KR20080080438A - 액정 장치 및 전자기기 - Google Patents

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아야에 사와도
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 저전압이고, 또한 단시간에 OCB 모드의 초기 배향 전이를 행할 수 있는 액정 장치 및 전자기기를 제공하기 위한 것으로, 대향하여 배치된 제 1 기판(10)과 제 2 기판(20) 사이에 유지된 액정층(50)과, 액정층(50)의 배향 상태를 스프레이 배향으로부터 밴드 배향으로 전이시켜 표시를 행하는 액정 장치(100)이다. 제 1 기판(10)에는, 주사선(3a) 및 데이터선(6a)으로 둘러싸인 영역에 각각 마련되는 화소 전극(15)과 주사선(3a) 및 데이터선(6a)보다 상층이고, 또한 화소 전극(15)보다 하층에 마련되어, 화소 전극(15)과의 사이에 전위차를 발생시키는 전이 전극(60)이 마련된다.

Description

액정 장치 및 전자기기{LIQUID CRYSTAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 액정 장치 및 전자기기에 관한 것이다.
특히 액정 텔레비전 등으로 대표되는 액정 표시 장치의 분야에서는, 최근, 동화상의 화질 향상을 목적으로 하여 응답 속도가 빠른 OCB(Optical Compensated Bend) 모드의 액정 표시 장치가 각광을 받고 있다. OCB 모드에 있어서, 초기 상태에서는 액정이 2장의 기판 사이에서 스프레이 형상으로 열린 스프레이 배향으로 되어 있고, 표시 동작 시에는 액정이 활 모양으로 굽은 상태(밴드 배향)로 되어야 한다. 즉, 표시 동작 시에 밴드 배향의 굽힘의 정도로 투과율을 변조함으로써 고속 응답성을 실현하고 있다.
이와 같이 OCB 모드의 액정 표시 장치의 경우, 전원 차단 시에 액정은 스프레이 배향이기 때문에, 전원 투입 시에 어느 임계값 전압 이상의 전압을 액정에 인가함으로써 초기의 스프레이 배향으로부터 표시 동작 시의 밴드 배향으로 액정의 배향 상태를 전이시키는, 이른바 초기 전이 조작이 필요해진다. 그래서 특허 문헌 1에는, 화소 전극과의 사이에 생기게 한 횡 전계를 이용하여, 액정의 초기 배향 전 이를 촉진하는 기술이 개시되어 있다.
(특허 문헌 1) 일본 공개 특허 공보 제2001-296519호
그러나, 특허 문헌 1에 기재된 기술에서는, 화소 전극의 소정 위치에 전이 핵을 형성하기 위해서는 높은 전압이 필요해진다. 그 때문에, 예컨대, 모바일 기기 등의 전자기기에 이용되는 소용량의 전원에서는, 전계 강도가 부족하여 전이 핵을 충분하고, 또한 균일하게 생기게 할 수 없어, 표시 불량의 발생 또는 소망의 고속 응답성를 얻을 수 없다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 사정을 감안해서 이루어진 것으로, 저전압이고, 또한 단시간에 OCB 모드의 초기 배향 전이를 행할 수 있는 액정 장치 및 전자기기를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 액정 장치는, 대향하여 배치된 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 유지된 액정층을 갖고, 해당 액정층의 배향 상태를 스프레이 배향으로부터 밴드 배향으로 전이시켜 표시를 행하는 액정 장치로서, 상기 제 1 기판에는, 서로 교차하는 주사선 및 데이터선과, 복수의 화소 전극이 마련되어 있고, 상기 주사선 또는 데이터선보다 상기 액정층 쪽이며, 또한 상기 화소 전극보다 상기 제 1 기판 쪽에 마련되며, 상기 화소 전극과의 사이에 전위차를 발생시키는 전이 전극이 마련되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 장치에 따르면, 화소 전극과 전이 전극 사이에 전계를 생기 게 함으로써 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 형성할 수 있다. 또한, 상기 전이 전극과 상기 화소 전극이 상하로 배치된 구조로 되므로, 예컨대, 전극 사이에 마련되는 절연층(유전체막)의 막 두께를 작게 함으로써, 종래의 횡 전계를 이용한 전극 구조와 비교하여, 전극간 거리를 단축할 수 있고, 그 결과, 저전압으로 단시간에 초기 전이를 행할 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 상기 전이 전극에 상기 화소 전극의 단부가 겹치는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 상술한 바와 같은 초기 전이의 기점을 이루는 전이 핵을 형성하는 전계를 화소 전극과 전이 전극 사이에 양호하게 발생시킬 수 있다. 또한, 화소 전극의 단부 상의 액정 분자도 배향시킬 수 있어, 화소 전극상에 광범위하게 초기 전이를 생기게 할 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 상기 화소 전극과 상기 전이 전극 사이에 유전체막이 마련되고, 해당 유전체막 중 상기 전이 전극과 겹치는 부분의 막 두께가 1㎛ 이하인 것이 바람직하다.
일반적으로 전극 및 배선층은 포토리소그래피 등에 의해 형성되기 때문에, 각각의 간격을 2㎛ 정도로 설정하는 것이 기술적으로 한계로 된다. 그래서, 본 발명을 채용하면, 화소 전극과 전이 전극 사이에 개재하는 유전체막의 막 두께가 1㎛ 이하로 되므로, 전극 끼리를 접근시킬 수 있어, 종래의 횡 전계 방식과 비교하여, 보다 낮은 전압으로 초기 전이를 생기게 할 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 상기 화소 전극 또는 상기 전이 전극에 굴곡부가 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 굴곡부에 의해 화소 전극과 전이 전극 사이에서 전계가 여러 방향으로 발생하므로, 굴곡부에 의해 전이 핵의 발생을 더욱 확실한 것으로 할 수 있어, 초기 전이의 균일성, 고속성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 상기 전이 전극이 섬 형상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 전이 전극을 화소 영역 내의 소망 위치에 배치하는 것이 가능해져, 초기 배향 전이의 기점을 이루는 전이 핵을 발생시키는 장소를 임의의 위치에 설정할 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 상기 전이 전극은 상기 화소 전극에 형성된 슬릿에 겹치는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 전이 전극을 화소 영역 내의 소망의 위치에 배치하는 것이 가능해져, 초기 배향 전이의 기점을 이루는 전이 핵을 발생시키는 장소를 임의의 위치에 설정할 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 평면에서 본 상태에서, 상기 화소 전극으로부터 이격시킨 위치이며, 또한 상기 전이 전극에 겹치는 위치에 돌기부가 마련되는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 돌기부에 의해 초기의 액정 분자를 여러 방향으로 경사 배향시킬 수 있게 되고, 또한, 초기 전이 전압의 인가에 의해 여러 방향의 기울기 전계를 발생시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 돌기부 주변에 디스크리네이션을 발생시 킬 수 있어, 초기 전이의 균일성 및 고속성을 더 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 액정 장치에 있어서는, 상기 전이 전극은 상기 주사선과 동 전위를 이루도록 하여도 좋다.
이와 같이 하면, 주사선에 전압을 인가함으로써 화소 전극과의 사이에 초기 전이의 기점으로 되는 전계를 생기게 할 수 있다. 또한, 주사선과 전이 전극을 적층함으로써 연속적으로 형성할 수 있으므로, 제조 공정을 간략화할 수 있다.
본 발명의 전자기기는 상기 액정 장치를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자기기에 의하면, 저전압이고, 또한 단시간에 OCB 모드의 초기 배향 전이를 행할 수 있는 액정 장치를 구비하고 있으므로, 표시 품질에 우수한 전자기기를 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면, 저전압으로, 단시간에 OCB 모드의 초기 배향 전이를 할 수 있는 액정 장치 및 전자기기를 제공할 수 있다.
(실시예 1)
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 또, 이하의 설명에 이용하는 각 도면에서는, 각 부재를 인식 가능한 크기로 하기 위해 축척을 적절히 변경하고 있다. 또한 본 명세서에서는 화상 표시의 최소 단위를 「서브 화 소」라 하고, 각 색 컬러 필터를 구비한 복수의 서브 화소의 집합을 「화소」라 한다.
도 1(a)는 본 실시예의 액정 장치를 나타내는 평면도, 도 1(b)는 도 1(a)의 H-H'선 단면도이다. 도 2는 액정 장치를 나타내는 등가 회로도, 도 3은 서브 화소 영역의 평면 구성도, 도 4는 액정 장치의 단면도이며, 도 4(a)는 도 3의 A-A'선 단면도, 도 4(b)는 도 3의 B-B'선 단면도이다. 도 5는 액정 분자의 배향 상태를 나타내는 개략도이다.
본 실시예에 따른 액정 장치는, TFT(Thin Film Transistor: 박막 트랜지스터)를 화소 스위칭 소자로서 이용한 TFT방식 액티브 매트릭스형 액정 장치이다.
액정 장치(100)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(제 1 기판)(10)과, 소자 기판(10)에 대향 배치된 대향 기판(제 2 기판)(20)과, 소자 기판(10) 및 대향 기판(20) 사이에 유지된 액정층(50)을 구비하고 있다. 액정층(50)으로는, 유전율 이방성이 정(正)인 액정 재료를 이용했다.
또한, 액정 장치(100)는, 소자 기판(10) 및 대향 기판(20)을 밀봉재(52)에 의해 접합하고 있고, 액정층(50)을 밀봉재(52)로 구획된 영역 내에 밀봉하고 있다. 밀봉재(52)의 내주를 따라 주변 파티션(53)이 형성되어 있고, 주변 파티션(53)으로 둘러싸인 평면에서 보아(대향 기판(20) 쪽으로부터 소자 기판(10)을 본 상태) 직사각형 형상의 영역을 화상 표시 영역(10a)으로 하고있다.
또한, 액정 장치(100)는 밀봉재(52)의 바깥쪽 영역에 마련된 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)와, 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)와 도통하는 접속 단자(102)와, 주사선 구동 회로(104)를 접속하는 배선(105)을 구비하고 있다.
액정 장치(100)의 화상 표시 영역(10a)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 복수의 서브 화소 영역이 평면에서 보아 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 각각의 서브 화소 영역에 대응하여, 화소 전극(15)과 화소 전극(15)을 스위칭 제어하는 TFT(Thin Film Transistor: 박막 트랜지스터)(30)가 마련된다. 또한, 화상 표시 영역(10a)에는 복수의 데이터선(6a)과 주사선(3a)이 격자 형상으로 연장하여 형성되어 있다. 즉, 상기 서브 화소 영역은 상기 데이터선(6a) 및 주사선(3a)에 의해서 둘러싸인 영역에 대응하고 있다.
TFT(30)의 소스에 데이터선(6a)이 전기적으로 접속되어 있고, 게이트에는 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있다. TFT(30)의 드레인은 화소 전극(15)과 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)은 데이터선 구동 회로(101)에 접속되어 있고, 데이터선 구동 회로(101)로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2, …, Sn을 각 서브 화소 영역에 공급한다. 주사선(3a)은 주사선 구동 회로(104)에 접속되어 있고, 주사선 구동 회로(104)로부터 공급되는 주사 신호 G1, G2, …, Gm을 각 서브 화소 영역에 공급한다. 데이터선 구동 회로(101)로부터 데이터선(6a)에 공급되는 화상 신호 S1∼Sn은, 이 순서로 선순차적으로 공급하여도 좋고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)끼리에 대하여 그룹마다 공급하여도 좋다. 주사선 구동 회로(104)는, 주사선(3a)에 대하여, 주사 신호 G1∼Gm을 소정의 타이밍에서 펄스식으로 선순차적으로 공급한다.
액정 장치(100)는 스위칭 소자인 TFT(30)가 주사 신호 G1∼Gm의 입력에 의해 일정 기간만큼 온 상태로 됨으로써, 데이터선(6a)에서 공급되는 화상 신호 S1∼Sn이 소정의 타이밍에서 화소 전극(15)에 기입되는 구성으로 되어있다. 그리고, 화소 전극(15)을 거쳐 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1∼Sn은 화소 전극(15)과 액정층(50)을 거쳐 대향 배치된 후술하는 공통 전극과의 사이에서 일정 기간 유지된다.
여기서, 유지된 화상 신호 S1∼Sn이 리크되는 것을 방지하기 위해, 화소 전극(15)과 공통 전극 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(17)이 접속되어 있다. 축적 용량(17)은 TFT(30)의 드레인과 용량선(3b) 사이에 마련된다.
다음에, 액정 장치(100)의 상세한 구성에 대하여, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3에서, 평면에서 보아 거의 직사각형 형상의 서브 화소 영역의 장축 방향, 화소 전극(15)의 장축 방향 및 데이터선(6a)의 연장 방향을 Y축 방향, 서브 화소 영역의 단축 방향이나 화소 전극(15)의 단축 방향, 주사선(3a) 및 용량선(3b)의 연장 방향을 X축 방향으로 규정하고 있다.
액정 장치(100)는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 액정층(50)을 사이에 유지하여 대향하는 소자 기판(10) 및 대향 기판(20)과, 소자 기판(10)의 바깥쪽(액정층(50)과 반대쪽)에 배치된 위상차판(33) 및 편광판(36)과, 대향 기판(20)의 바깥쪽(액정층(50)과 반대쪽)에 배치된 위상차판(34) 및 편광판(37)과, 편광판(36)의 바깥쪽에 마련되어 소자 기판(10)의 외면 쪽으로부터 조명광을 조사하는 조명 장치(61)를 구비하여 구성되어 있다. 액정층(50)은 OCB 모드로 동작하는 구성으로 되어 있고, 액정 장치(100)의 동작 시에, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 액정 분자(51)가 대략 궁형(弓形)으로 배향된 밴드 배향을 나타낸다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 각각의 서브 화소 영역에는 평면에서 보아 직사각형 형상의 화소 전극(15)이 형성되어 있다. 화소 전극(15)의 변단 중 Y축 방향으로 연장하는 장변을 따라 데이터선(6a)이 연장하고 있고, 화소 전극(15)의 단변(X축 방향)을 따라 주사선(3a)이 연장하고 있다. 주사선(3a)의 화소 전극(15) 쪽에, 주사선(3a)과 평행하게 연장하는 용량선(3b)이 형성되어 있다.
주사선(3a) 상에, 스위칭 소자인 TFT(30)가 형성되어 있다. TFT(30)는 섬 형상의 아몰퍼스 실리콘막으로 이루어지는 반도체층(35)과, 반도체층(35)과 일부 평면적으로 겹치도록 배치된 소스 전극(6b) 및 드레인 전극(32)을 구비하고 있다. 주사선(3a)은 반도체층(35)과 평면적으로 겹치는 위치에서 TFT(30)의 게이트 전극으로서 기능한다.
소스 전극(6b)은 반도체층(35)과 반대쪽의 단부에서 데이터선(6a)과 접속되어 있다. 드레인 전극(32)은 반도체층(35)과 반대쪽의 단부에서 평면에서 보아 대략 직사각형 형상의 용량 전극(31)과 접속되어 있다. 용량 전극(31)은 용량선(3b)의 평면 영역 내에 배치되어 있고, 용량 전극(31)과 용량선(3b)을 전극으로 하는 축적 용량(17)을 구성하고 있다. 용량 전극(31)의 평면 영역 내에 형성된 화소 콘택트 홀(25)을 거쳐 화소 전극(15)과 용량 전극(31)이 전기적으로 접속됨으로써, TFT(30)의 드레인과 화소 전극(15)이 도통하고 있다.
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 평면에서 본 상태(화소 전극(15)의 수직 방향으로부터 본 상태)에서 데이터선(6a)을 덮도록 하여, 스트라이프 형상의 전이 전극(60)이 화소 전극(15) 사이에 배치되어 있다. 이 전이 전극(60)은, 도 4(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 상기 주사선(3a) 및 상기 데이터선(6a)보다 상층, 또한 상기 화소 전극(15)보다 하층에 마련된다. 그리고, 전이 전극(60)은 화소 전극(15)과의 사이에 전위차를 발생하고, 이들 전극(60, 15) 사이에 전계를 생기게 함으로써, 상세에 대하여 후술하는 바와 같이, 스프레이 배향으로부터 밴드 배향으로의 초기 배향 전이의 기점을 이루게 하고 있다.
또한, 상기 전이 전극(60)은, 평면에서 본 상태(소자 기판(10)의 수직 방향에서 소자 기판면을 본 경우)에서, 해당 전이 전극(60)에 있어서의 형성 영역(전이 전극(60)의 외형)의 적어도 일부가 상기 화소 전극(15)에 있어서의 형성 영역(화소 전극(15)의 외형)의 바깥쪽에 존재하도록 형성되어 있다.
구체적으로 본 실시예에서는, 평면에서 본 상태에서, 상기 전이 전극(60) 상에 상기 화소 전극(15)의 단부(데이터선(6a) 측)가 존재하고 있다. 즉, 전이 전극(60) 및 화소 전극(15)의 단부가 각각 겹친 구성으로 되어있다(도 3 참조).
도 4(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 소자 기판(10)은, 예컨대, 유리나 석영, 플라스틱 등의 투광성 재료로 구성된 기판 본체(11)를 기체로서 구비한다. 기판 본체(11)의 내측(액정층(50) 쪽)에는, 주사선(3a) 및 용량선(3b)과, 주사선(3a) 및 용량선(3b)을 덮는 게이트 절연막(12)과, 게이트 절연막(12)을 거쳐 주사선(3a)과 대향하는 반도체층(35)과, 반도체층(35)과 접속된 소스 전극(6b)(데이터선(6a)), 및 드레인 전극(32)과, 드레인 전극(32)과 접속됨과 아울러 게이트 절연 막(12)을 거쳐 용량선(3b)과 대향하는 용량 전극(31)이 형성되어 있다. 즉, TFT(30)와 이것에 접속된 축적 용량(17)이 형성되어 있다.
TFT(30)를 덮어, TFT(30) 등에 기인하는 기판 상의 요철을 평탄화하는 평탄화막(13)이 형성되어 있다. 평탄화막(13) 상에 상기 전이 전극(60)이 마련된다. 이 전이 전극(60)은, 상기 화소 전극(15)과 마찬가지로 ITO 등의 투명 도전 재료로 이루어진다. 이에 따라, 전이 전극(60) 상의 액정 분자도 표시에 기여시킬 수 있어, 개구율의 저하를 방지하고 있다. 그리고, 전이 전극(60)을 덮어, 유전체막(14)이 마련된다. 이 유전체막(14)은 실리콘 산화물막이나 실리콘 질화물막 등으로 이루어지는 투명 절연막이다. 이 유전체막(14)은 적어도 상기 전이 전극(60)을 덮고 있는 부분의 막 두께 W가 1㎛ 이하로 되어있는 것이 바람직하다.
일반적으로, 횡 전계 방식에서는 전극을 서로 인접시킨 상태에 형성해야 한다. 이들 전극은 포토리소그래피에 의해 형성되기 때문에, 예컨대, 가공 정밀도 등이 기술적인 문제로부터 전극 간격이 2㎛ 정도로 설정되어 버린다. 한편, 본 실시예에 의하면, 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 개재하는 유전체막(14)의 막 두께가 1㎛ 이하로 되어 있으므로, 종래의 횡 전계 방식과 비교해서 전극간 거리가 줄어, 보다 낮은 전압으로 동일한 전계를 생기게 할 수 있어, 이 전계에 의해 초기 전이를 생기게 하는 것이 가능하게 되어 있다.
또한, 상기 평탄화막(13) 및 유전체막(14)을 관통하여 용량 전극(31)에 이르는 화소 콘택트 홀(25)을 거쳐, 유전체막(14) 상에 형성된 화소 전극(15)과 용량 전극(31)이 전기적으로 접속되어 있다. 화소 전극(15)을 덮고 배향막(18)이 형성 되어 있다. 이 배향막(18), 예컨대, 폴리이미드로 이루어지는 것이고, 서브 화소 영역의 장축 방향(도 3에 나타내는 화살표 R 방향)으로 러빙 처리를 실시하고 있다.
대향 기판(20)은, 예컨대, 유리나 석영, 플라스틱 등의 투광성 재료로 구성된 기판 본체(21)를 기체로서 구비한다. 기판 본체(21)의 내측(액정층(50) 쪽)에는, 각각의 서브 화소 영역에 대응하는 종류의 색의 색재층으로 이루어지는 컬러 필터(22)와, 공통 전극(23)과 배향막(29)이 적층 형성되어 있다.
공통 전극(23)은 ITO 등의 투명 도전 재료로 이루어지고, 복수의 서브 화소 영역을 덮는 평면 베타 형상으로 형성된 것이다.
배향막(29)은, 예컨대, 폴리이미드로 이루어지는 것이고, 공통 전극(23)을 덮어 형성되어 있다. 배향막(29)의 표면에는, 배향막(18)의 배향 방향 R과 평행한 방향(도 3에 나타내는 화살표 R 방향)의 러빙 처리가 실시되어 있다.
다음에, OCB 모드의 액정 장치(100)의 초기 전이 조작을 도면에 근거하여 설명한다. 여기서, 도 5는 OCB 모드의 액정 분자의 배향 상태를 나타내는 설명도이다.
OCB 모드의 액정 장치에서는, 그 초기 상태(비 동작 시)에 있어서, 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 액정 분자(51)가 스프레이 형상으로 열린 배향 상태(스프레이 배향)로 되어 있고, 표시 동작 시에는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 액정 분자(51)가 활 모양으로 굽은 배향 상태(밴드 배향)로 되어 있다. 그리고, 액정 장치(100)는 표시 동작 시에 밴드 배향의 구부림 정도로 투과율을 변조함으로써, 표시 동작의 고속 응답성을 실현하는 구성으로 되어있다.
OCB 모드의 액정 장치(100)의 경우, 전원 차단 시에의 액정 분자의 배향 상태가 도 5(b)에 나타내는 스프레이 배향이기 때문에, 전원 투입 시에는 임계값 이상의 전압을 액정 분자(51)에 인가함으로써, 도 5(b)에 나타내는 초기의 스프레이 배향으로부터, 도 5(a)에 나타내는 표시 동작 시의 밴드 배향에 액정 분자의 배향 상태를 전이시키는, 이른바 초기 전이 조작이 필요해진다. 여기서, 초기 전이가 충분히 행해지지 않아, 표시 불량이나 소망의 고속 응답성을 얻을 수 없는 경우가 발생한다.
본 실시예의 액정 장치(100)에서는, 소자 기판(10) 쪽에 형성되고, 화소 전극(15) 사이에 전위차가 발생하는 전이 전극(60)을 구비하고 있으므로, 이들 전극(15, 60) 사이에 전압을 인가함으로써, 액정층(50)의 초기 전이 조작을 실시할 수 있다.
본 실시예에 따른 액정 장치(100)는 액정 패널의 구동 제어를 행하는 제어부를 구비하고 있다. 이 제어부는 대향 기판(20) 쪽에 마련된 공통 전극(23)의 전위를 제어하는 공통 전극용 제어부와, TFT(30)를 통해 화소 전극(15)의 전위를 제어하는 화소 전극용 제어부를 포함하여 구성되어 있다. 또한, 상기 제어부는 전이 전극(60)의 전위를 제어하는 전이 전극용 제어부를 포함하여도 좋고, 이것에 의하면 전이 전극(60)과 화소 전극(15)을 서로 독립적으로 전위 제어할 수 있으므로, 초기 전이 조작 시 및 화상 표시 시의 쌍방에서 상세한 전위 제어가 가능해진다.
상기 구성을 구비한 액정 장치(100)에 있어서의 액정층(50)의 초기 전이 조 작으로는, 상기 전이 전극(60)에 대하여 직류 또는 교류 전압을 인가함으로써, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 경사 방향의 전계 E를 발생시켜, 기판 법선 방향의 전계 성분과 기판면 방향의 전계 성분을 포함하는 전계 E를 액정층(50)에 작용시킨다.
이에 따라, 화소 전극(15)과 전이 전극(60)의 경계 영역에서는, 경사 방향의 전계 E에 의해 액정 분자(51)가 틸트하므로, 대향 기판(20) 근방의 액정층(50)에서 배향 상태가 다른 복수의 액정 영역이 형성된다. 그리고, 액정층(50)의 초기 전이는 이러한 액정 영역의 경계가 핵으로 되어 주위로 전파됨으로써 발생한다. 본 실시예에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 전이 전극(60)이 데이터선(6a)의 연장 방향을 따라 스트라이프 형상, 즉 복수의 서브 화소 영역에 걸쳐 형성된 것으로 되어 있다. 따라서, 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 발생하는 전계 E에 의해, 화소 전극(15)의 장변 측 단부로부터 띠형으로 초기 전이를 전파시킬 수 있다. 즉, 초기 전이 조작에 있어서 대량의 액정에 의해 배향 전이를 진행시킬 수 있어, 초기 전이를 균일하게 진행시킬 수 있다. 이 때, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상기 전계 E가 발생하는 영역은 주사선(3a)의 연장 방향으로 일치하고 있고, 전계 인가 시에는 액정의 초기 배향 방향(동 도면 중 R)과 다른 방향으로 액정 분자(51)를 배향시킬 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 개재하는 유전체막(14)의 막 두께가 1㎛ 이하로 전극간 거리가 작으므로, 보다 저전압으로 초기 전이를 생기게 할 수 있다. 따라서, 단시간에 균일하게 초기 전이를 진행시 킬 수 있다.
또한, 도 3에 나타내는 바와 같이, 전이 전극(60) 및 화소 전극(15)의 단부가 각각 겹친 구성으로 되어 있으므로, 화소 전극(15)의 단부상의 액정 분자(51)에 대해서도 전계 E가 작용하는 것으로 된다. 따라서 화소 전극(15)의 단부상의 액정이 층 두께 방향으로 틸트함으로써, 화소 전극(15) 상에 광범위로 액정 분자를 전이시킬 수 있다.
그런데, 액정 장치(100)에 있어서의 화상 표시에는, 전이 전극(60)과 공통 전극(23) 사이에 전위차가 있으면, 전이 전극(60)과 화소 전극(15)의 경계부 근방에서 액정 분자(51)의 배향이 흐트러질 우려가 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정 장치(100)에서는, 화상 표시를 행하는 경우에는, 상기 전이 전극(60)과 공통 전극(23)의 전위를 동일 전압으로, 함으로써 화상 표시에 불량이 발생하는 것을 방지하고 있다.
또, 본 실시예에서는, 배향막(18, 29)의 러빙 방향을 화소 전극(15)의 장변 방향(데이터선(6a)의 연장 방향)으로 했지만, 이러한 러빙 방향(액정의 초기 배향 방향)에 대해서는, 도 3에 나타내는 방향 R로 한정되는 것은 아니다.
초기 전이 조작 시에 소자 기판(10) 쪽의 전이 전극(60)에 전압을 인가하는 경우, 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 발생하는 전계의 방향이 러빙 방향(초기 배향 방향)과 교차하는 방향으로 되도록, 상기 러빙 방향을 선택하면 좋다. 따라서, 상기 관계를 만족하는 것이면, 예컨대, 데이터선(6a) 및 주사선(3a)의 연장 방향에 대하여 경사 방향이 되는 방향으로 설정하여도 좋다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 액정 장치(100)에 의하면, 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 전계를 생기게 함으로써, 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 형성할 수 있다. 또한, 상기 전이 전극(60)과 상기 화소 전극(15)이 상하로 배치된 구조로 되므로, 전극(15, 60) 사이에 마련되는 유전막(14)의 막 두께를 작게(1㎛ 이하) 함으로써, 종래의 횡 전계를 이용한 전극 구조에 비하여, 전극(15, 60)간의 거리를 짧게 할 수 있다. 따라서, 종래에 비해 저전압이고, 또한 단시간에 액정층(50)의 초기 전이를 행할 수 있게 된다.
(실시예 2)
다음에, 본 발명의 액정 장치의 실시예 2에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 6은 본 실시예에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이고, 도 6(a)는 액정 장치의 평면도이며, 도 6(b)는 액정 장치의 단면도이다. 또, 본 실시예의 액정 장치는, 실시예 1의 액정 장치(100)와 마찬가지로, TFT 액티브 매트릭스방식의 투과형 액정 장치로서, 그 특징은 소자 기판(10) 쪽에 마련된 돌기부(70)에 있다. 따라서 본 실시예의 액정 장치의 기본 구성은 실시예 1의 액정 장치와 마찬가지이므로, 공통의 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략 또는 간략화한다.
도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 본 실시예의 액정 장치는, 상기 소자 기판(10)에 있어서의 상기 액정층(50) 쪽의 기판면으로서, 평면에서 본 상태에서, 상기 화소 전극(15)에 겹치지 않고(이격된 위치임), 또한 상기 전이 전극(60)에 겹치 는 위치에 돌기부(70)가 복수의 섬 형상으로 마련된다. 이 돌기부(70)는, 예컨대, 유전체막(14) 상에 마련된 돌기부(도시하지 않음)를 주체로 하여 구성된다.
또한, 돌기부의 구성 재료로서, 예컨대, 노보락계의 포지티브형 포토 레지스트를 채용하는 것이 가능하다. 그 레지스트의 현상 후에 약 220℃로 포스트 베이킹을 실시함으로써, 완만한 돌기 형상을 얻을 수 있다. 그리고, 이 돌기의 표면을 따라 배향막(18)이 형성되어 있다. 이에 따라, 돌기부(70)는 소자 기판(10)의 기판면으로부터 돌출한 상태로 된다.
본 실시예에 따른 액정 장치에서는, 평면에서 본 상태에서, 화소 전극(15)과 겹치지 않고, 전이 전극(60)에 겹치는 위치에 돌기부(70)가 마련되기 때문에, 이 돌기부(70) 근방에는 초기 전이 조작 시에 상기 실시예 1과 마찬가지로, 전계 E가 발생하게 되어 있다.
또한 본 실시예에 따른 액정 장치에서는, 상기 돌기부(70)를 구비함으로써, 초기의 액정 분자를 여러 방향으로 경사 배향시킬 수 있게 되고, 또한 초기 전이 전압의 인가에 의해 돌기부(70)의 표면에 여러 방향의 경사 전계를 발생시키는 것도 가능하게 된다. 따라서, 액정 분자(51)는 여러 방향으로 회전 이동하면서, 전계 방향을 따라 재배향하려고 한다. 이에 따라, 돌기부(70)의 근방에는 디스크리네이션이 발생한다. 따라서, 액정 분자의 초기 배향 전이를 보다 원활하게 실행하는 것이 가능해진다.
(실시예 3)
다음에, 본 발명의 액정 장치의 실시예 3에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 7은 본 실시예에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이고, 도 7(a), (b)는 액정 장치의 단면도이다. 또, 본 실시예의 액정 장치는, 상기 실시예에 따른 액정 장치와 마찬가지로, TFT 액티브 매트릭스 방식의 투과형 액정 장치로서, 그 특징으로 하는 것은 화소 전극(15) 및 전이 전극(60)의 형상에 있다. 따라서 본 실시예의 액정 장치의 기본 구성은 상기 실시예의 액정 장치와 마찬가지이므로, 공통의 구성 요소에는 마찬가지의 부호를 부여하고, 상세한 설명은 생략 또는 간략화한다.
본 실시예의 액정 장치의 제 1 구성예는, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 상기 화소 전극(15) 및 상기 전이 전극(60)에 굴곡부가 형성되어 있다. 각 화소 전극(15)의 장변에 있어서의 변단의 대략 중앙부는, 부분적으로 굴곡된 형상으로 되어있다. 즉, 화소 전극(15)의 단변을 따르는 방향의 바깥쪽으로 돌출하는 평면에서 보아 삼각형 형상의 볼록부(굴곡부)(71a)와, 화소 전극(15)의 폭 방향 안쪽으로 움푹 패인 형상의 오목부(굴곡부)(71b)가 형성되어 있다.
전이 전극(60)과 상기 화소 전극(15)은 상호 단부가 겹치도록 형성되어 있다. 즉, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 전이 전극(60)의 외형은, 화소 전극(15)의 외형에 유사하게 형성되고, 상기 화소 전극(15)의 볼록부(71a)와 겹치는 부분은 안쪽으로 움푹 패인 평면에서 보아 삼각형 형상의 오목부(굴곡부)(72b)가 형성된다. 또한, 상기 화소 전극(15)의 오목부(71b)와 겹치는 부분은 바깥쪽으로 돌출하 는 평면에서 보아 삼각형 형상의 볼록부(굴곡부)(72a)가 형성된다.
초기 전이 조작 시에는, 화소 전극(15)의 볼록부(71a)와, 전이 전극(60)의 오목부(72b) 사이에서 전계 E2가 발생한다. 이 전계 E2는 삼각형 형상의 양변에 각각 발생하고, 다른 2 방향의 전계를 포함하는 것으로 되어 있다. 또한, 볼록부(71a), 오목부(72b)가 형성되어 있지 않은 영역에서는, 전이 전극(60)의 연장 방향에 직교하는 방향으로 전계 E1이 발생하는 것으로 된다. 이러한 구성에 의한 액정 장치에 따르면, 상기 초기 배향 전이 시에 복수 방향의 전계가 발생하고, 이들 전계가 각각 교차하는 영역(3각형의 정점에 대응하는 3개소)에서, 특히 액정 분자(51)의 배향이 어지러워진다. 따라서 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 양호하게 발생시킬 수 있다.
따라서, 상기 구성을 구비한 본 실시예의 액정 장치에서는, 상기 실시예와 마찬가지로 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 전계를 생기게 함으로써, 초기 전이의 기점로 되는 전이 핵을 형성할 수 있다. 이 때, 굴곡부에 의해 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에서 전계가 복수 방향으로 발생하므로, 굴곡부에 의해 전이 핵의 발생을 더욱 확실한 것으로 할 수 있어, 초기 전이의 균일성, 고속성을 더욱 높일 수 있다.
다음에, 액정 장치의 제 2 구성예에 대하여 설명한다. 본 실시예의 액정 장치의 제 2 구성예는, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 상기 제 1 구성예와 마찬가지로, 상기 화소 전극(15) 및 상기 전이 전극(60)에 굴곡부가 형성되어 있다. 제 2 구성예에서는, 화소 전극(15)의 단변을 따르는 방향의 바깥쪽을 향하여 돌출하는 평면에서 보아 사각형 형상의 볼록부(굴곡부)(73a)와, 안쪽에 움푹 패인 형상의 오목부(굴곡부)(73b)가 형성되어 있고, 상기 제 1 구성예와는 굴곡부의 형상이 다르게 되어 있다.
전이 전극(60)과 상기 화소 전극(15)은 서로의 단부가 겹치도록 형성되어 있다. 즉, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 전이 전극(60)은 화소 전극(15)의 외형과 유사하게 형성되고, 상기 볼록부(73a)와 겹치는 부분은 안쪽에 움푹 패인 평면에서 보아 사각형 형상의 오목부(굴곡부)(74b)가 형성되어 있다. 또한, 상기 오목부(73b)와 겹치는 부분은 바깥쪽으로 돌출하는 평면에서 보아 사각형 형상의 볼록부(굴곡부)(74a)가 형성되어 있다.
초기 전이 조작 시에는, 전이 전극(60)과 화소 전극(15) 사이에 전계가 발생한다. 구체적으로는, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(15)의 볼록부(73a)와, 전이 전극(60)의 오목부(74b) 사이에 전계 E2 및 E3이 발생한다. 이 전계 E2 및 E3은 굴곡부를 이루는 사각형 형상의 단변의 직교 방향에 발생하는 것이다. 또한, 볼록부(73a), 오목부(74b)가 형성되어 있지 않은 영역에서는, 전이 전극(60)의 연장 방향에 직교하는 방향으로 전계 E1이 발생하는 것으로 된다. 또, 상기 굴곡부를 이루는 사각형 형상의 장변의 직교 방향에는, 상기 전계 E1과 동일 방향으로 전계가 발생하는 것으로 된다. 이와 같이 본 구성예에 따른 액정 장치에 의하면, 굴곡부를 갖는 화소 전극(15) 및 전이 전극(60) 사이에서, 상기 초기 배향 전이 시에 2 방향의 전계가 교차하는 영역(사각 형태의 정점에 대응하는 4개소)에서, 액정 분자(51)의 배향이 흐트러지는 것으로 된다. 따라서, 상기 제 1 구성예 에 비하여, 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 보다 양호하게 발생시킬 수 있다.
따라서, 상기 구성을 구비한 본 실시예의 액정 장치에서는, 상기 실시예와 마찬가지로 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 전계를 생기게 함으로써, 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 형성할 수 있다. 이 때, 굴곡부에 의해 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에서 전계가 복수 방향으로 발생하므로, 굴곡부에 의해 전이 핵의 발생을 더욱 확실한 것으로 할 수 있어, 초기 전이의 균일성, 고속성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또, 상기 실시예에서는 화소 전극(15) 및 전이 전극(60)의 어디에도 굴곡부를 마련한 구성으로 했지만, 굴곡부는 어느 한쪽의 전극에 형성하도록 하여도 좋다. 또한, 굴곡부의 형상으로는, 상술한 바와 같은 평면에서 보아 삼각형 형상 및 평면에서 보아 사각형 형상으로 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 평면에서 보아 지그재그 형상이나 평면에서 보아 아코디언 형상의 굴곡부를 형성하도록 하여도 좋다. 이와 같이 굴곡하는 회수를 많게 함으로써, 초기 배향 전이 시에 전계가 교차하는 위치를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 초기 전이의 기점을 이루는 전이 핵이 발생하기 쉽게 할 수 있다.
(실시예 4)
다음에, 본 발명의 액정 장치의 실시예 4에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 8은 본 실시예에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이다. 또, 본 실시예의 액정 장치는, 상기 실시예에 따른 액정 장치와 마찬가지로, TFT 액티브 매트릭스 방식의 투과형 액정 장치로서, 그 특징으로 하는 것은 전이 전극(60)의 형상에 있다. 따라서 본 실시예의 액정 장치의 기본 구성은 상기 실시예의 액정 장치와 마찬가지이므로, 공통의 구성 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 상세한 설명은 생략 또는 간략화한다.
본 실시예의 액정 장치는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 전이 전극(60)이 섬 형상으로 마련되고, 이 전이 전극(60)은 화소 전극(15)에 마련된 슬릿 S에 겹치도록 배치되어 있다. 전이 전극(60)은 대략 직사각형 형상으로 이루어지고, 데이터선(6a)에 따른 방향으로 연장하고 있다. 또한, 상기 전이 전극(60)은 도시하지 않는 콘택트 홀을 거쳐 주사선(3a)에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 본 실시예에 따른 액정 장치에서는, 전이 전극(60)은 주사선(3a)과 동 전위를 이루게 되어 있다. 또, 상기 전이 전극(60)은 콘택트 홀을 거치지 않고, 상기 주사선(3a) 상에 직접 적층되도록 하여도 좋다. 여기서, 주사선에 전이 전극을 직접 마련하는 것으로도 생각되지만, 이 경우, 주사선의 형상이 복잡해져, 국소적으로 저항값이 증가한다. 한편, 상술한 바와 같이 주사선(3a) 상에 별도의 전이 전극(60)을 마련함으로써, 전이 전극(60)의 형성 위치 및 형상을 용이하게 조정할 수 있어, 설계 자유도를 향상시킬 수 있다. 이와 같이, 전이 전극은 데이터선 상 또는 주사선 상 중 어디에 배치할 수 있다.
이 슬릿 S의 크기는 전이 전극(60)의 외형보다 작게 되어 있고, 따라서 슬릿 S를 구성하는 화소 전극(15)의 단부는 전이 전극(60) 상에 배치된다. 즉, 전이 전 극(60)과 화소 전극(15)의 단부는 서로 겹치게 되어 있다. 이에 따라, 초기 배향조작 시에 전이 전극(60) 및 화소 전극(15)간에 발생한 전계에 의해, 상기 전이 전극(60)에 겹치는 화소 전극(15)의 단부상의 액정 분자(51)를 배향시킬 수 있다.
이러한 구성을 채용함으로써, 전이 전극(60)을 화소 영역 내의 소망의 위치에 배치하는 것이 가능해져, 초기 배향 전이의 기점을 이루는 전이 핵을 발생시키는 장소를 임의의 위치에 설정할 수 있다.
이하에, 본 실시예에 따른 액정 장치에 있어서의 초기 전이 조작에 대하여 설명한다. 주사선(3a)을 선순차적으로 ON하면서 데이터선(6a)에 신호를 입력하여, 화소 전극(15)에 전압을 인가한다. 이 때, 주사선(3a)과 동 전위를 이루는 전이 전극(60)은 화소 전극(15)과의 사이에 전위차를 발생하는 것으로 되고, 그에 따라 전이 전극(60)과 화소 전극(15) 사이에 전계가 발생하게 된다. 구체적으로는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 전이 전극(60)의 장변 방향에 직교하는 전계 E1과, 단변 방향에 직교하는 전계 E2를 포함하는 전계가 발생한다. 이와 같이 본 실시예에 따른 액정 장치에 의하면, 슬릿 S를 이루는 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에서, 초기 배향 전이 시에 2 방향의 전계가 교차하는 영역(사각형의 정점에 대응하는 4개소)에서, 액정 분자(51)의 배향이 흐트러지게 된다. 따라서 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 양호하게 발생시킬 수 있다.
따라서, 본 실시예의 액정 장치에 있어서도, 상기 실시예와 마찬가지로 화소 전극(15)과 전이 전극(60) 사이에 전계를 생기게 함으로써, 초기 전이의 기점으로 되는 전이 핵을 형성할 수 있다. 이 때, 화소 전극(15)에 형성된 슬릿 S에 겹치는 전이 전극(60)과, 해당 화소 전극(15) 사이에 발생한 복수 방향의 전계에 의해, 초기 배향 조작 시에 전이 핵의 발생을 확실한 것으로 할 수 있다.
또, 본 발명의 액정 장치는, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 상술한 각 실시예에 여러 가지의 변경을 가한 것을 포함한다. 즉, 각 실시예에서 열거한 구체적인 재료나 구성 등은 단지 일례에 지나지 않고, 적절한 변경이 가능하다. 예컨대, 상기 실시예에서는, 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(TFT(30))를 채용한 액티브 매트릭스형 액정 장치를 예시했지만, 스위칭 소자로서 박막 다이오드(Thin Film Diode)를 채용한 액티브 매트릭스형 액정 장치에 적용하여도 좋다.
(전자기기)
도 9는 본 발명에 따른 전자기기의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 9에 나타내는 휴대 전화(1100)는 상기 실시예의 액정 장치를 작은 크기의 표시부(1101)로서 구비하고, 복수의 조작 버튼(1102), 수화구(1103) 및 송화구(1104)를 구비하여 구성되어 있다.
상기 실시예의 액정 장치는 저전압이고, 또한 단시간에 OCB 모드의 초기 전이 동작을 원활하게 실행할 수 있으므로, 표시 품질에 우수한 액정 표시부를 구비한 휴대 전화(1100)를 제공할 수 있다.
상기 각 실시예의 액정 장치는, 상기한 전자기기에 한하지 않고, 전자책, 퍼스널 컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, 액정 텔레비전, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형 의 비디오 테이프 레코더, 호출기, 전자 수첩, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크 스테이션, 화상 전화, POS 단말, 터치 패널을 구비한 기기 등등의 화상 표시 수단으로서 적합하게 이용할 수 있어, 어느 쪽의 전자기기에서도 밝고, 고계조의 우수한 표시 품질을 얻을 수 있게 되어 있다.
도 1(a), (b)는 실시예 1에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 도면,
도 2는 액정 장치의 등가 회로를 나타내는 도면,
도 3은 서브 화소 영역의 평면 구성도,
도 4(a), (b)는 액정 장치의 단면 구조를 나타내는 도면,
도 5는 액정 분자의 배향 상태를 도시한 개략도
도 6(a), (b)는 실시예 2에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 도면,
도 7(a), (b)는 실시예 3에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 도면,
도 8은 실시예 4에 따른 액정 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도,
도 9는 본 발명의 전자기기의 일 실시예로서의 휴대 전화의 개략 구성도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
3a : 주사선 6a : 데이터선
10 : 소자 기판(제 1 기판) 14 : 유전체막
20 : 대향 기판(제 2 기판) 50 : 액정층
60 : 전이 전극 70 : 돌기부
71a, 71b, 72a, 72b : 굴곡부 100 : 액정 장치
1100 : 휴대 전화(전자기기) S : 슬릿

Claims (9)

  1. 대향하여 배치된 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 유지된 액정층을 갖고, 상기 액정층의 배향 상태를 스프레이 배향으로부터 밴드 배향으로 전이시켜 표시를 행하는 액정 장치로서,
    상기 제 1 기판에는, 서로 교차하는 주사선 및 데이터선과, 복수의 화소 전극이 마련되어 있고,
    상기 주사선 또는 데이터선보다 상기 액정층 쪽이며, 또한 상기 화소 전극보다 상기 제 1 기판 쪽에 마련되어, 상기 화소 전극과의 사이에 전위차를 발생시키는 전이 전극이 마련되는
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전이 전극에 상기 화소 전극의 단부가 겹치는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 화소 전극과 상기 전이 전극 사이에 유전체막이 마련되고, 그 유전체막 중 상기 전이 전극과 겹치는 부분의 막 두께가 1㎛ 이하인
    것을 특징으로 하는 액정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극 또는 상기 전이 전극에 굴곡부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전이 전극은 섬 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전이 전극은 상기 화소 전극에 형성된 슬릿에 겹치는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    평면에서 본 상태에서, 상기 화소 전극으로부터 이격된 위치이며, 또한 상기 전이 전극에 겹치는 위치에 돌기부가 마련되는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전이 전극은 상기 주사선과 동 전위를 이루는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  9. 청구항 1에 기재된 액정 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자기기.
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