KR20080095782A - 광픽업 장치 - Google Patents

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KR20080095782A
KR20080095782A KR1020080037481A KR20080037481A KR20080095782A KR 20080095782 A KR20080095782 A KR 20080095782A KR 1020080037481 A KR1020080037481 A KR 1020080037481A KR 20080037481 A KR20080037481 A KR 20080037481A KR 20080095782 A KR20080095782 A KR 20080095782A
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laser light
beam splitter
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laser
light source
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KR1020080037481A
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야스유끼 가노오
사또미 오오스기
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산요덴키가부시키가이샤
산요 옵테크 디자인 가부시끼가이샤
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Abstract

제1 및 제2 대물 렌즈에 레이저광을 유도하는 수단으로서, 1/4 파장판과 편광 빔 스플리터를 이용한다. 편광 빔 스플리터에 원편광으로 입사된 레이저광 중, 반은 S 편광 성분으로서 편광 빔 스플리터에 의해 반사되어 제1 대물 렌즈로 유도되고, 나머지 반은 P 편광 성분으로서 편광 빔 스플리터를 투과하여 제2 대물 렌즈로 유도된다. 제1 및 제2 대물 렌즈를 경유한 디스크로부터의 반사광은 대략 전체 광량이 편광 빔 스플리터를 통과한다. 따라서, 광검출기로 유도되는 레이저광의 광량을 높일 수 있다.
Figure P1020080037481
광픽업 장치, 대물 렌즈, 편광 빔 스플리터, 광 검출기, 1/4 파장판

Description

광픽업 장치 {LIGHT PICK-UP DEVICE}
본 발명은 광픽업 장치에 관한 것으로, 특히 복수의 대물 렌즈로 이종의 디스크에 레이저광을 조사할 때에 이용하기 적합한 것이다.
디스크의 다양화에 수반하여 이종의 디스크에 레이저광을 조사하는 호환형의 광픽업 장치가 개발되어 있다. 이러한 종류의 광픽업 장치 중, 블루레이 디스크(이하, 「BD」라고 함)와 HD DVD(High－Definition Digital Versatile Disc, 이하, 「HD」라고 함)에 대응하는 광픽업 장치에서는 이들 디스크의 커버 두께 및 대물 렌즈의 NA(개구 수)가 상이하므로, 각 디스크에 대응하는 2개의 대물 렌즈가 탑재되어 있다. 이 경우, 사용 레이저광의 파장대가 동일하므로, 비용 내지 구성의 간소화의 면으로부터는, 1개의 반도체 레이저를 광원으로서 공용하여 반도체 레이저로부터의 레이저광을 각 대물 렌즈로 나누어 보내도록 구성하는 것이 바람직하다.
1개의 반도체 레이저로부터 출사된 레이저광을 2개의 대물 렌즈로 나누어 보내기 위해, 액정 셀과 편광 빔 스플리터를 이용할 수 있다. 즉, 액정 셀에 의해 레이저광의 편광 방향이 편광 빔 스플리터에 대해 P 편광과 S 편광 중 어느 하나로 변화된다. P 편광으로 된 경우, 레이저광은 편광 빔 스플리터를 투과하여 제1 대 물 렌즈로 유도되고, S 편광으로 된 경우, 레이저광은 편광 빔 스플리터에 의해 반사되어 레이저광이 제1 대물 렌즈로 유도된다. 이 밖에, 1/2 파장판을 편광 빔 스플리터의 전단에 배치하여 이를 광로 중에 삽입 분리함으로써, 레이저광을 2개의 대물 렌즈로 나누어 보내도록 구성할 수도 있다.
그러나, 상술한 액정 셀을 이용하는 구성에서는 액정 셀의 비용에 의해 광픽업 장치의 비용이 상승하고, 또한 액정 셀의 구동 수단이 필요해지는 만큼 광픽업 장치의 구성 및 제어가 복잡화된다는 문제가 발생한다. 또한, 상술한 1/2 파장판을 삽입 분리시키는 구성에 있어서도, 1/2 파장판을 구동하는 구성이 필요해져, 그만큼 광픽업 장치의 구성 및 제어가 복잡화된다는 문제가 발생한다.
호환형의 광픽업 장치를 기록용으로 이용하는 경우에는 디스크 조사 시의 레이저광 강도를 확보하기 위해, 반도체 레이저로부터의 레이저광을 대응하는 대물 렌즈로만 유도하는 것이 바람직하다. 그러나, 호환형의 광픽업 장치를 재생용으로 이용하는 경우에는 디스크 조사 시의 레이저광 강도가 재생 가능할 정도의 것으로 충분하므로, 레이저광을 양쪽 대물 렌즈로 동시에 유도하는 구성으로 할 수도 있다. 그러나, 이 경우에도 재생 신호나 포커스 에러 신호 및 트랙킹 에러 신호에 있어서의 S/N을 확보하는 관점에서, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기로 유도되는 레이저광의 광량비를 소정치 이상으로 유지할 필요가 있다.
도11은 1개의 대물 렌즈를 탑재하는 광픽업 장치의 구성예를 나타내는 도면 이다. 반도체 레이저(51)로부터 출사된 레이저광은 회절 격자(52)에 의해 3 빔으로 된 후, 무편광 미러(53)에서 분광되어 90 ％가 콜리메이터 렌즈(54)측으로 반사된다. 그 후, 레이저광은 콜리메이터 렌즈(54)에서 평행광으로 되고, 또한 반사 미러(55)에서 반사되어 대물 렌즈(56)에 입사하여 디스크 상에 집광된다. 디스크에 의해 반사된 레이저광은 반사 미러(55)에서 반사되어 콜리메이터 렌즈(54)에 의해 수렴광이 된다. 그 후, 무편광 미러(53)에서 분광되어 반도체 레이저(51) 출사 시의 광량의 9 ％의 레이저광이 광검출기(57)에 집광된다.
본 구성예에서는 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(57)로 유도되는 레이저광의 광량비는 10 : 1이다(단, 각 광학 부품, 디스크의 투과율/반사율은 포함되어 있지 않음).
도12는 2개의 대물 렌즈를 탑재하는 광픽업 장치의 구성예를 나타내는 도면이다. 본 구성예에서는 레이저광을 2개의 대물 렌즈(62, 64)로 분광하는 수단으로서, 하프 미러 프리즘(61)이 사용되고 있다. 반도체 레이저(51)로부터 출사된 레이저광은 회절 격자(52)에 의해 3 빔으로 된 후, 무편광 미러(53)에서 분광되어 90 ％가 콜리메이터 렌즈(54)측으로 반사된다. 그 후, 레이저광은 콜리메이터 렌즈(54)에서 평행광으로 되고, 또한 하프 미러 프리즘(61)에서 반이 반사되어 제1 대물 렌즈(62)를 통해 디스크 상에 집광된다. 한편, 하프 미러 프리즘(61)을 투과한 레이저광은 반사 미러(63)에서 반사되어 제2 대물 렌즈(64)를 통해 디스크 상에 집광된다. 이 경우, 제1 및 제2 대물 렌즈(62, 64)를 통해 디스크에 조사되는 레이저광의 광량은 반도체 레이저(51)로부터 출사되었을 때의 레이저광의 광량의 45 ％이다.
디스크에 의해 반사된 레이저광은 반사 미러(63) 및 하프 미러 프리즘(61)에서 반사된다. 이때, 레이저광은 하프 미러 프리즘(61)에 의해 광량이 반으로 감소된다. 그 후, 콜리메이터 렌즈(54)에 의해 수렴광으로 되고, 또한 무편광 미러(53)에서 분광된다. 그 결과, 광검출기(57)에는 반도체 레이저(51) 출사 시의 광량의 2.25 ％의 레이저광이 집광된다.
본 구성예에서는, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(57)로 유도되는 레이저광의 광량비는 20 : 1이 된다(단, 각 광학 부품, 디스크의 투과율/반사율은 포함되어 있지 않음).
이와 같이, 2개의 대물 렌즈로의 분광 수단으로서 하프 미러 프리즘(61)을 이용하면, 왕로와 귀로에서 각각 50 ％가 감광되므로, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(57)로 유도되는 레이저광의 광량비가 종래의 반(20 : 1)으로 저하되어 버린다. 이로 인해, 광검출기(57)로부터 출력되는 신호의 S/N을 재생하기에 충분한 것으로 할 수 없다.
본 발명의 제1 국면의 광픽업 장치는 소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과, 상기 레이저광을 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와, 상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와, 상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이에 배치되어 상기 레이저광을 원편광으로 상기 빔 스플리터에 입사시키는 1/4 파장판을 갖는다.
본 발명의 제2 국면의 광픽업 장치는 소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과, 상기 레이저광을 기록 매체 상에 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와, 상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와, 상기 편광 빔 스플리터와 상기 제1 및 제2 대물 렌즈 사이의 광로에 각각 배치된 제1 및 제2 1/4 파장판과, 상기 기록 매체에 의해 반사되어 상기 편광 빔 스플리터를 경유한 상기 레이저광을 수광하는 광검출기와, 상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이에 배치되어 상기 레이저광을 원편광으로 상기 빔 스플리터에 입사시키는 1/4 파장판을 갖는다.
제1 및 제2 국면의 광픽업 장치에 따르면, 제1 및 제2 대물 렌즈로 레이저광을 유도하기 위한 수단으로서 편광 빔 스플리터와 저렴한 1/4 파장판이 이용되므로, 광픽업 장치의 비용을 억제할 수 있다. 또한, 액정 셀을 구동하기 위한 구성이나, 1/2 파장판을 삽입 분리하기 위한 구성이 불필요하므로, 구성 내지 제어의 복잡화를 억제할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 국면의 광픽업 장치에 따르면, 제1 및 제2 대물 렌즈를 경유한 디스크로부터의 반사광의 대략 전체 광량이 편광 빔 스플리터를 통과하므로, 광검출기로 유도되는 레이저광의 광량을 높일 수 있어, 광검출기로부터 출력되는 신호의 S/N을 적정 레벨의 것으로 할 수 있다.
본 발명의 제3 국면의 광픽업 장치는 소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과, 상기 레이저광을 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와, 상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와, 상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이에 배치되어 상기 레이 저광을 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 상기 빔 스플리터에 입사시키는 1/2 파장판을 갖는다.
제3 국면의 광픽업 장치에 따르면, 제1 및 제2 대물 렌즈로 레이저광을 유도하기 위한 수단으로서 편광 빔 스플리터와 저렴한 1/2 파장판이 이용되므로, 광픽업 장치의 비용을 억제할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 국면에 관한 광픽업 장치와 같이 구성 내지 제어의 복잡화를 억제할 수 있고, 또한 광검출기로부터 출력되는 신호의 S/N을 높일 수 있다.
본 발명의 제4 국면의 광픽업 장치는 소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과, 상기 레이저광을 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와, 상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터를 구비하고, 상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광이 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사하도록 상기 레이저 광원이 배치되어 있다.
제4 국면의 광픽업 장치에 따르면, 레이저광이 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사하도록 레이저 광원을 배치함으로써, 레이저광이 제1 및 제2 대물 렌즈로 유도되므로, 별도로 1/4 파장판이나 1/2 파장판 등을 배치할 필요가 없어, 광픽업 장치의 비용을 억제할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 국면에 관한 광픽업 장치와 마찬가지로 구성 내지 제어의 복잡화를 억제할 수 있고, 또한 광검출기로부터 출력되는 신호의 S/N을 높일 수 있다.
본 발명의 제5 국면의 광픽업 장치는 소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이 저 광원과, 상기 레이저광을 기록 매체 상에 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와, 상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와, 상기 편광 빔 스플리터와 상기 제1 및 제2 대물 렌즈 사이의 광로에 각각 배치된 제1 및 제2 1/4 파장판과, 상기 기록 매체에 의해 반사되어 상기 편광 빔 스플리터를 경유한 상기 레이저광을 수광하는 광검출기를 구비하고, 상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광이 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사한다.
제5 국면의 광픽업 장치에 따르면, 레이저광이 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사함으로써, 레이저광이 제1 및 제2 대물 렌즈로 유도되므로, 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광을 제1 및 제2 대물 렌즈에 원활하게 분류할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 대물 렌즈를 경유한 디스크로부터의 반사광의 대략 전체 광량이 편광 빔 스플리터를 통과하므로, 광검출기로 유도되는 레이저광의 광량을 높일 수 있어, 광검출기로부터 출력되는 신호의 S/N을 높일 수 있다.
본 발명의 상기 및 그 다른 목적과 새로운 특징은, 이하에 나타내는 실시 형태의 설명을, 이하와 같은 첨부 도면과 대조하여 판독하면 완전히 명백해질 것이다.
상기와 같이 구성함으로써, 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)로 레이저광을 유도하기 위한 수단으로서 편광 빔 스플리터(16)와 저렴한 1/4 파장판(21)이 이용되 므로, 광픽업 장치의 비용을 억제할 수 있다. 또한, 액정 셀을 구동하기 위한 구성이나, 1/2 파장판을 삽입 분리하기 위한 구성이 불필요하므로, 구성 내지 제어의 복잡화를 억제할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시 형태는 BD와 HD에 대응 가능한 광픽업 장치에 본 발명을 적용한 것이다.
<제1 실시 형태>
도1에 제1 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 구성(광학계)을 도시한다. 도면에 있어서, 부호 11은 파장 405 ㎚ 정도의 청색 레이저광을 출사하는 반도체 레이저(레이저 광원), 부호 12는 반도체 레이저(11)로부터의 레이저광을 3 빔으로 분할하는 회절 격자, 부호 13은 입사 레이저광의 90 ％를 반사하고 10 ％를 투과하는 평행 평판 형상의 무편광 미러이다. 무편광 미러(13)는 입사 레이저광의 광축에 대해 소정의 각도(예를 들어, 45°)만큼 기울도록 배치되어 있다.
부호 14는 무편광 미러(13)에 의해 반사된 레이저광을 평행광으로 변환하는 콜리메이터 렌즈, 부호 15는 콜리메이터 렌즈(14)를 투과한 레이저광을 원편광으로 변환하는 1/4 파장판, 부호 16은 편광 빔 스플리터이다.
부호 17은 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사된 레이저광(S 편광)을 HD 상에 수렴시키는 제1 대물 렌즈, 부호 18은 편광 빔 스플리터(16)를 투과한 레이저광(P 편광)을 반사하는 반사 미러, 부호 19는 반사 미러(18)에 의해 반사된 레이저광(P 편광)을 BD 상에 수렴시키는 제2 대물 렌즈, 부호 20은 HD, BD로부터의 반사광을 수광하여 각종 신호를 생성하기 위한 광검출기이다.
여기서, 제1 대물 렌즈(17)와 제2 대물 렌즈(19)는 각각 HD 및 BD 상에 레이저광을 적절하게 수렴할 수 있도록 설계되어 있다. 또한, 이들 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)는 대물 렌즈 액츄에이터(도시하지 않음)에 의해 포커스 및 트랙킹 방향으로 일체적으로 구동된다.
반도체 레이저(11)로부터 출사된 레이저광은 회절 격자(12)에 의해 3 빔으로 된 후, 무편광 미러(13)에서 분광되어 90 ％가 콜리메이터 렌즈(14)측으로 반사된다. 그 후, 레이저광은 콜리메이터 렌즈(14)에서 평행광으로 되고, 또한 1/4 파장판(15)에 의해 원편광으로 변환되어 편광 빔 스플리터(16)에 입사한다.
이와 같이 하여 편광 빔 스플리터(16)에 의해 입사된 레이저광 중, 반은 S 편광 성분으로서 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사되고, 나머지 반은 P 편광 성분으로서 편광 빔 스플리터(16)를 투과한다. 이 중, S 편광 성분의 레이저광(이하, 「제1 레이저광」이라고 함)은 제1 대물 렌즈(17)를 통해 디스크 상에 집광되고, P 편광 성분의 레이저광(이하, 「제2 레이저광」이라고 함)은 반사 미러(18)에서 반사된 후, 제2 대물 렌즈(19)를 통해 디스크 상에 집광된다. 따라서, 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)를 통해 디스크에 조사되는 레이저광의 광량은 반도체 레이저(11)로부터 출사되었을 때의 레이저광의 광량의 45 ％로 된다.
디스크에 의해 반사된 제1 레이저광은 S 편광의 상태에서 편광 빔 스플리터(16)로 입사하므로, 대략 100 ％가 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사된다. 또한, 디스크에 의해 반사된 제2 레이저광도 P 편광의 상태에서 편광 빔 스플리 터(16)에 입사하므로, 대략 100 ％가 편광 빔 스플리터(16)를 투과한다.
그 후, 제1 및 제2 레이저광은 콜리메이터 렌즈(14)에 의해 수렴광으로 되고, 또한 무편광 미러(13)에서 분광된다. 그 결과, 광검출기(20)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량은 반도체 레이저(11) 출사 시의 광량의 4.5 ％로 된다.
또한, 제1 및 제2 레이저광은 무편광 미러(13)에 수렴광으로 입사하므로, 무편광 미러(13)에 의해 비점수차가 도입된다. 본 실시예에서는 비점수차법에 의해 포커스 에러 신호가 생성된다. 광검출기(20)에는 비점수차법을 기초로 하는 4 분할 센서가 배치되어 있다.
본 실시 형태에서는, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(20)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량비는 10 : 1이 된다(단, 각 광학 부품, 디스크의 투과율/반사율은 포함되어 있지 않음). 따라서, 광검출기(20)로부터 출력되는 신호의 S/N을 재생하기에 충분한 것으로 할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)를 경유한 레이저광이 동시에 디스크에 조사되나, HD와 BD의 커버 두께의 상이로부터, 예를 들어 제1 레이저광을 이용하여 HD를 재생하고 있을 때에는, 제2 레이저광은 HD 상에 적절하게 수렴되지 않고, 또한 제2 레이저광을 이용하여 BD를 재생하고 있을 때에는, 제1 레이저광은 BD 상에 적절하게 수렴되지 않으므로, 공통의 센서 패턴[광검출기(20)]으로 제1 및 제2 레이저광을 수광해도 재생 신호 등에 문제가 발생하지 않는다.
즉, 도2a에 도시한 바와 같이, 제1 레이저광을 이용하여 HD를 재생하고 있을 때에는, HD에 의해 반사된 제2 레이저광(플레어광)은 광검출기(20) 상에 있어서 수 렴되지 않고, 또한 도2b에 도시한 바와 같이, 제2 레이저광을 이용하여 BD를 재생하고 있을 때에는, BD에 의해 반사된 제1 레이저광(플레어광)은 광검출기(20) 상에 있어서 수렴되지 않는다. 이 경우, 광검출기(20)로부터 출력되는 신호에 플레어광에 의한 DC 성분이 중첩되나, 이 DC 성분은 적절하게 재생 회로측에 있어서 캔슬된다.
또한, 대상 디스크에 대한 포커스 인입 시에도, 도3에 모식적으로 도시한 바와 같이 제1 및 제2 레이저광 중 재생에 이용하지 않는 쪽의 레이저광에 의해서는 적절하게 S자 커브가 발생하지 않으므로, 이 S자 커브를 기초로 하여 포커스 인입이 이루어질 우려는 없다. 또한, 도3 중, FEsh는 인입 대상의 S자 커브를 식별하기 위해 설정된 임계치 레벨이다. 또한, FE1은 제1 및 제2 레이저광 중 재생에 이용하는 쪽의 레이저광을 기초로 하여 생성된 S자 커브(진짜 S자 커브)의 진폭이고, FE2는 제1 및 제2 레이저광 중 재생에 이용하지 않는 쪽의 레이저광을 기초로 하여 생성된 S자 커브(가짜 S자 커브)의 진폭이다.
또한, 본 실시 형태에서는 BD와 HD의 트랙 피치가 상이하므로, 회절 격자(12)의 회절 패턴에는 인라인 방식의 회절 패턴이 적용된다. 이에 의해, 재생 대상 디스크가 BD, HD 중 어느 것인지에 상관없이 공통의 수광면으로 각 디스크로부터의 반사광을 수광할 수 있다. 또한, 인라인 방식에 의한 DPP법은 종래 주지이므로, 여기서는 설명을 생략한다.
도4는 DPP법을 이용하는 경우의 신호 연산 회로의 구성을 도시한다. 도시한 바와 같이, 신호 연산 회로는 가산 회로(101 내지 104)와, 감산 회로(105 내지 107)와, 가산 회로(111 내지 116)와, 감산 회로(117, 119)와, 정배(定倍) 회로(118)로 구성되어 있다. 또한, 광검출기(20)는 메인 빔 수광용 4 분할 센서(A 내지 D)와, 서브 빔 수광용 4 분할 센서(E 내지 G, I 내지 L)로 이루어져 있다.
4 분할 센서(A 내지 L)로부터 출력되는 신호를 A 내지 L로 하면, 트랙킹 에러 신호(TE)는, TE ＝ (A ＋ B) － (C ＋ D) － α{(E ＋ I ＋ F ＋ J) － (G ＋ K ＋ H ＋ L)}의 연산으로부터 생성된다. 포커스 에러 신호(FE)와 재생 신호(RF)는 각각 FE ＝ (A ＋ C) － (B ＋ D), RF ＝ A ＋ B ＋ C ＋ D의 연산에 의해 생성된다.
또한, 1 빔 푸시풀법으로 트랙킹 에러 신호를 생성할 수도 있다. 이 경우, 4 분할 센서(E 내지 L)는 생략되어 신호 연산 회로도 1 빔 푸시풀법에 따라서 변경된다.
이상, 본 실시 형태에 따르면, 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)로 레이저광을 유도하기 위한 수단으로서 편광 빔 스플리터(16)와 저렴한 1/4 파장판(21)이 이용되므로, 광픽업 장치의 비용을 억제할 수 있다. 또한, 액정 셀을 구동하기 위한 구성이나, 1/2 파장판을 삽입 분리하기 위한 구성이 불필요하므로, 구성 내지 제어의 복잡화를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 디스크에 의해 반사된 제1 및 제2 레이저광의 대략 전체 광량이 편광 빔 스플리터(16)를 통과하므로, 광검출기(20)로 유도되는 레이저광의 광량을 높일 수 있고, 상기와 같이, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(20)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량비를 10 : 1로 할 수 있다. 따 라서, 광검출기(20)로부터 출력되는 신호의 S/N을 적정 레벨의 것으로 할 수 있다.
게다가, 본 실시 형태에 따르면, 디스크로부터의 반사광이 무편광 미러(13)를 투과할 때에 비점수차가 도입되므로, 포커스 에러 검출을 위해 별도로 비점수차 도입용 렌즈 소자를 배치할 필요가 없어, 부품 개수의 삭감과 비용의 억제를 도모할 수 있다.
<제2 실시 형태>
도5a, 도5b에 제2 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 구성(광학계)을 도시한다. 도5a는 반도체 레이저(31)로부터 정립 미러(36, 42)까지의 광학계의 평면도, 도5b는 정립 미러(36, 22) 이후의 광학계의 측면도이다. 또한, 도5b에서는 편의상 렌즈 홀더(25)의 부분이 단면도로서 도시되어 있다.
도5에 있어서, 부호 31은 파장 405 ㎚ 정도의 청색 레이저광을 출사하는 반도체 레이저(레이저 광원), 부호 32는 반도체 레이저(31)로부터의 레이저광을 원편광으로 변환하는 1/4 파장판(32a)과 회절 격자(32b)가 일체화된 광학 소자, 부호 33은 편광 빔 스플리터이다. 반도체 레이저(31)로부터 출사된 레이저광은 1/4 파장판(32a)에 의해 원편광으로 변환된다. 따라서, 편광 빔 스플리터(33)에 입사한 레이저광은 그 50 ％(P 편광 성분)가 편광 빔 스플리터(33)를 투과하고, 나머지 50 ％(S 편광 성분)가 편광 빔 스플리터(33)에 의해 반사된다.
부호 34는 편광 빔 스플리터(33)에 의해 반사된 레이저광(S 편광)을 평행광으로 변환하는 콜리메이터 렌즈, 부호 35는 반사 미러, 부호 36은 반사 미러(35)에 의해 반사된 레이저광을, 제1 대물 렌즈(38)를 향하는 방향으로 반사되는 정립 미 러이다.
부호 37은 정립 미러(36)에 의해 반사된 레이저광을 원편광으로 변환하는 제1 1/4 파장판, 부호 38은 제1 1/4 파장판(37)을 투과한 레이저광을 BD 상에 수렴시키는 제1 대물 렌즈이다.
부호 39는 편광 빔 스플리터(33)를 투과한 레이저광(P 편광)을 반사하는 반사 미러, 부호 40은 반사 미러(39)에 의해 반사된 레이저광을 평행광으로 변환하는 콜리메이터 렌즈, 부호 41은 반사 미러, 부호 42는 반사 미러(41)에 의해 반사된 레이저광을 제2 대물 렌즈(44)를 향하는 방향으로 반사하는 정립 미러이다.
부호 43은 정립 미러(42)에 의해 반사된 레이저광을 원편광으로 변환하는 제2 1/4 파장판, 부호 44는 제2 1/4 파장판(43)을 투과한 레이저광을 HD 상에 수렴시키는 제2 대물 렌즈이다.
부호 45는 제1 대물 렌즈(38), 제2 1/4 파장판(43) 및 제2 대물 렌즈(44)를 유지하는 렌즈 홀더, 부호 46은 제1 대물 렌즈(38), 제2 1/4 파장판(43) 및 제2 대물 렌즈(44)를 렌즈 홀더(45)와 일체적으로 구동하기 위한 코일(주지의 대물 렌즈 액츄에이터의 일부)이다.
부호 47은 편광 빔 스플리터(33)로부터 광검출기(48)를 향하는 레이저광으로 비점수차를 도입하는 검출 렌즈, 부호 48은 HD, BD로부터의 반사광을 수광하여 각종 신호를 생성하기 위한 광검출기이다. 본 실시 형태에서는 비점수차법에 의해 포커스 에러 신호가 생성된다. 광검출기(48)에는, 후술하는 바와 같이 비점수차법을 기초로 하는 4 분할 센서가 배치되어 있다.
여기서, 제1 대물 렌즈(38)와 제2 대물 렌즈(44)는 각각 BD 및 HD 상에 레이저광을 적절하게 수렴할 수 있도록 설계되어 있다. 또한, 이들 제1 및 제2 대물 렌즈(38, 44)는 대물 렌즈 액츄에이터[도5에서는 코일(46)만 도시되어 있음]에 의해 포커스 및 트랙킹 방향으로 일체적으로 구동된다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제1 대물 렌즈(38)는 글래스로 이루어져 있고, 플라스틱으로 이루어지는 제2 대물 렌즈(44)보다도 고중량으로 되어 있다. 이러한 중량상의 언밸런스를 보상하기 위해, 본 실시 형태에서는 제1 1/4 파장판(37)과 제2 1/4 파장판(43) 중 제2 1/4 파장판(43)만이 렌즈 홀더(45)에 장착되고, 제1 1/4 파장판(37)은 도5a의 광학 부품이 장착되는 베이스측에 배치되어 있다.
반도체 레이저(31)로부터 출사된 레이저광은 1/4 파장판(32a)에 의해 원편광으로 변환되고, 또한 회절 격자(32b)에 의해 3 빔으로 된 후, 편광 빔 스플리터(33)에 의해 50 ％의 광량 성분(이하, 「제1 레이저광」이라고 함)이 콜리메이터 렌즈(34)측으로 반사된다. 그 후, 이 제1 레이저광은 콜리메이터 렌즈(34)에서 평행광으로 되고, 또한 반사 미러(35)와 정립 미러(36)에서 반사된 후, 제1 1/4 파장판(17)에 의해 원편광으로 변환되어 제1 대물 렌즈(18)에 입사한다.
디스크(BD)에 의해 반사된 제1 레이저광은 디스크를 향할 때의 광로를 역행하여 편광 빔 스플리터(33)에 입사한다. 이때, 제1 레이저광은 다시 제1 1/4 파장판(17)을 투과함으로써 편광 빔 스플리터(33)에 대해 P 편광으로 되어 있으므로, 편광 빔 스플리터(33)를 그대로 투과한다. 그 후, 제1 레이저광은 검출 렌즈(27)에 의해 비점수차가 도입되어 광검출기(28)로 수렴된다.
한편, 반도체 레이저(31)로부터 1/4 파장판(32a)과 회절 격자(32b)를 통해 편광 빔 스플리터(33)에 입사한 레이저광은 그 50 ％의 광량 성분(이하, 「제2 레이저광」이라고 함)이 편광 빔 스플리터(33)를 투과하여 반사 미러(19)로 입사한다. 반사 미러(19)에서 반사된 제2 레이저광은 콜리메이터 렌즈(20)에서 평행광으로 되고, 또한 반사 미러(21)와 정립 미러(42)에서 반사된 후, 제2 1/4 파장판(23)에 의해 원편광으로 변환되어 제2 대물 렌즈(24)에 입사한다.
디스크(HD)에 의해 반사된 제2 레이저광은 디스크를 향할 때의 광로를 역행하여 편광 빔 스플리터(33)에 입사한다. 이때, 제2 레이저광은 다시 제2 1/4 파장판(23)을 투과함으로써 편광 빔 스플리터(33)에 대해 S 편광으로 되어 있으므로, 편광 빔 스플리터(33)에 의해 반사된다. 그 후, 제2 레이저광은 검출 렌즈(27)에 의해 비점수차가 도입되어 광검출기(28)로 수렴된다.
본 실시 형태에서는, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(28)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량비는 1 : 1이 된다(단, 각 광학 부품, 디스크의 투과율/반사율은 포함되어 있지 않음). 또한, 디스크와 광검출기(28)에는 반도체 레이저(31)로부터 출사된 레이저광의 대략 50 ％의 광량이 유도된다. 따라서, 광검출기(28)로부터 출력되는 신호의 S/N을 재생하기에 충분한 것으로 할 수 있다.
본 실시 형태에서는 제1 및 제2 대물 렌즈(38, 44)를 경유한 레이저광이 동시에 디스크에 조사되나, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 재생에 이용하지 않는 쪽의 레이저광(플레어광)은 광검출기(48) 상에 있어서 크게 확산되어 있으므로, 이 레이저광(플레어광)이 광검출기(48)에 입사되어도 DC 성분의 제거 등의 처리에 의 해 원활한 재생을 실현 가능하다. 또한, 신호 연산 회로는 상기 제1 실시 형태에서 도시한 도면(4)의 회로를 이용할 수 있다.
이상, 제2 실시 형태에 따르면, 제1 및 제2 대물 렌즈(38, 44)와 광검출기(48)로 레이저광을 유도하기 위한 수단으로서 편광 빔 스플리터(33)와 저렴한 제1, 제2 1/4 파장판(37, 43)이 이용되므로, 광픽업 장치의 비용을 억제할 수 있다. 또한, 액정 셀을 구동하기 위한 구성이나, 1/2 파장판을 삽입 분리하기 위한 구성이 불필요하므로, 구성 내지 제어의 복잡화를 회피할 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에 따르면, 디스크에 의해 반사된 제1 및 제2 레이저광의 대략 전체 광량이 편광 빔 스플리터(33)를 통과하여 광검출기(48)로 유도된다. 이로 인해, 광검출기(48)로 유도되는 레이저광의 광량을 높일 수 있어, 상기와 같이 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(48)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량비를 1 : 1로 할 수 있다. 따라서, 광검출기(48)로부터 출력되는 신호의 S/N을 상기 제1 실시 형태보다도 더 높일 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대한 레이저광의 편광 방향의 경사각을 45도로 하고, 편광 빔 스플리터(33)에서 분광된 후의 제1 레이저광과 제2 레이저광의 광량비를 1 : 1로 하였으나, 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대한 레이저광의 편광 방향의 경사각을 적절하게 조정함으로써, 제1 레이저광과 제2 레이저광의 광량비를 1 : 1 이외로 설정하도록 할 수도 있다.
<제3 실시 형태>
본 실시 형태는 상기 제1 실시 형태를 변경하는 것이다. 즉, 상기 제1 실시 형태(도1)에서는 1/4 파장판(15)에 의해 레이저광을 원편광으로 하여 편광 빔 스플리터(16)에 입사시키도록 하였으나, 편광 빔 스플리터(16)의 편광축에 대해 경사지도록 레이저광의 편광 방향을 조절함으로써도 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과가 발휘된다. 본 실시 형태는 편광 빔 스플리터(16)의 편광축에 대해 레이저광의 편광 방향을 기울임으로써, 반도체 레이저(11)로부터의 레이저광을 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)에 분류하는 구성에 관한 것이다.
도6에 제3 실시 형태의 구성을 도시한다. 본 실시 형태에서는 상기 제1 실시 형태에 있어서의 1/4 파장판(15)이 1/2 파장판(21)으로 치환되어 있다. 그 밖의 구성은 상기 제1 실시 형태(도1)와 동일하다.
1/2 파장판(21)은, 예를 들어, 도6 중에 도시한 바와 같이, 편광 빔 스플리터(16)에 대한 레이저광의 편광 방향이 P 편광의 방향과 S 편광의 방향에 대해 45° 기울도록 배치된다. 이 경우, 편광 빔 스플리터(16)에 입사한 레이저광은 그 반(S 편광)이 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사되고, 나머지 반(P 편광)이 편광 빔 스플리터(16)를 투과한다. 편광 빔 스플리터(16)에 대한 레이저광의 편광 방향을 조절함으로써 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)로 유도되는 레이저광의 광량비를 1 : 1로부터 변화시킬 수 있다.
반도체 레이저(11)로부터 출사된 레이저광은 회절 격자(12)에 의해 3 빔으로 된 후, 무편광 미러(13)에서 분광되어 90 ％가 콜리메이터 렌즈(14)측으로 반사된다. 그 후, 레이저광은 콜리메이터 렌즈(14)에서 평행광으로 되고, 또한 1/2 파장판(21)에 의해 상기와 같이 편광 방향이 조정된다. 그리고, 레이저광은 편광 빔 스플리터(16)에 입사한다.
이와 같이 하여 편광 빔 스플리터(16)에 의해 입사한 레이저광 중, 반은 S 편광 성분으로서 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사되고, 나머지 반은 P 편광 성분으로서 편광 빔 스플리터(16)를 투과한다. 이 중, S 편광 성분의 레이저광(제1 레이저광)은 제1 대물 렌즈(17)를 통해 디스크 상에 집광되고, P 편광 성분의 레이저광(제2 레이저광)은 반사 미러(18)에서 반사된 후, 제2 대물 렌즈(19)를 통해 디스크 상에 집광된다. 따라서, 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)를 통해 디스크에 조사되는 레이저광의 광량은 반도체 레이저(11)로부터 출사되었을 때의 레이저광의 광량의 45 ％로 된다.
디스크에 의해 반사된 제1 레이저광은 S 편광의 상태에서 편광 빔 스플리터(16)에 입사하므로, 대략 100 ％가 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사된다. 또한, 디스크에 의해 반사된 제2 레이저광도 P 편광의 상태에서 편광 빔 스플리터(16)에 입사하므로, 대략 100 ％가 편광 빔 스플리터(16)를 투과한다.
그 후, 제1 및 제2 레이저광은 콜리메이터 렌즈(14)에 의해 수렴광으로 되고, 또한 무편광 미러(13)에서 분광된다. 그 결과, 광검출기(20)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량은 반도체 레이저(11) 출사 시의 광량의 4.5 ％로 된다.
또한, 제1 및 제2 레이저광은 무편광 미러(13)에 수렴광으로 입사하므로, 무편광 미러(13)에 의해 비점수차가 도입된다. 본 실시 형태에서는 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 비점수차법에 의해 포커스 에러 신호가 생성된다. 광검출기(20)에는 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 비점수차법을 기초로 하는 4 분할 센 서가 배치되어 있다.
본 실시 형태에서는, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(20)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량비는 10 : 1이 된다(단, 각 광학 부품, 디스크의 투과율/반사율은 포함되어 있지 않음). 따라서, 광검출기(20)로부터 출력되는 신호의 S/N을 재생하기에 충분한 것으로 할 수 있다.
도7은 또 다른 구성예를 나타내는 도면이다. 본 구성예에서는 도6의 구성에 비해, 1/4 파장판(15)이 생략되어, 예를 들어 도7 중에 도시한 바와 같이 편광 빔 스플리터(16)에 대한 레이저광의 편광 방향이 P 편광의 방향과 S 편광의 방향에 대해 45° 기울도록 반도체 레이저(11)의 배치가 조절되어 있다. 이 경우에도 편광 빔 스플리터(16)에 입사한 레이저광은 그 반(S 편광)이 편광 빔 스플리터(16)에 의해 반사되고, 나머지 반(P 편광)이 편광 빔 스플리터(16)를 투과한다. 또한, 광축을 축으로 하는 반도체 레이저(11)의 회전 위치를 조절하고, 이에 의해 편광 빔 스플리터(16)에 대한 레이저광의 편광 방향을 조절함으로써 제1 및 제2 대물 렌즈(17, 19)로 유도되는 레이저광의 광량비를 1 : 1로부터 변화시킬 수 있다.
도7의 구성에 따르면, 상기 제1 실시 형태 및 도6의 구성에 비해, 1/4 파장판(15) 및 1/2 파장판(21)을 생략할 수 있으므로, 한층 구성의 간소화를 도모할 수 있다.
<제4 실시 형태>
본 실시 형태는 상기 제2 실시 형태를 변경하는 것이다. 즉, 상기 제2 실시 형태(도5a, 도5b)에서는 1/4 파장판(32a)에 의해 레이저광을 원편광으로 하여 편광 빔 스플리터(33)에 입사시키도록 하였으나, 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대해 경사지도록 레이저광의 편광 방향을 조절함으로써도 상기 제1 실시 형태와 동일한 효과가 발휘된다. 본 실시 형태는 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대해 레이저광의 편광 방향을 기울임으로써 반도체 레이저(31)로부터의 레이저광을 제1 및 제2 대물 렌즈(38, 44)에 분류하는 구성에 관한 것이다.
도8a, 도8b에 제4 실시 형태의 구성을 도시한다. 도8a는 반도체 레이저(31)로부터 정립 미러(36, 42)까지의 광학계의 평면도, 도8b는 정립 미러(36, 42) 이후의 광학계의 측면도이다. 또한, 도8b에서는 편의상, 렌즈 홀더(45)의 부분이 단면도로서 도시되어 있다.
본 실시 형태에서는 상기 제1 실시 형태에 있어서의 1/4 파장판(32a)이 생략되어 있다. 또한, 반도체 레이저(31)는 편광 빔 스플리터(33)에 입사할 때의 레이저광의 편광 방향이 편광축에 대해 45도 기울도록 레이저 광축을 축으로 하는 회전 위치가 조정되어 있다. 따라서, 편광 빔 스플리터(33)에 입사한 레이저광은 그 50 ％(P 편광)가 편광 빔 스플리터(33)를 투과하고, 나머지 50 ％(S 편광)가 편광 빔 스플리터(33)에 의해 반사된다. 그 밖의 구성은 상기 제2 실시 형태(도5a, 도5b)와 동일하다.
반도체 레이저(31)로부터 출사된 레이저광은 회절 격자(32b)에 의해 3 빔으로 된 후, 편광 빔 스플리터(33)에 의해 50 ％의 광량 성분(제1 레이저광)이 콜리메이터 렌즈(34)측으로 반사된다. 그 후, 이 제1 레이저광은 콜리메이터 렌즈(34)에서 평행광으로 되고, 또한 반사 미러(35)와 정립 미러(36)에서 반사된 후, 제1 1/4 파장판(37)에 의해 원편광으로 변환되어 제1 대물 렌즈(38)에 입사한다.
디스크(BD)에 의해 반사된 제1 레이저광은 디스크를 향할 때의 광로를 역행하여 편광 빔 스플리터(33)에 입사한다. 이때, 제1 레이저광은 다시 제1 1/4 파장판(37)을 투과함으로써 편광 빔 스플리터(33)에 대해 P 편광으로 되어 있으므로, 편광 빔 스플리터(33)를 그대로 투과한다. 그 후, 제1 레이저광은 검출 렌즈(47)에 의해 비점수차가 도입되어 광검출기(48)로 수렴된다.
한편, 반도체 레이저(31)로부터 회절 격자(32)를 통해 편광 빔 스플리터(33)에 입사한 레이저광은 그 50 ％의 광량 성분(제2 레이저광)이 편광 빔 스플리터(33)를 투과하여 반사 미러(39)로 입사한다. 반사 미러(39)에서 반사된 제2 레이저광은 콜리메이터 렌즈(40)에서 평행광으로 되고, 또한 반사 미러(41)와 정립 미러(42)에서 반사된 후, 제2 1/4 파장판(43)에 의해 원편광으로 변환되어 제2 대물 렌즈(44)에 입사한다.
디스크(HD)에 의해 반사된 제2 레이저광은 디스크를 향할 때의 광로를 역행하여 편광 빔 스플리터(33)에 입사한다. 이때, 제2 레이저광은 다시 제2 1/4 파장판(43)을 투과함으로써 편광 빔 스플리터(33)에 대해 S 편광으로 되어 있으므로, 편광 빔 스플리터(33)에 의해 반사된다. 그 후, 제2 레이저광은 검출 렌즈(47)에 의해 비점수차가 도입되어 광검출기(48)로 수렴된다.
본 실시 형태에서는, 디스크에 조사되는 레이저광과 광검출기(48)로 유도되는 제1 및 제2 레이저광의 광량비는 1 : 1이 된다(단, 각 광학 부품, 디스크의 투과율/반사율은 포함되어 있지 않음). 또한, 디스크와 광검출기(48)에는 반도체 레 이저(41)로부터 출사된 레이저광의 대략 50 ％의 광량이 유도된다. 따라서, 광검출기(48)로부터 출력되는 신호의 S/N을 재생하기에 충분한 것으로 할 수 있다.
또한, 편광 빔 스플리터(33)에 대한 레이저광의 편광 방향을 조절함으로써 제1 및 제2 대물 렌즈(38, 44)로 유도되는 레이저광의 광량비를 1 : 1로부터 변화시킬 수 있다.
그런데, 도8a, 도8b의 구성에서는 레이저 광축을 축으로 하는 반도체 레이저(31)의 회전 위치를 조정함으로써 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대한 레이저광의 편광 방향의 경사각이 45도가 되도록 조정하였으나, 반도체 레이저(31)와 편광 빔 스플리터(33) 사이에 1/2 파장판을 배치함으로써 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대한 레이저광의 편광 방향의 경사각을 조정하도록 해도 좋다.
도9a, 도9b는 이 경우의 구성예를 나타내는 도면이다. 본 구성예에서는 반도체 레이저(31)와 편광 빔 스플리터(33) 사이에 1/2 파장판(49a)과 회절 격자(49b)가 일체화된 광학 소자(49)가 배치되어 있다. 여기서, 광학 소자(49)는 편광 빔 스플리터(33)의 편광축에 대한 레이저광의 편광 방향의 경사각이 45도로 되도록 1/2 파장판(49a)을 위치 결정하면, 회절 격자(49b)에 의한 회절 작용이 BD 및 HD의 트랙 상에 3개의 빔을 적절하게 위치 결정하도록 구성되어 있다. 따라서, 광학계의 어셈블 시에는 별도로 회절 격자(49b)의 배치를 조정할 필요가 없어, 작업성의 향상을 도모할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 설명하였으나, 본 발명은 이들 실시 형태로 제한되는 것은 전혀 아니고, 또한 본 발명의 실시 형태도 상기 이외에 다양한 변경이 가능하다.
예를 들어, 상기 제1 및 제3 실시 형태에서는 무편광 미러(13)의 분광비를 9 : 1로 하였으나, 이것 이외의 분광비로 할 수도 있다.
또한, 상기 제2 및 제4 실시 형태에서는 제1 대물 렌즈(38)와 제2 대물 렌즈(44)의 중량상의 언밸런스를 보상하기 위해, 제2 1/4 파장판(43)은 렌즈 홀더(45)에 배치하고, 제1 1/4 파장판(37)은 베이스측에 배치하도록 하였으나, 예를 들어 제1 대물 렌즈(38)가 경량화되고, 이들 2개의 대물 렌즈 사이의 중량 차가 대물 렌즈의 구동 특성에 영향이 없을 정도로 되는 경우에는, 예를 들어 도10a, 도10b에 도시한 바와 같이 제1 1/4 파장판(37)도 렌즈 홀더(45)측에 배치하고, 제1 1/4 파장판(37), 제1 대물 렌즈(38), 제2 1/4 파장판(43) 및 제2 대물 렌즈(44)를 렌즈 홀더(45)와 함께 일체적으로 구동하도록 해도 좋다.
또한, 이와 같이 제1 1/4 파장판(37)과 제2 1/4 파장판(43)을 함께 렌즈 홀더(45)에 배치하는 경우에는 이들을 일체로 해도 좋고, 즉 제1 및 제2 레이저광의 광로에 공통의 1/4 파장판을 배치하도록 해도 좋다.
이 밖에, 본 발명의 실시 형태는 특허청구의 범위에 개시된 기술적 사상의 범위 내에 있어서, 적절하게 다양한 변경이 가능하다.
도1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 구성을 도시하는 도면.
도2a, 도2b는 제1 실시 형태에 관한 광검출기에 대한 레이저광의 조사 상태를 나타내는 도면.
도3은 제1 실시 형태에 관한 포커스 에러 신호의 상태를 나타내는 도면.
도4는 제1 실시 형태에 관한 신호 연산 회로의 구성예를 나타내는 도면.
도5a, 도5b는 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 구성을 도시하는 도면.
도6은 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 구성을 도시하는 도면.
도7은 제3 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 변경예를 나타내는 도면.
도8a, 도8b는 본 발명의 제4 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 구성을 도시하는 도면.
도9a, 도9b는 제4 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 변경예를 나타내는 도면.
도10a, 도10b는 제4 실시 형태에 관한 광픽업 장치의 다른 변경예를 나타내는 도면.
도11은 본 발명의 해결 과제를 설명하는 도면.
도12는 본 발명의 해결 과제를 설명하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 : 반도체 레이저
12 : 회절 격자
13 : 무편광 미러
14 : 콜리메이트 렌즈
15 : 1/4 파장판
16 : 편광 빔 스플리터
17 : 제1 대물 렌즈
18 : 반사 미러
19 : 제2 대물 렌즈
20 : 광검출기

Claims (11)

  1. 광픽업 장치에 있어서,
    소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과,
    상기 레이저광을 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와,
    상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와,
    상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이에 배치되어 상기 레이저광을 원편광으로 상기 빔 스플리터에 입사시키는 1/4 파장판을 갖는 광픽업 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저 광원과 상기 1/4 파장판 사이의 상기 레이저광의 확산 광로 중에 상기 레이저광의 광축으로 기우는 상태로 배치된 평판 형상의 무편광 미러를 구비하고,
    상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광의 일부가 상기 무편광 미러에 의해 상기 1/4 파장판의 방향으로 반사되고, 상기 1/4 파장판으로부터 상기 무편광 미러를 향하는 상기 레이저광의 일부가 상기 무편광 미러를 투과하여 상기 광 검출기에 입사하는 광픽업 장치.
  3. 광픽업 장치에 있어서,
    소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과,
    상기 레이저광을 기록 매체 상에 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와,
    상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와,
    상기 편광 빔 스플리터와 상기 제1 및 제2 대물 렌즈 사이의 광로에 각각 배치된 제1 및 제2 1/4 파장판과,
    상기 기록 매체에 의해 반사되어 상기 편광 빔 스플리터를 경유한 상기 레이저광을 수광하는 광검출기와,
    상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이에 배치되어 상기 레이저광을 원편광으로 상기 빔 스플리터에 입사시키는 1/4 파장판을 갖는 광픽업 장치.
  4. 광픽업 장치에 있어서,
    소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과,
    상기 레이저광을 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와,
    상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와,
    상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이에 배치되어 상기 레이저광을 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 상기 빔 스플리터에 입사시키는 1/2 파장판을 갖는 광픽업 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 레이저 광원과 상기 1/2 파장판 사이의 상기 레이저광 의 확산 광로 중에 상기 레이저광의 광축으로 기우는 상태로 배치된 평판 형상의 무편광 미러를 구비하고,
    상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광의 일부가 상기 무편광 미러에 의해 상기 1/2 파장판의 방향으로 반사되고, 상기 1/2 파장판으로부터 상기 무편광 미러를 향하는 상기 레이저광의 일부가 상기 무편광 미러를 투과하여 상기 광 검출기에 입사하는 광픽업 장치.
  6. 광픽업 장치에 있어서,
    소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과,
    상기 레이저광을 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와,
    상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터를 구비하고,
    상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광이 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사하도록 상기 레이저 광원이 배치되어 있는 광픽업 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이의 상기 레이저광의 확산 광로 중에 상기 레이저광의 광축으로 기우는 상태로 배치된 평판 형상의 무편광 미러를 구비하고,
    상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광의 일부가 상기 무편광 미러 에 의해 상기 편광 빔 스플리터의 방향으로 반사되고, 상기 편광 빔 스플리터로부터 상기 무편광 미러를 향하는 상기 레이저광의 일부가 상기 무편광 미러를 투과하여 상기 광 검출기에 입사하는 광픽업 장치.
  8. 광픽업 장치에 있어서,
    소정 파장의 레이저광을 출사하는 레이저 광원과,
    상기 레이저광을 기록 매체 상에 수렴시키는 제1 및 제2 대물 렌즈와,
    상기 레이저 광원으로부터의 레이저광을 상기 제1 및 제2 대물 렌즈로 나누어 보내는 편광 빔 스플리터와,
    상기 편광 빔 스플리터와 상기 제1 및 제2 대물 렌즈 사이의 광로에 각각 배치된 제1 및 제2 1/4 파장판과,
    상기 기록 매체에 의해 반사되어 상기 편광 빔 스플리터를 경유한 상기 레이저광을 수광하는 광검출기를 구비하고,
    상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광이 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사하는 광픽업 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 레이저 광원으로부터 출사된 상기 레이저광이 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 상기 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사하도록 레이저 광축을 축으로 하는 상기 레이저 광원의 회전 위치가 조정되어 있는 광픽업 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 레이저 광원과 상기 편광 빔 스플리터 사이의 광로에, 상기 레이저광을 상기 편광 빔 스플리터의 편광축에 대해 상기 소정의 각도만큼 경사진 직선 편광으로 입사시키기 위한 1/2 파장판이 배치되어 있는 광픽업 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 레이저 광원으로부터 출사되는 레이저광을 3 빔으로 분할하기 위한 회절 격자와 상기 1/2 파장판이 일체화되어 있는 광픽업 장치.
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