KR20080113260A

KR20080113260A - 유리 시트에서 왜곡을 최소화시키는 방법

Info

Publication number: KR20080113260A
Application number: KR1020087026091A
Authority: KR
Inventors: 로저 에이. 알레어; 다렌 알. 커트라이트; 클리브 디. 지에르보리니; 딘 브이. 뉴바우어; 케이시 에이. 볼리노
Original assignee: 코닝 인코포레이티드
Priority date: 2006-03-24
Filing date: 2007-03-14
Publication date: 2008-12-29
Also published as: CN101432235A; US7685840B2; TWI388516B; TW200804206A; EP2001812A1; JP2009531269A; US20070220920A1; KR101386759B1; JP5469451B2; WO2007111840A1; CN101432235B

Abstract

본 발명은 유리 시트 제조 공정에 있어서 왜곡을 최소화시키는 방법에 관한 것으로, 유리의 모시트에서의 스트레스가 상기 시트의 각 에지를 따라 측정되는 방법에 관한 것이다. 상기 스트레스 데이터는 모시트가 예정된 크기로 절단될 때 모시트의 서브-시트들이 나타낼 것 같은 인-플레인 왜곡을 예상하기 위한 왜곡 예상장치를 개발하는데 사용된다. 상기 인-플레인 왜곡은 유리 생산자에 의해 설정되거나 또는 원래 장비 생산자(OEM)에 의해 공급된 임계값에 기초하여 예상될 것이다.

유리 시트, 왜곡, 스트레스 데이터, 에지 세그먼트, 서브-시트

Description

유리 시트에서 왜곡을 최소화시키는 방법 {Method of minimizing distortion in a sheet of glass}

본 발명은 일반적으로 유리 기판에 관한 것이며, 좀 더 상세하게는 수동 또는 능동 디스플레이 생산 공정에 있어서 사용하기 위한 유리 기판 제품에 관한 것이다.

액정 디스플레이(LCD)는 외부 광원을 이용하는 비발광형 디스플레이이다. LCD는 상기 외부 광원으로부터 방출되는 입사 편광빔을 조정하기 위해 구성된 장비이다. 상기 LCD 내에서 LC 물질은 상기 입사 편광빔을 선택적으로 회전시켜 빛을 조정한다. 회전 정도는 LC 물질내에서 개별적인 LC 분자들의 기계적인 방향에 상응한다. 상기 LC 물질의 기계적인 방향은 외부 전기장의 적용에 의해 쉽게 조절된다. 이러한 현상은 통상적인 트위스티드 네마틱(TN, twisted nematic) 액정셀을 참조하여 쉽게 이해된다.

통상적인 TN 액정셀은 두 기판들 및 그 사이에 배치된 액정 물질층을 포함한다. 하나에서 다른 곳까지 90°방향된, 편광막들은 상기 기판들의 바깥쪽 표면들상에 배치된다. 상기 입사 편광이 상기 편광막을 통해 통과할 때, 첫 번째 방향(예를 들어, 가로 또는 세로)으로 선형적으로 편극화된다. 전기장이 적용되지 않는 경우, 상기 LC 분자들은 90°나선이 형성된다. 입사 선형적 편광이 상기 액정셀을 횡단할 때, 액정 물질에 의해 90°회전되며 두 번째 방향(예를 들어, 세로, 또는 가로)으로 편극된다. 상기 빛의 편극화가 두 번째 막의 편극화에 맞도록 나선에 의해 회전되기 때문에, 상기 두 번째 편극막은 빛이 통과하게 된다. 전기장이 액정층을 거쳐서 적용될 때, 상기 LC 분자들의 배열은 분열되고 입사 편광은 회전되지 않는다. 따라서, 상기 빛은 상기 두 번째 편광막에 의해 차단된다. 상기 설명된 액정셀은 광 밸브(light valve)로서 기능을 한다. 상기 밸브는 전기장의 적용에 의해 조정된다. 또한 당업자들은 적용된 전기장의 특성에 의존하여 LC 셀이 가변광 감쇠기로서 적용될 수 있음이 이해될 것이다.

능동 매트릭스 LCD(AMLCD)는 통상적으로 매트릭스내에서 전술한 LC 셀들을 수백만 포함한다. AMLCD의 구조에 배면에 기초하여, 기판들의 하나는 색채 필터판을 포함하고 대응하는 기판은 상기 능동판으로서 알려져 있다. 상기 능동판은 각 셀 또는 서브픽셀에 있어서 전기장의 적용을 조정하는데 사용되는 능동 박막 트랜지스터(TFTs)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터는 스퍼터링, CVD, 포토리소그라피, 및 에칭과 같은 통상적인 반도체 타입의 공정들을 이용하여 제조된다. 상기 색채 필터판은 대응하는 능동판의 서브픽셀의 전극 면적과 정밀하게 이상적으로 대응하는 상부에 배치되는 일련의 적색, 청색 및 녹색의 유기 염료들을 포함한다. 따라서, 각 서브-픽셀이 개별적으로 조절가능하기 때문에, 상기 색채판 상에서 각 서브-픽셀은 상기 능동판 상에 배치된 트랜지스터 조절된 전극으로 배열되어야 한다. 각 서브 픽셀을 조절하고 집중하는 하나의 방법은 각 서브 픽셀에서 박막 트랜지스 터를 배치시키는 것이다.

전술한 기판 유리의 특성들은 상당히 중요하다. AMLCD 장치들의 제조에 사용되는 유리 기판들의 물리적인 크기들은 타이트하게 조정되어야 한다. 미국특허 제3,338,696호(Dockerty) 및 제3,682,609호(Dockerty)에 설명된 용해 공정은 랩핑(lapping), 그라인딩(grinding), 및 폴리싱(polishing)과 같은, 후-기판 형성 마무리 작업들을 비용적으로 요구하지 않고 기판 유리를 전달할 수 있는 소수의 공정들의 하나이다. 또한, 상기 능동판이 전술한 반도체 타입의 공정들을 이용하여 생산되기 때문에, 기판은 열적이고 화학적으로 안정하여야 한다. 또한, 열적 압축 또는 수축으로 알려진 바와 같이, 열 안정성은 생산 공정의 함수로서 특정한 유리 조성물의 본래의 점성(변형점으로서 지시된 바와 같음) 및 유리 시트의 열 히스토리 모두에 의존한다. 화학적 안정성은 TFT 생산 공정에 사용되는 다양한 에칭제 용액들에 대한 내성을 수반한다.

심지어 더 큰 크기의 디스플레이 크기들에 대한 수요도 있다. 이러한 수요, 및 경제적 규모로 유도되는 잇점들은 더 큰 크기의 기판들을 진행시키기 위해 AMLCD 생산자들에게 유도된다. 합체될 때, 상기 디스플레이를 형성하는데 사용된, 두 기판들 또는 서브-시트들의 각 면 상에서의 성분들은 합체되는 동안 정밀하게 배열되어야 한다. 2% 정도보다 작은 픽셀 부정합도 가시적으로 검출될 수 있고, 따라서 허용불가하다.

불행하게도, 모시트(parent sheet)의 생산동안 유리 시트들로 냉각되어야 하는 스트레스는 모시트가 절단된 후에 서브-시트들의 왜곡을 초래할 것이다. 이러한 왜곡은 시트의 크기가 증가될 때 악화된다. 그러나, 상기 그 이상의 왜곡은 유리 생산자에 의해 생산될 때 모유리에서 쉽게 식별되지 않는다.

필요한 것은 모시트가 절단될 때 개별적인 서브-시트에 의해 나타나는 왜곡에 유리의 모시트 내에서 스트레스를 균등화하는 방법이다.

발명의 요약

본 발명의 구체예는 유리 시트의 왜곡을 절감하는 방법에 관한 것이다.

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 더욱 쉽게 이해될 것이며, 본 발명의 목적, 특성, 상세한 설명 및 잇점들은 후술하는 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다. 모든 상기 추가적인 시스템, 방법 및 잇점들은 본 상세한 설명에 포함될 것이며, 청구범위에 의해 보호될 것이다.

본 발명의 하나의 구체예에서, 유리 시트의 왜곡을 절감시키는 방법은, 유리 시트 제조 공정에서 유리 시트를 형성하는 단계; 상기 유리 시트에 있어서 복수의 스트레스 데이터를 구하는 단계; 상기 스트레스 데이터로부터 유리 시트에 대한 예상되는 왜곡을 결정하는 단계; 및 상기 예상된 왜곡에 대하여 유리 시트 제조 공정을 변경하는 단계;를 포함한다.

본 발명의 다른 구체예에서, 유리 시트의 왜곡을 절감하는 방법은 유리 생산 공정에서 복수의 에지 세그먼트(edge segment)를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계; 상기 유리 시트에 있어서 복수의 스트레스 데이터(stress data)를 얻는 단계; 상기 유리 시트를 서브-시트(sub-sheet)들로 절단하는 단계; 각 서브-시트에 있어서 대표 왜곡을 결정하는 단계; 각 서브-시트에 있어서의 대표 왜곡으로부터 복수의 서브-시트들의 대표적인 왜곡을 결정하는 단계; 상기 복수의 서브-시트들을 대표하는 왜곡과 상기 스트레스 데이터를 상관시키는 단계; 상기 유리 생산 공정으로부터 형성된 연속 유리 시트에서 왜곡을 예상하기 위해 상기 상관관계를 이용하는 단계; 및 상기 예상된 왜곡에 대하여 유리 제조 공정을 변경시키는 단계;를 포함한다.

또 다른 구체예에 있어서, 유리 시트의 왜곡을 절감시키는 방법은, 유리 생산 공정에서 실질적으로 평면이고 복수의 에지 세그먼트를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계; 각 에지 세그먼트를 따라 스트레스를 측정하는 단계; 상기 유리 시트를 서브-시트들로 절단하는 단계; 각 서브-시트에 있어서 최대 왜곡을 결정하는 단계; 최대 왜곡들의 가장 큰 값을 선택하는 단계; 가장 큰 최대 왜곡 값과 상기 측정된 에지 스트레스 데이터를 상관시키는 단계; 및 유리 생산 공정을 변경하기 위해 상기 상관관계를 이용하는 단계를 포함한다.

본 발명의 또 다른 구체예에 있어서, 유리 시트의 왜곡을 최소화시키는 방법은 유리 생산 공정에서 실질적으로 평면이고 복수의 에지 세그먼트를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계; 각 에지 세그먼트를 따라 스트레스를 측정하는 단계; 상기 유리 시트를 서브-시트들로 절단하는 단계; 각 서브-시트에 있어서 최대 왜곡을 결정하는 단계; 최대 왜곡들의 가장 큰 값을 선택하는 단계; 가장 큰 최대 왜곡 값과 상기 측정된 에지 스트레스 데이터를 상관시키는 단계; 상기 유리 생산 공정으로부터 형성된 연속 유리 시트에서 상기 에지 스트레스를 측정하는 단계; 상기 연속 유리 시트에서 최대 왜곡을 예상하는 단계; 및 상기 예상된 최대 왜곡에 대하여 유리 생산 공정을 변경시키는 단계;를 포함한다.

본 발명의 추가적인 특징 및 잇점들은 후술하는 상세한 설명을 통해 설명될 것이며, 당업자에게는 본 발명을 실시하는데 명백할 것이다. 첨부하는 도면들은 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공될 것이며, 본 명세서의 일부로서 구성된다.

도 1은 용해 다운드로우 유리 제조 장치의 개략도이다.

도 2는 본 발명의 구체예에 따라 유리 시트가 몇몇 서브-시트들로 절단되는 선을 지시하는 유리 시트의 상부도이다.

도 3은 왜곡이 없는 동일한 서브-시트의 바깥선 상에서 절단되고 오버랩된 후에 스트레스 완화에 의해 왜곡되는 도 2의 서브-시트의 상부도이다.

도 4는 수탁 마크를 갖는 측정 테이블, 및 상기 측정 테이블상에서 정지하는 대응 수탁 마크를 갖는 유리 시트의 상면도이다.

도 5는 도 4의 상기 테이블 및 시트의 수탁 마크 사이의 오프셋을 대표하는 방법을 도시하는 것이다.

도 6은 도 2의 유리 시트의 상부 에지 세그먼트를 따라 측정된 스트레스(스트레스 분포)를 도시한 점이고, 상기 스트레스 분포에 맞춘 2차 곡선이다.

후술하는 설명에 있어서, 상세한 설명에 포함된 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위해 제공될 것이다. 또한, 공지의 장치, 방법 및 물질에 대한 설명은 본 발명의 설명에 혼돈을 주지 않도록 생략되었다. 또한, 적용한 곳에 있어서 동일한 참조번호는 동일한 부품을 갖는다.

본원에서 설명된 바와 같이, 다운드로우 유리 시트 제조 공정은 점성있는 유리가 하부 방향으로 인발될 때 유리 시트가 형성되는 모든 형태의 유리 시트 제조 공정을 일컫는다. 특히, 용해 다운드로우 유리 형성 공정에서, 용해된 유리는 트로프(trough)로 흘러들어가서, 오버플로우되고 파이프나 형성 웨지(forming wedge)의 양면 아래로 이동하며, 통상적으로 이소파이프라고 칭한다. 상기 두 플로우(flow)는 루트(root, 파이프의 말단들과 유리 재결합의 두 오버플로우 부분에서)로서 알려진 것에서 함께 용해되고, 합쳐진 플로우는 냉각될 때까지 하부로 인발된다.

상기 용해 오버플로우 유리 시트 생산 공정은 도 1에 도시한 구체예의 참조로 하여 설명될 수 있고, 여기서 형성 웨지(이소파이프, 10)는 벽 부분(14)에 의해 세로면들로 경계를 짓는 상향 오픈 채널(upwardly open channel, 12)을 포함하고, 이것은 마주하는 수직적으로-연장된 오버플로우 립(lip) 또는 와이어(weir)에서 그들의 상한적 범위를 종결한다. 상기 와이어(16)는 형성 웨지(10)의 마주하는 바깥쪽 시트 형성 표면들과 연결된다. 도시된 바와 같이, 형성 웨지(10)는 와이어(16)들과 연결된 실질적으로 한 쌍의 세로 형성 표면 부분(18), 및 수직의 유리 인발 선을 형성하는 실질적으로 가로인 저부의 에이펙스(apex) 또는 루트(22)로 종결되는 하향으로 입사되고 수렴되는 한 쌍의 표면 부분(20)을 제공한다.

용해된 유리(24)는 채널(12)과 연결된 운반통로(26)를 통해 채널(12)로 주입된다. 채널(12)로의 주입은 단일 말단이거나, 바람직하게는 이중 말단일 것이다. 한쌍의 제한 댐(28)이 채널(12)의 각 말단에 인접한 오버플로우 와이어(16)로 위로 제공되어 용해된 유리(24)의 자유표면(free surface, 30)의 오버플로우를 별도의 흐름으로서 오버플로우 와이어(16)로 향하게 하며, 마주하는 형성 표면 부분(18, 20) 아래로 루트(22)까지 향하게 하며, 상기 루트는 점선으로 도시된 개별 흐름이 새로운 표면의 유리(32)의 시트 또는 리본을 형성하도록 수렴된다.

용해 공정에서, 당김 롤(pulling roll) 또는 롤러(34)의 형태인 당김 장치가 형성 웨지 루트(22)의 다운스트림에 놓이고 유리 형성 리본이 상기 루트에서 상기 수렴하는 형성 표면들을 떠나는 속도를 조정하도록 사용되어 완성된 시트의 근소한 두께를 결정하게 한다. 상기 당김 롤들은 접촉하지 않은 유리 리본의 내부, 양질의 영역을 남기면서 바깥쪽 에지 부분들(36)에서만 유리 리본을 접촉시키도록 통상적으로 설계된다. 이후에 리본은 개별적인 유리 시트들로 절단되고 상기 당김 롤들에 의해 접촉되는 에지 부분들(36)은 시트로부터 양질의 표면들만을 남기면서 버려진다.

전술한 용해 유리 형성 공정의 잇점은, 유리의 점성이 플라스틱의 변형 또는 손상을 받을 정도로 충분히 낮은 경우, 당김 롤과 같은, 상기 형성 장치의 표면들과 접하는 유리 리본의 양질의 표면들 없이 리본이 형성될 수 있다는 점이다. 이것은 부드럽고, 오염이 없는 유리 표면들을 제공한다. 또한, 이러한 기술은 매우 평평하고 얇은 유리 시트들을 매우 높은 공차(tolerance)로 형성할 수 있다. 그러나, 또한 본 발명에서 바람직한 다른 유리 시트 형성 기술은 단일-면의 오버플로우 다운드로우, 슬롯 드로우, 업드로우 및 플로우트 형성술을 포함하지만, 이에 한정되지는 않는다.

형성된 유리 제품에 존재하는 스트레스는 사용된 생산공정 및 유리의 열 히스토리에 매우 의존적이다. 이것은 다른 유리 제품들에 있어서도 유리 시트에 있어서도 진실이다. 완성된 유리 시트를 냉각시키는 수회의 스트레스는 점성 액체로부터 유리질 고체상태로 리본 전이의 유리로서 시트가 절단되는 것으로부터 유리 리본에 의해 겪게 되는 열적 구배의 결과들이다. 또한, 그들은 이들 전이 동안 유리의 기계적인 변형을 통해 유리에 들어간다. 소스를 고려하지 않고, OEM에 제공되는 바와 같은 완성된 시트가 실질적으로 평행한 마주보는 에지들로 실질적으로 평면이도록, 생산 설계에 의해 이들 스트레스는 완성된 시트내에 분포된다. 매번의 시도가 쉽게 제거되지는 않을 지라도, 일반적으로 잘 알려진 스트레스의 소스들을 완화시키기 위해 시트내에서 평형 스트레스(counterbalancing stress)를 생성하기 위해서이거나, 시트내에서 스트레스를 제거하기 위해 제조될 때 이것은 생산 공정 동안 제조자에 의해 취급되는 주의에 큰 부분 기인한다. 따라서, 유리 생산자에 의해 제조된 실질적으로 평면인 유리 시트는 최소의 왜곡을 나타낸다. 그러나, 상기 유리 시트가 디스플레이 생산자 또는 다른 OEM에 의해서 유리 시트가 더욱 제조될 때 이것은 변화될 것이다. 이미 설명한 바와 같이, 상기 OEM은 유리 기판에서 디스플레이 장치를 위한 전기적 소자들을 먼저 놓는 작업단계, 및 하나의 기판상에 상기 소자들이 다른 기판들상에서의 소자들과 정밀하게 배열되도록 둘(또는 그 이상)의 기판들을 배열하는 단계에 직면하게 된다. 최적으로 배열될 때, 기판들은 디스플레이 장치를 형성하기 위해 밀봉될 것이다.

OEM 생산 공정은 유리 생산자에게 구입한 큰 유리 시트들이 최적의 물질 활용도 또는 조작능에 있어서 섹션들, 또는 서브-시트들로 절단되는 것이 종종 요구된다. 이들 서브-시트들은 디스플레이 장치 기판들로서 제공될 수 있다. 그 중에서도 특히, 상기 서브-시트들의 크기는 생산되어야 하는 디스플레이의 특정 형태에 의존한다. 그러나, 일반적으로 서브-시트들은 평행한 대응 에지를 갖는 직사각형이다. 상기 모유리 시트가 서브-시트들로 절단될 때 스트레스-관련 왜곡이 OEM 생산 공정에 영향을 주는 것이다. 유리 시트를 절단하는 것은 서브-시트들의 스트레스가 새로운 평형에 도달하도록 스트레스의 재분포를 초래한다. 이러한 평형은 일반적으로 상기 서브-시트들의 형태 변형-왜곡-에 의해 도달된다.

모유리 시트로부터 절단된 서브-시트들의 왜곡은 3차원일 것이다. 즉, 상기 시트는 모시트의 평면을 가로지르는 워핑(warping) 및 평면 왜곡 모두를 나타낼 것이다. 그러나, 공정동안 OEM은 진공판을 이용하는 것 같이 유리 서브-시트들을 통상적으로 평편화시킨다. 따라서, 상기 OEM에 의해 경험되는 왜곡은 인위적으로 인-플레인 왜곡(in-plane distortion)으로 억제된다. 일단 유리 시트가 절단되면, 예를 들어 서브-시트들의 대응 에지들이 더 이상 평행하지 않도록 상기 시트의 인-플레인 형태는 변화될 것이다. 유리 생산자들이 절단된 서브-시트들에서 왜곡을 예상하기 위해서는, 마찬가지로 억제되어야 하는 유리 시트상에서 왜곡 측정값들을 전달하여 가능한 한 많이 OEM 공정들이 모방되어야 하는 것이 바람직하다.

결합(밀봉)되어야 하는 기판들에서 대응하는 소자들 사이에 2% 정도만의 오프셋이 문제가 되고, 상기 각 소자들이 마이크로미터의 크기 사이즈일 수 있음을 고려하면, 심지어 미세한 왜곡이 디스플레이 OEM에 문제를 일으킬 수 있음을 쉽게 볼 수 있다. 본 발명은 유리 시트에서의 인-플레인 왜곡을 예상하고, 상기 예상된 왜곡을 절감, 최소화 또는 제거하기 위해 유리 생산 공정으로 돌아가서 최종 정보를 주입하고, 따라서 OEM에 의해 수행된 것들과 같이 다운스트림의, 후-형성 공정에서 실제의 서브-시트 왜곡이 경험되어, 후-형성 공정들에서 왜곡을 최소화시키는 방법을 제공한다.

전술한 바와 같이, 유리 생산자들은 평편하여야 하고 바람직하게는 대응 에지들이 평행인 디스플레이 적용 분야용 유리 시트를 형성한다. 그러나, 유리 생산 공정 그 자체내에서 상기 치수적 공차(dimensional tolerance)가 마이크론 범위내로 통상적으로 확장되지 않는다. 또한, 본 발명의 목적인 왜곡의 현상이 모유리시트가 절단된 후에만 측정될 때, 그 자체의 검출 공정이 부정적이며 커다란 유리 시트를 받기 위한 OEM 요구가 필요없다. 알다시피, 모유리시트가 절단된 후에만 미래에 일어나는 왜곡의 직접적인 검출은 유리 생산 단계에서는 불가능하다. 그러나, 유리내에 스트레스, 특히 유리 시트의 에지에서의 스트레스가 더욱 쉽게 측정될 수 있다. 그리고, 이러한 스트레스는 모유리 시트로부터 절단된 서브-시트들에서 왜곡을 예상하기 위해 사용될 것이다.

도 2에 디스플레이 장치의 생산을 위해 바람직한 모유리 시트(38)를 도시하였다. 시트의 각 에지 세그먼트(38); 상부 에지 세그먼트(40); 하부 에지 세그먼트(42); 제1 측면 에지 세그먼트(44); 및 제2 측면 에지 세그먼트(46)가 도시되어 있다. 절단선(48)이 도시되고 OEM은 취급가능한 크기들로 모시트(38)를 절단하는 위치를 나타내며, 따라서 예로서 두 서브-시트들(50, 52)를 형성하게 된다. 물론, 상기 OEM은 다양한 다른 방법들로 상기 시트를 나누어, 적용분야에 따라 다수의 서브-시트들을 제조하고, 최소의 두 서브-시트들로의 모유리시트의 분할은 단지 설명을 위한 목적으로 예시된다.

도 3은 모유리시트(38)를 절단한 후에 형성된 서브-시트를 도시한 것이며, 왜곡이 없는 경우에서의 서브-시트의 아웃라인으로 오버랩되어 도시되었다. 도 3에서, 서브-시트(50)의 왜곡없는 아웃라인은 점선에 의해 도시되며, 도 2에서 도시한 설계를 유지하면서 참조번호 50으로 나타내고, 절단 후에 실제의 왜곡된 서브-시트는 실선 및 참조번호 50'로 명시되었다. 도시된 바와 같이, 서브-시트(50)는 모유리시트(38)로부터 절단된 후에 최소의 인-플레인 만곡(in-plane curvature, 도면에서 비정상적으로 확장된)을 나타낸다. 물론, 서브-시트(50)는 예로서 배럴 왜곡(barrel distortion)과 같은, 다양한 다른 형태들로 가정될 수 있다. 그러나, 도 3에 도시된 만곡된, 인-플레인 왜곡은 모시트로부터 절단된 후에 서브-시트의 실제 형태에 대한 한계를 가정하지 않고, 본 발명을 설명하기 위해 사용될 것이다.

기대하는 바와 같이, 왜곡을 나타내는 두 서브-시트들에 디스플레이 소자들을 배열하는 것은 특히 두 서브-시트들이 다르다면 문제가 들어날 것이다. 서브-시트(50)에 의해 나타나는 왜곡은 예를 들어 서브-시트(50)상에서 예정된 지점 및 절단된 서브-시트에서 왜곡으로 인해 서브-시트(50)를 지시하는 대응의 실제 위치 사이의 거리에 의해 나타날 것이다. 설명을 위해, 서브-시트의 하나 또는 그 이상의 코너 포인트들을 선택하고, 상기 코너 포인트들이 절단후에 얻어져야 하는(또는 바람직하게 되는) 지점과 절단후에 실제 생기는 코너 포인트들 사이의 거리를 측정한다. 따라서, 일예로서, 서브-시트(50)의 왜곡은 A 및 A', B 및 B', C 및 C', D 및 D' 지점 사이에서 벡터 거리(또는 오프셋)로 나타내어진다. 이 오프셋이 왜곡을 나타낸다. 물론, 정밀하게 상기 위치에서 절단된 서브-시트를 재배치하는 것은 모유리시트의 일부가 왜곡이 없다면 충분히 어려울 것이다. 절단으로 인해 서브-시트가 왜곡되는 경우에, 왜곡의 정확한 반영이 얻어질 수 있도록 오프셋을 최소화하는, 절단 후의 위치에 서브-시트를 배치하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 구체예에서, (x'들의 배열과 같은) 수탁 마크(fiduciary marks, 54)의 형태에서 표식으로 마크된 모시트(38)는, 모유리시트(38)의 수탁 마크(54)가 도 4에 도시된 바와 같이 테이블 수탁 마크(58)로부터 오프셋(선형적으로 변환)되도록 대응하는 수탁 마크(58)를 갖는 평면의 측정 테이블(56)에서 위치될 것이다. 측정 테이블(56)이 측정되는 유리 시트(38)에 유사한 열팽창 특성을 갖는 것이 바람직하다. 상기 모유리시트 수탁 마크(54)가 측정 테이블 수탁 마크(58)로부터 x, y 방향들로 미세하게 오프셋되도록 모유리시트(38)는 상기 테이블 상에 배치된다. 그 후 상기 모유리시트 및 측정 테이블은 (도시되지 않은) 고해상 화상 시스템과 X 및 Y 오프셋을 정량하기 위해 분석된 이미지(또는 이미지들)로 이미지화되고, 예를 들어 도 6에 도시된 예에서 선의 간격은 x-방향으로의 거리, y-방향으로의 거리를 나타내며, R은 두 수탁 마크들 사이에서 직접적인 거리를 나타낸다. 다음으로, 모유리시트(38)는 절단되고, 복수의 서브-시트들을 제조한다. 각 서브-시트는 상기 테이블상에서 대체되며, 재이미지화되고, 테이블과 서브-시트 수탁 마크들 사이의 오프셋이 수학적으로 최소화된다. 또한, 전술한 바와 같이, 상기 서브-시트를 평편화하여 인-플레인 왜곡에서 서브-시트에 의해 나타내는 왜곡을 억제하는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 예로서 상기 측정 테이블이 진공판의 형태라면 이것은 쉽게 수행될 것이다. 상기 서브-시트가 실질적으로 평면화되도록 억제되기 때문에, 상기 테이블 수탁 마크들로부터 상기 서브-시트상에서 각 수탁 마크의 오프셋이 상기 오프셋을 최소화시키는데 사용되는 통상적인 코디네이트 시스템 변형 및 간단한 변환적이고 회전적인 소자들로 절단될 수 있다. 상기 계산적인 최소화는 컴퓨터의 정확도로 수행될 것이다. 간단한 스프레드시트 계산이 필요하다. 물론, 종래에 알려진 바와 같이, 위치 및 위치의 변화들을 측정하는 다른 방법 또한 사용될 것이다.

서브-시트(50')의 왜곡은 서브-시트에 있어서 대표적인 왜곡을 선택하고, 계산하거나 그렇지 않으면 결정하여 더욱 대표될 것이다. 예를 들어, 전술한 지점들 사이에서 측정된 오프셋들의 가장 큰 값이 대표적인 왜곡으로서 선택될 것이다. 따라서, 예를 들어, A-A' 변위는 0.1mm, B-B' 변위는 0.25mm, C-C' 변위는 0.15mm 및 D-D' 변위는 0.075mm인 서브-시트에서, 상기 서브-시트는 B-B' 사이-가장 큰 변위에 대응하는, 인-플레인 왜곡의 0.25mm를 나타내게 된다. 개별적인 OEM들은 왜곡의 그들에 속한 정의에 적용되어야 하고, 예상되는 왜곡 모델의 발전동안 계산되어야 한다. 즉, 서브-시트의 코너들에 연관된 왜곡을 수반하여 설명되는 방법 및 최대값을 선택하는 방법은 본 구체예에 따라 왜곡을 정의하는 하나의 방법이다.

서브-시트의 중심의 변위, 또는 모든 다른 점의 변위, 또는 서브-시트 상에서의 일련의 점들에서의 변위에서와 같이 쉽게 왜곡을 정의할 수 있다. 예를 들어, OEM은 서브-시트상에서 다중 디스플레이 장치로부터 소자들을 배치할 것이고, OEM에 의해 적용되는 왜곡의 정의는 더 큰 왜곡의 해상도와 같은 더욱 정제된 정의를 적용하여 계산된다. 이것은 계산된 지점-대-지점의 연결된 오프셋 거리들의 수를 간단하게 증가시켜 실시할 수 있다. 또한, 왜곡은 최대의 측정 왜곡을 선택할 뿐만 아니라, 개별적인 측정된 왜곡들로부터 왜곡값을 계산하여 나타낼 것이다. 예를 들어, 서브-시트의 대표적인 왜곡은 개별적으로 측정된 왜곡들의 평균일 것이다. 서브-시트들에 있어서 적절한 왜곡의 대표성은 개별적인 OEM의 필요성들에 크게 의존한다.

하나 또는 그 이상의 디스플레이 장치에 있어서 마주하고 대응하는 디스플레이 소자들을 갖는 기판들(예를 들어, 서브-시트들)을 배열하기 위해, OEM은 통상적으로 기판이 결합될 때 소자의 오프셋을 최소화하기 위해 전술한 바와 같이 최적화 루틴(optimization routine)을 사용할 것이다. 상기 최적의 루틴은 일반적으로 특정한 OEM에 속한다.

위에서 설명한 바와 같이, 본 발명자들은 어떻게 유리 서브-시트에서 허용가능한 왜곡이 상기 모유리시트 생산 공정에서 중요한 고려사항이 되는지를 쉽게 볼 수 있었다. 이와 동시에 OEM에 의해 절단된 유리 패널의 앞으로의 왜곡의 직접적인 측정이 유리 생산자들에게 근본적인 딜레마로 남음도 명백하다.

본 발명의 구체예에 따라, 스트레스는 모유리시트(38)의 각 에지 세그먼트를 따라 측정된다. 상기 스트레스 측정으로부터 유도된 스트레스 데이터는 도 6을 참조하고 후술하는 설명에 일치하는 방법으로 분석된다. 여기서 "일치하는"의 의미는, 본 발명에 따른 방법의 이해를 돕기 위해 그래픽적으로 도시하고 설명하였지만, 컴퓨터 장치(예를 들어, 데스크탑 컴퓨터 등)에 의해 컴퓨터적으로 자체분석이 실시됨을 의미한다.

도 6은 유리 시트(38)의 상부 에지 세그먼트(40)(에지를 따라 거리 x의 함수에 대한 스트레스)를 따라 스트레스의 바람직한 분포(스트레스 곡선)(60)를 도시한 것이다. 각 에지 세그먼트의 말단에서의 스트레스가 0이고, 유리 시트(38)의 코너에 대응함을 주의한다. 도 6이 모든 인장(수동) 스트레스 분포를 도시함에도 불구하고, 상기 스트레스는 압축적(네가티브), 인장 또는 둘 모두일 것이다. 스트레스가 압축, 인장 또는 둘 모두인지 아닌지에 상관없이, 스트레스의 최대 절대값인

는 곡선 60에서 확인되었다. 2차곡선(62)은 곡선(60)의 스트레스 데이터에 일치된다. 에지 세그먼트(40)의 모든 말단들에서 2차 곡선(62)이 0을 통과함을 주의한다. 2차 곡선(62)의 최대 절대값

이 결정된다. 계속하여, 2차 곡선(62)은 스트레스 곡선(60)에서 빼서 최종적인 "웨이브(wavy)"가 되거나, 원래 에지 스트레스 곡선(60)의 변화 소자를 나타내는 차이 곡선(64)이 된다. 차이 곡선의 진폭 범위의 절대값인,

이 계속해서 결정된다. 마지막으로, 차이 곡선(64)은 하기 수학식 1의 형태로 푸리에 진폭 및 하모닉 항으로서 정의된다:

여기서, F(x)는 모든 x 위치에서 차이 곡선 데이터에 어림셈을 산출하며;

μ는 상기 차이 곡선 데이터의 평균이고;

α_i는 i번째 푸리에 주파수 i^th Fourier frequency (i = 1 to k)의 진폭이며;

k는 바람직한 항의 수이며;

x는 각 차이 곡선점에 있어서 에지 세그먼트를 따른 위치이고;

φ_i는 i번째의 상 전이이다. 통상적으로, 맨 처음 4개의 진폭 항,

내지

가 선택된다(그리고, k=4). 4개 이상의 항들이 사용될 때, 상당히 결과에 영향을 미치지 않는다.

상부 에지 세그먼트(40)에 있어서와 같이, 유사한 계산이 하부 에지 세그먼트(42)에 있어서 실시되고, 추가적인 하부 스트레스 곡선 절대 최대값

, 하부 2차 절대 최대값

, 차이 곡선 절대 진폭범위

, 및 진폭 항

내지

을 초래한다. 도 4에 하부 소자들은 도시되어 있지 않다. 추가적으로,

및

의 가장 큰 값

가 결정되고, 뿐만 아니라 평균

가 결정된다.

또한, 스트레스 분포는 제1 및 제2의 측면 에지 44, 46에서 측정되어, 상부 및 하부 에지들에 있어서 측면 에지에 대한 마찬가지의 스트레스 곡선들(스트레스 분포들)이 측정된다. 그러나, 측면 에지들에 있어서, 절대 최대 스트레스 값

,

에만 제1 및 제2의 측면 스트레스 분포들의 각각에 있어서 결정된다.

전술한 계산으로부터 초래된 스트레스 데이터; 상부 및 하부 에지 세그먼트

,

에서 스트레스의 최대 절대값; 상부 및 하부 2차 곡선

및

최대 절대값; 2차 곡선의 최대 절대값

, 2차 곡선 최대의 평균 절대값

, 상부 및 하부 차이 곡선들의 진폭 범위

,

; 상부 차이 곡선

내지

의 첫 번째 4개의 진폭 소자들; 하부 차이 곡선

내지

의 첫 번째 4개의 진폭 소자들; 및 제1 및 제2 측면 에지로부터 스트레스 분포의 최대 절대값

,

.

전술한 분석 동안 결정된 18 변수들은 18 변수들과 18 상관계수를 연결하고, 측정된 왜곡에 18 연결된 항들을 계산하여 모유리시트로부터 절단된 서브-시트의 실제 측정된 왜곡과 관련된다. 상기 측정된 왜곡을 얻기 위해, 에지 스트레스에 있어서 이전에 측정된 모유리시트가 서브-시트들로 절단되고, 복수의 왜곡들이 각 서 브-시트에 있어서 측정된다. 예를 들어, 전술한 바와 같이, 최대 코너 오프셋이 선택될 것이다. 그러나, 왜곡이 절단 패턴의 함수(예를 들어, 서브-시트들의 크기)이기 때문에, 사용된 유리 형성 장치들로부터 형성된 유리 시트들의 예상된 왜곡이 구매자(예를 들어, OEM)에 의해 궁극적으로 사용될 것이라면, 상기 시트는 특정 OEM이 유리를 절단하고, 상기 방법에서 계산된 왜곡(예를 들어, 오프셋)이 왜곡을 계산하는 방법에 따라 절단되어야 한다. 이것은 OEM이 유리를 만들기 위해 사용하는데 의존한다. 예를 들어, 많은 OEM은 단일의 서브-시트상에서 다중 디스플레이를 위한 소자를 배치시켜서 서브-시트 자체의 코너보다 오히려 서브-시트상에서 배열되는 것 같이 왜곡을 측정하기 위해 선택될 것이다. 모든 경우에서, 상기 모유리시트가 절단되면, 복수의 왜곡 측정값은 절단 전에 모유리시트상에서 한 지점과 절단 후의 각각의 서브-시트상에서 동일한 지점 사이의 오프셋을 포함하여 형성되고, 상기 서브-시트 왜곡 측정값들의 적어도 하나(즉, 오프셋)가 상기 서브-시트에 있어서 대표 오프셋을 결정하는데 사용된다. 이것이 각 서브시트에 있어서 실행된다.

각 서브-시트에 있어서 대표 왜곡이 예를 들어 최대 측정된 왜곡으로서 결정되거나, 대표 왜곡이 측정된 왜곡들의 평균값과 같이, 측정된 왜곡으로부터 유도된 다른 값일 것이다. 대부분의 경우, 최악의 경우의 선택이 왜곡 스펙(specification)에 도달하면서 생산자들에게 더 큰 보호를 제공하는 것과 같이, 주어진 서브-시트에 있어서 측정된 왜곡의 최대값이 선택된다.

대표 왜곡이 각 서브-시트에 있어서 결정될 때, 총체적으로 서브-시트들의 콜렉션(collection)의 대표적 왜곡이 상기 모시트의 대표 왜곡 δ_meas 으로서 결정되고 지정된다. 각 서브-시트의 경우에 있어서, 서브-시트들의 콜렉션에 있어서 대표 왜곡은 다양한 방법들에서 결정될 것이다. 그러나, 일반적으로 서브-시트들의 콜렉션의 대표적인 왜곡(예를 들어, 모유리시트로부터 절단된 모든 서브-시트들)은 일반적으로 각 개별 서브-시트에 있어서 대표 왜곡들의 가장 큰(최대) 값으로서 결정된다.

전술한 바와 같이, 하기 수학식 2에 전술한 분석으로부터 얻어지는 방정식이 18항으로 이루어지며, 하기와 같이 δ_meas 로 표시되었다.

상관계수 M₁ 내지 M₁₈은 통상적인 다변수 부분적 최소 제곱 회귀(a conventional multivariate partial least squares regression)를 실시하여 결정된다. 전술한 분야에 있어서, 단일 응답, 왜곡(㎛)이 사용되었다. PLS는 예정장치가 매우 공선적(collinear, 즉 pair-wise correlated)이거나 관찰보다 많은 예정장치들이 있을 때 특히 유용하다. 전술한 집적 모델(integrated model)에서 모든 예정장치들이 동일한 주변의 스트레스 데이터의 다른 관점들을 대표하기 때문에, 상기 데이터는 종종 상관되는 것이다. 최소제곱법(ordinary least squares regression, OLS)을 이용하는 것은 높은 표준 에러들(즉, 모델에서 특정 계수값 주변의 높은 불확실성)을 갖는 계수들을 생산할 것이다. PLS는 설정된 비상관소자들까지 예정장치들의 수를 감소시키고, 이들 소자들에서 최소제곱법을 수행한다. PLS은 개념적으로는 추출되는 성분들이 응답으로 얻어지는 주성분회귀(principal component regression, PCR)와는 다르고, 즉 그것은 응답에 대한 최대 상관관계를 제공하여 얻어진다. 상기 예정장치들이 연관되지 않는 경우에, PLS는 종종 계수값에 따른 OLS와 같은 결과를 제공한다.

전술한 바와 같이, 상기 수학식 2의 오른쪽 함수의 18항은 주어진 모유리시트로부터 절단될 때 나타날 예정된 크기 및 형태의 서브-시트들의 왜곡의 양을 예상하는데 사용될 수 있다. 이 경우에, 상기 18항들이 유리의 주어진 모시트에 있어서 에지 스트레스 데이터에 기초한 설명에 따라 결정되고, 상기 측정된 왜곡값을 대체하여 최대 왜곡 값이 계산된다. 즉, δ_meas는 상기 수학식 2에서 δ_Pmax로 대체된다. 결과적으로, 예를 들어 모유리시트에서 최대 예상 왜곡값을 계산하고 가정한다면, 모시트로부터 절단된 서브-시트에 의해 나타나도록 예상될 수 있는 최대 왜곡을 효과적으로 설명할 수 있다.

전술한 바와 같이, 왜곡의 정의, 즉, 얼마의 왜곡이 측정되는가는, 특정 OEM에 의해 결정되거나 유리 생산자들에 의해 선택될 것이다. 전술한 방법에 따라 분석된 유리시트에 따라 생산되고 상기 형성 장치를 통해 인발된 유리 시트는 이전의 분석 동안 얻어지는 계수들을 이용하여 연속적인 모유리 시트들에 있어서 예정된 왜곡을 결정하는데 적용되는 본 발명에 따른 스트레스 및 분석에 있어서 측정될 것이다. 그 후 상기 생산 공정은 예상된 왜곡에 대한 응답에서 변형될 것이다. 예를 들어, 전술한 바와 같이 용해 장치로부터 인발된 유리 리본(glass ribbon)은 예정된 냉각스켐(a pre-determined cooling scheme)하에 놓이고, 여기서 유리 리본의 온도(모유리시트로부터 절단된)는 유리의 온도(또는 점도) 및/또는 리본의 폭에 따른 위치의 함수로서 변화한다. 용해 다운드로우 공정에서, 이것은 형성 웨지(10)의 루트(22)로부터 거리의 함수로서 통상적으로 취해진다. 인터베이션을 조정하는 상기 온도(temperature modifying intervention)에 있어서 특히 효과적인 영역은 루트(22)와 당김 롤(34) 사이이며, 이 영역은 통상적으로 유리가 점성 액체로부터 탄성 고체로의 변이의 연속 부분을 견뎌내는 영역이다. 따라서, 완성된 모유리시트에 존재하는 많은 스트레스가 유리로 냉각되는 영역이 된다. 이러한 시도는 예를 들어 미국특허출원 제11/233,565호에 기재되어 있다. 그러나, 유리 온도의 조정은 형성 웨지의 형성 표면들(18 및/또는 20) 상에서 뿐만 아니라 당김 롤들 아래에서 효과적이다.

본 구체예에 따라서, 상기 수학식 2의 항은 예정된 왜곡의 매그니튜드(magnitude)에 대한 상당한 기여를 결정하도록 실험될 것이다. 따라서, 유리 제조 및 형성 공정들은 예정된 왜곡을 줄이기 위해 변형될 것이고, 필요에 따라 인발될 때 유리 리본의 냉각 및/또는 가열 스켐을 변화시킴으로써 변형될 것이다. 예정된 왜곡과 관련하여 공지의 방법들에 있어서 변조될 수 있는 다른 공정변수들은 시트 드로우(sheet draw) 또는 당김 속도, 인발장력(draw tension), 및 이소파이프/ 유리 온도를 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.

더욱 정확한 왜곡의 예상을 위해서, 필연적인 공정의 변화 결과를 켑쳐하기 위해 주어진 시간 동안 복수의 모유리 시트에 있어서 후술하는 스트레스 분석이 수행될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 몇 일 또는 몇 주 동안 데일리 베이스로 다중 모유리시트들 상에서 본 발명에 따라 분석을 실시할 것이다. 단일의 대표 예상 모델을 얻기 위해(상기 수학식 2) 평균화와 같은, 이들 다중 측정값들의 결과들이 결합될 수 있다.

에지 스트레스 측정과 관련하여, 상기 분석이 설명되는 동안, 스트레스가 각 에지 세그먼트를 따라 선형적이지 않으며 유리 시트의 길이 및 폭을 따라서 측정되는데 있어서 예를 들어, 상기 시트의 중심영역(즉, 상기 시트 에지의 내부) 내의 복수의 지점들에서, 또는 코너에서 대각선으로 대칭인 코너까지 대각선적으로와 같을 때 2차원의 스트레스 측정값들이 사용될 것이다. 그러나, 2차원 시도는 적어도 하기 이유들에 의해 덜 바람직하다: 1) 전체 시트 스트레스 측정이 에지 스트레스 측정보다 많은 시간이 소비되고; 2) 에지 스트레스보다 내부 스트레스를 측정하는데 요구되는 측정능력이 더욱 크다.

예상된 왜곡값이 종래에 공지인 방법에서 조절 변수를 생산하는데 사용될 수 있음 당업자에게는 명백할 것이다. 따라서, 조정 한계들은 예상된 왜곡 값 및 이들 한계내에서 유리 시트 제조 공정상에 둔다. 예를 들어, 상기 예상되는 최대 왜곡은 0 내지 6㎛의 값(예를 들어, 0㎛≤δ_Pmax≤6㎛)으로 조절될 것이다. 상기 수학식 2에 서 사용되는 스트레스 데이터가 절대값이고 따라서 수동값이기 때문에, 예상되는 왜곡값은 포지티브이고, 따라서 ≤6㎛와 같은 0 내지 6㎛의 범위이다. 또한, 적합한 목표 왜곡은 주어진 변화를 갖는 예정된 왜곡, 예를 들어 2㎛±1㎛일 것이다. 생산 한계에 대해 중량될 때, 예상되는 왜곡값들은 전술한 바와 같이 유리 시트 생산 공정을 조절하기 위해 피드백 메카니즘에서 사용될 수 있다.

예상되는 왜곡값은 OEM 및 유리 생산자들 사이에서의 유리 시트의 무역 및 상업에서 제품 스펙으로서 더욱 사용될 수 있다. 예를 들어, 주어진 모유리시트에 있어서 예상되는 최대 왜곡은 상기 시트에 대하여 통과/실패의 임계로서 최대 왜곡의 예상값과 비교된다. 예를 들어, 예상되는 통과/실패 임계값은 δ_Pmax ≤2㎛로 설정된다. 당업계에서 알려진 바와 같이, 통계학적 샘플링 방법은 통과/실패의 한계에 대항하여 수행력을 결정하기 위해 스트레스에 대해 측정되는 개별적인 유리 시트들보다 오히려 유리 시트들의 모집군이 샘플화되도록 적용될 수 있다.

종래 알려진 바와 같이 모델 수행력을 평가하기 위해 모델 잔류(실제 - 예상값)이 사용될 수 있음은 당업자에게 명백하다. 따라서, 조절한계들이 0의 중심선에 대하여 잔류값에 놓여진다. 모델 수행력은 조절한계들내에서 도시된 잔류가 유지되고 비-랜덤한 패턴들이 시간내에 검출되지 않으면 만족한다.

전술한 설명이 유리 시트를 제조하는데 있어서 용해 다운드로우 방법의 내용으로 설명하였지만, 본 발명은 업드로우 및 플로우트 방법을 포함하는 다른 유리 시트 형성 공정들에 적용될 수 있고, 이에 한정되지 않는다.

본 발명의 전술한 구체예들, 특히 모든 바람직한 구체예들은 본 발명의 원리를 명확히 이해하기 위해 예시된 것이다. 본 발명의 요지를 변경하지 않는 범위내에서 다양한 변형이 가능하다.

Claims

유리 시트 제조 공정에서 유리 시트를 형성하는 단계;

상기 유리 시트에 있어서 복수의 스트레스 데이터를 구하는 단계;

상기 스트레스 데이터로부터 유리 시트에 대한 예상되는 왜곡을 결정하는 단계; 및

상기 예상된 왜곡에 대하여 유리 시트 제조 공정을 변경하는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 시트에서 왜곡을 최소화시키는 방법.
제1항에 있어서, 상기 유리 시트는 복수의 에지 세그먼트를 포함하고, 복수의 스트레스 데이터를 얻는 단계는 각 에지 세그먼트를 따라 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 예상되는 왜곡을 결정하는 단계는 상기 유리 시트를 복수의 서브-시트로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제2항에 있어서, 상기 방법은 적어도 하나의 에지 세그먼트에 있어서 측정된 스트레스에 대한 2차 곡선을 핏팅하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제4항에 있어서, 상기 방법은 차이 곡선을 얻기 위해 측정된 스트레스로부터 상기 2차 곡선을 빼는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제5항에 있어서, 상기 방법은 상기 차이 곡선을 디컨벌빙하는 단계 및 상기 차이 곡선에 있어서 진폭 성분들을 얻기 위한 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제3항에 있어서, 상기 방법은 각 서브-시트에 있어서 대표 왜곡을 결정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제7항에 있어서, 상기 각 서브-시트에 있어서의 대표 왜곡은 각 서브-시트의 최대 왜곡인 것을 특징으로 하는 방법.
제7항에 있어서, 상기 방법은 각 서브-시트에 있어서의 대표 왜곡으로부터 모든 서브-시트들의 왜곡을 대표하는 왜곡을 결정하는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제1항에 있어서, 상기 예상되는 왜곡은 최대 예상 왜곡인 것을 특징으로 하는 방법.
유리 생산 공정에서 복수의 에지 세그먼트를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계;

상기 유리 시트에 있어서 복수의 스트레스 데이터를 얻는 단계;

상기 유리 시트를 서브-시트들로 절단하는 단계;

각 서브-시트에 있어서 대표 왜곡을 결정하는 단계;

각 서브-시트에 있어서의 대표 왜곡으로부터 복수의 서브-시트들의 대표적인 왜곡을 결정하는 단계;

상기 복수의 서브-시트들을 대표하는 왜곡과 상기 스트레스 데이터를 상관시키는 단계;

상기 유리 생산 공정으로부터 형성된 연속 유리 시트에서 왜곡을 예상하기 위해 상기 상관관계를 이용하는 단계; 및

상기 예상된 왜곡에 대하여 유리 제조 공정을 변경시키는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 시트에서 왜곡을 최소화시키는 방법.
제11항에 있어서, 상기 각 서브-시트에 있어서 대표 왜곡을 결정하는 단계는 각 서브-시트에 있어서 복수의 왜곡 값들의 최대값을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제12항에 있어서, 상기 복수의 서브-시트들의 대표 왜곡을 결정하는 단계는 각 서브-시트들의 대표적인 왜곡 값들의 최대 값을 선택하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제11항에 있어서, 상기 유리 생산 공정은 인발 공정인 것을 특징으로 하는 방법.
유리 생산 공정에서 실질적으로 평면이고 복수의 에지 세그먼트를 포함하는 유리 시트를 형성하는 단계;

각 에지 세그먼트를 따라 스트레스를 측정하는 단계;

상기 유리 시트를 서브-시트들로 절단하는 단계;

각 서브-시트에 있어서 최대 왜곡을 결정하는 단계;

최대 왜곡들의 가장 큰 값을 선택하는 단계;

가장 큰 최대 왜곡 값과 상기 측정된 에지 스트레스 데이터를 상관시키는 단계;

상기 유리 생산 공정으로부터 형성된 연속 유리 시트에서 상기 에지 스트레스를 측정하는 단계;

상기 연속 유리 시트에서 최대 왜곡을 예상하는 단계; 및

상기 예상된 최대 왜곡에 대하여 유리 생산 공정을 변경시키는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 유리 시트에서 왜곡을 최소화시키는 방법.
제15항에 있어서, 상기 상관 단계는 상기 에지 세그먼트들의 적어도 하나에 있어서 측정된 스트레스로부터 복수의 스트레스 성분들을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제16항에 있어서, 복수의 스트레스 성분들을 결정하는 단계는 적어도 하나의 에지 세그먼트에 있어서 측정된 스트레스 데이터에 2차 곡선을 핏팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제17항에 있어서, 상기 방법은 차이 곡선을 얻기 위해 적어도 하나의 에지 세그먼트에 있어서 측정된 스트레스 데이터로부터 상기 2차 곡선을 빼는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제18항에 있어서, 상기 방법은 상기 차이 곡선의 진폭 성분들을 얻기 위해 차이 곡선을 디컨벌빙시키는 단계를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제15항에 있어서, 각 서브-시트에 있어서 최대 왜곡을 결정하는 단계는 유리 시트 상에서의 표시 및 각 서브-시트상에서의 표시 사이에서 오프셋을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.