KR20090002162A - 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090002162A
KR20090002162A KR1020070060302A KR20070060302A KR20090002162A KR 20090002162 A KR20090002162 A KR 20090002162A KR 1020070060302 A KR1020070060302 A KR 1020070060302A KR 20070060302 A KR20070060302 A KR 20070060302A KR 20090002162 A KR20090002162 A KR 20090002162A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting device
layer
semiconductor layer
semiconductor light
Prior art date
Application number
KR1020070060302A
Other languages
English (en)
Inventor
한상훈
안형전
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020070060302A priority Critical patent/KR20090002162A/ko
Publication of KR20090002162A publication Critical patent/KR20090002162A/ko

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명에 의한 반도체 발광소자의 제조 방법은 기판 상면으로부터 스크라이빙 홈이 형성되는 단계; 상기 기판 위에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 형성되는 단계; 상기 p형 반도체층으로부터 상기 n형 반도체층 일부까지 상기 스크라이빙 홈을 기준으로 칩단위 식각되는 단계; 및 상기 칩단위로 식각된 반도체층이 상기 스크라이빙 홈에 의하여 가이드되어 분리되는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명에 의한 반도체 발광소자는 상면으로부터 스크라이빙 홈이 형성된 기판; 상기 기판 위에 형성된 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층을 포함한다.
본 발명에 의하면, 단일칩을 이루기 위하여 분리된 기판층 또는 에피층의 스크라이빙 홈이 손상되지 않고 매끄럽게 형성될 수 있으므로 활성층에서 발생된 빛이 반도체층의 분리면에 흡수되지 않고 대부분 통과하게 되므로 외부 발광 효율을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 종래와 같이 스크라이빙 홈의 손상 부위를 처리하는 공정이 필요로 되지 않으므로 단순한 공정 및 저비용으로 고휘도의 반도체 발광소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법{Semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device}
도 1은 일반적인 반도체 발광소자의 구성 요소를 개략적으로 도시한 측단면도.
도 2는 일반적인 반도체 발광소자의 스크라이빙 영역에 발생된 손상 부위를 확대도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 구성 요소를 개략적으로 도시한 측단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법을 도시한 흐름도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 기판에 스크라이빙 홈이 형성된 형태를 예시적으로 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 반도체층이 형성된 후의 형태를 예시적으로 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 에피층까지 식각 공정이 처리되고 전극이 증착된 후의 형태를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 연마 공정이 처리된 후의 형태를 예시적으로 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 분리공정이 처리된 후의 형태를 예시적으로 도시한 도면.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100: 반도체 발광소자 110: 기판
112: 스크라이빙 홈 120: 버퍼층
130: n형 반도체층 140: 활성층
150: p형 반도체층 160: 투명전극층
170: p형 전극 180: n형 전극
본 발명은 외부발광효율이 개선된 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 꼽을 수 있는데, LED는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.
LED의 사용 범위는 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다.이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
특히, GaN(질화 갈륨), AlN(질화 알루미늄), InN(질화 인듐) 등의 3족 및 5족 화합물을 이용한 반도체광소자에 대해서 많은 연구와 투자가 이루어지고 있다. 이는 질화물 반도체 발광소자가 1.9 eV ~ 6.2 ev에 이르는 매우 넓은 영역의 밴드갭을 가지고, 이를 이용하여 빛의 삼원색을 구현할 수 있다는 장점이 있기 때문이다.
최근, 질화물 반도체를 이용한 청색 및 녹색 발광소자의 개발은 광디스플레이 시장에 일대 혁명을 몰고 왔으며, 앞으로도 고부가가치를 창출할 수 있는 유망 산업의 한 분야로 여겨지고 있다. 그러나, 전술한 바와 같이 이러한 질화물 반도체광소자에 있어서 보다 많은 산업상의 이용을 추구하려면 역시 발광휘도를 증가시키는 것이 선결되어야 할 과제이다.
도 1은 일반적인 반도체 발광소자(10)의 구성 요소를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 1을 참조하여, 일반적인 반도체 발광소자(10)의 적층 구조를 살펴보면, 기판(11) 위에 다결정 박막 구조인 버퍼층(12)이 성장된다. 상기 버퍼층(12) 위에 Si(실리콘)이 도핑된 n형 반도체층(GaN층)(14)이 형성된다.
상기 n형 반도체층(13) 위로 활성층(14)이 성장되고, 활성층(14) 위로 Mg(마그네슘)이 도핑된 p형 반도체층(15)이 형성되는데, 활성층(14)은 p형 반도체층(15)을 통하여 흐르는 정공과 n형 반도체층(13)을 통하여 흐르는 전자가 결합됨으로써 광을 발생시킨다.
그리고, 상기 p형 반도체층(15)위로 전기접촉층(16)이 형성되고, 상기 n형 반도체층(13) 및 전기접촉층(16) 상에 각각 n형 전극(17)과 p형 전극(18)이 형성되어 반도체 발광소자(10)를 형성한다.
일반적인 반도체 발광소자(10)는 웨이퍼 상에서 적층 공정이 처리된 후 스크라이빙 공정 및 분리 공정을 통하여 개별 소자로 나뉘어지는데, 스크라이빙 공정 상에서 소자 측면(C)에 손상이 발생된다.
스크라이빙 공정시 사용되는 레이저는 n형 반도체층(13) 측으로부터 조사되어 스크라이빙 영역(C)을 형성시키는데, n형 반도체층(13)의 일부, 버퍼층(12)에 형성된 스크라이빙 영역(C) 및 스크라이빙 영역(C)을 기준으로 분리된 기판(11)면 일부에 손상(Damage)이 발생된 것을 볼 수 있다.
도 2는 일반적인 반도체 발광소자(10)의 스크라이빙 영역(C)에 발생된 손상 부위를 확대도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 스크라이빙 영역(C)이 손상된 형태를 보다 자세히 관찰할 수 있는데, 활성층(14)으로부터 발생된 빛(도면에는 점광원(B)으로 표시됨)이 스크라이빙 영역(C)을 통과하지 못하고 흡수되어(D) 외부 발광율이 현저히 저하되는 문 제점이 있다.
본 발명은 외부 발광 효율이 향상되는 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명은 기판 위에 에피층 및 단위칩을 구성하고 기판 및 에피층을 분리하는 공정을 개선함으로써 외부 발광 효율이 향상되는 반도체 발광소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의한 반도체 발광소자의 제조 방법은 기판 상면으로부터 스크라이빙 홈이 형성되는 단계; 상기 기판 위에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 형성되는 단계; 상기 p형 반도체층으로부터 상기 n형 반도체층 일부까지 상기 스크라이빙 홈을 기준으로 칩단위 식각되는 단계; 및 상기 칩단위로 식각된 반도체층이 상기 스크라이빙 홈에 의하여 가이드되어 분리되는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 반도체 발광소자는 상면으로부터 스크라이빙 홈이 형성된 기판; 상기 기판 위에 형성된 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층을 포함한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법에 대하여 상세히 설명하는데, 이해의 편의를 위하여 반도체 발광소자의 구성 및 그 제조 방법을 함께 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 구성 요소를 개략적으로 도시한 측단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소 자(100)의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 3에 의하면, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는 기판(110), 버퍼층(120), n형 반도체층(130), 활성층(140), p형 반도체층(150), 투명전극층(160), p형 전극(170) 및 n형 전극(180)을 포함하여 이루어지는데, 이는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에 의하여 완성된(웨이퍼 상태에서 칩상태로 분리된) 반도체 발광소자를 도시한 것으로서, 기판(110)의 측면에는 분리 공정이 진행된 후의 스크라이빙 홈(112)의 형태가 도시되어 있다.
도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)는 기판(110)의 식각 공정, 반도체층(120, 130, 140, 150, 160)의 적층 공정, 연마 공정 및 분리 공정 등을 통하여 웨이퍼 상태의 기판으로부터 완성된 단위칩 형태이며, 상기 스크라이빙 홈(112)에 의하여 가이드되어 상기 기판(110) 및 반도체층(120, 130; 에피층이라 지칭됨)이 분리된 형태를 볼 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 구성 요소를 제조 방법에 따라 순차적으로 설명하기로 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 기판(110)에 스크라이빙 홈(112)이 형성된 형태를 예시적으로 도시한 도면이다.
처음으로, 상기 기판(110)의 상면으로부터 스크라이빙 홈(112)이 형성되는데(S100), 상기 기판(110)은 사파이어, Si(실리콘), SiC(실리콘 카바이트), GaAs(갈륨 비소), ZnO(산화 아연) 또는 MgO(산화 마그네슘) 등의 원소 혹은 화합물로 제작될 수 있으며, 본 발명의 실시예에서는 사파이어 기판이 사용되는 것으로 한다.
상기 스크라이빙 홈(112)은 기계적 절삭 공정 또는 식각 공정에 의하여 형성가능한데, 기계적 절삭 공정으로는 호닝(horning) 머신을 이용한 정밀절삭 가공기술을 예로 들 수 있다.
또한, 식각 공정의 경우, 식각 용액을 이용한 습식 식각(Wet etching) 및 이온 식각(이온빔 식각, RF 스파터 식각 등), 반응 건식 식각 등의 건식 식각(Dry etching) 기술 등이 모두 사용가능하다.
상기 스크라이빙 홈(112)은 에피층(본 발명에서는 버퍼층(120) 및 n형 반도체층(130)의 일부를 지칭함; 도 9 참조)과 기판(110)의 나머지 부분이 물리적 힘에 의하여 쉽게 커팅될 수 있도록 약 20μm 내지 40μm의 깊이로 형성되는 것이 좋다.
상기 기판(110)으로부터 투명전극층(160)까지의 반도체층은 약 70μm 내지 100μm의 높이로 형성될 수 있다.
본 발명에 의하면, 종래와는 달리 반도체층(120 내지 160)이 적층되기 전의 기판(110)에, 레이저 조사장치를 이용하지 않고 스크라이빙 홈(112)을 형성시킬 수 있으므로 스크라이빙 홈(112)에 의한 분리면에 손상 현상이 발생되지 않는다.
즉, 정밀절삭 가공기술 또는 식각 기술을 이용하면 레이저 조사에 따른 손상 현상을 방지하고 스크라이빙 홈(112)의 면을 보다 매끄럽게 형성할 수 있으므로 외부 발광 효율이 증대될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 반도체층(120 내지 160)이 형성된 후의 형태를 예시적으로 도시한 도면이다.
상기 스크라이빙 홈(112)이 형성되면, 그 위로 반도체층(120 내지 160)이 형성되는데(S105), 우선 버퍼층(120)이 형성된다.
상기 버퍼층(120)은 트리메틸 갈륨(TMGa)(또는 TEGa)(트리메틸 인듐(TMIn), 트리메틸 알루미늄(TMAl) 등의 성분이 함께 주입될 수 있음)을 암모니아 가스와 함께 반응관 내부로 주입시킴으로써 약 100 ∼ 2000 Å의 두께로 성장된다.
상기 버퍼층(120)은 기판(110)의 화학적 작용에 의한 멜트백(melt-back) 에칭을 방지하는 등, 기판(110)과 n형 반도체층(130) 사이의 스트레스를 완화하는 기능을 하며, AlInN/GaN 구조, InxGa1-xN/GaN 구조, AlxInyGa1-x-yN/InxGa1-xN/GaN 구조 등의 멀티버퍼층으로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(120)이 형성되면, n형 반도체층(130)이 형성된다.
상기 n형 반도체층(130)은 구동전압을 낮추기 위하여 실리콘 도핑된 n-GaN층으로 형성될 수 있으며, 가령, NH3(약 3.7×10-2 몰/분), TMGa(약 1.2×10-4 몰/분) 및 Si와 같은 n형 도펀트를 포함한 실란가스(약 6.3×10-9 몰/분)를 공급하여 성장될 수 있다.
이상과 같이 하여, n형 반도체층(130)이 형성되면 가령 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 공법을 이용하여 InGaN/GaN으로 구성된 다중양자우물(Multi-Quantum Well : MQW) 구조를 가지는 활성층(140)이 형성된다.
상기 활성층(140)에서는, p형 반도체층(150)을 통하여 흐르는 정공과 n형 반도체층(130)을 통하여 흐르는 전자가 결합됨으로써 광이 발생되는데, 이때 양자 우 물의 여기 준위 또는 에너지 밴드갭 차이에 해당되는 에너지의 빛이 발광된다.
이어서, p형 반도체층(150)이 형성되며, 상기 p형 반도체층(150)은 수소를 캐리어 가스로 하여 1000℃로 분위기 온도를 높여 TMGa(약 7×10-6 몰/분), 트리메틸알루미늄(TMAl)(약 2.6×10-5 몰/분), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}(약 5.2×10-7 몰/분), 및 NH3(약 2.2×10-1 몰/분)을 공급하여 성장된다.
이후, p형 반도체층(150) 위에 투명전극층(160)이 형성되는데, 상기 투명전극층(160)은 전극접촉층의 일종으로서, 광투과율이 좋아서 활성층(140)으로부터 발산된 빛을 반사시키거나 흡수하지 않고 상측으로 통과시키며, 전류 확산을 도와 활성층(140)에서 정공과 전자의 결합율이 높아지도록 한다. 상기 투명전극층(160)은 ITO, CTO, SnO2, ZnO, RuOx, TiOx, IrOx, GaxOx 등과 같이 투과성 전도물질을 이용하여 형성될 수 있다.
이와 같이 하여 웨이퍼 상태의 반도체층(120 내지 160)이 형성되면, 도 6에 도시된 것처럼 식각 공정을 위하여 마스크 부재(162)가 형성되는데(S110), 식각 공정에 의하여 반도체층의 일부, 즉 투명전극층(160), p형 반도체층(150), 활성층(140) 및 식각된 n형 반도체층(130)은 단위칩의 형태를 이루게 되고, 나머지 층, 즉 n형 반도체층(130) 및 버퍼층(120)은 기판(110) 위에 에피층을 이루게 된다(S115).
식각 공정 후에 남는 에피층(110, 120)은 스크라이빙 홈(112)에 의하여 분리되므로 상기 마스크 부재(162)는 도 6에 도시된 것처럼 스크라이빙 홈(112)들 사이의 영역에 형성되어야 한다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 에피층(120, 130)까지 식각 공정이 처리되고 전극(170, 180)이 증착된 후의 형태를 도시한 도면이다.
상기 에피층(120, 130)까지의 식각 공정은 건식 식각, 습식 식각 어느 기술을 사용해도 상관없으나, 본 발명의 실시예에서는 건식 식각 기술이 이용되는 것으로 한다.
상기 마스크 부재(162)는 SiO2, TiO2, ITO와 같은 Oxide 계열 물질, Cr, Ti, Al, Au, Ni, Pt 등과 같은 다양한 금속성 재질로 이루어질 수 있다.
상기 마스크 부재(162)는 X-선 노광기술, 전자빔 노광기술, 이온빔 노광기술과 같은 방사 노광(Radiation lithography)기술, Dip-pen 나노노광기술, 나노각인 노광기술(NIL)과 같은 비광노광(Nonoptical lithography)기술 등의 노광 공정을 통하여 형성된 감광제(Photoresist) 패턴으로 구현될 수 있다.
건식 식각으로는 이온 충격에 의한 물리적 방법, 플라즈마 속에서 발생된 반응 물질에 의한 화학적 방법 등이 있으며, 예를 들어 ICP(Inductively Coupled Plasma) RIE(Reactive Ion Etcher) 장비를 이용하여 처리가능하다.
이후, 마스크 부재(162)가 제거되고, p형 전극(170) 및 n형 전극(180)이 증착되는데(S120), 상기 마스크 부재(162)는 예를 들어 디핑 공정을 통하여 제거될 수 있다. 디핑 공정은 반도체층 제거 용액이 주입된 수직 반응로에 마스크 부재(162)를 담금으로써 금속 재질의 융해 반응을 유도하는 공정으로서, 가령 수십 내지 수백도로 가열된 인산, 황산 등의 식각 용액이 사용될 수 있다.
상기 n형 반도체층(130) 위로 티탄(Ti), 은(Au) 등으로 이루어진 n형 전극(180)이 증착되고, 투명전극층(160) 위로 니켈(Ni) 등으로 이루어진 p형 전극(170)이 증착된다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 연마 공정이 처리된 후의 형태를 예시적으로 도시한 도면이다.
이어서, 기판(110)의 저면이 소정 두께로 연마되는데(S125), 상기 연마 공정은 외부로부터 힘이 가해지는 경우 웨이퍼 상태의 반도체 발광소자(100)가 칩단위로 용이하게 분리되도록 그 두께를 조정하는 것으로서, 가령 래핑(Lapping) 공정 또는 폴리싱(Polishing) 공정 등이 사용될 수 있다.
상기 래핑 공정이란 상기 기판(110)을 중간정도의 입도(1000∼1200번)로 연마하는 것으로서 상기 입도 이상이 되면 폴리싱 공정으로 분리되며, 연마재로는 카보란담이나 알루미나가 사용된다.
또한, 상기 폴리싱 공정은, 알루미나를 물에 녹인 연마재를 사용하고, 연마포를 씌운 회전판 위에 적하하면서 연마된다. 상기 폴리싱 공정은 기계적 연마 방식, 화학적 연마 방식 그리고 화학/기계적 연마 방식이 있다.
일반적으로, 상기 래핑 공정 및 폴리싱 공정 상에서 상기 기판(110)은 10㎛ 내지 12㎛ 입경의 연마재로 가공된다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자(100)의 분리공정이 처리된 후(S130)의 형태를 예시적으로 도시한 도면이다.
분리 공정 상에서, 물리적인 힘이 기판(110)의 상측 또는 하측으로부터 가해지면 스크라이빙 홈(112)에 의하여 가이드되고, 스크라이빙 홈(112)의 아래쪽(기판(110)의 나머지 부분)과 위쪽(에피층(120, 130))이 커팅됨(깨짐)으로써 웨이퍼 상태의 반도체 발광소자(100)는 칩(개별소자)단위로 분리될 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 단일칩을 이루기 위하여 분리된 기판층 또는 에피층의 스크라이빙 홈이 손상되지 않고 매끄럽게 형성될 수 있으므로 활성층에서 발생된 빛이 반도체층의 분리면에 흡수되지 않고 대부분 통과하게 되므로 외부 발광 효율을 향상시킬 수 있게 된다.
본 발명에 의하면, 종래와 같이 스크라이빙 홈의 손상 부위를 처리하는 공정이 필요로 되지 않으므로 단순한 공정 및 저비용으로 고휘도의 반도체 발광소자를 제조할 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 기판 상면으로부터 스크라이빙 홈이 형성되는 단계;
    상기 기판 위에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 형성되는 단계;
    상기 p형 반도체층으로부터 상기 n형 반도체층 일부까지 상기 스크라이빙 홈을 기준으로 칩단위 식각되는 단계; 및
    상기 칩단위로 식각된 반도체층이 상기 스크라이빙 홈에 의하여 가이드되어 분리되는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스크라이빙 홈이 형성되는 단계는
    식각 또는 기계적 가공을 통하여 상기 스크라이빙 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 칩단위로 식각 후, 상기 기판 저면이 소정 두께로 연마되는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조 방법.
  4. 상면으로부터 스크라이빙 홈이 형성된 기판;
    상기 기판 위에 형성된 n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층 위에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 위에 형성된 p형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 n형 반도체층은
    상기 스크라이빙 홈에 의하여 가이드되어 분리된 면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 스크라이빙 홈에 의하여 가이드되어 분리된 면을 가지는 버퍼층을 포함하는 반도체 발광소자.
  7. 제4항에 있어서, 상기 스크라이빙 홈은
    20μm 내지 40μm의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
KR1020070060302A 2007-06-20 2007-06-20 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법 KR20090002162A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070060302A KR20090002162A (ko) 2007-06-20 2007-06-20 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070060302A KR20090002162A (ko) 2007-06-20 2007-06-20 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090002162A true KR20090002162A (ko) 2009-01-09

Family

ID=40485185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070060302A KR20090002162A (ko) 2007-06-20 2007-06-20 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090002162A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101262386B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법
US7439091B2 (en) Light-emitting diode and method for manufacturing the same
KR101282775B1 (ko) 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
EP2156478B1 (en) Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
US20190296185A1 (en) Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices
KR100597166B1 (ko) 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100609118B1 (ko) 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법
JP6829497B2 (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
WO2010020067A1 (en) Semiconductor light-emitting device with passivation layer
US8455276B2 (en) Light emitting element and a production method therefor
JP2012500479A (ja) 両面不動態化を伴う半導体発光デバイスを製造するための方法
KR20080089859A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR100504178B1 (ko) 발광 다이오드 및 그의 제조방법
JP2013247365A (ja) 半導体発光素子の製造方法
KR20160126348A (ko) 이종 발광 구조체의 집적화 방법
JP2016163015A (ja) 紫外線発光素子及びその製造方法
KR20080089860A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법
KR20060131324A (ko) 알루미늄 버퍼층을 이용한 발광 다이오드 제조방법
KR20080024787A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법
KR20080067536A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR20090002162A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법
KR20090002161A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법
KR102571786B1 (ko) 발광소자
KR100684455B1 (ko) 발광다이오드의 형성 방법
KR102234117B1 (ko) 발광소자 및 조명시스템

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination