KR20080094553A - 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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KR20080094553A
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우베 호프만
호세 마누엘 디에구츠-캄포
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판상에 층 시스템, 양호하게 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 한 층을 포함하는 층 시스템을 생성하는 처리 장치(1)는 처리 스테이션(A, 2)에서 상기 기판을 처리하기 위한 하나 이상의 처리 스테이션(A, 2)의 구조물; 및 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 캡슐화 구성요소를 제공하기 위한 제1 캡슐화 도구(6a)를 포함하는 제1 캡슐화 모듈(5a)을 포함한다. 더욱이, 처리 장치(1)는 제2 캡슐화 도구(6b)를 포함하는 제2 캡슐화 모듈(5b)을 최소한 포함하고, 상기 처리 장치(1)는 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 또는 상기 제2 캡슐화 모듈(5b) 내에서 교대로 상기 코팅된 기판상에 상기 캡슐화 구성요소를 제공하도록 구성된다. 2개의 캡슐화 모듈(5a 및 5b)을 제공함으로써, 모듈 중의 하나, 예를 들어 제2 모듈(5b)은 제1 캡슐화 모듈(5a)이 코팅 기판상에 캡슐화를 생성하고 있는 동안에 처리 장치(1)의 연속된 동작 중에 세척될 수 있다. 한 번의 실행 후, 또는 미리 결정된 수 n=1,2,3,..의 실행 후, 제2 캡슐화 모듈(5b)은 제1 캡슐화 모듈(5a)이 세척 처리를 받는 동안에, 다수의 후속 코팅 기판상에 캡슐화 구성요소를 생성하기 위해 사용된다. 이러한 방식으로, OLED 코팅 및 상기 OLED 코팅 상의 캡슐화 구성요소를 퇴적시키기 위한 코팅 장치(1)의 연속적인 동작이 제공된다.
처리 스테이션, 캡슐화 모듈, 캡슐화 도구, 전달 챔버, 층 시스템

Description

처리 장치 및 기판 처리 방법{PROCESSING DEVICE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판상에 층 시스템을 생성하는 처리 장치에 관한 것으로, 양호하게 층 시스템은 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 한 층을 포함하고, 처리 장치는 처리 스테이션(treatment station)에서 상기 기판을 처리하기 위한 하나 이상의 처리 스테이션의 구조물, 및 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 캡슐화를 제공하기 위한 제1 캡슐화 도구를 포함하는 제1 캡슐화 모듈을 포함한다. 더욱이, 본 발명은 기판을 처리하는 방법, 양호하게 기판상에 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 한 층을 포함하는 층 시스템을 퇴적시키는 방법에 관한 것이다.
많은 기술 분야에서, 기판상에 퇴적된 다층 코팅이 요구된다. 특히, 전자공학 분야에서, 디스플레이 및 플랫 패널의 중요성은 증가하고 있다. 예를 들어, OLED(Organic Light Emitting Diode) 패널은 기판상에 다층 시스템을 퇴적시킴으로써 상업용으로 생산된다. 다층 시스템은 OLED 반도체 물질의 최소한 한 층을 포함한다. 일반적으로, 이렇게 얻어진 OLED 장치, 예를 들어 OLED 디스플레이, 광원, 유기 전자 장치, 태양 전지 등은 (예를 들어, 유리로 된) 기판, ITO(Indium Tin Oxide)-층, 최소한 하나의 유기 발광 층 및 음극을 포함한다.
일반적으로, OLED 코팅 기계는 상이한 처리 및/또는 코팅 단계를 실행하기 위해 중앙 전달 챔버 및 이 전달 챔버 주위에 배열된 다양한 모듈을 갖는 클러스터 도구로서 구성된다.
OLED 층 시스템이 환경에 민감한 제품이기 때문에, 주위 조건에서 성능 저하를 방지하기 위해, OLED 층 시스템 위에 캡슐화 또는 보호층 (시스템)을 덧붙일 필요가 있다. 캡슐화 방법은 유리 또는 금속 캡(cap) 또는 심지어 박막 캡슐화 공정을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 캡슐화 층은 유기 및/또는 무기 층들의 적층, 스크래치 방지 코팅 등을 포함할 수 있다.
캡슐화 구성요소의 제공을 위해, 기판은 클러스터-도구에서 제거되어, 캡술화 공정이 발생하는 "글러브박스(glovebox)"라고 하는 설비 내로 운반된다.
그러나, 클러스터 시스템의 사용은 몇 가지 단점을 수반한다. 특히, 개별 모듈 내에서의 청정 요구사항 및 처리 조건이 충족된다 하더라도, 클러스터 도구는 상당히 낮은 처리량 및 나쁜 성능을 갖는다. 최소한, 성능은 OLED 장치의 대량 생산에 충분하지 않다. 더욱이, 코팅 시스템과 글러브박스 사이의 도중에서, OLED는 손상되거나 오염될 수 있다.
OLED 코팅 시스템의 성능을 개선하기 위해, 인라인(in-line) 코팅 구성은 OLED 장치를 연속적으로 생산할 수 있게 하기 위해 사용되어 왔다. 이들 시스템에서, 기판은 필요한 공정 단계를 연속하여 실행하기 위해 다수의 후속 처리 챔버를 통해 운반된다. 층들은 시스템을 통과하는 단일 경로 상에서 퇴적될 수 있다. 처리 챔버는 예를 들어, 코팅 챔버, 표면 처리 챔버 등을 포함할 수 있다.
유기 전자발광 물질(OLED)로 코팅된 기판의 생산을 위한 인라인 코팅 시스템은 EP 1 717 339 A2에 개시되는데, 그 내용은 여기에서 참조로 사용된다.
그러나, 캡슐화 챔버가 자주, 예를 들어 최소한 매일, 세척되어야 한다는 사실로 인해, 캡슐화 구성요소는 처리 라인에서 떨어진 및/또는 분리된 캡슐화 스테이션에서 코팅 기판상에 퇴적된다. 그렇지 않고, 캡슐화 모듈이 인라인 코팅 시스템 내에 통합되어 있으면, 라인을 통한 기판의 운반은 세척 공정 동안에 정지되어야 할 것이다. 그러므로, 인라인 코팅 시스템에서의 생산은 세척 기간 동안에 완전히 정지되어야 할 것이다.
본 발명의 목적은 높은 처리량을 갖고, OLED 제품의 높고 신뢰성 있는 청정 레벨을 보장하는 코팅 및 캡슐화 장치를 제공하기 위한 것이다.
이 목적은 청구항 1에 따른 처리 장치 및 청구항 12에 따른 기판상에 층 시스템을 생성하는 방법의 제공에 의해 달성된다.
기판상에 층 시스템, 양호하게 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 한 층을 포함하는 층 시스템을 생성하는 본 발명의 처리 장치는 처리 스테이션에서 상기 기판을 처리하기 위한 하나 이상의 처리 스테이션의 구조물, 및 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 캡슐화를 제공하기 위한 제1 캡슐화 도구를 포함하는 제1 캡슐화 모듈을 포함한다. 처리 장치는 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 캡슐화를 제공하기 위한 제2 캡슐화 도구를 최소한 포함하는 제2 캡슐화 모듈을 최소한 더 포함하고, 상기 처리 장치는 상기 제1 캡슐화 모듈 또는 상기 제2 캡슐화 모듈 내에서 교대로, 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 상기 캡슐화를 제공하도록 구성된다.
2개의 캡슐화 모듈을 제공함으로써, 모듈 중의 하나, 예를 들어 제2 모듈은 제1 캡슐화 모듈이 코팅 기판상에 캡슐화 구성요소를 생성하는 동안에 처리 장치의 연속된 동작 중에 세척될 수 있다. 한 번의 실행(run) 후, 또는 미리 결정된 수 n=1,2,3,..의 실행 후, 제2 캡슐화 모듈은 제1 캡슐화 모듈이 세척 처리를 받고 있 는 동안에, 다수의 후속 코팅 기판상에 캡슐화 구성요소를 생성하기 위해 사용된다. 이러한 방식으로, OLED 코팅 및 상기 OLED 코팅 상의 캡슐화를 퇴적시키기 위한 코팅 장치의 연속 동작이 제공된다. 완전한 생산 공정이 계속되는 동안, 처리 및 캡슐화 스테이션에서의 처리는 정적 및/또는 정지 상태일 수 있다.
그러므로, 본 발명은 퇴적된 다층 시스템상에 최소한 하나의 캡슐화 (구성요소)를 퇴적시킬 수 있는 가능성과 결합된 연속적인 동작/생산 모드로 기판상에 다층 시스템을 퇴적시키기 위해 처리 (코팅) 스테이션의 인라인 구성의 장점을 사용함으로써 높은 성능 및 처리량을 갖는 결합된 코팅 및 캡슐화 시스템인 처리 장치를 제안한다. 캡슐화 (구성요소)는 하나의 보호층, 몇 개의 보호층들의 시스템, 예를 들어 스크래치 방지 코팅뿐만 아니라 유기 및/또는 무기 층들의 적층, 커버 등일 수 있다. 2개의 캡슐화 챔버의 배열, 및 OLED 층 시스템상에 캡슐화 층(들)을 퇴적시키기 위한 캡슐화 챔버의 교대적인 사용으로 인해, 캡슐화 챔버는 결합된 인라인 코팅 및 캡슐화 시스템을 통하는 기판의 전달을 방해하지 않고 정기적으로 세척될 수 있다. 특히, 캡슐화 모듈/스테이션은 교대로 동작되고 세척된다.
처리 스테이션의 인라인 배열에서, 각각의 기판은 선형 퇴적 경로를 통과한다. "선형"이라는 것은 기판 로드(load) 스테이션에서 기판 언로드(unload) 스테이션으로 가는 도중에 각각의 처리 스테이션을 통과한다는 것을 의미한다. 기판들은 언제나 반드시 동일한 방향으로 운반되는 것이 아니라, 상기 선형 퇴적 경로를 따라 순차적으로 처리되도록 서로 뒤따른다. 처리될 기판은 연속적으로 차례로 생산 라인을 통과한다. 캡슐화 모듈은 다양한 배열에서, 예를 들어 펌프 챔버, 버퍼 챔버 또는 중간 챔버를 통해 직접 또는 간접적으로 코팅 라인/퇴적 경로의 출구에 결합될 수 있다.
"층 시스템"이라는 용어는 하나 이상의 층을 갖는 시스템을 나타낸다. 층(들)은 구조적 또는 비구조적일 수 있고, 즉 층들은 다소 균질한 얇은 층으로서 기판 영역 전체를 덮을 수도 있고, 패턴을 가질 수도 있다. 최소한 하나의 층은 유기 발광 반도체 물질(OLED)을 포함할 수 있다. 다른 층들은 유기 및/또는 무기 물질(예를 들어, 금속 층)을 포함할 수 있다.
양호하게, 하나 이상의 처리 스테이션의 구조물은 상기 기판상에 층을 퇴적시키기 위한 최소한 하나의 코팅 스테이션을 포함한다.
처리 장치는 다양한 처리 스테이션/모듈을 갖는 코팅 시스템을 포함할 수 있다. 처리 스테이션/모듈은 코팅 스테이션을 포함하지만, 에칭 스테이션, 중간 챔버, 펌프 챔버 등을 포함할 수도 있다. 코팅 스테이션은 상이한 코팅 공정, 예를 들어 PVD, CVD, PECVD, RF-PECVD, 스퍼터 공정 등을 실행할 수 있다. 캡슐화 시스템은 독립적으로 동작될 수 있는 최소한 2개의 캡슐화 모듈을 포함한다. 특히, 캡슐화 모듈은 임의로 그리고 선택적으로 동작될 수 있다.
양호한 실시예에서, 코팅 스테이션은 상기 기판상에 유기 발광 반도체 층(OLED)을 퇴적시키기 위한 최소한 하나의 도구를 포함한다. 유기 발광 디스플레이(OLED)에서 사용된 음극 물질 및 유기 분자가 산소 또는 물에 노출되면 제한된 수명을 갖기 때문에, 이들 시스템은 캡슐화 (구성요소) 또는 보호층 (시스템)을 덧붙임으로써 보호를 필요로 한다. 캡슐화 방법은 유리 또는 금속 캡 또는 박막 캡 슐화 공정을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 일반적으로, 이렇게 얻어진 OLED 디스플레이는 (예를 들어, 유리로 된 기판), ITO(Indium Tin Oxide)-층, 최소한 하나의 유기 발광 층 및 음극을 포함한다. 층 시스템을 둘러싸는 이 층 시스템의 위에, 스크래치 방지 코팅뿐만 아니라 유기 및/또는 무기 층들의 적층을 포함할 수 있는 캡슐화 구성요소가 제공된다.
상기 제1 캡슐화 모듈은 양호하게 상기 제1 캡슐화 모듈의 최소한 하나의 컴포넌트를 세척하는 제1 수단을 포함하고, 상기 제2 캡슐화 모듈은 상기 제2 캡슐화 모듈의 최소한 하나의 컴포넌트를 세척하는 제2 수단을 포함한다. 세척은 고속 플라즈마 에칭 공정에 의해 행해질 수 있다. 그러나, 또한 캡슐화 챔버 및/또는 캡슐화 도구의 (오염된) 컴포넌트를 교환함으로써 실행될 수 있다. 또한, 세척될 캡슐화 챔버로의 접근을 제공함으로써 캡슐화 스테이션의 컴포넌트를 세척하는 것도 가능하다.
상기 처리 스테이션 구조물의 처리 스테이션은 인라인으로 배열될 수 있다. 이러한 방식으로, 다수의 순차적인 기판은 계속되는 공정 단계들의 연속 공정에서 코팅될 수 있다.
양호한 실시예에서, 제1 캡슐화 모듈 및 제2 캡슐화 모듈은 서로 병렬로 배열된다. 이 실시예에서, 2개 이상의 캡슐화 챔버는 예를 들어, 전달 챔버를 통해, 인라인 코팅 장치의 끝에 결합될 수 있다. 캡슐화 챔버는 서로 병렬로 배열된다. 이것은 (코팅된) 기판이 처리되기 위해 제1 캡슐화 챔버 내로 운반되거나, 처리되기 위해 제2(또는 제3, 제4 등등) 캡슐화 챔버 내로 운반된다는 것을 의미한다. 그외 다른 챔버(들)은 기판이 들어가지 않고, 제1 캡슐화 모듈 내에서 층 시스템을 덮도록 캡슐화 구성요소를 제공하면서 세척 공정, 유지보수 또는 컴포넌트들의 교환을 겪을 수 있다. 그러므로, "병렬"은 엄격하게 기하학적 의미에서 이해될 필요는 없다(하지만 그럴 수도 있다).
코팅 라인으로부터 연속적으로 출력된 기판은 교대로, 제1 및 제2 캡슐화 챔버, 또는 다양한 캡슐화 챔버들 중의 한 챔버에서 처리될 수 있다. 그러므로, 세척될 캡슐화 챔버들 중의 하나는 그외 다른 챔버(들)이 결합된 코팅 및 캡슐화 시스템의 연속 동작을 제공하는 동안에 공정에서 분리되고 및/또는 해제될 수 있다. 더욱이, 캡슐화 공정이 챔버들 중의 하나에서 실행되는 동안, 내부 세척 공정, 예를 들어 플라즈마 에칭 공정은 그외 다른 챔버(들)에서 실행될 수 있다. 이 경우에, 캡슐화 및 세척 기간은 각각, 캡슐화 챔버들 중의 하나에서 실행된 매번의 캡슐화 실행 후 또는 n번의 캡슐화 실행 후(n=1,2,3,...) 병렬 캡슐화 챔버들 사이에서 교체될 수 있다. 그러나, 또한, 미리 결정된 기간 후 챔버들 사이에서의 변경일 수 있다.
특정 실시예에서, 처리 장치는 하나 이상의 처리 스테이션의 상기 구조물과 인라인으로 배열된 전달 스테이션을 포함하고, 상기 전달 스테이션은 처리 스테이션의 상기 구조물로부터 기판을 받아서, 상기 제1 캡슐화 모듈 및 상기 제2 캡슐화 모듈 중의 어느 한 모듈로 기판을 전달하도록 구성된다. 예를 들어, 전달 챔버는 캡슐화 챔버들 중의 어느 챔버 내로 기판을 전달하고, 캡슐화 챔버들의 각각으로부터 기판을 받을 수 있는 회전가능 운반 시스템을 포함하는 회전 챔버일 수 있다. 운반 시스템은 또한 코팅 시스템으로부터 출력된 기판을 받아서, 기판 언로드 스테이션 내로, 또는 회전 챔버와 기판 언로드 스테이션 사이에 배열된 중간 모듈 내로 전달할 수 있다.
캡슐화 모듈은 처리 스테이션의 인라인 구조물 내에서 기판의 운반 방향을 가로질러, 특히 기판의 운반 방향에 수직으로 배열될 수 있다. 이것은 전달 챔버에 대한 성형 클러스터(star-like cluster) 구성으로 배열된 캡슐화 챔버들의 배열을 포함한다.
다른 실시예에서, 제1 캡슐화 모듈 및 제2 캡슐화 모듈은 상기 처리 스테이션 구조물의 처리 스테이션과 인라인으로 배열된다. 즉, 기판의 운반 경로는 기판이 코팅 시스템을 통과했을 때 2개(또는 캡슐화 챔버의 수에 대응하는 수)의 분기(branch)로 나누어진다. 기판은 제1 캡슐화 챔버를 포함하는 제1 분기 또는 제2 캡슐화 챔버를 포함하는 제2 분기(또는 제3 분기 등등)로 전달된다. 캡슐화를 받은 후, 경로들은 다시 합해지거나, 또는 따로 기판 언로드 스테이션 내로 계속될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 제1 캡슐화 모듈 및 제2 캡슐화 모듈은 서로에 대해 인라인으로 배열된다.
인라인 배열에서, 캡슐화 챔버는 (기판의 운반 방향에 대해) 코팅 모듈의 (인라인) 배열의 하류 쪽의 최종 코팅 모듈에 결합되고, 코팅 모듈과 인라인으로 배열된다. 즉, 제1 캡슐화 챔버는 최종 코팅 스테이션과 직접 또는 간접적으로 결합되고, 제2 캡슐화 스테이션은 제1 캡슐화 스테이션과 인라인으로 결합된다. 제3 캡슐화 스테이션은 제2 캡슐화 스테이션과 인라인으로 결합되는 등등으로 될 수 있다. 캡슐화 스테이션은 기판을 수취하는 제1 오프닝 및 기판을 방출하는 제2 오프닝을 가질 수 있다. 제1 캡슐화 챔버는 제1 오프닝을 통해 코팅 라인의 출력 오프닝과 결합된다. 제1 캡슐화 챔버의 제2 오프닝은 제2 캡슐화 챔버의 제1 오프닝과 결합된다. 제2 캡슐화 챔버의 제2 오프닝은 하나 이상의 중간 챔버를 통하거나 또는 직접적으로 기판 언로드 스테이션과 결합된다.
이 실시예에서, 모든 기판은 인라인으로 배열된 모든 캡슐화 챔버를 통과한다. 일반적으로, 처리 장치의 동작 중에, 제1 기판의 제1 층 시스템이 캡슐화 챔버들 중의 하나에서 캡슐화되는 동안, 다른 (제2) 캡슐화 챔버는 세척 플라즈마에 의해 세척된다. 세척 플라즈마가 일반적으로 코팅 플라즈마보다 높은 에칭 속도를 갖기 때문에, 제2 챔버에서의 세척 기간은 제1 챔버에서의 코팅 기간보다 짧다. 다음 실행에서, 다른 챔버가 플라즈마에서 의해 세척되는 동안, 또 다른 기판이 제1 및 제2 캡슐화 챔버들 중의 하나로 전달되어 캡슐화된다. 일반적으로, 이 실행에서, 코팅된 기판은 이전의 실행에서 세척된 제2 캡슐화 챔버에서 캡슐화된다. 즉, 기판의 코팅이 각각 제1 및 제2 캡슐화 챔버에서 교대로 캡슐화되는 동안에, 각각의 다른 캡슐화 챔버는 세척된다.
기판이 세척 전 또는 세척 후에 모든 캡슐화 챔버를 통과하기 때문에, 이들 캡슐화 챔버가 어떤 잔류 개스도 포함하지 않는다는 것이 보장되어야 한다. 필요하다면, 추가 개스 분리 및/또는 펌프 챔버가 제공될 수 있다. 이러한 방식으로, 기판은 캡슐화 전 또는 후에 "더러운" 또는 "깨끗한" 캡슐화 챔버(들)을 통과할 수 있다. 캡슐화는 항상 충분히 깨끗한 챔버 내에서 발생한다.
양호하게, 처리 장치는 최소한 제3 캡슐화 모듈을 더 포함하는데, 상기 제1 캡슐화 모듈 및 제2 캡슐화 모듈은 서로 병렬로 및/또는 서로 인라인으로 배열되고, 상기 제3 캡슐화 모듈은 상기 제1 캡슐화 모듈 및/또는 상기 제2 캡슐화 모듈과 인라인으로 배열되거나, 또는 상기 제3 캡슐화 모듈은 상기 제1 캡슐화 모듈 및/또는 상기 제2 캡슐화 모듈과 병렬로 배열된다.
제1 및 제2 캡슐화 챔버와 인라인 및/또는 병렬로 배열된 3개 이상의 캡슐화 챔버가 있을 수 있다. 3개 이상의 챔버의 경우에, 그외 다른 동작 모드가 사용될 수 있다.
또한, 병렬 캡슐화 챔버의 제1 개념과 인라인 캡슐화 챔버 배열의 제2 개념을 결합하는 것이 가능하다. 예를 들어, 병렬로 배열된 2쌍의 캡슐화 챔버가 있을 수 있는데, 각 쌍은 인라인으로 배열된 2개의 캡슐화 챔버로 구성된다. 병렬 분기들 중의 하나는 활성상태일 수 있고, 즉 캡슐화 챔버의 인라인 배열과 관련하여 설명된 바와 같이 동작될 수 있는 반면, 제2 분기는 챔버들을 오픈함으로써 및/또는 컴포넌트들을 교환하여 컴포넌트들을 세척함으로써 세척될 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판을 처리하는 방법, 양호하게 기판상에 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 한 층을 포함하는 층 시스템을 퇴적시키는 방법은 다음 단계를 포함한다:
a) 최소한 하나의 처리 스테이션에서 제1 기판 상에 제1 층 시스템을 퇴적시키는 단계;
b) 제1 캡슐화 모듈 내에서 상기 제1 기판의 상기 제1 층 시스템상에 제1 캡슐화를 제공하는 단계; 및
c) 단계 b)를 실행하는 동안 상기 제1 캡슐화 모듈과 병렬로 또는 인라인으로 배열된 제2 캡슐화 모듈을 세척하는 단계.
캡슐화 챔버 내에서의 입자들의 높은 산란 속도는 캡슐화 챔버 내에서 코팅을 일으킨다. 이들 코팅은 캡슐화 챔버가 정기적으로 세척되지 않으면 나중의 캡슐화 공정 동안에 다른 OLED 장치상에 퇴적될 수 있다. 그러므로, 본 발명은 연속된 코팅 및 캡슐화 공정을 방해하지 않고 제2 캡슐화 챔버를 세척하는 세척 단계 c)를 포함한다.
캡슐화 챔버는 캡슐화 도구의 오염된, 즉 코팅된 컴포넌트를, 예를 들어 매일 몇 번, 교환함으로써 세척될 수 있다. 대안적으로, 내부 공정은 예를 들어, 캡슐화 챔버 내에 세척 플라즈마를 제공함으로써, 캡슐화 챔버를 세척하기 위해 사용될 수 있다.
이 방법은 다음 단계를 더 포함할 수 있다:
d) 상기 최소한 하나의 처리 스테이션에서 제2 기판상에 제2 층 시스템을 퇴적하는 단계;
e) 제2 캡슐화 모듈 내에서 상기 제2 기판의 상기 제2 층 시스템상에 제2 캡슐화를 제공하는 단계; 및
f) 단계 e)를 실행하는 동안 상기 제1 캡슐화 스테이션을 세척하는 단계.
특히, 제1 기판 및 제2 기판은 차례로 처리 스테이션 배열의 상기 최소한 하 나의 처리 스테이션에서 처리된다. 처리 스테이션은 상술된 바와 같이 인라인으로 배열될 수 있다.
양호하게, 상기 제1 기판의 제1 층 시스템은 제1 기간 동안에 상기 제1 캡슐화 모듈에서 캡슐화되고, 상기 제2 기판의 제2 층 시스템은 제2 기간 동안에 상기 제2 캡슐화 모듈에서 캡슐화되는데, 상기 제2 기간은 상기 제1 기간으로부터 시간적으로 이동된다. 한 캡슐화 챔버에서의 세척 기간 및 다른 캡슐화 챔버에서의 캡슐화 기간은 일반적으로 겹친다. 2개의 상이한 챔버에서의 2개의 캡슐화 공정은 부분적으로 겹칠 수 있다.
특히, 상기 제1 기판상에 퇴적된 제1 층 시스템은 실행 n에서 상기 제1 캡슐화 모듈 내에서 캡슐화되고, 상기 제2 기판상에 퇴적된 상기 제2 층 시스템은 실행 n 다음의 후속 실행 n+m에서 상기 제2 캡슐화 모듈 내에서 캡슐화되는데, n, m은 1,2,3,...이다. 제1 기판의 실행 n과 제2 기판의 실행 n+m 사이에는 (m-1)번의 실행이 있다.
상기 세척 단계 c) 및 f)는 플라즈마 세척 공정, 특히 고속 플라즈마 에칭 공정을 사용하여 실행될 수 있다. 대안적으로, 오염된 컴포넌트는 컴포넌트를 교환하거나 컴포넌트를 기계적으로 세척함으로써 "세척"될 수 있다.
양호하게, 상기 방법 단계 a) 및 d)에서의 처리는 상기 기판상에 최소한 하나의 유기 및/또는 하나의 무기 층을 퇴적시키는 것을 포함한다.
상술된 특징들은 그 자체로 또는 설명된 방법 및/또는 장치 특징들과의 임의의 조합으로 보호되게 된다.
다른 목적 및 장점은 특정 실시예에 관한 다음의 설명으로부터 알 수 있을 것이다.
본 발명의 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 높은 처리량을 가지면서, OLED 제품의 높고 신뢰성 있는 청정 레벨을 보장하는 코팅 및 캡슐화 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 기판상에 다층 시스템, 특히 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이를 제조하는 처리 장치(1)의 일부의 개략적인 평면도를 도시한 것이다.
처리 장치(1)는 화살표 A로 표시된 다수의 처리 스테이션의 인라인 배열을 포함한다. 처리 스테이션의 배열은 특히 기판상에 유기 및/또는 무기 구조적 또는 비구조적 층을 퇴적시키기 위한 코팅 스테이션을 포함하지만, 또한, 예를 들어 플라즈마 에칭 스테이션, 중간 챔버 등을 포함할 수 있다. 코팅 스테이션은 어떤 종류의 처리 도구, 예를 들어 스퍼터 도구, CVD 증발 도구 등을 포함할 수 있다. 기판은 다양한 처리 챔버를 통해 순차적으로 운반된다.
도 1에 도시된 실시예에서, 최종 처리 스테이션들 중의 하나는 금속 코팅 스테이션(2)일 수 있다. 금속 코팅 스테이션(2)은 층 시스템의 최상위 층을 형성하기 위해 제공된다. 금속 코팅 챔버(2)에서의 금속 층의 퇴적 후, 기판(이제, 캡슐화를 제외한 완전한 층 시스템을 포함함)은 중간 챔버(3)를 통해 전달 챔버(4) 내로 운반된다.
전달 챔버(4)는 전달 수단을 포함하는데, 예를 들어 코팅된 기판을 갖는 기판 운반체를 수취하기 위한 회전가능 수취부를 포함하는 회전가능 운반 시스템을 포함한다. 운반 시스템은 기판을 제1 또는 제2 캡슐화 챔버(5a 또는 5b) 내로 전달하기 위해 제1 캡슐화 챔버(5a) 또는 제2 캡슐화 챔버(5b)에 맞춰 정렬되게 회전될 수 있다.
이 실시예에서는, 기판이 교대로 제1 캡슐화 챔버(5a) 또는 제2 캡슐화 챔버(5b) 내로 운반될 수 있도록, 제1 캡슐화 챔버(5a)는 제2 캡슐화 챔버(5b)와 병렬로 배열된다. 두 개의 캡슐화 챔버(5a 및 5b)는 캡슐화 도구(6a 및 6b)를 포함한다. 캡슐화 도구(6a 및 6b)는 전달 챔버(4)의 코팅 시스템 업스트림에서 기판상에 퇴적되었던 층 시스템상에 캡슐화 물질을 퇴적시키기 위해 제공된다.
캡슐화 챔버(5a 및 5b)는 기판의 정규 운반 방향에 수직으로 배열된다. 기판의 정규 운반 방향은 화살표 A의 방향을 갖는 다수의 화살표로 표시된다.
제1 및 제2 캡슐화 챔버(5a 및 5b)는 전달 챔버(4)의 한쪽에 배열되지만, 물론 이들은 전달 챔버(4)의 다른 쪽에 배열될 수도 있고, 및/또는 전달 챔버(5a 및 5b)는 전달 챔버(4)의 서로 다른 쪽에 배열될 수도 있다. 또한, 전달 챔버(4)의 어느 쪽엔가 배열된 제1 캡슐화 챔버(5a) 및 제2 캡슐화 챔버(5b) 이외에 다른 캡슐화 챔버가 있을 수 있다.
제1 캡슐화 챔버(5a) 또는 제2 캡슐화 챔버(5b) 내에서 OLED 다층 시스템 상에 캡슐화 층을 제공하는 공정 동안에, 캡슐화 챔버들 중의 다른 챔버는 적당한 세척 공정에 의해, 예를 들어 (플라즈마) 에칭 공정에 의해, 또는 캡슐화 챔버(5a, 5b) 및/또는 캡슐화 도구(6a, 6b)의 오염된 컴포넌트들의 교환에 의해 세척된다.
OLED 층 시스템의 캡슐화 층의 퇴적 후, 기판은 제1 및 제2 캡슐화 챔버(5a 및 5b)에서 각각 제거되고, 전달 챔버(4) 내로 다시 운반된다. 그 후, 기판은 중간 챔버(7 및 8)를 통해 기판 언로드 스테이션(9) 내로 운반된다. 중간 챔버는 버퍼 챔버, 처리후 챔버, 프로세스 챔버, 코팅 챔버등일 수 있다. 기판 언로드 스테이션(9)에서, 기판은 운반체로부터 제거된다.
기판이 운반체에서 제거된 후, 빈 운반체는 챔버(10, 11, 4, 12, 13)를 통해 화살표 B로 표시된 경로로 다른 기판을 수취하기 위해 로드 스테이션 내로 다시 운반된다.
처리 장치(1)는 연속적으로 동작된다. 기판은 다양한 처리 단계를 실행하기 위해 한 챔버에서 다른 챔버로 운반된다. 몇 개의 기판은 순차적으로 처리 장치 내에서 처리된다.
제1 및 제2 캡슐화 챔버(5a 및 5b) 중의 하나가 각각의 캡슐화 챔버(5a 또는 5b) 내로 순차적으로 전달된 다수의 코팅 기판상에 캡슐화 층을 제공하도록 동작할 수 있는 동안, 제1 및 제2 캡슐화 챔버(5a 및 5b) 중의 다른 하나는 각각 그 공정에서 분리되어, 세척 또는 유지보수 공정 처리를 받을 수 있다. 그러므로, 캡슐화 공정을 포함하는 처리 장치(1)의 연속적인 인라인 동작은 캡슐화 챔버(5a 또는 5b) 중의 하나가 사용중이 아니더라도 보장된다. 3개 이상의 캡슐화 챔버를 제공할 때, 챔버들 중의 최소한 하나는 동작할 수 있어야 하는 반면, 다른 캡슐화 챔버들은 그 공정에서 분리될 수 있다.
제1 및 제2 캡슐화 챔버(5a 및 5b)는 교대로, 임의로 및/또는 선택적으로 동작할 수 있고, 즉 전달 챔버(4) 내로 순차 전달된 코팅된 기판은 교대로 제1 캡슐화 챔버(5a) 및 제2 캡슐화 챔버(5b) 내로 전달될 수 있다. 특정 기판에 대한 캡슐화 공정을 실행하도록 선택된 캡슐화 챔버는 매 번의 실행 후에, 소정 수인 n번의 연속적인 실행 후에, 또는 소정의 동작 시간 후에, 예를 들어 매일, 교체될 수 있다. 그러나, 다수의 다른 동작 모드가 가능하다. 동작 모드는 대체로 캡슐화 공정의 요구사항에 의존한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 것이다. 도 1에 도시된 배열과 같이, 처리 장치(1)는 화살표 A로 나타낸 코팅 챔버의 인라인 배열을 포함한다. 처리 배열 A에서 기판상에 퇴적된 다층 시스템의 최종 층은 금속 코팅 챔버(2) 내에 제공된다.
금속 층의 퇴적 후, 코팅된 기판은 중간 또는 처리 챔버(3)를 통해 제1 캡슐화 챔버(5a) 내로 운반되거나, 중간 또는 처리 챔버(3) 및 제1 캡슐화 챔버(5a)를 통해 제2 캡슐화 챔버(5b) 내로 운반된다. 두 개의 캡슐화 챔버(5a 및 5b)는 캡슐화 도구(6a 및 6b)를 포함한다.
이 실시예에서, 제1 캡슐화 챔버(5a) 및 제2 캡슐화 챔버(5b)는 화살표 A 방향을 갖는 다수의 화살표로 나타낸 정규 운반 방향으로 인라인으로 배열된다. 이것은 각각의 코팅된 기판이 두 개의 캡슐화 챔버(5a 및 5b)를 통해 운반된다는 것을 의미한다. 그러나, 각각의 코팅된 기판은 제1 캡슐화 챔버(5a) 또는 제2 캡슐화 챔버(5b) 내에서 캡슐화를 받는다. 물론, 3개 이상의 캡슐화 챔버가 인라인으 로 배열될 수 있고, 특정 기판이 이들 챔버들 중의 단 하나의 챔버에서의 처리에 의해 캡슐화를 받는다.
제1 또는 제2 캡슐화 챔버(5a 및 5b)에서의 캡슐화 공정 동안에, 캡슐화 챔버(5a 및 5b)의 다른 하나는 각각 세척 처리를 받는다.
이 실시예에서, 세척 공정은 예를 들어, 플라즈마 에칭 공정에 의해 플라즈마를 제공함으로써 실행된다. 최상의 동작 조건을 달성하기 위해, 세척 기간은 캡슐화 기간보다 짧게 선택되고, 및/또는 세척 공정은 매 번의 캡슐화 공정 후에 실행될 수 있다. 일반적으로, 세척 기간은 세척 공정(세척 플라즈마)을 위한 플라즈마 에칭 속도가 일반적으로 코팅 플라즈마의 속도보다 높기 때문에 코팅 기간보다 길지 않다. 그러므로, 세척 공정을 위한 주기 시간은 일반적으로 캡슐화 공정을 위한 주기 시간보다 짧다.
캡슐화가 제1 캡슐화 챔버(5a)에서 또는 제2 캡슐화 챔버(5a)에서 제공되는 지의 여부에 상관없이, 기판이 두 개의 캡슐화 챔버(5a 및 5b)를 통과하므로, 기판이 제1 캡슐화 챔버(5a) 내에서 캡슐화를 받는 경우에, 기판이 캡슐화 공정 후에 제2 캡슐화 챔버(5b)를 통과할 때 제2 캡슐화 챔버(5b) 내에 잔류 개스가 없다는 것이 보장되어야 한다. 한편, 코팅된 기판이 제2 캡슐화 챔버(5b) 내에서 캡슐화 처리를 받는 경우에, 코팅된 기판이 캡슐화 층을 받기 위해 제1 캡슐화 챔버(5a)를 통해 제2 캡슐화 챔버(5b)로 진행할 때 제1 캡슐화 챔버(5a) 내에 잔류 개스가 없다는 것이 보장되어야 한다. 이것을 위해, 개스 분리 또는 추가 펌프 챔버가 제공될 수 있다.
캡슐화 공정 후, 코팅되고 캡슐화된 기판은 중간 챔버, 프로세스 챔버, 코팅 챔버 및/또는 처리 챔버(7 및 8)를 통해 기판 언로드 챔버(9) 내로 운반된다. 빈 운반체는 운반 경로(10, 11, 12, 13, 14, 15)를 통하고 화살표 B로 나타낸 경로를 더욱 통해 로드 스테이션(도시되지 않음)으로 다시 운반된다. 경로를 따르는 챔버는 전달 챔버, 중간 챔버 및/또는 처리 챔버일 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 처리 장치의 개략적인 평면도.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 처리 장치의 개략적인 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 처리 장치
2 : 금속 코팅 스테이션
3, 7, 8 : 중간 챔버
4 : 전달 챔버
5a, 5b : 캡슐화 챔버
6a, 6b : 캡슐화 도구
9 : 기판 언로드 스테이션

Claims (18)

  1. 처리 스테이션들(treatment stations)(A, 2)에서 기판을 처리하기 위한 하나 이상의 처리 스테이션들(A, 2)의 구조물, 및
    상기 기판상에 퇴적된 층 시스템상에 캡슐화(encapsulation)를 제공하기 위한 제1 캡슐화 도구(6a)를 포함하는 제1 캡슐화 모듈(5a)
    을 포함하는 처리 장치(1)로서, 양호하게 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 하나의 층을 포함하는 층 시스템을 기판상에 생성하는 처리 장치(1)에 있어서,
    상기 처리 장치(1)는 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 캡슐화를 제공하기 위한 제2 캡슐화 도구(6b)를 최소한 포함하는 제2 캡슐화 모듈(5a)을 최소한 더 포함하고,
    상기 처리 장치(1)는 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 또는 상기 제2 캡슐화 모듈(5b) 내에서 교대로, 상기 기판상에 퇴적된 상기 층 시스템상에 상기 캡슐화를 제공하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 처리 장치(1).
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 처리 스테이션들(A, 2)의 구조물은 상기 기판상에 층을 퇴적시키기 위한 최소한 하나의 코팅 스테이션을 포함하는 처리 장치(1).
  3. 제2항에 있어서, 상기 최소한 하나의 코팅 스테이션은 상기 기판상에 유기 발광 반도체 층(OLED)을 퇴적시키기 위한 최소한 하나의 도구를 포함하는 처리 장치(1).
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 캡슐화 모듈(5a)은 상기 제1 캡슐화 모듈(5a)의 최소한 하나의 컴포넌트를 세척하는 제1 수단을 포함하고, 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)은 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)의 최소한 하나의 컴포넌트를 세척하는 제2 수단을 포함하는 처리 장치(1).
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 스테이션들의 구조물의 상기 처리 스테이션들(A, 2)은 인라인(in-line)으로 배열되는 처리 장치(1).
  6. 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)은 서로 병렬로 배열되는 처리 장치(1).
  7. 제6항에 있어서, 상기 처리 장치(1)는 상기 하나 이상의 처리 스테이션들(A, 2)의 구조물과 인라인으로 배열된 전달 스테이션(4)을 포함하고, 상기 전달 스테이션(4)은 상기 처리 스테이션들(A, 2)의 구조물로부터 기판을 받아서, 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및 상기 제2 캡슐화 모듈(5b) 중의 어느 하나로 기판을 전달하도록 구성되는 처리 장치(1).
  8. 제1항 내지 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 캡슐화 모듈들(5a, 5b)은 기판들의 운반 방향(A)을 가로질러, 특히 운반 방향(A)에 수직으로 배열되는 처리 장치(1).
  9. 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)은 상기 처리 스테이션들의 구조물의 상기 처리 스테이션들(A, 2)과 인라인으로 배열되는 처리 장치(1).
  10. 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)은 서로 인라인으로 배열되는 처리 장치(1).
  11. 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 장치(1)는 최소한 제3 캡슐화 모듈을 더 포함하고, 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)은 서로 병렬로 및/또는 서로 인라인으로 배열되고, 상기 제3 캡슐화 모듈은 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및/또는 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)과 인라인으로 배열되거나, 또는 상기 제3 캡슐화 모듈은 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 및/또는 상기 제2 캡슐화 모듈(5b)과 병렬로 배열되는 처리 장치(1).
  12. 기판을 처리하는 방법, 양호하게 기판상에 유기 발광 반도체 물질(OLED)의 최소한 하나의 층을 포함하는 층 시스템을 퇴적시키는 방법에 있어서,
    a) 최소한 하나의 처리 스테이션(A, 2)에서 제1 기판상에 제1 층 시스템을 퇴적시키는 단계;
    b) 제1 캡슐화 모듈(5a) 내에서 상기 제1 기판의 상기 제1 층 시스템상에 제1 캡슐화를 제공하는 단계; 및
    c) 단계 b)를 실행하는 동안 상기 제1 캡슐화 모듈(5a)과 병렬로 또는 인라인으로 배열된 제2 캡슐화 모듈(5b)을 세척하는 단계
    를 포함하는 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    d) 상기 최소한 하나의 처리 스테이션(A, 2)에서 제2 기판상에 제2 층 시스템을 퇴적시키는 단계;
    e) 제2 캡슐화 모듈(5b) 내에서 상기 제2 기판의 상기 제2 층 시스템상에 제2 캡슐화를 제공하는 단계; 및
    f) 단계 e)를 실행하는 동안 상기 제1 캡슐화 스테이션(5a)을 세척하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은 차례로 상기 최소한 하나의 처리 스테이션(A, 2)에서 처리되는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 기판의 상기 제1 층 시스템은 제1 기간 동안에 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 내에서 캡슐화되고, 상기 제2 기판의 상기 제2 층 시스템은 제2 기간 동안에 상기 제2 캡슐화 모듈(5b) 내에서 캡슐화되며, 상기 제2 기간은 상기 제1 기간으로부터 시간적으로 이동되는 방법.
  16. 제12항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 기판상에 퇴적된 상기 제1 층 시스템은 실행(run) n에서 상기 제1 캡슐화 모듈(5a) 내에서 캡슐화되고, 상기 제2 기판상에 퇴적된 상기 제2 층 시스템은 실행 n 다음의 후속 실행 n+m에서 상기 제2 캡슐화 모듈(5b) 내에서 캡슐화되며, n, m=1,2,3...인 방법.
  17. 제12항 내지 제16항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 세척 단계 c) 및 f)는 플라즈마 세척 공정을 사용하여 실행되는 방법.
  18. 제12항 내지 제17항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 방법 단계들 a) 및 d)에서의 상기 처리는 상기 기판들 상에 최소한 하나의 유기 및/또는 하나의 무기 층을 퇴적시키는 것을 포함하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160041158A (ko) * 2014-10-06 2016-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090064628A1 (en) * 2007-09-07 2009-03-12 The Garland Company, Inc. Reflective roofing materials
US20090324368A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
KR101739012B1 (ko) * 2010-11-22 2017-05-23 주식회사 원익아이피에스 기판처리시스템
CN102185118B (zh) * 2011-04-02 2013-05-22 东莞宏威数码机械有限公司 Oled玻璃基片清洗系统及其清洗方法
CN102185119B (zh) * 2011-04-02 2013-04-10 东莞宏威数码机械有限公司 Oled玻璃基片清洗设备及其清洗方法
KR101990555B1 (ko) * 2012-12-24 2019-06-19 삼성디스플레이 주식회사 박막봉지 제조장치 및 박막봉지 제조방법
US20200243768A1 (en) * 2017-03-17 2020-07-30 Applied Materials, Inc. Methods of operating a vacuum processing system
KR20200119820A (ko) * 2018-02-12 2020-10-20 외를리콘 서피스 솔루션즈 아게, 페피콘 독창적인 코팅 방법 및 시스템

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6176932B1 (en) * 1998-02-16 2001-01-23 Anelva Corporation Thin film deposition apparatus
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20040035360A1 (en) 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US20030221620A1 (en) 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
JP2004149846A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Sony Corp 蒸着装置および有機電界発光素子の製造装置
JP2004241319A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Sony Corp 成膜装置
US7354845B2 (en) * 2004-08-24 2008-04-08 Otb Group B.V. In-line process for making thin film electronic devices
EP1717339A2 (de) * 2005-04-20 2006-11-02 Applied Films GmbH & Co. KG Kontinuierliche Beschichtungsanlage

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160041158A (ko) * 2014-10-06 2016-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법

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Publication number Publication date
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