KR20080074717A - 터널 자기 저항 효과 소자의 시험 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 터널 자기 저항 효과 소자의 양부(良否)를 판별하는 효과적인 시험 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
터널 자기 저항 효과를 이용한 재생 소자의 재생 소자 시험 방법에 있어서, 다른 전류에 대한 제1 및 제2 저항값을 측정하는 측정 단계와, 동일한 설계가 행해진 상기 재생 소자의 양품으로부터 구한 상기 제1 저항값과 상기 제1과 제2 저항값의 차분과, 터널 자기 저항과 전압의 이론식으로부터 구한 저항값 차분 곡선과, 상기 측정 단계에서 측정한 제1 및 제2 저항값을 비교하는 비교 단계와, 상기 재생 소자의 저항 변화율의 절대값이 상기 저항값 차분 곡선보다도 낮은 경우에는, 상기 재생 소자를 불량품으로서 판정하는 판정 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법을 제공한다.

Description

터널 자기 저항 효과 소자의 시험 방법 및 장치{TEST METHOD AND APPARATUS FOR　TUNNELING MAGNETORESISTIVE ELEMENT}
본 발명은 일반적으로는 재생 소자 또는 판독 소자의 시험 방법에 관한 것으로서, 특히 터널 자기 저항 효과(Tunneling Magnetoresistive: TMR) 소자의 시험 방법에 관한 것이다. 본 발명은 예컨대 하드디스크 장치(Hard Disc Drive: HDD)에 사용되는 TMR(헤드) 소자의 시험 방법에 적합하다.
최근 인터넷 등의 보급에 따라 대량의 정보를 안정되게 재생하는 HDD의 수요가 증대하고 있다. 대용량화의 수요에 응하기 위해서 디스크의 면기록 밀도를 증가시키면 신호 자계가 약해진다. 이 미약한 신호 자계를 판독하기 위해서는 소형이면서 고감도인 재생 소자가 필요하다.
이러한 재생 소자로서 TMR막을 갖는 TMR 소자가 알려져 있다. TMR막은 절연막을 2장의 자성막 사이에 둔 구조를 가지며, 적층면에 수직으로 터널 전류가 흐른다. 그러나, 절연막에 핀홀이 있거나 절연막의 주변에 쇼트가 있거나 하면, TMR 헤드의 저항이 저하하여 재생 출력, 즉, 감도가 저하한다. 이 때문에, 종래에는 TMR막의 저항값을 측정함으로써 TMR 헤드의 성능 시험을 행하고 있다. 또한, TMR 헤드 의 저항 변화율(ΔR/R)을 구하여 핀홀의 유무를 판정하는 방법도 알려져 있다(예컨대, 특허 문헌 1을 참조). 또한, 쇼트가 있어도 저항은 완전히 0이 아니라, 본 출원은 쇼트가 있는 부분의 저항을 「쇼트 저항」이라고 부르는 경우가 있다. 쇼트 저항이 높으면 절연막은 어느 정도 기능을 발휘하고 있지만, 쇼트 저항이 낮으면 TMR막은 감도가 저하한다.
TMR막의 전압과 터널 자기 저항과의 관계를 도 1에 나타낸다(비특허 문헌 1). 통상의 저항은 옴 법칙에 따라 전류에 대하여 선형적이지만, TMR막에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 저항과 전압의 관계(R-V 곡선)는 비선형적이다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2006-66873호 공보
[비특허 문헌 1] W. F. Brinkman, R. C. Dynes, J. M. Rowell, J. Appl. Phys. 41 1951(1970)
그러나, 종래의 방법에서는 쇼트를 갖는 TMR 소자의 양품 판정을 효과적으로 행할 수 없었다. 우선, TMR막의 저항값은 프로세스에 따라 변동하기 때문에 저항값을 이용한 방법은 쇼트에 의한 헤드의 양부를 정밀도 좋게 판정할 수 없다. 또한, 저항 변화율을 이용한 방법은 TMR막의 핀홀 유무에 의한 막품질을 판정하는 것은 가능하지만, 쇼트에 의한 헤드의 양부를 판별하는 것은 불가능하다.
본 발명은 TRM 소자의 양부를 판별하는 효과적인 시험 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 측면으로서의 시험 방법은 터널 자기 저항 효과를 이용한 재생 소자의 재생 소자 시험 방법으로서, 다른 전류에 대한 제1 및 제2 저항값을 측정하는 측정 단계와, 동일한 설계가 행해진 상기 재생 소자의 양품의 터널 자기 저항과 전압의 이론식으로부터 구한 저항값 차분 곡선과, 상기 측정 단계에서 측정한 제1 및 제2 저항값으로부터 구한 저항 변화율을 비교하는 비교 단계와, 상기 재생 소자의 상기 저항 변화율과 상기 저항값 차분 곡선을 비교함으로써 상기 재생 소자의 양품판정을 행하는 판정 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 시험 방법은 쇼트 저항에 기초하여 재생 소자의 양품 판정을 행할 수 있다. 상기 재생 소자 시험 방법은 양품의 상기 재생 소자의 터널 자기 저항과 전압의 이론식을 기초로 양품에 특정 저항값을 갖는 저항을 병렬로 연결한 경우로부터 상기 저항값 차분 곡선 을 취득하고, 상기 판정 단계는 상기 저항값 차분 곡선에 비하여 상기 저항 변화율의 절대값이 높은 경우에는 상기 재생 소자를 양품으로서 판정하여도 좋다. 바람직하게는 상기 양품의 상기 재생 소자의 상기 특정 저항값은 1000Ω이다. 상기 터널 자기 저항과 전압의 이론식은 예컨대 브링크만(Brinkman)의 이론식이다. 상기 판정 단계에 있어서 상기 저항 변화율이 상기 저항값 차분 곡선에 근접하고 있으면 상기 재생 소자를 양품으로서 판정하여도 좋다. 상기 제1 저항값은 0.1 mA를 상기 재생 소자에 흐르게 했을 때에 얻어지고, 상기 제2 저항값은 0.4 mA를 상기 재생 소자에 흐르게 했을 때에 얻어지며, 상기 저항 변화율은 상기 제2 저항값에서 상기 제1 저항값을 뺀 값을 상기 제1 저항값으로 나누어 100을 곱한 값인 것이어도 좋다. 바람직하게는 상기 재생 소자에 허용되는 저항의 범위는 300Ω 내지 400Ω이다.
본 발명의 일 측면으로서의 시험 장치는 터널 자기 저항 효과를 이용한 재생 소자의 재생 소자 시험 장치에 있어서, 다른 전류에 대한 제1 및 제2 저항값을 측정하는 측정부와, 동일한 설계가 행해진 상기 재생 소자의 양품의 터널 자기 저항과 전압의 이론식으로부터 구한 저항값 차분 곡선과, 상기 측정 단계에서 측정한 제1 및 제2 저항값으로부터 구한 저항 변화율을 비교하는 비교부와, 상기 재생 소자의 상기 저항 변화율과 상기 저항값 차분 곡선을 비교함으로써 상기 재생 소자의 양품 판정을 행하는 판정부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 시험 장치는 쇼트를 갖는 재생 소자의 양품 판정을 행할 수 있다.
전술한 시험 방법을 컴퓨터로 하여금 실행하게 하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체도 본 발명의 별도의 측면을 구성한다.
본 발명의 또 다른 목적 또는 그 밖의 특징은, 이하 첨부 도면을 참조하여 설명하는 바람직한 실시예에 의해 분명해질 것이다.
본 발명에 따르면, TMR 소자의 양부를 판별하는 효과적인 시험 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
이하, 도 2를 참조하여 후술하는 HDD(기억 장치)(100)에 사용되는 자기 헤드 소자의 시험 장치(1)에 대해서 설명한다. 시험 장치(1)는 퍼스널 컴퓨터(PC)(10)와, 피시험물인 헤드 짐벌 어셈블리(Head Gimbal Assembly: HGA)(111)를 탑재하는 탑재부(20)와, 검출부(40)와, 전류 공급부(50)를 갖는다. HGA(111)는 슬라이더가 탑재된 서스펜션 어셈블리로서, 헤드 서스펜션 어셈블리라고 불리는 경우도 있다.
시험 장치(1)는 HGA(111)가 HDD(100)에 탑재되기 전에 HGA(111)의 양품 및 불량품을 검사하는 시험 장치이다. HGA(111)는 후술하는 바와 같이, 자기 헤드부(120)를 탑재하고 있고, 자기 헤드부(120)는 후술하는 디스크(104)에 정보를 기록하기 위한 기록 소자[인덕티브 헤드 소자(130)]와 디스크(104)로부터 정보를 판독하기 위한 재생 소자[TMR 헤드 소자(140)]를 갖는다. 그리고, 시험 장치(1)는 기록 소자와 재생 소자를 시험하여 각각이 양품인지 불량품인지를 이들과 관련시키면서 출력하지만, 본 실시예에서는, 재생 소자의 시험 방법에 대해서만 설명한다.
PC(10)는 시험 장치(1)의 동작 모드를 제어하고 시험 결과를 출력 및 저장한다. 본 실시예에서는 PC(10)는 시험 장치(1)의 일부이지만, 다른 실시예에서는, PC(10)는 네트워크를 통해 시험 장치(1)에 접속된다. PC(10)는 PC 본체(12)와, 키보드나 마우스 등의 입력부(14)와, 디스플레이 등의 출력부(16)를 갖는다. PC 본체(12)는 CPU 등의 제어부(12a)와, 메모리(12b)를 갖는다. 제어부(12a)는 시험 방법에 필요한 여러 가지 연산이나 판단을 행한다. 메모리(12b)는 시험 방법을 저장하고 그것에 필요한 여러 가지 데이터를 저장하고 있다. 시험 장치(1)의 동작 모드는 소프트웨어 프로그램으로서 구체화되어 메모리(12b)에 저장되어 있고, 사용자는 출력부(16)를 참조하면서 입력부(14)와 제어부(12a)를 통하여 동작 모드를 선택할 수 있다.
탑재부(20)는 HGA(111)를 탑재한다. HGA(111)가 탑재부(20)에 탑재되어 있는 상태에서 전류 공급부(50)로부터 HGA(111)의 재생 소자에 전류가 공급된다. 검출부(40)는 전류 공급부(50)가 HGA(111)를 통전시키고 동안의 TMR 소자의 저항을 검출한다. 검출부(40)가 검출한 정보는 PC(10)의 제어부(12a)에 전달된다.
이하, 도 3을 참조하여, 시험 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다. 여기서, 도 3은 본 실시예의 시험 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 3에 도시된 시험 방법은 PC(10)에 있어서 실행 가능한 프로그램으로서 구체화된다. 우선, 제어부(12a)는 1000Ω의 저항값을 갖는 저항이 TMR막에 병렬로 접속되었다고 가정하여 TMR막에 관한 저항과 저항 변화율과의 관계를 브링크만의 이론식으로부터 취득한다(단계 1002). 이것은 후술하는 이론 곡선 (b)를 취득하는 단계이다.
전제로서, 메모리(12b)에는 다음 식으로 나타낸 브링크만의 이론식과 도 1에 나타낸 TMR막의 전압과 저항과의 관계가 미리 저장되어 있다.
[수학식 1]
Figure 112007094504407-PAT00001
Figure 112007094504407-PAT00002
Figure 112007094504407-PAT00003
이다.
Figure 112007094504407-PAT00004
은 각각의 계면에서의 배리어 높이, d는 절연막 두께를 나타낸다. 또한, 메모리(12b)는 다음 식으로 규정되는 저항 변화율(ΔR/R)도 저장하고 있다.
[수학식 2]
Figure 112007094504407-PAT00005
도 1에 나타낸 브링크만 이론 곡선은 종축의 저항값이, 전압이 0일 때에 1이 되도록 규격화되어 있다. 한편, 실제의 TMR 소자의 저항값은 300Ω 내지 400Ω이다. 이 때문에, 사용자는 입력부(14)로부터 수학식 1에 실제 TMR 소자에 필요한 파라미터값을 입력한다. 이 입력값과 수학식 2를 이용하여 제어부(12a)는 도 4에 나타낸 이론 곡선 (a)를 취득한다.
0.1 mA와 0.4 mA는 저항 변화율을 구하는 데 사용되지만 이것에 한정되지 않는다. 그러나, 이들 전류값은 저항 변화율의 변화가 크고, 터널 자기 저항 효과막 을 파괴하지 않는 안전한 범위의 전류값으로서, 본 발명자가 경험상 얻은 값이다. 이상 곡선 (a)는 저항 400Ω, 저항 변화율 -3%인 것을 기준으로 하고 있고, TMR막의 저항에 병렬로 접속되는 (쇼트)저항이 무한대인 경우의 이상 곡선이다.
다음에, 입력부(14)를 통하여, 사용자는 TMR막이 쇼트된 경우에 쇼트 부분에 허용되는 최소의 쇼트 저항값을 입력하고, 제어부(12a)는 입력된 쇼트 저항값을 설정한다. 본 발명자는 그것이 경험적으로 1000Ω 부근인 것을 발견하였다. 그리고, 제어부(12a)는 이상 곡선 (a)로 나타내는 TMR막에 1000Ω의 저항이 병렬로 접속되어 있다고 가정한 모델의 이상 곡선을 이상 곡선 (b)로서 구한다. 도 4는 참고를 위해 이상 곡선 (a)로 나타내는 TMR막에 500Ω의 저항이 병렬로 접속되어 있다고 가정한 모델의 이상 곡선을 이상 곡선 (c)로서 나타내고 있다. 이상 곡선 (c)가 이상 곡선 (b)의 상측에 있기 때문에, 이상 곡선 (b)의 상측이 1000Ω의 저항값보다도 쇼트 저항값이 작아지는 쪽인 것이 이해된다. 메모리(12b)는 적어도 이상 곡선 (b)가 그려진 도 4의 그래프를 저장해 둔다.
다음에, 제어부(12a)는 전류 공급부(50)에 대하여 자기 헤드 구조체(111)의 TMR 소자에 0.1 mA와 0.4 mA의 전류를 흐르게 하도록 명령하고, 검출부(40)로 하여금 각 전류치에 대하여 검출한 TMR 소자의 저항값을 검출하게 한다(단계 1004).
다음에, 제어부(12a)는 검출부(40)로부터 검출 결과를 취득하고, 이에 따라, 시험 대상으로서의 TMR 소자의 저항과 저항 변화율과의 관계를 취득한다(단계 1006). 단계 1006은 검출부(40)의 검출 결과를 도 4에 플롯하는 것이다. 횡축에는 TMR 소자에 0.1 mA의 전류를 흐르게 했을 때의 저항값이 설정된다. 종축에는 TMR 소자에 0.4 mA의 전류를 흐르게 했을 때의 저항값에서 0.1 mA의 전류를 흐르게 했을 때의 저항값을 뺀 값을 0.1 mA의 전류를 흐르게 했을 때의 저항값으로 나누어 100을 곱한 값이 설정된다. 도 4에는 마름모꼴로 검출부(40)의 검출 결과가 플롯되어 있다.
다음에, 제어부(12a)는 단계 1006의 관계가 TMR 소자에 허용되는 저항의 범위 내인지 여부를 판단한다(단계 1008). 동일한 설계가 행해진 양품의 TMR 소자에 허용되는 저항의 범위는 본 발명자의 경험상, 300Ω 내지 400Ω이다.
제어부(12a)는 단계 1006의 관계가 TMR 소자에 허용되는 저항의 범위 내라고 판단하면(단계 1008), 단계 1006의 관계가 이상 곡선 (b)에 관하여, 검출된 저항값은 쇼트 저항이 큰 쪽에 있는지 여부가 판단된다(단계 1010). 이상 곡선 (b)에 관하여, 검출된 저항값에 있어서 쇼트 저항이 큰 쪽이란 도 4에 있어서는 이상 곡선 (b)의 아래쪽이다. 결국, 단계 1008 및 1010에 있어서의 2개의 조건을 만족하는 범위, 즉 시험에 합격하는 범위는 도 5에 도시된 사선 부분이다.
본 실시예에서는, 허용되는 최소의 쇼트 저항값을 입력한 이상 곡선 (b)를 기초로 시험하였지만, 이상 곡선 (a)의 상하에 근접한 저항 변화율을 갖는 TMR막을 양품으로서 판정하는 시험이어도 좋다.
단계 1008 또는 1010에서 NO라고 판단된 TMR 소자는 불량품이라고 간주된다(단계 1012). 양품은 그 후에 판독 성능을 시험하여, 다시 합격한 것을 HDD(100)에 탑재한다(단계 1014). 종래에는 본 실시예의 시험을 실시하지 않고, 전제품에 대하여 판독 성능 시험을 행하고 있었다. 이것에 대하여, 본 실시예의 시험에 합격한 것에 대해서만 판독 성능 시험을 행한 결과 판독 시험에 합격한 제품의 비율, 즉 수율이 약 10% 향상되었다.
이하, 도 6 및 도 7을 참조하여 HGA(111)가 탑재된 후의 HDD(100)에 대해서 설명한다. HDD(100)는 도 6에 도시된 바와 같이 케이스(102) 내에 기록 매체(또는 기억 매체)로서의 하나 또는 복수의 자기 디스크(104)와, 스핀들 모터(106)와, 헤드 스택 어셈블리(Head Stack Assembly: HSA)(110)를 수납한다. HGA(111)는 헤드 스택 어셈블리(110)의 일부를 구성한다. 여기서, 도 6은 HDD(100)의 내부 구조의 개략 평면도이다.
케이스(102)는 직방체 형상을 가지며, 내부 공간을 밀폐하는 도시하지 않은 커버가 결합된다. 자기 디스크(104)는 높은 면기록 밀도, 예컨대, 100 Gb/in2 이상을 갖는다. 자기 디스크(104)는 그 중앙에 형성된 구멍을 통해 스핀들 모터(106)의 스핀들(허브)에 장착된다.
HSA(110)는 자기 헤드부(120)와, 캐리지(170)와, 베이스 플레이트(178)와, 서스펜션(179)을 갖는다.
자기 헤드부(120)는 슬라이더와, 슬라이더의 공기 유출단에 접합되는 자기 기록 재생 헤드를 갖는다. 슬라이더는 헤드를 지지하여 회전하는 디스크면으로부터 부상한다. 헤드는 디스크(104)에 기록 재생을 행한다.
도 7은 헤드의 확대 평면도이다. 헤드는 예컨대 도전 코일 패턴(131)에 의해 발생하는 자계를 이용하여 디스크(104)에 2치 정보를 기록하는 유도 기록 헤드 소 자(이하, 「인덕티브 헤드 소자」라고 함)(130)와, 자기 디스크(104)로부터 작용하는 자계에 따라 변화하는 저항에 기초하여 2치 정보를 판독하는 TMR 헤드 소자(140)를 갖는 MR 인덕티브 복합 헤드이다.
인덕티브 헤드 소자(130)는 비자성 갭층(132)과, 상부 자극층(134)과, Al2O3로 이루어진 절연막(136)과, 상부 실드겸 상부 전극층(139)을 갖는다. 단, 상부실드겸 상부 전극(139)은 TMR 헤드 소자(140)의 일부도 구성한다. TMR 헤드 소자(140)는 상부 실드층(139)과, 하부 실드층(142)과, 상부 갭층(144)과, 하부 갭층(146)과, TMR막(150)과, TMR막(150)의 양측에 배치된 한 쌍의 하드 바이어스막(160)을 갖는다. TMR막(150)은 도 7에 도시된 아래에서부터 차례로 프리(강자성)층(152), (비자성)절연층(154), 핀(자성)층(156), 반강자성층(158)을 갖는다. TMR막은 절연층(154)을 2개의 강자성층 사이에 둔 구조를 갖는 강자성 터널 접합을 가지며, 2개의 강자성층 사이에 전압을 인가한 경우에 한쪽 강자성층의 전자가 절연층을 빠져나가 +측의 강자성층에 터널링하는 현상을 이용한다. 절연층(154)에는 예컨대 Al2O3막을 사용한다. TMR 헤드 소자(140)는 화살표 CF로 나타낸 바와 같이, TMR막(150)의 적층면에 수직으로 또는 적층 방향으로 평행하게 센스 전류를 인가하는 CPP 구조를 갖는다.
다시 도 1로 되돌아가 캐리지(170)는 자기 헤드부(120)를 도 1에 도시된 화살표 방향으로 회동 또는 요동하는 기능을 가지며, 지지축(174)과, 아암(176)을 갖는다. 지지축(174)은 캐리지(170)에 형성된 원통 중공 형상 구멍에 끼워 맞춰 케이 스(102) 내에 도 1의 지면에 수직으로 배치된다. 아암(176)은 선단에 관통 구멍을 갖는다. 이 관통 구멍과 베이스 플레이트(178)를 통해 서스펜션(179)이 아암(176)에 부착된다.
베이스 플레이트(178)는 서스펜션(179)을 아암(176)에 부착시킨다. 서스펜션(179)은 자기 헤드부(120)를 지지하고, 자기 헤드부(120)에 대하여 디스크(104)에 대항하여 탄성력을 가하는 기능을 갖는다.
HDD(100)의 동작에 있어서, 스핀들 모터(106)는 디스크(104)를 회전시킨다. 디스크(104)의 회전에 따른 공기의 흐름을 슬라이더와 디스크(104) 사이에 끌어들여 미소한 공기막을 형성한다. 이러한 공기막에 의해 슬라이더에는 디스크면으로부터 부상하는 부력이 작용한다. 서스펜션(179)은 슬라이더의 부력과 대향하는 방향으로 탄성 압박력을 슬라이더에 가한다. 이 결과, 부력과 탄성력이 균형을 이룬다.
전술한 균형에 의해 자기 헤드부(120)와 디스크(104) 사이가 일정 거리만큼 이격된다. 다음에, 캐리지(170)를 지지축(174) 둘레로 회동시키고, 헤드를 디스크(104)의 원하는 트랙 상에 시크(seek)시킨다. 기록시에는 인터페이스를 통해 도시하지 않은 PC 등의 상위 장치로부터 얻은 데이터를 수신하고, 이것을 변조하여 인덕티브 헤드 소자(130)에 공급하며, 인덕티브 헤드 소자(130)를 통해 원하는 트랙에 데이터를 기록한다. 독출시에는 TMR 헤드 소자(140)에 소정의 센스 전류가 공급되어, TMR 헤드 소자(140)는 디스크(104)의 원하는 트랙으로부터 원하는 정보를 독출한다. 본 실시예는 쇼트 저항이 높은 TMR 헤드 소자(140)를 선별하고 있기 때문에 HDD(100)의 독출 동작도 안정된다.
이상, 본 발명의 실시 형태를 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다.
도 1은 TMR막의 전압과 저항과의 관계를 나타낸 그래프.
도 2는 본 발명의 일 실시예로서의 시험 장치의 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시예의 시험 방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 4는 도 3에 나타낸 시험 방법에서 사용되는 그래프.
도 5는 도 3에 나타낸 시험 방법에서 사용되는 그래프.
도 6은 도 1에 나타낸 헤드 짐벌 어셈블리가 탑재되는 HDD의 평면도.
도 7은 도 6에 도시된 자기 헤드부의 개략 확대 평면도.
〈부호의 설명〉
1 : 시험 장치
10 : 퍼스널 컴퓨터(PC)
12a : 제어부
40 : 검출부
50 : 전류 공급부
100 : 하드디스크 장치(HDD)
111 : 헤드 짐벌 어셈블리
120 : 자기 헤드부
140 : TMR 헤드 소자(재생 소자)

Claims (9)

  1. 터널 자기 저항 효과를 이용한 재생 소자의 재생 소자 시험 방법에 있어서,
    상이한 전류에 대한 제1 및 제2 저항값을 측정하는 측정 단계와,
    동일한 설계가 행해진 상기 재생 소자의 양품의 터널 자기 저항과 전압의 이론식으로부터 구한 저항값 차분 곡선과, 상기 측정 단계에서 측정한 제1 및 제2 저항값으로부터 구한 저항 변화율을 비교하는 비교 단계와,
    상기 재생 소자의 상기 저항 변화율과 상기 저항값 차분 곡선을 비교함으로써 상기 재생 소자의 양품 판정을 행하는 판정 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  2. 제1항에 있어서, 양품의 상기 재생 소자의 터널 자기 저항과 전압의 이론식을 기초로, 양품에 특정 저항값을 갖는 저항을 병렬로 연결한 경우로부터 상기 저항값 차분 곡선을 취득하고,
    상기 판정 단계는 상기 저항값 차분 곡선과 비교하여 상기 저항 변화율의 절대값이 높은 경우에는 상기 재생 소자를 양품으로서 판정하는 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 양품의 상기 재생 소자의 상기 특정 저항값은 1000Ω인 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 터널 자기 저항과 전압의 이론식은 브링크만(Brinkman) 이론식인 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 판정 단계에서는 상기 재생 소자의 상기 저항 변화율이 상기 저항값 차분 곡선에 근접하고 있으면 상기 재생 소자를 양품으로서 판정하는 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 저항값은 0.1 mA를 상기 재생 소자에 흐르게 했을 때에 얻어지고, 상기 제2 저항값은 0.4 mA를 상기 재생 소자에 흐르게 했을 때에 얻어지며,
    상기 저항 변화율은 상기 제2 저항값에서 상기 제1 저항값을 뺀 값을 상기 제1 저항값으로 나누어 100을 곱한 값인 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 재생 소자에 허용되는 저항의 범위는 300Ω 내지 400Ω인 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 방법.
  8. 터널 자기 저항 효과를 이용한 재생 소자의 재생 소자 시험 장치에 있어서,
    상이한 전류에 대한 제1 및 제2 저항값을 측정하는 측정부와,
    동일한 설계가 행해진 상기 재생 소자의 양품의 터널 자기 저항과 전압의 이 론식으로부터 구한 저항값 차분 곡선과, 상기 측정 단계에서 측정한 제1 및 제2 저항값으로부터 구한 저항 변화율을 비교하는 비교부와,
    상기 재생 소자의 상기 저항 변화율과 상기 저항값 차분 곡선을 비교함으로써 상기 재생 소자의 양품 판정을 행하는 판정부
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 재생 소자 시험 장치.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재한 시험 방법을 컴퓨터로 하여금 실행하게 하기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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