KR20080073306A - 증착에 의한 기판상의 도핑된 유기 물질로 구성된 층의생성 방법 및 그것의 사용 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 증착 수단에 의해 기판상에 도핑된 유기 물질로 구성된 층을 생성하는 방법에 관련되고, 도핑된 유기 물질은 적어도 하나의 매트릭스 물질 및 적어도 하나의 도핑 물질을 포함하며, 매트릭스 물질 및 도핑 물질의 조합물은 보통의 증발 소스에서 증기 위상으로 전이되고, 이어서 상기 기판상에 증착되며, 상기 적어도 하나의 매트릭스 물질 또는 도핑 물질은 상기 증기 위상으로의 전이에 앞서 다공성 캐리어 물질로 통합된다. 본 발명은 또한 그러한 방법의 사용과 관련된다.
Description
본 발명은 증착에 의해 기판상에 도핑된 유기 물질로 구성된 층을 생성하는 방법 및 상기 층의 사용에 관한 것으로서, 도핑된 유기 물질은 적어도 하나의 매트릭스 물질 및 적어도 하나의 도핑 물질을 포함한다.
예를 들어, 유기 발광 다이오드들(OLED)에서 도핑된 유기 층들이 제공될 수 있다. 상이한 타입의 도핑된 층들은 본 명세서에서 구별되어야만 한다. 전하 캐리어 수송층들은 강한 도너 화합물들 또는 강한 억셉터 화합물들(전기 도핑)로 도핑될 수 있다. 전자들 또는 홀들에 대한 이러한 층들의 현저히 높은 전도성은 매트릭스 물질과 도핑 물질 사이의 전하 전이에 의하여 발생된다. 이것은 특정 휘도에 대하여 감소된 작동 전압이 요구되는 효과에 대한 유기 발광 다이오드들의 전기적 특성을 개선한다. 또한, 예를 들어, 그것들의 작업 기능 또는 프로세스 호환성(compatibility)에 관해서 물질들의 더 많은 선택이 가능한 제품에 대한, 전극들로부터의 개선된 전하 캐리어 주입과 같은 다수의 추가의 장점들이 존재한다. 또한, 이러한 방식으로 도핑된 층들의 두께는 부품의 성능에 영향을 미치는 수송층들 에서의 저항 손실 없이 광범위하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 층 두께는 부품에서 발생된 광이 구조적인 간섭에 의해 부품 외부로 최적으로 결합되는 방식으로 선택될 수 있다.
1:1 내지 1:10,000, 바람직하게는 1:10 내지 1:200 범위의 도핑 물질 대 매트릭스 물질의 몰 농도가 그러한 도핑된 층들에 대하여 종종 선택된다. 전기적으로 도핑된 유기 반도체층들은 또한 예를 들어, 유기 태양 전지들 또는 유기 박막 트랜지스터들(TFT: thin film transistor)과 같은 다른 유기 부품들에서 이용된다. 그러한 도핑된 층은 예를 들어, 50:1의 몰 비율로 4,4',4''-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민(m-MTDATA) 및 테트라플루오로-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ)의 조합물로 구성될 수 있다. 그러한 도핑된 층의 다른 실현은 예를 들어, 8:1의 몰 비율로 바쏘페난-쓰롤린(BPhen) 및 세슘으로 구성될 수 있다.
추가의 타입의 도핑이 매트릭스 물질로의 발광 도펀트들의 조합에 의해 제공된다(Tang 외, J. Appl. Phys. 65,3610(1989)). 이러한 조합은 그 후 유기 빌광 다이오드의 발광층을 형성한다. 그러한 도핑된 층들은 일반적으로 더 큰 발광 수율을 보이며, 방사된 광의 스펙트럼에 영향을 미칠 수 있다. 1:2 내지 1:1000의, 바람직하게는 1:10 내지 1:100의 도핑 농도가 종종 그러한 종류의 도핑된 층들에 대하여 선택된다. 그러한 도핑된 발광층은 예를 들어, 5:1의 질량 비율의 4,4',4''-트리스(N-카바졸릴)-트리페닐아민(TCTA) 및 팩-트리스(2-페닐 피리딘)이리듐(Ir(ppy)3)을 포함할 수 있다.
유기 태양 전지에서, 소위 "벌크 이질 접합"이라 불리는 조합된 층들이 전하 캐리어들로의 광의 전환을 위한 더 큰 양자 수율을 달성하기 위하여 이용된다. 유기 물질에서의 광의 흡수의 결과, 매우 높은 결합 에너지를 갖는 전자-홀 쌍이 먼저 발생된다. 따라서, 순수한 물질에서 이러한 소위 엑시톤을 자유 전하 캐리어들로 분열시키는 것은 어렵다. 이러한 이유로, 도너형 및 억셉터형 물질들의 조합물이 사용된다. 엑시톤은 이로써 도너로부터 억셉터로의 전하 전이를 통해 분열된다. 1:1 내지 1:10의 도핑 농도가 종종 그러한 도핑된 층들에 대해 선택된다. 그러한 도핑된 층은 예를 들어, 2:1의 몰 비율의 아연 프탈로시아닌 및 풀러린 C60로 구성될 수 있다. 또한, 여기에 더하여, 전기적으로 도핑된 수송층들이 유기 태양 전지에서 사용된다.
마지막으로, 유기 부품들의 안정성을 증가시키기 위하여 조합된 도핑된 층들이 사용되는 것이 논문에 개시된다(Shi 외, Appl. Phys. Lett. 70, 1665(1997)). 도핑된 반도체 층들의 몇몇 애플리케이션들에 대하여, 두 개 이상의 부품들을 포함하는 조합물들이 또한 바람직하다(예를 들어, US 6,312,836 B1, US 6,287,712를 참조하라).
유기 도핑 반도체층들을 제작할 때, 유기 물질이 가스 위상으로 전이되어, 그 후 증착된다. 이론적으로, 유기 물질은 액체로부터 또는 고체 위상으로부터 가스 위상으로 변화할 수 있다. 첫번째 경우는 증발로 참조되고, 두번째 경우는 승화로 참조된다. 두 개 모두 이하에서는 동의적으로 사용될 것이며, 각각의 경우에 액체 위상으로부터 뿐만 아니라 고체 위상으로부터의 증발을 포함하도록 고안될 것 이다.
오늘날까지, 도핑된 유기층들은 조합된 증발에 의해 생성된다. 매트릭스 물질 및 도핑 물질은 이 결과 개별적인 증발 소스들(증발기들)로 충진되는 동시에, 미세 진공 또는 고진공 조건하에서 승화된다. 두 개의(또는 도핑 물질의 개수에 따라 그 이상의) 증발 소스들이 기판상에 증착된다. 선택된 증발율에 따라, 증발 소스들의 방사 특성들 및 어셈블리의 기하학적 구조, 결과적인 층의 특정 조합율이 획득된다.
이러한 방법은 다수의 단점들을 갖는다. 전체 증발 프로세스 동안의 증발 소스의 증기 증착율의 매우 정확한 제어가 균등한 도핑을 달성하기 위하여 필수적이다. 개별적인 증발기들의 온도는 종종 개별적인 물질의 주어진 상이한 증기압에 대한 필수적인 증발율을 획득하기 위하여 매우 상이한 온도로 설정되어야만 한다: 종종, 이것은 열적 문제 또는 소스의 교차-오염을 초래한다. 또한, 증발 소스들의 배열 및 방사 특성은 도펀트 및 매트릭스 물질의 흐름의 비율이 기판의 전체 표면에 걸쳐 일정하도록 정해져야 한다. 특히 큰 베이스 영역을 갖는 기판에 대하여, 이것은 많은 노력을 들여야만 확보될 수 있다. 또한, 각각의 도핑층은 증발 시스템을 계획할 때 도펀트들에 대한 하나 이상의 추가의 증발기들의 설비를 요구한다. 특히 그러한 시스템에 요구되는 보수 관리는 상당히 증가하였다. 결국, 증발기의 작동은 제어 기술에서 현저히 증가된 복잡성을 요구한다.
또한, 호스트 및 게스트 물질들을 포함하는 조합된 층을 제조하는 방법이 공지되었으며, 여기서 이러한 물질들의 조합물은 직접적으로 증발된다(S.A. 반 슬라 이크 외, US2003/008071A1). 이러한 방법의 단점은 수반되는 물질의 증발 온도가 매우 유사해야만 한다는 것인데, 이는 이러한 방법이 호스트 물질 및 게스트 물질의 각각의 순차적 증발을 다른 방식으로 초래할 것이기 때문이다. 또한, 호스트 물질과 게스트 물질 사이의 가까운 접촉은 원치 않는 부작용을 초래할 수 있다. 이것은 예를 들어, 도핑된 홀 수송층의 제조를 위한 억셉터형 게스트 물질과 도너형 호스트 물질이 조합될 때의 경우이다. 예를 들어, 도너형 호스트 물질로서의 4,4',4''-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)-트리페닐아민(m-MTDATA)이 억셉터형 게스트 물질로서의 테트라플루오로-테트라시아노퀴노디메탄과 조합될 때, 염이 생성되며, 이는 더 이상 증발될 수 없다.
본 발명의 목적은 종래 기술의 단점들을 극복하는 일반적 방법을 제공하는 것이다. 특히, 균일한 증착을 달성하기 위하여 증발 프로세스 동안 증발 소스들의 증발률의 정확한 제어가 더 이상 요구되지 않고, 개별적 증발기들에 대한 상이한 온도의 설정이 더 이상 필요치 않으며, 증발 소스의 우수한 방사 특성이 실현되는 방법이 제공된다. 특히, 상기 방법은 유기 발광 다이오드에 대한 층의 간단하고 제어된 증착을 가능하게 할 것이다. 마지막으로, 본 발명의 추가의 목적은 상기 방법의 가능한 애플리케이션들을 나타내는 것이다.
이러한 목적은 독립항 제1항의 특징들을 갖는 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 바람직한 실시예들은 종속항들의 범위 내에서 이루어진다.
바람직한 가능한 애플리케이션들이 청구항 제15항 내지 제18항에서 제공된다.
증착에 의해 기판상에 도핑된 반도체 물질로 구성된 층을 제조하기 위한 방법이 제안되고, 도핑된 반도체 물질은 증기 위상으로의 전이 이전에, 실질적으로 층의 구성적 부분이 되지 않는 하나 이상의 캐리어 물질들(케이지(cage) 물질들)의 캐비티 또는 채널들로 통합되고 있는 증발될 물질들 중 적어도 하나와 함께 적어도 하나의 매트릭스 물질 및 적어도 하나의 도핑 물질을 포함하며, 그로부터 증발된다. 캐리어 물질은 바람직하게는 증발이 불가능하거나, 제한된 범위로만 증발 가능할 수 있다. 고려될 수 있는 유기 캐리어 물질들은 바람직하게는 충분히 높은 승화 온도를 갖는 물질들을 포함하는 것이 바람직하다. 유기 캐리어 물질은 적어도 200℃의 승화 온도, 바람직하게는 적어도 400℃의 승화 온도를 가져야만 한다.
도핑된 층들의 제조는 제안된 방법으로 간략화된다. 분자 흐름의 특성은 선택적으로 제어될 수 있는데, 이는 캐리어 물질로 통합된 물질들의 해제는 포어(pore) 크기 또는 포어 폭과 같은 파라미터들을 통해 선택적으로 조정될 수 있기 때문이며, 동일한 증발 소스로부터의 증발에 대하여, 속도의 조정이 초기 물질들의 증기압으로부터 독립적으로 가능하기 때문이다. 증발률의 비율은 본질적으로 시간에 좌우되는데, 이는 제어될 온도는 하나뿐이기 때문이다. 또한, 상기 방법을 실행하기 위한 증발 시스템들은 더 간단한 설계를 가질 수 있다. 적어도 하나의 증발 소스의 비용이 특히 유기 발광 다이오드와 같은 유기층들을 포함하는 부품들의 제조에서, 도핑된 반도체 층들을 포함하는 제조 부품들에 대한 증발 시스템의 동작 및 계획으로부터 제거된다.
또한, 제안된 방법으로, 직접 조합의 경우에 증발 소스에서 이미 원치 않는 반응들을 수행한다면, 조합물로서 소스로부터 물질들을 증발시키는 것이 가능하다. 그러한 반응들은 일반적으로, 예를 들어 전기적 도핑 동안에 발생되는데, 이는 도핑을 위하여, 예를 들어, 강한 도너형 분자들이 억셉터형 분자들과 함께 초래되거나, 또는 강한 억셉터형 분자들이 도너형 분자들과 함께 초래되기 때문이다. 그러한 배치(constellation)는 종종 하나의 분자 타입으로부터 다른 분자 타입으로 전자 밀도의 전이를 초래한다. 결과적인 화합물은 예를 들어, 전하 전이 착물 또는 래디컬-이온 염 또는 일반적으로 염으로서 참조될 수 있다. 이것은 예를 들어, 염의 양이온 및 음이온의 정전기 인력으로 인하여 매우 높은 격자 에너지를 가질 수 있다. 이것은 그러한 화합물들이 분해 온도 이전에 증발 불가능하게 할 수 있다. 도너형 백색 분자 m-MTDATA가 강한 억셉터형 황색 분자 F4TCNQ로의 분쇄(trituration)에 의해 조합된다면, 어두운 파우더가 획득된다. 이러한 파우더는 각각의 두 개의 부품들이 개별적으로 250℃ 미만으로 증착될 수 있다 하더라도 400℃까지 증발될 수 없다. 제안된 방법은 증발 소스에서 그러한 바람직하지 않은 효과들의 방지를 가능하게 한다.
동시에 증발된 부품들간의 바람직하지 않은 부작용의 상기 개시된 억압을 제외하고, 본 발명에 따른 방법을 이용하여, 캐리어 물질에 내장된 물질들상의 예를 들어, 산소 또는 공기 습도와 같은 주변 환경의 가능한 간섭 영향을 감소시키는 것을 가능하게 하는데, 이는 물질들이 이러한 포함 또는 내장에 의해 주변 환경으로부터 더 잘 보호될 수 있기 때문이다.
이미터 도펀트들을 제외하고, 산화 환원 반응 도펀트들이 또한 도핑 물질로서 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 방법의 상이한 실시예들과 결합하여 사용될 수 있다. 따라서, 열적 에너지를 공급함으로써 증발로부터 떨어져, 레이저 광 펄스들 및 분자 빔 에피택시의 사용이 또한 제공될 수 있다.
유기 물질들 및 세라믹의 조합물들 또는 금속 물질들이 기상 증착 프로세스들(J. Kido 외, US2001/0021415; S.A. van Slyke 외, US2003/0008071A1; S.K. Gosh 외, US2003/0153109A1)에서의 사용을 위해 때때로 제안된다. 이것은 순수한 유기 물질과 비교하여 조합물의 증가된 열적 전도성을 초래한다. 증발될 유기 물질의 효과적으로 낮은 증발 온도가 따라서 달성된다. 물질의 열적 스트레스는 감소되고, 큰 표면 영역을 갖는 증발 소스들에서의 더욱 균등한 증발이 달성된다. 이와 대조적으로, 본 발명은 증발될 물질의 효과적으로 더 높은 증발 온도를 얻기 위해 노력한다. 이것은 특히 수반된 캐리어 물질들의 다공성 구조에 의해, 그리고 포어들의 감소된 치수에 의해 달성된다. 또한, 유기 물질 및 캐리어 물질의 특별한 종류의 조합은 유기 물질이 포어로 침투하여 통합될 수 있도록 보장하며, 이는 증발 온도의 증가를 초래한다.
본 발명은 이제 예시적인 실시예들에 의해 설명될 것이다.
예시적
실시예
1
SiO
2
매트릭스에서
루브린(rubrene)의
유도(immobilization)
바람직한 예시적 일실시예에서, 유기 발광 다이오드를 위한 도핑된 이미터층이 양자 효율을 증가시키기 위하여 제조될 것이다. 이를 위하여, 루브린이 게스트 물질로서 사용되고, 알루미늄 트리스(8-하이드록시퀴노린)(Alq3)이 호스트 물질로서 사용된다. 루브린은 250℃의 승화 온도를 갖는다.
20ml의 SiO2 나노졸(고체 함량 10%; 테트라하이드로퓨란의 용매 67/에탄올의 33 부분)에서 0.2g 루브린(Aldrich로부터 이용가능한)이 얕은 가열하에서 10ml 테트라하이드로퓨란에 용해되었고, 12시간 동안 휘저어졌으며, 25% 암모니아의 3 방울의 부가에 의해 겔화되었다. 겔은 공기 건조되었고, 분쇄기에서 갈려, 1시간 동안 120℃에서 단련되었다.
루브린은 결과적인 광 적색 파우더로부터 300℃에서 승화한다.
통합된 도펀트들을 포함하는 캐리어 물질은 호스트 물질(Alq3)과 조합될 수 있으며, 도핑된 이미터층을 제조하기 위하여 종래의 증발 소스로부터 증발된다.
인용된 화합물들에 더하여, 고려될 수 있는 도핑 물질들로는, 예를 들어, 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4-H-피란 (DCM-1), 트리스(페닐피리딜)이리듐, 3-(2-벤조티아졸릴)-7-(디에틸아미노)코우마린 또는 아미노-대체 디스티릴랄렌과 같은 형광성 또는 인광성 이미터 분자들을 들 수 있으며, 고려될 수 있는 매트릭스 물질로는, 예를 들어, 1,4-비스(2,2-디페닐비닐)벤젠 4,4',4-비스(카바졸릴-9-일)-비페닐 또는 알루미늄(트리스-8-하이드록시퀴놀린)을 들 수 있 다.
예시적
실시예
2
Al
2
O
3
나노졸과
8-
하이드록시퀴놀린의
반응에 의한
SiO
2
-
Al
2
O
3
에서의
Alq
3
의 생성 및 유도
20ml의 SiO2 나노졸(고체 함량 4.2%; 용매 70% 수성 에탄올)이 5.0% 수성 에탄올에서의 5% 8-하이드록시퀴놀린의 용액 5ml를 갖는 Al2O3 나노졸(고체 함량 5.0%; 용매 50% 수성 에탄올) 10ml와 혼합되고, 그 후 실온에서 3시간 동안 휘저어졌다. 유리상의 딥-코팅(30cm/초)에 후속하여, 용액은 120 내지 180℃의 단련에 후속하는 Alq3의 특징적인 흡수 스펙트럼(λ최대치는 대략 370nm)을 나타내는 투명층들을 형성한다.
대량 제품 생산을 위하여, 용액은 대략 60분 이후에 겔화를 초래하는 0.1 나트륨 하이드록사이드와 함께 중성화된다. 겔은 공기 건조되고, 분쇄기에서 그라인딩되며, 1시간 동안 120℃에서 단련된다. 밝은 황색 파우더가 획득된다.
상기와 같은 상세한 설명 및 청구항들에 개시된 본 발명의 특징들은 단독으로 또는 그들의 임의의 조합으로 취해진 다양한 실시예들로 본 발명의 실현에 관련될 수 있다.
Claims (18)
- 증착 수단에 의해 기판상에 도핑된 유기 물질로 구성된 층을 생성하는 방법으로서,상기 도핑된 유기 물질은 적어도 하나의 매트릭스 물질 및 적어도 하나의 도핑 물질을 포함하며,상기 매트릭스 물질 및 상기 도핑 물질의 조합물은 공통의 증발 소스에서 증기 위상으로 전이되고, 이어서 상기 기판상에 증착되며, 상기 적어도 하나의 매트릭스 물질 또는 도핑 물질은 상기 증기 위상으로의 전이에 앞서 다공성 캐리어 물질로 통합되고, 그로부터 증발되는, 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 다공성 캐리어 물질은 유기 물질인 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 다공성 캐리어 물질은 무기 물질인 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제3항에 있어서,상기 무기 물질은 제올라이트, 분자체(molecular sieve), 실리코알루미노포스페이트, 알루미늄 포스페이트, 실리콘 이산화물, 알루미늄 산화물, 지르코늄 이산화물, 티타늄 산화물, 파우자사이트(faujasite) 또는 그들의 조합물로 구성된 그룹으로부터 선택된다.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적어도 하나의 매트릭스 물질에 대하여 휘발성이 적은 매트릭스 물질이 사용되며, 상기 휘발성이 적은 매트릭스 물질은 상기 적어도 하나의 도핑 물질의 증발/승화 온도보다 높은 증발/승화 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 적어도 하나의 매트릭스 물질에 대하여 휘발성이 보다 높은 매트릭스 물질이 사용되며, 상기 휘발성이 보다 높은 매트릭스 물질은 상기 적어도 하나의 도핑 물질의 증발/승화 온도보다 낮은 증발/승화 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 매트릭스 물질의 증발/승화 온도와 상기 도핑 물질의 증발/승화 온도는 적어도 약 100℃만큼, 바람직하게는 적어도 약 150℃만큼, 보다 바람직하게는 약 200℃만큼 서로 상이한 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도핑 물질의 또는 상기 매트릭스 물질의 상기 캐리어 물질로의 통합은 대략 100℃ 내지 500℃의 온도에서 보호 가스 또는 진공 상태에서 인-디퓨젼(in-diffusion)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도핑 물질 또는 상기 매트릭스 물질의 상기 캐리어 물질로의 통합은 용액으로부터의 인-디퓨젼에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도핑 물질 또는 상기 매트릭스 물질의 상기 캐리어 물질로의 통합은 용융물로부터의 인-디퓨젼에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도핑 물질 또는 상기 매트릭스 물질의 상기 캐리어 물질로의 통합은 졸-겔 프로세스로 수행되며, 상기 도핑 물질 또는 상기 매트릭스 물질은 상기 합성 동안에 상기 캐리어 물질에 부가되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 증발 소스의 조합물은 열적 에너지를 공급함으로써 상기 증기 위상으로 전이되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 증발 소스의 조합물은 광의 연속적 또는 펄스형 조사에 의해 증기 위상으로 전이되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 매트릭스 물질 및 상기 도핑 물질의 조합물은 분자 빔 에피택시에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 도핑된 유기 물질로 구성된 층의 생성 방법.
- 발광 분자로 도핑되는 유기 발광 다이오드의 이미터층을 생성하기 위한 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법의 사용.
- 유기 발광 다이오드의 도핑된 전이층을 생성하기 위한 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법의 사용.
- 유기 발광 다이오드의 광-활성화층을 생성하기 위한 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법의 사용.
- 유기 태양 전지의 도핑된 전이층을 생성하기 위한 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 방법의 사용.
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