KR20080079573A - 선택적 깊이 광학적 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 집속된 광 빔이나 시준된 광 빔을 가지고 반도체 재료 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다. 기판 아래 일정한 깊이의 재료 속성을 변경하기 위해 광이 샘플에 조사될 수 있다. 상기 집속된 광 빔은 선택된 깊이에서 최대 파워 밀도를 가지며, 깊이의 함수로서 상기 기판의 광학적 특성과 파장의 선택의 결과로 광 에너지 흡수의 결과 바람직한 제한된 범위의 깊이에 대해 처리 효과가 발생한다. 예를 들면, 경화, 어닐링, 주입 활성화, 선택적 용융, 증착 및 화학적 반응과 같은 처리 효과가 상기 집속된 빔 스폿의 근처의 광 빔 밀도에 의해 제한된 범위에 이루어질 수 있다. 파장은 선택된 처리 효과에 적합하도록 선택될 수 있다. 상기 빔은 처리 효과를 선택적으로 제공하기 위해 기판 위에 주사된다.
선택적, 광학, 처리, 반도체, 광 빔
Description
본 발명은 일반적으로 집속 레이저 빔을 가지고 반도체 기판을 선택적 깊이에서 처리하는 것에 관한 것이다.
집속 레이저 빔은 실리콘과 같은 반도체 웨이퍼의 드릴링(drilling), 스크라이빙(scribing), 및 절단에 응용되고 있다. 인쇄회로기판과 제품 라벨 같은 비-반도체 재료의 마킹(marking)과 스크라이빙은 집속 레이저 빔의 부가적인 흔한 응용이다. MEMS(micro-electromechanical systems) 장치는 5 ㎛ 사이즈의 레이저 스폿(spot)과 1 ㎛의 위치 해상도를 갖는 채널, 포켓(pocket), 및 관통 특징(구멍)을 제공하는 레이저 기계이다. 채널과 포켓은 상기 장치에 유연성을 허용한다. 이와 같은 모든 프로세스는 레이저 빔 집속점에 고도로 국지화된 영역의 재료 온도의 현저한 상승에 의존한다.
그러나 전술한 응용들은 모두 어느 정도 파괴적이며, 일반적으로 재료를 삭마하기 위한 파워 밀도(power density)의 집속 레이저 빔과 관련이 있다. 실리콘 및 관련 반도체 및 전자 재료에서, 이와 같은 응용은 일반적으로 기계적인 결과(예컨대, 다이싱(dicing), 드릴링, 마킹 등)를 위한 것이다.
따라서, 반도체 웨이퍼에 전자장치 및/또는 광학장치 제조를 위해 처리 효과를 달성하기 위해 광 빔을 제공하고 제어할 필요가 있다. 또한, 이와 같은 처리가 일어나는 깊이를 조절할 필요가 있다.
요약
본 발명에 의하면, 집속된 광 빔을 가지고 반도체 재료를 처리하는 방법, 시스템 및 장치가 제공된다. 구체적으로는, 본 발명에 의하면, 반도체 재료를 처리하는 방법은 선택된 파장과 선택된 피크 파워를 갖는 광 빔을 제공하는 단계를 포함한다. 상기 레이저 빔은 이산 시간 펄스 폭을 갖는 펄스를 제공하기 위해 변조된다. 상기 레이저 빔은 반도체 재료의 표면에서 집속된다. 각 레이저 펄스의 전체 에너지는 선택된 값으로 조절된다. 상기 광 또는 레이저 빔의 파라미터를 조절함으로써, 반도체 재료는 가열되거나 또는 아니면 선택된 깊이로 또는 선택된 깊이에서 처리될 수 있다. 레이저 빔은 프로그램된 패턴으로 반도체 재료의 표면에 대해 주사된다. 반도체 재료의 표면에서 재료의 전자적 및/또는 광학적 속성과 특징을 변경함으로써 장치 제조가 이루어진다.
본 발명에 의하면 반도체 기판의 선택적 깊이에서 집속된 광 빔을 사용하여 기판에 전자장치 및/또는 광학장치를 제조하기 위한 처리 효과를 달성할 수 있다.
도 1A와 도 1B는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 더 긴 초점거리를 갖는 선택적 깊이 처리 시스템(100)에서 광 빔 밀도의 효과를 도시한다. 도 1A를 참조하면, 시준된 광 빔(110)은 렌즈(120)에 의해 기판(160)의 표면 아래 선택된 깊이(130)에서 집속된다. 빔 밀도는 이 깊이에서 사실상 최대값에 도달한다. 빔은 이 지점을 지나면 발산 빔(140)이 되며, 상기 빔 밀도는 상응하여 감소한다.
도 1B에서, 빔의 광 밀도는 렌즈 및 기판과 관련하여 그 위치의 함수로 도시되어 있다. 이 예에서 보는 바와 같이, 상기 시준된 빔은 렌즈(120)까지 일정한 구경과 광 밀도(115)를 갖는다. 렌즈(120)은 단일 렌즈 또는 렌즈 시스템을 대표할 수 있다. 렌즈(120)는 기판(160)의 선택된 깊이(130)에 빔을 집속하며, 대응하는 광 밀도는 선택된 깊이(130)에서 최대 밀도에 도달한다.
기판(160)에서 광 전파 및 처리 효과의 결과를 설명하기 위해 4가지 광 전파 조건의 예가 고려될 것이다. 케이스 A는 기판(160)이 거의 투명할 때, 즉 광 흡수가 거의 없을 때 기판(160)으로의 전파 깊이의 함수로서 광 빔 에너지 밀도의 의존성을 설명한다. 깊이에 따른 광 밀도(142)의 의존성은 렌즈(120)의 집속 특성과 기판(160) 및 그 내부의 모든 레이어들의 굴절률(사실상 실수이고 양수임, 즉 흡수가 없음)에 기인한 발산 빔(140)의 공간 분산에 의해 엄격하게 결정된다. 기판 재료가 투명하고 비흡수성이기 때문에, 빔과 기판(160) 사이에 어떤 처리 효과를 발생시키는 열적 가열이나 광학적 상호작용은 거의 없다.
케이스 B는 기판 재료가 흡수성이 아주 높은 경우 기판(160)에서 전파 깊이 의 함수로서 광 빔 에너지 밀도의 의존성을 설명한다. 이것은 광 빔(110)의 선택된 파장에서 복소 굴절률(즉, 실수 및 허수 성분을 가짐)을 갖는 기판의 레이어들의 조합의 결과로서 일어날 수 있으며, 그리하여 파장 의존 굴절률이 복소수가 되고, 이것은 또한 이하에서 설명되는 케이스보다 더 짧은 파장에 대해서 일어날 수 있다. 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 굴절률의 허수 성분이 클수록 흡수율이 더 크다는 것을 알 것이다. 이 경우에, 광 에너지는 상대적으로 짧은 침투 깊이에서 기판에 의해 빠르게 흡수된다. 그러므로, 발산 빔(140)의 광 빔 밀도(148)는 침투 깊이에 따라 빠르게 감소하며, 흡수의 결과에 의한 열적 가열로 인한 처리효과는 짧은 침투 범위에서 우선적으로 일어날 것이며, 초점거리(130)에 대응하는 깊이의 거의 근처에서 일어날 것이다.
케이스 C는 기판 재료가 파장 선택의 결과로서 중간의 흡수율을 가질 때 기판(160)에서 전파 깊이의 함수로서 광 빔 밀도(146)의 의존성을 설명하며, 상기 파장은 케이스 B보다 다소 긴 파장이다. 이 경우에, 광 빔 밀도(146)는 침투 깊이에 따라 더욱 서서히 감소하고, 이에 상응하여 기판에 더 깊이 침투한다. 그러므로, 2가지 효과가 일어난다: (1) 흡수가 케이스 B보다 다소 적기 때문에 가열 효과는 더욱 천천히 일어나고, 따라서 더 많은 처리 시간이 요구된다; (2) 광 밀도가 더욱 서서히 감소하기 때문에, 에너지 밀도는 더 깊은 곳까지 상대적으로 높게 유지되며, 그리하여 처리 효과는 기판(160)의 더 깊은 곳에서 일어날 것이다.
케이스 D는 여러 층의 기판(160)이 상대적으로 낮은 흡수율을 가질 때 기판(160)에서 전파 깊이의 함수로서 광 빔 밀도(144)의 의존성을 설명하며, 이것은 케이스 B와 C보다 상대적으로 더 긴 파장에서 일어날 수 있다. 이 경우에, 광 밀도(144)는 더욱 서서히 감소하며 기판(160)에 더욱 깊게 침투한다.
흡수 효과는 보통 전파 거리에 따라 기하급수적으로 감소하는 것으로 알려져 있기 때문에, 케이스 B, C, 및 D는 흡수가 없는 경우 집속 특성으로 인해 순수하게 빔의 공간 분산에 의한 감소보다 항상 더 큰 광 밀도의 감소율로 도시된다.
소정의 구경(aperture)과 더 긴 초점거리를 가진 광학 시스템은 같은 구경과 더 짧은 초점거리를 갖는 시스템보다 초점거리에서 더 큰 회절 제한 스폿 크기를 가진다는 것이 당해 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있다. 이것은 초점거리에서 광 빔 파워 및 에너지 밀도를 더 짧은 초점거리 시스템에 대해서 더 낮은 밀도로 제한할 것이다. 따라서, 같은 구경의 더 짧은 초점거리 시스템은 더 높은 초점 최대 빔 파워 및 에너지 밀도를 가질 것이다. 또한, 더 짧은 초점 광학시스템은 또한 더욱 발산하는 빔을 가질 것이며, 그리하여 열적으로 또는 광학적으로 야기된 처리 효과가 발생하는 깊이의 범위는 더욱 제한될 것이다.
도 2A와 도 2B는 본 발명의 일 실시예에 있어서 도 1A와 도 1B의 실시예보다 더 짧은 초점거리를 갖는 경우에 광 밀도의 효과를 설명한다. 도 2A는 렌즈(220)가 렌즈(120)보다 더 짧은 초점거리를 갖는 것 외에는 도 1A에서와 같은 특징과 요소들을 포함하며, 따라서 광 빔(110)과 사실상 같은 광 빔(210)은 더 짧은 거리에서 회절 제한 초점(230)에 수렴하고, 더욱 발산하는 빔(240)이 된다. 또한, 상기 회절 제한 스폿 크기는 초점거리가 같은 구경에 대해 더 짧아질 때 보통 더 작으며, 이것은 광 빔(110, 210)에 의해 정해진다. 그러므로 도 2A와 도 2B에서 볼 때, 광 빔 밀도(115)와 사실상 같은 광 빔 밀도(215)는 초점(230)에 집속될 것이며 이 지점에서 상응되게 더 높은 광 빔 밀도(235)를 가질 것이다. 또한, 더 짧은 초점거리의 결과로서, 초점거리(230)를 넘어서, 더욱 발산하는 빔(240)이 깊이에 따라 광 밀도가 더욱 빠르게 감소할 것이며, 따라서 모든 케이스 A, B, C, 및 D에 있어서, 광 밀도(242, 248, 244, 246)는 각각 더 짧은 침투 깊이에서 빠르게 감소할 것이다. 그러므로, 이 경우에 있어서, 처리 효과는 도 1A와 도 1B의 예와 비교하여 더 좁은 범위의 깊이로 더욱 제한된다.
도 3A와 3B는 본 발명에 있어서 선택적인 깊이 처리를 위한 2개의 실시예를 도시한다. 도 3A는 도 1A에 도시된 것과 거의 동일한 구성 "A"를 도시한다. 도 3B는 다수의 광 빔을 제공하기 위해 하나 이상의 광원을 포함하는 구성을 도시한다. 예를 들면, 복수의 광원으로부터 제공된 광 빔(310a, 310b)은 렌즈(320a, 320b)에 의해 각각 집속되어 기판(160) 내의 선택된 깊이에 공통의 초점(330)에 또는 기판(160)의 다른 깊이 및/또는 위치의 다른 각각의 초점에(둘 다 도시되지 않음) 회절 제한 스폿을 제공한다. 각 렌즈(320a 또는 320b)는 같은 목적을 달성하기 위한 단일 요소 렌즈이거나 또는 렌즈 시스템의 대표가 될 수 있다.
빔(310a, 310b) 각각은 선택된 응용을 위해 선택된 파장과 충분한 강도를 갖는 인코히런트(incoherent) 광원에 의해, 선택된 강도와 파장을 갖는 레이저에 의해, 또는 인코히런트(incoherent) 광원과 레이저의 조합에 의해 제공될 수 있다. 도 3B에 도시된 것보다 더 많은 복수의 2개 형태의 광원이 포함될 수 있다.
만일 광 빔, 특히 시준된 레이저 빔의 구경이(예컨대, 직경) 충분히 작고 그 강도가 응용에 충분하다면, 렌즈(320)는 선택적으로 생략될 수도 있다.
빔(310a, 310b)은 같은 파장을 갖거나 또는 다른 파장을 가질 수 있다. 또한, 빔(310a, 310b)은 같거나 또는 다른 구경(즉, 직경)을 가질 수 있으며, 이것은 결국 초점에서 다른 회절 제한 스폿 크기를 생성한다. 빔(310a, 310b)은 같거나 또는 다른 총 파워를 가질 수 있다. 빔(310a, 310b)은 기판(160)에 대해 광학 시스템의 기계적 변형에 의해, 기판(160)에 대해 각 빔의 갈바노-미러 방향에 의해, 처리 스테이지에서 기판(160)의 변형/회전에 의해, 또는 상기한 것들의 조합에 의해 기판에 전달될 수 있다.
파장의 범위는 대략 200 nm(즉, 자외선)에서 대략 12 ㎛(즉, 적외선 장파장)까지 될 수 있다. 광원은 충분히 강한 인코히런트 광원이거나 또는 높은 단색 레이저가 될 수 있다. 상술한 바와 같이, 응용이 요구하는데 따라, 집속은 선택적이다. 선택적 깊이 처리를 위해 광원으로부터 얻어진 광학적 파워의 범위는 연속적인(CW) 광원에 대해 대략 1 ㎽에서 100 ㎾가 될 수 있다. 또는, 펄스 광원이 사용될 수 있으며, 여기서 펄스 당 에너지는 대략 1 마이크로 주울(joule)에서 대략 1 주울의 범위에 있다.
광원, 파장, 초점거리, 및 기판 표면에서 또는 바로 아래에서 빔 결합의 다양한 조합은 다양한 가능한 응용을 제공한다. 예시적인 응용은 결함 공학 또는 어닐링, 경화, 스트레스 및 스트레인 공학(stress and strain engineering) 또는 어닐링, 국지적 활성화, 및 국지화된 반응과 같은 재료 처리를 위한 국지적 가열 또는 선택적인 깊이 가열을 포함할 수 있다. 상이한 파장, 파워 레벨, 초점 깊이/위 치의 다수의 광 빔들이 다수의 형태의 처리 효과를 상이한 깊이에서 동시에 제공할 수 있다. 주목할 것은 광 밀도는 원하는 초점 깊이/위치에서 최대이지만, 처리는 초점보다 더 낮은 깊이에서 그리고 더 높은 깊이에서, 하지만 더 적은 파워에서 그리고 더 넓은 영역에서 여전히 일어날 수 있다는 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 있어서 선택적 깊이 처리의 예시적인 응용을 도시한다. 실리콘 기판(160)에는 이전 처리 단계에서 주입층(400)이 제공될 것이며, 여기서 원하는 원소의 이온들이 높은 에너지로 정전기적으로 가속된다. 상기 이온들은 대상 기판에 침투하여 이온 운동에너지의 평균 및 확산에 종속하는 일정 범위의 깊이에 주입된다. 각 개별 이온들은 충돌시 빈격자점(vacancies), 틈(intersitials), 및 결정 전위(crystal dislocations)와 같은 다수의 점 결함들을 대상 결정에 생성한다. 빈격자점은 원자에 의해 점유되지 않은 결정 격자점이다. 이 경우에, 이온은 대상 원자와 충돌하여, 그 결과 대상 원자에 상당한 양의 에너지를 이전하며, 그리하여 자신의 결정 위치를 이탈한다. 이 대상 원자는 그 다음에 스스로 고체 내의 투사물이 되고 연속적인 충돌 현상을 추가로 야기할 수 있다. 틈은 그와 같은 원자들이(또는 원래의 이온 자체가) 고체 내에서 잠시 체류하지만, 격자 내에 오래 머무를 빈 공간을 찾지 못할 때 생성된다. 이들 포인트 결함은 이동하고 서로 밀집할 수 있으며, 그 결과 변위가 일어나거나 다른 결함을 생성할 수 있다.
이온 주입은 대상의 결정 구조에 종종 원하지 않는 손상을 초래하기 때문에, 이온 주입 처리 이후에는 종종 열적 어닐링이 이어진다. 이것은 손상 복구로서 지 칭될 수 있다. 또한, 이 손상은 - 범위 종료(EOR(end of range) 손상이라고 지칭됨) - 느린 주입 이온의 잔여 운동 에너지에 의해 정해진 일정 범위의 깊이에 대해 일어나는 경향이 있으며, 따라서 핵 충돌 산란이 증가하여, 손상되거나 적어도 부분적으로 비결정질의 내장된 층을 기판 표면 아래 일정한 깊이에 생성한다. 열적 어닐링에 적용된 선택적 깊이 광학적 처리는 이와 같은 결함을 제거하는 아주 효과적인 방법일 수 있다. 2개 이상의 레이저 빔과 같은 하나 이상의 광 빔은 집속되어 이와 같은 결함이 두드러지게 축적되는 장소의 깊이에 국지화된 열적 어닐링을 효과적으로 제공한다.
다른 응용에서, 불순물 확산은 기판 영역에 대한 광 빔 또는 빔들의 완전히 제어된 공간적 주사와 깊이 모두에 대해서 선택적으로 제어될 수 있다. 또 다른 응용에서, 국지화된 활성화 또는 화학적 반응은 동일한 기술을 사용하여 유도될 수 있다.
또 다른 응용은 같거나 다른 파장의 광원을 사용할 수 있으며, 여기서 기판 재료 또는 레이어들의 비선형 광학 효과가 충분히 높은 광 빔 강도에서 중요하게 된다. 이러한 조건하에서, 다수 광자 혼합이 일어날 수 있으며, 여기서 2개의 입사 광자는 기판 격자와 상호 작용하여 결합하고 합계 및/또는 차이 에너지의 광자가 생성되며, 이에 의해 상기 광원으로부터 직접 이용할 수 없는 깊이 침투 및/또는 흡수 특성을 갖는 광자를 제공한다.
또한, "수단(means)"이라는 단어를 사용하는 청구항들만이 35 USC 112 제6항에 의해 해석되어야 한다. 또한, 발명의 상세한 설명에 기재된 한정적인 표현들은 청구항에서 명시적으로 포함되지 않는 한 어떤 청구항에도 포함하는 것으로 해석되어서는 안된다. 따라서, 다른 실시예들은 다음 청구항들의 범위 내에 속한다.
도 1A와 도 1B는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 더 긴 초점거리를 갖는 광 빔 밀도의 효과를 도시하고,
도 2A와 도 2B는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 더 짧은 초점거리를 갖는 광 빔 밀도의 효과를 도시하고,
도 3A와 3B는 본 발명의 실시예에 있어서, 선택적 깊이 처리를 위한 구성을 도시하고,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 있어서, 선택적 깊이 처리의 응용을 도시한다.
여러 도면에서 같은 참조 부호는 같은 요소를 지시한다.
Claims (25)
- 반도체 재료 및 장치를 처리하는 방법에 있어서,선택된 하나 이상의 파장과 선택된 파워(power)를 갖는 복수의 하나 이상의 광 빔을 제공하는 단계;상기 하나 이상의 광 빔을 반도체 기판 재료의 표면 아래 선택된 깊이에 지향시키는 단계;상기 반도체 기판의 표면에 대해 상기 하나 이상의 광 빔을 주사(scanning)하는 단계; 및선택된 깊이의 상기 반도체 재료를 변경시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 광 빔은 단일 광 빔인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 광 빔의 하나 이상은 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 광 빔의 하나 이상은 인코히런드 빔(incoherent beam)인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 상기 복수의 광 빔은 레이저와 인코히런드 광원의 조합인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 선택된 파장은 대략 200 nm와 12 ㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 파장은 선택된 깊이에서 흡수에 의해 반도체 재료를 변경시키는데 최적이 되도록 선택되고,상기 선택된 깊이는 일정 범위의 깊이를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 빔은 대략 1 ㎽와 100 ㎾ 사이의 파워를 갖고 연속적인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 빔은 대략 1 마이크로 주울(joule)과 1 주울 사이의 펄스당 에너지를 갖는 펄스 빔인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 빔을 지향시키는 단계는 상기 광 빔의 집속된 회절 제한 스폿(spot)을 상기 선택된 깊이에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 변경단계는 국지화된 어닐링, 주입 활성화, 불순물 확산 제어, 결함 공학(defect engineering), 스트레스 공학(stress engineering), 스트레인 공학(strain engineering), 국지화된 화학 반응, 경화(curing), 애싱(ashing), 재료 제거, 및/또는 재료 변경으로 구성된 그룹으로부터 선택된 깊이 제어된 프로세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 광 빔의 파장은 단일 파장인 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수의 광 빔의 파장은 하나 이상의 파장을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 파장은 비선형적으로 혼합되어 합 및/또는 차이 에너지를 갖는 광자를 제공하고 상기 제공된 광자들의 파장에 관련된 깊이에서 선택적인 처리를 획득하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 재료 및 장치의 처리 방법.
- 반도체 처리 방법에 있어서,반도체 기판을 제공하는 단계;광 빔이 상기 기판의 원하는 깊이에서 최대 광 밀도를 갖도록 상기 광의 속성을 선택하는 단계;상기 광 빔을 상기 기판으로 지향시키는 단계; 및상기 기판을 상기 원하는 깊이에서 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 광 빔을 상기 원하는 깊이에 집속하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특 징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 집속단계는 하나 이상의 렌즈에 의한 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 광 빔의 속성은 파워와 파장인 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 처리단계는 국지화된 어닐링, 주입 활성화, 불순물 확산 제어, 결함 공학(defect engineering), 스트레스 공학(stress engineering), 스트레인 공학(strain engineering), 국지화된 화학 반응, 경화(curing), 애싱(ashing), 재료 제거, 및/또는 재료 변경을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 파장은 대략 200 ㎚ 와 12 ㎛ 사이인 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 광 빔은 대략 1 ㎽와 100 ㎾ 사이의 파워를 갖고 연속적인 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 광 빔은 대략 1 마이크로 주울(joule)과 1 주울 사이의 펄스당 에너지를 갖는 펄스 빔인 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 기판의 원하는 깊이에서 최대 광 밀도를 갖도록 제 2 광 빔의 속성을 선택하는 단계; 및상기 기판에 상기 제 2 광 빔을 지향시키는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 23 항에 있어서,상기 2개의 광 빔은 상기 기판의 공통 위치에서 교차하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 선택단계는 상기 기판, 상기 원하는 깊이, 및 처리 유형의 속성에 기초하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 방법.
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