KR20210088791A - Substrate treatment apparatus and substrate treatment method - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a substrate treatment apparatus and a substrate treatment method. The substrate treatment apparatus includes a chamber having a processing space, a gas supply unit for supplying a process gas into the processing space, a substrate support provided in the processing space and supporting a substrate in a central region, a pressing unit provided in a hollow shape along the periphery of the substrate so as to press the edge of the substrate according to the descending movement within the processing space, and a driving unit for providing a driving force to allow the pressing unit to move in a vertical direction. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing a processing process in a state in which a substrate is pressed.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate treatment apparatus and substrate treatment method}Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 기판이 가압된 상태에서 기판에 처리 공정을 진행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing a processing process on a substrate while the substrate is pressed.

일반적으로, 반도체 소자나 디스플레이 패널 등의 제조를 위해서는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 공정, 예컨데, 식각, 애싱, 증착, 그리고 세정 등과 같은 처리 공정이 필요하다. 이 중, 식각 작업은 적층된 박막을 선택적으로 제거하는 작업으로, 용액을 사용하여 식각하는 습식 식각과 반응 가스를 이용하여 식각하는 건식 식각으로 구분된다. 특히, 건식 식각은 절연막 또는 금속층이 적층된 웨이퍼를 밀폐된 공정 챔버 내에 장착하고, 식각용 반응 가스를 공정 챔버에 주입한 후, 고주파 혹은 마이크로웨이브 전력 등을 인가하여 플라즈마 상태의 가스를 형성함으로써 절연막 또는 금속층을 식각하는 것이다. 이러한 건식 식각은 웨이퍼가 식각된 후에 세척 공정이 필요하지 않을 뿐만 아니라 절연막 또는 금속층이 이방성으로 식각되는 특성을 갖고 있어, 현재 대부분의 식각 공정에 사용되고 있다.In general, various processes for treating a substrate using plasma, for example, etching, ashing, deposition, and cleaning, are required for manufacturing a semiconductor device or a display panel. Among them, the etching operation selectively removes the stacked thin film, and is divided into wet etching using a solution and dry etching using a reaction gas. In particular, in dry etching, a wafer on which an insulating film or a metal layer is laminated is mounted in a sealed process chamber, a reactive gas for etching is injected into the process chamber, and then a high frequency or microwave power is applied to form a gas in a plasma state. Alternatively, the metal layer is etched. Such dry etching not only does not require a cleaning process after the wafer is etched, but also has a characteristic that the insulating film or the metal layer is anisotropically etched, and is currently used in most etching processes.

한편, 식각 공정에 적용되는 기판은 식각 공정이 진행되기 전, 열처리 공정을 진행하면서 가장자리부에 휨(warpage) 변형이 발생할 수 있다. 기판에 휨 변형이 발생할 경우, 공정의 신뢰성 및 공정상 문제를 유발할 수 있다. 보다 구체적으로, 휨 변형된 기판에 식각 공정을 처리할 경우, 휘어진 부분의 뒷면에 기생 플라즈마가 발생할 수 있고, 기판과 기판 지지대에 물리적 데미지가 발생하며 식각률, 식각 균일성 등 공정에 악영향을 초래할 수 있다.On the other hand, the substrate applied to the etching process may have warpage deformation at the edge while the heat treatment process is performed before the etching process is performed. When warpage deformation occurs in the substrate, it may cause problems in process reliability and process. More specifically, when an etching process is applied to a bent-deformed substrate, parasitic plasma may be generated on the back side of the bent portion, physical damage may occur to the substrate and substrate support, and adverse effects on the process such as etching rate and etching uniformity may occur. have.

죵래에는, 기판이 변형된 상태로 공정 수행되는 것을 최소화할 수 있도록, 여러 가지 장치들과 정렬 방법이 제안되고 있다. 공개특허 제10-2005-0109443호의 경우, 기판 지지하는 형상 보정 장치를 통해 변형이 발생한 기판의 위치를 조절하는 방식을 제안하고 있다. 하지만, 상기 장치 및 상기 방법은 기판의 변형된 부분이 수평하게 펴진 상태로 공정 수행하는데 어려움이 있다. 이에, 기판의 변형된 부분이 수평하게 펴진 상태에서 공정 수행될 수 있는 장치 및 방법이 필요한 실정이다.In the past, various devices and alignment methods have been proposed in order to minimize the process performed in a deformed state of the substrate. In the case of Korean Patent Application Laid-Open No. 10-2005-0109443, a method of adjusting the position of the deformed substrate through a shape correction device supporting the substrate is proposed. However, the apparatus and the method are difficult to process in a state in which the deformed portion of the substrate is spread horizontally. Accordingly, there is a need for an apparatus and method capable of performing the process in a state in which the deformed portion of the substrate is spread horizontally.

KR 10-2005-0105411 AKR 10-2005-0105411 A

본 발명은 기판이 가압된 상태에서 처리공정이 진행될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing a processing process while a substrate is pressed.

본 발명은 기판을 가압하여 기판이 교정된 상태에서 처리공정이 진행될 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of performing a processing process in a state in which the substrate is calibrated by pressing the substrate.

본 발명은 처리공간을 구비하는 챔버; 상기 처리공간 내로 공정가스를 공급하는 가스공급유닛; 상기 처리공간 내에 제공되며 중앙영역에 기판을 지지하는 기판 지지대; 상기 처리공간 내에서 하강 이동에 따라 상기 기판의 가장자리부를 가압하도록, 상기 기판의 둘레를 따라 중공형으로 제공되는 가압유닛; 및 상기 가압유닛이 상하방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 구동유닛;을 포함한다.The present invention is a chamber having a processing space; a gas supply unit supplying a process gas into the processing space; a substrate support provided in the processing space and configured to support a substrate in a central area; a pressing unit provided in a hollow shape along the periphery of the substrate to press the edge of the substrate according to the descending movement within the processing space; and a driving unit that provides a driving force so that the pressing unit moves in the vertical direction.

상기 가압유닛은, 중심에 관통구가 구비되는 엣지 클램프; 및 상기 엣지 클램프에 결합되며, 상기 기판의 가장자리를 가압하는 링형상의 푸쉬링;을 포함한다.The pressing unit may include: an edge clamp having a through hole in the center; and a ring-shaped push ring coupled to the edge clamp and pressing the edge of the substrate.

상기 기판 지지대는, 가장자리영역에 돌출된 커버링을 구비하고, 상기 푸쉬링은, 상기 기판의 둘레를 따라 연장된 링형상의 판으로 이루어진 프레임;과 상기 기판의 가장자리와 접촉하도록 상기 프레임에서 하향 연장되는 가압부;를 포함하며, 상기 프레임은, 상기 푸쉬링의 하강 이동에 따라 상기 프레임의 하면과 상기 커버링의 상면 사이에 이격공간을 형성한다.The substrate support includes a covering protruding from an edge region, and the push ring includes a frame made of a ring-shaped plate extending along the periphery of the substrate and extending downward from the frame to contact the edge of the substrate. and a pressing part, wherein the frame forms a spaced space between the lower surface of the frame and the upper surface of the covering according to the descending movement of the push ring.

상기 가압부는, 복수로 마련되고, 상기 가압부는, 연장방향의 길이가 연장방향에 수직한 폭보다 긴 핑거 형상으로 마련되며, 상기 기판의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치된다.The pressing part is provided in plurality, and the pressing part is provided in a finger shape in which a length in an extension direction is longer than a width perpendicular to the extension direction, and is spaced apart from each other at equal intervals along the circumference of the substrate.

핑거 형상의 상기 가압부는, 탄성 재질로 이루어진다.The finger-shaped pressing part is made of an elastic material.

상기 가압부는, 상기 기판의 가장자리를 따라 연장되며 상기 기판의 가장자리와 면접촉한다.The pressing part extends along the edge of the substrate and makes surface contact with the edge of the substrate.

상기 가압부는, 상기 처리공간을 향하는 면에 적어도 부분적으로 상기 기판 지지대의 상부면에 대해 경사진 경사면을 구비한다.The pressing unit includes an inclined surface inclined with respect to the upper surface of the substrate support at least partially on a surface facing the processing space.

상기 경사면은, 상기 경사면의 외측보다 내측에서 상기 기판 지지대의 상부면에 대한 경사가 더 완만하게 형성된다.The inclined surface has a more gentle inclination with respect to the upper surface of the substrate support from the inner side than the outer side of the inclined surface.

상기 푸쉬링은, 상기 이격공간과 상기 처리공간이 연통되도록 관통되는 연통통로;를 구비한다.The push ring includes a communication passage through which the separation space and the processing space communicate with each other.

상기 연통통로는, 복수로 마련되어 상기 푸쉬링에서 상기 기판의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치된다.The communication passages are provided in plurality and are spaced apart from each other at equal intervals along the circumference of the substrate in the push ring.

상기 엣지 클램프는, 내측면이 상기 엣지 클램프의 중심을 향하여 내측으로 하향 경사지게 제공된다.The edge clamp is provided with an inner surface inclined downward inward toward the center of the edge clamp.

상기 기판 지지대는, 상하방향으로 관통된 복수의 관통홀과 상기 복수의 관통홀에 각각 배치되는 복수의 리프트핀을 더 포함하고, 상기 구동유닛은, 상기 복수의 리프트핀을 지지하며, 상기 가압유닛을 이동시키는 동안 적어도 부분적으로 상기 복수의 리프트핀을 함께 상하방향으로 이동시키도록 제공된다.The substrate support further includes a plurality of vertical through-holes and a plurality of lift pins respectively disposed in the plurality of through-holes, the driving unit supports the plurality of lift pins, and the pressing unit It is provided to at least partially move the plurality of lift pins together in an up-down direction while moving.

상기 구동유닛은, 상기 기판 지지대의 하측에 배치되며 상기 리프트핀을 지지하는 지지플레이트; 상기 가압유닛과 상기 지지플레이트를 연결하는 연결부; 및상기 지지플레이트가 상하방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 동력부재;를 포함하며, 상기 연결부의 높이가 상기 리프트핀의 높이보다 크다.The driving unit may include a support plate disposed below the substrate support and supporting the lift pins; a connection part connecting the pressing unit and the support plate; and a power member providing a driving force to move the support plate in the vertical direction, wherein a height of the connection part is greater than a height of the lift pin.

상기 챔버에 제공되며 상기 처리공간 내에 플라즈마를 발생시키는 전극유닛; 상기 기판 지지대의 상부에 플라즈마가 발생되도록 상기 전극유닛에 전원을 인가하는 전원유닛;를 더 포함한다.an electrode unit provided in the chamber and generating plasma in the processing space; It further includes a; power unit for applying power to the electrode unit so that plasma is generated on the upper portion of the substrate support.

본 발명은 처리공간 내에 배치되는 기판 지지대의 중앙영역에 기판을 배치시키는 과정; 상기 기판의 둘레를 따라 제공되는 링형상의 가압유닛을 하강 이동시켜 상기 기판 지지대에 안착된 상기 기판의 가장자리를 가압하는 과정; 및 가압된 상기 기판에 공정가스를 분사해 상기 기판에 처리공정을 수행하는 과정;을 포함한다.The present invention provides a process for placing a substrate in a central region of a substrate support disposed in a processing space; pressing the edge of the substrate seated on the substrate support by moving the ring-shaped pressing unit provided along the periphery of the substrate downward; and spraying a process gas to the pressurized substrate to perform a processing process on the substrate.

상기 기판을 배치시키는 과정은, 상기 기판을 상기 중앙영역에 위치한 리프트핀에 전달하는 과정; 및 상기 리프트핀과 상기 가압유닛을 동시에 하강 이동시키는 과정;을 포함한다.The disposing of the substrate may include: transferring the substrate to a lift pin located in the central region; and simultaneously lowering and moving the lift pin and the pressing unit.

상기 기판에 처리공정을 수행하는 과정은, 상기 가압유닛이 상기 기판을 누르는 상태에서 상기 가압유닛의 하부면의 적어도 일부와 상기 기판 지지대의 가장자리부의 상부면 사이로 상기 공정가스가 통과하는 과정;을 포함한다.The process of performing the processing process on the substrate includes a process in which the process gas passes between at least a portion of a lower surface of the pressurizing unit and an upper surface of an edge of the substrate support in a state in which the pressurizing unit presses the substrate. do.

본 발명의 실시 예들에 따르면, 기판의 가장자리부를 가압하므로 처리공정 시, 기판에 진동 혹은 외부 충격이 발생되더라도 기판의 위치가 변경되지 않을 수 있다. 이에, 기판의 위치가 고정된 상태로 처리공정을 진행할 수 있다.According to embodiments of the present invention, since the edge of the substrate is pressed, the position of the substrate may not be changed even if vibration or external shock is generated on the substrate during the processing process. Accordingly, the processing process may be performed while the position of the substrate is fixed.

또한, 기판에 휨(warpage)과 같은 변형이 발생한 경우, 기판에 변형이 발생한 부분을 가압하여 교정 즉, 변형된 부분을 수평하게 펴주므로 처리공정 시 기판이 균일하게 가공되게 할 수 있다.In addition, when deformation such as warpage occurs in the substrate, the substrate can be processed uniformly during the processing process by pressing the deformed portion on the substrate to correct it, that is, horizontally straighten the deformed portion.

또한, 변형이 발생한 부분을 가압하여 교정하므로, 기판의 하면에 기생플라즈마가 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.In addition, since the deformed portion is corrected by pressing it, the generation of parasitic plasma on the lower surface of the substrate can be suppressed or prevented.

또한, 처리공정 시, 공정가스와 활성종 및 이온을 포함하는 플라즈마의 흐름을 기판의 중심을 향하도록 형성하여 기판에 고르게 형성하므로 기판의 처리공정 균일도를 유지할 수 있다.In addition, during the processing process, the flow of plasma including the process gas, active species, and ions is formed to face the center of the substrate and evenly formed on the substrate, thereby maintaining uniformity of the processing process of the substrate.

또한, 처리공정 시, 공정가스와 활성종 및 이온을 포함하는 플라즈마의 배출흐름을 원활하게 형성하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.In addition, the efficiency of the substrate processing process can be improved by smoothly forming an exhaust flow of the plasma including the process gas and active species and ions during the processing process.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 절단 사시도.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 부분단면도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가압유닛의 이동을 나타내는 부분단면도.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 챔버 내에 기판이 반입되는 모습을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대에 기판이 안착되는 모습을 나타내는 도면.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판이 가압되는 모습을 나타내는 도면.
도 9은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 플로우차트.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cut-away perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
3 is a partial cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a partial cross-sectional view showing the movement of the pressing unit according to the embodiment of the present invention.
5 is a perspective view showing a push ring according to embodiments of the present invention.
6 is a view illustrating a state in which a substrate is loaded into a chamber according to an embodiment of the present invention.
7 is a view showing a state in which a substrate is seated on a substrate support according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing a state in which a substrate is pressed according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 발명을 상세하게 설명하기 위해 도면은 과장될 수 있고, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and the scope of the invention to those of ordinary skill in the art completely It is provided to inform you. In order to explain the invention in detail, the drawings may be exaggerated, and like numerals refer to like elements in the drawings.

본 발명의 실시 예인 기판 처리 장치는 반도체 제조 공정 중 처리공정이 진행되는 챔버 내에서 기판을 가압하는 상태로 기판에 처리 공정을 진행할 수 있는 장치에 관한 것이다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention relates to an apparatus capable of performing a processing process on a substrate while pressing the substrate in a chamber in which the processing process is performed during a semiconductor manufacturing process.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 절단 사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 부분단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가압유닛의 이동을 나타내는 부분단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cut-away perspective view of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention It is a partial cross-sectional view showing, Figure 4 is a partial cross-sectional view showing the movement of the pressurizing unit according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)는, 처리공간을 구비하는 챔버(110), 처리공간 내로 공정가스를 공급하는 가스공급유닛(미도시), 처리공간 내에 제공되며 중앙영역(121)에 기판(S)을 지지하는 기판 지지대(120), 처리공간 내에서 하강 이동에 따라 기판(S)의 가장자리를 고르게 가압하도록 기판(S)의 둘레를 따라 링형상으로 제공되는 가압유닛(130) 및 가압유닛(130)이 상하방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 구동유닛(140)을 포함할 수 있다.1 to 4 , the substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 110 having a processing space, a gas supply unit (not shown) for supplying a process gas into the processing space; The substrate support 120 provided in the processing space and supporting the substrate S in the central region 121, along the circumference of the substrate S to evenly press the edge of the substrate S according to the descending movement in the processing space. It may include a pressing unit 130 provided in a ring shape and a driving unit 140 providing a driving force so that the pressing unit 130 moves in the vertical direction.

챔버(110)는 내부에 처리공간을 구비할 수 있다. 여기서, 챔버(110)의 내부 공간 중 기판(S)에 처리공정이 수행되는 영역을 지칭하는 것일 수 있다. 즉, 가스공급유닛에서 공정가스가 공급되면, 공정가스를 통해 처리공간에 배치된 기판(S)에 처리공정이 진행될 수 있다. 예를 들어, 처리공정은 기판(S)에 증착, 식각, 애싱(ashing), 에칭(etching) 등의 제조(FAB: fabrication) 공정을 포함할 수 있고, 챔버(110)는 상기 공정들을 수행할 수 있는 공정 챔버를 포함할 수 있다. 하지만, 챔버(110)의 구조 및 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다.The chamber 110 may have a processing space therein. Here, it may refer to a region in which a processing process is performed on the substrate S among the internal space of the chamber 110 . That is, when the process gas is supplied from the gas supply unit, the processing process may be performed on the substrate S disposed in the processing space through the process gas. For example, the processing process may include a fabrication (FAB) process such as deposition, etching, ashing, and etching on the substrate S, and the chamber 110 may perform the above processes. It may include a process chamber capable of However, the structure and shape of the chamber 110 is not limited thereto and may vary.

가스공급유닛(미도시)은 챔버(110)의 내부로 공정가스를 공급할 수 있다. 예를 들어, 가스공급유닛은 챔버(110) 내부에 설치되어 공정가스를 공급하거나 혹은 챔버(110) 외부에 설치되어 배관 혹은 연결라인 등의 수단을 통해 챔버(110)로 공정가스를 공급할 수 있다. 본 발명의 실시 예에서는 가스공급유닛이 챔버(110) 내부에 설치되는 경우를 예시적으로 설명하며 가스공급유닛에 관한 구체적인 설명은 하기에서 다시 설명하기로 한다.A gas supply unit (not shown) may supply a process gas into the chamber 110 . For example, the gas supply unit may be installed inside the chamber 110 to supply the process gas, or installed outside the chamber 110 to supply the process gas to the chamber 110 through means such as a pipe or a connection line. . In the embodiment of the present invention, a case in which the gas supply unit is installed in the chamber 110 is exemplarily described, and a detailed description of the gas supply unit will be described again below.

기판 지지대(120)는 처리공간 내에 제공되며, 중앙영역(121)에 기판(S)이 안착될 수 있다. 여기서, 중앙영역(121)은 기판 지지대(120)의 상부 영역 중 상대적으로 중심부에 위치한 영역을 지칭하는 것일 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(120)는 원기둥 형상 혹은 직육면체 형상으로 형성될 수 있다. 여기서, 기판 지지대(120)에 안착되는 기판(S)은 예컨대 원형 형상의 웨이퍼 혹은 디스플레이 장치의 제조에 사용될 수 있는 사각판 형상의 대면적의 유리 기판을 포함할 수 있다. 즉, 기판(S)은 반도체 칩과 태양전지 혹은 대면적의 유리 기판 등의 각종 전자 장치를 제조하는 공정에 적용되는 기판을 포함하여 다양할 수 있고, 그 형상도 원형 혹은 사각판 외에 다양할 수 있다.The substrate support 120 is provided in the processing space, and the substrate S may be seated in the central region 121 . Here, the central region 121 may refer to a region located at a relatively central portion of the upper region of the substrate support 120 . For example, the substrate support 120 may be formed in a cylindrical shape or a rectangular parallelepiped shape. Here, the substrate S mounted on the substrate support 120 may include, for example, a circular-shaped wafer or a large-area glass substrate of a square plate shape that can be used for manufacturing a display device. That is, the substrate S may be various, including a substrate applied to a process for manufacturing various electronic devices such as semiconductor chips, solar cells, or large-area glass substrates, and the shape may also vary other than a circular or square plate. have.

이에, 기판 지지대(120)에 원형 웨이퍼 형상의 기판이 반입되거나 혹은 사각판 형상의 기판이 반입되더라도 각각의 기판의 형상에 맞추어 기판을 기판 지지대(120)에 안착시킬 수 있다. 하지만, 기판 지지대(120)의 구조와 형상은 이에 한정되지 않고 다양할 수 있다. 하기에서는 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지대(120)가 원기둥 형상으로 제공되고, 기판(S)이 원형 웨이퍼 형상으로 제공되는 경우를 예시적으로 설명한다.Accordingly, even if a circular wafer-shaped substrate or a rectangular plate-shaped substrate is loaded into the substrate support 120 , the substrate may be seated on the substrate support 120 according to the shape of each substrate. However, the structure and shape of the substrate support 120 is not limited thereto and may vary. Hereinafter, as shown in FIGS. 2 to 4 , a case in which the substrate support 120 is provided in a cylindrical shape and the substrate S is provided in a circular wafer shape will be exemplarily described.

가압유닛(130)은 기판(S)의 가장자리부를 가압할 수 있다. 여기서, 챔버(110)로 반입되는 기판(S)은 내부에 변형이 발생하거나 혹은 내부에 변형이 발생하지 않은 기판을 모두 포함할 수 있다. 예를 들어, 챔버(110)의 처리공간으로 변형이 발생하지 않은 기판(S)이 반입될 경우, 가압유닛(130)은 처리공정 시 진동 혹은 외부의 충격으로 인해 기판(S)의 위치가 움직이는 것을 방지하도록 기판(S)을 가압하여 지지 혹은 고정시키는 역할을 할 수 있다. The pressing unit 130 may press the edge of the substrate (S). Here, the substrate S loaded into the chamber 110 may include all of the substrates that are deformed or are not deformed therein. For example, when the substrate S without deformation is brought into the processing space of the chamber 110, the pressing unit 130 moves the position of the substrate S due to vibration or external impact during the processing process. It may serve to support or fix the substrate (S) by pressing to prevent it.

한편, 챔버(110)의 처리공간에 변형이 발생한 기판(S)이 반입될 수도 있다. 일반적으로, 기판(S)에 처리 공정을 진행하기 전에, 기판(S)의 수분을 제거하기 위해 열을 가할 수 있다. 또는, 기판(S)에 처리 공정을 진행하기 전, 이전 공정에서 기판(S)에 열이 가해질 수 있다. 이때, 기판(S)에 열을 가함에 있어서 기판(S)에 휨(warpage) 등의 변형이 발생할 수 있다. 여기서, 휨(warpage) 변형은 스마일 타입의 콘케이브(concave) 형상 및 크라잉 타입의 콘벡스(convex) 형상으로 변형될 수 있다. 변형이 발생한 기판(S)에 공정가스로 처리 공정을 진행할 경우, 기판(S)이 불균일하게 가공될 수 있다. 즉, 휨 변형이 발생한 부분에서 처리 공정이 정확하게 진행되지 못할 수 있다. 이에, 기판(S)을 교정한 상태 즉, 기판의 가장자리 부분에 휨 변형이 발생한 곳을 가압하여 수평하게 펴주므로 기판(S)이 균일하게 가공되게 할 수 있다. Meanwhile, the deformed substrate S may be loaded into the processing space of the chamber 110 . In general, before performing a treatment process on the substrate S, heat may be applied to remove moisture from the substrate S. Alternatively, before performing the treatment process on the substrate S, heat may be applied to the substrate S in a previous process. At this time, when heat is applied to the substrate S, deformation such as warpage may occur in the substrate S. Here, the warpage deformation may be transformed into a smile-type concave shape and a cry-type convex shape. When a process gas is used to treat the deformed substrate S, the substrate S may be non-uniformly processed. That is, the treatment process may not proceed accurately in the portion where the bending deformation occurs. Accordingly, since the substrate S is flattened by pressing the corrected state, that is, the place where the bending deformation occurs at the edge of the substrate, the substrate S can be uniformly processed.

가압유닛(130)은 처리공간 내에서 하강 이동하며 기판(S)의 가장자리 즉, 기판(S)에 변형이 발생된 부분을 가압하므로, 기판(S)이 수평하게 펴지게 할 수 있다. 이에, 기판(S)은 처리공정이 진행되는 동안 수평하게 펴진 상태를 유지할 수 있다. 여기서, 가압유닛(130)은 기판(S)의 둘레를 따라 중공형 형상으로 마련될 수 있다. 가압유닛(130)이 중공형 형상으로 마련됨에 따라, 가압유닛(130)의 상측에서 공급되는 공정가스가 가압유입(130)의 중공 부분을 통과하여 기판(S)에 접촉될 수 있다. 즉, 가압유닛(130)이 중공형으로 형성되어 기판(S)의 상부가 개방되도록 하고, 상대적으로 가장자리 부분을 가압하므로, 기판(S)이 가압된 상태에서 기판(S)에 공정가스가 접촉하여 처리공정이 진행될 수 있다.The pressing unit 130 moves downward in the processing space and presses the edge of the substrate S, that is, the portion where the deformation occurs on the substrate S, so that the substrate S can be flattened. Accordingly, the substrate S may maintain a horizontally spread state while the processing process is in progress. Here, the pressing unit 130 may be provided in a hollow shape along the circumference of the substrate (S). As the pressurizing unit 130 is provided in a hollow shape, the process gas supplied from the upper side of the pressurizing unit 130 may pass through the hollow portion of the pressurized inlet 130 to contact the substrate S. That is, the pressurizing unit 130 is formed in a hollow shape so that the upper portion of the substrate S is opened, and the edge portion is relatively pressed, so that the process gas is in contact with the substrate S while the substrate S is pressurized. Thus, the treatment process may proceed.

가압유닛(130)은, 중심에 관통구(131a)가 구비되는 엣지 클램프(131) 및 엣지 클램프(131)에 결합되며, 기판(S)의 가장자리를 가압하는 링형상의 푸쉬링(132)을 포함할 수 있다. The pressing unit 130 is coupled to an edge clamp 131 and an edge clamp 131 having a through hole 131a in the center, and a ring-shaped push ring 132 for pressing the edge of the substrate S. may include

엣지 클램프(131)는 원형링 혹은 사각링 형상으로 마련될 수 있다. 도 2는 예시적으로 엣지 클램프(131)가 원형링 형상으로 제공된 경우를 예시적으로 도시한 것이며, 하기에서는 엣지 클램프(131)가 원형링으로 마련된 경우를 예시적으로 설명한다. 엣지 클램프(131)는 직경이 기판 지지대(120)의 직경보다 크게 형성될 수 있다. 즉, 엣지 클램프(131)가 하강 이동하여 기판 지지대(120)와 인접한 상측에 배치되었을 때, 챔버(110)와 기판 지지대(120)의 측면 사이의 공간의 상측 일부를 엣지 클램프(131)가 막아줄 수 있다. 이에, 엣지 클램프(131)가 챔버(110)와 기판 지지대(120)의 측면 사이의 공간의 상측 일부를 막아줌으로 챔버(110)와 기판 지지대(120)의 측면 사이의 공간으로 공정가스가 많이 유입되는 것을 억제시킬 수 있고, 공정가스가 엣지 클램프(131)의 관통구(131a)통해 기판 지지대(120)의 중앙영역(121) 쪽으로 공급되게 할 수 있다. The edge clamp 131 may be provided in the shape of a circular ring or a square ring. 2 exemplarily illustrates a case in which the edge clamp 131 is provided in a circular ring shape, and below, a case in which the edge clamp 131 is provided in a circular ring shape will be exemplarily described. The edge clamp 131 may have a diameter larger than the diameter of the substrate support 120 . That is, when the edge clamp 131 moves downward and is disposed on the upper side adjacent to the substrate support 120 , the edge clamp 131 blocks the upper part of the space between the chamber 110 and the side surfaces of the substrate support 120 . can give Accordingly, since the edge clamp 131 blocks the upper part of the space between the side surfaces of the chamber 110 and the substrate support 120 , a lot of process gas flows into the space between the side surfaces of the chamber 110 and the substrate support 120 . Inflow can be suppressed, and the process gas can be supplied toward the central region 121 of the substrate support 120 through the through hole 131a of the edge clamp 131 .

푸쉬링(132)은 기판(S)의 가장자리를 가압하고, 링형상으로 마련될 수 있다. 푸쉬링(132)은 엣지 클램프(131)의 하면에 탈부착 가능하게 결합될 수 있다. 여기서, 푸쉬링(132)은 다양한 실시 예들로 제공되며, 엣지 클램프(131)에 선택적으로 결합될 수 있다. 푸쉬링(132)의 다양한 실시 예들에 관한 설명은 하기에서 다시 하기로 한다.The push ring 132 may press the edge of the substrate S, and may be provided in a ring shape. The push ring 132 may be detachably coupled to the lower surface of the edge clamp 131 . Here, the push ring 132 is provided in various embodiments, and may be selectively coupled to the edge clamp 131 . Descriptions of various embodiments of the push ring 132 will be described below again.

기판 지지대(120)는, 가장자리영역(122)에 돌출된 커버링(123)을 구비하고, 푸쉬링(132)은 기판(S)의 둘레를 따라 연장된 링형상의 판으로 이루어진 프레임(132a) 및 기판(S)의 가장자리와 접촉하도록 프레임(132a)에서 하향 연장되는 가압부(132b)를 포함할 수 있다. 이때. 프레임(132a)은 푸쉬링(132)의 하강 이동에 따라 프레임(132a)의 하면과 커버링(123)의 상면 사이에 이격공간(132c)을 형성할 수 있다. 즉, 가압유닛(130)이 하측 이동할 수 있는 거리 중 최하측 즉, 푸쉬링(132)이 기판(S)을 가압하는 위치에 있을 때, 프레임(132a)의 하면과 커버링(123)의 상면 사이에 이격공간(132c)을 형성할 수 있다The substrate support 120 includes a covering 123 protruding from the edge region 122 , and the push ring 132 is a frame 132a made of a ring-shaped plate extending along the circumference of the substrate S, and It may include a pressing part 132b extending downward from the frame 132a to contact the edge of the substrate S. At this time. The frame 132a may form a separation space 132c between the lower surface of the frame 132a and the upper surface of the covering 123 according to the downward movement of the push ring 132 . That is, when the pressing unit 130 is at the lowest position of the downward movement distance, that is, the push ring 132 is in a position to press the substrate (S), between the lower surface of the frame (132a) and the upper surface of the covering (123) A separation space 132c may be formed in

커버링(123)은 기판 지지대(120)의 가장자리영역(122)에 위치하고, 기판 지지대(120)의 상면에서 돌출될 수 있다. 여기서, 가장자리영역(122)은 중앙역역(121)보다 반경방향을 기준으로 외측에 마련된 영역을 지칭한다. 커버링(123)은 기판 지지대(120)의 둘레를 따라 연장되며, 중앙영역에 기판(S)이 안착되도록 가이드하는 역할을 할 수 있다.The covering 123 is located in the edge region 122 of the substrate support 120 , and may protrude from the upper surface of the substrate support 120 . Here, the edge region 122 refers to an area provided outside the central station 121 in the radial direction. The covering 123 extends along the circumference of the substrate support 120 , and may serve to guide the substrate S to be seated in the central region.

프레임(132a)은 엣지 클램프(131)의 하면에 결합될 수 있다. 프레임(132a)은 기판(S)의 둘레를 따라 연장된 링형상의 판으로 형성될 수 있다. 여기서, 프레임(132a)은 하강 이동함에 따라, 커버링(123)과 이격된 상태로 커버링(123)과 인접한 위치에 배치될 수 있는데, 이때 프레임(132a)의 하면과 커버링(123)의 상면 사이에 이격된 공간이 이격공간(132c)일 수 있다. 이격공간(132c)은 후술하는 연통통로(132f)와 연통되며, 중앙영역(121)으로 공급된 공정가스가 배출되는 통로일 수 있다. The frame 132a may be coupled to the lower surface of the edge clamp 131 . The frame 132a may be formed of a ring-shaped plate extending along the circumference of the substrate S. Here, as the frame 132a moves downward, it may be disposed at a position adjacent to the covering 123 in a state spaced apart from the covering 123 , in this case, between the lower surface of the frame 132a and the upper surface of the covering 123 . The spaced-apart space may be the spaced-apart space 132c. The separation space 132c communicates with a communication passage 132f to be described later, and may be a passage through which the process gas supplied to the central region 121 is discharged.

가압부(132b)는 기판(S)의 가장자리와 접촉할 수 있다. 가압부(132b)는 프레임(132a)에서 내측 즉, 프레임(132a)의 중심을 향하는 방향으로 하향 연장될 수 있다. 가압부(132b)는 상하방향을 따라 높이를 갖고 반경방향을 따라 길이를 갖을 수 있다. 예를 들어, 가압부(132b)는 푸쉬링(132)의 중심부를 향하여 사선으로 연장될 수 있다. 이에, 푸쉬링(132)의 하강 이동에 따라 가압부(132b)의 단부가 기판(S)을 눌러줄 수 있다.The pressing part 132b may be in contact with the edge of the substrate S. The pressing part 132b may extend downward from the frame 132a in a direction toward the inner side, that is, the center of the frame 132a. The pressing part 132b may have a height along the vertical direction and a length along the radial direction. For example, the pressing part 132b may extend diagonally toward the center of the push ring 132 . Accordingly, the end of the pressing part 132b may press the substrate S according to the downward movement of the push ring 132 .

도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도이다. 즉, 도 5(a)는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도이고, 도 5(a)는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도이고, 도 5(b)는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도이고, 도 5(c)는 본 발명의 제3 실시 예에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도이고, 도 5(d)는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 푸쉬링을 나타내는 사시도이다. 5 is a perspective view illustrating a push ring according to embodiments of the present invention. That is, Figure 5 (a) is a perspective view showing the push ring according to the first embodiment of the present invention, Figure 5 (a) is a perspective view showing the push ring according to the first embodiment of the present invention, Figure 5 (b) ) is a perspective view showing a push ring according to a second embodiment of the present invention, Figure 5 (c) is a perspective view showing a push ring according to a third embodiment of the present invention, Figure 5 (d) is a first embodiment of the present invention It is a perspective view showing a push ring according to the fourth embodiment.

도 5(a)의 제1 실시 예에 따른 푸쉬링은 핑거(finger) 타입의 푸쉬링이고, 도 5(b) 내지 도 5(d)의 제2 실시 예 내지 제4 실시 예에 따른 푸쉬링은 슬로프(slope) 타입의 푸쉬링일 수 있다. 여기서, 도 5(a)의 제1 실시 예에 따른 푸쉬링은 기판 처리 영역에서의 공정가스의 배기효율을 증가시킬 수 있고, 도 5(b) 내지 도 5(d)의 제2 실시 예 내지 제4 실시 예에 따른 푸쉬링은 공정가스와 활성종(또는 래디칼) 및 이온을 포함하는 플라즈마의 흐름을 기판 처리영역으로 더 효과적으로 모아줄 수 있다.The push ring according to the first embodiment of FIG. 5 ( a ) is a finger type push ring, and the push ring according to the second to fourth embodiments of FIGS. 5 ( b ) to 5 ( d ). may be a slope-type push ring. Here, the push ring according to the first embodiment of FIG. 5(a) may increase the exhaust efficiency of the process gas in the substrate processing region, and the second embodiment of FIGS. 5(b) to 5(d) to The push ring according to the fourth embodiment may more effectively collect the flow of plasma including the process gas and active species (or radicals) and ions to the substrate processing region.

도 5(a) 내지 도 5(d)를 참조하여, 본 발명의 실시 예들에 따른 푸쉬링(132)을 보다 구체적으로 설명한다. With reference to FIGS. 5 (a) to 5 (d), the push ring 132 according to embodiments of the present invention will be described in more detail.

도 5(a)를 참조하면, 푸쉬링(132)의 가압부(132b)는 복수로 마련되고, 연장방향의 길이가 연장방향에 수직한 폭보다 긴 핑거 형상으로 마련되며, 기판(S)의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 가압부(132b)는 일부가 프레임(132a)의 중심부를 향하여 직선 연장되고, 연장된 부분에서 프레임(132a)의 중심부를 향하여 하향 경사지게 꺾여 연장된 핑거 형상일 수 있다. 여기서, 가압부(132b)는 하향 경사지게 꺾이는 부분을 통해, 기판(S) 가압시 상측으로 휠 수 있다. 이에, 기판(S) 표면에 과도한 압력이 가해지는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. Referring to FIG. 5( a ), a plurality of pressing parts 132b of the push ring 132 are provided, and the length in the extension direction is provided in a finger shape longer than the width perpendicular to the extension direction, and the It may be spaced apart at equal intervals along the circumference. For example, the pressing part 132b may have a finger shape in which a portion linearly extends toward the center of the frame 132a, and the extended portion is bent downwardly toward the center of the frame 132a. Here, the pressing portion 132b may be bent upward when pressing the substrate S through a downwardly inclined portion. Accordingly, it is possible to suppress or prevent excessive pressure being applied to the surface of the substrate S.

또한, 가압부(132b)는 기판(S)의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치될 수 있다. 이에, 기판(S)과 점 점촉하며, 기판(S)의 둘레를 따라 고르게 기판(S)을 가압할 수 있다. 일반적으로, 기판(S)을 가압할 때, 접촉면적이 넓을 경우, 접촉 면적만큼 공정가스가 기판(S)에 접촉하지 못하므로 공정 효율이 상대적으로 감소할 수 있다. 즉, 식각률이 감소할 수 있다. 또한, 접촉면적이 상대적으로 넓어질 경우, 기판(S)과 기판(S)과 접촉하는 수단 사이의 인력이 커질 수 있고 기판(S)과 접촉 수단을 분리시킴에 있어서, 상대적으로 큰 인력에 저항하며 기판(S)을 분리시킴으로 기판(S)에 손상이 발생할 수 있다. 이에, 가압부(132b)를 복수의 핑거 형상으로 마련하여 등간격으로 이격 배치하므로, 가압부(132b)와 기판(S) 사이의 접촉면적을 상대적으로 감소시키면서, 기판(S)의 가장자리를 효과적으로 가압할 수 있다.In addition, the pressing parts 132b may be spaced apart from each other at equal intervals along the circumference of the substrate S. Accordingly, it is in point contact with the substrate (S), it is possible to evenly press the substrate (S) along the circumference of the substrate (S). In general, when the substrate S is pressurized, if the contact area is large, the process gas may not contact the substrate S as much as the contact area, so that the process efficiency may be relatively reduced. That is, the etch rate may decrease. In addition, when the contact area is relatively wide, the attractive force between the substrate S and the means in contact with the substrate S may increase, and in separating the substrate S and the contact means, a relatively large attractive force is resisted. And by separating the substrate (S), damage to the substrate (S) may occur. Accordingly, since the pressing part 132b is provided in the shape of a plurality of fingers and spaced apart at equal intervals, the edge of the substrate S is effectively reduced while the contact area between the pressing part 132b and the substrate S is relatively reduced. can be pressurized.

또한, 가압부(132b)가 기판의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치되므로, 가압부(132b)들 사이의 이격된 공간들로 공정가스 혹은 처리 공정 중 발생한 부산물이 원활하게 배출되어 공정가스 또는 부산물의 배기효율을 증가시킬 수 있다. 즉, 기판(S)에 처리공정이 진행된 공정가스가 기판(S) 상부에 체류하지 않고 가압부(132b)들 사이의 이격된 공간들로 원활하게 배출될 수 있다. 또한, 처리공정 시, 발생되는 부산물들도 가압부(132b)들 사이의 이격된 공간들로 원활하게 배출될 수 있다. 이에, 기판(S)의 처리공정이 중 배기효율을 증가시킬 수 있다.In addition, since the pressurizing parts 132b are spaced apart at equal intervals along the circumference of the substrate, the process gas or by-products generated during the treatment process are smoothly discharged to the spaced spaces between the pressurizing parts 132b, so that the process gas or by-products can increase the exhaust efficiency. That is, the process gas subjected to the processing process on the substrate S may be smoothly discharged to the spaced spaces between the pressurizing parts 132b without remaining in the upper portion of the substrate S. In addition, the by-products generated during the treatment process may be smoothly discharged to the spaced spaces between the pressing parts 132b. Accordingly, it is possible to increase the exhaust efficiency during the processing process of the substrate (S).

또한, 핑거 형상의 가압부(132b)는 탄성 재질로 이루어질 수 있다. 가압부(132b)가 탄성 재질로 형성됨에 따라, 기판(S) 가압시 핑거 형상의 가압부(132b)가 상측으로 더 효과적으로 휠 수 있고, 기판(S)에 손상을 가해지는 것을 더 효과적으로 억제 혹은 방지할 수 있다.In addition, the finger-shaped pressing part 132b may be made of an elastic material. As the pressing portion 132b is formed of an elastic material, the finger-shaped pressing portion 132b can more effectively bend upward when the substrate S is pressed, and more effectively suppress or prevent damage to the substrate S. can be prevented

도 5(b) 내지 도 5(d)를 참조하면, 가압부(132b)는 기판(S)의 가장자리를 따라 연장되며, 기판(S)의 가장자리와 면접촉할 수 있다. 예를 들어, 가압부(132b)는 프레임(132a)의 연장방향을 따라, 기판(S)의 둘레방향 전체로 연장되며 기판(S)의 가장자리 전체와 선접촉 혹은 면접촉할 수 있다. 또는, 가압부(132b)가 기판(S)의 둘레방향을 따라 부분적으로 연장되며 기판(S)의 가장자리와 부분적으로 선접촉 혹은 면접촉할 수 있다. 도 5(b)에 도시된 것처럼, 하기에서는 가압부(132b)가 기판(S) 둘레방향 전체로 연장된 경우를 예시적으로 설명한다. 즉, 가압부(132b)는 상하방향으로 높이를 갖을 수 있고, 가압부(132b)의 단부가 기판(S)의 가장자리부분의 둘레 전체를 가압하며 기판(S)의 가장자리를 더 확실하게 가압할 수 있다. 5(b) to 5(d) , the pressing part 132b extends along the edge of the substrate S, and may make surface contact with the edge of the substrate S. For example, the pressing portion 132b may extend in the entire circumferential direction of the substrate S along the extending direction of the frame 132a and may be in line contact or surface contact with the entire edge of the substrate S. Alternatively, the pressing portion 132b may partially extend along the circumferential direction of the substrate S and may partially line-contact or surface-contact the edge of the substrate S. As shown in FIG. 5( b ), a case in which the pressing part 132b extends in the entire circumferential direction of the substrate S will be exemplarily described below. That is, the pressing portion 132b may have a height in the vertical direction, and the end of the pressing portion 132b presses the entire circumference of the edge portion of the substrate S and presses the edge of the substrate S more reliably. can

또한, 가압부(132b)는 처리공간을 향하는 면에 적어도 부분적으로 기판 지지대(120)의 상부면에 대해 경사진 경사면(132d)을 구비할 수 있다. 즉, 경사면(132d)은 처리공간을 향하여 하향 경사지게 형성될 수 있다. 이에, 경사면(132d)을 통해 공정가스를 처리공간으로 원활하게 이동시킬 수 있다. In addition, the pressing unit 132b may have an inclined surface 132d inclined with respect to the upper surface of the substrate support 120 at least partially on the surface facing the processing space. That is, the inclined surface 132d may be inclined downward toward the processing space. Accordingly, the process gas can be smoothly moved into the processing space through the inclined surface 132d.

한편, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)의 처리공정은 후술하는 전극유닛(150)에 의해 발생되는 플라즈마(P)에 포함된 활성종 및 이온과 상술한 공정가스를 통해 기판을 처리하는 공정일 수 있다. 즉, 기판 처리의 목적에 따라, 기판의 표면을 식각하거나 증착하는 등의 공정을 포함할 수 있다. 플라즈마(P)를 발생시킴에 있어서, 유도코일의 축을 따라 전자적으로 플라스마 상태를 생성시키는 유도 결합형 플라즈마(Inductkively Coupled Plasma) 방식과, 또는 샤워헤드로 플라즈마를 발생시키는 용량 결합 플라즈마 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 방식을 사용할 수 있다. On the other hand, in the processing process of the substrate processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention, active species and ions included in the plasma P generated by the electrode unit 150 to be described later and the substrate through the process gas described above. It may be a processing process. That is, depending on the purpose of processing the substrate, it may include a process of etching or depositing the surface of the substrate. In generating the plasma (P), inductively coupled plasma (Inductively Coupled Plasma) method for generating a plasma state electronically along the axis of the induction coil, or Capacitively Coupled Plasma (CCP) for generating plasma with a showerhead ) method can be used.

이때, 공정가스와 플라즈마에 포함된 활성종 및 이온이 하측으로 이동함에 있어서, 기판(S)에 처리공정이 진행되는 처리 영역 즉, 기판(S)의 중심을 향하는 방향으로 공정가스와 활성종 및 이온이 원활하게 이동하지 못할 수 있다. 보다 구체적으로, 챔버(110)의 하부에서는 공정가스와 활성종 및 이온이 하측으로 흐르도록 펌핑유닛(미도시)이 펌핑하는데, 공정가스와 활성종 및 이온이 기판(S)의 상부면에서 처리공정이 진행되지 못하고 바로 엣지 클램프(131)와 챔버(110) 사이 공간으로 빠져나가 하측으로 배기될 수 있다. 또는, 공정가스와 활성종 및 이온이 배출되는 배출경로 예컨데, 후술하는 이격공간(132c) 혹은 연통통로(132f)로 바로 배기될 수 있다. 이는, 기판(S) 상부에서 공정가스와 활성종 및 이온의 균일도를 일정하게 유지하지 못하는 요인이 될 수 있다. 이에, 하측으로 이동하는 공정가스와 활성종 및 이온의 흐름이 기판(S)의 중심쪽으로 집중되게 할 필요가 있다.At this time, as the active species and ions included in the process gas and plasma move downward, the process gas and active species and Ions may not move smoothly. More specifically, in the lower part of the chamber 110, a pumping unit (not shown) pumps the process gas, active species, and ions to flow downward, and the process gas, active species, and ions are processed on the upper surface of the substrate S. The process may not proceed and may immediately exit into the space between the edge clamp 131 and the chamber 110 and be exhausted downward. Alternatively, the process gas, active species, and ions may be discharged directly from an exhaust path, for example, a separation space 132c or a communication path 132f to be described later. This may be a factor in which the uniformity of the process gas, active species, and ions cannot be constantly maintained on the upper portion of the substrate (S). Accordingly, it is necessary to focus the flow of the process gas and active species and ions moving downward toward the center of the substrate (S).

이에, 가압부(132b)에 경사면(132d)을 형성하여, 하측으로 이동하는 공정가스와 활성종 및 이온이 경사면(132d)을 타고 기판(S)의 중심 쪽으로 흐르게 하므로, 기판(S) 상부의 공정가스 및 이온의 균일도를 일정하게 유지시킬 수 있다. 즉, 공정가스와 활성종 및 이온이 경사면(132d)을 타고 기판(S)의 중심쪽으로 흐르게 유도하므로, 공정가스 또는 활성종 및 이온을 기판(S)으로 집중시킬 수 있고, 공정가스또는 활성종 및 이온을 기판(S) 처리 영역의 중심부로 고르게 분포시킬 수 있다. Accordingly, an inclined surface 132d is formed in the pressing part 132b, so that the process gas, active species and ions moving downward flow toward the center of the substrate S along the inclined surface 132d, so that the upper portion of the substrate S The uniformity of process gas and ions can be kept constant. That is, since the process gas, active species and ions are guided to flow toward the center of the substrate S along the inclined surface 132d, the process gas or active species and ions can be concentrated on the substrate S, and the process gas or active species And ions may be evenly distributed to the center of the processing region of the substrate S.

도 5(c)를 참조하면, 경사면(132d)은, 경사면(132d)의 외측보다 내측에서 기판 지지대(120)의 상부면에 대한 경사가 더 완만하게 형성될 수 있다. 즉, 경사면(132d)이 푸쉬링(132)의 중심부로 갈수록, 경사가 점차적으로 완만하게 형성되거나 혹은 연속적으로 경사가 완만하게 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5(c) , the inclined surface 132d may have a more gentle inclination with respect to the upper surface of the substrate support 120 on the inner side than the outer side of the inclined surface 132d. That is, as the inclined surface 132d moves toward the center of the push ring 132 , the inclination may be gradually gently formed or the inclination may be gradually formed continuously.

만일, 경사면(132d)에 푸쉬링(132)의 중심부를 향하여 돌출된 부분이 있을 경우, 하측으로 흐르는 공정가스 또는 활성종 및 이온이 돌출된 부분과 부딪혀 기판(S)의 처리영역으로 집중되는 흐름이 분산될 수 있다. 이에, 푸쉬링(132)의 중심부로 갈수록, 경사를 점차적으로 완만하게 형성하여 공정가스 또는 활성종 및 이온이 경사면(132d)에 접촉하여 푸쉬링(132)의 중심부를 향하여 흐름을 원활하게 유도할 수 있다. 즉, 하측으로 이동하는 공정가스 및 이온이 가압부(132b)의 내측면과 부딪히더라도 점차적으로 완만하게 형성되는 경사면(132d)을 타고 기판(S)의 중심쪽으로 원활하게 흐르도록 할 수 있다. 이에, 기판(S) 상부의 공정가스 및 이온의 균일도를 더 효과적으로 일정하게 유지시킬 수 있다. 예를 들어, 경사면(132d)은 푸쉬링(132)의 중심부를 향하여 경사가 점차적으로 완만해지도록 형성되거나, 혹은 곡면으로 형성될 수 있다.If there is a portion protruding toward the center of the push ring 132 on the inclined surface 132d, the process gas or active species and ions flowing downward collide with the protruding portion and the flow concentrated in the processing region of the substrate S This can be dispersed. Accordingly, toward the center of the push ring 132, the slope is gradually and gently formed so that the process gas or active species and ions come into contact with the inclined surface 132d to smoothly guide the flow toward the center of the push ring 132. can That is, even if the process gas and ions moving downward collide with the inner surface of the pressurizing part 132b, it is possible to smoothly flow toward the center of the substrate S on the gradually and gently formed inclined surface 132d. Accordingly, the uniformity of the process gas and ions on the upper portion of the substrate S can be maintained more effectively and uniformly. For example, the inclined surface 132d may be formed such that the inclination gradually becomes gentle toward the center of the push ring 132 , or it may be formed in a curved surface.

도 5(d)를 참조하면, 상술한 바와 같이, 챔버(110)의 처리공간에는 사각판 형상의 기판(S)이 반입될 수도 있다. 이에, 푸쉬링(132)이 사각링 형태로 제공될 수도 있다. 사각링 형태의 푸쉬링(132)은 상술한 바와 같이 프레임(132a) 및 가압부(132b)를 구비할 수 있다. 또한, 사각링 형태의 푸쉬링(132)은 가로변 및 세로변의 중심을 연결하는 한쌍의 가압바(132e)를 더 구비할 수 있다. 일반적으로, 사각판 형상의 기판(S)은 원형 형상의 기판보다 크기가 더 클 수 있다. 이에, 가압부(132b)로 기판(S)의 가장자리를 눌러주는 것으로 기판(S)이 충분히 가압되지 않을 수 있다. 이에, 한쌍의 가압바(132e)를 통해 기판(S)의 가로변 및 세로변의 중심을 눌러주므로, 사각판 형상의 기판(S)을 확실하게 가압할 수 있다. Referring to FIG. 5( d ), as described above, a square plate-shaped substrate S may be loaded into the processing space of the chamber 110 . Accordingly, the push ring 132 may be provided in the form of a square ring. The square ring-shaped push ring 132 may include a frame 132a and a pressing part 132b as described above. In addition, the push ring 132 in the form of a square ring may further include a pair of pressing bars 132e connecting the centers of the horizontal and vertical sides. In general, the size of the square plate-shaped substrate S may be larger than that of the circular-shaped substrate. Accordingly, the substrate S may not be sufficiently pressurized by pressing the edge of the substrate S with the pressing part 132b. Accordingly, since the center of the horizontal and vertical sides of the substrate S is pressed through the pair of pressing bars 132e, the rectangular plate-shaped substrate S can be reliably pressed.

또한, 푸쉬링(132)은 이격공간(132c)과 처리공간이 연통되도록 관통되는 연통통로(132f)를 구비할 수 있다. 연통통로(132f)는 기판(S)의 상부의 공정가스를 이격 공간으로 배출시킬 수 있다. 만일, 연통통로(132f)가 형성되지 않을 경우, 기판(S)에 처리공정을 수행한 기판(S) 상부의 공정가스는 커버링(123) 및 엣지 클램프(131)의 내측면을 타고 상승 이동하여 챔버(110)와 엣지 클램프(131)의 측면 사이의 공간을 통과해 배기될 수 있다. 이에, 공정가스의 배출 흐름이 원활하게 형성되지 않을 수 있고, 기판(S) 처리공정의 효율이 나빠질 수 있다. 이에, 연통통로(132f)를 형성하여, 공정가스가 연통통로(132f)를 통해 이격공간(132c)으로 배출되게 하므로, 기판(S) 상부의 공정가스가 원활하게 배기되게 할 수 있다.In addition, the push ring 132 may include a communication passage 132f through which the separation space 132c and the processing space communicate. The communication passage 132f may discharge the process gas on the upper portion of the substrate S to the separation space. If the communication passage (132f) is not formed, the process gas on the upper portion of the substrate (S) that has been subjected to the processing process on the substrate (S) rides on the inner surface of the covering (123) and the edge clamp (131) and moves upward. It may be exhausted through the space between the chamber 110 and the side surface of the edge clamp 131 . Accordingly, the discharge flow of the process gas may not be smoothly formed, and the efficiency of the substrate (S) processing process may be deteriorated. Accordingly, the communication passage 132f is formed so that the process gas is discharged to the separation space 132c through the communication passage 132f, so that the process gas on the substrate S can be smoothly exhausted.

연통통로(132f)는 복수로 마련되어 푸쉬링(132)에서 기판(S)의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치될 수 있다. 이에, 복수의 연통통로(132f)를 통해 공정가스가 원활하게 배기될 수 있다. 한편, 도 5(a)의 제1 실시 예에 따른 푸쉬링(132)에서는 복수로 제공되는 핑거 형상의 가압부(132b)들 사이의 이격된 사이 공간이 연통통로(132f)일 수 있다.A plurality of communication passages 132f may be provided and spaced apart from each other at equal intervals along the circumference of the substrate S in the push ring 132 . Accordingly, the process gas may be smoothly exhausted through the plurality of communication passages 132f. Meanwhile, in the push ring 132 according to the first embodiment of FIG. 5A , a space between the plurality of finger-shaped pressing parts 132b may be a communication passage 132f.

또한, 도 5(b) 및 도 5(c)의 제2 실시 예 및 제3 실시 예에 따른 푸쉬링(132)에서는 가압부(132b)의 내측에서 외측으로 관통된 홀 부분이 연통통로(132f)일 수 있다. 여기서, 연통통로(132f)는 원주방향을 따라 등간격으로 4개가 형성될 수 있다.In addition, in the push ring 132 according to the second embodiment and the third embodiment of FIGS. 5 ( b ) and 5 ( c ), the hole part penetrated from the inside to the outside of the pressing part 132b is the communication passage 132f ) can be Here, four communication passages 132f may be formed at equal intervals along the circumferential direction.

또한, 도 5(d)의 제4 실시 예에 따른 푸쉬링(132)에서는 사각링의 가로변 및 세로변의 중심에서 내측에서 외측으로 관통된 홀 부분이 연통통로(132f)일 수 있다. 여기서, 연통통로(132f)는 가로변 및 세로변에 각각 형성될 수 있다. In addition, in the push ring 132 according to the fourth embodiment of FIG. 5 ( d ), a hole portion penetrating from the inside to the outside at the center of the horizontal and vertical sides of the square ring may be the communication passage 132f . Here, the communication passage 132f may be formed on a horizontal side and a vertical side, respectively.

한편, 연통통로(132f)는 이격공간(132c)을 향하는 방향으로 내경이 점차 감소할 수 있다. 일반적으로, 유체는 통과하는 단면적이 좁을수록 이동속도를 빠르게 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 유체는 압력이 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동할 수 있는데 통과하는 단면적이 상대적으로 넓은 곳에서는 속도가 감속하고, 통과하는 단면적이 상대적으로 좁은 곳에서는 속도가 증가한다. 압력과 속도 사이의 관계를 알려주는 베르누이 정리(Bernouli's law)를 통해 알 수 있듯, 통로의 내경의 길수록 통과하는 유체의 속도가 감소하고 내부 압력이 높을 수 있고, 통로의 내경이 짧을수록 통과하는 유체의 속도가 증가하고 내부 압력이 낮아질 수 있다. Meanwhile, the inner diameter of the communication passage 132f may be gradually decreased in the direction toward the separation space 132c. In general, the smaller the cross-sectional area through which the fluid passes, the faster the moving speed can be formed. More specifically, the fluid can move from a place of high pressure to a place of low pressure, and the velocity is reduced where the cross-sectional area is relatively wide, and the velocity is increased where the cross-sectional area is relatively narrow. As can be seen through Bernoulli's law, which tells the relationship between pressure and velocity, the longer the inner diameter of the passage, the lower the velocity of the passing fluid and the higher the internal pressure, the shorter the inner diameter of the passage, the more the passing fluid. may increase and the internal pressure may decrease.

이에, 연통통로(132f)가 이격공간(132c)을 향하는 방향으로 내경이 감소되므로, 연통통로(132f)를 통과하는 공정가스가 빠르고 원활하게 이격공간(132c)으로 이동하게 될 수 있다.Accordingly, since the inner diameter of the communication passage (132f) is reduced in the direction toward the separation space (132c), the process gas passing through the communication passage (132f) can be moved to the separation space (132c) quickly and smoothly.

또한, 연통통로(132f)와 연결되는 이격공간(132c)도 공정가스가 빠르고 원활하게 이동할 수 있도록, 공정가스가 배출되는 방향으로 단면적을 점점 작게 형성할 수 있다. 이를 위해, 프레임(132a)과 커버링(123) 중 적어도 어느 하나의 두께가 공정가스가 배출되는 방향을 향하여 점차 두꺼워지게 형성할 수 있다. 이에, 프레임(132a)의 하면 및 커버링(123)의 상면 사이의 간격이 공정가스가 배출되는 방향을 향하여 점차 감소되고 단면적이 작게 형성되어 공정가스를 원활하게 배출할 수 있다.In addition, the separation space 132c connected to the communication passage 132f may also have a smaller cross-sectional area in the direction in which the process gas is discharged so that the process gas can move quickly and smoothly. To this end, the thickness of at least one of the frame 132a and the covering 123 may be gradually increased in the direction in which the process gas is discharged. Accordingly, the gap between the lower surface of the frame 132a and the upper surface of the covering 123 is gradually reduced in the direction in which the process gas is discharged, and the cross-sectional area is formed to be small, so that the process gas can be smoothly discharged.

한편, 엣지 클램프(131)는 내측면이 엣지 클램프(131)의 중심을 향하여 내측으로 하향 경사지게 제공될 수 있다. 엣지 클램프(131)의 내측면이 하향 경사지게 형성되므로, 하측으로 이동하는 공정가스가 푸쉬링(132)의 내부로 흐르도록 흐름을 유도할 수 있다. 즉, 엣지 클램프(131)의 내측면이 내측으로 하향 경사지게 형성되어 공정가스가 내측면을 타고 푸쉬링(132)의 중심을 향하여 이동하게 하므로, 내측면이 수직하게 형성될 경우보다 공정가스를 푸쉬링(132)의 내로 원활하게 모아줄 수 있다. On the other hand, the edge clamp 131 may be provided with an inner surface inclined downward inward toward the center of the edge clamp 131 . Since the inner surface of the edge clamp 131 is formed to be inclined downward, the flow of the process gas moving downward can be induced to flow into the push ring 132 . That is, since the inner surface of the edge clamp 131 is formed to be inclined downwardly to the inside, so that the process gas rides on the inner surface and moves toward the center of the push ring 132, the inner surface of the edge clamp 131 is formed to be vertical, and the process gas is pushed more than when the inner surface is formed vertically. It can be smoothly gathered into the inside of the ring (132).

한편, 기판 지지대(120)는 상하방향으로 관통된 복수의 관통홀(124)과 복수의 관통홀(124)에 각각 배치되는 복수의 리프트핀(125)을 더 포함할 수 있다. 또한, 구동유닛(140)은, 복수의 리프트핀(125)을 지지하며 가압유닛(130)을 이동시키는 동안 적어도 부분적으로 복수의 리프트핀(125)을 함께 상하방향으로 이동시키도록 제공될 수 있다. Meanwhile, the substrate support 120 may further include a plurality of through-holes 124 penetrating in the vertical direction and a plurality of lift pins 125 respectively disposed in the plurality of through-holes 124 . In addition, the driving unit 140 may be provided to support the plurality of lift pins 125 and to at least partially move the plurality of lift pins 125 together in the vertical direction while moving the pressing unit 130 . .

관통홀(124)은 기판 지지대(120)를 상하로 관통하며, 내부에 리프트핀(125)이 배치될 수 있다. 리프트핀(125)은 관통홀(124)에서 상하방향으로 이동할 수 있으며, 상측 단부가 기판 지지대(120)에 안착될 수 있다. 즉, 기판 지지대(120)에서 관통홀(124)을 형성하는 부분의 내측면 중 상측 부분이 리프트핀(125)의 상측 단부가 안착될 수 있도록 리프트핀(125)의 상측 단부와 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 관통홀(124)의 상측 부분은 내측으로 경사진 테이퍼 형상일 수 있고, 리프트핀(125)도 상측 단부가 내측으로 경사진 테이퍼 형상일 수 있다.The through hole 124 penetrates the substrate support 120 up and down, and a lift pin 125 may be disposed therein. The lift pin 125 may move vertically in the through hole 124 , and an upper end thereof may be seated on the substrate support 120 . That is, the upper portion of the inner surface of the portion forming the through hole 124 in the substrate support 120 is formed in the same shape as the upper end of the lift pin 125 so that the upper end of the lift pin 125 can be seated. can be For example, an upper portion of the through hole 124 may have a tapered shape inclined inward, and the lift pin 125 may also have a tapered shape having an upper end inclined inward.

이에, 복수의 리프트핀(125)은 구동유닛(140)을 통해 상하로 이동할 수 있고, 복수의 리프트핀(125)에 안착된 기판(S)을 기판 지지대(120)의 상면으로 옮길 수 있다. Accordingly, the plurality of lift pins 125 may move up and down through the driving unit 140 , and the substrate S seated on the plurality of lift pins 125 may be moved to the upper surface of the substrate support 120 .

한편, 구동유닛(140)는 가압유닛(130)을 이동시키는 동안 적어도 부분적으로 복수의 리프트핀(125)을 함께 상하방향으로 이동시킬 수 있다. 즉, 구동유닛(140)은 리프트핀(125)이 기판 지지대(120)에 안착되기 전까지는 리프트핀(125)과 가압유닛(130)을 함께 상하로 이동시킬 수 있고, 리프트핀(125)이 기판 지지대(120)에 안착된 후에는 가압유닛(130)만 하강 이동시킬 수 있다. 이에, 리프트핀(125) 및 가압유닛(130)이 구동유닛(140)에 의해 상승 이동한 상태에서는 리프트핀(125)과 가압유닛(130) 사이에 간격이 발생될 수 있고, 상기 간격을 통해 기판(S)이 복수의 리프트핀(125)으로 원활하게 반입될 수 있다.Meanwhile, the driving unit 140 may at least partially move the plurality of lift pins 125 together in the vertical direction while the pressing unit 130 is moved. That is, the driving unit 140 can move the lift pin 125 and the pressure unit 130 up and down together until the lift pin 125 is seated on the substrate support 120 , and the lift pin 125 is After being seated on the substrate support 120 , only the pressing unit 130 may be moved downward. Accordingly, in a state in which the lift pin 125 and the pressure unit 130 are moved upward by the driving unit 140 , a gap may be generated between the lift pin 125 and the pressure unit 130 , and through the gap The substrate S may be smoothly loaded into the plurality of lift pins 125 .

구동유닛(140)은 기판 지지대(120)의 하측에 배치되며 리프트핀(125)을 지지하는 지지플레이트(141), 가압유닛(130)과 지지플레이트(141)를 연결하는 연결부(142) 및 지지플레이트(141)가 상하방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 동력부재(143)를 포함할 수 있다. 여기서, 연결부(142)의 높이는 리프트핀(125)의 높이보다 클 수 있다.The driving unit 140 is disposed on the lower side of the substrate support 120 and supports the support plate 141 for supporting the lift pin 125 , the connection part 142 for connecting the pressing unit 130 and the support plate 141 , and the support. The plate 141 may include a power member 143 that provides a driving force to move in the vertical direction. Here, the height of the connection part 142 may be greater than the height of the lift pin 125 .

또한, 구동유닛(140)은 기판(S)을 가압하는 가압력을 조절할 수 있다. 즉, 동력부재(143)에서 동력을 제어하여 가압유닛(130)이 기판(S)을 가압하는 힘을 조절할 수 있다. 예를 들어, 챔버(110)에 변형이 발생하지 않은 기판(S)이 반입될 경우, 구동유닛(140)은 가압력을 조절하며 기판(S)을 가압 및 고정시킬 수 있다. 이에, 기판(S) 표면에 물리적 충격을 상대적으로 적게 가할 수 있으며, 기판(S)이 손상되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.In addition, the driving unit 140 may adjust the pressing force for pressing the substrate (S). That is, by controlling the power in the power member 143, the pressure unit 130 can adjust the force to press the substrate (S). For example, when the substrate S that is not deformed is loaded into the chamber 110 , the driving unit 140 may adjust the pressing force and press and fix the substrate S. Accordingly, a relatively small amount of physical impact may be applied to the surface of the substrate S, and damage to the substrate S may be suppressed or prevented.

또한, 챔버(110)에 변형이 발생된 기판(S)이 반입될 경우, 구동유닛(140)은 가압력을 조절하며 기판(S)을 가압할 수 있다. 즉, 가압유닛(130)이 기판(S)과 접촉은 하되 기판 지지대(120)와 밀착되지 않도록 기판(S)을 가압할 수 있다. 예컨데, 기판(S)에 상하로 5mm 높이로 휨(warpage) 변형이 발생한 경우, 구동유닛(140)은 가압유닛(130)을 작동시켜 기판(S)이 3mm 만큼만 펴질 수 있도록 기판(S)을 가압할 수 있다. 이에, 기판(S)이 기판 지지대(120)의 상면과 2mm 만큼의 갭을 갖을 수 있고, 기판(S)이 5mm 만큼 펴지도록 가압할 경우보다 기판(S) 표면에 물리적 충격을 상대적으로 덜 가할 수 있다. 여기서, 기판(S)이 가압유닛(130)에 의해 기판 지지대(120)의 상면에 밀착 접촉되지 않더라도, 상술한 2mm 이하의 갭은 일반적인 플라즈마와 기판(S) 사이의 간격 보다 작기 때문에 변형이 발생된 기판(S) 하며에 플라즈마가 생성되지 못할 수 있다. 따라서, 기판(S)을 기판 지지대(120)와 밀착되지 않도록 기판(S)을 가압할 경우, 기판(S) 표면에 충격과 손상을 가하지 않으면서도 기판(S)에 기생플라즈마가 발생되는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다.In addition, when the deformed substrate S is loaded into the chamber 110 , the driving unit 140 may pressurize the substrate S by adjusting the pressing force. That is, the pressing unit 130 may press the substrate S so that it is in contact with the substrate S but not in close contact with the substrate support 120 . For example, when a warpage deformation occurs in the substrate S by 5 mm up and down, the driving unit 140 operates the pressing unit 130 to spread the substrate S by only 3 mm. can be pressurized. Accordingly, the substrate (S) may have a gap of about 2 mm with the upper surface of the substrate support 120, and relatively less physical impact to the surface of the substrate (S) than when the substrate (S) is pressed to spread by 5 mm. can Here, even if the substrate S is not in close contact with the upper surface of the substrate support 120 by the pressing unit 130, the above-described gap of 2 mm or less is smaller than the gap between the general plasma and the substrate S, so deformation occurs. Plasma may not be generated on the old substrate S. Therefore, when the substrate S is pressed so that the substrate S is not in close contact with the substrate support 120, the generation of parasitic plasma on the substrate S is suppressed without applying impact and damage to the surface of the substrate S. Or it can be prevented.

만일, 연결부(142)의 높이가 리프트핀(125)의 높이보다 작을 경우, 리프트핀(125)과 가압부 사이에 공간이 형성되지 않을 수 있고, 복수의 리프트핀(125)에 기판(S)이 원활하게 반입되지 못할 수 있다. 이에, 연결부(142)의 높이를 리프트핀(125)의 높이보다 크게 하여, 가압유닛(130)과 리프트핀(125) 사이에 간격을 확보할 수 있다. If the height of the connection part 142 is smaller than the height of the lift pin 125 , a space may not be formed between the lift pin 125 and the pressing part, and the substrate S is disposed on the plurality of lift pins 125 . It may not be imported smoothly. Accordingly, by making the height of the connection part 142 greater than the height of the lift pin 125 , it is possible to secure a gap between the pressing unit 130 and the lift pin 125 .

한편, 챔버(110)는, 챔버(110)에 제공되며 처리공간 내에 플라즈마(P)를 발생시키는 전극유닛(150) 및 기판 지지대(120)의 상부에 플라즈마(P)가 발생되도록 전극유닛(150)에 전원을 인가하는 전원유닛(160)를 더 포함할 수 있다. 즉, 전극유닛(150)이 전원유닛(160)에서 전원을 공급받아, 처리공간에 플라즈마(P)를 형성할 수 있다. 여기서, 처리공간에 전극유닛(150)이 구비될 경우 상술한 가스공급유닛은 플라즈마(P)를 이용한 처리공정에 적용되는 샤워헤드를 포함할 수 있다. On the other hand, the chamber 110 is provided in the chamber 110 and the electrode unit 150 for generating plasma P in the processing space and the electrode unit 150 to generate plasma P on the substrate support 120 . ) may further include a power supply unit 160 for applying power. That is, the electrode unit 150 may receive power from the power unit 160 to form the plasma P in the processing space. Here, when the electrode unit 150 is provided in the processing space, the above-described gas supply unit may include a showerhead applied to a processing process using plasma (P).

기판 처리 장치(100)로 기판(S)을 가압 및 공정 처리하는 과정은 기판 처리 방법을 설명함에 있어서, 그 과정을 함께 설명한다.The process of pressurizing and processing the substrate S by the substrate processing apparatus 100 will be described together with the description of the substrate processing method.

하기에서는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명하기로 한다. 본 발명의 실시 예인 기판 처리 방법을 설명함에 있어서, 상술한 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100)를 이용하는 경우를 예시적으로 설명한다. 이에, 상술한 기판 처리 장치의 구성들에 관한 중복 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate processing method according to an embodiment of the present invention will be described. In describing the substrate processing method according to the embodiment of the present invention, the case of using the substrate processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention described above will be exemplarily described. Accordingly, a redundant description of the components of the above-described substrate processing apparatus will be omitted.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 처리공간 내에 배치되는 기판 지지대(120)의 중앙영역(121)에 기판(S)을 배치시키는 과정(S110), 기판(S)의 둘레를 따라 제공되는 링형상의 가압유닛(130)을 하강 이동시켜 기판 지지대(120)에 안착된 기판(S)의 가장자리를 가압하는 과정(S120) 및 가압된 기판(S)에 공정가스를 분사해 기판(S)에 처리공정을 수행하는 과정(S130)을 포함할 수 있다.In the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, the process ( S110 ) of disposing the substrate (S) in the central region (121) of the substrate support (120) disposed in the processing space (S110), provided along the circumference of the substrate (S) The process of pressing the edge of the substrate S seated on the substrate support 120 by moving the ring-shaped pressurizing unit 130 down (S120) and spraying the process gas to the pressurized substrate (S) to the substrate (S) It may include a process (S130) of performing a processing process.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 챔버 내에 기판이 반입되는 모습을 나타내는 도면이고, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지대에 기판이 안착되는 모습을 나타내는 도면이고, 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판이 가압되는 모습을 나타내는 도면이고, 도 9은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 플로우차트이다. 6 is a view showing a state in which a substrate is loaded into a chamber according to an embodiment of the present invention, FIG. 7 is a view showing a state in which a substrate is seated on a substrate support according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a view showing the present invention is a view showing a state in which a substrate is pressed according to an embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 하기에서는 기판 처리 방법을 설명함에 있어서, 가압유닛(130)에 제1 실시 예에 따른 푸쉬링(132)이 적용된 경우를 예시적으로 설명한다. 또한, 기판 처리 장치에 반입되는 기판(S)은 가장자리에 휨(warpage) 변형이 발생한 기판(S)인 경우를 예시적으로 설명한다. A substrate processing method according to embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 9 . Hereinafter, in describing a substrate processing method, a case in which the push ring 132 according to the first embodiment is applied to the pressing unit 130 will be exemplarily described. In addition, the case where the board|substrate S carried into the substrate processing apparatus is the board|substrate S in which the warpage deformation|transformation occurred at the edge is demonstrated as an example.

도 6을 참조하면, 먼저, 지지플레이트(141)는 상승 이동한 상태일 수 있고, 이에, 리프트핀(125) 및 가압유닛(130)도 상승 배치되어 있는 상태일 수 있다. 기판(S)은 외부에서 반입수단 예컨데 이송로봇(미도시) 등을 통해, 리프트핀(125)으로 반입될 수 있다. 이때, 푸쉬링(132)과 리프트핀(125) 사이에 간격이 형성되어 리프트핀(125)으로 기판(S)이 원활하게 반입될 수 있다.Referring to FIG. 6 , first, the support plate 141 may be in an upwardly moved state, and thus, the lift pins 125 and the pressing unit 130 may be in a state in which they are also raised. The substrate S may be loaded into the lift pin 125 through a loading means such as a transport robot (not shown) from the outside. At this time, a gap is formed between the push ring 132 and the lift pin 125 so that the substrate S can be smoothly loaded into the lift pin 125 .

도 7을 참조하면, 기판(S)을 기판 지지대(120)의 상면에 안착시킬 수 있다. 즉, 구동유닛(140)를 작동시켜 지지플레이트(141)를 하강 이동시킬 수 있다. 이에, 리프트핀(125)과 가압유닛(130)이 함께 하강 이동할 수 있다. 리프트핀(125)이 하강 이동하면서, 기판 지지대(120)의 관통홀(124)의 상부에 리프트핀(125)의 상측 단부가 안착될 수 있고, 리프트핀(125)의 안착과 동시에 기판 지지대(120)의 상면에 기판(S)이 안착될 수 있다.Referring to FIG. 7 , the substrate S may be seated on the upper surface of the substrate support 120 . That is, the support plate 141 may be moved downward by operating the driving unit 140 . Accordingly, the lift pin 125 and the pressing unit 130 may move downward together. As the lift pin 125 moves down, the upper end of the lift pin 125 may be seated on the upper portion of the through hole 124 of the substrate support 120, and simultaneously with the seating of the lift pin 125, the substrate support ( The substrate S may be seated on the upper surface of the 120 .

도 8을 참조하면, 기판(S)이 기판 지지대(120)의 상면에 안착된 상태에서, 지지플레이트(141)를 더 하강 이동시킬 수 있다. 이에, 지지플레이트(141)와 리프트핀(125)의 하측 단부는 이탈될 수 있다. 또한, 지지플레이트(141)가 더 하강 이동함에 따라, 가압유닛(130)도 더 하강 이동할 수 있고, 가압유닛(130)의 푸쉬링(132)과 기판(S)이 접촉될 수 있다. 즉, 푸쉬링(132)에서 하향 경사진 부분인 가압부(132b)가 기판(S)의 가장자리를 가압할 수 있다. 이에, 변형이 발생한 기판(S)의 가장자리가 가압부(132b)에 의해 가압되며 수평하게 펴질 수 있다. Referring to FIG. 8 , in a state in which the substrate S is seated on the upper surface of the substrate support 120 , the support plate 141 may be further moved downward. Accordingly, the lower end of the support plate 141 and the lift pin 125 may be separated. In addition, as the support plate 141 moves further down, the pressure unit 130 may also move down further, and the push ring 132 of the pressure unit 130 and the substrate S may come into contact with each other. That is, the pressing portion 132b that is a downwardly inclined portion of the push ring 132 may press the edge of the substrate S. Accordingly, the edge of the deformed substrate (S) is pressed by the pressing portion (132b) and can be spread horizontally.

한편, 기판(S)이 기판 지지대(120)의 상면에 안착된 상태에서 지지플레이트(141)가 더 하강 이동함에 따라, 가압유닛(130)의 프레임(132a)은 지지플레이트(141)에 구비되는 커버링(123)과 이격되며 커버링(123)과 인접하게 배치될 수 있다. 즉, 프레임(132a)은 하강 이동하며 프레임(132a)의 하면과 커버링(123)의 상면 사이에 이격공간(132c)을 형성할 수 있다. 즉, 가압유닛(130)이 하측 이동할 수 있는 거리 중 최하측 즉, 푸쉬링(132)이 기판(S)을 가압하는 위치에 있을 때, 프레임(132a)의 하면과 커버링(123)의 상면 사이에 이격공간(132c)을 형성할 수 있다.On the other hand, as the support plate 141 moves further down while the substrate S is seated on the upper surface of the substrate support 120 , the frame 132a of the pressing unit 130 is provided on the support plate 141 . It may be spaced apart from the covering 123 and disposed adjacent to the covering 123 . That is, the frame 132a moves downward to form a separation space 132c between the lower surface of the frame 132a and the upper surface of the covering 123 . That is, when the pressing unit 130 is at the lowest position of the downward movement distance, that is, the push ring 132 is in a position to press the substrate (S), between the lower surface of the frame (132a) and the upper surface of the covering (123) A spaced space 132c may be formed in the .

기판(S)은 가압된 상태에서 처리공정이 수행될 수 있다. 보다 구체적으로, 전극유닛(150) 및 전원유닛(160)를 통해 처리공간에 플라즈마(P)를 형성하고, 가스공급유닛에서 처리공간으로 공정가스를 공급할 수 있다. 공정가스는 하측을 향하여 이동하며 플라즈마(P)를 통과하고 기판(S)의 상부 영역으로 이동할 수 있다. 여기서, 공정가스는 내측으로 경사지게 형성되는 엣지 클램프(131)의 내측면에 의해 푸쉬링(132)의 내측으로 유도될 수 있다. 이후, 기판(S)의 상부 영역에 공정가스가 도달하고 기판(S)의 표면에 처리공정이 진행될 수 있다.The substrate S may be subjected to a processing process in a pressurized state. More specifically, the plasma P may be formed in the processing space through the electrode unit 150 and the power unit 160 , and the process gas may be supplied from the gas supply unit to the processing space. The process gas moves downward, passes through the plasma (P), and may move to the upper region of the substrate (S). Here, the process gas may be guided to the inside of the push ring 132 by the inner surface of the edge clamp 131 which is inclined inwardly. Thereafter, the process gas may reach the upper region of the substrate S, and a treatment process may be performed on the surface of the substrate S.

기판(S)에 처리공정을 진행한 공정가스는 핑거 형상의 가압부(132b)들 사이의 이격 공간 즉, 연통통로(132f)를 통과하며 연통통로(132f)와 연결된 이격공간(132c)으로 배기될 수 있다. 이에, 공정가스가 기판(S)의 상부 영역에서 체류하지 않고 원활하게 배기되며 기판(S)에 공정처리가 원활하게 진행될 수 있다.The process gas subjected to the treatment process on the substrate S passes through the space between the finger-shaped pressing parts 132b, that is, the communication passage 132f and is exhausted into the separation space 132c connected to the communication passage 132f. can be Accordingly, the process gas is smoothly exhausted without staying in the upper region of the substrate (S), and the process treatment can be smoothly performed on the substrate (S).

한편, 가압유닛(130)에 제2 실시 예 내지 제4 실시 예의 푸쉬링(132)이 적용될 경우, 푸쉬링(132)을 통해 공정가스의 흐름을 기판(S)의 중심부 쪽으로 원활하게 형성할 수 있다. 즉, 하강 이동하는 공정가스 또는 플라즈마(P)에 포함된 활성종 및 이온이 가압부(132b)의 경사면(132d)과 접촉할 수 있고, 경사면(132d)을 타고 기판(S)의 중심을 향하여 흐를 수 있다. 이에, 공정가스 또는 활성종 및 이온이 챔버(110)와 엣지 클램프(131)사이의 틈새 혹은 연통통로(132f)로 바로 빠져나가지 않고, 기판(S)의 중심부를 향하여 집중될 수 있고, 기판(S)에 공정가스 또는 활성종 및 이온이 고르게 분포될 수 있다. 즉, 기판(S)의 상부 영역에서 공정가스와 플라즈마(P)에 포함된 활성종 및 이온의 균일도를 일정하게 유지시킬 수 있다.On the other hand, when the push ring 132 of the second to fourth embodiments is applied to the pressurization unit 130 , the flow of the process gas can be smoothly formed toward the center of the substrate S through the push ring 132 . have. That is, active species and ions contained in the descending process gas or plasma P may come into contact with the inclined surface 132d of the pressurizing part 132b, and ride the inclined surface 132d toward the center of the substrate S. can flow Accordingly, the process gas or active species and ions may be concentrated toward the center of the substrate S without directly escaping into the gap or communication passage 132f between the chamber 110 and the edge clamp 131, and the substrate ( Process gas or active species and ions can be evenly distributed in S). That is, the uniformity of the active species and ions included in the process gas and the plasma P in the upper region of the substrate S may be constantly maintained.

이처럼, 기판 지지대(120)에 안착된 기판(S)을 가압한 상태에서 처리공정을 진행하므로, 처리공정 시 기판에 진동 혹은 외부 충격이 발생되더라도, 기판의 위치가 변경되지 않을 수 있다. 이에, 기판의 위치가 고정된 상태로 처리공정을 진행할 수 있다. 또한, 기판에 휨(warpage)과 같은 변형이 발생한 경우, 기판에 변형이 발생한 부분을 가압하여 수평하게 펴주므로, 처리공정 시 기판이 균일하게 가공되게 할 수 있다. 또한, 변형이 발생한 부분을 가압하여 교정하므로, 기판의 하면에 기생플라즈마가 발생하는 것을 억제 혹은 방지할 수 있다. 또한, 처리공정 시, 공정가스와 활성종 및 이온을 포함하는 플라즈마의 흐름을 기판의 중심을 향하도록 형성하여 기판에 고르게 형성하므로 기판의 처리공정 균일도를 유지할 수 있다. 또한, 처리공정 시, 공정가스와 활성종 및 이온을 포함하는 플라즈마의 배출흐름을 원활하게 형성하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.As such, since the processing process is performed in a state where the substrate S seated on the substrate support 120 is pressed, the position of the substrate may not be changed even if vibration or external impact is generated on the substrate during the processing process. Accordingly, the processing process may be performed while the position of the substrate is fixed. In addition, when deformation such as warpage occurs in the substrate, since the deformed portion of the substrate is pressed and flattened, the substrate can be processed uniformly during the processing process. In addition, since the deformed portion is corrected by pressing it, the generation of parasitic plasma on the lower surface of the substrate can be suppressed or prevented. In addition, during the treatment process, the flow of plasma including the process gas, active species, and ions is formed to face the center of the substrate and evenly formed on the substrate. In addition, the efficiency of the substrate processing process can be improved by smoothly forming an exhaust flow of the plasma including the process gas and active species and ions during the processing process.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 아래에 기재될 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As such, although specific embodiments have been described in the detailed description of the present invention, various modifications are possible without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims to be described below as well as the claims and equivalents.

100: 기판 처리 장치 110: 챔버
120: 기판 지지대 130: 가압유닛
140: 구동유닛 150: 전극유닛
160: 전원유닛100: substrate processing apparatus 110: chamber
120: substrate support 130: pressurization unit
140: drive unit 150: electrode unit
160: power unit

Claims (17)

처리공간을 구비하는 챔버;
상기 처리공간 내로 공정가스를 공급하는 가스공급유닛;
상기 처리공간 내에 제공되며 중앙영역에 기판을 지지하는 기판 지지대;
상기 처리공간 내에서 하강 이동에 따라 상기 기판의 가장자리부를 가압하도록, 상기 기판의 둘레를 따라 중공형으로 제공되는 가압유닛; 및
상기 가압유닛이 상하방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 구동유닛;을 포함하는 기판 처리 장치.a chamber having a processing space;
a gas supply unit supplying a process gas into the processing space;
a substrate support provided in the processing space and configured to support a substrate in a central area;
a pressing unit provided in a hollow shape along the periphery of the substrate to press the edge of the substrate according to the descending movement within the processing space; and
A substrate processing apparatus including a; a driving unit that provides a driving force to move the pressing unit in the vertical direction. 청구항 1에 있어서,
상기 가압유닛은,
중심에 관통구가 구비되는 엣지 클램프; 및
상기 엣지 클램프에 결합되며, 상기 기판의 가장자리를 가압하는 링형상의 푸쉬링;을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The pressurizing unit,
Edge clamp having a through hole in the center; and
and a ring-shaped push ring coupled to the edge clamp and configured to press the edge of the substrate. 청구항 2에 있어서,
상기 기판 지지대는, 가장자리영역에 돌출된 커버링을 구비하고,
상기 푸쉬링은, 상기 기판의 둘레를 따라 연장된 링형상의 판으로 이루어진 프레임;과 상기 기판의 가장자리와 접촉하도록 상기 프레임에서 하향 연장되는 가압부;를 포함하며,
상기 프레임은, 상기 푸쉬링의 하강 이동에 따라 상기 프레임의 하면과 상기 커버링의 상면 사이에 이격공간을 형성하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 2,
The substrate support is provided with a covering protruding from the edge region,
The push ring includes a frame made of a ring-shaped plate extending along the periphery of the substrate, and a pressing part extending downward from the frame to come into contact with the edge of the substrate,
The frame is a substrate processing apparatus to form a space between the lower surface of the frame and the upper surface of the covering according to the lowering movement of the push ring. 청구항 3에 있어서,
상기 가압부는, 복수로 마련되고,
상기 가압부는, 연장방향의 길이가 연장방향에 수직한 폭보다 긴 핑거 형상으로 마련되며, 상기 기판의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치되는 기판 처리 장치.4. The method according to claim 3,
The pressing part is provided in plurality,
The pressing part is provided in a finger shape in which a length in an extension direction is longer than a width perpendicular to the extension direction, and is spaced apart from each other at equal intervals along the circumference of the substrate. 청구항 4에 있어서,
핑거 형상의 상기 가압부는, 탄성 재질로 이루어진 기판 처리 장치.5. The method according to claim 4,
The finger-shaped pressing part is a substrate processing apparatus made of an elastic material. 청구항 3에 있어서,
상기 가압부는, 상기 기판의 가장자리를 따라 연장되며 상기 기판의 가장자리와 면접촉하는 기판 처리 장치.4. The method according to claim 3,
The pressing part extends along an edge of the substrate and is in surface contact with the edge of the substrate. 청구항 6에 있어서,
상기 가압부는, 상기 처리공간을 향하는 면에 적어도 부분적으로 상기 기판 지지대의 상부면에 대해 경사진 경사면을 구비하는 기판 처리 장치.7. The method of claim 6,
The pressing unit may include an inclined surface inclined with respect to an upper surface of the substrate support at least partially on a surface facing the processing space. 청구항 7에 있어서
상기 경사면은, 상기 경사면의 외측보다 내측에서 상기 기판 지지대의 상부면에 대한 경사가 더 완만하게 형성되는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7
The inclined surface may have a more gentle inclination with respect to the upper surface of the substrate support from the inner side than the outer side of the inclined surface. 청구항 3에 있어서,
상기 푸쉬링은, 상기 이격공간과 상기 처리공간이 연통되도록 관통되는 연통통로;를 구비하는 기판 처리 장치.4. The method according to claim 3,
The push ring may include a communication passage through which the separation space and the processing space communicate with each other. 청구항 9에 있어서,
상기 연통통로는, 복수로 마련되어 상기 푸쉬링에서 상기 기판의 둘레를 따라 등간격으로 이격 배치되는 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The communication passage is provided in plurality, and the substrate processing apparatus is spaced apart from each other at equal intervals along the circumference of the substrate in the push ring. 청구항 2에 있어서,
상기 엣지 클램프는, 내측면이 상기 엣지 클램프의 중심을 향하여 내측으로 하향 경사지게 제공되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 2,
In the edge clamp, an inner surface of the substrate processing apparatus is provided to be inclined downwardly inward toward the center of the edge clamp. 청구항 1에 있어서,
상기 기판 지지대는, 상하방향으로 관통된 복수의 관통홀과 상기 복수의 관통홀에 각각 배치되는 복수의 리프트핀을 더 포함하고,
상기 구동유닛은, 상기 복수의 리프트핀을 지지하며, 상기 가압유닛을 이동시키는 동안 적어도 부분적으로 상기 복수의 리프트핀을 함께 상하방향으로 이동시키도록 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate support further includes a plurality of through-holes penetrated in the vertical direction and a plurality of lift pins respectively disposed in the plurality of through-holes,
wherein the driving unit supports the plurality of lift pins and is provided to at least partially move the plurality of lift pins together in a vertical direction while moving the pressing unit. 청구항 12에 있어서,
상기 구동유닛은,
상기 기판 지지대의 하측에 배치되며 상기 리프트핀을 지지하는 지지플레이트;
상기 가압유닛과 상기 지지플레이트를 연결하는 연결부; 및
상기 지지플레이트가 상하방향으로 이동하도록 구동력을 제공하는 동력부재;를 포함하며,
상기 연결부의 높이가 상기 리프트핀의 높이보다 큰 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
The drive unit is
a support plate disposed under the substrate support and supporting the lift pins;
a connection part connecting the pressing unit and the support plate; and
and a power member providing a driving force so that the support plate moves in the vertical direction;
A substrate processing apparatus in which a height of the connection part is greater than a height of the lift pin. 청구항 1에 있어서,
상기 챔버에 제공되며 상기 처리공간 내에 플라즈마를 발생시키는 전극유닛;
상기 기판 지지대의 상부에 플라즈마가 발생되도록 상기 전극유닛에 전원을 인가하는 전원유닛;를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
an electrode unit provided in the chamber and generating plasma in the processing space;
The substrate processing apparatus further comprising a; power unit for applying power to the electrode unit so that plasma is generated on the upper portion of the substrate support. 처리공간 내에 배치되는 기판 지지대의 중앙영역에 기판을 배치시키는 과정;
상기 기판의 둘레를 따라 제공되는 링형상의 가압유닛을 하강 이동시켜 상기 기판 지지대에 안착된 상기 기판의 가장자리를 가압하는 과정; 및
가압된 상기 기판에 공정가스를 분사해 상기 기판에 처리공정을 수행하는 과정;을 포함하는 기판 처리 과정.disposing a substrate in a central region of a substrate support disposed in the processing space;
a step of pressing the edge of the substrate seated on the substrate support by moving the ring-shaped pressing unit provided along the periphery of the substrate downward; and
Substrate processing including; spraying a process gas to the pressurized substrate to perform a processing process on the substrate. 청구항 15에 있어서,
상기 기판을 배치시키는 과정은,
상기 기판을 상기 중앙영역에 위치한 리프트핀에 전달하는 과정; 및
상기 리프트핀과 상기 가압유닛을 동시에 하강 이동시키는 과정;을 포함하는 기판 처리 과정.16. The method of claim 15,
The process of arranging the substrate,
transferring the substrate to a lift pin located in the central region; and
A substrate processing process including a; the process of moving the lift pin and the pressing unit downward at the same time. 청구항 16에 있어서,
상기 기판에 처리공정을 수행하는 과정은,
상기 가압유닛이 상기 기판을 누르는 상태에서 상기 가압유닛의 하부면의 적어도 일부와 상기 기판 지지대의 가장자리부의 상부면 사이로 상기 공정가스가 통과하는 과정;을 포함하는 기판 처리 방법.
17. The method of claim 16,
The process of performing a processing process on the substrate,
and passing the process gas between at least a portion of a lower surface of the pressurization unit and an upper surface of an edge of the substrate support in a state in which the pressurization unit presses the substrate.
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