KR20090012197A - 반도체 발광소자 - Google Patents
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- 제 1도전성 반도체층;제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하며,상기 층들 중 복수개의 층은 램프의 노광에 의해 생성된 소수 캐리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 1도전성 반도체층;제 1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층;상기 제2도전성 반도체층 위에 제3도전성 반도체층을 포함하며,상기 층들 중 적어도 한 층은 램프의 노광에 의해 생성된 소수 캐리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 1도전성 반도체층;상기 제1도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제 2언도프드 반도체층;상기 제2언도프드 반도체층 위에 형성된 제2도전성 반도체층을 포함하며,상기 제2도전성 반도체층은 램프의 노광에 의해 생성된 소수 캐리어를 포함 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1도전성 반도체층 아래에 형성된 제1언도프드 반도체층을 포함하며,상기 제1언도프드 반도체층은 램프에 의해 노광되며, 상기 램프의 노광에 의해 생성된 소수 캐리어를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제4항에 있어서,상기 제1언도프드 반도체층의 아래에 형성된 버퍼층 및 상기 버퍼층 아래에 형성된 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
- 제 3항에 있어서,상기 제2언도프드 반도체층의 두께는 10Å~500Å이고,상기 제 2도전성 반도체층의 두께는 10Å~2000Å로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 램프는 수은 램프, X선, 전자선, 할로겐 램프 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080129089A KR100921143B1 (ko) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 반도체 발광소자 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080129089A KR100921143B1 (ko) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 반도체 발광소자 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070075908A Division KR100916489B1 (ko) | 2007-07-27 | 2007-07-27 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090012197A true KR20090012197A (ko) | 2009-02-02 |
KR100921143B1 KR100921143B1 (ko) | 2009-10-12 |
Family
ID=40683109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080129089A KR100921143B1 (ko) | 2008-12-18 | 2008-12-18 | 반도체 발광소자 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100921143B1 (ko) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4904337A (en) * | 1988-06-06 | 1990-02-27 | Raytheon Company | Photo-enhanced pyrolytic MOCVD growth of group II-VI materials |
JP3495808B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2004-02-09 | ローム株式会社 | 半導体発光素子の製法 |
JP3771987B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2006-05-10 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-18 KR KR1020080129089A patent/KR100921143B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100921143B1 (ko) | 2009-10-12 |
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