도 변화를 가진다. 다음으로 가장 높은 전류 Itd2는 다음으로 가장 높은 기울기를 갖는다. 유사하게, 세번째로 큰 전류 Itd3는 세번째로 큰 기울기를 갖는다. 마지막으로, 가장 낮은 전류 Itd4는 가장 낮은 기울기를 갖는다.
TICS(28)에 대하여, 전류원(70, 72, 74)은 신호 Ti에 의해 제어되는 스위치들에 의해 합산기(30)에 선택적으로 연결된다. 전류원(70, 72, 74)은 밴드갭 기준인 것이 바람직하다. 밴드갭 기준은 기준들, 즉, 전압 및 전류 모두를 생성하는데 공통적으로 사용되는데, 그들이 가령 -40℃ 내지 125℃의 관련 온도 범위에 대해 온도 독립적인 것으로 고려되기 때문이다.
합산기(30)에 대해, 트랜지스터(76)는 그라운드에 접속되는 소스를 가지며, TDCS(26)의 스위치들(64, 68, 68)과 TDCS(28)의 스위치들 사이의 공통 접속에 접속되는 드레인 및 게이트를 갖는다. TDCS(26)의 스위치들(64, 68, 68)과 TICS(28)의 스위치들 및 트랜지스터(76)의 공통 접속은, 신호 TD 및 TI에 의해 각각 선택된 TDCS(26) 및 TICS의 전류를 합하는 효과를 갖는다. 합산기(30)는 TDCS(26)와 TICS(28)로부너의 전류의 합을 나타내는 전압 출력을 제공한다.
스케일러(32)에 대하여, 트랜지스터(78)는 그라운드에 접속된 소스, 트랜지스터(76)의 드레인에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. 스위치(84)는 트랜지스터(78)의 드레인에 접속된 제1 단자, 및 제2 단자를 갖는다. 트랜지스터(80)는 그라운드에 접속된 소스, 트랜지스터(76)의 드레인에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. 스위치(86)는 트랜지스터(80)의 드레인에 접속된 제1 단자 및 스위치(84)의 제2 단자에 접속된 제2 단자를 갖는다. 트랜지스터(82)는 그라운드에 접속된 소스, 트랜지스터(76)의 드레인에 접속된 게이트, 및 드레인을 갖는다. 스위치(88)는 트랜지스터(82)의 드레인에 접속된 제1 단자 및 스위치(84)의 제2 단자에 접속된 제2 단자를 갖는다. 각 트랜지스터/스위치 쌍, 가령, 트랜지스터(78, 84)는 신호 CS에 의해 선택가능한 전류 경로를 포함한다. 3개의 점에 의해 표시되는 바와 같이, 부가적인 전류 경로가 존재할 수 있다. 각 전류 경로는 편리한 2배수 선택을 위해 인접한 전류 경로보다 2배 크다. 스위치의 제2 단자의 공통 접속은 감지 증폭기(18)에 기준 전류 Iref를 공급한다.
도 5를 참조하면, Iref가 어떻게 선택되는지를 나타내는데 유익하다. 도 5에는 소거된 메모리 셀의 전류를 나타내는 전류 Ie가 도시되어 있다. 이 전류는 온도에 따라 증가한다. 유사하게, 전류 Ip는 프로그램된 메모리 셀의 전류를 나타낸다. 현재 Ip는 전류 Ie보다 낮지만, 양측 모두 동일한 기울기를 갖는다. 기울기는 실질적으로 정확한 선형으로 도시되어 있다. 도시되지 않은, 상대적으로 작은 몇몇 이차 효과가 존재한다. 희망 기준 전류 Ird는 관련 온도 범위 대해 전류 Ie 및 Ip간의 중간으로서 도시되어 있다. 이는 신호 TD를 이용하여 TDCS(26)로부터의 전류 Ie, Ip 및 Ird와 동일한 기울기를 갖는 전류를 선택함으로써 실제로 달성될 수 있다. 이는 도 6에서 전류 Itd로 도시되어 있다. TICS(28)로부터의 전류 Itd는 전류 Itd에 부가될 신호 TI에 의해 선택된다. 그리고 나서, 전류 Iti 및 Itd는 합산기(30)에 의해 합산되어, 전류 I30을 공급한다. 합산기(30)는 실제로 전류 Tid 및 Tip의 합을 나타내는 전압을 공급한다. 스케일러(32)는 합산기(30)로부터의 전압을, 전류 Ie 및 Ip 사이의 중간 레벨인 기준 전류 Iref로 변환한다. 스케일러(32)의 스케일링 동작은 전류 I30에 존재하는 기울기를 유지하여, 전류 Iref가 전류 Ie 및 Ip의 기울기와 일치하도록 한다.
Ie 및 Ip의 기울기는 비교적 고정되어 있어, 가능한 Itd 전류들 중에서 선택하기 위한 신호, 가령 신호 TD를 가지지 않아도 된다. 이는 온도 의존 전류를 제공하는 고정 회로에서 있을 수 있다. 유사하게, TICS(28)에서, 전류 Iti는 선택가능하지 않아도 된다. 고정 회로는 단지 스케일러(32)가 희망 기준 전류 Iref 를 공급할 수 있도록 적절한 기준 전류 I30을 보증하기에 충분한 전류 Iti를 공급하기 위해 실행될 수 있다. 스케일러(32)는 선택적 스케일링 가능성을 가질 수 있는 그의 능력을 유지할 필요성이 있을 것이다.
따라서, 기준 생성기(22)는 기준을 생성하기 위해 메모리 셀들에 따른 기준들과 함께 존재하는 온도 트래킹의 이점을, 쉽게 방해 받지 않으면서, 제공할 수 있다. 따라서, 기준 전류 Iref는 전류 Ie 및 Ip의 온도 계수와 일치하는 온도 계수를 갖는다.
설명을 위해 여기서 선택된 실시예에 대한 다양한 다른 변화 및 변경이 당업자에게는 용이하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 동작이 단일 메모리 셀에 대해 기술되었지만, 다른 메모리 셀도 동일한 기준 전류를 이용하여 동일 시간에 감지 증폭기에 의해 감지될 수 있다. 트랜지스터의 크기는 채널 길이에 대한 채널 폭의 비를 나타낸다. 전술한 바와 같은 N 채널에 대한 P 채널의 비를 가질 때, 이익을 갖는 것으로 믿어지지만, 유익할 수 있는 이 비들에 대한 다른 가능성이 존재할 수 있다. 단일 트랜지스터 스위치일 수 있는 스위치, 전송 게이트 또는 다른 방법이 기술된다. 온도 독립 전류원은 밴드갭 기준인 것으로 기술되었지만, 다른 온도 독립 전류원이 사용될 수도 있다. 감지는 전류 기준을 요청하는 것으로 기술되었지만, 대안은 전압 감지를 사용할 수 있으며, 전류원은 기술된 전류 기준으로부터 쉽게 유도될 수 있다. 스케일러와 시간 독립 전류원은 다른 것으로서 기술되었지만, 결합될 수도 있다. 그러한 변경 및 변형은, 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 한, 후속하는 청구범위의 공정한 해석에 의해서만 평가될 수 있는 청구범위의 범주 내에 포함된다.

Claims (20)

  1. 복수의 메모리 셀들과,
    상기 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나에 연결된 감지 증폭기와,
    상기 감지 증폭기에 대한 기준 전류를 생성하도록 연결되는 기준 전류 생성기 - 상기 기준 전류 생성기는 온도 의존 전류 및 온도 독립 전류를 생성하고, 상기 온도 의존 전류 및 상기 온도 독립 전류 모두로부터 상기 기준 전류를 생성함 -
    를 포함하는 메모리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기준 전류 생성기는, 상기 기준 전류 생성기에 연결되는 전류 스케일러를 포함하고, 상기 전류 스케일러는 상기 기준 전류를 소정의 전류 값으로 스케일링하는 메모리.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기준 전류의 온도 계수는, 온도에 대하여 적어도 하나의 메모리 셀의 전류의 온도 계수와 대략 동일한 메모리.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기준 전류 생성기는 상기 온도 의존 전류를 생성하는 복수의 선택가능 한 온도 의존 전류원들을 포함하는 메모리.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 온도 의존 전류의 온도에 대한 전류의 변화 레이트는 상기 복수의 선택가능한 온도 의존 전류원들이 선택되는 개수에 의존하는 메모리.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 복수의 선택가능한 전류원들은, 제1 바이폴라 트랜지스터, 및 상기 제1 바이폴라 트랜지스터와는 상이한 영역을 갖는 제2 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 메모리.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 온도 의존 전류의 온도에 대한 전류의 변화 레이트는 상기 메모리 셀의 전류의 온도에 대한 전류의 변화 레이트와 대략 동일한 메모리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기준 전류 생성기는, 상기 온도 독립 전류를 생성하는 복수의 선택가능한 온도 독립 전류원들을 포함하고, 상기 온도 독립 전류의 레벨은 상기 복수의 선택가능한 온도 독립 전류원들이 선택되는 개수에 의존하는 메모리.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 선택가능한 온도 독립 전류원들은 밴드갭 전류 기준을 포함하는 메모리.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전류 스케일러에 연결되는 비교기를 더 포함하고, 상기 비교기는 외부 전류를 상기 기준 전류와 비교하는 메모리.
  11. 메모리에 대한 기준 전류를 생성하는 방법으로서,
    온도 의존 전류를 생성하는 단계와 - 상기 온도 의존 전류는 상기 메모리의 메모리 셀 전류의 온도에 대한 전류의 변화 레이트를 나타내는, 온도에 대한 전류 변화 레이트를 가짐 -,
    온도 독립 전류를 생성하는 단계와,
    상기 온도 의존 전류와 상기 온도 독립 전류를 결합시켜, 상기 메모리의 감지 증폭기에 의해 사용되는 기준 전류를 생성하는 단계
    를 포함하는 기준 전류 생성 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 기준 전류는 상기 메모리 셀 전류의 온도 계수와 대략 동일한 온도 계수를 갖는 기준 전류 생성 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 감지 증폭기에 의해 사용되는 기준 전류를 생성하기에 앞서, 상기 기준 전류를 소정의 전류 값으로 스케일링하는 단계를 더 포함하는 기준 전류 생성 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    감쇄된 기준 전류를 외부 전류와 비교하여, 상기 감쇄된 기준 전류가 상기 소정의 전류 값와 일치하는지를 판정하는 단계를 더 포함하는 기준 전류 생성 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 온도 의존 전류를 생성하는 단계는, 하나 이상의 선택가능한 온도 의존 전류원들을 선택하여, 상기 온도 의존 전류를 생성하는 단계를 포함하는 기준 전류 생성 방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 온도 독립 전류를 생성하는 단계는, 하나 이상의 선택가능한 온도 독립 전류원들을 선택하여, 상기 온도 독립 전류를 생성하는 단계를 포함하는 기준 전류 생성 방법.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 생성된 기준 전류는 상기 메모리의 기준 메모리에 의해 생성되지 않는 기준 전류 생성 방법.
  18. 복수의 메모리 셀들과,
    상기 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나에 연결된 감지 증폭기와,
    온도 의존 전류를 생성하는 복수의 선택가능한 온도 의존 전류원들을 포함하는 온도 의존 전류 생성기와,
    온도 독립 전류를 생성하는 복수의 선택가능한 온도 독립 전류원들을 포함하는 온도 독립 전류 생성기와,
    상기 온도 의존 전류 생성기 및 상기 온도 독립 전류 생성기에 연결되고, 상기 온도 의존 전류 및 상기 온도 독립 전류를 결합시켜 상기 감지 증폭기에 의해 사용되는 기준 전류를 생성하는 합산기.
    를 포함하는 메모리.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기준 전류의 온도 계수는 상기 복수의 메모리 셀들 중 적어도 하나의 메모리 셀 전류의 온도 계수와 대략 동일한 메모리.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 합산기에 연결되고, 상기 감지 증폭기에 의한 사용에 앞서, 상기 기준 전류를 소정의 전류 값으로 스케일링하는 전류 스케일러를 더 포함하는 메모리.
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