KR20090018110A - 가스 스트림을 처리하는 프로세스 - Google Patents
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Abstract
수소 아황산염 및 이산화유황을 포함하는 가스를 처리하는 프로세스로서, 가스는 암모늄 티오황산염을 생성하기 위하여 제1 컨택 영역에서 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염을 포함하는 스크럽 용액과 가스를 접촉시킴으로써 처리된다. 스크럽 용액은 수성 용액과 암모니아 및 수소 아황산염을 접촉시킴으로써 제2 컨택 영역에서 형성될 수 있다. 제1 컨택 영역 유출 액체의 산화 전위는 제2 컨택 영역에 공급되는 이산화유황의 양을 조정함으로써 제어될 수 있다. 대안적으로, 제1 컨택 영역 유출물의 아황산염 농도는 응답하여 변조된 제2 컨택 영역에 공급된 이산화유황의 양 및 적외선 분석기로 측정될 수 있다. 또한, 제2 컨택 영역에 공급된 암모니아의 양은 제2 컨택 영역의 pH에 응답하여 조정될 수 있다. 프로세스는 제1 컨택 영역 오버헤드 가스로부터 이산화탄소를 제거하기 위한 용매 스크러버를 더 포함할 수 있다. 제3 컨택 영역은 용매 재생기 오버헤드 가스에서 이산화탄소로부터 수소 아황산염을 분리시키기 위하여 프로세스에 포함될 수 있다.
Description
본 출원은 2006년 5월 17일자로 출원된 미국 예비 출원 제 60/800,971호의 이익을 청구한다.
본 발명은 수소 아황산염을 암모늄 티오황산염으로 변환함으로써 이산화탄소-포함 가스로부터 수소 아황산염을 제거하는 프로세스에 관한 것이다.
수소 아황산염(H2S) 및 이산화탄소(CO2)는 에너지 생산 및 화학 산업에서 가스들 및 액체들로서 공통적으로 발견된다. 이러한 가스들은 석탄, 석유 코크(petroleum coke), 잔유(residual oil), 혈암유(shale oil), 역청(tar sand), 바이오매스(biomass), 및 다른 탄소질 물질들로부터 합성되는 탄화수소 가스들을 포함한다. 수소 아황산염은 유독하며, 산성비에 기여하는 오염물질로 고려된다. 따라서, 수소 아황산염은 대기로 빠져나가는 것이 방지되어야만 한다. 액체 또는 가스로부터 수소 아황산염을 제거하기 위한 공통적인 방법들은 Selexol와 같은 물리적 용매, 아민 용액들과 같은 알칼리성 용매들, 또는 수산화나트륨과 같은 무기 베이스들, 및 Sulferox 및 LoCat과 같은 직접 액체 산화를 이용한 스크러빙(scrubbing)을 포함한다. 불행히도, 이산화탄소는 또한 대부분의 물리적 용매들 에서 용해될 수 있으며, 수소 아황산염보다 알칼리성 용매들에 대하여 더 큰 친화력을 갖는다. 이산화탄소는 용매를 위한 수소 아황산염과 경쟁하여, 수소 아황산염을 제거하기 위해 증가된 용매 회전율 및 재생 온도를 요구한다. 따라서, 이산화탄소를 포함하는 혼합물로부터 수소 아황산염을 제거하는 비용은 크게 증가된다.
수소 아황산염 및 이산화탄소 외에도, 암모니아(NH3)가 또한 에너지 생산 및 화학 산업의 가스들 및 액체들에서 종종 발견된다. 수소 아황산염처럼, 암모니아는 분리되고, 방출되는 것을 방지하기 위하여 포함되어야만 한다. 액체들 및 가스들로부터의 암모니아의 분리는 종종 물로 씻어냄으로써 수행된다. 물에 용해된 암모니아 및 수소 아황산염은 그 후 사워 워터(sour water) 스트리퍼(stripper)에서의 증류 및 암모니아를 포함하는 오프가스(off gas)의 생성에 의하여 물로부터 분리된다. 암모니아의 배치는 값비싸고 위험할 수 있다.
본 발명은 이산화탄소가 거의 비활성인 조건하에서 수소 아황산염을 암모늄 티오황산염으로 변환함으로써 이산화탄소를 포함하는 가스로부터 수소 아황산염을 효율적으로 제거하는 프로세스를 제공한다. 프로세스는 암모늄 티오황산염 생성물(product)을 산출하며, 이는 상업적인 가치를 갖는다. 미국 특허 제6,534,030호에 따라, 암모늄 티오황산염이 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염을 포함하는 수성(aqueous) 스트림과 암모니아 및 수소 아황산염을 포함하는 공급 가스를 접촉시킴으로써 생성될 수 있다. 바람직하게, 본 발명의 프로세스는 물리적 또는 반응적 용매들의 사용과 비교하여 수소 아황산염을 제거하는 비용을 감소시킨다. 암모늄 티오황산염 생성물은 또한 시장성이 있으며, 이는 프로세스 비용들을 차감시킬 수 있다.
일실시예에서, 프로세스는 제1 컨택 영역에서 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 스크럽 용액과 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 제1 가스를 접촉시키는 단계를 포함한다. 제1 컨택 영역은 암모늄 티오황산염을 포함하는 제1 컨택 영역 유출 액체 및 이산화탄소를 포함하는 제1 컨택 영역 오버헤드(overhead) 가스를 생성한다. 스크럽 용액은 제2 컨택 영역에서 수용액과 암모니아 및 이산화유황을 접촉시킴으로써 생성될 수 있다. 제1 컨택 영역 유출물의 아황산염 이온 농도는 제2 컨택 영역에 공급된 이산화유황의 양을 조정함으로써 제어될 수 있다. 제2 컨택 영역에 공급된 이산화유황의 양을 조정하는 단계는 적외선 분석기로 측정되는 바와 같은 제1 컨택 영역 유출 액체의 아황산염 농도 또는 제1 컨택 영역의 산화 전위에 응답하여 수행될 수 있다.
본 발명의 프로세스의 다른 실시예에서, 이산화탄소를 포함하는 제1 컨택 영역 오버헤드 가스 스트림은 제1 용매 스크러버에서 이산화탄소를 제거하기 위하여 용매와 접촉된다. 용매는 그 후 이산화탄소를 방출하기 위하여 재생된다. 제1 컨택 영역 오버헤드 가스가 수소 아황산염을 포함한다면, 제3 컨택 영역이 수소 아황산염을 제거하기 위하여 제2 컨택 영역 유출 액체의 일부와 재생 오버헤드 가스를 접촉시키는데 사용될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 제2 컨택 영역에 공급되는 이산화유황이 먼저 이산화유황 함량을 감소시키기 위하여 제2 용매 스크러버에서 처리된다. 제2 용매 재생기에 부가된 열은 제2 컨택 영역에 공급된 가스에 남아있는 이산화유황의 양을 제어하기 위해 조정될 수 있다.
또 다른 실시예에서, 제2 컨택 영역에 공급되는 암모니아는 사워 워터로부터 수소 아황산염을 제거하는데 제1 분류기가 사용된 이후, 제2 분류기에서 사워 워터를 증류시킴으로써 생성된다. 다른 측면에서, 제2 컨택 영역에 공급되는 암모니아의 양은 제2 컨택 영역에서의 pH에 응답하여 조정될 수 있다.
도 1은 프로세스의 일실시예의 개략적인 도면이다.
도 2는 프로세스의 다른 실시예의 개략적인 도면이다.
본 발명은 탄화수소 가스와 같은 가스를 처리하는 경제적으로 효율인 프로세스를 제공하며, 가스는 수소 아황산염 및 이산화탄소 오염물들을 포함한다. 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염을 포함하는 스크럽 용액은 하기의 전체 반응에 따른 암모늄 티오황산염을 형성하기 위하여 수소 아황산염과 반응하기 위하여 이용된다:
6NH3 + 4SO2 + 2H2S + H2O → 3(NH4)2S2O3
암모늄 티오황산염은 시장성이 있으며, 가스를 처리하는 비용 비용을 차감시키기 위하여 판매될 수 있다. 또한, 수소 아황산염은 해롭지 않은 물질로 변환된 다.
바람직하게, 이산화탄소는 스크럽 용액에서 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염과 비-반응적이다. 따라서, 대부분의 물리적 및 알칼리성 용매들과 대조적으로, 스크럽 용액은 선택적으로 수소 아황산염을 포획하고, 가스에서 나타나는 이산화탄소를 거부한다.
이제 도 1을 참조하여, 수소 아황산염 및 이산화탄소를 포함하는 가스로부터 유황-포함 화합물들을 제거하기 위한 프로세스의 제1 실시예가 도시된다. 이러한 실시예는 제1 컨택 영역(3)에서 스크럽 용액(2)과 제1 가스(1)를 접촉시키는 단계를 포함한다. 본 발명의 목적들을 위하여, 컨택 영역이라는 용어는 타워(tower)들, 열(column)들의 결합물을 포함한다. 제1 가스(1)는 수소 아황산염 및 이산화탄소를 포함한다. 제1 가스(1)는 또한 다양한 탄화수소들을 포함할 수 있다. 스크럽 용액(2)은 수성이며, 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함한다. 본 기술 분야의 당업자들은 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염이 스크럽 용액에서 이온 형태로 나타나는 것을 이해해야 한다. 선택가능하게, 스크럽 용액(2)은 제2 컨택 영역(6)에서 수성 용액과 암모니아 및 이산화유황을 접촉시킴으로써 생성될 수 있으며, 임의의 다른 적절한 소스로부터 제공될 수 있다.
제1 컨택 영역(3)에서, 수소 아황산염은 암모늄 티오황산염을 형성하기 위하여 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염과 반응한다. 제1 컨택 영역(3)은 제1 컨택 영역 유출 액체(4) 및 제1 컨택 영역 오버헤드 가스(5)를 생성한다. 제1 컨택 영역 유출 액체(4)는 암모늄 티오황산염을 포함한다. 제1 컨택 영역 오버헤드 가스(5)는 이산화탄소를 포함한다. 제1 컨택 영역 유출물의 일부분은 암모늄 티오황산염 생성물(29)로서 제거될 수 있다.
가스로부터 유황-포함 화합물들을 제거하기 위한 프로세스의 제2 실시예에서, 스크럽 용액(2)은 제2 컨택 영역(6)에서 수성 용액과 암모니아 및 이산화유황을 접촉시킴으로써 생성될 수 있다. 이러한 제2 실시예는 제1 컨택 영역(3)에서 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 제1 가스(1)를 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 스크럽 용액(2)과 접촉시키는 단계를 포함한다. 결과적인 반응은 암모늄 티오황산염을 생성한다. 스크럽 용액(2)은 암모늄 티오황산염을 더 포함할 수 있다. 제1 컨택 영역(3)은 이산화탄소를 포함하는 제1 컨택 영역 오버헤드 가스(5) 및 암모늄 티오황산염을 포함하는 제1 컨택 영역 유출 액체(4)를 생성한다. 제1 컨택 영역 유출물(4)의 적어도 일부는 암모늄 티오황산염 생성물(29)로서 제거될 수 있다.
제2 실시예는 이산화유황을 포함하는 제2 가스를 암모니아를 포함하는 제3 가스(8) 및 제2 접촉 영역(6)에서 제1 컨택 영역 유출물(4)의 적어도 일부분을 포함하는 공급 액체와 접촉시키는 단계를 더 포함한다. 이것은 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 산출한다. 제2 컨택 영역(6)은 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 제2 컨택 영역 유출 액체(9)를 생성한다. 제2 컨택 영역 유출 액체(9)는 암모늄 티오황산염을 더 포함할 수 있다. 제2 컨택 영역 유출물(9)의 적어도 일부는 스크럽 용액(2)으로서 제1 컨택 영역(3)에 공급된다.
화학량론적으로, 제1 컨택 영역(3)에서 암모늄 티오황산염으로 변환된 수소 아황산염의 각각의 분자에 대하여, 이산화유황의 두 개 분자들은 제2 컨택 영역(6)에서 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염으로 변환되어야만 한다. 제2 컨택 영역(6)에 부가된 공급 액체(20)에서 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염의 양은 제2 컨택 영역(6)에 부가되어야만 하는 이산화유황의 양을 결정한다. 제2 컨택 영역(6)에서, 암모늄 및 이산화유황은 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염을 형성한다. 일반적으로, 제1 컨택 영역(3)에 공급된 스크럽 용액(2)에서 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염의 양은 제1 가스(1)에서 수소 아황산염에 대해 초과 화학량론으로 유지된다.
본 발명의 일측면에서, 공급 액체(20)의 아황산염 농도는 제어될 수 있다. 본 발명의 목적을 위하여, "아황산염"은 아황산염 이온, 중아황산염 이온, 암모늄 아황산염, 및/또는 암모늄 중아황산염의 임의의 결합물을 포함한다. 암모늄 티오황산염을 형성하기 위하여 수소 아황산염과 반응하도록 이용가능한 아황산염의 양은 아황산염 농도 및 액체의 유속의 산출물(product)이다. 공급 액체(20)의 아황산염 농도는 제2 가스(7)를 통해 제2 컨택 영역(6)에 공급된 이산화유황의 양을 조정함으로써, 적외선 분석기로 측정되는 바와 같은 제1 컨택 영역 유출물(4)의 아황산염 농도에 기초하여 제어될 수 있다. 일반적으로, 적외선 분석기는 용액에서 다양한 화학 약품 종들의 농도를 측정하기 위하여 적외선광의 흡수를 사용한다.
대안적으로, 공급 액체(20)의 암모늄 아황산염 및 암모늄 중아황산염 농도는제1 컨택 영역 유출 액체(4)의 산화 전위에 응답하여 제2 컨택 영역(6)에 공급되는 이산화유황의 양을 조정함으로써 제어될 수 있다. 산화 전위는 액체의 전위이며, 이는 암모늄 아황산염, 암모늄 중아황산염, 암모늄 티오황산염 및 그들의 이온 형태의 농도의 함수이다. 통상적으로, 산화 전위는 용액의 전위 대 표준 기준 전극을 측정하는 산화 전위 미터로 측정된다. 산화 전위의 원하는 설정 포인트는 본 발명의 프로세스의 각각의 개별적 애플리케이션에 대하여 경험적으로 결정될 수 있다.
이제 도 2를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에서, 제1 컨택 영역에서의 처리 이후에, 제1 컨택 영역 오버헤드 가스(5)는 제1 컨택 영역 오버헤드 가스(5)로부터 이산화탄소를 제거하기 위하여 제1 용매 스크러버(10)에서 용매(14)와 접촉된다. 제1 용매 스크러버(10)에서 이용되는 용매(14)는 가스로부터 이산화탄소를 제거할 수 있는 본 기술 분야에 공지된 임의의 적절한 용매일 수 있다. 그러한 용매의 실시예로는 아민 용매를 들 수 있다. 제1 용매 스크러버(10)는 제1 용매 스크러버 오버헤드 가스(11) 및 제1 용매 스크러버 유출물(12)을 생성한다. 제1 용매 스크러버 유출물(12)은 이산화탄소를 포함하는 재생 오버헤드 가스(13)를 생성하기 위하여 제1 용매 재생기(15)에서 재생된다. 재생된 용매(14)는 제1 용매 스크러버(10)에 되돌려진다. 본 발명의 목적을 위하여, 스크러버는 타워들, 열들, 트레이들, 용기들, 펌프들, 밸브들, 제어 시스템들, 및 액체 및 가스의 컨택을 용이하게 하는데 유용한 본 기술 분야에 공지된 임의의 다른 장비의 임의의 결합물이다.
제1 용매 스크러버 오버헤드 가스(11)는 유용한 생성물로서 사용되거나 판매되기 이전에 추가로 정화될 수 있는 탄화수소를 포함할 수 있다. 가스는 가스의 유황 함량을 추가로 감소시키기 위하여 ZnO와 같은 반응성 화합물로 처리될 수 있 다.
본 발명의 다른 측면에서, 제1 컨택 영역 오버헤드(5)는 이산화탄소 외에도 수소 아황산염을 포함한다. 이러한 경우에, 수소 아황산염은 이산화탄소를 갖는 용매(14)에서 흡수되고 재생 오버헤드 가스 스트림(13)에 포함되는 경향이 있다. 제3 컨택 영역(16)은 재생 오버헤드 가스(13)로부터 이산화탄소로부터의 수소 아황산염을 제거하는데 사용될 수 있다. 제3 컨택 영역(16)에서, 수소 아황산염 및 이산화탄소를 포함하는 재생 오버헤드 가스(13)는 제2 컨택 영역 유출 액체(9)의 적어도 일부(17)와 접촉된다. 재생 오버헤드(13)의 수소 아황산염은 제3 컨택 영역으로 지향되는 제2 컨택 영역 유출 액체(9)의 부분(17)에 나타나는 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염과 반응한다. 제3 컨택 영역(16)은 암모늄 티오환산염을 포함하는 제3 컨택 영역 유출 액체(19) 및 이산화탄소를 포함하는 제3 컨택 영역 오버헤드 가스(18)를 생성한다.
제3 컨택 영역 유출 액체(19)는 제1 컨택 영역 유출 액체(4)의 적어도 일부와 결합될 수 있으며, 결합된 액체는 공급 액체(20)로서 제2 컨택 영역(6)에 공급된다. 공급 액체(20)의 일부는 암모늄 티오황산염 생성물(29)로서 제거될 수 있다. 프로세스의 또 다른 측면에서, 공급 액체(20)의 산화 전위가 측정된다. 산화 전위는 그 후 제2 컨택 영역(6)에 공급된 제2 가스(7)에서 이산화유황의 양을 조정함으로써 제어된다.
프로세스의 또 다른 실시예에서, 이산화유황을 포함하는 제2 가스(7)가 클라우스 유닛(Claus unit)으로부터 제2 컨택 영역(6)에 공급된다. 클라우스 유닛은 본 기술 분야에서 당업자들에게 공지된 것이며, 유황-포함 종들을 유황 원소로 변환하기 위해 클라우스 프로세스를 사용한다. 클라우스 테일(Claus tail) 가스는 이산화유황 및 다른 유호아 종들을 포함한다. 선택가능하게, 제1 접촉기(6)에 공급되기 이전에, 클라우스 유닛 테일 가스(28)는 유황-포함 종들을 이산화유황으로 변환하기 위하여 산화 반응기에서 산화될 수 있다.
일 측면에서, 제2 가스(7)는 제2 컨택 영역(6)에 진입하기 이전에 제2 용매 스크러버(21)에서 이산화유황-제거 용매를 이용하여 처리될 수 있다. 제2 가스(7)의 일부는 바이패스 가스(22)를 형성하기 위하여 제2 용매 스크러버(21) 주변에서 바이패스될 수 있다. 다른 측면에서, 제2 컨택 영역(6)에 대한 공급 액체(20)의 산화 전위는 바이패스 가스(22)의 유속을 조정함으로써 제어될 수 있다. 바이패스 가스(22)의 유속은 제2 컨택 영역(6)에 공급된 이산화유황의 양을 제어한다. 대안적으로, 공급 액체(20)에서 아황산염의 농도는 적외선 분석기로 측정될 수 있다. 공급 액체(20)에서 아황산염의 농도는 바이패스 가스(22)의 유속을 조정함으로써 제어될 수 있다.
또 다른 측면에서, 제2 용매 스크러버(21)의 이산화유황-제거 용매는 제2 용매 재생기(23)에서 재생된다. 재생은 용매로부터 이산화유황(30)을 방출하여, 용매가 제2 용매 스크러버(21)로 재생되도록 한다. 재생된 용매(24)에 남아있는 이산화유황의 양은 이산화유황을 제거하기 위하여 재생된 용매의 용량을 결정한다. 따라서, 제2 용매 스크러버(21)로부터 제2 가스(7)에서 제거된 이산화유황의 양은 제2 용매 재생기(23)에서 재생 동안에 이산화유황-제거 용매로부터 방출된 이산화 유황(30)의 양을 조절함으로써 제어될 수 있다. 또 다른 측면에서, 이산화유황-제거 용매로부터 방출된 이산화유황의 양은 제2 용매 재생기(23)의 리보일러에 부가된 열의 양을 조정함으로써 조절될 수 있다. 추가의 측면에서, 제2 용매(23)의 리보일러에 부가된 열의 양은 적외선 분석기로 측정된 공급 액체(20)의 아황산염 이온 농도 또는 공급 액체(20)의 산화 전위에 응답하여 조정될 수 있다. 부가적으로, 이산화유황-제거 용매(24)의 유속은 또한 제2 용매 재생기(23)에서 방출된 이산화유황(30)의 양을 제어하기 위하여 조정될 수 있다.
프로세스의 추가의 실시예에서, 제3 가스(8)에서 제2 컨택 영역(60)에 공급된 암모니아는 두개의 분류기들(25, 26)에서 사워 워터를 증류시킴으로써 생성된다. 본 발명의 목적들을 위하여, 분류기는 타워들, 열들, 트레이들, 용기들, 펌프들, 밸브들, 제어 시스템들, 및 액체 및 가스의 컨택을 용이하게 하는데 유용한 본 기술 분야에 공지된 임의의 다른 장비의 임의의 결합물이다. 통상적으로, 사워 워터는 또한 수소 이산화황을 포함하는 가스 스트림에서 암모니아를 스크러빙함으로써 생성된 폐기물 스트림(waste stream)이다. 다른 측면에서, 사워 워터는 제2 분류기(25)에 진입하기 전에, 제1 분류기(26)에서 먼저 증류될 수 있다. 제1 분류기(26)는 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 상부 가스(27)를 생성한다. 제2 분류기(25)는 제3 가스 스트림(8)에서 암모니아를 생성한다.
프로세스의 추가이 실시예에서, 제3 가스(8)에 의해 제2 컨택 영역(6)에 공급된 암모니아의 양은 제2 컨택 영역(6)에서의 pH에 응답하여 조정될 수 있다. 제2 컨택 영역에서의 pH는 제2 컨택 영역(6)에서의 암모니아 이온 대 아황산염 이온 의 비율을 나타낸다. pH는 pH 프로브로 측정될 수 있다. 프로세스의 일실시예에서, 제2 컨택 영역(6)의 pH는 약 6.0 이상으로 유지된다.
본 발명이 다수의 실시예들을 참조로 하여 설명되었으나, 본 기술 분야의 당업자들은 본 발명의 범위 및 정신을 벗어나지 않고 다양한 형태 및 세부 사항들의 변화가 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (29)
- 가스로부터 유황 포함 화합물을 선택적으로 제거하는 프로세스로서,암모늄 티오황산염을 포함하는 제1 컨택 영역 유출 액체 및 이산화탄소를 포함하는 제1 컨택 영역 오버헤드(overhead) 가스를 생성하기 위하여, 제1 컨택 영역에서 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 스크럽 용액과 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 제1 가스를 접촉시키는 단계를 포함하는, 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제1항에 있어서,제2 컨택 영역에서 수용액과 암모니아 및 이산화유황을 접촉시킴으로써 상기 스크럽 용액을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제2항에 있어서,상기 제2 컨택 영역에 공급되는 암모니아의 양을 조정함으로써 상기 제2 컨택에서 pH를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제2항에 있어서,상기 제1 컨택 영역 유출물의 산화 전위에 응답하여 상기 제2 컨택 영역에 공급되는 이산화유황의 양을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 가스로부터 유황 포함 화합물들을 선택적으로 제거하는 프로세스로서,(a) 암모늄 티오황산염을 생성하기 위하여, 제1 컨택 영역에서 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 스크럽 용액과 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 제1 가스를 접촉시키는 단계 - 상기 제1 컨택 영역은 이산화탄소를 포함하는 제1 컨택 영역 오버헤드 가스 및 암모늄 티오황산염을 포함하는 제1 컨택 영역 유출 액체를 생성함 - ;(b) 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 생성하기 위하여, 제2 컨택 영역에서 이산화유황을 포함하는 제2 가스를 암모니아를 포함하는 제3 가스, 공급 액체와 접촉시키는 단계 - 공급 가스는 상기 제1 컨택 영역 유출 액체의 적어도 일부를 포함하며, 상기 제2 컨택 영역은 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 제2 컨택 영역 유출 액체를 생성함 - ; 및(c) 상기 스크럽 용액으로서 상기 제1 컨택 영역에 상기 제2 컨택 영역 유출 액체의 적어도 일부를 공급하는 단계를 포함하는, 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제5항에 있어서,상기 공급 액체의 아황산염 농도를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제6항에 있어서,상기 제1 컨택 영역 유출 액체의 산화 전위를 측정하는 단계; 및상기 제1 컨택 영역 유출 액체의 아황산염 농도를 제어하기 위하여 산화 전위에 응답하여 제2 컨택 영역에 공급되는 이산화유황의 양을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제6항에 있어서,적외선 분석기를 이용하여 상기 제1 컨택 영역 유출물의 아황산염 농도를 측정하는 단계; 및상기 제1 컨택 영역 유출 액체의 측정된 아황산염 농도에 응답하여 상기 제2 컨택 영역에 공급되는 이산화유황의 양을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제5항에 있어서,상기 제1 컨택 영역 오버헤드 가스로부터 이산화탄소를 제거하기 위하여 제1 용매 스크러버에서 용매와 상기 제1 컨택 영역 오버헤드 가스를 접촉시키는 단계 - 상기 제1 용매 스크러버는 제1 용매 스크러버 오버헤드 가스 및 제1 용매 스크러버 유출 액체를 생성함 - ; 및이산화탄소를 포함하는 재생 오버헤드 가스를 생성하기 위하여 상기 제1 용매 스크러버 유출 액체를 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제9항에 있어서,이산화탄소를 포함하는 제3 컨택 영역 오버헤드 가스 및 암모늄 티오황산염을 포함하는 제3 컨택 영역 유출 액체를 생성하기 위하여, 제3 컨택 영역에서 상기 제2 컨택 영역 유출 액체의 적어도 일부와 수소 아황산염 및 이산화탄소를 포함하는 상기 재생 오버헤드 가스를 접촉시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제10항에 있어서,상기 제2 컨택 영역에 공급되는 상기 공급 액체를 형성하기 위하여 상기 제1 컨택 영역 유출 액체의 적어도 일부와 상기 제3 컨택 영역 유출 액체를 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제11항에 있어서,상기 공급 액체의 산화 전위를 측정하는 단계; 및상기 산화 전위에 응답하여 상기 제2 컨택 영역에 공급되는 이산화유황의 양을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제5항에 있어서,상기 제2 컨택 영역에 공급되는 상기 제2 가스는 클라우스 유닛 테일(Claus unit tail) 가스인 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제13항에 있어서,상기 클라우스 유닛 테일 가스는 상기 제2 컨택 영역에 진입하기 이전에 산화되는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제13항에 있어서,상기 제2 가스는 상기 제2 컨택 영역 이전에 제2 용매 스크러버에서 이산화 유황-제거 용매로 처리되는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제15항에 있어서,바이패스(bypass) 가스를 형성하기 위하여 상기 제2 가스의 일부로 상기 제2 용매 스크러버를 바이패스시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제16항에 있어서,상기 바이패스 가스의 유속을 조정함으로써, 상기 제2 컨택 영역에 대한 상기 공급 액체의 일부의 산화 전위를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제16항에 있어서,적외선 분석기로 상기 공급 액체의 아황산염 농도를 측정하는 단계; 및상기 바이패스 가스의 유속을 조정함으로써, 상기 공급 액체의 아황산염의 농도를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제15항에 있어서,제2 용매 재생기에서 상기 이산화유황-제거 용매를 재생하는 단계; 및재생 동안에 상기 이산화유황-제거 용매로부터 방출되는 이산화유황의 양을 조절함으로써, 상기 제2 가스로부터 제거되는 이산화유황의 양을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제19항에 있어서,상기 이산화유황-제거 용매로부터 방출된 이산화유황의 양은 상기 제2 용매 재생기에 부가된 열의 양을 조정함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제19항에 있어서,상기 이산화유황-제거 용매로부터 방출된 이산화유황의 양은 상기 이산화유황-제거 용매의 유속을 조정함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제19항에 있어서,상기 제2 컨택 영역에 대한 공급 액체의 산화 전위를 측정하는 단계; 및상기 산화 전위에 응답하여 제2 용매 발생기 리보일러(reboiler)에 부가된 열의 양을 조정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제19항에 있어서,적외선 분석기로 상기 제2 컨택 영역에 대한 상기 공급 액체의 아황산염 농도를 측정하는 단계; 및상기 아황산염 농도에 응답하여 상기 제2 용매 발생기 리보일러에 부가된 열의 양을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제5항에 있어서,상기 제3 가스에서 상기 제2 컨택 영역에 공급된 암모니아를 생성하기 위하여 제2 분류기에서 사워 워터(sour water)를 증류하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제24항에 있어서,수소 아황산염을 포함하는 상부 가스를 생성하기 위하여 상기 제2 분류기에 진입하기 이전에 제1 분류기에서 상기 사워 워터를 분류하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제5항에 있어서,상기 제2 컨택 영역에 공급된 암모니아의 양을 조정함으로써 상기 제2 컨택 영역에서 pH를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 가스로부터 유황 포함 화합물을 선택적으로 제거하는 프로세스로서,(a) 암모늄 티오황산염을 생성하기 위하여 제1 컨택 영역에서 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 스크럽 용액과 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 제1 가스를 접촉시키는 단계 - 상기 제1 접촉 영역은 이산화탄소를 포함하는 제1 컨택 영역 오버헤드 가스 및 암모늄 티오황산염을 포함하는 제1 컨택 영역 유출 액체를 생성함 - ;(b) 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 생성하기 위하여 제2 컨택 영역에서 이산화유황을 포함하는 제2 가스를 암모니아를 포함하는 제3 가스와 접촉시키는 단계 - 상기 제2 컨택 영역은 암모늄 중아황산염 및 암모늄 아황산염을 포함하는 제2 컨택 영역 유출 액체 및 제2 컨택 영역 오버헤드 가스를 생성함 - ;(c) 상기 스크럽 용액으로서 상기 제1 컨택 영역에 상기 제2 컨택 영역 유출 액체의 적어도 일부를 공급하는 단계;(d) 상기 제1 컨택 영역 오버헤드 가스로부터 이산화탄소 및 수소 아황산염 을 제거하기 위하여 제1 용매 스크러버에서 제1 용매와 상기 제1 컨택 영역 오버헤드 가스를 접촉시키는 단계 - 상기 제1 용매 스크러버는 제1 용매 스크러버 오버헤드 가스 및 제1 용매 스크러버 유출 액체를 생성함 - ;(e) 이산화탄소 및 수소 아황산염을 포함하는 재생 오버헤드 가스를 생성하기 위하여 상기 제1 용매 스크러버 유출 액체를 재생하는 단계;(f) 이산화탄소를 포함하는 제3 컨택 영역 오버헤드 가스 및 암모늄 티오황산염을 포함하는 제3 컨택 영역 유출 액체를 생성하기 위하여 제3 컨택 영역에서 상기 제2 컨택 영역 유출 액체의 제2 부분과 상기 재생 오버헤드 가스를 접촉시키는 단계;(g) 상기 제2 컨택 영역에 대한 상기 공급 액체를 형성하기 위하여 상기 제1 컨택 영역 유출 액체와 상기 제3 컨택 영역 유출 액체를 결합시키는 단계; 및(h) 생성물로서 상기 공급 액체의 일부를 제거하는 단계를 포함하는, 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제27항에 있어서,상기 공급 액체의 산화 전위를 측정하는 단계; 및상기 제2 컨택 영역에 공급된 이산화유황의 양을 조정함으로써 상기 공급 액체의 산화 전위를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
- 제27항에 있어서,상기 제2 컨택 영역 이전에 제2 용매 스크러버에서 유황-제거 용매로 상기 제2 가스를 처리하는 단계;상기 제2 가스의 일부로 상기 제2 용매 스크러버를 바이패스시키는 단계; 및상기 제2 가스의 바이패스된 부분의 유속을 조정함으로써 상기 공급 용액의 산화 전위를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스로부터의 유황 포함 화합물의 선택적 제거 프로세스.
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