KR20090013921A - Polyimide film for electronic device component - Google Patents

Polyimide film for electronic device component Download PDF

Info

Publication number
KR20090013921A
KR20090013921A KR1020070078074A KR20070078074A KR20090013921A KR 20090013921 A KR20090013921 A KR 20090013921A KR 1020070078074 A KR1020070078074 A KR 1020070078074A KR 20070078074 A KR20070078074 A KR 20070078074A KR 20090013921 A KR20090013921 A KR 20090013921A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
dianhydride
polyimide film
film
bis
component
Prior art date
Application number
KR1020070078074A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101440276B1 (en
Inventor
김도경
김민주
Original Assignee
에스케이씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이씨 주식회사 filed Critical 에스케이씨 주식회사
Priority to KR1020070078074A priority Critical patent/KR101440276B1/en
Publication of KR20090013921A publication Critical patent/KR20090013921A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101440276B1 publication Critical patent/KR101440276B1/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1003Preparatory processes
    • C08G73/1007Preparatory processes from tetracarboxylic acids or derivatives and diamines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2379/00Characterised by the use of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C08J2361/00 - C08J2377/00
    • C08J2379/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08J2379/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00Applications
    • C08L2203/16Applications used for films

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

A polyimide film is provided to ensure high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, low hygroscopic rate, low hygroscopic expansion coefficient and excellent alkali resistant and to show adhesive strength to metal and flextural endurance in application to electronics. A polyimide film comprises 30-100 mole % of 2,2'- bis(4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl)propane dianhydride and 3,3',4,4'-biphenyltetra carboxylic acid dianhydride as an aromatic acid di-anhydride component, based on the acid di-anhydride component; and 50-100 mole % of paraphenylene diamine as and aromatic diamine component based on the total diamine component.

Description

전자기기 부품용 폴리이미드 필름{POLYIMIDE FILM FOR ELECTRONIC DEVICE COMPONENT}Polyimide film for electronic device parts {POLYIMIDE FILM FOR ELECTRONIC DEVICE COMPONENT}

본 발명은 전자기기 부품용으로 유용한 폴리이미드 필름에 관한 것이다.The present invention relates to polyimide films useful for electronic component parts.

폴리이미드 필름은 내열성, 내약품성, 전기 절연성 뿐만 아니라 기계적 치수 안정성이 뛰어나며, 특히 내열성과 전기 절연성의 우수성을 이용하여 전자기기 부품 분야, 예를 들어 반도체 절연 테이프, 연성회로기판(flexible printed circuit board; FPCB)의 절연 기재, 테이프 자동 본딩(tape automated bonding; TAB)용 절연 필름 및 칩 온 필름(chip on film; COF) 등의 용도로 사용되고 있다. The polyimide film has excellent mechanical dimensional stability as well as heat resistance, chemical resistance, and electrical insulation, and in particular, in the field of electronic component parts such as semiconductor insulating tapes and flexible printed circuit boards using excellent heat and electrical insulation properties; FPCB), an insulating substrate for tape automated bonding (TAB), a chip on film (COF), and the like.

최근, 회로 제조 기술 및 부품 실장 기술의 비약적 발전과 함께, COF용 FPCB는 빠르게 미세 피치화되고 있다. 이러한 COF의 미세 피치 실장 기술의 발전에 부응하기 위해서는 FPCB의 회로를 단락 없이 제조할 수 있어야 하며, 이를 위해서는 회로 제조 기술뿐 아니라 절연재료인 폴리이미드 필름의 가열 및 인장력에 대한 치수 안정성이 매우 중요하다. 일반적으로 가열에 대한 치수 안정성은 열팽창계 수(coefficient of thermal expansion; CTE)가 낮을수록 우수해지고, 인장력에 대한 치수 안정성은 탄성율이 높을수록 우수하다. 종래, 낮은 열팽창계수 및 높은 탄성율을 갖는 필름의 제조 방법으로 피로멜리트산 이무수물 또는 파라페닐렌 다이아민 등의 직선성이 높으며 강직한 구조의 모노머를 사용하여 필름을 제조하는 기술이 알려져 있다. 그러나 상기 기술은 그 구성이 강직한 원료로만 이루어져 있어서 극히 낮은 열팽창계수 및 높은 탄성율을 달성할 수는 있으나, 필름의 유연성이 현저히 부족하여 연성회로기판에서 요구하는 굴곡성을 만족시키지 못하고, 피로멜리트산 이무수물과 같이 전자친화성이 매우 높은 모노머만을 사용할 경우에는 최종 폴리이미드 필름의 흡습율이 상승하는 문제가 있다. In recent years, with the rapid development of circuit manufacturing technology and component mounting technology, FPCB for COF is rapidly becoming fine pitch. In order to cope with the development of the fine pitch mounting technology of COF, the circuit of the FPCB should be able to be manufactured without a short circuit. For this purpose, not only the circuit manufacturing technology but also the dimensional stability of heating and tensile force of the polyimide film, which is an insulating material, are very important. . In general, the dimensional stability against heating is better at lower coefficient of thermal expansion (CTE), and the dimensional stability at tensile strength is better at higher elastic modulus. Conventionally, a technique for producing a film using a monomer having a high linearity and rigid structure such as pyromellitic dianhydride or paraphenylene diamine is known as a method for producing a film having a low coefficient of thermal expansion and a high modulus of elasticity. However, the above technique is made of only a rigid raw material, which can achieve extremely low coefficient of thermal expansion and high modulus of elasticity. However, due to the lack of flexibility of the film, it does not satisfy the flexibility required for flexible circuit boards. When only the monomer having a very high electron affinity such as water is used, there is a problem that the moisture absorption of the final polyimide film is increased.

또한, 다른 고분자 소재와는 달리 폴리이미드가 다소 높은 흡습율을 가짐으로 인해 회로의 미세 피치화 진전에 따라 낮은 흡습율과 낮은 흡습팽창계수를 갖는 필름에 대한 요구도 증대되고 있다. 흡습율 또는 흡습팽창계수가 클 경우 FPCB 공정 중에 수분 흡수에 의한 치수 변화가 발생될 수 있고, 이에 따라 회로간의 단락이 일어나거나, 패턴간의 거리가 변화하는 문제가 발생한다. 이를 해결하기 위한 방법으로, 낮은 흡습율을 가지는 모노머, 예를 들면, 2,2-비스(3,4-안하이드로다이카복시페닐)헥사플루오로프로판 등의 불소계 모노머를 사용하여 필름을 제조하는 공정이 알려져 있다. 그러나 이러한 불소계 모노머는 단가가 매우 비쌀 뿐 아니라 반응성이 지나치게 낮아 수지 제조에 어려움이 있다. In addition, unlike other polymer materials, polyimide has a rather high moisture absorption rate, and accordingly, there is an increasing demand for a film having a low moisture absorption rate and a low hygroscopic expansion coefficient according to the progress of the fine pitch of the circuit. If the moisture absorption rate or the moisture absorption expansion coefficient is large, a dimensional change may occur due to moisture absorption during the FPCB process, thereby causing a short circuit between circuits or a problem of changing a distance between patterns. In order to solve this problem, a process for producing a film using a monomer having a low moisture absorption, for example, a fluorine monomer such as 2,2-bis (3,4-anhydrodicarboxyphenyl) hexafluoropropane This is known. However, such a fluorine-based monomer is not only very expensive, but also has a low reactivity, making it difficult to manufacture a resin.

한편, 미국특허 제5,166,308호에는 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 피로멜리트산 이무수물, 4,4'-다이아미노다이페닐에테르 및 파라페닐렌 다이 아민을 사용하는 4 성분계 폴리이미드필름이 개시되어 있다. 상기 특허에 개시된 실시예에 의하면, 이렇게 제조된 필름은 8.0∼22.0ppm/℃의 열팽창계수, 16.8∼29.8ppm/%RH의 흡습팽창계수 및 상온에서 100%RH에 4시간 방치했을 때 2.26%∼2.84%의 흡습율을 가져 기존의 2 성분 또는 3 성분계 필름에 비해 개선된 열팽창계수, 흡습율 및 흡습팽창계수 등을 보이고 있으나, 미세피치 제조 공정에 사용하기에는 미흡하다. 또한, 이렇게 제조된 필름은 상기 특허에 언급된 바와 같이 알칼리 에칭속도가 다른 필름에 비해 빠르며, 이것은 내알칼리성이 좋지 않다는 것을 의미한다. COF 제조 공정에 있어서 내알칼리성이 부족할 경우, 알칼리 에칭 공정에서 치수변화가 발생하여 미세 피치의 간격 유지가 곤란하며, 알칼리액에 의해 필름과 동박의 접착력 저하가 발생하는 문제가 있다.U.S. Patent No. 5,166,308 uses 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, pyromellitic dianhydride, 4,4'-diaminodiphenylether and paraphenylene diamine. A four-component polyimide film is disclosed. According to the embodiment disclosed in the patent, the film thus prepared has a thermal expansion coefficient of 8.0 to 22.0 ppm / ° C, a hygroscopic expansion coefficient of 16.8 to 29.8 ppm /% RH, and 2.26% to 4 hours when left at 100% RH at room temperature. It has a moisture absorption rate of 2.84% and shows an improved thermal expansion coefficient, moisture absorption rate and moisture absorption expansion coefficient, etc., compared to the existing two-component or three-component film, but is insufficient for use in the micro pitch manufacturing process. In addition, the film thus prepared is faster than other films having an alkali etching rate as mentioned in the above patent, which means that the alkali resistance is not good. When the alkali resistance is insufficient in the COF manufacturing process, dimensional change occurs in the alkali etching process, so that it is difficult to maintain the interval of the fine pitch, and there is a problem that the adhesion between the film and the copper foil is lowered by the alkaline liquid.

또한, 기계적, 열적 및 화학적 치수 안정성 모두가 충분히 확보되지 않고, 어떤 요인에 의해 치수의 변화가 발생할 경우, IC 드라이브의 연속 실장 공정에서 그 치수 변화가 누적되어 시간이 지날수록 드라이브의 실장 위치 변동폭이 커져서 최종적으로 COF 등의 제조 수율이 현저히 저하될 수 있다.In addition, if mechanical, thermal, and chemical dimensional stability are not sufficiently secured, and if a change in dimension occurs due to a factor, the change in the mounting position of the drive may increase as time passes by accumulating the dimension change in the IC drive's continuous mounting process. Finally, the production yield of COF and the like can be significantly reduced.

따라서, 최근 전자기기 재료로서 요구되는 고탄성율, 저열팽창계수, 저흡습율 및 우수한 내알칼리성을 동시에 만족하는 폴리이미드 필름의 개발이 절실히 필요하다.Therefore, there is an urgent need to develop a polyimide film that satisfies high modulus of elasticity, low coefficient of thermal expansion, low moisture absorption, and excellent alkali resistance at the same time as an electronic device material.

따라서, 본 발명의 목적은 FPCB, COF 또는 TAB 등의 전자기기 재료에 요구되는 고탄성율, 저열팽창계수, 저흡습율, 저흡습팽창계수 및 우수한 내알칼리성을 동시에 만족하는 폴리이미드 필름을 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a polyimide film that satisfies the high modulus of elasticity, low thermal expansion coefficient, low moisture absorption rate, low moisture absorption coefficient and excellent alkali resistance required for electronic material such as FPCB, COF or TAB. .

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 방향족 산 이무수물 성분으로서 2,2'-비스(4-(3,4-다이카복시페녹시)페닐)프로판 이무수물과 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분 중 30 내지 100 몰%로 포함하고, 방향족 다이아민 성분으로서 파라페닐렌 다이아민을 전체 다이아민 성분 중 50 내지 100 몰%로 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a 2,2'-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane dianhydride and 3,3 ', 4, 30 to 100 mol% of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride in the total acid dianhydride component, and 50 to 100 mol% of paraphenylene diamine in the total diamine component as aromatic diamine component. It provides a polyimide film characterized by.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은, 전구물질로 사용되는 폴리아미드산 수지의 산 이무수물 성분으로서 2,2'-비스(4-(3,4-다이카복시페녹시)페닐)프로판 이무수물과 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을, 다이아민 성분으로서 파라페닐렌 다이아민을 필수 성분으로 포함하는 것을 특징으로 한다. The polyimide film according to the present invention comprises 2,2'-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane dianhydride as an acid dianhydride component of a polyamic acid resin used as a precursor. And 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, which contains paraphenylene diamine as an essential component as a diamine component.

본 발명에 있어서, 폴리아미드산 수지의 산 이무수물 성분으로서 필수적으로 사용되는 2,2'-비스(4-(3,4-다이카복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BPADA)과 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물(BPDA)의 몰비는 6:94 내지 80:20의 범위이며, 전체 산 이무수물 성분 중 BPADA와 BPDA의 함량은 30 내지 100 몰%이다. In the present invention, 2,2'-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane dianhydride (BPADA) and 3,3 which are essentially used as the acid dianhydride component of the polyamic acid resin. The molar ratio of ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) ranges from 6:94 to 80:20 and the content of BPADA and BPDA in the total acid dianhydride component is from 30 to 100 mol%.

BPADA가 BPDA 대비 6 몰% 미만일 경우, 폴리이미드 필름과 동박 간의 접착력이 저하되며, 특히 스퍼터링과 도금공정을 거치는 2 층형 연성 동박 적층판(flexible copper clad laminate; FCCL)에서 접착력 저하가 크고, 이에 따라 최종 회로의 내굴곡성도 저하될 수 있다. 또한 본 발명에서는, 다이아민 성분으로서 강직한 구조를 가진 파라페닐렌 다이아민을 다량으로 사용하고 있으므로, BPADA가 BPDA 대비 6몰% 미만일 경우 최종 필름이 지나치게 강직해져서 FPCB 용도로 적합한 수준의 내굴곡성을 확보하기 어렵다. 반면, BPADA가 BPDA 대비 80 몰%를 초과할 경우에는 최종 필름의 유리 전이 온도가 지나치게 낮아져 실장 공정에서 만족할만한 치수 안정성을 확보하기 곤란하며, 필름 제조 공정에서 기포 발생을 제어하기 곤란해질 수 있다. 또한 양호한 외관의 필름을 제조한다 하더라도 열팽창계수가 커져 FPCB 제조 공정 및 실장공정에서 컬(curl)이 심해지는 문제가 발생한다. When the BPADA is less than 6 mol% compared to the BPDA, the adhesion between the polyimide film and the copper foil is decreased, particularly in the flexible copper clad laminate (FCCL) which undergoes the sputtering and plating process, and thus the final decrease in adhesion. Flexural resistance of the circuit may also be lowered. In addition, in the present invention, since a large amount of paraphenylene diamine having a rigid structure is used as the diamine component, when the BPADA is less than 6 mol% compared to the BPDA, the final film becomes excessively rigid and has a level of flex resistance that is suitable for FPCB use. Difficult to secure On the other hand, when the BPADA exceeds 80 mol% compared to the BPDA, the glass transition temperature of the final film is too low to ensure satisfactory dimensional stability in the mounting process, it may be difficult to control the bubble generation in the film manufacturing process. In addition, even when a film having a good appearance is produced, the coefficient of thermal expansion increases, causing a problem of severe curl in the FPCB manufacturing process and the mounting process.

한편, 전체 산 이무수물 성분 중 BPADA와 BPDA의 함량이 30몰% 미만일 경우, 최종 폴리이미드 필름의 흡습율 및 흡습팽창계수가 증가하고, 내알칼리성이 불량해질 수 있다. 특히, BPDA와 BPADA의 몰비 및 전체 산 이무수물에 대한 BPDA와 BPADA의 함량이 상기 범위를 만족시키지 않을 경우, 최종 필름의 내알칼리성은 매우 불량해진다.On the other hand, when the content of BPADA and BPDA in the total acid dianhydride component is less than 30 mol%, the moisture absorption rate and the moisture absorption expansion coefficient of the final polyimide film may increase, and alkali resistance may be poor. In particular, when the molar ratio of BPDA and BPADA and the content of BPDA and BPADA relative to the total acid dianhydride do not satisfy the above range, the alkali resistance of the final film becomes very poor.

또한, 본 발명에서는 공중합 폴리아미드산 제조에 사용되는 산 이무수물 성분으로서, BPADA 및 BPDA와 함께, 다른 방향족 산 이무수물, 지방족 산 이무수물 및 지환족 산 이무수물을 추가로 사용할 수 있으며, 필름의 내열성 저하 방지 측면에서 방향족 산 이무수물을 사용하는 것이 바람직하다. 방향족 산 이무수물의 예 로는 피로멜리트산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물, 3,4,3',4'-다이페닐설폰 테트라카복실산 이무수물, 2,2'-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌 테트라카복실산 이무수물 및 그 유도체를 들 수 있다. 이중 하나를 선택하거나 둘 이상을 조합하여 BPADA 및 BPDA와 함께 사용할 수 있다. In addition, in the present invention, as the acid dianhydride component used for preparing the copolymerized polyamic acid, other aromatic acid dianhydrides, aliphatic acid dianhydrides and alicyclic acid dianhydrides may be further used together with BPADA and BPDA. It is preferable to use aromatic acid dianhydride from the viewpoint of preventing heat resistance fall. Examples of aromatic acid dianhydrides include pyromellitic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 3,4,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3', 4'- Diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 2,2'-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5, 8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic dianhydride, and derivatives thereof. Either one can be selected or a combination of two or more can be used with BPADA and BPDA.

또한, 본 발명의 폴리이미드 필름을 제조하는데 사용되는 공중합 폴리아미드산은, 다이아민 성분으로서 파라페닐렌 다이아민(PPD)을 전체 다이아민 성분에 대하여 50 내지 100몰%의 범위로 사용할 수 있다. PPD의 함량이 50몰% 미만일 경우에는 폴리이미드 필름의 열팽창계수가 증가하고 인장탄성율이 저하되는 문제가 있다. In addition, the copolymerized polyamic acid used for producing the polyimide film of the present invention can use paraphenylene diamine (PPD) as a diamine component in a range of 50 to 100 mol% with respect to all diamine components. When the content of PPD is less than 50 mol%, there is a problem in that the coefficient of thermal expansion of the polyimide film is increased and the tensile modulus is lowered.

또한, 본 발명에서는 폴리아미드산 수지를 제조하는데 있어서 다이아민 성분으로서, 상기 PPD와 함께, 지방족 다이아민, 지환족 다이아민 또는 다른 방향족 다이아민을 50몰% 이하의 양으로 사용할 수 있다. 필름의 내열성 및 탄성율의 저하를 막기 위하여 방향족 다이아민을 사용하는 것이 바람직하며, 그 예로는, 4,4'-다이아미노다이페닐 프로판, 4,4'-다이아미노다이페닐 메탄, 벤지딘, 4,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,3'-다이아미노다이페닐 설폰, 4,4'-다이아미노다이페닐 설폰, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)다이페닐 설폰, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)다이페닐 설폰, 3,6-치옥산텐다이아민-10,10-다이옥사이드, 3,3'-다이클로로벤지딘, 4,4'-다이아미노다이페닐 설파이드, 3,3'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,4'-다이아미노다 이페닐 에테르, 1,5-다이아미노 나프탈렌, 2,6-다이아미노나프탈렌, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 2,2'-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 4,4'-다이아미노다이페닐 다이에틸 실란, 4,4'-다이아미노다이페닐 실란, 4,4'-다이아미노다이페닐 에틸 포스핀 옥사이드, 메타페닐렌다이아민, 오르쏘페닐렌다이아민, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 및 그 유도체 등이 있으며, 이들 중 하나를 선택하거나 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다. In the present invention, in the production of the polyamic acid resin, as the diamine component, aliphatic diamine, alicyclic diamine or other aromatic diamine can be used in an amount of 50 mol% or less together with the PPD. It is preferable to use an aromatic diamine in order to prevent the fall of the heat resistance and elastic modulus of a film, For example, 4,4'- diamino diphenyl propane, 4,4'- diamino diphenyl methane, benzidine, 4, 4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) diphenyl sulfone, 4, 4'-bis (3-aminophenoxy) diphenyl sulfone, 3,6-chioxanthenediamine-10,10-dioxide, 3,3'-dichlorobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide , 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 1,5-diamino naphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 4,4'-bis (4-amino Phenoxy) biphenyl, 2,2'-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenyl diethyl silane, 4,4'-diaminodiphenyl silane, 4,4'-diaminodiphenyl ethyl foam Spin oxide, metaphenylenediamine, orthophenylenediamine, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, and derivatives thereof, and the like, and one or a combination of two or more thereof may be used. .

본 발명의 폴리이미드의 전구체인 공중합 폴리아미드산 용액은 공지의 방법을 사용하여 제조할 수 있으며, 예를 들어 다음과 같은 방법들을 이용하여 제조할 수 있다: The copolymerized polyamic acid solution, which is a precursor of the polyimide of the present invention, can be prepared using known methods, for example, by the following methods:

(1) 방향족 테트라카복실산 이무수물과 이에 대하여 과소 몰량의 방향족 다이아민 화합물을 유기 극성 용매 중에 반응시켜 양말단에 산무수물기를 갖는 프리폴리머를 얻고, 이어서 전공정에서 방향족 테트라카르복실산 이무수물과 방향족 다이아민 화합물이 실질적으로 등몰이 되도록 방향족 다이아민 화합물을 첨가하면서 중합시키는 방법; (1) Aromatic tetracarboxylic dianhydride and an excessively molar amount of aromatic diamine compound are reacted in an organic polar solvent to obtain a prepolymer having an acid anhydride group at the end thereof, and then, in the previous step, aromatic tetracarboxylic dianhydride and aromatic dia. A method of polymerizing while adding an aromatic diamine compound such that the min compound is substantially equimolar;

(2) 방향족 테트라카복실산 이무수물과 이에 대하여 과잉 몰량의 방향족 다이아민 화합물을 유기 극성용매 중에서 반응시켜 양말단에 아미노기를 갖는 프리폴리머를 얻고, 이어서 전공정에서 방향족 테트라카복실산 이무수물과 방향족 다이아민 화합물이 실질적으로 등몰이 되도록 방향족 테트라카복실산 이무수물을 첨가하면서 중합시키는 방법;(2) The aromatic tetracarboxylic dianhydride and the excess molar amount of the aromatic diamine compound are reacted in an organic polar solvent to obtain a prepolymer having an amino group at the end thereof, and then the aromatic tetracarboxylic dianhydride and the aromatic diamine compound are A method of polymerizing while adding aromatic tetracarboxylic dianhydride so as to be substantially equimolar;

(3) 방향족 다이아민을 유기 극성 용매 중에 용해시키고, 이를 실질적으로 등몰의 방향족 테트라카복실산 이무수물과 반응시켜 중합시키는 방법;(3) a method in which the aromatic diamine is dissolved in an organic polar solvent and reacted with substantially equimolar aromatic tetracarboxylic dianhydride to polymerize;

(4) 방향족 테트라카복실산 이무수물을 유기 극성 용매 중에 용해 및/또는 분산시킨 후 실질적으로 등몰이 되도록 방향족 다이아민 화합물을 첨가하면서 중합시키는 방법; 또는(4) a method in which the aromatic tetracarboxylic dianhydride is dissolved and / or dispersed in an organic polar solvent and then polymerized while adding an aromatic diamine compound to be substantially equimolar; or

(5) 실질적으로 등몰의 방향족 테트라카복실산 이무수물과 방향족 다이아민 화합물의 혼합물을 유기 극성용매 중에서 반응시켜서 중합시키는 방법.(5) A method in which a mixture of substantially equimolar aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine compound is reacted in an organic polar solvent to polymerize.

폴리아미드산을 합성하는 공정에 사용가능한 용매로는 극성 비양성자성 용매로서, N,N-다이메틸포름아미드, N-메틸-2-피롤리돈 및 N,N-다이메틸아세트아미드를 예시할 수 있으며, 이중 하나를 선택하거나 둘 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Solvents usable in the process for synthesizing polyamic acid include, as polar aprotic solvents, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylacetamide. One of them may be selected, or two or more may be used in combination.

이어서, 상기와 같이 제조된 폴리아미드산 용액은 통상의 열 또는 화학적 경화법에 의해 이미드화되어 폴리이미드로 변환된다. 열 경화법은 탈수제나 이미드화 촉매 등을 사용하지 않고 가열만으로 이미드화 반응을 진행시키는 방법이며, 화학적 경화법은 폴리아미드산 유기용매 용액에, 무수초산 등의 산무수물로 대표되는 탈수제와, 이소퀴놀린, β-피콜린 또는 피리딘 등의 3급 아민류 등으로 대표되는 이미드화 촉매를 투입하여 반응시키는 방법이다. Subsequently, the polyamic acid solution prepared as described above is imidated by conventional thermal or chemical curing to be converted into polyimide. The thermal curing method is a method in which the imidization reaction proceeds only by heating without using a dehydrating agent or an imidization catalyst, and the chemical curing method is a dehydrating agent represented by an acid anhydride, such as acetic anhydride, in an organic solvent solution of polyamic acid, and iso It is the method of making it react by adding the imidation catalyst represented by tertiary amines, such as quinoline, (beta)-picoline, or pyridine.

상기와 같이 제조된 폴리아미드산 용액을 이용한 본 발명에 따른 폴리이미드 필름의 제조공정은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 다음과 같은 방법으로 수행될 수 있다.The manufacturing process of the polyimide film according to the present invention using the polyamic acid solution prepared as described above is not particularly limited, and may be performed by, for example, the following method.

먼저, 탈수제 및 이미드화 촉매를 저온에서 폴리아미드산 용액 중에 혼합한 후, 이 혼합물을 지지판, 회전하는 드럼 또는 스틸벨트 등의 지지체 위에 도포 또 는 캐스팅하고, 지지체상에서 50℃ 내지 200℃, 바람직하게는 70℃ 내지 150℃의 범위의 온도로 가열하여 탈수제 및 촉매를 활성화함으로써 부분적으로 경화 및 건조한 후, 자기 지지성 막인 겔 필름을 얻을 수 있다. First, the dehydrating agent and the imidization catalyst are mixed in a polyamic acid solution at low temperature, and then the mixture is applied or cast on a support such as a support plate, a rotating drum or a steel belt, and then 50 to 200 ° C., preferably on a support. Is partially cured and dried by heating to a temperature in the range of 70 ° C. to 150 ° C. to activate the dehydrating agent and catalyst, thereby obtaining a gel film which is a self-supporting film.

그 다음, 얻어진 폴리아미드산 겔 필름의 단부를 지지체상에 고정한 후 가열하는데, 이때 남은 아미드산을 완전히 이미드화하기 위하여 최종적으로 200 내지 600℃의 온도에서 3 내지 30분 동안 가열하여 탈수 폐환 건조한다. 이 때, 가열 온도가 상기 범위보다 높거나 가열 시간이 길어지는 경우에는 필름의 열화가 발생하여 바람직하지 않으며, 반대로 가열 온도가 상기 범위보다 낮거나 가열 시간이 짧아지게 되면 이미드화가 충분히 이루어지지 않아 필름이 깨지기 쉽다. Then, the end of the obtained polyamic acid gel film is fixed on a support and then heated, whereupon it is heated for 3 to 30 minutes at a temperature of 200 to 600 ° C. in order to completely imidize the remaining amic acid, followed by dehydration ring drying. . In this case, when the heating temperature is higher than the above range or the heating time is long, deterioration of the film occurs, which is not preferable. On the contrary, when the heating temperature is lower than the above range or the heating time is shortened, imidization is not sufficiently performed. The film is fragile.

상기와 같이 제조된 폴리이미드 필름은 7 내지 125㎛ 범위의 평균 두께를 갖는다.The polyimide film prepared as above has an average thickness in the range of 7 to 125 μm.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 인장탄성율이 4.5 내지 9.0GPa이고, 50 내지 200℃의 온도 범위에서 측정한 열팽창계수가 10 내지 25ppm/℃이다. 또한 99%RH에서 상온 24시간 방치할 경우 흡습율이 2.0% 이하, 바람직하게는 1.5% 이하이며, 23℃, 20%RH에서 80%RH 구간에서의 흡습팽창계수가 20 ppm/%RH 이하, 바람직하게는 18 ppm/%RH 이하이고, 55℃에서 5중량%의 NaOH 수용액으로 4시간 처리할 경우 알칼리 감량율이 5 중량% 이하, 바람직하게는 4 중량% 이하이다. The polyimide film according to the present invention has a tensile modulus of 4.5 to 9.0 GPa and a thermal expansion coefficient of 10 to 25 ppm / ° C measured in a temperature range of 50 to 200 ° C. In addition, when left at 99% RH for 24 hours at room temperature, the moisture absorption rate is 2.0% or less, preferably 1.5% or less, and the moisture absorption expansion coefficient is 20 ppm /% RH or less at a temperature of 23 ° C. and 20% RH at 80% RH. Preferably it is 18 ppm /% RH or less, and an alkali reduction rate is 5 weight% or less, Preferably it is 4 weight% or less when it is treated for 4 hours with 5 weight% NaOH aqueous solution at 55 degreeC.

인장탄성율이 4.5GPa 미만일 경우에는 필름의 외력에 대한 저항이 작아져 작은 외력에도 치수변화가 쉽게 일어나는 문제가 있다. 반면 9.0GPa을 초과할 경우 외력에 대한 저항은 커지나, 필름의 강직도(stiffness)가 증가하여 이 필름으로 제 조한 FCCL의 굴곡성이 불량해질 수 있다. 한편, 열팽창계수가 10ppm/℃ 미만이거나 25ppm/℃를 초과할 경우 동박과의 열팽창계수 편차가 커져서 FCCL 제조공정, 회로 제조공정 또는 드라이브 실장 공정에서 열에 의해 컬(curl)이 발생하는 문제가 있으며, 반복적으로 가열과 냉각이 되풀이되면 열팽창계수의 편차에 의해 피로 파단이 일어나기 쉬워 회로의 신뢰성에 문제를 일으킨다. 또한, 99%RH에서 상온 24시간 방치했을 때의 흡습율이 2.0%를 초과할 경우 필름의 흡습팽창계수가 커지는 문제가 있으며, 스퍼터링 및 도금 공정으로 제조하는 2층형 FCCL의 경우 스퍼터링 시 진공 도달 시간이 길어지고, 스퍼터링 균일성이 나빠질 수도 있다. 게다가 높은 흡습율을 가지게 되면, 예를 들어 프레셔 쿠커 테스트(Pressure Cooker Test, 이하 PCT) 시와 같이 가혹한 조건에서 접착력이 심하게 저하된다. When the tensile modulus of elasticity is less than 4.5 GPa, the resistance to external force of the film is small, so that the dimensional change easily occurs even at a small external force. On the other hand, if it exceeds 9.0 GPa, the resistance to external force increases, but the stiffness of the film increases, and the flexibility of the FCCL manufactured from this film may be poor. On the other hand, when the coefficient of thermal expansion is less than 10ppm / ℃ or more than 25ppm / ℃, the thermal expansion coefficient deviation with the copper foil becomes large, there is a problem that the curl (curl) is generated by heat in the FCCL manufacturing process, circuit manufacturing process or drive mounting process, When repeated heating and cooling are repeated, fatigue breakage is likely to occur due to variations in the coefficient of thermal expansion, which causes problems in circuit reliability. In addition, when the moisture absorption rate when left at 99% RH for 24 hours at room temperature exceeds 2.0%, there is a problem that the moisture absorption expansion coefficient of the film increases, and in the case of the two-layer FCCL manufactured by the sputtering and plating process, the vacuum reaching time during sputtering This becomes long and sputtering uniformity may worsen. In addition, when the moisture absorption rate is high, the adhesion is severely degraded under severe conditions such as, for example, the Pressure Cooker Test (PCT).

흡습팽창계수가 20ppm/%RH를 초과하게 되면 FCCL 제조 공정에서의 습도 환경에 따른 치수와 완성된 FCCL의 사용 중 습도 환경에 따른 치수의 차이가 커져서 컬이 발생할 수 있고, 필름의 치수 변화율과 동박의 치수 변화율 차이에 따라 회로간 간격이 변화하거나 단락 또는 단선이 발생할 가능성이 있다.If the hygroscopic expansion coefficient exceeds 20ppm /% RH, the difference in the dimensions according to the humidity environment in the FCCL manufacturing process and the humidity environment during use of the finished FCCL may increase, resulting in curling, the rate of change of the film and the copper foil. The gap between circuits may change or short circuit or disconnection may occur due to the difference in the rate of dimensional change.

또한, 본 발명의 폴리이미드 필름은 55℃에서 5중량%의 NaOH 수용액에 대한 저항성이 4시간 침지 후 알칼리 감량율을 측정했을 때 5 중량% 이하이다. 알칼리 감량율이 5 중량%를 초과할 경우 내알칼리성이 불량하여 회로 제조 중 알칼리 액에 의한 치수 변화가 일어나 드라이브 IC 실장 공정에서 불량을 유발할 뿐만 아니라, 필름과 구리층 간의 접착력이 저하되는 문제도 발생할 수 있다. In addition, the polyimide film of the present invention has a resistance to 5% by weight of NaOH aqueous solution at 55 ° C. when the alkali reduction ratio is measured after 4 hours of immersion. If the alkali reduction rate exceeds 5% by weight, the alkali resistance is poor, resulting in dimensional change caused by alkaline liquid during circuit fabrication, which causes a defect in the drive IC mounting process, and also causes a problem that the adhesion between the film and the copper layer is degraded. Can be.

상기한 바와 같은 물성을 만족하는 본 발명의 폴리이미드 필름은 통상의 방 법에 따라 연성회로기판 등의 전자기기재료에 사용되어 우수한 금속 접착력, 내굴곡성, 에칭 후 치수변화율 및 컬(curl)을 부여할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 폴리이미드 필름은 2층형 연성 동박 적층판(FCCL) 제조에 사용될 경우 금속 접착력이 상온 박리 강도 기준 0.62kN/m 이상, 바람직하게는 0.68kN/m 이상이고, 프레셔 쿠커 테스트(PCT) 박리 강도 기준 0.45kN/m 이상, 바람직하게는 0.50kN/m 이상이다. 또한 내굴곡성이 130회 이상, 바람직하게는 150회 이상이며, 에칭 후 치수 변화율이 -0.05% 내지 +0.05%, 컬(curl)이 2mm 이하로 우수한 물성을 부여할 수 있다.The polyimide film of the present invention that satisfies the above properties is used in electronic materials such as flexible circuit boards according to a conventional method to impart excellent metal adhesion, flex resistance, dimensional change rate after etching, and curl. can do. For example, the polyimide film of the present invention has a metal adhesive force of 0.62 kN / m or more, preferably 0.68 kN / m or more, based on the room temperature peel strength when used in the manufacture of a two-layer flexible copper foil laminate (FCCL), and a pressure cooker test (PCT). The peel strength is 0.45 kN / m or more, preferably 0.50 kN / m or more. In addition, the flex resistance is 130 times or more, preferably 150 times or more, and the dimensional change rate after etching is -0.05% to + 0.05%, and curls can be imparted to excellent physical properties of 2 mm or less.

본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 고탄성율, 저열팽창계수, 저흡습율, 저흡습팽창계수 및 우수한 내알칼리성을 동시에 만족하여 전자기기 재료에 적용시 우수한 금속접착력, 내굴곡성, 에칭 후 치수변화율 및 컬을 나타내므로, 전자기기 부품 분야에 유용하게 사용될 수 있다.The polyimide film according to the present invention satisfies high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, low moisture absorption coefficient, low moisture absorption expansion coefficient and excellent alkali resistance at the same time, and has excellent metal adhesion strength, bending resistance, dimensional change rate and curl after etching. Therefore, it can be usefully used in the field of electronic components.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐 본 발명의 범위가 이들만으로 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. However, the following examples are only for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.

실시예 1Example 1

다이메틸아세트아미드 (DMAc) 635.21g을 반응기 내에 투입한 후 반응온도를 40℃로 설정하였다. 여기에 p-페닐렌 다이아민(PPD) 17.39g(전체 다이아민 성분의 60몰%)과 4,4'-다이아미노다이페닐에테르(DPE) 21.40g(전체 다이아민 성분의 40몰%)을 투입하여 완전히 용해할 때까지 교반하였다. 용해가 완료된 후, 3,3',3,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물(BPDA) 63.21g (전체 산 이무수물 성분의 80몰%)과 2,2'-비스(4-(3,4-다이카복시페녹시)페닐)프로판 이무수물(BPADA) 28.11g(전체 산 이무수물 성분의 20몰%)을 서서히 가하여 실질적으로 산 이무수물과 다이아민이 등몰이 되도록 조절한 후 1시간 동안 교반하여 DMAc 중의 폴리아미드산 용액을 얻었다. 635.21 g of dimethylacetamide (DMAc) was added to the reactor, and the reaction temperature was set to 40 ° C. Here, 17.39 g of p-phenylene diamine (PPD) (60 mol% of the total diamine component) and 21.40 g of 4,4'-diaminodiphenyl ether (DPE) (40 mol% of the total diamine component) It was added and stirred until complete dissolution. After dissolution was complete, 63.21 g of 3,3 ', 3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (80 mol% of the total acid dianhydride component) and 2,2'-bis (4- (3, 28.11 g of 4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane dianhydride (BPADA) (20 mol% of the total acid dianhydride component) was gradually added to adjust the acid dianhydride and diamine to equimolar, followed by stirring for 1 hour. A solution of polyamic acid in DMAc was obtained.

상기에서 얻어진 폴리아미드산 용액을 아세트산 무수물(AA) 5몰 당량(폴리아미드산 1몰 당량 기준)과 이소퀴놀린(IQ) 1몰 당량(폴리아미드산 1몰 당량 기준)과 혼합한 후, 그 혼합액을 유리판 상에 균일 두께로 도포하고, 110℃에서 10분 동안 건조한 후 박리하여 겔필름을 제조하였다. 그 다음, 겔필름을 지지 프레임에 핀으로 고정한 후, 250℃에서 5분, 450℃에서 5분 동안 가열하여 탈수 폐환 건조하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 얻었다. The polyamic acid solution obtained above was mixed with 5 molar equivalents of acetic anhydride (AA) (based on 1 molar equivalent of polyamic acid) and 1 molar equivalent of isoquinoline (IQ) (based on 1 molar equivalent of polyamic acid), and then the mixed liquid Was applied on a glass plate with a uniform thickness, dried at 110 ° C. for 10 minutes, and then peeled to prepare a gel film. Then, the gel film was pinned to the support frame, and then heated at 250 ° C. for 5 minutes and at 450 ° C. for 5 minutes to dehydrate and ring-dry to obtain a polyimide film having a thickness of 38 μm.

실시예 2Example 2

DMAc 635.39g, 다이아민 성분으로서 PPD 33.70g(100몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 BPDA 54.98g (60몰%)과 BPADA 24.46g (40몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.Example 1 except that 635.39 g of DMAc, 33.70 g of PPD (100 mol%) as the diamine component and 54.98 g (60 mol%) of BPDA and 24.46 g (40 mol%) of BPADA as the acid dianhydride component were used. A polyimide film having a thickness of 38 μm was prepared in the same manner.

실시예 3Example 3

DMAc 634.89g, 다이아민 성분으로서 PPD 19.33g(60몰%)과 DPE 23.80g(40몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 BPDA 67.33g(77몰%), BPADA 7.81g (5몰%)과 피로멜리트산 이무수물(PMDA) 11.77g(18몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.634.89 g of DMAc, 19.33 g (60 mol%) of PPD as a diamine component, 23.80 g (40 mol%) of DPE, 67.33 g (77 mol%) of BPDA as an acid dianhydride component, 7.81 g (5 mol%) of BPADA and fatigue A polyimide film having a thickness of 38 μm was prepared in the same manner as in Example 1, except that 11.77 g (18 mol%) of melic acid dianhydride (PMDA) was used.

실시예 4Example 4

DMAc 634.20g, 다이아민 성분으로서 PPD 32.72g(100몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 BPDA 7.06g(8몰%), BPADA 50.49g (32몰%)과 PMDA 39.68g(60몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.634.20 g DMAc, 32.72 g PPD (100 mol%) as diamine component, 7.06 g (8 mol%) BPDA as acid dianhydride component, 50.49 g (32 mol%) BPADA and 39.68 g (60 mol%) PMDA Except that, a polyimide film having a thickness of 38㎛ was prepared in the same manner as in Example 1.

실시예 5Example 5

DMAc 633.69g, 다이아민 성분으로서 PPD 22.79g(70몰%)과 DPE 18.00g(30몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 BPDA 7.06g(8몰%), BPADA 37.48g (24몰%)과 PMDA 44.47g(68몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.633.69 g of DMAc, 22.79 g (70 mole%) of PPD as a diamine component, 18.00 g (30 mole%) of DPE, 7.06 g (8 mole%) of BPDA as an acid dianhydride, 37.48 g (24 mole%) of BPADA and PMDA A polyimide film having a thickness of 38 μm was prepared in the same manner as in Example 1, except that 44.47 g (68 mol%) was used.

비교예 1Comparative Example 1

DMAc 634.41g, 다이아민 성분으로서 PPD 25.60g(70몰%), DPE 20.40g(30몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 BPDA 39.69g(40몰%)과 PMDA 44.25g(60몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.634.41 g of DMAc, 25.60 g (70 mol%) of PPD as the diamine component, 20.40 g (30 mol%) of DPE, and 39.69 g (40 mol%) of BPDA and 44.25 g (60 mol%) of PMDA as the acid dianhydride component Except that, a polyimide film having a thickness of 38㎛ was prepared in the same manner as in Example 1.

비교예 2Comparative Example 2

DMAc 632.65g, 다이아민 성분으로서 PPD 17.39g(60몰%)과 DPE 21.40g(40몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 PMDA 35.10g(60몰%)과 BPADA 55.69g(40몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.632.65 g of DMAc, 17.39 g (60 mol%) of PPD as a diamine component, 21.40 g (40 mol%) of DPE, and 35.10 g (60 mol%) of PMDA and 55.69 g (40 mol%) of BPADA as an acid dianhydride component Except that, a polyimide film having a thickness of 38㎛ was prepared in the same manner as in Example 1.

비교예 3Comparative Example 3

DMAc 634.70g, 다이아민 성분으로서 DPE 62.20g(100몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 PMDA 67.80g(100몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.The method was carried out in the same manner as in Example 1, except that 634.70 g of DMAc, 62.20 g (100 mol%) of DPE as the diamine component, and 67.80 g (100 mol%) of PMDA as the acid dianhydride component were used. A polyimide film was prepared.

비교예 4Comparative Example 4

DMAc 634.88g, 다이아민 성분으로서 PPD 8.21g(30몰%)과 DPE 35.60g(70몰%) 및 산 이무수물 성분으로서 BPDA 59.68g(80몰%)과 BPADA 26.55g(20몰%)을 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 수행하여 두께 38㎛의 폴리이미드 필름을 제조하였다.634.88 g DMAc, 8.21 g PPD (30 mole%) and DPE 35.60 g (70 mole%) as diamine component, BPDA 59.68 g (80 mole%) and BPADA 26.55 g (20 mole%) as acid dianhydride Except that, a polyimide film having a thickness of 38㎛ was prepared in the same manner as in Example 1.

시험예 1Test Example 1

상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 폴리미이드 필름들을 무장력 하에서 320℃에서 10분간 추가 열처리한 다음, 다음과 같은 방법으로 각종 성능을 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The polyamide films prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 were further heat treated at 320 ° C. for 10 minutes under no tension, and then various performances were evaluated by the following methods, and the results are shown in Table 1 below. Indicated.

(1) 인장탄성율(1) Tensile modulus

인스트론(Instron)사의 UTM기기를 사용하여 ASTM D882의 방법에 따라 측정하였다. It was measured according to the method of ASTM D882 using an Instron UTM instrument.

(2) 열팽창계수(2) coefficient of thermal expansion

TA사의 TMA-2940을 사용하여 0.05N의 하중을 가하고 분당 10℃의 승온 속도로 상온에서 400℃까지 가열하여 5분 방치한 후, 다시 분당 10℃의 강온 속도로 30℃까지 냉각하였다. 이 때 냉각 과정에서 50℃ 내지 200℃ 구간의 열팽창계수를 측정하였다.A TA of TMA-2940 was used to apply a load of 0.05 N, and the mixture was heated at room temperature to 400 ° C. at a temperature rising rate of 10 ° C. per minute, left for 5 minutes, and then cooled to 30 ° C. at a temperature dropping rate of 10 ° C. per minute. At this time, the coefficient of thermal expansion of the 50 ℃ to 200 ℃ section in the cooling process was measured.

(3) 흡습율(3) moisture absorption rate

폴리이미드 필름을 150℃에서 30분간 건조시켜 중량을 측정하였다(Ww1). 이 어, 이 필름을 23℃, 99%RH의 조건 하에서 항온항습기에 24시간 처리하였다. 이렇게 처리한 필름 표면의 물방울을 닦고 다시 중량을 측정하였다(Ww2). 측정된 Ww1과 Ww2로부터 다음 수학식 1에 의해 흡습율을 산출하였다.The polyimide film was dried at 150 ° C. for 30 minutes and weighed (Ww1). Then, the film was treated with a constant temperature and humidity chamber for 24 hours under the condition of 23 ° C. and 99% RH. The water droplets on the surface of the film thus treated were wiped and weighed again (Ww2). The moisture absorption rate was computed by following formula (1) from the measured Ww1 and Ww2.

흡습율(%) = [(Ww2 - Ww1)/Ww1] × 100Hygroscopicity (%) = [(Ww2-Ww1) / Ww1] × 100

(4) 흡습팽창계수(4) Hygroscopic expansion coefficient

폴리이미드 필름을 23℃, 20%RH의 조건에서 24시간 방치한 후 그 길이를 측정하였다(L1). 이 필름을 다시 23℃, 80%RH의 조건에 24시간 방치한 후 그 길이(L2)를 측정하여 하기 수학식 2에 의하여 흡습팽창계수를 계산하였다.The length of the polyimide film was measured after leaving it for 24 hours at 23 degreeC and 20% RH conditions (L1). The film was left to stand at 23 ° C. and 80% RH for 24 hours, and then its length (L 2) was measured to calculate the hygroscopic expansion coefficient according to Equation 2 below.

Figure 112007056701909-PAT00001
Figure 112007056701909-PAT00001

(5) 알칼리 감량율(5) alkali reduction rate

폴리이미드 필름을 150℃에서 30분간 건조시켜 그 중량을 측정하였다(Wa1). 이어서 이 필름을 5 중량%의 NaOH 수용액에 완전히 침지하여 55℃에서 4시간 방치하였다. 이렇게 처리한 필름을 흐르는 증류수에 5분간 수세하여 표면에 남아 있는 NaOH를 완전히 제거하고 다시 150℃ 오븐에서 30분 간 건조한 후 그 중량을 측정하였다(Wa2). 측정된 Wa1과 Wa2로부터 다음 수학식 3에 의해 알칼리 감량율을 측정하였다. 알칼리 감량율은 일반적으로 음수의 값을 가지며, 그 수가 작아질수록 내알칼리성이 불량함을 의미한다.The polyimide film was dried at 150 ° C. for 30 minutes and its weight was measured (Wa1). Subsequently, the film was completely immersed in 5 wt% aqueous NaOH solution and left at 55 ° C. for 4 hours. The treated film was rinsed in flowing distilled water for 5 minutes to completely remove NaOH remaining on the surface, and dried again in an oven at 150 ° C. for 30 minutes, and the weight thereof was measured (Wa2). From the measured Wa1 and Wa2, the alkali reduction ratio was measured by the following equation (3). Alkali loss ratio generally has a negative value, and as the number decreases, alkali resistance is poor.

알칼리 감량율(%)=[(Wa2-Wa1)/Wa1] × 100Alkali weight loss (%) = [(Wa2-Wa1) / Wa1] × 100

Figure 112007056701909-PAT00002
Figure 112007056701909-PAT00002

상기 표 1의 결과로부터, 본 발명에 따른 실시예에서 제조된 폴리이미드 필름은 비교예에 따른 폴리이미드 필름에 비해 물성이 전반적으로 우수함을 알 수 있다. From the results in Table 1, it can be seen that the polyimide film prepared in the example according to the present invention has excellent physical properties as compared with the polyimide film according to the comparative example.

실시예 6 내지 10 및 비교예 5 내지 8 : 2층형 연성 동박 적층판(FCCL)의 제조Examples 6-10 and Comparative Examples 5-8: Preparation of Two-Layer Flexible Copper Clad Laminate (FCCL)

상기 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4에서 얻은 폴리이미드 필름을 이용하여 다음의 방법으로 2층형 연성 동박 적층판(FCCL)을 제조하였다.By using the polyimide film obtained in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4, a two-layer flexible copper foil laminate (FCCL) was manufactured by the following method.

먼저, 폴리이미드 필름의 표면을 산소와 아르곤 분위기 하에서 감압 플라즈마 처리한 후 니켈과 크롬 합금을 사용하여 진공 스퍼터링 처리하였다. 그 다음, 이 기재를 다시 구리를 타겟으로 진공 스퍼터링 처리하여 금속층이 접착된 기재를 제조하였다. 이 때 금속층의 두께는 2500Å로 고정하였다. 수득된 증착 필름을 다시 전해 도금하여 최종적으로 8㎛±1㎛의 구리가 도금된 2 층형 FCCL을 제조하였다. First, the surface of the polyimide film was subjected to a reduced pressure plasma treatment under an oxygen and argon atmosphere, and then vacuum sputtered using nickel and chromium alloys. Then, the substrate was vacuum sputtered again with copper as a target to prepare a substrate having a metal layer adhered thereto. At this time, the thickness of the metal layer was fixed at 2500 kPa. The obtained deposited film was again electroplated to prepare a two-layer FCCL plated with copper finally having 8 μm ± 1 μm.

이렇게 제조한 2 층형 FCCL을 에칭하여 회로폭 1mm, 스페이스폭 1.5mm로 패턴을 형성시켰다.The two-layer FCCL thus prepared was etched to form a pattern having a circuit width of 1 mm and a space width of 1.5 mm.

시험예 2 Test Example 2

상기 실시예 6 내지 10 및 비교예 5 내지 8의 방법으로 제조된 2 층형 FCCL의 특성을 다음의 방법에 따라 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. The properties of the two-layer FCCL prepared by the methods of Examples 6 to 10 and Comparative Examples 5 to 8 were measured according to the following methods, and the results are shown in Table 2 below.

(1) 금속접착력(1) metal adhesion

① 상온 박리강도: IPC TM 650 2.4.9의 방법에 따라 상온에서 90˚ 박리 강도를 측정하였으며, 10회 측정하여 그 평균값을 취하였다.① Room temperature peel strength: 90 ° peel strength was measured at room temperature according to the method of IPC TM 650 2.4.9, and the average value was taken 10 times.

② 프레셔 쿠커 테스트(PCT) 박리강도: 제조한 회로를 120℃, 100%RH, 2기압 하에서 96시간 처리한 후, 상기의 방법에 따라 90˚ 박리 강도를 10회 측정하여 그 평균을 취하였다.(2) Pressure Cooker Test (PCT) Peeling Strength: The prepared circuit was treated at 120 ° C., 100% RH, and 2 atmospheres for 96 hours, and then 90 ° peel strength was measured 10 times according to the above method, and the average was taken.

(2) 내굴곡성(2) flex resistance

제조한 회로를 도요세이끼사의 MIT-DA 테스터에 장착하고 굴곡 각도 ±135˚, 하중 200g을 가하여 단선이 일어날 때까지 굴곡 횟수를 측정하였으며, 마찬가지로 10회 측정하여 그 평균을 취하였다. The manufactured circuits were mounted on a MIT-DA tester manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd., and a bending angle was measured by applying a bending angle of ± 135 ° and a load of 200 g. The number of bendings was measured until a disconnection occurred, and the average was measured 10 times.

(3) 에칭 후 치수 변화율(3) dimensional change rate after etching

상기 제조한 FCCL의 지정된 구간의 회로 제조 전 길이를 측정하였다(Le1). 이후 이 FCCL을 에칭하여 회로를 제조하고, 이전에 지정한 구간의 길이를 재측정하여(Le2) 다음 수학식 4에 따라 에칭 후 치수 변화율을 계산하였다.The length before circuit fabrication in the designated section of the prepared FCCL was measured (Le1). Thereafter, the FCCL was etched to manufacture a circuit, and the length of the previously designated section was measured again (Le2) to calculate the dimensional change rate after etching according to the following equation (4).

에칭 후 치수 변화율(%)=[(Le2-Le1)/Le1] × 100% Change in Dimensions after Etching = [(Le2-Le1) / Le1] × 100

(4) 컬(Curl)(4) Curl

제조한 FCCL을 10cm×10cm의 크기로 잘라 FPCB 제조 공정 또는 실장 공정의 모사를 위하여 400℃에서 30초 간 열처리하였다. 이 샘플을 평평한 바닥에 놓은 뒤 그 단부가 바닥으로부터 떠 있는 높이를 측정하였다. 컬 측정의 결과는 작으면 작을수록 좋다.The prepared FCCL was cut into a size of 10 cm × 10 cm and heat-treated at 400 ° C. for 30 seconds to simulate the FPCB manufacturing process or the mounting process. The sample was placed on a flat bottom and the height of its end floating from the bottom was measured. The smaller the result of the curl measurement, the smaller the better.

Figure 112007056701909-PAT00003
Figure 112007056701909-PAT00003

상기 표 2의 결과로부터, 본 발명에 따른 실시예에서 제조된 탄성율, 열팽창계수, 흡습율, 흡습팽창계수 및 내알칼리성이 우수한 폴리이미드 필름을 사용한 FCCL은 비교예에 따른 필름에 비해 우수한 금속 접착력, 내굴곡성, 에칭 후 치수변화율 및 컬을 나타내는 것을 확인할 수 있다. From the results of Table 2, FCCL using a polyimide film excellent in elastic modulus, thermal expansion coefficient, moisture absorption rate, moisture absorption expansion coefficient and alkali resistance prepared in Examples according to the present invention is superior to the film according to the comparative example, It can be seen that the flex resistance, the dimensional change rate after etching, and the curl are shown.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 폴리이미드 필름은 고탄성율, 저열팽창계수, 저흡습율, 저흡습팽창계수 및 우수한 내알칼리성을 동시에 만족하여 전자기기 재료에 적용시 우수한 금속 접착력, 내굴곡성, 에칭 후 치수변화율 및 컬을 나타내므로, 전자기기 부품 분야에 유용하게 사용될 수 있다.As described above, the polyimide film according to the present invention satisfies high modulus of elasticity, low thermal expansion coefficient, low moisture absorption rate, low moisture absorption coefficient and excellent alkali resistance at the same time, and has excellent metal adhesion, bending resistance, and etching when applied to electronic materials. Since it shows the dimensional change rate and curl after, it can be usefully used in the field of electronic components.

Claims (8)

방향족 산 이무수물 성분으로서 2,2'-비스(4-(3,4-다이카복시페녹시)페닐)프로판 이무수물과 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물을 전체 산 이무수물 성분 중 30 내지 100 몰%로 포함하고, 방향족 다이아민 성분으로서 파라페닐렌 다이아민을 전체 다이아민 성분 중 50 내지 100 몰%로 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름. 2,2'-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane dianhydride and 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride as the aromatic acid dianhydride component A polyimide film comprising from 30 to 100 mol% in the dianhydride component and containing from 50 to 100 mol% of all diamine components as the aromatic diamine component. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 2,2'-비스(4-(3,4-다이카복시페녹시)페닐)프로판 이무수물과 상기 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물의 몰비가 6:94 내지 80:20인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.The molar ratio of the 2,2'-bis (4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl) propane dianhydride and the 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride is 6:94 to 80 It is 20: The polyimide film characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 산 이무수물 성분으로서, 피로멜리트산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논 테트라카복실산 이무수물, 3,4,3',4'-다이페닐설폰 테트라카복실산 이무수물, 2,2'-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로판 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌 테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌 테트라카복실산 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌 테트라카복실산 이무수물, 이의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 방향족 산 이무수물 성분을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.As the acid dianhydride component, pyromellitic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 3,4,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,4,3', 4 ' -Diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 2,2'-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5 , 8-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic dianhydride, polyimide, characterized in that it further comprises at least one aromatic acid dianhydride component selected from the group consisting of film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다이아민 성분으로서 4,4'-다이아미노다이페닐 프로판, 4,4'-다이아미노다이페닐 메탄, 벤지딘, 4,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,3'-다이아미노다이페닐 설폰, 4,4'-다이아미노다이페닐 설폰, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)다이페닐 설폰, 4,4'-비스(3-아미노페녹시)다이페닐 설폰, 3,6-치옥산텐다이아민-10,10-다이옥사이드, 3,3'-다이클로로벤지딘, 4,4'-다이아미노다이페닐 설파이드, 3,3'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 1,5-다이아미노 나프탈렌, 2,6-다이아미노나프탈렌, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐, 2,2'-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 4,4'-다이아미노다이페닐 다이에틸 실란, 4,4'-다이아미노다이페닐 실란, 4,4'-다이아미노다이페닐 에틸 포스핀 옥사이드, 메타페닐렌다이아민, 오르쏘페닐렌다이아민, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠 및 그 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 방향족 다이아민 성분을 추가로 포함하는 것을 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.4,4'- diamino diphenyl propane, 4,4'- diamino diphenyl methane, benzidine, 4,4'- diamino diphenyl ether, 3,3'- diamino diphenyl sulfone as said diamine component , 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) diphenyl sulfone, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) diphenyl sulfone, 3,6- Thioxanthenediamine-10,10-dioxide, 3,3'-dichlorobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diamino Diphenyl ether, 1,5-diamino naphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 2,2'-bis (4- (4-aminophenoxy C) phenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenyl diethyl silane, 4,4'-diaminodiphenyl silane, 4,4'-diaminodiphenyl ethyl phosphine oxide, metaphenylenediamine, Orthophenylenediamine, 1,3-bis (4-aminofe NOXY) A polyimide film further comprising at least one aromatic diamine component selected from the group consisting of benzene and derivatives thereof. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 필름의 인장탄성율이 4.5 내지 9.0GPa이고, 50℃ 내지 200℃ 온도범위에서 열팽창계수가 10 내지 25ppm/℃인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.Tensile modulus of the film is 4.5 to 9.0GPa, polyimide film, characterized in that the thermal expansion coefficient of 10 to 25ppm / ℃ in the temperature range of 50 ℃ to 200 ℃. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 필름의 상온에서 99%RH 하에 24시간 방치했을 때의 흡습율이 2.0중량% 이하이고, 23℃, 20%RH에서 80%RH 구간에서의 흡습팽창계수가 20 ppm/%RH 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.When the film is left at 99% RH for 24 hours at room temperature, the moisture absorption rate is 2.0% by weight or less, and the moisture absorption coefficient in the 80% RH section at 23 ° C. and 20% RH is 20 ppm /% RH or less. Polyimide film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 필름의 55℃의 5중량%의 NaOH 수용액으로 4시간 처리했을 때의 알칼리 감량율이 5 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 폴리이미드 필름.The alkali reduction rate when the said film is processed by 55 degreeC 5weight% NaOH aqueous solution for 4 hours is 5 weight% or less, The polyimide film characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 폴리이미드 필름을 포함하는 전자기기 부품.An electronic device component comprising the polyimide film according to any one of claims 1 to 7.
KR1020070078074A 2007-08-03 2007-08-03 Polyimide film for electronic device component KR101440276B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070078074A KR101440276B1 (en) 2007-08-03 2007-08-03 Polyimide film for electronic device component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070078074A KR101440276B1 (en) 2007-08-03 2007-08-03 Polyimide film for electronic device component

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090013921A true KR20090013921A (en) 2009-02-06
KR101440276B1 KR101440276B1 (en) 2014-09-18

Family

ID=40684151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070078074A KR101440276B1 (en) 2007-08-03 2007-08-03 Polyimide film for electronic device component

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101440276B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013002614A2 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 코오롱인더스트리 주식회사 Polyamic acid, polyamic acid solution, polyimide protective layer, and polyimide film
KR102219722B1 (en) * 2020-05-04 2021-02-24 에스케이이노베이션 주식회사 Polyimide film and flexible display panel including the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101989027B1 (en) 2018-08-31 2019-06-14 주식회사 아이씨에이치 High dielectric adhesive film

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW587185B (en) * 1997-06-26 2004-05-11 Du Pont Multi-domain STN LCD comprising fluorinated polyimide alignment layers
KR100822840B1 (en) * 2004-08-24 2008-04-17 주식회사 코오롱 Flexible Copper-Clad Laminate
US20060127686A1 (en) * 2004-12-15 2006-06-15 Meloni Paul A Thermally conductive polyimide film composites having high thermal conductivity useful in an electronic device
KR20070017001A (en) * 2005-08-03 2007-02-08 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 Low Color Polyimide Compositions Useful in Optical Type Applications and Methods and Compositions Relating Thereto

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013002614A2 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 코오롱인더스트리 주식회사 Polyamic acid, polyamic acid solution, polyimide protective layer, and polyimide film
WO2013002614A3 (en) * 2011-06-30 2013-04-04 코오롱인더스트리 주식회사 Polyamic acid, polyamic acid solution, polyimide protective layer, and polyimide film
KR102219722B1 (en) * 2020-05-04 2021-02-24 에스케이이노베이션 주식회사 Polyimide film and flexible display panel including the same
US11773221B2 (en) 2020-05-04 2023-10-03 Sk Innovation Co., Ltd. Polyimide film and flexible display panel including the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101440276B1 (en) 2014-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5180814B2 (en) Laminated body for flexible wiring board
KR102374975B1 (en) Polyamic acid, thermoplastic polyimide, resin film, metal-clad laminate and circuit board
JP4757575B2 (en) Laminate for wiring board
WO2006114902A1 (en) Adhesive sheet, metal-laminated sheet and printed wiring board
JP2017165909A (en) Polyimide, resin film, and metal clad laminate
KR20100083249A (en) Polyimide film
EP2295489A1 (en) Linear polyimide precursor, linear polyimide, thermally cured product of the linear polyimide, and method for producing the linear polyimide
KR20200036770A (en) Metal-clad laminate and circuit board
JP2019065180A (en) Polyimide film, metal-clad laminate, and circuit board
KR101333808B1 (en) Laminate for wiring board
KR101170201B1 (en) Laminate for wiring board
KR20210084275A (en) Metal-clad laminate and circuit board
TWI804658B (en) Metal-clad laminates and circuit boards
KR20230117670A (en) Metal clad laminate and circuit board
KR101440276B1 (en) Polyimide film for electronic device component
JP2015127118A (en) Metal-clad laminate and circuit board
TW202319444A (en) Polyamide acid, polyimide, polyimide film, metal-clad laminate and circuit
CN111746080B (en) Metal-clad laminate and circuit board
CN111093323B (en) Circuit substrate and preparation method thereof
TW202225276A (en) Polyimide film, metal-clad laminate, method for producing same and circuit substrate
JP2021160364A (en) Metal-clad polymer film and electronic device
WO2008082152A1 (en) Polyimide film with improved adhesiveness
JP4251947B2 (en) Polyimide film and metal laminate using the polyimide film
JP2019119113A (en) Metal-clad laminate and circuit board
TW202237765A (en) Circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170807

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190604

Year of fee payment: 6