KR20080076779A - 반도체 디바이스 - Google Patents

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KR20080076779A
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semiconductor sensor
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겐이찌 시라사까
유끼또시 스즈끼
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야마하 가부시키가이샤
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Abstract

하우징의 속이 빈 캐비티 내부에 배치되는, 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서 칩이 반도체 디바이스에 설치되며, 속이 빈 캐비티가 외부 공간과 통할 수 있게 하도록 반도체 센서 칩에 대향하여 위치되지 않은, 하우징의 규정된 영역에 개구부가 형성된다. 개구부는 얇은 슬릿 형태를 갖는 적어도 하나의 관통홀을 이용하여 형성된다. 대안적으로, 개구부는 얇은 슬릿 형태, 원형, 부채꼴 형태와 같은 원하는 형태를 갖는 복수의 관통홀들을 이용하여 형성된다. 따라서, 반도체 센서 칩에 대하여 먼지와 태양광과 같은 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향을 감소시킬 수 있다.
반도체 센서 칩, 관통홀(through-hole)

Description

반도체 디바이스{SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 마이크로폰 칩들 및 압력 센서 칩들과 같은 반도체 센서 칩들이 속이 빈 캐비티(hollow cavity)의 내부에 배열되는 반도체 디바이스들에 관한 것이다.
본 출원은 그 내용이 참조로서 본 명세서에 통합되는 일본 특허 출원 2007-36294호에 대해 우선권을 주장한다.
그 예들이 미국 특허 6,781,231호 및 일본 특허 출원 공보 2004-537182호에 개시된, 종래의 알려진 반도체 디바이스들은 음압(sound pressure)의 변동과 같은 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서를 실장하기 위한 칩 실장면을 갖는 기판이 커버 부재로 덮혀 있어, 반도체 센서 칩은 기판 및 커버 부재에 의해 경계지어진 속이 빈 캐비티의 내부에 배치되도록 각각 설계된다. 커버 부재는 캐비티로 하여금 외부 공간과 통할 수 있게 하는 개구부를 갖는다. 따라서, 외부 공간에서 발생하는 압력의 변동은 커버 부재의 개구부를 통해 반도체 센서 칩에 전달된다. 커버 부재의 개구부는 반도체 센서 칩에 대향하여 위치되며, 보통은 원형으로 형성된다.
커버 부재의 개구부가 반도체 디바이스의 캐비티의 내부에 배치된 반도체 센 서 칩에 대향하여 위치되는 경우에, 반도체 센서 칩은 개구부를 통해 외부 공간에 직접 노출되어야만 하므로, 태양광이나 먼지와 같은 환경적인 요소에 의해 쉽게 영향을 받는다.
보통은, 평면도에서 원형으로 형성되는 단일 개구부는 커버 부재의 규정된 위치에 형성되며, 커버 부재는 반도체 센서 칩의 격막으로 직접 대향된다. 압력 변동을 반도체 디바이스의 캐비티 내로 적절하게 도입하기 위해서, 개구부 면적을 충분히 증가시킬 필요가 있다. 그러나, 개구부 면적이 증가되는 경우에, 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향(또는 부정적인 효과)이 이에 따라 증가될 것이다. 개구부가 원형으로 형성된 경우에, 개구부의 직경보다 더 작은 소형의 외부 물질이 반도체 디바이스의 캐비티 내로 쉽게 도입될 수 있는 단점이 발생될 수 있다.
환경적인 요소로 인한 부정적인 영향으로부터 반도체 센서 칩들을 보호하기 위하여, 일부 종래의 알려진 반도체 디바이스에는 환경적인 요소들의 침투를 피하기 위한 환경 장벽이 설치된다. 그러나, 환경 장벽은 제조 면에서 반도체 디바이스를 생산하는 것을 복잡하게 한다.
본 발명의 목적은 환경 장벽으로서의 역할을 하는 독립적인 부재를 사용하지 않고서도 반도체 센서 칩에 대하여 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향을 감소시킬 수 있는 반도체 디바이스를 제공하는 것이다.
본 발명의 제1 양태에서, 반도체 디바이스는, 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서 칩, 반도체 센서 칩이 그 내부에 배치되는 속이 빈 캐비티를 갖는 하우징, 및 반도체 센서 칩에 대향하여 위치되지 않는, 하우징의 규정된 영역에 모여서 형성되는 복수의 관통홀(through-hole)들을 포함하는 개구부를 포함하고, 개구부는 캐비티가 외부 공간과 통할 수 있게 한다.
상술한 것에서, 관통홀들은 하우징의 규정된 영역, 예를 들어 탑 보드(top board) 부재의 규정된 영역에서 집중되는 방식으로 서로 인접되게 모여서 배치된다. 개구부는 얇은 슬릿 형태를 갖는 하나의 관통홀을 이용하여 형성될 수 있다. 대안적으로, 개구부는 얇은 슬릿 형태를 갖는 복수의 관통홀들을 이용하여 형성된다.
개구부가 복수의 관통홀들을 이용하여 형성되므로, 관통홀들 각각이 개구부 면적에서 감소되는 경우에도, 관통홀들의 개구부 면적의 합에 대응하는 전체적인 개구부 면적을 충분히 크게 확보할 수 있다. 이는 음압의 변동과 같은 압력 변동이 캐비티 내로 도입되어 반도체 센서 칩에 도달할 수 있게 한다. 복수의 관통홀 들이 하우징의 규정된 영역 내에 모여서 배치되므로, 압력 변동이 원하는 조건에서 캐비티로 전파될 수 있으며, 이러한 조건은 단일한 큰 관통홀에 적용되는 압력 변동의 전파 조건과 유사하다.
개구부가 얇은 슬릿 형태를 갖는 관통홀로 구성되는 경우에, 관통홀의 폭을 감소시키면서 충분히 큰 개구부 면적을 확보할 수 있다. 이는 압력 변동이 반도체 센서 칩에 도달되기 위해 개구부를 통해 캐비티로 신뢰성있게 전파될 수 있게 한다.
각각의 관통홀의 개구부 면적을 감소시키거나 관통홀의 폭을 감소시킴으로써, 하우징의 캐비티 내로 먼지가 들어오는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 반도체 센서 칩에 대향하여 위치되지 않는, 하우징의 규정된 영역에서 개구부가 형성되므로, 반도체 센서 칩에 도달하기 위하여 태양광이 캐비티 내로 도입되는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 즉, 반도체 센서 칩에 대하여 먼지와 태양광과 같은 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향들을 현저하게 감소시킬 수 있다.
개구부가 각각 얇은 슬릿 형태를 갖는 복수의 관통홀들을 이용하여 형성되는 경우에, 관통홀들은 서로 밀접하게 배치될 수 있으므로, 하우징은 사이즈가 감소되어 반도체 디바이스가 다운사이징된다. 그 각각의 개구부 면적이 감소될 수 있는 복수의 관통홀들의 형성으로 인해, 반도체 센서 칩에 대하여 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향을 더욱 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제2 양태에서, 반도체 디바이스는 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서 칩, 반도체 센서 칩을 실장하기 위한 칩 실장면을 갖는 기판, 그 내부에 반도체 센서 칩이 배치되는 속이 빈 캐비티를 형성하기 위해 기판과 연결되어 있는 커버 부재를 포함하고, 커버 부재의 적어도 규정된 일부는 다공성(porous) 재료로 이루어진다. 다공성 재료는 서로 상호간에 통하고, 이로써 캐비티가 외부 공간과 통하는 다수의 작은 캐비티들을 포함한다.
상술한 것에서, 압력 변동은 커버 부재에 도달하기 위하여 커버 부재를 형성하는 다공성 재료의 작은 캐비티들을 통해 속이 빈 캐비티로 도입된다. 커버 부재가 다공성 재료로 이루어져 있으므로, 먼지가 속이 빈 캐비티로 들어오는 것을 용이하게 방지할 수 있고 태양광이 속이 빈 캐비티로 전파되는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 이는 반도체 센서 칩에 대하여 먼지 및 태양광과 같은 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향을 실질적으로 제거할 수 있다.
본 발명의 이러한 목적들 및 기타 목적들, 양태들 및 실시예들은 이하의 도면들을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 환경 장벽으로서의 역할을 하는 독립적인 부재를 사용하지 않고서도 반도체 센서 칩에 대하여 먼지와 태양광과 같은 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향들을 현저하게 감소시킬 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 예시의 방식으로 더욱 상세히 설명될 것이다.
본 발명의 바람직한 실시에에 따른 반도체 디바이스(1)가 도 1 및 도 2를 참 조하여 설명될 것이다. 반도체(1)는 기본적으로 마이크로폰 패키지를 형성하도록 설계되며, 마이크로폰 패키지는 속이 빈 캐비티(S)와, 캐비티(S)의 내부에 둘 다 배치된 마이크로폰 칩(7)과 LSI 칩(9) 뿐만 아니라 캐비티(S)를 통해 외부 공간과 통하는 개구부(3)를 갖는 하우징(5)을 포함한다.
마이크로폰 칩(7)은 실리콘으로 이루어져 있으며, 지지대(11)의 내부 홀(11a)을 덮기 위한 격막(13)이 설치된다. 격막(13)은 그 진동에 의해 음압 변동과 같은 압력 변동을 검출하고, 마이크로폰 칩(7)은 격막(13)의 진동을 전기적 신호로 변환하기 위한 음압 센서 칩을 형성한다.
LSI 칩(9)은 마이크로폰 칩(7)을 구동하고 제어하며, 마이크로폰 칩(7)으로부터의 전기적 신호 출력을 증폭하는 증폭기와, 전기적 신호를 디지털 신호로 변환하는 A/D 변환기 및 디지털 신호 프로세서(DSP)로 구성된다.
하우징(5)은 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)이 칩 실장면(15a) 상에 실장되는 직사각형의 판형을 갖는 기판(15), 기판(15)의 칩 실장면(15a)으로부터 평행하고 수직으로는 떨어져 위치하는 직사각형의 판형을 갖는 탑 보드 부재(17), 및 그 하단은 기판(15)의 칩 실장면(15a)의 주변에 고정되어 있고 그 상단은 탑 보드(칩 실장면(15a)에 대향하여 위치됨)의 내벽(17a)의 주변에 고정되어 있는 측벽 부재(19)로 구성된다. 니켈 은으로 이루어진 탑 보드 부재(17)는 기판(15)의 칩 실장면(15a)에 실장된 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)을 덮기 위한 커버 부재로서의 역할을 하여, 기판(15) 및 측벽 부재(19)와 함께 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)을 둘러싸는 캐비티(S)를 경계짓는다.
기판(15)은 그 내부에 전기적 배선(미도시)을 개재한 다중층화된(multilayered) 배선 기판이다. 마이크로폰 칩(7)은, 격막(13)이 지지대(11)의 내부 홀(11a)을 통해 기판(15)의 칩 실장면(15a)에 대향하여 위치되는 방식으로 다이(die) 접합 재료(D1)를 통해 칩 실장면 상에 실장된다.
마이크로폰 칩(7)과 유사하게, LSI 칩(9)은 마이크로폰 칩(7)에 인접하도록 다이 접합 재료(D2)를 통해 기판(15)의 칩 실장면(15a) 상에 실장된다.
마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)는 와이어(21)를 통해 서로 전기적으로 접속된다. LSI 칩(9)은 기판(15)의 배선의 규정된 부분에 전기적으로 접속되며, 이러한 부분은 와이어(도시 생략)를 통해 칩 실장면(15a) 상에 노출된다.
수지 시일(seal)(23)이 형성되어 LSI 칩(9)을 전체적으로 밀봉하고, LSI 칩(9)에 접속된 와이어(21)를 일부 밀봉한다. 즉, LSI 칩(9)은 외부 공간에 노출되지 않고, 수지 시일(23)에 의해 보호된다. 수지 시일(23)은 실리콘 수지와 같은 비교적 낮은 탄성 계수를 갖는 수지 재료(비교적 낮은 스트레스를 유발함)로 구성되는 것이 바람직하며, 여기에서 용융된 수지 재료는 기판의 칩 실장면(15a) 위로 흐르게 되는 포팅(potting)을 받게 된다.
캐비티(S)로 하여금 외부 공간과 통할 수 있게 하는 개구부(3)는 그 두께 방향으로 탑 보드 부재를 통해 이어지도록 형성된 관통홀(25)을 이용하여 형성되는데, 여기에서 관통홀(25)은 LSI 칩(9)에 대향하여 위치된 탑 보드 부재(17)의 규정된 영역 내에 형성된다. 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 관통홀(25)은 평면도에서 얇은 슬릿 형태로 형성되며, 관통홀(25)의 종축 방향은 평면도에서 관통 홀(25)을 향하여 배향되는 격막(13)의 방사 방향에 실질적으로 수직이다.
또한, 관통홀(25)의 종축 방향은 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)의 정렬 방향에 실질적으로 수직이다. 도 2에서, 관통홀(25)은 얇은 직사각형으로 형성되지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 관통홀(25)은 둥근 모서리를 갖는 슬릿 형태로 형성될 수 있다.
반도체 디바이스(1)의 캐비티(S) 내부에 배치된 마이크로폰 칩(7)을 향해 압력 변동(예를 들어, 음압 변동)을 적절하게 전달하기 위해서, 개구부(3)의 면적을 규정된 면적(예를 들어, 대략 0.785mm2)과 같게 하거나 더 크게 증가시키는 것이 필요하다. 원형 개구부를 갖는 종래의 알려진 반도체 디바이스와 비교할 때 본 실시예의 반도체 디바이스(1)에서는, 관통홀(25)이 그 폭이 감소된 얇은 직사각형으로 형성된다.
예를 들어, 개구부(3)의 면적이 0.785mm2로 설정된 경우에, 종래의 알려진 원형 개구부는 1.0mm의 직경을 갖도록 설계되지만, 얇은 직사각형을 갖는 관통홀(25)은 1.57mm의 길이와 0.5mm의 폭으로 설계된다. 즉, 관통홀(25)은 길이와 폭 사이의 비율이 대략 3:1로 설정되는, 규정된 치수로 설계된다. 이는 직사각형 개구부(3)의 폭을 종래의 알려진 원형 개구부의 직경의 절반으로 감소시키는 것을 가능하게 한다.
개구부(3)를 도 3에 도시한 대로 변경할 수 있는데, 여기에서 개구부(3)는 얇은 슬릿 형태를 갖는 관통홀(27)을 이용하여 형성되며, 이는 도 2에 도시된 관통 홀(25)에 비해 더욱 폭이 감소된다. 예를 들어, 개구부(3)의 면적이 0.785mm2로 설정되는 경우에, 관통홀(27)은 2.6mm의 길이와 0.3mm의 폭으로 설계된다. 즉, 관통홀(27)은 길이와 폭 사이의 비율이 대략 9:1로 설정되는, 규정된 치수로 설계되며, 관통홀(27)의 폭은 종래의 알려진 원형 개구부의 직경의 절반보다 더 작아지도록 감소된다.
관통홀(25 또는 27)을 이용하여 형성되는 개구부(3)의 면적을 더 증가시키기 위해서, 폭을 변경시키지 않고서 길이만을 증가시킬 수 있다.
얇은 슬릿 형태를 갖는 관통홀(25 또는 27)을 이용하여 개구부(3)가 형성되는 반도체 디바이스(1)에서, 개구부(3)의 충분히 큰 면적을 적절히 확보하면서 관통홀(25 또는 27)의 폭을 감소시킬 수 있다. 이는 압력 변동이 개구부(3)를 통해 캐비티(S) 내부의 마이크로폰 칩(7)으로 신뢰성있게 전달되는 것을 가능하게 한다.
관통홀(25 또는 27)의 폭을 감소시킴으로써, 먼지가 캐비티(S)에 들어가는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 개구부(3)가 마이크로폰 칩(7)에 직접 대향하여 위치되지 않으므로, 태양광이 개구부(3) 상에 입사하여 캐비티(S)의 내부에 도입되는 경우에도, 태양광이 마이크로폰 칩(7)에 도달하는 것을 신뢰성있게 방지할 수 있다. 즉, 마이크로폰 칩(7)에 대하여 태양광 및 먼지와 같은 환경적인 요소로 인한 부정적인 영향을 현저하게 감소시킬 수 있다.
관통홀(25 또는 27)의 종축 방향이 격막(13)의 방사 방향에 실질적으로 직각이므로, 하우징(5)의 사이즈를 증가시키지 않고서도, 마이크로폰 칩(7)의 격막(13) 으로부터 편향되는 원하는 위치에 개구부(3)를 형성할 수 있으며, 따라서 반도체 디바이스(1)의 다운사이징을 실현한다.
반도체 디바이스(1)는, 개구부(3)가 단일 관통홀(25 또는 27)을 이용하여 형성되도록 설계되지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 개구부(3)는 복수의 관통홀(33)로 분할될 수 있으며, 이들 각각은 얇은 슬릿 형태를 가지며, 서로 평행되게 정렬된다. 여기에서, 모든 관통홀들(33)이 마이크로폰 칩(7)에 대향하여 위치되지 않는 것이 바람직하다. 또한, 관통홀들(33)이 탑 보드 부재(17)의 규정된 영역에서 모여서 형성되는 것이 바람직하며, 탑 보드 부재(17)는 LSI 칩(9) 또는 그 인접 영역과 대향하여 위치된다.
도 4에 도시된 반도체 디바이스(31)에서, 각각 얇은 슬릿 형태를 갖는 2개의 관통홀(33)은 개구부(3)를 형성하기 위하여 폭 방향으로 서로 평행하게 배치된다. 도 5에 도시된 반도체 디바이스(35)에서, 각각 얇은 슬릿 형태를 갖는 3개의 관통홀들(33)은 개구부(3)를 형성하기 위해 폭 방향으로 서로 평행하게 배치된다. 관통홀들(33)의 배치 방향은 격막(13)의 방사 방향, 즉 마이크로폰 칩(7)과 LSI 칩(9)의 정렬 방향과 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다. 서로 인접해 있는 관통홀들(33) 사이의 거리는 가능한 한 짧은 것이 바람직하다. 첨언하자면, 격막(13)의 방사 방향은 평면도에서 격막(13)으로부터 관통홀(33)로의 방향으로 규정된다.
도 4 및 도 5에 도시된 반도체 디바이스(31, 35)에서, 개구부(3)의 전체 면적(즉, 관통홀들(33)의 개구부 면적의 합)을 변화시키지 않고서도 관통홀(33)의 폭 을 더욱 감소시킬 수 있다. 도 4에 도시된 반도체 디바이스(31)에서, 개구부(3)의 전체 면적이 9.785mm2로 설정된 경우에, 관통홀들(33)의 각각은 2.65mm의 길이(이는 도 3에 도시된 관통홀(27)의 길이와 유사함)와 0.15mm의 폭(이는 관통홀(27)의 폭보다 더 작음)으로 설계된다. 즉, 관통홀들(33) 각각은 길이와 폭 사이의 비율이 대략 18:1로 설정되는, 규정된 치수로 설계된다. 도 5에 도시된 반도체(35)에서, 관통홀들(33) 각각이 상술한 길이 및 폭으로 설계되는 경우에, 개구부(33)의 전체 면적을 1.17mm2로 증가시킬 수 있다.
도 4에 도시된 반도체 디바이스들(31, 35)에서, 관통홀들(33)이 각각 그 개구부 면적에서 감소되는 경우에도, 개구부(3)에 대한 전체 개구부 면적을 적절하게 확보할 수 있다. 이는 압력 변동(예를 들어, 음압 변동)이 개구부(3)로부터 캐비티(S)로 도입되고 마이크로폰 칩(7)에 신뢰성있게 도달될 수 있게 한다. 규정된 영역 내에 복수의 관통홀들(33)을 모아서 배치함으로써, 신뢰성있게 캐비티(S)로 압력 변동을 도입하기 위하여, 단지 관통홀들(25, 27)이 형성되는 상술한 예들과 실질적으로 동일한 효과들을 확보할 수 있다.
도 4 및 도 5에 도시된 반도체 디바이스(31, 35)는 반도체 디바이스(1)에 의해 실현된 상술한 효과들와 유사한 현저한 효과들을 입증할 수 있다. 복수의 관통홀들(33)이 폭 방향으로 서로 인접하도록 밀접하게 배치되므로, 관통홀들(33)의 형성을 위해 이용되는 탑 보드 부재(17)의 규정된 면적을 최소화할 수 있다. 즉, 하우징(5)의 사이즈를 감소시킬 수 있으므로, 반도체 디바이스들(31, 35)을 다운사이 징한다. 관통홀들(33) 각각이 그 개구부 면적에서 감소되므로, 마이크로폰 칩(7)에 대하여 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향들을 추가적으로 감소시킬 수 있다.
얇은 슬릿 형태를 갖는 상술한 관통홀들은 반드시 길이에서 제한받지는 않지만, 그 폭들은 바람직하게는 0.3mm 이하로 설정되어야 하며, 더욱 바람직하게는 그 폭은 0.2mm 이하로 설정되어야 한다.
개구부(3)는 그 각각이 반드시 얇은 슬릿 형태를 갖는 복수의 관통홀들(33)로 분할되지는 않는다. 예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 개구부(3)는 복수의 정방형 관통홀들(39)로 분할될 수 있다. 대안적으로, 개구부(3)는 도 8에 도시된 복수의 원형 관통홀들(43)로 분할될 수 있다.
도 6의 경우에서,복수의 정방형 관통홀들(39)이 탑 보드 부재(17)의 규정된 영역에 형성되며 단일선으로 정렬되는데, 이러한 단일선은 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)의 정렬 방향에 수직인 방향으로 놓여 있다. 도 7의 경우에, 복수의 정방형 관통홀들(39)이 서로 인접해 있는 2개의 선으로 정렬된다. 도 8의 경우에, 복수의 원형 관통홀들(43)이 서로 인접해 있는 3개의 선으로 정렬된다.
도 8에 도시된 관통홀들(43) 각각은 종래의 알려진 개구부와 유사한 원형을 갖지만, 이들 각각은 종래의 알려진 개구부의 직경에 비해 매우 작은 직경을 갖는다. 개구부(3)가 2개의 원형 관통홀들(43)을 이용하여 형성된다고 하면, 개구부의 전체 면적은 0.78mm2로 설정된다. 이 경우에, 각 관통홀(43)의 직경은 대략 0.71mm 로 설정된다. 개구부(3)가 4개의 관통홀들(43)을 이용하여 형성되는 경우에, 각 관통홀(43)의 직경은 0.5mm로 설정된다.
하우징(5)의 개구부(3)는 그 각각이 반드시 도 4 내지 도 8에 도시된 동일한 개구부 면적을 갖는 복수의 관통홀들(33, 39, 43)을 이용하여 형성되지는 않는다. 예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 그 개구부 면적이 서로 다른 상이한 관통홀들(45, 47)을 이용하여 개구부(3)가 형성될 수 있다. 구체적으로, 비교적 작은 직경을 갖는 4개의 원형 관통홀들(47)이 비교적 큰 직경을 갖는 단일 원형 관통홀(45)의 주변 영역에 배치되어 개구부(3)를 형성한다.
하우징(5)의 개구부(3)는 반드시 각각 동일한 형태를 갖는 복수의 관통홀들(33, 39, 43, 45, 47)을 이용하여 형성되지는 않는다. 따라서, 서로 결합되는, 상이한 형태를 갖는 상이한 유형의 관통홀들을 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 10에 도시된 바와 같이, 4개의 원형 관통홀들이 원형 영역에 서로 인접해 있는 4개의 부채꼴 관통홀들의 주변 영역에 배치된다.
도 6 내지 도 10에 도시된 반도체 디바이스들은 도 4 및 도 5에 도시된 반도체 디바이스들(31, 35)에 의해 실현된 상술한 효과들과 유사한, 현저한 효과를 입증할 수 있다.
본 실시예 및 그 변형예에서, 개구부(3)는 LSI 칩(7)에 대향하는 탑 보드 부재(17)의 규정된 위치에서 형성되지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 단지 개구부(3)가 하우징(5) 내의 마이크로폰 칩(7)에 대향하여 직접 위치되지 않아야 한다는 것이 요구된다. 즉, 개구부는 측벽 부재(19)에 형성될 수 있거나, 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)이 배치되지 않는 기판(15)의 칩 실장면(15a)의 규정된 영역에서 형성될 수 있다.
상술한 것에서, 하우징(5) 내의 규정된 영역에서 복수의 관통홀들을 형성하여 개구부(3)를 형성하는 것이 바람직하다. 여기에서, 복수의 관통홀들이 이들 사이에 짧은 거리를 두고 밀집된 방식으로 모여서 배치되는 것이 바람직하다.
본 실시예 및 그 변형예에서, 하우징(5)은 3개의 부분, 즉 기판(15), 탑 보드 부재(17) 및 측벽 부재(19)로 구성되지만 이에 제한되지는 않는다. 단지, 하우징(5)은 속이 빈 캐비티(S), 캐비티로 하여금 외부 공간과 통할 수 있게 하는 개구부(3), 및 마이크로폰 칩(7) 및 LSI 칩(9)을 실장하기 위한 칩 실장면(15a)을 포함하는 것이 요구된다. 예를 들어, 측벽 부재(19)는, 측벽 부재(19)가 기판(15)과 함께 다중층화된 배선 기판을 형성하는 방식으로 기판(15)에 통합되어 형성될 수 있다. 대안적으로, 측벽 부재(19)는, 측벽 부재(19)가 탑 보드 부재(17)와 함께 기판(15)의 칩 실장면(15a)을 덮기 위한 커버 부재를 형성하는 방식으로 탑 보드 부재(17)와 통합되어 형성될 수 있다.
반드시 하우징(5)이 개구부(3)를 갖도록 설계되지는 않는다. 단지, 하우징(5)은 마이크로폰 칩(7)에 대하여 태양광 및 먼지와 같은 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향을 감소시키는, 원하는 구조로 형성되는 것이 요구된다. 개구부(3)를 형성하는 대신, 커버 부재를 형성하는 탑 보드 부재(17) 및 측벽 부재(19) 둘 다가 다공성 재료를 이용하여 전체적으로 형성된다. 또는, 이들은 다공성 재료를 이용하여 부분적으로 형성된다.
다공성 재료는 다수의 작은 캐비티들을 포함하며, 이러한 캐비티들은 서로 상호간에 통하며, 이러한 캐비티들에 의해 하우징(5)의 캐비티(S)는 외부 공간과 통한다. 다공성 재료로서, 수지 재료와 세라믹뿐만 아니라 그 합성 재료을 목록에 올리는 것도 가능하다.
그 커버 부재가 다공성 재료로 이루어진 반도체 디바이스에서, 하우징(5)의 외부에서 발생하는 음압과 같은 압력 변동은 "다공성" 커버 부재에 포함된 작은 캐비티들을 통하여 전파되고 나면 캐비티(S)로 도입되어 마이크로폰 칩(7)에 도달한다. 압력 변동을 하우징(5)의 캐비티(S)로 부드럽게 도입하기 위하여, 각각의 작은 캐비티의 직경은 1㎛ 내지 5㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다.
커버 부재가 다공성 재료로 이루어져 있으므로, 먼지가 하우징(5)의 캐비티(S)로 들어가는 것을 용이하게 방지할 수 있고, 하우징(5)의 캐비티(S)로 태양광이 전파하는 것을 용이하게 방지할 수 있다. 이는 마이크로폰 칩(7)에 대하여 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향들을 실질적으로 제거시킬 수 있다.
본 실시예 및 그 변형예에서, LSI 칩(9)은 하우징(5)의 내부에 배치되지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 단지, 적어도 마이크로폰 칩(7)이 하우징(5)의 내부에 배치되는 것이 요구된다. 즉, LSI 칩(9)은 반도체 디바이스(1)를 실장하기 위한 또 다른 회로 보드(도시 생략) 상에 독립적으로 실장될 수 있다.
본 실시예의 반도체 디바이스(1)는 반도체 센서 칩으로서의 역할을 하는 마이크로폰 칩(7)을 포함하지만, 본 발명에서 이에 제한되는 것은 아니다. 다양한 도면에서 도시된 상술한 개구부들은 오디오 주파수보다 더 높은 고주파를 감지하기 위한 반도체 센서 칩들을 포함하는 임의의 유형의 반도체 패키지들에 적합화될 수 있다. 즉, 예를 들어 반도체 센서 칩들로서의 역할을 하는 초음파 센서들을 사용할 수 있다. 이 경우에, 먼지가 그 내부에 예기치 않게 들어오는 것을 방지하고 헬름홀츠(Helmholtz) 공진 주파수를 증가시키기 위하여, 복수의 개구부들이 반도체 패키지에 형성된다. 따라서, 고주파의 초음파를 감지하기 위한 양호한 감도를 갖는 초음파 센서 패키지를 제공할 수 있다.
이제, 헬름홀츠 공진기가 설명될 것이다. 일반적으로, 헬름홀츠 공진기는 폐쇄된 공간(예를 들어, 본 실시예의 캐비티(S)) 및 짧은 파이프(예를 들어, 개구부)를 이용하여 형성된다. 폐쇄된 공간이 체적(V)을 갖는 반도체 패키지의 캐비티(S)를 이용하여 형성되고, 각각 반경(r)을 갖는 복수의 원형 개구부로 이루어진 짧은 파이프가 두께(Tb)를 갖는 탑 보드에 형성되고, 개구부의 전체 단면적은 Sb로 설정되고, 반도체 패키지의 캐비티(S)는 개구부를 통해 외부 공간과 통하는 방식으로, 본 실시예의 반도체 패키지에 적용될 수 있다.
음압이 외부 공간으로부터 개구부의 입구에 인가되는 경우에, 캐비티(S)의 매질(예를 들어, 공기)에서의 압력 변동을 일으키기 위하여 개구부의 매질(예를 들어, 공기)은 복합적인 운동을 겪는다. 이러한 현상은, 질량점(또는 질점)이 개구부의 공기로 간주되고, 스프링이 캐비티(S) 내의 공기의 체적 변동으로 인한 압력 변동으로 간주되는 질량 스프링(mass-spring) 동역학 모델로서 해석될 수 있으며, 공진(또는 공명)이 특정 주파수(헬름홀츠 공진 주파수 Fh(Hz)라 함)에서 발생한다.
상술한 것에서, 헬름홀츠 공진 주파수 Fh(Hz)는 이하의 식 (1)의 형태로 표 현될 수 있으며, 음속(C)은 340000(mm/s)로 설정되고, 길이의 단위는 밀리미터(mm)로 설정된다.
Figure 112008010831364-PAT00001
...(1)
상술한 식 (1)은 복수의 개구부의 전체 단면적(Sb), 각 개구부의 반경(r), 탑 보드의 두께(Tb) 및 반도체 패키지의 캐비티(S)의 체적(V)을 변화시킴으로써 헬름홀츠 공진 주파수 Fh를 변화시킬 수 있다는 것을 증명한다.
반면에, 반도체 패키지의 사이즈를 감소시킴으로써(따라서, 캐비티(S)의 체적(V) 및 탑 보드의 두께(Tb)를 감소시킴으로써) 헬름홀츠 공진 주파수 Fh를 변화시키는데 있어서 기술적인 제한점이 존재한다. 헬름홀츠 공진 주파수 Fh를 더욱 증가시키기 위하여, 각 개구부의 반경(r)은 감소시키지만 개구부의 전체 단면적(S)은 증가시키는 것이 필요하다.
소형의 반도체 패키지인 본 발명에 따른 마이크로폰 패키지는 복수의 개구부를 제공하고 복수의 개구부의 전체 단면적(Sb)을 증가시킴으로써 헬름홀츠 공진 주파수 Fh를 오디오 주파수보다 더 높게 증가시킬 수 있다. 따라서, 감도에 대한 균일성을 확립할 수 있다. 즉, 고주파를 감지하기 위한 양호한 감도를 갖는 마이크로폰 패키지를 제공할 수 있다.
오디오 주파수보다 더 높은 고주파를 감지하기 위한 초음파 센서와 같은 반도체 센서 칩을 포함하는 반도체 패키지의 경우에, 헬름홀츠 공진 주파수가 초음파 센서의 감지가능한 주파수 대역보다 더 높게 되도록 증가시키는 것이 필요하다. 이는 개구부(들)가 상술한 마이크로폰 패키지의 개구부(들)보다 더욱 증가될 것을 필요로 한다. 큰 개구부를 제공하는 것은 반도체 센서 칩 상에 영향을 미치는 먼지와 태양광과 같은 환경적 요소들로 인한 부정적인 영향을 야기할 수 있다. 이러한 불리점을 해결하기 위하여, 환경적인 요소들로 인한 부정적인 영향을 회피하면서도 초음파 센서의 감지가능한 주파수 대역보다 더 높게 되도록 헬름홀츠 공진 주파수를 증가시키기 위하여, 복수의 개구부를 갖는 본 실시예의 상술한 반도체 패키지가 초음파 센서에 적용된다. 따라서, 감도에 대한 균일성을 확립할 수 있다. 그리고, 고주파의 초음파를 감지하기 위한 양호한 감도를 갖는 초음파 센서 패키지를 제공할 수 있다.
마지막으로, 본 발명은 첨부된 청구항에 의해 규정된 본 발명의 범위 내의 다양한 방식으로 더욱 수정될 수 있는 본 실시예 및 그 변형예에 반드시 제한되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 디바이스의 구성을 도시하는 횡단면도.
도 2는 격막을 갖는 마이크로폰 칩이 하우징의 개구부에 대해 위치되는 반도체 디바이스의 평면도.
도 3은 개구부가 얇은 슬릿(slit) 형태를 갖는 관통홀(through-hole)을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 4는 개구부가, 얇은 슬릿 형태를 각각 갖는 2개의 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 5는 개구부가, 얇은 슬릿 형태를 각각 갖는 3개의 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 6은 개구부가, 단일선으로 정렬된 4개의 정방형 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 7은 개구부가, 서로 인접한 2개의 선으로 정렬되어 있는 8개의 정방형 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 8은 개구부가, 서로 인접한 3개의 선으로 정렬되어 있는 12개의 원형 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 9는 개구부가, 서로 인접하게 모여 있는 4개의 작은 원형 관통홀과 하나의 큰 원형 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
도 10은 개구부가, 서로 인접하게 모여 있는 4개의 작은 원형 관통홀과 4개 의 부채꼴 관통홀을 이용하여 형성되는 것을 도시하는 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 반도체 디바이스
3 : 개구부
5 : 하우징
7 : 마이크로폰 칩
9 : LSI 칩
11 : 지지대
13 : 격막
15 : 기판
15a : 칩 실장면
17 : 탑 보드 부재
19 : 측벽 부재
21 : 와이어
23 : 수지 시일
25 : 관통홀

Claims (6)

  1. 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서 칩;
    상기 반도체 센서 칩이 그 내부에 배치되는 속이 빈 캐비티(cavity)를 갖는 하우징; 및
    상기 반도체 센서 칩에 대향하여 위치되지 않는 상기 하우징의 규정된 영역에 모여서 형성되는 복수의 관통홀(through-hole)들을 포함하는 개구부
    를 포함하고,
    상기 개구부는, 상기 속이 빈 캐비티가 외부 공간과 통할 수 있게 하는 반도체 디바이스.
  2. 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서 칩;
    상기 반도체 센서 칩이 그 내부에 배치되는 속이 빈 캐비티를 갖는 하우징; 및
    상기 반도체 센서 칩에 대향하여 위치되지 않는 상기 하우징의 규정된 영역에 형성되는, 얇은 슬릿 형태를 적어도 하나의 관통홀을 포함하는 개구부
    를 포함하고,
    상기 개구부는, 상기 속이 빈 캐비티가 외부 공간과 통할 수 있게 하는 반도체 디바이스.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 개구부는 폭 방향으로 서로 인접하게 정렬되어 있는, 각각 얇은 슬릿 형태를 갖는 복수의 관통홀들을 포함하는 반도체 디바이스.
  4. 압력 변동을 검출하기 위한 반도체 센서 칩;
    상기 반도체 센서 칩을 실장하기 위한 칩 실장면을 갖는 기판; 및
    상기 반도체 센서 칩이 그 내부에 배치되는 속이 빈 캐비티를 형성하기 위하여 상기 기판과 연결되어 있는 커버 부재
    를 포함하고,
    상기 커버 부재의 적어도 규정된 일부는 다공성(porous) 재료로 이루어지는 반도체 디바이스.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 관통홀의 길이는 상기 관통홀의 폭보다 3배 이상 더 큰 반도체 디바이스.
  6. 제2항의 있어서,
    상기 관통홀의 폭은 0.3mm 이하인 반도체 디바이스.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102572665A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 宝星电子股份有限公司 适合于真空吸附安装的电容式麦克风结构及其安装方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7739906B2 (en) * 2008-02-26 2010-06-22 Kyocera Corporation Sensor module, wheel with sensor and tire/wheel assembly
US7843021B2 (en) * 2008-02-28 2010-11-30 Shandong Gettop Acoustic Co. Ltd. Double-side mountable MEMS package
DE102008021091A1 (de) * 2008-04-28 2009-10-29 Epcos Ag Drucksensor
DE102008040597A1 (de) * 2008-07-22 2010-01-28 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement mit Rückvolumen
JP2010161271A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Panasonic Corp 半導体パッケージ
JP2010171631A (ja) * 2009-01-21 2010-08-05 Yamaha Corp シリコンマイクロホン
CN102589753B (zh) 2011-01-05 2016-05-04 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US8643169B2 (en) * 2011-11-09 2014-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with over-molded lid
US9029999B2 (en) 2011-11-23 2015-05-12 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with footed lid
JP5982793B2 (ja) * 2011-11-28 2016-08-31 株式会社村田製作所 音響素子
TWI504279B (zh) 2011-12-01 2015-10-11 Ind Tech Res Inst Ｍｅｍｓ音波感測器及其製造方法
TWI486566B (zh) * 2012-02-27 2015-06-01 Fujikura Ltd 壓力感測器模組
CN103633036B (zh) * 2013-08-07 2017-03-08 中国科学院电子学研究所 基于高阻材料的电场传感器封装元件
WO2015056443A1 (ja) * 2013-10-15 2015-04-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 マイクロホン
EP2884242B1 (en) * 2013-12-12 2021-12-08 ams International AG Sensor Package And Manufacturing Method
US9291517B2 (en) * 2014-02-24 2016-03-22 Kulite Semiconductor Products, Inc. Pressure sensor having a helmholtz resonator
US9933319B2 (en) * 2015-04-13 2018-04-03 Invensense, Inc. Acoustic ambient temperature and humidity sensing
US10163660B2 (en) 2017-05-08 2018-12-25 Tt Electronics Plc Sensor device with media channel between substrates
US10285275B2 (en) 2017-05-25 2019-05-07 Tt Electronics Plc Sensor device having printed circuit board substrate with built-in media channel
CN109823122A (zh) * 2018-12-28 2019-05-31 广东菲柯特电子科技有限公司 一种太阳能胎压装置
CN110536220A (zh) * 2019-08-22 2019-12-03 歌尔股份有限公司 振动感测装置感测振动的方法以及振动感测装置
TWI807333B (zh) * 2021-03-19 2023-07-01 美律實業股份有限公司 電子裝置
JP7327715B1 (ja) 2022-12-27 2023-08-16 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6220343A (ja) 1985-07-19 1987-01-28 Hitachi Ltd ウエハ位置決め装置
JPH061226B2 (ja) * 1986-05-07 1994-01-05 日本電装株式会社 半導体圧力センサ
US5097841A (en) * 1988-09-22 1992-03-24 Terumo Kabushiki Kaisha Disposable pressure transducer and disposable pressure transducer apparatus
US6347037B2 (en) * 1994-04-28 2002-02-12 Fujitsu Limited Semiconductor device and method of forming the same
JP3034180B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法及び基板
JP3467611B2 (ja) * 1995-09-29 2003-11-17 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置の製造方法
JPH10104101A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体圧力センサ
JP3028367B1 (ja) * 1998-10-08 2000-04-04 コナミ株式会社 キャラクター表現方法、記録媒体、画像表示装置、及びビデオゲーム装置
JP2000349178A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
JP2004057634A (ja) * 2002-07-31 2004-02-26 Shuji Sonoda ゲーム装置及びそれを実現するプログラム
US6781231B2 (en) * 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102572665A (zh) * 2010-12-14 2012-07-11 宝星电子股份有限公司 适合于真空吸附安装的电容式麦克风结构及其安装方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080229840A1 (en) 2008-09-25
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