KR20080081408A - 광검출용 반도체 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 국부적으로 가시광이 투과될 수 있는 광투과부가 형성된 제1기판과,상기 제1기판 표면에 형성되며, 외부로부터 전달되는 광신호를 수신하는 제1도전부와 수신된 광신호를 외부에 전달하는 제2도전부를 포함하는 도전층 및상기 도전층을 보호하는 절연층을 포함하는광검출용 반도체 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 제1기판은 Si 또는 SiN 재질의 반도체 웨이퍼, 유연성 박막 또는 PCB 기판인 것을 특징으로 하는 광검출용 반도체 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 제1기판의 일면에 상기 광투과부를 커버하도록 접합되는 투명창을 더 포함하는 광검출용 반도체 패키지.
- 제3항에 있어서, 상기 투명창의 표면에는 적외선 필터가 코팅되어 있는 광검출용 반도체 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전부를 통하여 전기적으로 연결되며, 상기 제1기판의 광투과부를 통해 전달되는 광을 수신하여 전기적으로 변환시키는 광검출부가 구비되어 있는 제2기판을 포함하는 광검출용 반도체 패키지.
- 제5항에 있어서, 상기 제2도전부를 통하여 전기적으로 연결되는 제3기판을 더 포함하는 광검출용 반도체 패키지.
- 하나의 외부 회로 기판에 제1항의 기판이 복수로 배열되어 있는 광검출용 반도체 패키지.
- 제1기판을 준비하고,상기 제1기판 표면에 외부로부터 전달되는 광신호를 수신하는 제1도전부와 수신된 광신호를 외부에 전달하는 제2도전부를 포함하는 도전층을 형성하고,상기 도전층을 보호하는 절연층을 형성하고,상기 제2도전부에 솔더 범프를 형성하고,상기 제1기판에 국부적으로 가시광이 투과될 수 있는 광투과부를 형성하는 단계를 포함하는광검출용 반도체 패키지 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1기판의 일면에 상기 광투과부를 커버하도록 투명창을 접합하는 단계를 더 포함하는 광검출용 반도체 패키지 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1기판의 광투과부를 통해 전달되는 광을 수신하여 전기적으로 변환시키는 광검출부가 구비되어 있는 제2기판을 준비하고,상기 제2기판을 상기 제1도전부를 통하여 제1기판에 전기적으로 연결하는 단계를 포함하는 광검출용 반도체 패키지 제조 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 제2도전부를 통하여 전기적으로 연결되도록 제1기판을 제3기판에 실장하는 단계를 더 포함하는 광검출용 반도체 패키지 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1기판은 Si 또는 SiN 재질의 반도체 웨이퍼 또는 PCB 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 광검출용 반도체 패키지 제조 방법.
- 국부적으로 가시광이 투과될 수 있는 광투과부가 형성되어 있는 제1기판을 준비하고,상기 제1기판 표면에 외부로부터 전달되는 광신호를 수신하는 제1도전부와 수신된 광신호를 외부에 전달하는 제2도전부를 포함하는 도전층을 형성하고,상기 도전층을 보호하는 절연층을 형성하고,상기 제2도전부에 솔더 범프를 형성하는 단계를 포함하는광검출용 반도체 패키지 제조 방법.
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