KR20090032366A - 은계를 투명전극으로 하는 자외선 발광소자 - Google Patents
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- 기판, 상기 기판 위에 차례로 형성되는 n-GaN 계 반도체층, 활성층, p-GaN 계 반도체층, 투명전극을 포함하는 자외선 발광소자로서,상기 투명전극은 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질인, 자외선 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명전극의 두께는 0.1 내지 50 nm 인, 자외선 발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질은, 은 (Ag) 단일막 또는 은 (Ag) 을 포함하는 합금인, 자외선 발광소자.
- 기판, n-GaN 계 반도체층, 활성층, p-GaN 계 반도체층을 차례로 적층하는 단계; 및상기 p-GaN 계 반도체층 상에 은 (Ag) 으로 이루어지는 투명전극을 증착시키는 단계를 포함하는, 자외선 발광소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 투명전극을 증착시키는 단계는, e-빔 (e-beam) 증착법 또는 스퍼터링 증착법을 이용하여 이루어지는, 자외선 발광소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 투명전극은 0.1 내지 50 nm 두께로 증착되는, 자외선 발광소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 은 (Ag) 으로 이루어지는 물질은, 은 (Ag) 단일막 또는 은 (Ag) 을 포함하는 합금인, 자외선 발광소자의 제조 방법.
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