KR20090007822A - 반도체 제조 장치 - Google Patents

반도체 제조 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090007822A
KR20090007822A KR1020070070961A KR20070070961A KR20090007822A KR 20090007822 A KR20090007822 A KR 20090007822A KR 1020070070961 A KR1020070070961 A KR 1020070070961A KR 20070070961 A KR20070070961 A KR 20070070961A KR 20090007822 A KR20090007822 A KR 20090007822A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
buffer unit
slot
transfer chamber
wafer
Prior art date
Application number
KR1020070070961A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100902614B1 (ko
Inventor
김형준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070070961A priority Critical patent/KR100902614B1/ko
Publication of KR20090007822A publication Critical patent/KR20090007822A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100902614B1 publication Critical patent/KR100902614B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769—Storage means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치를 개시한 것으로서, 처리 유닛들 간에 이송되는 기판의 대기 장소를 제공하는 버퍼 유닛이 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 척킹하고, 웨이퍼의 노치 정렬을 위해 웨이퍼를 회전시키는 구성을 가진다.
이러한 구성에 의하면, 웨이퍼의 정렬을 위한 회전시 웨이퍼의 슬라이딩이 억제되어, 공정 진행의 흐름 상 웨이퍼의 이동 속도가 향상됨으로써, 설비의 스루풋(Throughput)을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 장치를 제공할 수 있다.
멀티 챔버, 버퍼 유닛, 웨이퍼, 척킹, 정전기력

Description

반도체 제조 장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 보여주는 평면도,
도 2는 도 1의 버퍼 유닛의 구성을 보여주는 도면,
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 작동 상태를 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 로드 포트 200 : 프레임
300 : 로드락 챔버 420 : 제 1 트랜스퍼 챔버
430 : 제 1 이송 로봇 440 : 제 2 트랜스퍼 챔버
450 : 제 2 이송 로봇 460 : 버퍼 유닛
462 : 기판 지지 부재 463 : 슬롯
464 : 지지 돌기 465 : 지지 판
467 : 전극 469 : 전원
472 : 회전 구동 부재 500 : 공정 챔버
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 디바이스 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 여러 가지 물질을 박막 형태로 증착하고 이를 패터닝하여 제조된다. 이를 위하여 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 및 건조 공정 등 여러 단계의 서로 다른 공정들이 요구된다. 각각의 공정에서 웨이퍼는 해당 공정의 진행에 최적의 조건을 제공하는 공정 챔버에 장착되어 처리된다.
근래에는 반도체 디바이스의 미세화 및 고집적화에 따라 공정의 고정밀도화, 복잡화, 웨이퍼의 대구경화 등이 요구되고 있으며, 복합 공정의 증가나 매엽식화에 수반되는 스루풋의 향상이라는 관점에서 반도체 디바이스 제조 공정을 일괄 처리할 수 있는 멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치가 주목을 받고 있다
멀티 챔버 방식의 반도체 제조 장치는 공정 설비와, 공정 설비에 웨이퍼를 반출입하는 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)로 이루어진다. 공정 설비는 로드락 챔버, 트랜스퍼 챔버 및 복수 개의 공정 챔버들로 구성되고, 공정 챔버들은 트랜스퍼 챔버의 둘레에 배치된다.
본 발명은 스루풋(Throughput)을 향상시킬 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 제조 장치는 기판 처리 공정이 진행되는 처리 유닛들과; 상기 처리 유닛들 사이에 배치되며, 상기 처리 유닛들 간에 이송되는 기판이 대기하는 장소를 제공하는 버퍼 유닛;을 포함하되, 상기 버퍼 유닛은 기판이 놓이며, 정전기력을 이용하여 상기 기판을 척킹하는 기판 지지 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 버퍼 유닛은 상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판이 일 방향으로 정렬되도록 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 지지 부재는 기판이 적재되는 슬롯과; 상기 슬롯을 지지하며, 상기 슬롯에 적재된 기판의 척킹을 위한 정전기력을 발생시키는 전극이 내장된 지지판;을 포함할 수 있다.
상기 슬롯의 상면에는 상기 기판을 지지하는 복수 개의 지지 돌기들이 돌출 형성될 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 반도체 제조 장치는 로드락 챔버와; 상기 로드락 챔버에 인접하게 배치되는 제 1 트랜스퍼 챔버와; 상기 제 1 트랜스퍼 챔버를 중심으로 상기 로드락 챔버와 대향하는 방향으로 배치되는 제 2 트랜스퍼 챔버와; 상기 제 1 트랜스퍼 챔버와 제 2 트랜스퍼 챔버의 사이에 배치되며, 상기 제 1 및 제 2 트랜스퍼 챔버들 간에 이송되는 기판의 대기 장소를 제공하는 버퍼 유닛;을 포함하되, 상기 버퍼 유닛은 기판이 놓이며, 정전기력을 이용하여 상기 기판을 척킹하는 기판 지지 부재와; 상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판이 일 방향으로 정렬되도록 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치에 있어서, 상기 기판 지지 부재는 기판이 적재되는 슬롯과; 상기 슬롯을 지지하며, 상기 슬롯에 적재된 기판의 척킹을 위한 정전기력을 발생시키는 전극이 내장된 지지판;을 포함할 수 있다.
상기 슬롯의 상면에는 상기 기판을 지지하는 복수 개의 지지 돌기들이 돌출 형성될 수 있다.
상기 버퍼 유닛은 상기 제 1 트랜스퍼 챔버로부터 상기 제 2 트랜스퍼 챔버로 이송되는 기판이 대기하는 장소를 제공하는 제 1 버퍼 유닛과; 상기 제 2 트랜스퍼 챔버로부터 상기 제 1 트랜스퍼 챔버로 이송되는 기판이 대기하는 장소를 제공하는 제 2 버퍼 유닛;를 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 반도체 제조 장치를 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
( 실시 예 )
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 구성을 보여주는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 제조 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module:EFEM)(10)과 공정 설비(20)를 포함한다. 설비 전방 단부 모듈(10)은 공정 설비(20)의 전방에 장착되어, 웨이퍼들(W)이 수용된 용기(C)와 공정 설비(20) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다.
설비 전방 단부 모듈(10)은 복수의 로드 포트들(100)과 프레임(200)을 가진다. 로드 포트들(100)은 일 방향으로 나란하게 배치되고, 프레임(200)은 로드 포트들(00)과 공정 설비(20) 사이에 위치한다. 웨이퍼(W)를 수용하는 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(미도시)에 의해 로드 포트(100) 상에 놓인다. 용기(C)는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 프레임(200) 내에는 로드 포트(100)에 놓인 용기(C)와 공정 설비(20) 간에 웨이퍼(W)를 이송하는 프레임 로봇(220)이 설치된다. 프레임(200) 내에는 용기(C)의 도어를 자동으로 개폐하는 도어 오프너(미도시)가 설치될 수 있다. 또한, 프레임(200)에는 청정 공기가 프레임(200) 내 상부에서 하부로 흐르도록 청정 공기를 프레임(200) 내로 공급하는 팬 필터 유닛(Fan Filter Unit)(미도시)이 제공될 수 있다.
공정 설비(20)는 로드락 챔버(300), 트랜스퍼 챔버(400) 및 공정 챔버들(500)을 포함한다. 로드락 챔버(300)는 프레임(200)에 인접하게 배치되며, 프레임과 대향하는 로드락 챔버(300)의 타 측에는 트랜스퍼 챔버(400)가 배치된다. 트랜스퍼 챔버(400)는 제 1 트랜스퍼 챔버(420)와 제 2 트랜스퍼 챔버(440)를 가지 며, 제 1 및 제 2 트랜스퍼 챔버(420,440)는 로드 포트들(100)의 배열 방향에 수직한 방향으로 일렬로 배열된다. 제 1 트랜스퍼 챔버(420)는 로드락 챔버(300)의 타 측에 인접하게 배치되고, 제 2 트랜스퍼 챔버(440)는 제 1 트랜스퍼 챔버(420)를 중심으로 로드락 챔버(300)와 대향하는 위치에 배치된다. 제 1 트랜스퍼 챔버(420)와 제 2 트랜스퍼 챔버(440)의 사이에는 이송 기판의 대기 장소를 제공하는 버퍼 유닛(460)이 배치되며, 제 1 및 제 2 트랜스퍼 챔버(420,440)에는 공정 챔버들(500)이 인접 배치된다.
로드락 챔버(300)는 공정 진행을 위해 공정 설비(20)로 유입되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 로딩 챔버(320)와, 공정이 완료되어 공정 설비(20)로부터 유출되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 언로딩 챔버(340)를 가진다. 제 1 및 제 2 트랜스퍼 챔버(420,440)와 공정 챔버들(500)의 내부는 진공으로 유지되고, 로드락 챔버(300)의 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드락 챔버(300)는 외부 오염 물질이 제 1 및 제 2 트랜스퍼 챔버(420,440)와 공정 챔버들(500)로 유입되는 것을 방지한다. 로드락 챔버(300)와 제 1 트랜스퍼 챔버(420) 사이, 그리고 로드락 챔버(300)와 설비 전방 단부 모듈(10) 사이에는 게이트 밸브(미도시)가 설치된다. 설비 전방 단부 모듈(10)과 로드락 챔버(300) 간에 웨이퍼(W)가 이동하는 경우, 로드락 챔버(300)와 제 1 트랜스퍼 챔버(420) 사이에 제공된 게이트 밸브(미도시)가 닫히고, 로드락 챔버(300)와 제 1 트랜스퍼 챔버(420) 간에 웨이퍼(W)가 이동되는 경우, 로드락 챔버(300)와 설비 전방 단부 모듈(10) 사이에 제공되는 게이트 밸브(미도시)가 닫힌다.
제 1 트랜스퍼 챔버(420) 내에는 제 1 이송 로봇(430)이 설치된다. 제 1 이송 로봇(430)은 로드락 챔버(300)로부터 웨이퍼를 전달받아 제 1 트랜스퍼 챔버(420)에 인접 배치된 공정 챔버들(500)로 로딩하거나, 공정 챔버들(500)로부터 처리된 웨이퍼를 언로딩하여 로드락 챔버(300)로 전달한다. 그리고, 제 1 이송 로봇(430)은 제 2 트랜스퍼 챔버(440)로 이송될 웨이퍼를 버퍼 유닛(460)으로 전달하거나, 제 2 트랜스퍼 챔버(440)로부터 버퍼 유닛(460)으로 전달된 웨이퍼를 로드락 챔버(300)로 이송한다.
제 2 트랜스퍼 챔버(440) 내에는 제 2 이송 로봇(450)이 설치된다. 제 2 이송 로봇(450)은 버퍼 유닛(460)에서 공정 대기 중인 웨이퍼를 전달받아 공정 챔버(500)들로 로딩하거나, 공정 챔버들(500)에서 처리된 웨이퍼를 언로딩하여 버퍼 유닛(460)으로 전달한다.
버퍼 유닛(460)은 제 1 트랜스퍼 챔버(420)와 제 2 트랜스퍼 챔버(440) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(460)은 제 1 트랜스퍼 챔버(420)로부터 제 2 트랜스퍼 챔버(440)로 이송되는 웨이퍼가 일시적으로 머무르는 제 1 버퍼 유닛(460a)과, 제 2 트랜스퍼 챔버(440)로부터 제 1 트랜스퍼 챔버(420)로 이송되는 웨이퍼가 일시적으로 머무르는 제 2 버퍼 유닛(460b)를 가진다.
도 2는 도 1의 제 1 및 제 2 버퍼 유닛의 구성을 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 제 1 및 제 2 버퍼 유닛(460a,460b) 각각은 웨이퍼가 놓이는 기판 지지 부재(462)와, 기판 지지 부재(462)를 회전시키는 회전 구동 부재(472)를 포함한다. 기판 지지 부재(462)는 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 척킹하 고, 회전 구동 부재(472)는 기판 지지 부재(462)에 척킹된 웨이퍼가 일 방향으로 정렬되도록 기판 지지 부재(462)를 회전시킨다.
기판 지지 부재(462)는 웨이퍼가 적재되는 슬롯들(463)을 가지며, 슬롯들(463)의 아래에는 지지판(465)이 결합된다. 지지판(465)에는 슬롯들(463)에 적재된 웨이퍼를 척킹하기 위한 정전기력을 발생시키는 전극(467)이 내장되며, 전극(467)에는 직류 전원(469)이 연결된다. 그리고, 슬롯들(463)의 상면에는 복수 개의 지지 돌기들(464)이 돌출 형성된다. 지지 돌기들(464)은 슬롯들(463)에 적재되는 웨이퍼의 하면을 지지한다.
회전 구동 부재(472)는 기판 지지 부재(462)의 하부에 결합된 구동 축(473)과, 구동 축(473)에 회전력을 제공하는 구동 모터(475)를 가진다. 구동 모터(475)의 회전력은 구동 축(473)을 통해 기판 지지 부재(462)로 전달되고, 정전기력에 의해 기판 지지 부재(462)에 척킹된 웨이퍼는 기판 지지 부재(462)의 회전에 의해 회전된다.
상기와 같은 구성을 가지는 버퍼 유닛(460)을 이용하여 웨이퍼를 정렬하고 이송하는 과정을 설명하면 다음과 같다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 작동 상태를 보여주는 도면이다.
먼저, 프레임 로봇(220)이 로드 포트(100)에 놓인 용기(C)로부터 로드락 챔버(300)의 로딩 챔버(320)로 웨이퍼를 이송한다. 이때, 웨이퍼의 노치는 제 1 방향(A)을 향하고 있다. 이후, 제 1 트랜스퍼 챔버(420)의 제 1 이송 로봇(430)이 로 딩 챔버(320) 내의 웨이퍼를 버퍼 유닛(460)으로 이송한다. 이때, 웨이퍼의 노치는 제 1 방향(A)의 반대 방향인 제 2 방향(C)을 향하고 있다. 이는 제 1 이송 로봇(430)이 웨이퍼의 노치 방향으로 접근하여 웨이퍼를 흡착하고, 제 1 이송 로봇(430)의 블레이드(미도시)와 웨이퍼 간에 상대 회전 없이 웨이퍼가 버퍼 유닛(460)으로 언로딩되기 때문이다. 이러한 상태에서 버퍼 유닛(460)은 웨이퍼를 회전시켜 노치가 제 2 방향(C)의 반대 방향인 제 1 방향(A)을 향하도록 웨이퍼를 정렬시킨다. 버퍼 유닛(460)에서의 웨이퍼 정렬이 완료되면, 제 2 트랜스퍼 챔버(440)의 제 2 이송 로봇(450)이 웨이퍼의 노치 방향으로 웨이퍼에 접근하여 웨이퍼를 흡착하고, 이 상태에서 공정 챔버(500)로 웨이퍼를 로딩한다. 이때, 웨이퍼의 노치는 공정 챔버(500) 내에서 공정 수행을 위해 필요한 정렬 방향, 즉 제 3 방향(B)을 향하게 된다.
공정 챔버(500) 내에서 웨이퍼의 처리 공정이 완료되면, 웨이퍼는 상술한 바와 같은 이송 과정의 역순으로 용기(C)에 수용된다.
상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 따른 반도체 제조 장치는, 버퍼 유닛(460)이 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 척킹하고, 이러한 상태에서 웨이퍼를 회전시킬 수 있기 때문에, 웨이퍼의 정렬을 위한 회전시 웨이퍼가 슬라이딩되는 문제점을 해소할 수 있게 된다.
그리고, 버퍼 유닛(460)에서의 웨이퍼 슬라이딩이 억제됨으로써, 공정 진행의 흐름 상 웨이퍼의 이동 속도가 향상되기 때문에, 반도체 제조 장치의 스루풋(Throughput)을 향상시킬 수 있다.
또한, 지지 돌기들(464)이 웨이퍼의 하면을 지지하기 때문에, 슬롯들(463)의 상면과 웨이퍼의 하면이 면 대 면의 면 접촉을 하고 있는 경우와 비교하여, 웨이퍼를 척킹하는 힘이 상대적으로 작아지므로, 웨이퍼의 디척킹(Dechucking)이 보다 용이하게 될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 버퍼 유닛에서의 웨이퍼 정렬시 웨이퍼의 슬라이딩을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 반도체 제조 장치의 스루풋(Throughput)을 향상시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판 처리 공정이 진행되는 처리 유닛들과;
    상기 처리 유닛들 사이에 배치되며, 상기 처리 유닛들 간에 이송되는 기판이 대기하는 장소를 제공하는 버퍼 유닛;을 포함하되,
    상기 버퍼 유닛은,
    기판이 놓이며, 정전기력을 이용하여 상기 기판을 척킹하는 기판 지지 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 버퍼 유닛은,
    상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판이 일 방향으로 정렬되도록 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 지지 부재는,
    기판이 적재되는 슬롯과;
    상기 슬롯을 지지하며, 상기 슬롯에 적재된 상기 기판의 척킹을 위한 정전기력을 발생시키는 전극이 내장된 지지판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제 조 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 슬롯의 상면에는 상기 기판을 지지하는 복수 개의 지지 돌기들이 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  5. 로드락 챔버와;
    상기 로드락 챔버에 인접하게 배치되는 제 1 트랜스퍼 챔버와;
    상기 제 1 트랜스퍼 챔버를 중심으로 상기 로드락 챔버와 대향하는 방향으로 배치되는 제 2 트랜스퍼 챔버와;
    상기 제 1 트랜스퍼 챔버와 제 2 트랜스퍼 챔버의 사이에 배치되며, 상기 제 1 및 제 2 트랜스퍼 챔버들 간에 이송되는 기판의 대기 장소를 제공하는 버퍼 유닛;을 포함하되,
    상기 버퍼 유닛은,
    기판이 놓이며, 정전기력을 이용하여 상기 기판을 척킹하는 기판 지지 부재와;
    상기 기판 지지 부재에 놓인 상기 기판이 일 방향으로 정렬되도록 상기 기판 지지 부재를 회전시키는 회전 구동 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 기판 지지 부재는,
    기판이 적재되는 슬롯과;
    상기 슬롯을 지지하며, 상기 슬롯에 적재된 상기 기판의 척킹을 위한 정전기력을 발생시키는 전극이 내장된 지지판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 슬롯의 상면에는 상기 기판을 지지하는 복수 개의 지지 돌기들이 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 버퍼 유닛은,
    상기 제 1 트랜스퍼 챔버로부터 상기 제 2 트랜스퍼 챔버로 이송되는 기판이 대기하는 장소를 제공하는 제 1 버퍼 유닛과;
    상기 제 2 트랜스퍼 챔버로부터 상기 제 1 트랜스퍼 챔버로 이송되는 기판이 대기하는 장소를 제공하는 제 2 버퍼 유닛;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
KR1020070070961A 2007-07-16 2007-07-16 반도체 제조 장치 KR100902614B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070070961A KR100902614B1 (ko) 2007-07-16 2007-07-16 반도체 제조 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070070961A KR100902614B1 (ko) 2007-07-16 2007-07-16 반도체 제조 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090007822A true KR20090007822A (ko) 2009-01-21
KR100902614B1 KR100902614B1 (ko) 2009-06-11

Family

ID=40488285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070070961A KR100902614B1 (ko) 2007-07-16 2007-07-16 반도체 제조 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100902614B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110592560A (zh) * 2019-10-18 2019-12-20 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备
WO2020004880A1 (ko) * 2018-06-25 2020-01-02 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN113247549A (zh) * 2021-06-24 2021-08-13 福莱盈电子股份有限公司 一种柔性电路板元件运输装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
EP1359466A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
KR100560623B1 (ko) * 2003-06-02 2006-03-14 주식회사 엘티케이 반도체 제조 장치 및 그 동작 방법
KR20060064943A (ko) * 2004-12-09 2006-06-14 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 공정 진행 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020004880A1 (ko) * 2018-06-25 2020-01-02 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2021529438A (ja) * 2018-06-25 2021-10-28 ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法
CN110592560A (zh) * 2019-10-18 2019-12-20 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备
CN110592560B (zh) * 2019-10-18 2022-02-22 北京北方华创微电子装备有限公司 一种工艺盘找正方法、工艺盘找正装置和半导体加工设备
CN113247549A (zh) * 2021-06-24 2021-08-13 福莱盈电子股份有限公司 一种柔性电路板元件运输装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100902614B1 (ko) 2009-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8007218B2 (en) Unit and method for transferring substrates and apparatus and method for treating substrates with the unit
KR100852952B1 (ko) 기판 양면 처리장치
KR100803559B1 (ko) 기판 반송 유닛 및 방법, 그리고 상기 유닛을 가지는 기판처리 장치 및 상기 유닛을 이용한 기판 처리 방법
KR19980041847A (ko) 기판 처리시스템
KR101530024B1 (ko) 기판 처리 모듈, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 전달 방법
JP2008016815A (ja) 基板搬送装置及びこの基板搬送装置を用いた基板処理設備
US10971382B2 (en) Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same
KR100902614B1 (ko) 반도체 제조 장치
US10811289B2 (en) Substrate transfer apparatus and substrate processing system comprising plural connection units arranged side by side in a vertical and lateral directions along one side surface of a transfer chamber
JP2015154083A (ja) 基板搬送ロボット及びそれを用いた基板処理装置
JP2015205359A (ja) 基板処理装置
KR100873967B1 (ko) 완충메카니즘을 갖는 반도체 제조장치 및 반도체 웨이퍼의완충방법
KR100598917B1 (ko) 매엽식 기판 세정 장치 및 방법
KR20130094470A (ko) 기판 처리 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101413243B1 (ko) 웨이퍼 전달모듈 및 이를 구비한 박막 증착 시스템
JP2000049215A (ja) 処理システム
KR20080001958A (ko) 웨이퍼 세정 장치
KR100924944B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP2014103412A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100900751B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7454714B2 (ja) 基板処理装置
KR20080058690A (ko) 기판 처리 장치
KR20090071702A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
CN114695194A (zh) 用于处理基板的装置
JP2003023057A (ja) 基板収容カセット開閉装置及び基板収容カセット開閉方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee