KR20090022039A - A thin film treatment apparatus - Google Patents

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Abstract

A thin film processing device is provided to support a substrate stably by using a loading frame to support an edge of a lower part of the substrate. A processing chamber(110) includes a predetermined reaction space and first and second protrusions along an inner circumference. A substrate receiving stand moves up and down inside the processing chamber and includes at least one of first and second align protrusions with different height. A loading frame(200) is positioned in an upper part of the substrate receiving stand and at least one of first and second align grooves into which the first and second align protrusions are inserted, and supports the bottom of the substrate. An edge frame(126) is positioned in the upper part of the loading frame and includes a third align groove into which the second align protrusion is inserted, and covers the edges of the substrate and the substrate receiving stand.

Description

박막처리장치{A thin film treatment apparatus} Thin film treatment apparatus

본 발명은 챔버형 박막처리장치에 관한 것으로 특히, 챔버 내부로 인입되는 기판을 지지하는 부재 및 이를 포함하는 박막처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a chamber type thin film processing apparatus, and more particularly, to a member for supporting a substrate introduced into a chamber and a thin film processing apparatus including the same.

일반적으로 태양전지(solar cell) 또는 액정표시소자의 제조를 위해서는 실리콘웨이퍼 또는 글래스(이하, 기판이라 함)를 대상으로 여러 가지 다양한 공정을 진행하는데, 이중 기판 표면에 회로패턴을 형성하기 위해서 소정물질의 박막을 형성하는 박막증착(deposition)공정, 상기 박막의 선택된 일부를 노출시키는 포토리소그라피(photo-lithography)공정, 상기 박막의 노출된 부분을 제거함으로써 목적하는 형태로 패터닝(patterning) 하는 식각(etching) 공정이 수 차례 반복되고, 그 외에 세정, 합착, 절단 등의 다양한 공정이 수반된다.In general, a variety of processes are performed on silicon wafers or glass (hereinafter, referred to as substrates) for the manufacture of solar cells or liquid crystal display devices. A thin film deposition process for forming a thin film of photoresist, a photo-lithography process for exposing selected portions of the thin film, and etching to pattern the desired shape by removing the exposed portions of the thin film ) Process is repeated several times, and various processes, such as washing | cleaning, coalescence, and cutting | disconnection, are accompanied.

이 같은 박막증착 및 식각 등의 박막처리공정은 통상 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 챔버형 박막처리장치에서 진행되어 왔는데, 최근에는 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 챔버 내에서 RF(Radio Frequence) 고전압을 이용하여 반응가스를 플라 즈마 상태로 여기시킨 상태에서 박막처리공정을 진행하는 플라즈마 화학기상증착, 이른바PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)방법이 폭넓게 사용되고 있다. Such thin film processing such as thin film deposition and etching has generally been carried out in a chamber-type thin film processing apparatus defining a closed reaction region (A). Radio Frequence) Plasma chemical vapor deposition, so-called PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), which proceeds a thin film treatment process in a state in which a reaction gas is excited in a plasma state using a high voltage, is widely used.

도 1은 일반적인 평판표시장치의 제조를 위한 PECVD 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a PECVD chamber type thin film processing apparatus for manufacturing a general flat panel display.

보이는 바와 같이 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 공정챔버(10)를 필수적인 구성요소로 하며, 이의 내부로는 처리대상물인 기판(2)이 실장되며, 상기 기판(2)이 실장된 공정챔버(10)의 반응영역(A) 내로 소정의 반응가스를 유입시킨 후 이를 활성화 시켜 목적하는 박막처리공정을 진행한다. As can be seen, the process chamber 10 defining the sealed reaction zone A is an essential component, and a substrate 2, which is an object to be processed, is mounted therein, and a process chamber in which the substrate 2 is mounted. After a predetermined reaction gas is introduced into the reaction zone (A) of (10), it is activated to proceed with the desired thin film treatment process.

즉, 공정챔버(10) 내부에는 기판(2) 상의 박막에 대한 증착 및 식각을 위한 밀폐된 반응공간(A)을 제공하며, 특히 이의 내부로는 RF 전압이 인가되는 상부전극(12)과, 이의 하단으로 구비되며 외부의 반응가스가 반응영역(A) 내로 균일 분사되도록 다수의 분사홀(18)이 전 면적에 걸쳐 상하로 투공된 가스분배판(20)이 구성된다. That is, the inside of the process chamber 10 is provided with a closed reaction space (A) for the deposition and etching of the thin film on the substrate 2, in particular the upper electrode 12 to which the RF voltage is applied, It is provided at the lower end of the gas distribution plate 20 is composed of a plurality of injection holes 18 perforated up and down over the entire area so that the external reaction gas is uniformly injected into the reaction zone (A).

이때, RF 전압은 최대전력을 인가하기 위하여 부하임피던스와 소스임피던스를 정합시키는 역할을 하는 정합회로를 통해 상기 상부전극(12)으로 전압이 인가되게 된다. At this time, the RF voltage is applied to the upper electrode 12 through a matching circuit serving to match the load impedance and the source impedance in order to apply the maximum power.

또한, 상기 상부전극(12)과 반응영역(A)을 사이에 두고 이와 대면되어 기판(2)이 안착되는 척의 역할과 함께 바이어스 전압이 인가되는 하부전극(14)이 구비되는데, 이는 외부의 엘리베이터어셈블리(16)에 의해 상하 승강이 가능하도록 이 루어져 있다. 이때, 상기 하부전극(14)의 내부로는 히터(미도시) 등의 발열수단이 내장되어 있다. In addition, the upper electrode 12 and the reaction region A are disposed between and faced with the lower electrode 14 to which the bias voltage is applied together with the role of the chuck on which the substrate 2 is seated. The assembly 16 is configured to be able to move up and down. At this time, a heat generating means such as a heater (not shown) is built into the lower electrode 14.

상기 공정챔버(10)의 상부에는 상기 반응영역(A) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스공급로(24)가 구비되는데, 상기 반응가스공급로(24)는 상기 상부전극(12)의 중앙을 관통하여 설치되며, 상기 공정챔버(10)에는 배기포트(22)가 마련되어 외부의 펌핑시스템(미도시)을 통해서 내부 반응영역(A)을 배기할 수 있도록 이루어진다.The upper part of the process chamber 10 is provided with a reaction gas supply passage 24 for supplying a reaction gas into the reaction region A, the reaction gas supply passage 24 is the center of the upper electrode 12 It is installed through, the process chamber 10 is provided with an exhaust port 22 is made to exhaust the internal reaction zone (A) through an external pumping system (not shown).

또한, 상기 기판(2)의 가장자리로 박막이 증착되는 것을 억제하기 위한 에지프레임(26)이 공정챔버(10) 내부에 고정 설치된다. In addition, an edge frame 26 is fixedly installed in the process chamber 10 to prevent the thin film from being deposited at the edge of the substrate 2.

한편, 상기 기판(2)이 안착되는 하부전극(14)에는 다수의 지지핀홀(28)이 형성되어 있으며, 상기 지지핀홀(28)에는 상기 하부전극(14)의 상면으로부터 상하 승강운동하여, 기판(2)의 배면을 직접적으로 지지하게 되는 다수의 기판지지핀(30)이 삽입되어 있는데, 이에 대해서 아래 도 2a ~ 2c를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다. Meanwhile, a plurality of support pin holes 28 are formed in the lower electrode 14 on which the substrate 2 is seated, and the support pin holes 28 move up and down from an upper surface of the lower electrode 14 to form a substrate. A plurality of substrate support pins 30 are inserted to directly support the back of (2), which will be described in more detail with reference to FIGS. 2A to 2C below.

도 2a ~ 2c는 각각 종래의 챔버형 박막처리장치에서 기판지지핀을 이용하여 기판이 하부전극의 상면으로 안착하기까지의 과정을 개략적으로 도시한 도면이다. 2a to 2c schematically illustrate a process of mounting a substrate to an upper surface of a lower electrode by using a substrate support pin in a conventional chamber type thin film processing apparatus.

도 2a에 도시한 바와 같이, 외부로부터 기판(2)은 로봇암(32)이 저면에서 지지하는 상태로 상기 공정챔버(도 1의 10) 내부로 인입되는데 이때, 다수의 기판지지핀(30)은 일단이 공정챔버(도 1의 10)의 저면에 닿은 상태로 이의 타단은 기판(2)의 저면과 이격된 상태에서 하부전극(14)에 형성된 지지핀홀(28)을 관통하여 하부전극(14) 상면으로 돌출되어 있다. As shown in FIG. 2A, the substrate 2 is introduced from the outside into the process chamber (10 of FIG. 1) while the robot arm 32 supports the bottom surface thereof. One end of the lower electrode 14 penetrates through the support pin hole 28 formed in the lower electrode 14 while the other end thereof is in contact with the bottom surface of the process chamber (10 in FIG. 1) and is spaced apart from the bottom surface of the substrate 2. ) It protrudes to the upper surface.

다음으로, 상기 로봇암(32)이 소정의 거리만큼 하강하여 다수의 기판지지핀 (30) 상에 기판(2)을 안착시킨 후, 도 2b에 도시한 바와 같이 로봇암(32)은 공정챔버(10) 외부로 반송된다.Next, after the robot arm 32 is lowered by a predetermined distance to seat the substrate 2 on the plurality of substrate support pins 30, the robot arm 32 is a process chamber as shown in FIG. 2B. (10) It is conveyed to the outside.

이어서, 도 2c에 도시한 바와 같이, 상기 기판(2)을 지지하는 다수의 기판지지핀(30)이 상기 하부전극(14)의 상면으로부터 돌출된 상태를 유지한 체, 상기 하부전극(14)이 상승하여 상기 기판(2)의 저면과 접하게 되고, 이의 하부전극(14)은 상기 기판지지핀(30)과 함께 상승하게 된다. Subsequently, as shown in FIG. 2C, a plurality of substrate support pins 30 supporting the substrate 2 protrude from the upper surface of the lower electrode 14 and the lower electrode 14. This rises to be in contact with the bottom surface of the substrate 2, the lower electrode 14 is raised with the substrate support pin 30.

따라서, 상기 기판(2)은 하부전극(14) 상에 안착되어, 공정위치까지 상승하여 공정을 진행하게 된다. Therefore, the substrate 2 is seated on the lower electrode 14 to rise to the process position to proceed with the process.

그러나, 상기 다수의 기판지지핀(30)은 몇 가지 문제점을 수반하게 되는데 우선, 상기 기판지지핀(30)은 내부에 히터가 장착되어 있는 하부전극(14)을 관통하여 구비되므로, 상기 히터로부터 발생되는 열이 상기 기판지지핀(30)이 위치하는 영역에는 전달되지 않아, 상기 기판(2) 상에 증착 및 식각되는 막의 두께와 성질 등이 히터의 열이 전달되는 영역과 전달되지 않는 영역이 다르게 형성될 수 있어, 막이 고르게 증착 및 식각되지 못하게 되는 문제점을 유발하게 된다.However, the plurality of substrate support pins 30 have some problems. First, since the substrate support pins 30 are provided through the lower electrode 14 having a heater therein, the substrate support pins 30 are separated from the heaters. The generated heat is not transferred to the region where the substrate support pin 30 is located, so that the thickness and the properties of the film deposited and etched on the substrate 2 and the region where the heat of the heater is transmitted and the region where the heat is not transmitted are It may be formed differently, causing a problem that the film is not evenly deposited and etched.

또한, 상기 기판(2)의 하중에 의해 상기 기판지지핀(30)이 부러지는 문제점이 발생되는데, 특히 액정표시장치용 기판(2)에 비해 더욱 무겁고 두꺼운 태양전지용 기판(2)의 경우 이러한 문제점이 더욱 심각하다. In addition, there is a problem that the substrate support pin 30 is broken by the load of the substrate 2, especially in the case of a solar cell substrate 2 that is heavier and thicker than the liquid crystal display substrate 2 This is even more serious.

또한, 상기 기판지지핀(30) 상에 안착되는 기판(2)의 저면에 상기 기판지지 핀(30)의 자국이 남거나, 상기 기판지지핀(30)에 의해 지지되는 기판(2)의 저면에 국부적인 압력이 가해짐으로써 이 또한 기판(2)의 파손을 야기할 수 있다. 이는 최근 기판의 사이즈가 점차 대형화됨에 따라 이의 문제점이 더욱 심화된다.In addition, marks of the substrate support pin 30 remain on the bottom surface of the substrate 2 seated on the substrate support pin 30 or on the bottom surface of the substrate 2 supported by the substrate support pin 30. The application of local pressure can also cause breakage of the substrate 2. This problem is further exacerbated by the recent increase in the size of the substrate.

이렇듯, 기판지지핀(30)의 파손 또는 기판(2)의 파손은 공정의 생산성을 저하시키게 된다. As such, breakage of the substrate support pin 30 or breakage of the substrate 2 lowers the productivity of the process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명은 기판이 공정챔버로 인입 및 공정챔버로부터 외부로 반송되는 과정에서 종래의 기판지지핀을 대신할 수 있는 기판지지부재를 제공하고자 하는 것을 제 1 목적으로 한다. The present invention has been proposed to solve the above problems, the present invention is to provide a substrate support member that can replace the conventional substrate support pin in the process of the substrate is introduced into the process chamber and conveyed out from the process chamber. It is a first object to do.

이를 통해, 상기 기판의 파손을 감소시킴으로써 공정의 생산성을 향상시키고자 하는 것을 제 2 목적으로 한다. Through this, the second object is to improve the productivity of the process by reducing the breakage of the substrate.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 일정한 반응공간을 형성하며, 내측면을 따라 제 1 및 제 2 돌출단이 구비된 챔버와 상기 챔버 내에서 상하로 승강운동하며 서로 다른 높이를 갖는 제 1 및 제 2 얼라인돌기가 적어도 하나가 구성된 기판안치대와 상기 기판안치대의 상부에 위치하며, 상기 제 1 및 제 2 얼라인돌기가 끼움 삽입되는 제 1 및 제 2 얼라인홈이 적어도 하나 형성되며 기판의 저면을 지지하는 로딩프레임과 상기 로딩프레임 상부에 위치하며, 상기 제 2 얼라인돌기가 끼움 삽입되는 제 3 얼라인홈이 형성되며, 상기 기판의 가장자리 및 기판안치대의 가장자리를 덮어 가리는 에지프레임을 포함하는 박막처리장치를 제공한다. The present invention is to solve the above problems, and to form a constant reaction space, the first and second protrusions are provided along the inner surface and the lifting and lowering movement up and down in the chamber having a different height At least one substrate stabilizer having at least one first and second alignment protrusions disposed thereon and at least one first and second alignment grooves to which the first and second alignment protrusions are inserted. And a loading frame supporting the bottom surface of the substrate and an upper portion of the loading frame, wherein a third alignment groove into which the second alignment protrusion is inserted is formed to cover the edge of the substrate and the edge of the substrate restraint. Provided is a thin film processing apparatus including an edge frame.

상기 로딩프레임은 상기 기판안치대의 하강시 상기 제 1 돌출단에 의해 지지되고, 상기 기판안치대의 상승시 저면이 상기 기판안치대와 밀착 지지되어 이의 상부로 안착된 기판을 포함하여 상기 기판안치대와 함께 상승하는 것을 특징으로 하며, 상기 에지프레임은 상기 기판안치대의 하강시 상기 제 2 돌출단에 의해 지지되며, 상기 기판안치대 상승시 상기 기판안치대과 함께 상승하는 로딩프레임 상에 안착된 기판의 가장자리를 덮어 가리는 것을 특징으로 한다. The loading frame is supported by the first protruding end when the substrate stabilizer is lowered, and when the substrate stabilizer is raised, a bottom surface of the loading frame is closely attached to the substrate stabilizer and is seated on the upper portion of the substrate stabilizer. And the edge frame is supported by the second protruding end when the substrate stabilizer descends, and the edge of the substrate seated on the loading frame that rises together with the substrate stabilizer when the substrate stabilizer rises. The cover is characterized by covering.

이때, 상기 제 2 돌출단은 상기 제 1 돌출단에 비해 상기 챔버 중심부를 향해 더욱 길게 형성되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 돌출단은 상기 챔버 내측벽에 상기 제 1 돌출단의 하부에 형성되는 것을 특징으로 한다. In this case, the second protruding end may be formed longer toward the center of the chamber than the first protruding end, and the second protruding end may be formed below the first protruding end on the inner wall of the chamber. It is characterized by.

또한, 상기 로딩프레임은 제 1 내지 제 3 프레임으로 이루어져 일측면이 개구된 대략 "ㄷ"형태이며, 상기 제 1 내지 제 3 프레임의 길이방향을 따라 제 1 고정홀 그리고 소정의 홈이 다수개 구성되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 1 및 제 2 얼라인홈은 상기 제 1 및 제 3 프레임 상에 일정간격 이격하여 다수개 구성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the loading frame is composed of first to third frames having a substantially "c" shape in which one side is opened, and a plurality of first fixing holes and predetermined grooves are formed along the longitudinal direction of the first to third frames. The first and second alignment grooves are characterized in that a plurality of spaced apart at regular intervals on the first and third frames.

이때, 상기 제 1 고정홀에는 상기 제 1 돌출단이 끼움 삽입되어, 상기 로딩프 레임은 상기 챔버 내부의 일정 위치에 고정되는 것을 특징으로 하며, 상기 에지프레임은 제 1 내지 제 4 프레임으로 이루어진 사각 프레임형태로, 상기 제 2 얼라인홈과 대응되는 위치에 다수개의 제 3 얼라인홈이 형성되는 것을 특징으로 한다. In this case, the first protruding end is inserted into the first fixing hole, and the loading frame is fixed at a predetermined position inside the chamber, and the edge frame is formed of a first to fourth frame. In the form of a frame, a plurality of third alignment grooves are formed at positions corresponding to the second alignment grooves.

상기 에지프레임은 상기 소정의 홈과 대응되는 위치에 제 2 고정홀이 구성되어, 상기 제 2 돌출단이 상기 제 2 고정홀에 끼움 삽입됨으로써, 상기 에지프레임은 상기 챔버 내부의 일정 위치에 고정되는 것을 특징으로 하며, 상기 소정의 홈에 의해 상기 제 2 돌출단이 상기 로딩프레임과 접촉되지 않는 것을 특징으로 한다. The edge frame has a second fixing hole at a position corresponding to the predetermined groove, and the second protruding end is inserted into the second fixing hole so that the edge frame is fixed at a predetermined position inside the chamber. The second protrusion may not be in contact with the loading frame by the predetermined groove.

이때, 상기 제 2 얼라인돌기는 상기 제 1 얼라인돌기에 비해 높게 구성하여, 상기 제 2 얼라인홈과 제 3 얼라인홈에 끼움 삽입되는 것을 특징으로 하며, 상기 제 1 및 제 2 돌출단은 다수개 구성되며, 상기 챔버 내부를 향해 돌출되는 몸체와, 상기 몸체의 일끝단이 상기 챔버의 상부를 향해 절곡된 절곡부로 구성되며, 상기 절곡부는 상측으로 진행할수록 둘레가 작아지는 원뿔 또는 사각뿔의 기둥 형태인 것을 특징으로 한다. In this case, the second aligning protrusion is configured to be higher than the first aligning protrusion, and is inserted into the second aligning groove and the third aligning groove, and the first and second protruding ends Is composed of a plurality of, the body protruding toward the inside of the chamber, one end of the body is composed of a bent portion bent toward the upper portion of the chamber, the bent portion of the cone or square pyramid becomes smaller as it goes upward Characterized in the form of a column.

또한, 본 발명은 일정한 반응공간을 형성하며, 내측면을 따라 제 1 및 제 2 돌출단이 구비된 챔버와 상기 챔버 내에서 상하로 승강운동하며, 제 1 프레임과 상기 제 1 프레임에 수직한 제 2 프레임으로 구성된 일체형의 얼라인돌기가 적어도 하나가 구성된 기판안치대와 상기 기판안치대의 상부에 위치하며, 상기 얼라인돌기가 끼움 삽입되는 얼라인홈이 적어도 하나 형성되며 상기 얼라인돌기의 제 1 프레임에 의해 지지되는 로딩프레임과 상기 로딩프레임 상부에 위치하며, 상기 얼라인돌기의 제 2 프레임이 끼움 삽입되는 얼라인홈이 형성되며, 상기 기판의 가장자리 및 기판안치대의 가장자리를 덮어 가리는 에지프레임을 포함하며, 상기 로딩프레임은 기판의 저면 가장자리를 지지하는 것을 특징으로 하는 박막처리장치를 제공한다. In addition, the present invention forms a constant reaction space, the chamber is provided with the first and second protruding end along the inner surface and moving up and down in the chamber, the first frame and the first perpendicular to the first frame The one-piece alignment protrusion consisting of two frames is positioned on the substrate support base including the at least one and the substrate support stage, and at least one alignment groove into which the alignment protrusion is inserted is formed and the first alignment protrusion is formed. A loading frame supported by the frame and an upper side of the loading frame, and an alignment groove into which the second frame of the alignment protrusion is inserted is formed, and an edge frame covering the edge of the substrate and the edge of the substrate stabilizer. It includes, the loading frame provides a thin film processing apparatus, characterized in that for supporting the bottom edge of the substrate.

또한, 본 발명은 일정한 반응공간을 형성하며, 내측면을 따라 제 1 및 제 2 돌출단이 구비된 챔버와 상기 챔버 내에서 상하로 승강운동하며, 얼라인홈이 적어도 하나가 구성된 기판안치대와 상기 기판안치대의 상부에 위치하며, 상기 얼라인홈에 끼움 삽입되는 제 1 얼라인돌기가 적어도 하나 형성되며 기판의 저면을 지지하는 로딩프레임과 상기 로딩프레임 상부에 위치하며, 제 2 얼라인돌기가 형성되며, 상기 기판의 가장자리 및 기판안치대의 가장자리를 덮어 가리는 에지프레임을 포함하며, 상기 로딩프레임 상에는 상기 제 2 얼라인돌기가 관통되는 얼라인홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치를 제공한다. In addition, the present invention forms a constant reaction space, and the substrate holding platform having a first and second protrusions along the inner surface and the vertical movement in the chamber up and down, the at least one alignment groove and Located at the top of the substrate support, at least one first alignment protrusion is inserted into the alignment groove is formed, the loading frame for supporting the bottom surface of the substrate and the loading frame is located above, the second alignment protrusion And an edge frame covering the edge of the substrate and the edge of the substrate stabilizer, and an alignment hole through which the second alignment protrusion penetrates is formed on the loading frame. .

상기 기판안치대는 제 2 얼라인홈을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 제 2 얼라인돌기는 상기 제 2 얼라인홈에 끼움 삽입되는 것을 특징으로 한다. The substrate stabilizer may further include a second alignment groove, and the second alignment protrusion may be inserted into the second alignment groove.

위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 기판 저면의 가장자리를 지지하는 로딩프레임을 구성함으로써, 기존의 기판지지핀을 사용하지 않으면서도 공정챔버 내부에서 기판을 안정적으로 지지할 수 있는 효과가 있다. As described above, by configuring a loading frame for supporting the edge of the bottom of the substrate according to the present invention, there is an effect that can be stably supported within the process chamber without using a conventional substrate support pin.

이로 인하여, 기존의 기판지지핀을 사용함으로써 야기될 수 있는 종래의 문제점을 해결할 수 있다. 즉, 기판지지핀에 의한 기판 저면의 일정부위에 국부적인 압 력을 가하게 됨으로써 기판이 파손 등의 문제를 해소할 수 있다.Due to this, it is possible to solve the conventional problem that may be caused by using the existing substrate support pin. That is, by applying a local pressure to a predetermined portion of the bottom surface of the substrate by the substrate support pin, it is possible to solve the problem such as breakage of the substrate.

또한, 로딩프레임을 챔버의 내부에서 정확하게 얼라인 해줌으로써, 기판이 항상 정확하고 동일한 위치에 안착시킬 수 있으며, 하부전극과 로딩프레임 및 에지프레임이 얼라인홀과 돌출단을 통해 항상 정확하게 얼라인 된 상태로 상기 공정챔버 내부에서 승강운동하게 됨으로써, 공정의 재현성이 향상되게 된다. In addition, by precisely aligning the loading frame inside the chamber, the substrate can always be seated in the same exact position, and the lower electrode, the loading frame and the edge frame are always correctly aligned through the alignment hole and the protruding end. By moving up and down inside the process chamber in a state, the reproducibility of the process is improved.

따라서, 본 발명은 공정비용 절감 및 공정의 생산성을 향상시킬 수 이는 효과가 있다. Therefore, the present invention can reduce the process cost and improve the productivity of the process, which is effective.

본 발명에 따른 실시예를 아래 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings below.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판표시장치의 제조를 위한 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 3 is a schematic cross-sectional view of a chamber type thin film processing apparatus for manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 박막처리장치는 밀폐된 반응영역(A)을 정의하는 공정챔버(110)를 필수적인 구성요소로 한다. As shown, the thin film processing apparatus has a process chamber 110 defining an enclosed reaction zone A as an essential component.

이를 보다 세부적으로 살펴보면, 먼저 상기 공정챔버(110) 내부에는 기판(102) 상의 박막에 대한 증착을 위한 밀폐된 반응공간(A)을 제공하며, 특히 이의 내부로는 RF 전압이 인가되는 상부전극(112)과, 상기 상부전극(112)과 반응영역(A)을 사이에 두고 이와 대면되며, 외부의 엘리베이터어셈블리(116)에 의해 최저높이인 홈포지션으로부터 최대높이인 공정포지션 사이를 승강하는 하부전극(114)이 구비된다. In more detail, first, the process chamber 110 provides a sealed reaction space A for depositing a thin film on the substrate 102, and particularly, an upper electrode (RF) applied thereto. 112 and the lower electrode facing each other with the upper electrode 112 and the reaction area A therebetween, and being lifted between the highest position and the highest position by the external elevator assembly 116. 114 is provided.

또한, 외부로부터 공급되는 반응가스를 반응영역(A) 내의 전면적으로 확산시킬 수 있도록 다수의 분사홀(118)이 전 면적에 걸쳐 상하로 투공된 가스분배판(120)이 구비되며, 상기 공정챔버(110)의 하부면으로는 배기포트(122)가 마련되어 외부의 펌핑시스템(미도시)을 통해서 내부 반응영역(A)을 배기할 수 있도록 이루어진다.In addition, the gas distribution plate 120 is provided with a plurality of injection holes 118 perforated up and down over the entire area to diffuse the reaction gas supplied from the outside in the reaction zone (A), the process chamber An exhaust port 122 is provided on the lower surface of the 110 to exhaust the internal reaction region A through an external pumping system (not shown).

더불어, 상기 하부전극(114)의 상부에는 기판(102)이 안착되도록 척(chuck)의 역할을 하는 로딩프레임(loading frame : 200)이 구비되는데, 상기 로딩프레임(200)은 상기 기판(102) 저면의 적어도 세 가장자리를 밀착 지지하는 대략 "ㄷ"형태인 것을 특징으로 한다. In addition, a loading frame 200 serving as a chuck is provided on the lower electrode 114 to seat the substrate 102, and the loading frame 200 is the substrate 102. It is characterized in that the approximately "c" shape to closely support at least three edges of the bottom.

또한, 상기 로딩프레임(200)의 상부로 일정간격 이격하여, 상기 가스분배판(120)과 상기 로딩프레임(200) 사이에 상기 기판(102)의 가장자리 및 상기 기판(102)이 안착하지 않는 하부전극(114)의 주변부의 상면을 덮어 가리기 위해 에지프레임(126)이 마련된다. In addition, spaced apart from the upper portion of the loading frame 200 by a predetermined interval, the lower edge of the substrate 102 and the substrate 102 is not seated between the gas distribution plate 120 and the loading frame 200. An edge frame 126 is provided to cover the upper surface of the periphery of the electrode 114.

또한, 상기 공정챔버(110)의 상부에는 상기 반응영역(A) 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스공급로(124)가 구비되는데, 상기 반응가스공급로(124)는 상기 상부전극(112)의 중앙을 관통된다. In addition, a reaction gas supply path 124 for supplying a reaction gas into the reaction region A is provided at an upper portion of the process chamber 110, and the reaction gas supply path 124 is the upper electrode 112. Penetrates the center of the.

상기 전술한 구성은 일반적인 박막처리장치와 유사하지만 본 발명은 공정챔버(110) 내부로 인입되는 기판(102)이 로딩프레임(200)에 상에 안착되어 지지되는 것을 특징으로 하며 이로 인하여, 기판(102)의 파손을 감소시킴으로써 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 박막처리장치을 제공한다. 여기서, 아래 도 4를 참조하여 상기 로딩프레임(200)의 구조에 대해 좀더 자세히 알아보도록 하겠다. The above-described configuration is similar to a general thin film processing apparatus, but the present invention is characterized in that the substrate 102 introduced into the process chamber 110 is supported by being seated on the loading frame 200. Provided is a thin film processing apparatus capable of improving process productivity by reducing breakage of 102. Here, the structure of the loading frame 200 will be described in more detail with reference to FIG. 4 below.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 로딩프레임의 구조를 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 5a ~ 5b는 로딩프레임이 공정챔버 내부에 고정된 모습을 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 4 is a perspective view schematically showing the structure of the loading frame according to an embodiment of the present invention, Figures 5a to 5b is a cross-sectional view showing a state in which the loading frame is fixed inside the process chamber.

도 4에 도시한 바와 같이, 로딩프레임(200)은 공정챔버(도 3의 110) 내부로 인입되는 기판(도 3의 102)의 형태에 대응되어, 상기 기판(102) 저면의 적어도 세 가장자리를 밀착 지지하도록 제 1 내지 제 3 프레임(201a, 201b, 201c)으로 이루어진 대략 "ㄷ"형태로 구성한다. As shown in FIG. 4, the loading frame 200 corresponds to the shape of the substrate (102 of FIG. 3) introduced into the process chamber (110 of FIG. 3), thereby defining at least three edges of the bottom surface of the substrate 102. The first to third frames 201a, 201b, and 201c are formed in a substantially "c" shape so as to be in close contact.

이는, 기판(102)이 로봇암(미도시)에 의해 공정챔버(110) 내부로 인입되는 과정에서, 상기 기판(102)을 지지하는 로봇암이 상기 하부전극(도 3의 114) 상부에서 자유롭게 전진, 후퇴하도록 하기 위함으로, 상기 공정챔버(110) 내부로 기판(102)이 인입되는 일방향이 개구되도록 하는 것이 바람직하다. This is because, while the substrate 102 is drawn into the process chamber 110 by a robot arm (not shown), the robot arm supporting the substrate 102 is freely positioned on the lower electrode 114 (see FIG. 3). In order to move forward and backward, it is preferable to open one direction in which the substrate 102 is introduced into the process chamber 110.

이때, 상기 제 1 및 제 3 프레임(201a, 201c)의 일끝단이 상기 제 2 프레임(201b)과 평행하도록 서로 마주보는 방향으로 일부 절곡하여 구성함으로써, 상기 로딩프레임(200) 상에 안착되는 기판(102)의 지지면적을 조금 더 넓혀 안정적으로 기판(102)을 지지할 수 있도록 한다. In this case, one end of the first and third frames 201a and 201c may be partially bent in a direction facing each other such that the first and third frames 201a and 201c are parallel to the second frame 201b, thereby being seated on the loading frame 200. The support area of the 102 is slightly wider so that the substrate 102 can be stably supported.

한편, 상기 로딩프레임(200)은 도 5a에 도시한 바와 같이 공정챔버(110) 내측벽에 구성된 제 1 돌출단(220)을 통해 상기 공정챔버(110) 내부의 일정위치에 고정되는데, 이를 위해 상기 로딩프레임(200)의 적어도 상기 제 1 내지 제 3 프레임(201a, 201b, 201c) 상에는 상기 제 1 돌출단(220)이 끼움 삽입될 수 있도록, 상 기 제 1 돌출단(220)과 대응되는 제 1 고정홀(203a)을 형성한다. Meanwhile, as shown in FIG. 5A, the loading frame 200 is fixed at a predetermined position inside the process chamber 110 through the first protrusion 220 formed on the inner wall of the process chamber 110. The first protruding end 220 corresponds to the first protruding end 220 so that the first protruding end 220 may be inserted into at least the first to third frames 201a, 201b, and 201c of the loading frame 200. The first fixing hole 203a is formed.

즉, 상기 다수의 제 1 돌출단(220)은 상기 공정챔버(110) 내측벽에 볼트 또는 나사 등의 체결수단(미도시)을 통해 고정되어 상기 공정챔버(110) 내부를 향해 돌출되는 몸체(220a)와, 상기 몸체(220a)의 일끝단이 상기 공정챔버(110)의 상부를 향해 절곡된 절곡부(220b)로 구성된다. That is, the plurality of first protrusions 220 are fixed to fastening means (not shown) such as bolts or screws on the inner wall of the process chamber 110 to protrude toward the inside of the process chamber 110 ( 220a and one end of the body 220a is formed of a bent portion 220b bent toward the upper portion of the process chamber 110.

따라서, 상기 로딩프레임(200)에 구성된 제 1 고정홀(203a)에 상기 제 1 돌출단(220)의 절곡부(220b)가 끼움 삽입됨으로써, 상기 로딩프레임(200)이 상기 공정챔버(110) 내부의 일정위치에 고정되는 것이다.Therefore, the bent portion 220b of the first protruding end 220 is inserted into the first fixing hole 203a formed in the loading frame 200, so that the loading frame 200 is connected to the process chamber 110. It is fixed at a certain position inside.

한편, 이러한 로딩프레임(200)은 하부전극(114)의 상승 시 동반 상승하도록 구성하므로, 상기 제 1 돌출단(203a)은 상기 로딩프레임(200)을 단순히 상기 공정챔버(110) 내부에 고정하는 역할 외에도 증착공정이 완료되어 상기 하부전극(114)이 홈포지션으로 하강하는 경우 동반하여 하강하는 로딩프레임(200)이 소정의 높이 이하로 계속 하강하는 것을 방지할 수 있다.On the other hand, since the loading frame 200 is configured to rise together when the lower electrode 114 rises, the first protruding end 203a simply fixes the loading frame 200 inside the process chamber 110. In addition to the role, when the deposition process is completed and the lower electrode 114 descends to the home position, the loading frame 200 accompanying the descending loading frame 200 may be prevented from continuously falling below a predetermined height.

이때, 상기 제 1 돌출단(220)은 상기 하부전극(114)의 홈포지션과 공정포지션 사이의 공정챔버(110) 내측벽을 따라 동일 높이로 다수개가 구성되며, 상기 로딩프레임(200) 상의 제 1 고정홀(203a)은 상기 각각의 제 1 돌출단(220)과 대응된다. In this case, the first protrusion 220 is formed with a plurality of the same height along the inner wall of the process chamber 110 between the home position and the process position of the lower electrode 114, the first on the loading frame 200 The first fixing hole 203a corresponds to each of the first protruding ends 220.

또한, 서로 대응되는 각각의 제 1 돌출단(220)과 제 1 고정홀(203a)은 상기 제 1 내지 제 3 프레임(201a, 201b, 201c) 각각의 길이방향을 따라 적어도 두개 이상 구성하는 것이 바람직하며, 로딩프레임(200)의 크기와 무게 등을 고려하여 효과적으로 지지할 수 있도록 그 수에 대해 제한이 없을 것이다.In addition, it is preferable to configure at least two first protruding ends 220 and first fixing holes 203a corresponding to each other along the length direction of each of the first to third frames 201a, 201b, and 201c. And, considering the size and weight of the loading frame 200, there will be no limit to the number so that it can be effectively supported.

또한, 상기 제 1 돌출단(220)의 절곡부(220b)는 상측으로 진행할수록 둘레가 작아지는 원뿔 또는 사각뿔의 기둥 형태로 구성함으로써, 상기 로딩프레임(200)의 상하승강 시 상기 절곡부(220b)와 제 1 고정홀(203a)의 마찰(磨擦)이 없도록 하는 것이 바람직하다. In addition, the bent portion 220b of the first protruding end 220 has a conical or square pyramid-shaped column shape that decreases in circumference as it progresses upward, so that the bent portion 220b when the loading frame 200 is moved up and down. ) And the first fixing hole 203a are preferably such that there is no friction.

또한, 상기 로딩프레임(200)의 서로 마주보는 제 1 및 제 3 프레임(201a, 201c) 상에는 다수개의 제 1 얼라인홀(205)이 더욱 형성되는데, 상기 제 1 얼라인홀(205)은 도 5b에 도시한 바와 같이 홈포지션에 위치한 하부전극(114)이 엘리베이터어셈블리(도 3의 116)에 의해 상승하는 과정에서, 상기 하부전극(114) 상에 구성된 제 1 얼라인돌기(130a)가 상기 기판(102)을 지지하고 있는 로딩프레임(200)의 제 1 얼라인홀(205)에 끼움됨으로써 상기 하부전극(114)과 로딩프레임(200)은 서로 얼라인 되도록 한다. In addition, a plurality of first alignment holes 205 are further formed on the first and third frames 201a and 201c facing each other of the loading frame 200, and the first alignment holes 205 are illustrated in FIG. As shown in FIG. 5B, in the process of raising the lower electrode 114 located at the home position by the elevator assembly (116 of FIG. 3), the first alignment protrusion 130a formed on the lower electrode 114 is moved. The lower electrode 114 and the loading frame 200 are aligned with each other by being inserted into the first alignment hole 205 of the loading frame 200 supporting the substrate 102.

따라서, 상기 로딩프레임(200) 상에 안착되는 기판(102)이 상기 하부전극(114)의 상의 위치하고자 하는 위치에 정확하게 위치하게 한 후, 상기 하부전극(114)은 상기 로딩프레임(200)의 저면 가장자리를 지지한 상태로 상기 로딩프레임(200)과 함께 공정포지션까지 함께 상승하게 된다. Accordingly, after the substrate 102 seated on the loading frame 200 is accurately positioned at a position to be positioned on the lower electrode 114, the lower electrode 114 is connected to the loading frame 200. With the bottom edge supported, it is raised together with the loading frame 200 to the process position.

이때, 상기 제 1 얼라인돌기(130a)는 상기 로딩프레임(200)의 상면과 동일평면을 이루도록 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 서로 대응되는 상기 제 1 얼라인홀(205)과 상기 제 1 얼라인돌기(130a) 역시 각각 로딩프레임(200)과 하부전극(114) 상에 둘 이상 구성되는 것이 바람직하나, 그 수에 대해 제한이 없을 것이다. In this case, the first alignment protrusion 130a may be configured to form the same plane as the upper surface of the loading frame 200. In addition, one or more of the first alignment hole 205 and the first alignment protrusion 130a corresponding to each other may be configured on the loading frame 200 and the lower electrode 114, respectively. There will be no limit for that.

한편, 상기 로딩프레임(200)의 제 1 내지 제 3 프레임(201a, 201b, 201c) 상의 가장자리에는 상기 에지프레임(도 3의 126)을 지지하는 제 2 돌출단(미도시)이 통과할 수 있는 소정의 홈(209)을 형성한다. Meanwhile, a second protruding end (not shown) for supporting the edge frame (126 of FIG. 3) may pass through the edges of the first to third frames 201a, 201b, and 201c of the loading frame 200. The predetermined groove 209 is formed.

즉, 상기 로딩프레임(200)이 하부전극(114)과 함께 상승하는 과정에서, 상기 로딩프레임(200)의 상부로 일정간격 이격하여 제 2 돌출단(미도시)을 통해 지지되는 에지프레임(126)의 내측 가장자리가 기판(102) 및 하부전극(114)의 외곽에 밀착된 상태로 공정포지션까지 함께 상승할 시, 상기 에지프레임(126)을 지지하는 제 2 돌출단(미도시)이 상기 로딩프레임(200)과 접촉되지 않도록 하기 위함이다. That is, in the process of the loading frame 200 rising together with the lower electrode 114, the edge frame 126 supported by a second protruding end (not shown) at a predetermined interval apart from the top of the loading frame 200. When the inner edges of the upper side of the c) are raised to the process position while being in close contact with the outside of the substrate 102 and the lower electrode 114, a second protrusion (not shown) supporting the edge frame 126 is loaded. This is to avoid contact with the frame 200.

또한, 상기 로딩프레임(200)의 제 1 얼라인홀(205)과 일정간격 이격하여 제 2 얼라인홀(207a)이 더욱 구성되는데, 상기 제 2 얼라인홀(207a)은 상기 로딩프레임(200)의 상부에 위치하는 에지프레임(126)을 로딩프레임(200) 및 하부전극(114)과 얼라인하기 위한 것이다. In addition, the second alignment hole 207a is further configured to be spaced apart from the first alignment hole 205 of the loading frame 200 by a predetermined interval, and the second alignment hole 207a is the loading frame 200. In order to align the edge frame 126 positioned on the top of the loading frame 200 and the lower electrode 114.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임의 구조를 개략적으로 도시한 사시도이며, 도 7a ~ 7d는 본 발명의 실시예에 따르 기판이 공정챔버 내부로 인입되어 실질적인 증착공정이 수행되기까지의 과정을 나타낸 공정개요도이다.6 is a perspective view schematically showing the structure of an edge frame according to an embodiment of the present invention, Figures 7a to 7d is a substrate is introduced into the process chamber according to an embodiment of the present invention until the actual deposition process is performed Process overview showing the process.

도 6에 도시한 바와 같이, 에지프레임(126)은 상기 로딩프레임(200) 상면 외곽에 밀착 지지되도록 제 1 내지 제 4 프레임(126a, 126b, 126c, 126d)으로 이루어진 사각의 프레임 형상으로, 제 1 내지 제 4 프레임(126a, 126b, 126c, 126d)은 서로 내측을 향해 일정 각도 기울기를 갖는다. As shown in FIG. 6, the edge frame 126 has a rectangular frame shape including first to fourth frames 126a, 126b, 126c, and 126d so as to be closely attached to the outer surface of the loading frame 200. The first to fourth frames 126a, 126b, 126c, and 126d have a predetermined angle inclination toward each other.

이러한 에지프레임(126)의 제 1 내지 제 4 프레임(126a, 126b, 126c, 126d) 상에는 상기 로딩프레임(200)의 홈(209)과 대응되는 위치에 제 2 돌출단(230)이 끼움 삽입되는 제 2 고정홀(203b)이 형성되어 있으며, 상기 로딩프레임(200)의 제 2 얼라인홀(207a)과 대응되는 제 3 얼라인홀(207b)이 형성되어 있다. On the first to fourth frames 126a, 126b, 126c, and 126d of the edge frame 126, the second protruding end 230 is inserted into a position corresponding to the groove 209 of the loading frame 200. A second fixing hole 203b is formed, and a third alignment hole 207b corresponding to the second alignment hole 207a of the loading frame 200 is formed.

이때, 상기 제 2 돌출단(230)과 제 2 고정홀(203b)은 상기 로딩프레임(200)의 제 1 돌출단(220) 및 제 1 고정홀(203a)과 동일한 구성으로 단지 로딩프레임(200)이 아닌 에지프레임(126)을 공정챔버(110) 내부의 일정 위치에 고정하는 것 외엔 별다른 차이가 없으므로 별도의 설명은 생략하도록 하겠다. In this case, the second protruding end 230 and the second fixing hole 203b have only the loading frame 200 in the same configuration as the first protruding end 220 and the first fixing hole 203a of the loading frame 200. Since there is no difference other than fixing the edge frame 126 to a predetermined position inside the process chamber 110, not a separate description will be omitted.

상기 제 3 얼라인홀(207b)은 상기 에지프레임(126)의 얼라인을 위해 구성되는 것으로 즉, 상기 로딩프레임(200)의 제 1 및 제 3 프레임(201a, 201c)에 구성된 제 2 얼라인홀(205)과 대응되어, 홈포지션에 위치한 하부전극(114)이 엘리베이터어셈블리(도 3의 116)에 의해 상승하는 과정에서, 상기 하부전극(114) 상에 구성된 제 2 얼라인돌기(도 5b의 130b)가 상기 기판(도 5b의 102)을 지지하고 있는 로딩프레임(200)의 제 2 얼라인홀(207a)을 통과하여 에지프레임(126)의 제 3 얼라인홀(207b)에 끼움됨으로써 상기 하부전극(114)과 로딩프레임(200) 그리고 에지프레임(126)은 서로 얼라인 된다. The third alignment hole 207b is configured to align the edge frame 126, that is, a second alignment configured in the first and third frames 201a and 201c of the loading frame 200. In the process of raising the lower electrode 114 located at the home position by the elevator assembly (116 of FIG. 3) corresponding to the hole 205, the second alignment protrusion formed on the lower electrode 114 (FIG. 5B). 130b is inserted into the third alignment hole 207b of the edge frame 126 through the second alignment hole 207a of the loading frame 200 supporting the substrate 102 of FIG. 5B. The lower electrode 114, the loading frame 200, and the edge frame 126 are aligned with each other.

상기에서 기술된 본 실시예에 따른 로딩프레임(200)과 공정챔버(110) 내부의 다른 구성 사이의 위치관계를 이하 도 7a ~ 7d의 공정개요도를 참조하여 좀더 자세하게 설명하도록 하겠다. The positional relationship between the loading frame 200 according to the present embodiment described above and another configuration inside the process chamber 110 will be described in more detail with reference to the process overview of FIGS. 7A to 7D.

도 7a ~ 7d는 본 발명의 실시예에 따라 기판이 공정챔버 내부로 인입되어 실질적인 증착공정이 수행되기까지의 과정을 나타낸 공정단면도이며, 도 8은 제 1및 제 2 얼라인돌기가 각각 로딩프레임과 에지프레임의 얼라인홀에 끼움 삽입됨으로써 얼라인되는 모습을 개략적으로 도시한 도면이다. 7A to 7D are cross-sectional views illustrating a process in which a substrate is introduced into a process chamber and a substantial deposition process is performed according to an embodiment of the present invention. Figure 4 is a view schematically showing the state that is aligned by being inserted into the alignment hole of the edge frame.

도 7a에 도시한 바와 같이, 공정챔버(110) 내부에는 상단으로부터 에지프레임(126), 로딩프레임(200) 및 하부전극(114)이 각각 형성되어 있으며, 특히 상기 에지프레임(126) 및 로딩프레임(200)은 각각 제 1 및 제 2 고정홀(203a, 203b)을 상기 하부전극(114)의 홈포지션과 공정포지션 사이에서 공정챔버(110) 내벽의 제 1 및 제 2 돌출단(220, 230)에 끼움 삽입하여 외측 가장자리가 지지된 상태를 유지한다. As shown in FIG. 7A, an edge frame 126, a loading frame 200, and a lower electrode 114 are formed in the process chamber 110, respectively, from an upper end thereof. In particular, the edge frame 126 and the loading frame are formed. The first and second fixing holes 203a and 203b respectively include the first and second protrusions 220 and 230 of the inner wall of the process chamber 110 between the home position and the process position of the lower electrode 114, respectively. ) And keep the outer edge supported.

이때, 상기 에지프레임(126)과 로딩프레임(200)의 이격된 사이공간으로, 외부로부터 기판(102)이 로봇암(132)에 의하여 저면이 지지된 상태로 상기 공정챔버(110) 내부로 인입된다.At this time, the edge frame 126 and the loading frame 200, the space between the space, the substrate 102 is drawn into the process chamber 110 from the outside with the bottom surface supported by the robot arm 132. do.

이어서, 도 7b에 도시한 바와 같이 상기 로봇암(132)이 소정의 거리만큼 하강하면, 상기 로봇암(132)에 의하여 지지되는 기판(102) 역시 로봇암(132)이 하강한 만큼 아래 방향으로 하강함으로써, 상기 기판(102)의 저면 가장자리는 상기 로딩프레임(200)의 상면과 접촉하여 기판(102)이 로딩프레임(200)에 의하여 지지되게 되고, 상기 로봇암(132)은 공정챔버(110) 외부로 반송된다. Subsequently, as shown in FIG. 7B, when the robot arm 132 descends by a predetermined distance, the substrate 102 supported by the robot arm 132 also moves downward as the robot arm 132 descends. By lowering, the bottom edge of the substrate 102 is in contact with the upper surface of the loading frame 200 to support the substrate 102 by the loading frame 200, the robot arm 132 is the process chamber 110 ) Is returned to the outside.

이후, 도 7c에 도시한 바와 같이, 상기 기판(102)의 저면 가장자리가 상기 로딩프레임(200)에 의해 지지된 상태를 유지한 체, 상기 하부전극(114)이 엘리베이터어셈블리(도 3의 116)에 의해 상승하면 상기 하부전극(114)의 상면과 소정간격 이격되었던 로딩프레임(200)은 상기 하부전극(114)의 상면과 접하게 된다. Subsequently, as shown in FIG. 7C, the bottom edge of the substrate 102 is maintained by the loading frame 200, and the lower electrode 114 is an elevator assembly (116 of FIG. 3). When rising by, the loading frame 200, which is spaced apart from the upper surface of the lower electrode 114 by a predetermined distance, comes into contact with the upper surface of the lower electrode 114.

이때, 상기 로딩프레임(200)의 상면과 접촉하지 않은 기판(102)의 저면은 상기 하부전극(114)의 상면과 접촉하게 되고, 도 8에 도시한 바와 같이 상기 하부전극(114)에 구성된 제 1 얼라인돌기(130a)는 상기 로딩프레임(200)의 제 1 얼라인홀(205)에 끼워짐으로써, 상기 하부전극(114)과 상기 로딩프레임(200)은 얼라인 된다. At this time, the bottom surface of the substrate 102 that is not in contact with the top surface of the loading frame 200 is in contact with the top surface of the lower electrode 114, as shown in FIG. The first alignment protrusion 130a is fitted into the first alignment hole 205 of the loading frame 200 so that the lower electrode 114 and the loading frame 200 are aligned.

이 같은 하부전극(114)은 상기 로딩프레임(200)의 저면 가장자리를 지지한 상태로, 도7d에 도시한 바와 같이, 상기 로딩프레임(200)과 함께 계속해서 더욱 상승하게 되면, 상기 로딩프레임(200)의 상부에 위치한 에지프레임(126)이 기판(102)의 주변영역 및 기판(102)이 접촉되지 않은 하부전극(114)의 주변영역을 상부에서 덮은 상태로, 상기 에지프레임(126)은 상기 로딩프레임(200) 및 하부전극(114)과 함께 상기 하부전극(114)의 공정포지션까지 상승한다. As shown in FIG. 7D, the lower electrode 114 supports the bottom edge of the loading frame 200. When the lower electrode 114 continues to rise further together with the loading frame 200, the loading frame ( The edge frame 126 located at the upper portion of the 200 covers the peripheral region of the substrate 102 and the peripheral region of the lower electrode 114 to which the substrate 102 is not in contact with the edge frame 126. Together with the loading frame 200 and the lower electrode 114, the process position of the lower electrode 114 is raised.

이때, 상기 하부전극(114)의 제 2 얼라인돌기(130b)는 상기 로딩프레임(200)의 제 2 얼라인홀(도 4의 207a)을 통과하여 상기 에지프레임(126)의 제 3 얼라인홀(207b)에 끼움 삽입됨으로써, 상기 에지프레임(126)은 상기 하부전극(114) 및 로딩프레임(200)과 얼라인된다. In this case, the second alignment protrusion 130b of the lower electrode 114 passes through the second alignment hole (207a of FIG. 4) of the loading frame 200 to form a third alignment of the edge frame 126. The edge frame 126 is aligned with the lower electrode 114 and the loading frame 200 by being inserted into the hole 207b.

이와 같이, 상기 하부전극(114)이 공정포지션까지 상승하게 되면, 상기 기판(102)은 상기 가스분배판(도 3의 120) 하단에 근접 대면된 상태로 그 외곽은 에지프레임(126)에 의해 덮어 가려져 있게 된다. As such, when the lower electrode 114 is raised to the process position, the substrate 102 is in close contact with the bottom of the gas distribution plate (120 of FIG. 3) and the outer edge thereof is formed by the edge frame 126. It will be covered.

이어서, 상, 하부전극(도 3의 112, 114)으로는 RF전압과 바이어스 전압이 인가됨과 동시에, 상기 반응가스공급로(도 3의 124)를 통해 외부로부터 유입되는 반 응가스를 상기 가스분배판(120)의 분사홀(도 3의 118)을 통해 공정챔버(110) 내부로 분사한다. Subsequently, an RF voltage and a bias voltage are applied to the upper and lower electrodes 112 and 114 of FIG. 3, and the reaction gas flowing from the outside through the reaction gas supply path 124 of FIG. 3 is distributed. It is injected into the process chamber 110 through the injection hole (118 of FIG. 3) of the plate 120.

그 결과 반응영역으로 유입된 반응가스는 플라즈마로 여기되어 여기에 함유된 라디칼의 화학반응 결과물이 기판(102) 상에 박막으로 증착되며, 박막증착이 완료되면 상기 하부전극(114)이 다시 홈포지션으로 하강하면서 상기 에지프레임(126)과 로딩프레임(200)은 각각 제 1 및 제 2 돌출단(220, 230)에 의해 다시 지지되도록 남겨지게 되고, 배기포트(도 3의 122)를 이용해서 반응영역(도 3의 A)을 배기하여 기판(102) 교체에 이은 새로운 박막증착공정을 준비하게 된다. As a result, the reaction gas introduced into the reaction region is excited by plasma, and the chemical reaction product of the radicals contained therein is deposited on the substrate 102 as a thin film. When the thin film deposition is completed, the lower electrode 114 is home position again. While falling to the edge frame 126 and the loading frame 200 is left to be supported again by the first and second protrusions 220, 230, respectively, using the exhaust port (122 of FIG. 3) The region (A in FIG. 3) is evacuated to prepare for a new thin film deposition process following substrate 102 replacement.

아울러 이 과정 중에 하부전극(114)에 내장된 히터(미도시)를 통해 기판(102)을 가열함으로써 보다 효율적인 공정을 진행할 수 있으며, 반응가스는 목적하는 박막의 종류에 따라 달라지며, 일예로 실리콘질화막의 증착을 위해서는 SiH4, H2, NH3, N2의 혼합 기체가 이용되고, 비정질실리콘막의 증착에는 SiH4, H2가 쓰일 수 있다.In addition, a more efficient process may be performed by heating the substrate 102 through a heater (not shown) embedded in the lower electrode 114 during this process. A mixed gas of SiH 4 , H 2 , NH 3 , N 2 is used for the deposition of a nitride film, and SiH 4 , H 2 may be used for the deposition of an amorphous silicon film.

한편, 상기 제 1 및 제 2 얼라인돌기(130a, 130b)를 도 9a ~ 9b에 도시한 바와 같이 일체형으로 구성할 수 있는데, 상기 일체형 얼라인돌기(300)는 직사각형의 박스형상으로 구성되어 로딩프레임(200)을 지지하는 제 1 프레임(300a)과, 상기 제 1 프레임(300a)의 일면에 수직하게 구성되며 상기 로딩프레임(200)을 관통하여 돌출되는 제 2 프레임(300b)으로 구성된다. Meanwhile, the first and second alignment protrusions 130a and 130b may be integrally formed as shown in FIGS. 9A to 9B, and the integrated alignment protrusion 300 is configured by loading in a rectangular box shape. A first frame 300a supporting the frame 200 and a second frame 300b vertically formed on one surface of the first frame 300a and protruding through the loading frame 200 are provided.

상기 일체형 얼라인돌기(300)의 제 1 프레임(300a)의 타면은 상기 하부전 극(114)에 구성되며, 상기 제 2 프레임(300b)이 구성된 상기 제 1 프레임(300a)의 일면에 상기 로딩프레임(200)이 접촉되어 지지된다.The other surface of the first frame 300a of the integrated alignment protrusion 300 is configured on the lower electrode 114, and the loading is performed on one surface of the first frame 300a in which the second frame 300b is configured. The frame 200 is in contact with and supported.

이때, 상기 로딩프레임(200)과 에지프레임(126) 상에는 상기 일체형 얼라인돌기(300)의 제 2 프레임(300b)이 끼움 관통될 수 있는 얼라인홀(205, 207)이 구성될 수 있으며, 상기 일체형 얼라인돌기(300)는 상기 에지프레임(126)의 상면과 동일평면을 이루도록 구성하는 것이 바람직하다.In this case, alignment holes 205 and 207 through which the second frame 300b of the integrated alignment protrusion 300 may be fitted may be formed on the loading frame 200 and the edge frame 126. The integrated alignment protrusion 300 may be configured to form the same plane as the upper surface of the edge frame 126.

이렇듯, 상기 로딩프레임(200)과 에지프레임(126)의 얼라인을 위한 얼라인돌기를 일체형으로 구성함으로써, 상기 로딩프레임(200)과 에지프레임(126)에 형성되는 얼라인홀(205, 207)의 위치 및 크기 등을 동일하게 형성할 수 있다. As such, by aligning the alignment protrusions for aligning the loading frame 200 and the edge frame 126, the alignment holes 205 and 207 formed in the loading frame 200 and the edge frame 126 are integrated. ) Position and size can be formed in the same manner.

또한, 상기 일체형 얼라인돌기(300)의 제 1 프레임(300a)의 두께는 로딩프레임(200)의 두께와 하부전극(114)과의 간격 등을 고려하여 결정하는 것이 바람직하며, 상기 일체형 얼라인돌기(300)의 제 2 프레임(300b)의 높이 역시, 로딩프레임(200)과 기판(102) 그리고 에지프레임(126)의 두께 등을 고려하여 결정하는 것이 바람직하다. In addition, the thickness of the first frame 300a of the integrated alignment protrusion 300 may be determined in consideration of the thickness of the loading frame 200 and the distance between the lower electrode 114, and the integrated alignment. The height of the second frame 300b of the protrusion 300 may also be determined in consideration of the thickness of the loading frame 200, the substrate 102, and the edge frame 126.

이러한 일체형 얼라인돌기(300)는 하부전극(114) 상에 둘 이상 구성되는 것이 바람직하나, 그 수에 대해 제한이 없을 것이다. One or more of the integrated alignment protrusions 300 may be configured on the lower electrode 114, but there is no limitation on the number thereof.

한편, 상기 로딩프레임(200)의 제 1 및 제 3 프레임(201a, 201c) 상에 구성된 다수의 제 1 및 제 2 얼라인홀(205, 207a)과 제 1 고정홀(203a), 홈(209)은 제 2 프레임(201b) 상에도 구성될 수 있으며, 상기 에지프레임(126) 역시 제 2 및 제 4 프레임(126b, 126d) 상에 제 3 얼라인홀(207b)과 제 2 고정홀(203b)을 더욱 구성할 수 있음은 자명한 것이다.Meanwhile, the plurality of first and second alignment holes 205 and 207a, the first fixing holes 203a, and the grooves 209 formed on the first and third frames 201a and 201c of the loading frame 200 are provided. ) May also be configured on the second frame 201b, and the edge frame 126 may also include a third alignment hole 207b and a second fixing hole 203b on the second and fourth frames 126b and 126d. It is obvious that can be configured more).

이와 같이, 본 발명의 실시예에서는 기존의 기판지지핀(도 1의 30)을 사용하지 않고서도 충분히 공정챔버(110) 내부에서 기판(102)을 지지할 수 있으므로, 다수의 기판지지핀(30) 사용에 의하여 야기될 수 있는 문제점을 해결할 수 있다. As such, in the embodiment of the present invention, since the substrate 102 can be sufficiently supported in the process chamber 110 without using the existing substrate support pin (30 in FIG. 1), the plurality of substrate support pins 30 This can solve problems that may be caused by use.

도 10a ~ 10b는 본 발명의 또 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다. 10A to 10B schematically illustrate still another embodiment of the present invention.

이때, 설명하고자 하는 본 발명의 또 다른 실시예는 앞서 설명한 실시예의 로딩프레임(200)과 에지프레임(126) 그리고 하부전극(114)의 얼라인을 위한 또 다른 방법으로, 앞서 전술한 도 7d의 설명에서 동일한 구조에 대해서는 동일한 식별부호를 부여하여 중복된 설명을 생략하고 차이점만을 살펴보도록 하겠다. In this case, another embodiment of the present invention to be described is another method for aligning the loading frame 200, the edge frame 126, and the lower electrode 114 of the above-described embodiment. In the description, the same structure will be given the same identifier so that duplicate descriptions will be omitted and only the differences will be described.

도 10a에 도시한 바와 같이, 이 같은 하부전극(114)은 상기 로딩프레임(200)의 저면 가장자리를 지지한 상태로 상기 로딩프레임(200)과 함께 상승하여, 상기 로딩프레임(200)의 상부에 위치한 에지프레임(126)이 기판(102)의 주변영역 및 기판(102)이 접촉되지 않은 하부전극(114)의 주변영역을 상부에서 덮은 상태로, 상기 에지프레임(126)은 상기 로딩프레임(200) 및 하부전극(114)과 함께 상기 하부전극(114)의 공정포지션까지 상승한다. As shown in FIG. 10A, the lower electrode 114 ascends with the loading frame 200 while supporting the bottom edge of the loading frame 200, and is positioned on the upper portion of the loading frame 200. The edge frame 126 is positioned to cover the peripheral region of the substrate 102 and the peripheral region of the lower electrode 114 which is not in contact with the substrate 102, and the edge frame 126 is the loading frame 200. ) And the lower electrode 114 are raised to the process position of the lower electrode 114.

이때, 상기 로딩프레임(200)에 구성된 일체형의 제 1 얼라인돌기(430a)는 상기 하부전극(114)의 제 1 얼라인홈(432)에 끼움 삽입된 상태이며, 상기 에지프레임(126)에 구성된 일체형의 제 2 얼라인돌기(430b)는 상기 로딩프레임(200)의 제 2 얼라인홀(205)을 관통한 상태이다. In this case, the integrated first alignment protrusion 430a of the loading frame 200 is inserted into the first alignment groove 432 of the lower electrode 114 and inserted into the edge frame 126. The integrated second aligning protrusion 430b penetrates through the second aligning hole 205 of the loading frame 200.

따라서, 상기 로딩프레임(200)은 상기 제 1 얼라인돌기(430a)와 제 1 얼라인 홈(432)을 통해 상기 하부전극(114)과 얼라인 되고, 상기 에지프레임(126)은 상기 제 2 얼라인돌기(130b)와 상기 로딩프레임(200)의 제 2 얼라인홀(205)을 통해 상기 로딩프레임(200)과 얼라인된다. Therefore, the loading frame 200 is aligned with the lower electrode 114 through the first alignment protrusion 430a and the first alignment groove 432, and the edge frame 126 is the second It is aligned with the loading frame 200 through the alignment protrusion 130b and the second alignment hole 205 of the loading frame 200.

또는 도 10b에 도시한 바와 같이, 상기 하부전극(114) 상에 제 2 얼라인홈(434)을 더욱 구성하여, 상기 에지프레임(126)의 제 2 얼라인돌기(430b)가 상기 하부전극(114)의 제 2 얼라인홈(434)에 끼움 삽입되도록 구성할 수 있다. Alternatively, as shown in FIG. 10B, a second alignment groove 434 is further formed on the lower electrode 114, so that the second alignment protrusion 430b of the edge frame 126 is connected to the lower electrode ( 114 may be inserted into the second alignment groove 434.

본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1은 일반적인 평판표시장치의 제조를 위한 PECVD 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도. 1 is a cross-sectional view schematically showing a PECVD chamber type thin film processing apparatus for manufacturing a general flat panel display.

도 2a ~ 2c는 각각 종래의 챔버형 박막처리장치에서 기판지지핀을 이용하여 기판이 하부전극의 상면으로 안착하기까지의 과정을 개략적으로 도시한 도면. Figures 2a to 2c schematically show a process until the substrate is seated on the upper surface of the lower electrode using a substrate support pin in the conventional chamber-type thin film processing apparatus, respectively.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 평판표시장치의 제조를 위한 챔버형 박막처리장치를 개략적으로 도시한 단면도.3 is a schematic cross-sectional view of a chamber type thin film processing apparatus for manufacturing a flat panel display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 로딩프레임의 구조를 개략적으로 도시한 사시도. Figure 4 is a perspective view schematically showing the structure of a loading frame according to an embodiment of the present invention.

도 5a ~ 5b는 로딩프레임이 공정챔버 내부에 고정된 모습을 개략적으로 도시한 단면도.5a to 5b are cross-sectional views schematically showing the loading frame is fixed inside the process chamber.

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 에지프레임의 구조를 개략적으로 도시한 사시도.Figure 6 is a perspective view schematically showing the structure of the edge frame according to an embodiment of the present invention.

도 7a ~ 7d는 본 발명의 실시예에 따른 기판이 공정챔버 내부로 인입되어 실질적인 증착공정이 수행되기까지의 과정을 나타낸 공정개요도. 7a to 7d is a process overview showing the process until the substrate is introduced into the process chamber according to an embodiment of the present invention until the actual deposition process is performed.

도 8은 제 1및 제 2 얼라인돌기가 각각 로딩프레임과 에지프레임의 얼라인홀에 끼움 삽입됨으로써 얼라인되는 모습을 개략적으로 도시한 도면.FIG. 8 schematically illustrates how the first and second alignment protrusions are aligned by being inserted into alignment holes of a loading frame and an edge frame, respectively.

도 9a ~ 9b는 본 발명의 실시예와 또 다른 일체형 얼라인돌기의 구조를 개략적으로 도시한 도면. 9a to 9b schematically illustrate the structure of another embodiment of the present invention alignment unitary alignment protrusion.

도 10a ~ 10b는 본 발명의 또 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면. 10A-10B schematically illustrate another embodiment of the present invention.

Claims (17)

일정한 반응공간을 형성하며, 내측면을 따라 제 1 및 제 2 돌출단이 구비된 챔버와A chamber having a constant reaction space and having first and second protrusions formed along an inner surface thereof; 상기 챔버 내에서 상하로 승강운동하며 서로 다른 높이를 갖는 제 1 및 제 2 얼라인돌기가 적어도 하나가 구성된 기판안치대와A substrate stabilizer configured to at least one first and second alignment protrusions having different heights in the chamber; 상기 기판안치대의 상부에 위치하며, 상기 제 1 및 제 2 얼라인돌기가 끼움 삽입되는 제 1 및 제 2 얼라인홈이 적어도 하나 형성되며 기판의 저면을 지지하는 로딩프레임과A loading frame positioned on an upper portion of the substrate support and having at least one first and second alignment grooves into which the first and second alignment protrusions are inserted and supporting a bottom surface of the substrate; 상기 로딩프레임 상부에 위치하며, 상기 제 2 얼라인돌기가 끼움 삽입되는 제 3 얼라인홈이 형성되며, 상기 기판의 가장자리 및 기판안치대의 가장자리를 덮어 가리는 에지프레임An edge frame is positioned above the loading frame and includes a third alignment groove into which the second alignment protrusion is inserted, and covers an edge of the substrate and an edge of the substrate restraint. 을 포함하는 박막처리장치. Thin film processing apparatus comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 로딩프레임은 상기 기판안치대의 하강시 상기 제 1 돌출단에 의해 지지되고, 상기 기판안치대의 상승시 저면이 상기 기판안치대와 밀착 지지되어 이의 상부로 안착된 기판을 포함하여 상기 기판안치대와 함께 상승하는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The loading frame is supported by the first protruding end when the substrate stabilizer is lowered, and when the substrate stabilizer is raised, a bottom surface of the loading frame is closely attached to the substrate stabilizer and is seated on the upper portion of the substrate stabilizer. Thin film processing apparatus, characterized in that rising together. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 에지프레임은 상기 기판안치대의 하강시 상기 제 2 돌출단에 의해 지지되며, 상기 기판안치대 상승시 상기 기판안치대과 함께 상승하는 로딩프레임 상에 안착된 기판의 가장자리를 덮어 가리는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The edge frame is supported by the second protruding end when the substrate stabilizer is lowered, and covers the edge of the substrate seated on the loading frame that rises with the substrate stabilizer when the substrate stabilizer is raised. Processing unit. 제 2 항 및 제 3 항 중 선택된 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 2 and 3, wherein 상기 제 2 돌출단은 상기 제 1 돌출단에 비해 상기 챔버 중심부를 향해 더욱 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The second protruding end may be formed to be longer toward the center of the chamber than the first protruding end. 제 2 항 및 제 3 항 중 선택된 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 2 and 3, wherein 상기 제 2 돌출단은 상기 챔버 내측벽에 상기 제 1 돌출단의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. And the second protrusion is formed below the first protrusion on the inner wall of the chamber. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 로딩프레임은 제 1 내지 제 3 프레임으로 이루어져 일측면이 개구된 대략 "ㄷ"형태이며, 상기 제 1 내지 제 3 프레임의 길이방향을 따라 제 1 고정홀 그 리고 소정의 홈이 다수개 구성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치.The loading frame is composed of first to third frames having a substantially “c” shape with one side open, and a plurality of first fixing holes and a plurality of predetermined grooves are formed along the length direction of the first to third frames. Thin film processing apparatus, characterized in that. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 1 및 제 2 얼라인홈은 상기 제 1 및 제 3 프레임 상에 일정간격 이격하여 다수개 구성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The thin film processing apparatus of claim 1, wherein the first and second alignment grooves are provided in plurality on the first and third frames at predetermined intervals. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 1 고정홀에는 상기 제 1 돌출단이 끼움 삽입되어, 상기 로딩프레임은 상기 챔버 내부의 일정 위치에 고정되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The first protruding end is inserted into the first fixing hole, and the loading frame is fixed at a predetermined position inside the chamber. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 에지프레임은 제 1 내지 제 4 프레임으로 이루어진 사각 프레임형태로, 상기 제 2 얼라인홈과 대응되는 위치에 다수개의 제 3 얼라인홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The edge frame is in the form of a rectangular frame consisting of first to fourth frames, the thin film processing apparatus, characterized in that a plurality of third alignment grooves are formed in a position corresponding to the second alignment groove. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 에지프레임은 상기 소정의 홈과 대응되는 위치에 제 2 고정홀이 구성되어, 상기 제 2 돌출단이 상기 제 2 고정홀에 끼움 삽입됨으로써, 상기 에지프레임은 상기 챔버 내부의 일정 위치에 고정되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The edge frame has a second fixing hole at a position corresponding to the predetermined groove, and the second protruding end is inserted into the second fixing hole so that the edge frame is fixed at a predetermined position inside the chamber. Thin film processing apparatus, characterized in that. 제 10 항에 있어서, The method of claim 10, 상기 소정의 홈에 의해 상기 제 2 돌출단이 상기 로딩프레임과 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. And the second protruding end is not in contact with the loading frame by the predetermined groove. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 얼라인돌기는 상기 제 1 얼라인돌기에 비해 높게 구성하여, 상기 제 2 얼라인홈과 제 3 얼라인홈에 끼움 삽입되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치.The second alignment protrusion is configured to be higher than the first alignment protrusion, the thin film processing apparatus, characterized in that inserted into the second alignment groove and the third alignment groove. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 1 및 제 2 돌출단은 다수개 구성되며, 상기 챔버 내부를 향해 돌출되는 몸체와, 상기 몸체의 일끝단이 상기 챔버의 상부를 향해 절곡된 절곡부로 구성되며, 상기 절곡부는 상측으로 진행할수록 둘레가 작아지는 원뿔 또는 사각뿔의 기 둥 형태인 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The first and second protrusions are composed of a plurality, a body protruding toward the inside of the chamber, and one end of the body is bent toward the upper portion of the chamber, the bent portion is directed upward Thin film processing apparatus, characterized in that the cylindrical shape of the cone or square pyramid becomes smaller. 일정한 반응공간을 형성하며, 내측면을 따라 제 1 및 제 2 돌출단이 구비된 챔버와A chamber having a constant reaction space and having first and second protrusions formed along an inner surface thereof; 상기 챔버 내에서 상하로 승강운동하며, 제 1 프레임과 상기 제 1 프레임에 수직한 제 2 프레임으로 구성된 일체형의 얼라인돌기가 적어도 하나가 구성된 기판안치대와A substrate stabilizer configured to move up and down in the chamber, wherein at least one integrated alignment protrusion including a first frame and a second frame perpendicular to the first frame is formed; 상기 기판안치대의 상부에 위치하며, 상기 얼라인돌기가 끼움 삽입되는 얼라인홈이 적어도 하나 형성되며 상기 얼라인돌기의 제 1 프레임에 의해 지지되는 로딩프레임과A loading frame positioned at an upper portion of the substrate support and having at least one alignment groove into which the alignment protrusion is inserted and supported by the first frame of the alignment protrusion; 상기 로딩프레임 상부에 위치하며, 상기 얼라인돌기의 제 2 프레임이 끼움 삽입되는 얼라인홈이 형성되며, 상기 기판의 가장자리 및 기판안치대의 가장자리를 덮어 가리는 에지프레임An edge groove is positioned above the loading frame and includes an alignment groove into which the second frame of the alignment protrusion is inserted, and covers an edge of the substrate and an edge of the substrate stabilizer. 을 포함하며, 상기 로딩프레임은 기판의 저면 가장자리를 지지하는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. Includes, The loading frame is a thin film processing apparatus, characterized in that for supporting the bottom edge of the substrate. 일정한 반응공간을 형성하며, 내측면을 따라 제 1 및 제 2 돌출단이 구비된 챔버와A chamber having a constant reaction space and having first and second protrusions formed along an inner surface thereof; 상기 챔버 내에서 상하로 승강운동하며, 얼라인홈이 적어도 하나가 구성된 기판안치대와A substrate support platform for moving up and down within the chamber and having at least one alignment groove; 상기 기판안치대의 상부에 위치하며, 상기 얼라인홈에 끼움 삽입되는 제 1 얼라인돌기가 적어도 하나 형성되며 기판의 저면을 지지하는 로딩프레임과A loading frame positioned on an upper portion of the substrate support and having at least one first alignment protrusion inserted into the alignment groove and supporting a bottom surface of the substrate; 상기 로딩프레임 상부에 위치하며, 제 2 얼라인돌기가 형성되며, 상기 기판의 가장자리 및 기판안치대의 가장자리를 덮어 가리는 에지프레임The edge frame is located on the loading frame, the second alignment protrusion is formed, covering the edge of the substrate and the edge of the substrate support 을 포함하며, 상기 로딩프레임 상에는 상기 제 2 얼라인돌기가 관통되는 얼라인홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. And an alignment hole through which the second alignment protrusion penetrates the loading frame. 제 15 항에 있어서, The method of claim 15, 상기 기판안치대는 제 2 얼라인홈을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. The substrate holder further comprises a second alignment groove. 제 16 항에 있어서, The method of claim 16, 상기 제 2 얼라인돌기는 상기 제 2 얼라인홈에 끼움 삽입되는 것을 특징으로 하는 박막처리장치. And the second aligning protrusion is inserted into the second aligning groove.
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