KR20090021783A - 성형도금 배선 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 MID 배선 및 그 제조방법에 관한 것으로, 그 내부에 전자부품을 수용하고 있는 전기 절연성의 성형기체 표면에 형성되어 상기 전자부품과 상기 성형기체 표면에 탑재되는 타의 전자부품을 전기적으로 접속하는 MID(Molded Interconnection Device) 배선에 있어서, 상기 전자부품과 상기 타의 전자부품은 상기 MID 배선과 직접 접속하여 접점을 형성하며, 상기 접점부위의 상기 MID 배선은 양각으로 돌출되어 있음을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면 MID 배선에 추가적인 접속부재를 사용하지 않고 MID 배선과 타의 부품을 직접 접속함으로써 종래 추가적인 접속부재를 사용하는 구조에 비해 접속부재의 높이만큼 최종 형성되는 제품의 높이를 줄일 수 있다.

성형도금 배선, 성형기체, 양각

Description

성형도금 배선 및 그 제조방법{ELECTRIC CONNECTOR OF MOLDED INTERCONNECTION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 MID (Molded Interconnection Device; 이하 MID라 함) 방법에 의해 전자제품 케이스나 부품의 표면에 배선을 형성하는 성형도금(MID) 배선 및 그 제조방법에 관한 것이다.

최근, MID 방법에 의해 전자제품 케이스나 부품의 표면에 배선을 형성하는 기술이 개발되었다. MID 방법은 전자제품의 케이스나 부품의 골조를 전기 절연성 재질로 1차 사출성형한 후에 도금액을 흡수하는 성질을 가진 수지를 1차 사출성형 골조 위에 배선 패턴을 따라 2차 사출성형한 다음 2차 사출 성형된 제품을 무전해 도금 혹은 열도금법으로 도전성 물질을 도금하여 배선을 형성하는 방법으로, 예를 들면 휴대폰의 내부 안테나 등에 사용되고 있다.

도 1은 종래기술에 따른 MID 방법으로 형성된 MID 배선을 다른 전자부품과 접속한 구조를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 전자제품의 케이스(case)나 부품의 골조(10) 표면에 형성된 MID 배선(20)에 커넥터(connector)나 도전성 고무(elastomer) 또는 이방성 전도필름(ACF) 같은 접속부재를 별도로 부착하여 타의 전자부품 예를 들면, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)(30)에 실장된 회로(40)와 전기적으로 접속하였다.

그러나, 상기 종래기술은 접속부재를 MID 배선(20)에 부착하기 위해 고온의 솔더링(soldering) 공정, 도전성 고무, 이방성 전도 필름 압착공정과 같은 공정을 추가로 진행해야 하는 문제점이 있다. 또한, 추가되는 접속부재의 높이만큼 휴대폰, MP3 플레이어와 같은 휴대전자제품의 두께가 증가하는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명은 추가적인 접속부재를 사용하지 않고 MID 배선과 타의 전자제품이 직접 접속되는 MID 배선 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.

본 발명은 그 내부에 전자부품을 수용하고 있는 전기 절연성의 성형기체 표면에 형성되어 상기 전자부품과 상기 성형기체 표면에 탑재되는 타의 부품을 전기적으로 접속하는 MID(Molded Interconnection Device) 배선에 있어서,

상기 전자부품과 상기 타의 부품은 상기 MID 배선과 직접 접속하여 전기 접점을 형성하며, 상기 전기 접점 하부의 상기 MID 배선은 양각으로 돌출되어 있음을 특징으로 한다.

상기 MID 배선은 연질의 도전성 물질로 이루어짐을 특징으로 한다.

상기 연질의 도전성 물질은 도전성 고무를 포함함을 특징으로 한다.

상기 성형기체는 MID 케이스임을 특징으로 한다.

또한, 본 발명은 그 내부에 전자부품을 수용하고 있는 성형기체 표면에 형성되어 상기 전자부품과 상기 성형기체 표면에 탑재되는 타의 전자부품을 전기적으로 접속하는 MID(Molded Interconnection Device) 배선 형성방법에 있어서, 열가소성 수지의 사출성형에 의해 상기 성형기체를 형성하는 1차 성형과정과; 상기 1차 성형기체의 예정된 MID 배선 형성부위에 도금액을 흡수하는 성질을 가진 수지를 성형하는 2차 성형과정과; 상기 예정된 배선 형성부위에 도전성 물질을 도금하여 배선을 형성하는 과정을 포함하며, 상기 2차 성형과정에서 상기 전자부품과 상기 타의 부품이 직접 접속하여 접점을 형성하는 부분이 양각으로 돌출형성되도록 그 하부의 상기 수지를 돌출 형성함을 특징으로 한다.

상기 수지는 연질의 도전성 물질로 구성되며, 경화 후 10 내지 1000MPa 범위의 영의 계수(Young's modulus)를 갖는 것을 특징으로 한다.

상기 수지는 연질의 도전성 물질로 구성되며, 도전성 고무를 포함함을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면 MID 배선에 추가적인 접속부재를 사용하지 않고 MID 배선 과 타의 부품을 직접 접속함으로써 종래 추가적인 접속부재를 사용하는 구조에 비해 접속부재의 높이만큼 최종 형성되는 제품의 높이를 줄일 수 있다.

또한, 접속부재를 형성하는 공정이 추가되지 않아 원가절감 및 생산성 향상의 효과가 있다.

이하에서는 첨부 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MID 배선을 타의 부품(예를 들면, 전자부품)과 접속한 구조를 나타낸 도면이고, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 MID 배선을 타의 전자부품과 접속한 구조를 나타낸 도면이다.

도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 MID 배선(120)은 내부에 전자부품을 수용하고 있는 전기 절연성의 성형기체(예를 들면, 전자제품의 케이스나 부품의 골조)(110) 표면 위로 돌출(양각으로) 형성되어 있다. 따라서, 상기 전자부품(미도시)과 상기 성형기체 표면에 탑재되는 타의 부품(예를 들면, 인쇄회로기판(130) 위에 탑재된 회로)(140)을 전기적으로 접속함에 있어서 타의 전자부품(140)이 MID 배선(120)의 돌출부분과 직접 접속하여 전기 접점을 형성하고 있다. 이에 비해 도 1의 종래구조에서는 MID 배선이 위로 돌출되지 않고 성형기체(전자제품의 케이 스(case)나 부품의 골조) 표면과 동일한 높이를 이룬다.

또한, 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 MID 배선(120)은 허용된 평탄도 범위 내에서 복수 전기접점의 Z-축 결합공차를 수용하기 위해 연질(soft)의 도전성 물질(예를 들면, 금속분말 충진 도전성 실리콘 고무, 금속분말 충진 ABS 수지)로 구성한다.

상기 구성을 갖는 본 발명에 따른 MID 배선의 제조방법은 다음과 같다.

먼저, 열가소성 재료의 1차 사출성형에 의해 전자제품의 케이스나 부품의 골조를 형성한다.

1차 사출성형에 의해 형성된 전자제품의 케이스나 부품의 골조 위에 MID 배선 형성을 위한 배선 패턴을 따라 도금액을 흡수하는 성질을 가진 수지를 2차 사출성형한다. 이때, MID 배선과 타의 부품이 접속하는 전기 접점부분은 양각으로 성형되어 위로 돌출되는 구조를 갖는다. 또한, 허용된 평탄도 범위 내에서 복수 전기 접점의 Z-축 결합공차를 수용하기 위해 2차 사출성형시에 사용되는 수지는 연질의 도전성 소재로 구성하며, 경화 후 10~1000MPa 범위의 영의 계수(Young's modulus)를 갖는 것이 바람직하다.

2차 사출성형된 제품을 무전해 도금 혹은 열도금법으로 도전성 물질(예를 들면, 구리)을 도금하여 MID 배선을 형성한다. 배선의 표면저항과 마찰강도를 높이기 위해 금 혹은 니켈을 추가로 도금할 수 있다.

한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위를 초과하지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이 다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

도 1은 종래기술에 따른 MID 방법으로 형성된 MID 배선을 다른 전자부품과 접속한 구조를 나타낸 도면,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MID 배선을 다른 전자부품과 접속한 구조를 나타낸 도면,

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 MID 배선을 다른 전자부품과 접속한 구조를 나타낸 도면.

Claims (8)

1. 그 내부에 전자부품을 수용하고 있는 전기 절연성의 성형기체 표면에 형성되어 상기 전자부품과 상기 성형기체 표면에 탑재되는 타의 전자부품을 전기적으로 접속하는 성형도금(Molded Interconnection Device;MID) 배선에 있어서,

   상기 전자부품과 상기 타의 전자부품은 상기 성형도금 배선과 직접 접속하여 접점을 형성하며, 상기 접점부위의 상기 성형도금 배선은 양각으로 돌출되어 있음을 특징으로 하는 성형도금 배선.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 성형도금 배선은

   연질의 도전성 물질로 이루어짐을 특징으로 하는 성형도금 배선.
3. 제 2 항에 있어서, 연질의 도전성 물질은

   도전성 고무를 포함함을 특징으로 하는 성형도금 배선.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 성형기체는

   MID(Molded Interconnection Device) 케이스임을 특징으로 하는 성형도금 배 선.
5. 그 내부에 전자부품을 수용하고 있는 성형기체 표면에 형성되어 상기 전자부품과 상기 성형기체 표면에 탑재되는 타의 전자부품을 전기적으로 접속하는 성형도금(Molded Interconnection Device;MID) 배선 형성방법에 있어서,

   열가소성 수지의 사출성형에 의해 상기 성형기체를 형성하는 1차 성형과정과;

   상기 1차 성형기체의 예정된 성형도금 배선 형성부위에 도금액을 흡수하는 성질을 가진 수지를 성형하는 2차 성형과정과;

   상기 예정된 배선 형성부위에 도전성 물질을 도금하여 배선을 형성하는 과정을 포함하며,

   상기 2차 성형과정에서 상기 전자부품과 상기 타의 부품이 직접 접속하여 접점을 형성하는 부분이 양각으로 돌출형성되도록 그 하부의 상기 수지를 돌출 형성함을 특징으로 하는 성형도금 배선 형성방법.
6. 상기 수지는 연질의 도전성 물질로 구성됨을 특징으로 하는 성형도금 배선 형성방법.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 수지는

   경화 후 10 내지 1000MPa 범위의 영의 계수(Young's modulus)를 갖는 것을 특징으로 하는 성형도금 배선 형성방법.
8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 연질의 도전성 물질은

   도전성 고무를 포함함을 특징으로 하는 성형도금 배선 형성방법.

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