KR20090030316A - 산화물 제거율 향상을 위한 갈륨 및 크롬 이온 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리카; 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양의 화합물; 및 물을 포함하고, pH가 1 내지 6인 화학적-기계적 연마 조성물을 제공한다. 본 발명은 상기 언급된 연마 조성물을 사용하는 기판의 화학적-기계적 연마 방법을 추가로 제공한다.
산화물 제거율, 화학적-기계적 연마 조성물, 연마 패드, 기판
Description
본 발명은 화학적-기계적 연마 조성물 및 방법에 관한 것이다.
집적 회로(integrated circuit)는, 규소 웨이퍼와 같은 기판 내에 또는 기판 상에 형성된 수백만개의 능동 소자로 구성된다. 능동 소자들은 기판에 화학적 및 물리적으로 연결되고 다중레벨 상호연결부를 사용함으로써 상호연결되어 기능성 회로를 형성한다. 전형적인 다중레벨 상호연결부는 제1 금속 층, 레벨간 유전체 층, 및 경우에 따라서는 제3 및 후속 금속 층을 포함한다. 레벨간 유전체, 예컨대 도핑 및 비(非)도핑된 이산화규소 (SiO2) 및/또는 저-κ 유전체는, 상이한 금속 층들을 전기적으로 분리하는데 사용된다. 각 층이 형성될 때 전형적으로 층을 평탄화시켜, 새로이 형성되는 층 상부에 후속 층들이 형성될 수 있게 한다.
유전체 기판 상에 평면상 금속 회로 트레이스를 제조하는 한가지 방식을 다마신(damascene) 공정이라 지칭한다. 상기 공정에 따라, 유전체 표면을 통상적인 건식 에칭 공정에 의해 패턴화시켜 수직 및 수평 상호연결부를 위한 홀(hole) 및 트렌치(trench)를 형성한다. 패턴화된 표면을, 티탄 또는 탄탈과 같은 접착-촉진 층, 및/또는 질화티탄 또는 질화탄탈과 같은 확산 차단 층으로 코팅한다. 이어서, 접착-촉진 층 및/또는 확산 차단 층을 구리 층 또는 텅스텐 층으로 오버코팅한다. 이산화규소 표면의 높은 부분을 노출시키는 평면상 표면이 얻어질 때까지, 구리 층 또는 텅스텐 오버층의 두께 및 임의의 접착-촉진 층 및/또는 확산 차단 층의 두께를 감소시키는데 화학적-기계적 연마를 사용한다. 비아(via) 및 트렌치는, 회로 상호연결부를 형성하는 전기 전도성 구리 또는 텅스텐으로 충전되어 있는다.
몇몇 적용에서, 유전체 표면을 적절하게 평탄화시키기 위해, 금속 층 및/또는 차단 층의 연마 후 추가의 연마 단계를 사용하는 것이 바람직하다. 전형적으로, 금속 및/또는 차단 층의 화학적-기계적 연마에 적합한 연마 조성물 및 방법은, 이산화규소를 포함하는 유전체 층을 연마하기에 적합하지 않다.
이산화규소 층의 연마를 필요로 하는 또다른 반도체 제조 방법은, 쉘로우 트렌치 분리 (STI, shallow trench isolation) 공정이다. STI 공정에 따라, 규소 기판 상에 질화규소 층을 형성하고, 에칭 또는 포토리소그래피를 통하여 얕은 트렌치들을 형성하고, 전형적으로 이산화규소인 유전체 층을 침착시켜 상기 트렌치들을 충전시킨다. 이러한 방식으로 형성된 트렌치 깊이의 편차로 인해, 모든 트렌치들이 완전히 충전되도록 기판 상부에 과잉의 유전체 물질을 침착시키는 것이 전형적으로 필요하다.
유전체 물질은 기판의 기저 표면형상(topography)에 순응한다. 따라서, 기판 표면은 트렌치들 사이의 상부에 있는 산화물의 양각(raised) 영역에 의해 특징화된다. 이어서 전형적으로, 트렌치 외부에 있는 과잉의 유전체를 화학적-기계적 평탄화 공정에 의해 제거하여, 추가의 가공을 위한 평면상 표면을 추가로 제공한다.
현재, 이산화규소의 화학적-기계적 평탄화에 사용되는 2가지 주요한 방법이 있다. 제1 방법은, pH가 10을 초과하는 높은 고체 함량 (10 내지 20 중량%)의 실리카-기재 연마 조성물을 사용하는 것을 포함한다. 높은 고체 함량은 이러한 연마 조성물의 높은 원가를 초래한다. 제2 방법은 연마 조성물 중의 산화세륨 연마제를 사용하는 것을 포함한다. 비록 산화세륨-기재 연마 조성물은, 이산화규소 층을 연마하는데 사용될 때 높은 제거율을 나타내지만, 산화세륨 연마제로부터 유도된 세륨 이온은 기판 구조물을 오염시킬 수 있어 CMP 후의 공격성 세정 공정을 필요로 한다. 이러한 연마 조성물의 단점으로는, 실리카 함량이 감소될 때의 낮은 연마율, 연마율을 상승시키기 위해 실리카 함량을 증가시킬 경우의 높은 비용, 및 기판 표면의 다른 성분, 예컨대 탄탈에 대해 전형적으로 나타나는 낮은 연마율이 포함된다.
따라서, 이산화규소에 대한 유용한 제거율을 제공하는, 이산화규소-함유 기판의 화학적-기계적 평탄화를 위한 조성물 및 방법이 당업계에 필요하다.
<발명의 개요>
본 발명은 (a) 실리카, (b) 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양의 화합물 및 (c) 물을 포함하거나 이들로 본질적으로 이루어지거나 이들로 이루어지고 pH가 1 내지 6인 화학적-기계적 연마 조성물을 제공한다. 본 발명은 또한, (i) 기 판을 제공하고; (ii) (a) 실리카, (b) 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양의 화합물 및 (c) 물을 포함하거나 이들로 본질적으로 이루어지거나 이들로 이루어지고 pH가 1 내지 6인 화학적-기계적 연마 조성물 및 연마 패드와 기판을 접촉시키고; (iii) 연마 패드와 기판 사이에 화학적-기계적 연마 조성물을 두어 기판에 대해 연마 패드를 이동시키고; (iv) 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 것을 포함하는, 기판의 화학적-기계적 연마 방법을 제공한다.
본 발명은, (a) 실리카, (b) 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양의 화합물 및 (c) 물을 포함하거나 이들로 본질적으로 이루어지거나 이들로 이루어지고 pH가 1 내지 6인 화학적-기계적 연마 조성물을 제공한다. 상기 연마 조성물은 바람직하게는, 유전체 물질, 특히 이산화규소-기재 유전체 물질을 포함하는 기판을 연마하는데 사용될 때 향상된 제거율을 제공한다.
상기 연마 조성물은 실리카를 포함한다. 상기 실리카는 임의의 적합한 형태의 실리카일 수 있다. 유용한 형태의 실리카로는, 이에 제한되지는 않지만 퓸드 실리카, 침강 실리카, 및 축합-중합된 실리카가 포함된다. 가장 바람직하게는, 실리카는 축합-중합된 실리카이다. 축합-중합된 실리카 입자는 전형적으로, Si(OH)4를 축합시켜 콜로이드성 입자를 형성시킴으로써 제조된다. 전구체 Si(OH)4는 예를 들어 고순도 알콕시실란의 가수분해, 또는 실리케이트 수용액의 산성화에 의해 얻어질 수 있다. 축합-중합된 실리카는 또한 졸-겔 실리카라 지칭된다. 이러한 연마제 입자는 미국 특허 제5,230,833호에 따라 제조될 수 있거나, 상업적으로 입수가능한 다양한 제품, 예컨대 푸소(Fuso) PL-I, PL-2 및 PL-3 제품 및 날코 1034 A, 1050, 2327 및 2329 제품, 및 듀폰(DuPont), 바이엘(Bayer), 어플라이드 리서치(Applied Research), 닛산 케미칼(Nissan Chemical) 및 클라리안트(Clariant)로부터 입수가능한 기타 유사 제품 중 어느 하나로서 얻을 수 있다.
실리카는 1차 입자 및/또는 1차 입자의 응집체 형태일 수 있다. 당업계에 널리 공지된 바와 같이, 연마제 입자는, 가장 낮은 수준의 구조물인 1차 입자를 포함한다. 1차 입자는, 입자들을 포함하는 원자들 사이의 공유 결합에 의해 형성되고, 거의 가장 가혹한 조건에 대해 안정하다. 다음 수준의 구조물로서, 1차 입자는 2차 입자 (일반적으로 응집체라 지칭함)로 회합된다. 응집체 입자는 1차 입자를 포함하고, 공유 결합 및 정전기적 상호작용에 의해 함께 결합되고, 전형적으로, 예를 들어 기계적 에너지 투입, 예컨대 고전단 혼합에 의한 분해에 내성이다. 다음 수준의 구조물로서, 응집체는 덩어리로 보다 느슨하게 회합된다. 전형적으로, 덩어리는 기계적 에너지 투입을 통해 구성 응집체들로 해리될 수 있다. 특정 조성 및 제조 방법에 따라, 1차 입자 및 2차 입자 (예를 들어, 응집체)는 구상 내지는 타원형 범위의 형상을 가질 수 있고, 일부 응집체들은 연장된 쇄-유사 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 소성(pyrogenic) 또는 퓸드 실리카는 전형적으로 쇄-유사 구조를 갖는 응집체 형태로 존재한다. 침강 실리카, 예를 들어 규산나트륨의 중화에 의해 제조된 실리카는, 대략 구상인 1차 입자가 "포도 송이"와 유사한 응집체로 회합되어 있는 응집체 구조를 갖는다. 1차 연마제 입자 및 응집된 1차 입자 (예를 들어, 2차 입자) 둘 모두는 일정 평균 입자 크기를 갖는 것으로 특징지워질 수 있다. 이와 관련하여, 입자 크기란 입자를 에워싸는 가장 작은 구체의 직경을 지칭한다.
바람직하게는, 실리카는 실질적으로 비응집성이다. 전형적으로, 실리카의 평균 입자 크기는 5 nm 이상 (예를 들어, 10 nm 이상, 또는 15 nm 이상, 또는 20 nm 이상)이다. 바람직하게는, 실리카의 평균 입자 크기는 150 nm 이하 (예를 들어, 100 nm 이하, 또는 80 nm 이하, 또는 50 nm 이하)이다. 보다 바람직하게는, 실리카의 평균 입자 크기는 5 nm 내지 150 nm, 또는 10 nm 내지 1000 nm, 또는 20 nm 내지 80 nm이다. 이와 관련하여, 평균 입자 크기란, 입자가 임의의 특정 구조를 갖는 것 (예를 들어, 1차 입자 또는 1차 입자의 응집체인 것)과 같은 제한 없이 연마 조성물 중에 존재하는 실리카 입자의 평균 크기를 지칭한다.
실리카는 바람직하게는, 연마 조성물, 보다 구체적으로 연마 조성물 중의 물에 현탁된다. 실리카가 연마 조성물에 현탁될 때, 실리카는 바람직하게는 콜로이드적으로 안정하다. 용어 콜로이드란 물 중의 실리카 입자의 현탁액을 지칭한다. 콜로이드성 안정성이란 계속해서 이러한 현탁액을 유지하는 것을 지칭한다. 본 발명에서, 실리카는, 100 ml 눈금 실린더에 물 중의 실리카의 현탁액을 넣고 2시간 동안 교반하지 않고 방치할 경우 눈금 실린더 하부 50 ml 중의 입자 농도 ([B] (g/ml))와 눈금 실린더 상부 50 ml 중의 입자 농도 ([T] (g/ml))의 차를 실리카 조성물 중의 입자의 초기 농도 ([C] (g/ml))로 나눈 값이 0.5 이하 (즉, {[B] - [T]}/[C] ≤0.5)일 때 콜로이드적으로 안정하다고 간주된다. 바람직하게는, {[B]-[T]}/[C] 값은 0.3 이하, 보다 바람직하게는 0.1 이하이다.
임의의 적합한 양의 실리카가 연마 조성물 중에 존재할 수 있다. 전형적으로, 0.01 중량% 이상 (예를 들어, 0.05 중량% 이상, 또는 0.1 중량% 이상, 또는 1 중량% 이상)의 실리카가 연마 조성물 중에 존재할 수 있다. 연마 조성물 중의 실리카의 양은 바람직하게는 10 중량%를 초과하지 않을 것이고, 보다 바람직하게는 8 중량%를 초과하지 않을 것이다 (예를 들어, 6 중량%를 초과하지 않을 것이다). 보다더 바람직하게는 실리카는 연마 조성물의 0.5 중량% 내지 10 중량% (예를 들어, 1 중량% 내지 6 중량%)를 구성할 것이다.
연마 조성물은 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 포함하는 화합물을 포함한다. 상기 화합물은, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)을 포함하는 임의의 적합한 화합물일 수 있다. 바람직하게는, 상기 화합물은, 임의의 적합한 음이온과 함께 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)을 포함하는 염이다. 상기 음이온은 바람직하게는 유기 카르복실레이트, 클로라이드, 니트레이트 및 술페이트로 이루어진 군 중에서 선택된다. 적합한 염의 예로는, 이에 제한되지는 않지만 아세트산갈륨, 염화갈륨, 질산갈륨, 황산갈륨, 아세트산크롬(II), 염화크롬(II), 질산크롬(II), 황산크롬(II), 아세트산크롬(III), 염화크롬(III), 질산크롬(III) 및 황산크롬(III)이 포함된다. 가장 바람직하게는, 상기 염은 질산갈륨이다. 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III) 염은 무수물일 수 있거나 이들의 임의의 수화물일 수 있다. 추가로, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III) 염은 또한, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 양이온성 착물일 수 있다. 예를 들어, 적합한 갈륨(III) 화합물로는 갈륨(III)의 아쿠아, 피리딘, 비피리딘 및 펜트롤린 착물이 포함된다. 크롬(II) 및 크롬(III)의 적합한 착물로는, 이에 제한되지는 않지만 이들의 아쿠아 및 헥사아미노 착물이 포함된다. 양이온성 착물은 본원에 기재된 바와 같이 임의의 적합한 반대-음이온을 함유할 수 있다.
연마 조성물 중의 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 농도는 바람직하게는 0.2 mM 이상 (예를 들어, 1 mM 이상, 또는 2 mM 이상)이다. 연마 조성물 중의 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 농도는 바람직하게는 10 mM 이하 (예를 들어, 9 mM 이하, 또는 8 mM 이하, 또는 심지어는 7 mM 이하)이다. 이와 관련하여, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 농도란, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)이 단순 용매화 양이온 또는 이들의 착물 또는 이들의 킬레이트로 존재하는지의 여부에 관계 없이 연마 조성물 중의 해리된 이온성 종으로서 용액 중에 용해 및 존재하는 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 공식적인 농도를 지칭한다. 연마 조성물 중의 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 농도가 지나치게 낮으면, 유전체 연마율의 향상이 관찰되지 않을 것이다. 연마 조성물 중의 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)의 농도가 지나치게 높으면, 실리카 입자는 큰 덩어리를 형성하는 경향을 나타낼 수 있다. 실리카 입자의 큰 덩어리의 형성은, 연마되는 기판 표면 상에 큰 덩어리에 의한 스크래치를 생성하는 경향이 있을 뿐만 아니라 연마 조성물의 콜로이드적 불안정성의 원인이 된다.
연마 조성물은, 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 2종 이상의 상이한 금속 양이온을 제공하는 2종 이상의 화합물을 포함할 수 있다. 연마 조성물이 2종 이상의 상기 화합물을 포함하는 경우, 각각의 화합물은, 각각의 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양으로 존재할 수 있다. 바람직하게는, 연마 조성물이 2종 이상의 상기 화합물을 포함하는 경우, 상기 화합물은 금속 양이온들의 총 배합 농도 0.2 mM 내지 10 mM를 제공하기에 충분한 양으로 존재한다.
연마 조성물은 임의로는 킬레이트화제 (예를 들어, 착화제)를 포함한다. 본 발명에서 킬레이트화제는, 금속 양이온과 킬레이트되는 분자 (즉, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)과의 착물)이다. 킬레이트화제는, 문헌 [McGraw-Hill Dictionary of Scientific and Technical Terms (3rd ed., 1984)]에서 원자들이 용액 중의 금속과 1개 초과의 배위 결합을 형성하는 유기 화합물로서 정의된다. 킬레이트화제는 연마 조성물에 별도의 성분으로서 첨가될 수 있거나, 화합물 자체의 일부로서 상기 화합물이 킬레이트화제를 포함할 수 있다. 킬레이트화제는, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)과 킬레이트를 형성하는 임의의 분자일 수 있다. 대안적으로, 상기 화합물이, 갈륨(III), 크롬(II) 또는 크롬(III)을 포함하는 임의의 적합한 킬레이트 화합물일 수 있다.
전형적으로, 킬레이트화제는 아미노기, 아미드기, 카르복시산기, 히드록시기, 페놀기 및 이들의 염으로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 관능기를 포함한다. 적합한 킬레이트화제의 비제한적 예로는 에틸렌디아민, 에틸렌디아민테트라아세트산 (즉, EDTA), 이미노디아세트산, 프로필렌디아민테트라아세트산, 카르복시산 (예를 들어, 옥살레이트, 프탈레이트, 시트레이트, 숙시네이트, 타르트레이트, 말레이트, β-케토카르복시산), β-디케톤, 피로카테콜, 이들의 염 및 이들의 배합물이 포함된다. 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)의 적합한 킬레이트 화합물의 비제한적 예로는, 문헌 [Advanced Inorganic Chemistry, F. A. Cotton and G. Wilkinson, eds., 4th ed., John Wiley and Sons, New York (1980)] 및 이 문헌에 인용된 참고문헌에 기재된 것들이 포함된다.
연마 조성물은 물을 포함한다. 물은, 연마 또는 평탄화시키고자 하는 적합한 기판 표면에의 연마제 입자, 염 및 임의의 기타 첨가제의 적용을 촉진시키는데 사용한다. 바람직하게는, 물은 탈이온수이다.
연마 조성물의 pH는 6 이하 (예를 들어, 5 이하, 또는 4 이하)이다. 바람직하게는, 연마 조성물의 pH는 1 이상 (예를 들어, 2 이상)이다. 보다 바람직하게는, 연마 조성물의 pH는 1 내지 6 (예를 들어, 2 내지 5, 또는 2 내지 4)이다. pH가 지나치게 높으면, 갈륨, 크롬(II) 및 크롬(III) 양이온은 상응하는 금속 수산화물을 형성하는 경향이 있어, 아마도 금속 수산화물과 연마되는 기판 표면 간의 상호작용으로 인해, 연마 효율이 감소될 수 있다. 연마 조성물은 임의로는 pH 조절제, 예를 들어 질산, 황산, 인산, 수산화암모늄 또는 수산화칼륨을 포함한다. 연마 조성물은 임의로는 pH 완충 시스템, 예를 들어 인산이수소칼륨 또는 황산수소칼륨을 포함한다. 다수의 이러한 pH 완충 시스템은 당업계에 널리 공지되어 있다. 연마 조성물이 pH 조절제 및/또는 완충 시스템을 포함하는 경우, 연마 조성물은 본원에서 기술된 범위의 pH를 유지하기에 충분한 양의 pH 조절제 및/또는 완충 시스템을 함유할 것이다.
연마 조성물은 임의로는 1종 이상의 기타 첨가제를 추가로 포함한다. 이러한 첨가제로는 점도 강화제 및 응고제 (예를 들어, 중합체 유변학적 제어제, 예컨대 우레탄 중합체)를 비롯한 임의의 적합한 유변학적 제어제 및/또는 계면활성제, 하나 이상의 아크릴계 서브유닛 (예를 들어, 비닐 아크릴레이트 및 스티렌 아크릴레이트)을 포함하는 아크릴레이트, 및 이들의 중합체, 공중합체 및 올리고머, 및 이들의 염이 포함된다. 적합한 계면활성제로는 예를 들어 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 음이온성 고분자 전해질, 비이온성 계면활성제, 양쪽이온성 계면활성제, 플루오르화된 계면활성제, 이들의 혼합물 등이 포함된다.
연마 조성물은 임의로는 살생물제를 추가로 포함한다. 살생물제는 임의의 적합한 살생물제, 예를 들어, 이소티아졸리논 살생물제일 수 있다. 연마 조성물에 사용되는 살생물제의 양은 전형적으로 1 ppm 내지 500 ppm, 바람직하게는 10 ppm 내지 200 ppm이다.
연마 조성물은 바람직하게는, 갈륨(III) 화합물, 크롬(II) 화합물 또는 크롬(III) 화합물보다 표준 환원 전위가 큰 (즉, 더 양인) 성분(들)을 실질적으로 함유하지 않는다. 특히, 연마 조성물은 바람직하게는 표준 수소 전극에 비해 표준 환원 전위가 약 -0.3 V 큰 (즉, 더 양인) 성분을 실질적으로 함유하지 않거나 함유하지 않는다.
본 발명의 연마 조성물은 임의의 적합한 기술 (이들 중 다수는 당업자에게 공지되어 있음)에 의해 제조될 수 있다. 연마 조성물은 회분식 또는 연속식 공정으로 제조될 수 있다. 일반적으로, 연마 조성물은 이들의 성분들을 임의의 순서로 배합함으로써 제조될 수 있다. 본원에서 사용되는 용어 "성분"으로는, 개별 성분 (예를 들어, 실리카, 화합물 등), 및 이들 성분들의 임의의 배합물 (예를 들어, 실리카, 화합물, 임의적 킬레이트화제 등)이 포함된다.
예를 들어, 실리카는 물에 분산될 수 있다. 이어서, 상기 화합물을 첨가할 수 있고, 성분들을 연마 조성물에 혼입할 수 있는 임의의 방법에 의해 연마 조성물을 혼합할 수 있다. 사용하기 직전 (예를 들어, 사용하기 1분 이하 전, 사용하기 1시간 이하 전, 또는 사용하기 7일 이하 전)에 하나 이상의 성분, 예컨대 상기 화합물을 연마 조성물에 첨가하여, 연마 조성물을 사용 전에 제조할 수 있다. pH는 임의의 적합한 시점에 조절될 수 있다. 또한, 연마 조성물은 연마 작업 동안에 기판 표면에서 성분들을 혼합함으로써 제조될 수 있다.
또한, 연마 조성물은 사용하기 전에 적당한 양의 물로 희석되도록 의도되는 농축액으로서 제공될 수 있다. 이러한 실시양태에서, 연마 조성물 농축액은 실리카, 화합물 및 물을, 적당한 양의 물을 사용한 농축액의 희석 시 연마 조성물의 각 성분들이 연마 조성물 중에 각각의 성분에 대해 상기 언급된 적당한 범위 이내의 양으로 존재하도록 하는 양으로 포함할 수 있다. 예를 들어, 실리카 및 화합물은 각각, 농축액을 일정 등가 부피의 물 (예를 들어, 각각 2배 부피의 물, 3배 부피의 물, 또는 4배 부피의 물)로 희석할 때 각 성분들이 각각의 성분에 대해 상기 기술된 범위 이내의 양으로 연마 조성물 중에 존재하도록, 각각의 성분에 대해 상기 언급된 농도보다 2배 (예를 들어, 3배, 4배, 또는 5배) 많은 양으로 농축액 중에 존재할 수 있다. 아울러, 통상의 당업자라면 이해하는 바와 같이, 농축액은, 상기 화합물 및 기타 적합한 첨가제가 적어도 부분적으로 또는 완전히 농축액 중에 용해되도록, 최종 연마 조성물 중에 존재하는 적당한 분율의 물을 함유할 수 있다.
본 발명은, (i) 기판을 제공하고, (ii) 기판을 연마 패드 및 본원에 기재된 연마 조성물과 접촉시키고, (iii) 연마 패드와 기판 사이에 연마 조성물을 두어 기판에 대해 연마 패드를 이동시키고, (iv) 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 것을 포함하는, 기판의 연마 방법을 추가로 제공한다.
본 발명의 방법은 임의의 적합한 기판을 연마하는데 사용될 수 있고, 하나 이상의 유전체 층을 포함하는 기판을 연마하는데 특히 유용하다. 적합한 기판으로는 반도체 산업에서 사용되는 웨이퍼가 포함된다. 본 발명의 방법은, 하나 이상의 유전체 층 이외에 하나 이상의 금속 층을 추가로 포함하는 기판을 평탄화 또는 연마하기에 적절하다. 상기 기판은 임의의 적합한 금속-함유 기판 (예를 들어, 집적 회로)일 수 있고, 임의의 적합한 차단 층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 하나 이상의 유전체 층은 임의의 적합한 유전체 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 하나 이상의 유전체 층은 이산화규소, 탄소-도핑된 이산화규소, 및 유기적으로 개질된 규소 유리로 이루어진 군 중에서 선택되는 물질을 포함한다. 적합한 이산화규소 물질의 비제한적 예로는, 테트라오르토실리케이트 (TEOS)를 공급원료로서 사용하는 화학적 증기 침착 (CVD)을 통해 생성된 이산화규소가 있다.
상기 하나 이상의 금속 층은 임의의 적합한 금속 층일 수 있다. 바람직하게는, 상기 하나 이상의 금속 층은 알루미늄, 구리, 텅스텐 및 이들의 배합물로 이루어진 군 중에서 선택된다. 상기 하나 이상의 차단 층은 임의의 적합한 차단 물질을 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 하나 이상의 차단 층은 탄탈, 티탄, 이들의 질화물 및 이들의 배합물로 이루어진 군 중에서 선택되는 차단 물질을 포함한다.
일 실시양태에서, 다마신 공정 또는 이중 다마신 공정으로 처리된 기판은 하나 이상의 금속 층, 하나 이상의 차단 층 및 하나 이상의 유전체 층을 포함한다. 다마신 공정 또는 이중 다마신 공정에서, 기판의 하나 이상의 금속 층 및/또는 하나 이상의 차단 층을 화학적-기계적 평탄화에 의해 제거하여 하나 이상의 기저 유전체 층을 노출시킨 후, 하나 이상의 유전체 층은, 후속 소자 제조 단계를 위해 충분히 평면상인 기판 표면을 제공하기 위해, 하나 이상의 유전체 층을 연마하기에 적합한 연마 조성물을 사용하는 화학적-기계적 평탄화를 필요로 할 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 하나 이상의 유전체 층의 평탄화에 매우 적절하다.
또한, 상기 연마 조성물은, 쉘로우 트렌치 분리 (STI) 가공 처리된 기판을 평탄화 또는 연마하는데 이용될 수 있다. STI 가공은 전형적으로, 상부에 질화규소 층이 침착되어 있는 규소 기판을 제공하는 것을 포함한다. 상부 질화규소 층을 포함하는 기판 상에서 트렌치들을 에칭한 후 포토리소그래피하고, 과잉의 이산화규소를 그 위에 침착시킨다. 이어서, 트렌치 내에 잔류하는 산화규소가 트렌치 연부와 대략 수평이도록, 과잉의 산화규소 표면 층이 실질적으로 제거될 때까지 기판을 평탄화처리한다.
본 발명의 연마 방법은 화학적-기계적 연마 (CMP) 장치와 함께 사용하기에 특히 적합하다. 전형적으로, 상기 장치는, 사용될 때 운동을 하고 궤도형, 선형 또는 원형 운동으로부터 야기되는 속도를 갖는 플래튼(platen); 플래튼과 접촉하고 운동할 때 플래튼과 함께 이동하는 연마 패드; 및 연마 패드 표면에 대해 접촉 및 이동함으로써 연마되는 기판을 보유하는 캐리어를 포함한다. 기판의 연마는, 기판의 적어도 일부를 연삭하여 기판이 연마되도록, 연마 패드 및 본 발명의 연마 조성물과 접촉하도록 기판을 놓은 다음 연마 패드를 기판에 대해 이동시킴으로써 이행된다.
기판은 임의의 적합한 연마 패드 (예를 들어, 연마 표면)를 사용하여 화학적-기계적 연마 조성물로 평탄화 또는 연마할 수 있다. 적합한 연마 패드로는 예를 들어 직포 및 부직포 연마 패드가 포함된다. 또한, 적합한 연마 패드는, 밀도, 경도, 두께, 압축률, 압축 시의 복원 능력 및 압축 모듈러스가 다양한 임의의 적합한 중합체를 포함할 수 있다. 적합한 중합체로는 예를 들어 폴리비닐클로라이드, 폴리비닐플루오라이드, 나일론, 플루오로탄소, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르, 폴리에틸렌, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 이들의 공형성물, 및 이들의 혼합물이 포함된다.
바람직하게는, CMP 장치는 동일 계 연마 종점 감지 시스템 (이들 중 다수는 당업계에 공지되어 있음)을 추가로 포함한다. 공작물 표면으로부터 반사되는 광 또는 기타 복사선을 분석함으로써 연마 공정을 검사 및 모니터링하는 기술은 당업계에 공지되어 있다. 이러한 방법은 예를 들어 미국 특허 제5,196,353호, 미국 특허 제5,433,651호, 미국 특허 제5,609,511호, 미국 특허 제5,643,046호, 미국 특허 제5,658,183호, 미국 특허 제5,730,642호, 미국 특허 제5,838,447호, 미국 특허 제5,872,633호, 미국 특허 제5,893,796호, 미국 특허 제5,949,927호 및 미국 특허 제5,964,643호에 기재되어 있다. 바람직하게는, 연마되는 공작물에 대한 연마 공정의 진행을 검사 또는 모니터링하여, 연마 종점을 결정, 즉, 특정 공작물에 대한 연마 공정의 종결 시점을 결정할 수 있다.
하기 실시예는 본 발명을 더 예시하지만, 물론 본 발명의 범위를 제한하는 임의의 방식으로 해석되어서는 안된다.
본 실시예는 다양한 pH 값에서의 이산화규소 기판의 제거율에 대한 갈륨염 도입의 중요성을 예시한다.
이산화규소를 포함하는 유사한 기판을 8가지의 상이한 연마 조성물 (조성물 A 내지 H)로 연마하였다. 조성물 A 내지 D는 축합-중합된 실리카를 2 중량% 포함하고, 조성물 A 내지 D 각각의 pH는 상이하였다. 조성물 E 내지 H는, 5 mM의 질산갈륨을 추가로 첨가한 조성물 A 내지 D에 해당하였다. 각각의 연마 조성물의 pH를 하기 표에 기술하였다.
ICl000 연마 패드 (롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스(Rohm and Haas Electronic Materials, 미국 델라웨어주 뉴와크 소재)를 사용하여 하향력(downforce) 13.8 kPa (2.0 psi) 및 연마 조성물 유속 100 ml/분으로 기판들을 연마하였다. 연마 조성물을 사용한 후, 이산화규소 제거율 (SiO2 RR)을 결정하고, 결과 데이터를 하기 표에 기재하였다.
<표>
| pH | 조성물 | SiO2 RR (Å/분) | 조성물 | SiO2 RR (Å/분) |
| 2.1 | A (비교) | 240 | E (본 발명) | 195 |
| 2.6 | B (비교) | 138 | F (본 발명) | 310 |
| 3.1 | C (비교) | 50 | G (본 발명) | 255 |
| 3.6 | D (비교) | 45 | H (본 발명) | 195 |
상기 표에 기재된 결과로부터, 5 mM의 질산갈륨을 함유하고 pH가 각각 2.6, 3.1 및 3.6인 조성물 F, G 및 H은, 질산갈륨을 함유하지 않는, 동일한 pH의 비교 조성물 B, C 및 D보다 이산화규소 제거율이 2.2, 5.1 및 4.3배 더 큼을 알 수 있다.
Claims (26)
- (a) 실리카,(b) 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양의 화합물, 및(c) 물을 포함하고 pH가 1 내지 6인 화학적-기계적 연마 조성물.
- 제1항에 있어서, 실리카가 0.1 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 연마 조성물.
- 제1항에 있어서, 실리카가 축합-중합된 실리카인 것인 연마 조성물.
- 제3항에 있어서, 실리카의 평균 입자 크기가 10 nm 내지 80 nm인 것인 연마 조성물.
- 제1항에 있어서, 화합물이 아세테이트, 클로라이드, 니트레이트 및 술페이트로 이루어진 군 중에서 선택되는 음이온을 포함하는 염을 포함하는 것인 연마 조성물.
- 제1항에 있어서, 화합물이 질산갈륨인 것인 연마 조성물.
- 제6항에 있어서, 질산갈륨이 1 mM 내지 8 mM의 농도로 존재하는 연마 조성물.
- 제1항에 있어서, 킬레이트화제를 더 포함하는 연마 조성물.
- 제1항에 있어서, pH가 2 내지 5인 연마 조성물.
- 제9항에 있어서, pH가 2 내지 4인 연마 조성물.
- (a) 기판을 제공하고;(b) (i) 실리카,(ii) 갈륨(III), 크롬(II) 및 크롬(III)으로 이루어진 군 중에서 선택되는 금속 양이온을 0.2 mM 내지 10 mM 제공하기에 충분한 양의 화합물 및(iii) 물을 포함하고 pH가 1 내지 6인 화학적-기계적 연마 조성물 및 연마 패드와 기판을 접촉시키고;(c) 연마 패드와 기판 사이에 화학적-기계적 연마 조성물을 두어 기판에 대해 연마 패드를 이동시키고;(d) 기판의 적어도 일부를 마모시켜 기판을 연마하는 것을 포함하는, 기판의 화학적-기계적 연마 방법.
- 제11항에 있어서, 실리카가 0.1 중량% 내지 10 중량%의 양으로 존재하는 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 실리카가 축합-중합된 실리카인 것인 방법.
- 제13항에 있어서, 실리카의 평균 입자 크기가 10 nm 내지 80 nm인 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 화합물이 아세테이트, 클로라이드, 니트레이트 및 술페이트로 이루어진 군 중에서 선택되는 음이온을 포함하는 염을 포함하는 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 화합물이 질산갈륨인 것인 방법.
- 제16항에 있어서, 질산갈륨이 1 mM 내지 8 mM의 농도로 존재하는 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 연마 조성물이 킬레이트화제를 더 포함하는 것인 방법.
- 제11항에 있어서, pH가 2 내지 5인 것인 방법.
- 제19항에 있어서, pH가 2 내지 4인 것인 방법.
- 제11항에 있어서, 기판이 유전체 층을 포함하는 것인 방법.
- 제21항에 있어서, 유전체 층이 이산화규소, 탄소-도핑된 이산화규소 및 유기적으로 개질된 규소 유리로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.
- 제22항에 있어서, 기판이 하나 이상의 금속 층을 더 포함하는 것인 방법.
- 제23항에 있어서, 하나 이상의 금속 층이 알루미늄, 구리, 텅스텐 및 이들의 배합물로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.
- 제24항에 있어서, 기판이 하나 이상의 차단 층을 더 포함하는 것인 방법.
- 제25항에 있어서, 하나 이상의 차단 층이 탄탈, 티탄, 이들의 질화물 및 이들의 배합물로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법.
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| US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
| US5114437A (en) * | 1990-08-28 | 1992-05-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Polishing composition for metallic material |
| JPH0781132B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1995-08-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨剤組成物 |
| US5196353A (en) * | 1992-01-03 | 1993-03-23 | Micron Technology, Inc. | Method for controlling a semiconductor (CMP) process by measuring a surface temperature and developing a thermal image of the wafer |
| US6614529B1 (en) * | 1992-12-28 | 2003-09-02 | Applied Materials, Inc. | In-situ real-time monitoring technique and apparatus for endpoint detection of thin films during chemical/mechanical polishing planarization |
| US5658183A (en) * | 1993-08-25 | 1997-08-19 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring |
| US5433651A (en) * | 1993-12-22 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | In-situ endpoint detection and process monitoring method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
| JP3270282B2 (ja) * | 1994-02-21 | 2002-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP3313505B2 (ja) * | 1994-04-14 | 2002-08-12 | 株式会社日立製作所 | 研磨加工法 |
| US5964643A (en) * | 1995-03-28 | 1999-10-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for in-situ monitoring of chemical mechanical polishing operations |
| US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
| US5838447A (en) * | 1995-07-20 | 1998-11-17 | Ebara Corporation | Polishing apparatus including thickness or flatness detector |
| US5872633A (en) * | 1996-07-26 | 1999-02-16 | Speedfam Corporation | Methods and apparatus for detecting removal of thin film layers during planarization |
| TW455626B (en) * | 1998-07-23 | 2001-09-21 | Eternal Chemical Co Ltd | Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing |
| FR2792643B1 (fr) | 1999-04-22 | 2001-07-27 | Clariant France Sa | Composition de polissage mecano-chimique de couches en un materiau isolant a base de polymere a faible constante dielectrique |
| US6293848B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-09-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US20020039839A1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-04-04 | Thomas Terence M. | Polishing compositions for noble metals |
| JP2001187876A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Nec Corp | 化学的機械的研磨用スラリー |
| WO2001060940A1 (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-23 | Rodel Inc | Biocides for polishing slurries |
| JP2001269859A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| US6936541B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-08-30 | Rohn And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for planarizing metal interconnects |
| JP4954398B2 (ja) * | 2001-08-09 | 2012-06-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| JP2003142435A (ja) * | 2001-10-31 | 2003-05-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| JP4083528B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
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