KR20090028691A - 플라즈마 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

Abstract

주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널(10)과, 상기 패널(10)의 주위 온도를 검출하여 검출 온도를 출력하는 온도 검출 회로(46)와, 화상 신호의 APL을 검출하는 APL 검출 회로(47)를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서, 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화 기간과 기입 기간 사이에 상기 주사 전극에 직사각형 파형 전압을 인가하는 이상 전하 소거 기간을 마련하여, 상기 온도 검출 회로가 검출한 검출 전압을 인가하는 시간을 제어한다.

Description

플라즈마 디스플레이 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD}

본 발명은 벽걸이 텔레비전이나 대형 모니터에 사용되는 플라즈마 디스플레이 패널을 이용한 플라즈마 디스플레이 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(이하, 「패널」이라고 약기함)로서 대표적인 교류 면방전형 패널은, 대향 배치된 전면판과 배면판 사이에 다수의 방전 셀이 형성되어 있다.

전면판은, 1쌍의 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍이 유리제의 전면 기판 상에 서로 평행하게 복수쌍 형성되고, 그들 표시 전극쌍을 덮도록 유전체층 및 보호층이 형성되어 있다. 배면판은, 유리제의 배면 기판 상에 복수의 평행한 데이터 전극과, 그것들을 덮도록 유전체층과, 또한 그 위에 데이터 전극과 평행하게 복수의 격벽이 각각 형성되고, 유전체층의 표면과 격벽의 측면에 형광체층이 형성되어 있다.

그리고, 표시 전극쌍과 데이터 전극이 입체 교차하도록 전면판과 배면판이 대향 배치되어 밀봉되고, 내부의 방전 공간에는, 제논을 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 여기서 표시 전극쌍과 데이터 전극의 대향하는 부분에 방전 셀이 형성된다. 이러한 구성의 패널에 있어서, 각 방전 셀 내에서 가스 방전에 의해 자외선을 발생시키고, 이 자외선으로 적색, 녹색 및 청색의 각 색에 발광하는 형광체층을 여기 발광시켜서 컬러 표시를 행하고 있다.

패널을 구동하는 방법으로서는 서브필드법, 즉, 1필드 기간을 복수의 서브필드로 분할한 후에, 발광시키는 서브필드의 조합에 의해서 계조 표시를 행하는 방법이 일반적이다.

각 서브필드는, 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 갖고, 초기화 기간에서는 초기화 방전이 발생하여, 계속되는 기입 동작에 필요한 벽전하를 각 전극 상에 형성한다. 초기화 동작에는, 모든 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「전체 셀 초기화 동작」이라고 약기함)과, 유지 방전을 행한 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 동작(이하, 「선택 초기화 동작」이라고 약기함)이 있다.

기입 기간에서는, 표시를 해야되는 방전 셀에 있어서 기입 방전이 발생하여 벽전하를 형성한다. 그리고, 유지 기간에서는, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍에 교대로 유지 펄스를 인가하여, 기입 방전이 일어난 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜서, 대응하는 방전 셀의 형광체층을 발광시킴으로써 화상 표시를 행한다.

또한, 서브필드법 중에서도, 완만하게 변화되는 전압 파형을 이용하여 초기 화 방전을 행하고, 또한 유지 방전을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행함으로써, 계조 표시에 관계 없는 발광을 극력 줄여서 콘트라스트비를 향상시킨 새로운 구동 방법이 개시되어 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).

구체적으로는, 예컨대 복수의 서브필드 중, 하나의 서브필드의 초기화 기간에 있어서 모든 방전 셀을 방전시키는 전체 셀 초기화 동작을 행하고, 다른 서브필드의 초기화 기간에 있어서는 유지 방전을 행한 방전 셀만 초기화하는 선택 초기화 동작을 행한다. 그 결과, 표시에 관계 없는 발광은 전체 셀 초기화 동작의 방전에 따른 발광만으로 이루어져서 콘트라스트가 높은 화상 표시가 가능해진다.

그러나, 이러한 구동 방법에 의하면, 전체 셀 초기화 동작의 횟수가 제한되기 때문에 초기화 동작이 불안정하게 되어, 기입 방전을 발생시키지 않았던 방전 셀에서 유지 방전이 발생하는 오동작(이하, 「오점등」이라고 약기함)이 발생할 우려가 있었다. 그래서, 전체 셀 초기화 기간에 이상 전하 소거부를 마련하여 초기화 방전을 안정화시키는 구동 방법이 개시되어 있다(예컨대, 특허 문헌 2 참조).

최근, 패널의 대형화, 고세밀도화와 함께, 패널에 봉입되어 있는 방전 가스의 제논 분압을 증가시켜서 패널의 발광 효율을 향상시키는 검토가 이루어지고 있다. 그러나, 방전 셀의 미세화나 고효율화에 따라 방전 지연이 커지는 등, 더욱 방전이 불안정해지는 경향이 있다. 그리고, 초기화 동작이 불안정해지면, 상술한 오점등이 더욱 발생하기 쉽게 되어, 화상 표시 품질을 크게 저하시켜 버릴 우려가 있었다. 그리고, 이러한 현상은 패널 온도가 낮으면 발생하기 쉽다고 하는 경향이 있었다.

특허 문헌 1: 일본 특허 공개 제2000-242224호 공보

특허 문헌 2: 일본 특허 공개 제2005-326612호 공보

발명의 개시

본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법은, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널과, 패널의 주위 온도를 검출하여 검출 온도를 출력하는 온도 검출 회로와, 화상 신호의 APL을 검출하는 APL 검출 회로를 구비하고, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드를 배치해서 1필드 기간을 구성하여 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서, 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화 기간과 기입 기간 사이에 주사 전극에 직사각형 파형 전압을 인가하는 이상 전하 소거 기간을 마련하고, 온도 검출 회로가 검출한 검출 온도와 APL 검출 회로가 검출한 APL에 근거하여 직사각형 파형 전압을 인가하는 시간을 제어하는 것을 특징으로 한다. 이러한 방법에 의해, 넓은 온도 범위에 걸쳐서 오점등을 발생시키지 않고, 화상 표시 품질을 크게 저하시키지 않는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법은, 검출 온도가 낮은 경우에는, 상기 검출 온도가 높은 경우보다도, 상기 직사각형 파형 전압을 인가하는 시간을 길게 설정하도록 제어하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은, 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 패널과, 패널의 주위 온도를 검출하여 검출 온도를 출력하는 온도 검출 회로와, 화상 신호의 APL을 검출하는 APL 검출 회로와, 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드를 배치해서 1필드 기간을 구성하여 화상을 표시하기 위한 패널 구동 회로를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치로서, 패널 구동 회로는, 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화 기간과 기입 기간 사이에 주사 전극에 직사각형 파형 전압을 인가하는 이상 전하 소거 기간을 마련하고, 온도 검출 회로가 검출한 검출 온도와 APL 검출 회로가 검출한 APL에 근거하여 직사각형 파형 전압을 인가하는 시간을 제어하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의해, 넓은 온도 범위에 걸쳐서 오점등을 발생시키지 않고, 화상 표시 품질을 크게 저하시키지 않는 플라즈마 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 있어서의 패널의 구조를 나타내는 분해 사시도,

도 2는 본 발명의 실시예에 있어서의 패널의 전극 배열도,

도 3은 본 발명의 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치의 회로 블록도,

도 4는 본 발명의 실시예에 있어서의 패널의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도로서, 전체 셀 초기화 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형도,

도 5는 상기 선택 초기화 서브필드이고 또한 이상 전하 소거 기간을 구비하지 않는 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형도,

도 6은 상기 선택 초기화 서브필드이고 또한 이상 전하 소거 기간을 구비한 서브필드에 있어서의 구동 전압 파형도,

도 7은 본 발명의 실시예에 있어서의 서브필드 구성을 나타내는 도면,

도 8은 본 발명의 실시예에 있어서의 시간 TA 및 시간 TB를 나타내는 도면,

도 9는 본 발명의 실시예에 있어서의 주사 전극 구동 회로의 회로도,

도 10은 본 발명의 실시예에 있어서의 이상 전하 소거 기간에서의 주사 전극 구동 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트.

부호의 설명

10: 패널, 22: 주사 전극, 23: 유지 전극, 24: 표시 전극쌍, 32: 데이터 전극, 40: 패널 구동 회로, 41: 화상 신호 처리 회로, 42: 데이터 전극 구동 회로, 43: 주사 전극 구동 회로, 44: 유지 전극 구동 회로, 45: 타이밍 발생 회로, 46: 온도 검출 회로, 47: APL 검출 회로, 51: 유지 펄스 발생부, 53: 상승 경사 전압 발생부, 55: 하강 경사 전압 발생부, 57: 주사 펄스 전압 인가부, 81: 기수 주사 펄스 발생부, 86: 우수 주사 펄스 발생부, 90: 복합 스위치부, 100: 플라즈마 디스플레이 장치

발명을 실시하기 위한 최선의 형태

이하, 본 발명의 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치에 대해서, 도면을 이용하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 있어서의 패널(10)의 구조를 나타내는 분해 사시도이다. 유리제의 전면 기판(21) 상에는, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)으로 이루어지는 표시 전극쌍(24)이 복수 형성되어 있다. 그리고, 주사 전극(22)과 유지 전극(23)을 덮도록 유전체층(25)이 형성되고, 그 유전체층(25) 상에 보호층(26)이 형성되어 있다. 배면 기판(31) 상에는 데이터 전극(32)이 복수 형성되고, 데이터 전극(32)을 덮도록 유전체층(33)이 형성되며, 또한 그 위에 우물 정자 형상의 격벽(34)이 형성되어 있다. 그리고, 격벽(34)의 측면 및 유전체층(33) 상에는 적색, 녹색 및 청색의 각 색에 발광하는 형광체층(35)이 마련되어 있다.

이들 전면 기판(21)과 배면 기판(31)은, 미소한 방전 공간을 사이에 두고서 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하도록 대향 배치되고, 그 외주부를 글래스 프리트 등의 봉착재에 의해서 봉착되어 있다. 그리고, 방전 공간에는, 예컨대 네온과 제논의 혼합 가스가 방전 가스로서 봉입되어 있다. 본 실시예에 있어서는, 휘도 향상을 위해서 제논 분압을 10%로 한 방전 가스가 사용되고 있다. 방전 공간은 격벽(34)에 의해서 복수의 구획으로 나누어져 있고, 표시 전극쌍(24)과 데이터 전극(32)이 교차하는 부분에 방전 셀이 형성되어 있다. 그리고, 이들 방전 셀이 방전, 발광하는 것에 의해 화상이 표시된다.

또한, 패널의 구조는 상술한 것에 한정되는 것은 아니고, 예컨대 스트라이프 형상의 격벽을 구비한 것이더라도 좋다.

도 2는 본 발명의 실시예에 있어서의 패널(10)의 전극 배열도이다. 패널(10)에는, 행 방향으로 긴 n개의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn(도 1의 주사 전극(22)) 및 n개의 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn(도 1의 유지 전극(23))이 배열되고, 열 방향으로 긴 m개의 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm(도 1의 데이터 전극(32))이 배열되어 있다. 그리고, 1쌍의 주사 전극 SCi(i=1~n) 및 유지 전극 SUi와 하나의 데이터 전극 Dj(j=1~m)이 교차한 부분에 방전 셀이 형성되고, 방전 셀은 방전 공간 내에 m×n개 형성되어 있다. 또한, 본 실시예에 있어서는 n을 우수로서 설명하지만, 기수이더라도 좋다.

도 3은 본 발명의 실시예에 있어서의 플라즈마 디스플레이 장치(100)의 회로 블록도이다. 플라즈마 디스플레이 장치(100)는 패널(10), 패널 구동 회로(40), 화상 신호 처리 회로(41), 온도 검출 회로(46), APL 검출 회로(47) 및 각 회로 블록에 필요한 전원을 공급하는 전원 회로(도시하지 않음)를 구비하고 있다. 패널 구동 회로(40)는 데이터 전극 구동 회로(42), 주사 전극 구동 회로(43), 유지 전극 구동 회로(44), 타이밍 발생 회로(45)를 갖는다.

온도 검출 회로(46)는 온도를 검출하기 위해서 사용되는 써미스터, 열전쌍 등의 일반적으로 알려진 감열 소자를 구비하여, 패널(10)의 주위 온도를 검출한다.

화상 신호 처리 회로(41)는 입력된 화상 신호를 서브필드마다의 발광ㆍ비발 광을 나타내는 화상 데이터로 변환한다. 데이터 전극 구동 회로(42)는 서브필드마다의 화상 데이터를 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 대응하는 신호로 변환하여, 각 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm을 구동한다. APL 검출 회로(47)는 화상 신호의 평균 휘도 레벨(이하, 「APL」이라고 약기함)을 검출한다. 구체적으로는, 예컨대 화상 신호의 휘도값을 1필드 기간 또는 1프레임 기간에 걸쳐서 누적하는 등의 일반적으로 알려진 수법을 이용함으로써 APL을 검출한다.

타이밍 발생 회로(45)는 수평 동기 신호, 수직 동기 신호 및 온도 검출 회로(46)로부터 출력되는 검출 온도에 근거하여 각 회로의 동작을 제어하는 각종 타이밍 신호를 발생시켜서, 각각의 회로에 공급한다. 주사 전극 구동 회로(43)는 타이밍 신호에 근거하여 각 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 각각 구동하고, 유지 전극 구동 회로(44)는 타이밍 신호에 근거하여 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 구동한다.

다음에, 패널(10)을 구동하기 위한 구동 전압 파형과 그 동작에 대해서 설명한다. 플라즈마 디스플레이 장치(100)는 서브필드법, 즉 1필드 기간을 복수의 서브필드로 분할하여, 서브필드마다 각 방전 셀의 발광ㆍ비발광을 제어함으로써 계조 표시를 행한다. 각각의 서브필드는 초기화 기간, 기입 기간 및 유지 기간을 구비한다. 또한, 본 실시예에서는, 초기화 기간과 기입 기간 사이에, 필요에 따라 이상 전하 소거 기간을 구비한다.

초기화 기간에서는 초기화 방전이 발생하여, 계속되는 기입 방전에 필요한 벽전하를 각 전극 상에 형성한다. 이때의 초기화 동작에는, 전체 셀 초기화 동작 과 선택 초기화 동작이 있다.

이상 전하 소거 기간에서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압, 및 부의 직사각형 파형 전압을 인가한다. 만일, 선행하는 전체 셀 초기화 기간에 있어서의 초기화 동작이 불안정해져, 어느 하나의 방전 셀의 내부에 이상 전하가 축적된 경우, 이상 전하 소거 기간에 있어서, 그 방전 셀의 이상 전하를 소거한다.

기입 기간에서는, 발광시켜야 되는 방전 셀에서 기입 방전이 발생하여 벽전하를 형성한다. 그리고, 유지 기간에서는, 휘도 가중치에 따른 수의 유지 펄스를 표시 전극쌍(24)에 교대로 인가하여, 기입 방전이 발생한 방전 셀에서 유지 방전을 발생시켜서 발광시킨다.

또한, 서브필드 구성의 상세에 대해서는 후술하기로 하고, 여기서는 서브필드에서의 구동 전압 파형과 그 동작에 대해서 설명한다.

도 4, 도 5 및 도 6은 본 발명의 실시예에 있어서의 패널(10)의 각 전극에 인가하는 구동 전압 파형도이다. 도 4는 전체 셀 초기화 동작을 행하는 서브필드(이하, 「전체 셀 초기화 서브필드」라고 약기함)이고, 또한 이상 전하 소거 기간을 구비하지 않는 서브필드를 나타내고, 도 5는 선택 초기화 동작을 행하는 서브필드(이하, 「선택 초기화 서브필드」라고 약기함)이고, 또한 이상 전하 소거 기간을 구비하지 않는 서브필드를 나타내고 있다. 또한, 도 6은 선택 초기화 서브필드이고, 또한 이상 전하 소거 기간을 구비한 서브필드를 나타내고 있다.

먼저, 이상 전하 소거 기간을 구비하지 않는 전체 셀 초기화 서브필드에 대 해서 도 4를 이용하여 설명한다.

초기화 기간 전반부에서는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 기입 펄스 전압 Vw를 인가하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 0(V)를 인가하며, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하의 전압 Vi1로부터, 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi2를 향해서 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 인가한다.

이 경사 파형 전압이 상승하는 동안에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상에 부의 벽전압이 축적됨과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상에는 정의 벽전압이 축적된다. 여기서, 전극 상의 벽전압이란, 전극을 덮는 유전체층 상, 보호층 상, 형광체층 상 등에 축적된 벽전하에 의해 생기는 전압을 나타낸다.

초기화 기간 후반부에서는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 전압 0(V)를 인가하여, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 정의 전압 Ve1을 인가하며, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 대하여 방전 개시 전압 이하로 되는 전압 Vi3으로부터 방전 개시 전압을 초과하는 전압 Vi4를 향해서 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다. 이 동안에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이에서 각각 미약한 초기화 방전이 일어난다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상의 부의 벽전압 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상의 정의 벽전압이 약해지고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상의 정의 벽전압은 기입 동작에 적합한 값으로 조정된다. 이상에 의해, 모든 방전 셀에 대하여 초기화 방전을 행하는 전체 셀 초기화 동작이 종료된다.

이상의 설명은, 전체 셀 초기화 동작이 정상적으로 실시된 경우이지만, 방전 지연이 커지는 등, 방전이 불안정해지면, 완만하게 변화되는 경사 파형 전압을 인가하고 있음에도 불구하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 사이, 또는 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 사이에서 강한 방전이 발생하는 일이 있다. 이러한 강한 방전을, 이하 「이상 초기화 방전」이라고 약기한다. 그리고, 이상 초기화 방전이 전체 셀 초기화 기간의 후반부에서 발생하면, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상에는 정의 벽전압, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상에는 부의 벽전압, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 상에도 소정의 벽전압이 축적된다. 또한, 이상 초기화 방전이 전체 셀 초기화 기간의 전반부에서 발생한 경우에는, 전체 셀 초기화 기간의 후반부에서도 다시 이상 초기화 방전이 발생하고, 그 결과, 상술한 벽전압이 축적된다. 이들 벽전압은 방전 셀이 정상적인 동작을 저해하기 때문에, 이들 벽전압을 일으키는 벽전하를, 이하 「이상 전하」라고 표기한다.

계속되는 기입 기간의 기수 기간에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve2를 인가하고, 기수번째의 주사 전극 SC1, 주사 전극 SC3, …, 주사 전극 SCn-1의 각각은 제 2의 전압 Vs2를, 우수번째의 주사 전극 SC2, 주사 전극 SC4, …, 주사 전극 SCn의 각각은 제 4의 전압 Vs4을 각각 인가한다. 여기서, 제 4의 전압 Vs4는 제 2의 전압 Vs2보다 높은 전압이다.

다음에, 1번째의 주사 전극 SC1에 부의 주사 펄스를 인가하기 위해서 주사 펄스 전압 Vad를 인가한다. 그리고, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 중 1행째에 발광시켜야 되는 방전 셀의 데이터 전극 Dk(k=1~m)에 정의 기입 펄스 전압 Vw를 인가한다. 이때 본 실시예에 있어서는, 주사 전극 SC1에 인접하는 주사 전극, 즉 2번째의 주사 전극 SC2에 제 4의 전압 Vs4보다 낮은 제 3의 전압 Vs3을 인가한다. 이것은 인접하는 주사 전극 SC1과 주사 전극 SC2 사이에 과대한 전압차가 인가되는 것을 방지하기 위함이다.

그렇게 하면 기입 펄스 전압 Vw를 인가한 방전 셀의 데이터 전극 Dk 상과 주사 전극 SC1 상과의 교차부의 전압차는, 외부 인가 전압의 차(Vw-Vad)에 데이터 전극 Dk 상의 벽전압과 주사 전극 SC1 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 데이터 전극 Dk과 주사 전극 SC1 사이 및 유지 전극 SU1과 주사 전극 SC1 사이에 기입 방전이 일어나서, 주사 전극 SC1 상에 정의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SU1상에 부의 벽전압이 축적되고, 데이터 전극 Dk 상에도 부의 벽전압이 축적된다. 이렇게 하여, 1행째에 발광시켜야 되는 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜서 각 전극 상에 벽전압을 축적하는 기입 동작이 행해진다. 한편, 기입 펄스 전압 Vw를 인가하지 않은 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm과 주사 전극 SC1과의 교차부의 전압은 방전 개시 전압을 초과하지 않기 때문에, 기입 방전은 발생하지 않는다.

이하, 기수번째의 주사 전극 SC3, 주사 전극 SC5, …, 주사 전극 SCn-1에 대해서 마찬가지로 기입 동작을 행한다. 그리고, 이때 기입 동작을 행하는 기수번째의 주사 전극 SCp+1(p=우수, 1<p<n)에 인접하는 우수번째의 주사 전극 SCp 및 주사 전극 SCp+2에도 제 3의 전압 Vs3를 인가한다.

계속되는 우수 기간에서는, 기수번째의 주사 전극 SC1, 주사 전극 SC3, …, 주사 전극 SCn-1에 제 2의 전압 Vs2을 인가한 채로, 우수번째의 주사 전극 SC2, 주사 전극 SC4, …, 주사 전극 SCn에 제 2의 전압 Vs2를 인가한다.

다음에, 2번째의 주사 전극 SC2에 부의 주사 펄스를 인가하기 위해서 주사 펄스 전압 Vad를 인가함과 아울러, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 중 2행째에 발광시켜야 되는 방전 셀의 데이터 전극 Dk에 정의 기입 펄스 전압 Vw를 인가한다. 그렇게 하면 그 방전 셀의 데이터 전극 Dk와 주사 전극 SC2의 교차부의 전압차는 방전 개시 전압을 초과하고, 2행째에 발광시켜야 되는 방전 셀에서 기입 방전을 일으켜서 각 전극 상에 벽전압을 축적하는 기입 동작이 행해진다.

이하 마찬가지로, 우수번째의 주사 전극 SC4, 주사 전극 SC6, …, 주사 전극 SCn에 대해서도 마찬가지로 기입 동작을 행한다.

또한, 이상 전하를 가지는 방전 셀에서는, 기입 방전에 필요한 벽전압을 구비하고 있지 않기 때문에 정상적인 기입 방전은 발생하지 않는다.

계속되는 유지 기간에서는, 먼저 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 유지 펄스 전압 Vm을 인가함과 아울러 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 0(V)를 인가한다. 그렇게 하면 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상과 유지 전극 SUi 상의 전압차가 유지 펄스 전압 Vm에 주사 전극 SCi 상의 벽전압과 유지 전극 SUi 상의 벽전압의 차가 가산된 것으로 되어 방전 개시 전압을 초과한다. 그리고, 주사 전극 SCi와 유지 전극 SUi 사이에 유지 방전이 일어나고, 이때 발생한 자외선에 의해 형광체층(35)이 발광한다. 그리고, 주사 전극 SCi 상에 부의 벽전압이 축적되고, 유지 전극 SUi 상에 정의 벽전압이 축적된다. 또한, 데이터 전극 Dk 상에도 정의 벽전압이 축적된다. 기입 기간에 있어서 기입 방전이 일어나지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간의 종료시에 있어서의 벽전압이 유지된다.

계속해서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 전압 0(V)를, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에는 유지 펄스 전압 Vm을 각각 인가한다. 그렇게 하면, 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는, 유지 전극 SUi 상과 주사 전극 SCi 상의 전압차가 방전 개시 전압을 초과하기 때문에 다시 유지 전극 SUi와 주사 전극 SCi 사이에 유지 방전이 일어나서, 유지 전극 SUi 상에 부의 벽전압이 축적되고, 주사 전극 SCi 상에 정의 벽전압이 축적된다. 이후 마찬가지로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 교대로 휘도 가중치에 따른 수의 유지 펄스를 인가하여, 표시 전극쌍(24)의 전극간에 전위차를 부여함으로써, 기입 기간에 있어서 기입 방전을 일으킨 방전 셀에서 유지 방전이 계속해서 실시된다.

그리고, 유지 기간의 마지막에는 유지 펄스 전압 Vm과 같거나, 그보다 높은 전압 Vr을 향해서 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하고, 데이터 전극 Dk 상의 정의 벽전압을 남긴 채로, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽전압을 약하게 한다. 이렇게 해서 유지 기간에서의 유지 동작이 종료된다.

또한, 이상 전하를 가지는 방전 셀에서는, 주사 전극 SCi 상에는 정의 벽전압, 유지 전극 SUi 상에는 부의 벽전압이 축적되어 있기 때문에 유지 방전이 발생할 가능성이 있다. 단, 이상 전하의 크기는 유지 방전을 확실히 발생시킬 정도로크지 않기 때문에, 유지 방전은 우발적으로 발생하게 된다. 또한, 최초의 서브필드에서 유지 방전이 발생하지 않은 경우에는, 다음의 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전이 발생할 가능성이 있다. 이와 같이, 이상 전하를 가지는 방전 셀은, 표시 전극쌍(24)의 어느 한쪽에 유지 펄스 전압 Vm이 인가되면 항상 방전할 가능성을 가지고 있지만, 유지 기간에 있어서 일단 유지 방전이 발생하면, 그 유지 기간에 계속되는 초기화 기간에 있어서 정상적으로 초기화 동작이 행해지기 때문에, 그 후의 서브필드에서는 정상적인 동작을 행한다.

다음에, 이상 전하 소거 기간을 구비하지 않는 선택 초기화 서브필드의 동작에 대해서 도 5를 이용하여 설명한다.

선택 초기화 동작을 행하는 초기화 기간에서는, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 Ve1을, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm에 전압 0(V)를 각각 인가하고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 0(V)로부터 전압 Vi4를 향해서 완만하게 하강하는 경사 파형 전압을 인가한다.

그렇게 하면 앞의 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전을 일으킨 방전 셀에서는 미약한 초기화 방전이 발생하여, 주사 전극 SCi 상 및 유지 전극 SUi 상의 벽 전압이 약해진다. 또한, 데이터 전극 Dk에 대해서는, 직전의 유지 방전에 의해서 데이터 전극 Dk 상에 충분한 정의 벽전압이 축적되어 있기 때문에, 이 벽전압의 과잉된 부분이 방전되어, 기입 동작에 적합한 벽전압으로 조정된다.

한편, 앞의 서브필드에서 유지 방전을 일으키지 않았던 방전 셀에 대해서는 방전하는 일은 없어, 앞의 서브필드의 초기화 기간 종료시에 있어서의 벽전하가 그대로 유지된다. 이와 같이 선택 초기화 동작은, 직전의 서브필드의 유지 기간에서 유지 동작을 행한 방전 셀에 대하여 선택적으로 초기화 방전을 행하는 동작이다.

계속되는 기입 기간의 동작은 전체 셀 초기화 서브필드의 기입 기간의 동작과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 계속되는 유지 기간의 동작도 유지 펄스의 수를 제외하고 마찬가지이다.

다음에, 이상 전하 소거 기간을 구비한 선택 초기화 서브필드의 동작에 대해서 도 6을 이용하여 설명한다. 초기화 기간에 있어서의 선택 초기화 동작, 기입 기간에 있어서의 기입 동작, 유지 기간에 있어서의 유지 동작에 대해서는, 이상 전하 소거 기간을 구비하지 않는 선택 초기화 서브필드에 있어서의 각각의 동작과 마찬가지이기 때문에, 설명을 생략한다.

이상 전하 소거 기간에서는, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm을 전압 0(V)로 유지한 채로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압, 본 실시예에 있어서는 전압 Vm의 직사각형 파형 전압을 인가하고, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 전압 0(V)를 인가한다. 이때 각 전극에 인가되는 전압은, 유지 기간에 있어서 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 최초의 유지 펄스 전압 Vm을 인가했을 때와 동 일하다. 상술한 바와 같이, 기입 방전을 일으키지 않은 방전 셀에서는 유지 방전은 발생하지 않지만, 이상 전하 소거 기간은 초기화 기간의 직후, 기입 기간의 전에 마련되어 있기 때문에, 정상적인 방전 셀에 있어서는 이상 전하 소거 기간에서는 방전은 발생하지 않는다.

그러나, 이상 전하를 가지는 방전 셀에 대해서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압 Vm이 인가되어 있기 때문에, 방전할 가능성이 있다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압 Vm을 인가하는 시간을, 유지 기간에 있어서의 유지 펄스의 지속 시간보다 길게 설정하고 있다. 그 때문에, 이상 전하를 가지는 방전 셀이 이상 전하 소거 기간에 방전할 확률은 유지 펄스에 의해 방전할 확률과 비교하여 높아서, 이상 전하를 가지는 방전 셀의 대부분을 이상 전하 소거 기간에 있어서 방전시킬 수 있다.

다음에, 데이터 전극 D1~데이터 전극 Dm 및 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn을 전압 0(V)로 유지한 채로, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 부의 직사각형 파형 전압, 본 실시예에 있어서는 전압 Vad의 직사각형 파형 전압을 인가한다. 그렇게 하면, 이상 전하를 가지는 방전 셀은 다시 방전이 발생하여 이상 전하가 제거된다. 그 때문에, 그 후, 유지 기간에 있어서 유지 방전을 발생시키는 일은 없다. 단, 이상 전하가 제거될 때에 기입 동작에 필요한 벽전하도 소거되어 버리기 때문에, 기입 동작을 행하는 것도 할 수 없게 된다. 이러한 벽전하의 상태는 다음에 전체 셀 초기화 동작을 할 때까지 계속된다. 또한, 도 6에는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압 Vm을 인가하는 시간을 시간 TA로 표시하고, 부의 직사각형 파형 전압 Vad를 인가하는 시간을 시간 TB로 표시하고 있다.

다음에, 본 실시예에 있어서의 서브필드 구성에 대해서 설명한다. 본 실시예에 있어서는, 1필드를 10의 서브필드(제 1 SF, 제 2 SF, …, 제 10 SF)로 분할하고, 각 서브필드는 각각(1, 2, 3, 6, 11, 18, 30, 44, 60, 80)의 휘도 가중치를 가진다고 가정하여 설명하지만, 서브필드 수나 각 서브필드의 휘도 가중치가 상기의 값에 한정되는 것은 아니다.

도 7은 본 발명의 실시예에 있어서의 서브필드 구성을 나타내는 도면이다. 본 발명의 실시예에 있어서는, 제 1 SF는 전체 셀 초기화 서브필드이고, 제 2 SF~제 10 SF는 선택 초기화 서브필드이다. 그리고, 제 2 SF에 이상 전하 소거 기간을 마련하고, 그 이외의 서브필드에는 이상 전하 소거 기간은 마련되어 있지 않다.

상술한 바와 같이, 이상 전하를 가지는 방전 셀은 각 서브필드의 유지 기간에 있어서 우발적으로 유지 방전을 발생시킬 가능성이 있다. 그리고, 일단 유지 방전이 발생하면, 그 유지 기간의 마지막까지 유지 방전이 계속된다. 따라서, 이 유지 방전에 의한 발광은 휘도 가중치가 큰 서브필드, 본 실시예에 있어서는 뒤에 배치된 서브필드일수록 밝아질 가능성이 높아진다. 발광하지 않아야 할 방전 셀이 밝게 발광하면 화상 표시 품질이 크게 손상되기 때문에, 이상 전하에 의한 발광 휘도는 가능한 한 억제되어야 한다. 그것을 위해서는, 전체 셀 초기화 동작 후, 빠른 시기에 이상 전하 소거 기간을 마련하여 이상 전하를 소거하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서는, 이러한 이유 때문에 제 2 SF에 이상 전하 소거 기간을 마련하고 있다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 검출 온도 및 APL에 근거하여 시간 TA, 시간 TB의 길이를 전환하여 구동하고 있다. 도 8은 본 발명의 실시예에 있어서의 시간 TA 및 시간 TB를 나타내는 도면이다. 검출 온도가 온도 임계값 이상인 경우, 이상 전하를 가지는 방전 셀을 높은 확률로 이상 전하 소거 기간에 방전할 수 있기 때문에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압 Vm을 인가하는 시간, 즉 시간 TA를 3μsec로 설정하고 있다. 또한, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 부의 직사각형 파형 전압 Vad를 인가하는 시간, 즉 시간 TB를 동일하게 3μsec로 설정하고 있다. 그리고, 이상 전하를 가지는 방전 셀의 대부분을 제 2 SF의 이상 전하 소거 기간에 있어서 방전시킬 수 있다.

한편, 검출 온도가 온도 임계값 미만인 경우에는 방전 지연 시간이 길어져서, 방전이 발생할 확률이 낮아진다. 그 때문에, 본 실시예에 있어서는 시간 TB를, 온도가 온도 임계값 이상인 경우보다 긴 6μsec로 설정하고 있다. 이와 같이 검출 온도가 소정의 온도 임계값 미만인 경우에는 이상 전하 소거 기간을 길게 설정하여, 가능한 한 휘도 가중치가 작은 서브필드의 이상 전하 소거 기간에 있어서 이상 전하를 가지는 방전 셀을 방전시켜서, 화상 표시 품질의 저하를 방지하고 있다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 검출 온도가 온도 임계값 미만이고, 또한 APL이 0보다 큰 경우에는, 시간 TA는 3μsec로 설정하고 있다. 그러나, 검출 온도가 온도 임계값 미만이고, 또한 APL이 0 또는 거의 0인 경우에는, 시간 TA를 5μsec로 길게 설정하고 있다. 이것은 이하의 이유에 의한다. 검은색을 표시하는 경우나 매우 어두운 화상을 표시하는 경우에 발생한 오점등은 매우 눈에 띄기 쉬워서, 화상 표시 품질을 크게 저하시킨다. 그 때문에, 온도가 낮아서 방전 지연 시간이 길어질 때는, 시간 TB뿐만 아니라, 시간 TA도 길게 설정하여, 어두운 화면에서의 오점등을 더욱 억제하고 있다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 소정의 온도 임계값은 예를 들어 17℃이지만, 이 값은 패널의 방전 특성 등에 따라 적절히 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 검출 온도를 하나의 온도 임계값과 비교하여 이상 전하 소거 기간의 길이를 설정했지만, 복수의 온도 임계값을 마련하여, 온도가 높아짐에 따라서 이상 전하 소거 기간을 짧게 하도록 제어해도 좋다.

다음에, 이상 전하 소거 기간에 있어서의 구동 전압 파형을 발생시키는 방법에 대해서 설명한다. 도 9는 본 발명의 실시예에 있어서의 주사 전극 구동 회로(43)의 회로도이다. 주사 전극 구동 회로(43)는 유지 펄스 발생부(51), 상승 경사 전압 발생부(53), 하강 경사 전압 발생부(55), 주사 펄스 전압 인가부(57), 기수 주사 펄스 발생부(81), 우수 주사 펄스 발생부(86), 복합 스위치부(90)를 구비하고 있다.

유지 펄스 발생부(51)는 유지 펄스 전압 Vm을 출력하는 스위칭 소자 SW1, 전압 0(V)를 출력하는 스위칭 소자 SW2 및 전력을 회수하기 위한 전력 회수부를 구비하고, 유지 기간에 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 인가하는 유지 펄스를 발생시킨다. 상승 경사 전압 발생부(53)는 초기화 기간의 전반부에 주사 전극 SC1~주사 전 극 SCn에 인가하는 완만하게 상승하는 경사 파형 전압을 발생시킨다.

기수 주사 펄스 발생부(81)는 전압 Vscn의 플로팅 전원 VSCN1과, 플로팅 전원 VSCN1의 저전압 측의 기준 전압 또는 고압 측의 전압을 기수번째의 주사 전극 SC1, 주사 전극 SC3, …, 주사 전극 SCn-1의 각각에 인가하는 출력부 OUT1, OUT3, …, OUTn-1을 구비하고 있다. 출력부 OUT1, OUT3, …, OUTn-1은 플로팅 전원 VSCN1의 고압 측의 전압을 출력하는 스위칭 소자 SWH1, SWH3, …, SWHn-1과, 플로팅 전원 VSCN1의 저압 측의 기준 전압을 출력하는 스위칭 소자 SWL1, SWL3, SWLn-1을 갖는다.

우수 주사 펄스 발생부(86)도 마찬가지로, 전압 Vscn의 플로팅 전원 VSCN2와, 플로팅 전원 VSCN2의 저전압 측의 기준 전압 또는 고압 측의 전압을 우수번째의 주사 전극 SC2, 주사 전극 SC4, …, 주사 전극 SCn의 각각에 인가하는 출력부 OUT2, OUT4, …, OUTn을 구비하고 있다. 출력부 OUT2, OUT4, …, OUTn은 플로팅 전원 VSCN2의 고압 측의 전압을 출력하는 스위칭 소자 SWH2, SWH4, …, SWHn과, 플로팅 전원 VSCN2의 저압 측의 기준 전압을 출력하는 스위칭 소자 SWL2, SWL4, …, SWLn을 갖는다.

주사 펄스 전압 인가부(57)는 스위칭 소자 SW3을 갖고, 기입 기간에 있어서 기수 주사 펄스 발생부(81)의 기준 전압을 주사 펄스 전압 Vad에 접속시킨다. 하강 경사 전압 발생부(55)는 초기화 기간의 후반부에서 기수 주사 펄스 발생부(81)의 기준 전압을 완만하게 저하시킨다.

복합 스위치부(90)는 기수 주사 펄스 발생부(81)의 기준 전압을 유지 펄스 발생부(51) 또는 상승 경사 전압 발생부(53)의 출력에 접속시키는 스위칭 소자 SW5와, 우수 주사 펄스 발생부(86)의 기준 전압을 유지 펄스 발생부(51) 또는 상승 경사 전압 발생부(53)의 출력에 접속시키는 스위칭 소자 SW6와, 기수 주사 펄스 발생부(81)의 기준 전압과 우수 주사 펄스 발생부(86)의 기준 전압을 접속하는 스위칭 소자 SW7를 구비한다.

또한, 플로팅 전원 VSCN1, 플로팅 전원 VSCN2는, 예컨대 DC-DC 컨버터 등을 이용하여 구성해도 좋지만, 다이오드와 콘덴서를 갖는 부트스트랩 회로를 이용하여 간단하게 구성할 수 있다. 본 실시예에 있어서는, 플로팅 전원 VSCN1 및 플로팅 전원 VSCN2의 전압은 모두 전압 Vscn이기 때문에, 제 2 전압 Vs2는 (Vs2=Vad+Vscn)이고, 제 4 전압 Vs4는 (Vs4=Vs3+Vscn)이다. 또한, 전압 Vad=-140(V), 전압 Vscn=148(V), 제 3 전압 Vs3=0(V)이다. 그러나, 이들 전압은 일례이며, 패널의 특성 등에 맞춰서 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

다음에, 주사 전극 구동 회로(43)의 동작에 대해서 설명한다. 도 10은 본 발명의 실시예에 있어서의 이상 전하 소거 기간에서의 주사 전극 구동 회로(43)의 동작을 설명하기 위한 타이밍 차트이다. 또한, 이하의 설명에 있어서 스위칭 소자를 도통시키는 동작을 온, 차단시키는 동작을 오프로 표기한다.

먼저, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에는 전압 0(V)가 인가되어 있는 것으로 한다. 따라서, 유지 펄스 발생부(51)의 스위칭 소자 SW2, 복합 스위치부(90)의 스위칭 소자 SW5 및 스위칭 소자 SW6, 출력부 OUT1~OUTn의 스위칭 소자 SWL1~SWLn이 온이고, 그 이외의 스위칭 소자는 오프이다.

시각 t1에, 유지 펄스 발생부(51)의 스위칭 소자 SW2를 오프로 하고, 스위칭 소자 SW1을 온으로 한다. 그렇게 하면 스위칭 소자 SW1, 스위칭 소자 SW5 또는 스위칭 소자 SW6, 스위칭 소자 SWL1~SWLn을 통해서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vm이 인가된다.

이때, 이상 전하를 가지는 방전 셀의 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상에는 정의 벽전압, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상에는 부의 벽전압이 축적되기 때문에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상과의 전압차는 방전 개시 전압을 초과하여 방전이 발생한다. 그리고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상에는 부의 벽전압, 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상에는 정의 벽전압이 축적된다. 그리고, 시각 t2에서, 유지 펄스 발생부(51)의 스위칭 소자 SW1을 오프, 스위칭 소자 SW2를 온으로 하여, 일단 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn을 전압 0(V)로 되돌린다. 또한, 시간 (t2-t1)은, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 정의 직사각형 파형 전압 Vm을 인가하는 시간, 즉 시간 TA이다.

그리고, 그 후, 시각 t3에서, 스위칭 소자 SW2를 오프로 하고, 복합 스위치부(90)의 스위칭 소자 SW5, SW6를 오프로, 스위칭 소자 SW7를 온으로 하여, 또한 주사 펄스 전압 인가부(57)의 스위칭 소자 SW3을 온으로 한다. 그렇게 하면 스위칭 소자 SW3, 스위칭 소자 SWL1~SWLn을 통해서, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 전압 Vad가 인가된다.

그렇게 하면, 시각 t1 후에 방전이 발생한 방전 셀에서는, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상의 전압차는 다시 방전 개시 전 압을 초과하여 방전이 발생한다. 단, 이때 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn에 인가되어 있는 전압은 전압 0(V)이고, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상의 전압차는 방전 개시 전압을 크게는 초과하지 않기 때문에, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn 상과 유지 전극 SU1~유지 전극 SUn 상과의 벽전압은 소거된다.

한편, 이상 전하가 축적되어 있지 않은 정상적인 방전 셀에서는 방전 개시 전압 이하의 전압밖에 인가되지 않기 때문에 방전은 발생하지 않고, 초기화 기간 종료 후의 벽전압이 유지된다.

시각 t4에서, 출력부 OUT1~OUTn의 스위칭 소자 SWL1~SWLn을 오프로 하고, 스위칭 소자 SWH1~SWHn을 온으로 하여 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 제 2 전압 Vs2를 인가한다. 여기서 제 2 전압 Vs2는 주사 펄스 전압 Vad에 전압 Vscn을 중첩한 전압이다. 또한, 시간 (t4-t3)은, 주사 전극 SC1~주사 전극 SCn에 부의 직사각형 파형 전압 Vad를 인가하는 시간, 즉 시간 TB이다. 이것 이후는 기입 기간이다.

또한, 상술한 본 실시예에 있어서 이용한 구체적인 수치 등은, 단지 일례를 든 것에 불과하고, 패널의 특성이나 플라즈마 디스플레이 장치의 수단 등에 맞춰서 적절히 최적의 값으로 설정하는 것이 바람직하다.

본 발명은 넓은 온도 범위에 걸쳐서 오방전을 발생시키지 않고, 화상 표시 품질을 크게 저하시키지 않기 때문에, 플라즈마 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 으로서 유용하다.

Claims (3)

1. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 주위 온도를 검출하여 검출 온도를 출력하는 온도 검출 회로와, 화상 신호의 APL을 검출하는 APL 검출 회로를 구비하고, 상기 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과, 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과, 상기 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드를 배치해서 1필드 기간을 구성하여 화상을 표시하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법으로서,

   상기 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화 기간과 기입 기간 사이에, 상기 주사 전극에 직사각형 파형 전압을 인가하는 이상 전하 소거 기간을 마련하고,

   상기 온도 검출 회로가 검출한 검출 온도와 상기 APL 검출 회로가 검출한 APL에 근거하여 상기 직사각형 파형 전압을 인가하는 시간을 제어하는 것

   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 검출 온도가 낮은 경우에는, 상기 검출 온도가 높은 경우보다도, 상기 직사각형 파형 전압을 인가하는 시간을 길게 설정하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치의 구동 방법.
3. 주사 전극과 유지 전극으로 이루어지는 표시 전극쌍을 갖는 방전 셀을 복수 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과, 상기 플라즈마 디스플레이 패널의 주위 온도를 검출하여 검출 온도를 출력하는 온도 검출 회로와, 화상 신호의 APL을 검출하는 APL 검출 회로와, 상기 방전 셀에서 초기화 방전을 발생시키는 초기화 기간과 상기 방전 셀에서 기입 방전을 발생시키는 기입 기간과 상기 방전 셀에서 유지 방전을 발생시키는 유지 기간을 갖는 복수의 서브필드를 배치해서 1필드 기간을 구성하여 화상을 표시하기 위한 패널 구동 회로를 구비한 플라즈마 디스플레이 장치로서,

   상기 패널 구동 회로는,

   상기 복수의 서브필드 중 적어도 하나의 서브필드의 초기화 기간과 기입 기간 사이에 상기 주사 전극에 직사각형 파형 전압을 인가하는 이상 전하 소거 기간을 마련하고,

   상기 온도 검출 회로가 검출한 검출 온도와 상기 APL 검출 회로가 검출한 APL에 근거하여 상기 직사각형 파형 전압을 인가하는 시간을 제어하는 것

   을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 장치.

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