KR20080071046A - Substrate module and manufacturing method of flexible active matrix devices - Google Patents

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Abstract

A substrate module and a method for manufacturing a flexible active matrix array substrate are provided to achieve good adhesive efficiency between a flexible substrate and a rigid substrate, thereby lowering a probability of generation of misalignment on each film layer of an active matrix when performing an active matrix array process. A flexible active matrix array substrate manufacturing method comprises the following steps. A flexible substrate(120) and a rigid substrate(130) are attached by using an adhesive layer(110) including a sacrificial agent(114) and a colloid(112). An active matrix array process is performed on the flexible substrate attached onto the rigid substrate. A light source is irradiated onto the adhesive layer. After that, the flexible substrate is separated from the rigid substrate.

Description

기판 모듈 및 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법{SUBSTRATE MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF FLEXIBLE ACTIVE MATRIX DEVICES}Substrate module and manufacturing method of flexible active matrix array substrate {SUBSTRATE MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF FLEXIBLE ACTIVE MATRIX DEVICES}

도 1A 내지 도 1C는 본 발명의 제1 실시예에 따른 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정을 도시하는 도면.1A-1C illustrate the fabrication process of a flexible active matrix array substrate in accordance with a first embodiment of the present invention.

도 2A 내지 도 2C는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정을 도시하는 도면.2A-2C illustrate the fabrication process of a flexible active matrix array substrate in accordance with a second embodiment of the present invention.

도 3A 내지 도 3C는 본 발명의 제3 실시예에 따른 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정을 도시하는 도면.3A-3C illustrate the fabrication process of a flexible active matrix array substrate in accordance with a third embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

100, 200, 300： 기판 모듈100, 200, 300 ： Board Module

110, 210, 310： 점착층110, 210, 310 ： Adhesive layer

112, 212, 312： 콜로이드112, 212, 312 ： Colloid

114： 희생 미립자114 ： Sacrificial Particles

114a, 214a： 보이드114a, 214a ： Boyd

120, 220, 320： 가요성 기판120, 220, 320 ： Flexible board

130, 230, 330： 경질 기판130, 230, 330 ： Rigid substrate

214： 희생패턴층214 ： sacrificial pattern layer

314： 전도성 미립자314 ： conductive fine particles

본 발명은 기판 모듈 및 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 기판 모듈 및 가요성(flexible) 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a substrate module and an active matrix array substrate, and more particularly to a method for manufacturing a substrate module and a flexible active matrix array substrate.

현재 가요성 기판으로 경질 기판을 대체해 디스플레이를 제조하는 것이 디스플레이의 발전 추세가 되어있다. 평면 디스플레이가 가요성을 갖는지의 여부는 사용한 기판의 재질에 의해 결정된다. 평면 디스플레이에 경질 기판(rigid substrate)을 사용했을 경우, 평면 디스플레이는 가요성을 갖지 못한다. 반대로, 평면 디스플레이에 가요성 기판(플라스틱 기판 등)을 사용했을 경우, 평면 디스플레이는 양호한 가요성을 갖게 된다. 현재, 경질 기판 위에 박막 트랜지스터를 제조하는 기술은 이미 성숙 단계로 접어들고 있지만, 가요성 기판 위에 박막 트랜지스터를 제조하는 기술은 좀더 개발되어야 할 필요가 있다. Currently, the manufacture of displays by replacing rigid substrates with flexible substrates is the development trend of displays. Whether the flat panel display is flexible or not depends on the material of the substrate used. When a rigid substrate is used for the flat panel display, the flat panel display is not flexible. Conversely, when a flexible substrate (such as a plastic substrate) is used for the flat panel display, the flat panel display has good flexibility. Currently, the technology of manufacturing thin film transistors on rigid substrates has already entered maturity stage, but the technology of manufacturing thin film transistors on flexible substrates needs to be further developed.

가요성 기판을 공정에 도입할 필요에 의해, 경질 기판을 이용해 지지하고, 기존 설비에 따르면, 가요성 기판 위에서 각종 공정을 실시함으로써 제조 수율을 높일 수 있다. 예를 들면, 가요성 기판 위에서 박막 트랜지스터를 제조할 경우, 통상적으로 우선 가요성 기판을 경질 기판 위에 접착시킨 후, 일련의 박막형성공정을 진행한다. 가요성 기판을 경질 기판 위에 접착하는 방법은 통상적으로 접착제 를 가요성 기판과 경질 기판 사이에 도포하는 것이다. 하지만 접착제의 점성이 너무 강하면 박막형성공정이 끝난 후, 경질 기판 위에서 가요성 기판을 인수하는 과정에서 가요성 기판 위의 부품을 손상시킬 수 있다. 반대로, 접착제의 점성이 너무 약한 경우에는 가요성 기판과 경질 기판 사이의 박막형성과정 중 위치가 이동하여 공정이 실패할 수 있다. 따라서 가요성 기판과 경질 기판 사이의 본딩이 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율에 영향을 미칠 수 있다. By the need to introduce a flexible substrate into the process, it is supported by using a rigid substrate, and according to existing equipment, manufacturing yield can be improved by performing various processes on a flexible substrate. For example, when manufacturing a thin film transistor on a flexible substrate, a flexible substrate is usually adhered on a rigid substrate, and then a series of thin film formation processes are performed. A method of bonding a flexible substrate onto a rigid substrate is typically by applying an adhesive between the flexible substrate and the rigid substrate. However, if the viscosity of the adhesive is too strong, the components on the flexible substrate may be damaged during the acquisition of the flexible substrate on the rigid substrate after the thin film forming process is completed. On the contrary, if the viscosity of the adhesive is too weak, the process may fail due to a shift in position during the thin film formation process between the flexible substrate and the rigid substrate. Thus, bonding between the flexible substrate and the rigid substrate can affect the manufacturing yield of the active matrix array substrate.

또한, 일반적으로 가요성 기판이 플라스틱 재질이기 때문에, 박막형성공정을 진행할 때, 전하 누적 현상이 쉽게 발생하여, 박막 트랜지스터의 전기성이 영향을 받게 되어, 가요성 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제조할 때, 플라스틱 기판 위에 전하가 누적되는 것을 방지하는 것 역시 가요성 박막 트랜지스터 어레이 기판 제조과정 중 상당히 중요한 과정이다.In addition, in general, since the flexible substrate is made of a plastic material, when the thin film forming process is performed, charge accumulation phenomenon easily occurs, and the electrical properties of the thin film transistor are affected, thereby producing a flexible thin film transistor array substrate. Preventing charge accumulation on plastic substrates is also an important step in the fabrication of flexible thin film transistor array substrates.

본 발명은 가요성 기판이 경질 기판 위에서 잘 떨어지지 않는 문제를 해결하기 위한 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. The present invention is to provide a method for manufacturing a flexible active matrix array substrate to solve the problem that the flexible substrate does not fall well on the rigid substrate.

본 발명은 또 가요성 기판의 제조 수율을 높이기 위한 기판 모듈을 제공하는 것이다. This invention also provides the board | substrate module for improving the manufacturing yield of a flexible board | substrate.

또한 본 발명은 가요성 기판 제조과정에서 정전기 누적을 피하기 위한 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.In another aspect, the present invention provides a method of manufacturing a flexible active matrix array substrate to avoid the accumulation of static electricity in the process of manufacturing a flexible substrate.

본 발명은 더욱이 가요성 기판 상부 부품의 특성을 향상시키기 위한 기판 모듈을 제공하는 것이다. The present invention further provides a substrate module for improving the characteristics of the flexible substrate upper part.

본 발명은 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. 제조 방법은 콜로이드와 적어도 하나의 희생체를 포함하는 점착층을 이용하여 가요성 기판을 경질 기판에 접착하는 단계와, 경질 기판 위에 접착된 가요성 기판에 대해 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시하는 단계와, 점착층에 광원을 조사하는 단계와, 상기 가요성 기판과 경질 기판을 분리시키는 단계를 포함한다. The present invention provides a method of manufacturing a flexible active matrix array substrate. The manufacturing method includes the steps of adhering a flexible substrate to a rigid substrate using an adhesive layer comprising a colloid and at least one sacrificial material, performing an active matrix array process on the flexible substrate bonded onto the rigid substrate, Irradiating a light source to the adhesive layer, and separating the flexible substrate from the rigid substrate.

상기 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법을 바탕으로, 본 발명은 경질 기판, 가요성 기판, 점착층을 포함하는 기판 모듈을 제공하며, 콜로이드와 적어도 하나의 희생체를 포함하는 점착층은 경질 기판과 가요성 기판 사이에 접착된다. Based on the method of manufacturing the flexible active matrix array substrate, the present invention provides a substrate module including a rigid substrate, a flexible substrate, and an adhesive layer, wherein the adhesive layer including a colloid and at least one sacrificial material is a rigid substrate. And between the flexible substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가요성 기판은 플라스틱 기판이고, 경질 기판은 유리기판일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the flexible substrate may be a plastic substrate, and the rigid substrate may be a glass substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 희생체에는 희생패턴층이 포함되며, 콜로이드와 가요성 기판의 사이에 위치한다. 이에 따르면, 희생패턴층의 재질이 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 또는 이 둘의 조합일 경우, 희생패턴층 형성 방법에는 스퍼터링 공정과 증착 공정, 또는 이 두 가지를 조합한 공정이 있다. 이밖에도 희생패턴층의 두께는 약 0.1 내지 5마이크로미터이다.According to an embodiment of the present invention, the sacrificial material includes a sacrificial pattern layer and is positioned between the colloid and the flexible substrate. According to this, when the material of the sacrificial pattern layer is indium tin oxide, indium zinc oxide, or a combination of the two, the sacrificial pattern layer forming method includes a sputtering process and a deposition process, or a combination of both. In addition, the thickness of the sacrificial pattern layer is about 0.1 to 5 micrometers.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 희생체에는 여러 개의 희생 미립자가 포함되며, 콜로이드 중에 섞여있다. 이와 동시에, 희생 미립자에는 여러 개의 산화물 미립자와 비결정성 실리콘 미립자, 또는 이 둘의 조합이 포함되며, 희생 미립자의 입경은 0.01 내지 10마이크로미터이다. According to an embodiment of the present invention, the sacrificial material includes a plurality of sacrificial particulates and is mixed in the colloid. At the same time, the sacrificial fine particles include several oxide fine particles and amorphous silicon fine particles, or a combination thereof, and the sacrificial fine particles have a particle diameter of 0.01 to 10 micrometers.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 능동 매트릭스 어레이 공정에는 비결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정, 또는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정이 포함된다.According to an embodiment of the present invention, the active matrix array process includes an amorphous silicon thin film transistor array process or a polysilicon thin film transistor array process.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 광원에는 레이저 광원, 자외 광원, 또는 기타 광원이 포함되며, 광원의 파장은 200 내지 700나노미터이며, 200 내지 400나노미터가 가장 적당하다. According to an embodiment of the present invention, the light source includes a laser light source, an ultraviolet light source, or other light sources, and the wavelength of the light source is 200 to 700 nanometers, and 200 to 400 nanometers is most suitable.

본 발명은 또 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판 제조 방법을 제공하며, 이 방법은 콜로이드와 콜로이드 속에 섞인 전도성 미립자를 포함하는 점착층을 이용하여 가요성 기판을 경질 기판에 접착하는 단계와, 경질 기판에 접착된 가요성 기판에 능동 매트릭스 어레이 공정을 진행하는 단계, 광원을 점착층에 조사하여, 콜로이드의 점성을 떨어뜨려 가요성 기판과 경질 기판을 분리시키는 단계를 포함한다.The present invention also provides a method of manufacturing a flexible active matrix array substrate, the method comprising adhering a flexible substrate to a rigid substrate using an adhesive layer comprising a colloid and conductive particles mixed in the colloid, and adhering to the rigid substrate. Performing an active matrix array process on the flexible substrate, and irradiating a light source to the adhesive layer to reduce the viscosity of the colloid to separate the flexible substrate from the rigid substrate.

상기 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판 제조 방법을 바탕으로, 본 발명은 일종의 기판 모듈을 제공한다. 이 기판 모듈에는 경질 기판, 가요성 기판 및 점착층이 포함된다. 이에 따르면, 점착층은 경질 기판과 가요성 기판 사이에 있으며, 점착층에는 콜로이드와 콜로이드 속에 섞인 전도성 미립자가 포함된다. Based on the flexible active matrix array substrate manufacturing method, the present invention provides a kind of substrate module. This substrate module includes a rigid substrate, a flexible substrate, and an adhesive layer. According to this, the adhesive layer is between the rigid substrate and the flexible substrate, and the adhesive layer includes colloid and conductive fine particles mixed in the colloid.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 가요성 기판은 플라스틱 기판이고, 경질 기판은 유리기판일 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the flexible substrate may be a plastic substrate, and the rigid substrate may be a glass substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 전도성 미립자에는 산화물 미립자와 비결정성 실리콘 미립자, 또는 금속 미립자가 포함된다. 금속 미립자의 재질은 금, 은, 동, 산화 티탄, 또는 이들의 조합일 수 있다. 이 밖에도 전도성 미립자의 입 경은 0.01 내지 10마이크로미터이다. According to an embodiment of the present invention, the conductive fine particles include oxide fine particles, amorphous silicon fine particles, or metal fine particles. The material of the metal fine particles may be gold, silver, copper, titanium oxide, or a combination thereof. In addition, the particle diameter of the conductive fine particles is 0.01 to 10 micrometers.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 능동 매트릭스 어레이 공정에는 비결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정, 또는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정이 포함된다. According to an embodiment of the present invention, the active matrix array process includes an amorphous silicon thin film transistor array process or a polysilicon thin film transistor array process.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 광원에는 레이저 광원, 자외 광원, 또는 기타 광원이 포함된다. According to an embodiment of the present invention, the light source includes a laser light source, an ultraviolet light source, or other light sources.

본 발명에서 가요성 기판과 경질 기판을 접착시킬 때, 희생체, 또는 전도성 미립자를 가지는 점착층을 사용하기 때문에, 본 발명은 가요성 기판과 경질 기판의 접합성이 양호하며, 가요성 기판이 경질 기판에서 쉽게 분리된다. 또한 가요성 기판은 콜로이드 속의 전도성 미립자, 혹은 전도성의 희생패턴층에 의하여 전하의 누적을 방지함으로써, 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율 및 부품 특성을 향상시킬 수 있다. In the present invention, when the flexible substrate and the rigid substrate are adhered to each other, a sacrificial body or an adhesive layer having conductive fine particles is used, so that the present invention has good adhesion between the flexible substrate and the rigid substrate, and the flexible substrate is a rigid substrate. Easily separated from In addition, the flexible substrate prevents accumulation of charge by the conductive fine particles in the colloid or the conductive sacrificial pattern layer, thereby improving the manufacturing yield and the part characteristics of the flexible active matrix array substrate.

본 발명의 전술내용과 기타 목적, 특징 및 장점을 더욱 쉽고 정확하게 이해하도록 하기 위하여 다음에 실시예를 제시하고, 도면을 첨부하여 상세하게 설명하기로 한다. In order to more easily and accurately understand the foregoing and other objects, features, and advantages of the present invention, the following examples are given and detailed description will be given with reference to the accompanying drawings.

제1 실시예First embodiment

도 1A 내지 도 1C는 본 발명의 제1 실시예 중 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정을 도시하는 도면이다. 도 1A는 가요성 기판(120)과 가요성 기판(120)을 접착시킬 때 점착층(110)을 이용하여 가요성 기판(120)을 경질 기 판(130)에 접착시켜, 기판 모듈(100)을 형성시키는 과정에 관한 것이다. 이에 따르면, 점착층(110)에는 콜로이드(112)와 상기 콜로이드(112) 속에 섞인 희생 미립자(114)이 포함된다. 본 실시예에 따르면, 희생 미립자(114)에는 산화물 미립자, 비결정성 실리콘 미립자, 또는 이 둘의 조합이 포함되며, 희생 미립자(114)의 입경은 0.01 내지 10마이크로미터이다. 이 밖에도, 가요성 기판(120)은 플라스틱 기판일 수 있고, 경질 기판(130)은 유리 기판일 수 있다. 1A to 1C are views illustrating a manufacturing process of a flexible active matrix array substrate in a first embodiment of the present invention. FIG. 1A illustrates that the flexible substrate 120 is adhered to the rigid substrate 130 using the adhesive layer 110 when the flexible substrate 120 and the flexible substrate 120 are bonded to each other. It relates to the process of forming a. Accordingly, the adhesive layer 110 includes the colloid 112 and the sacrificial fine particles 114 mixed in the colloid 112. According to the present exemplary embodiment, the sacrificial fine particles 114 include oxide fine particles, amorphous silicon fine particles, or a combination thereof, and the sacrificial fine particles 114 have a particle diameter of 0.01 to 10 micrometers. In addition, the flexible substrate 120 may be a plastic substrate, and the rigid substrate 130 may be a glass substrate.

도 1B는 경질 기판(130) 위에 접착된 가요성 기판(120)에 대하여 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시하는 과정에 관한 것이다. 이에 따르면, 능동 매트릭스 어레이 공정에는 비결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정, 또는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정이 포함된다. 구체적으로 말하여, 이들 공정에는 박막침착 공정, 리소그래피 공정, 식각 공정, 혼합공정 등이 포함된다. 본 실시예의 기판 모듈(100)에 따르면, 점착층(110)에 희생 미립자(114)가 함유되어 있기는 하지만, 콜로이드(112)의 점성에 영향을 미칠 정도는 아니다(도 1A 참조). 즉, 점착층(110)이 가요성 기판(120)과 경질 기판(130)을 양호하게 접착시킬 수 있다. 따라서 능동 매트릭스 어레이 공정을 진행할 때, 가요성 기판(120)과 경질 기판(130) 사이에 위치 이동이 발생하여 능동 매트릭스 중 각 막층 사이에 오정렬(misalignment)이 일어나지 않아, 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율을 높일 수 있다. FIG. 1B relates to a process of performing an active matrix array process on a flexible substrate 120 bonded onto a rigid substrate 130. According to this, the active matrix array process includes an amorphous silicon thin film transistor array process or a polysilicon thin film transistor array process. Specifically, these processes include a thin film deposition process, a lithography process, an etching process, a mixing process, and the like. According to the substrate module 100 of the present embodiment, although the sacrificial fine particles 114 are contained in the adhesive layer 110, they do not affect the viscosity of the colloid 112 (see FIG. 1A). That is, the adhesive layer 110 may adhere the flexible substrate 120 and the hard substrate 130 well. Therefore, when the active matrix array process is performed, a position shift occurs between the flexible substrate 120 and the hard substrate 130 so that misalignment does not occur between the film layers of the active matrix, thereby preventing the misalignment of the flexible active matrix array substrate. Production yield can be improved.

도 1B는 광원을 점착층(110)에 조사하는 과정에 관한 것이다. 본 실시예에 따르면, 광원은 점착층(110)에 상응하는 경질 기판(130)으로부터 점착층(110)을 향 하여 조사한다(도면에서 화살표 참조). 점착층(110) 위에 조사된 광원에는 레이저 광원, 자외 광원, 또는 기타 광원이 포함된다. 구체적으로 말하여, 상기 광원의 파장은 200 내지 700나노미터이며, 200 내지 400나노미터가 가장 적당하다. 1B relates to a process of irradiating a light source to the adhesive layer 110. According to the present embodiment, the light source is irradiated toward the adhesive layer 110 from the hard substrate 130 corresponding to the adhesive layer 110 (see arrows in the drawing). The light source irradiated on the adhesive layer 110 may include a laser light source, an ultraviolet light source, or other light sources. Specifically, the wavelength of the light source is 200 to 700 nanometers, most preferably 200 to 400 nanometers.

도 1C는 가요성 기판(120)과 경질 기판(130)을 분리시키는 과정에 관한 것이다. 점착층(110) 중 희생 미립자(114)에 상기 광원을 조사하면, 기화되어 점착층(110)에 보이드(114a)를 형성시킨다. 따라서 가요성 기판(120)과 경질 기판(130)이 쉽게 분리될 수 있으며, 가요성 기판(120)이 경질 기판(130)과 분리되는 과정에서 부품에 손상이 발생하지 않는다. 1C relates to a process of separating the flexible substrate 120 and the rigid substrate 130. When the light source is irradiated to the sacrificial fine particles 114 of the adhesive layer 110, it is vaporized to form the voids 114a in the adhesive layer 110. Therefore, the flexible substrate 120 and the rigid substrate 130 can be easily separated, and no damage is caused to the component in the process of separating the flexible substrate 120 from the rigid substrate 130.

제2 실시예Second embodiment

도 2A 내지 도 2C는 본 발명의 제2 실시예에 따른 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정을 도시하는 도면이다. 본 실시예 중 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조과정은 제1 실시예에서 기술한 것과 같다. 도 2A 내지 도 2C의 과정에 따르면, 우선 점착층(210)을 이용하여 가요성 기판(220)을 경질 기판(230)에 접착시켜, 기판 모듈(200)을 형성시키고, 경질 기판(230) 위에 접착된 가요성 기판(220)에 대하여 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시한다. 그 후, 광원을 점착층(210)에 조사하여, 가요성 기판(220)과 경질 기판(230)을 분리시킨다. 2A to 2C are views illustrating a manufacturing process of the flexible active matrix array substrate according to the second embodiment of the present invention. The manufacturing process of the flexible active matrix array substrate in this embodiment is the same as described in the first embodiment. According to the process of FIGS. 2A to 2C, the flexible substrate 220 is first adhered to the rigid substrate 230 using the adhesive layer 210 to form the substrate module 200, and then on the rigid substrate 230. An active matrix array process is performed on the bonded flexible substrate 220. Thereafter, the light source is irradiated onto the adhesive layer 210 to separate the flexible substrate 220 and the rigid substrate 230.

두 방법의 차이점은 본 실시예의 점착층(210)에 콜로이드(212)와 희생패턴층(214)이 포함된다는 것이다(도 2A 참조). 이에 따르면, 희생패턴층(214)의 재질은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 또는 이 둘의 조합일 수 있고, 희생패턴층(214)의 두께는 약 0.1 내지 5마이크로미터이다. 이밖에, 희생패턴층(214)을 형 성시키는 방법에는 스퍼터링 공정, 증착 공정, 또는 이 두 가지 공정의 조합이 포함된다. 구체적으로 말하여, 희생패턴층(214)을 형성시킬 때, 콜로이드(212) 위에서 스퍼터링 공정이나 증착 공정을 진행하여, 인듐 아연 산화물, 또는 인듐 주석 산화물를 콜로이드(212) 위에 형성시키고, 인듐 아연 산화물층, 또는 인듐 주석 산화물층을 패턴화하여, 희생패턴층(214)을 형성시키는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 희생패턴층(214)은 콜로이드(212)와 가요성 기판(220) 사이에 위치하여, 콜로이드(212)가 가요성 기판(220)과 경질 기판(230)을 잘 접착시키도록 한다. 이 밖에도, 희생패턴층(214)을 형성시킬 때, 가요성 기판(220) 위에 인듐 아연 산화물, 또는 인듐 주석 산화물을 형성시킨 후, 아연 도금 인듐 산화물층, 또는 인듐 주석 산화물층을 패턴화하여, 희생패턴층(214)을 형성시키는 방법을 사용할 수 있다. The difference between the two methods is that the adhesive layer 210 of the present embodiment includes the colloid 212 and the sacrificial pattern layer 214 (see FIG. 2A). Accordingly, the material of the sacrificial pattern layer 214 may be indium tin oxide, indium zinc oxide, or a combination thereof, and the thickness of the sacrificial pattern layer 214 is about 0.1 to 5 micrometers. In addition, the method of forming the sacrificial pattern layer 214 includes a sputtering process, a deposition process, or a combination of the two processes. Specifically, when the sacrificial pattern layer 214 is formed, a sputtering process or a deposition process is performed on the colloid 212 to form indium zinc oxide or indium tin oxide on the colloid 212, and the indium zinc oxide layer Alternatively, a method of forming the sacrificial pattern layer 214 by patterning the indium tin oxide layer may be used. In this case, the sacrificial pattern layer 214 is positioned between the colloid 212 and the flexible substrate 220 so that the colloid 212 adheres the flexible substrate 220 and the rigid substrate 230 well. In addition, when the sacrificial pattern layer 214 is formed, indium zinc oxide or indium tin oxide is formed on the flexible substrate 220, and then the zinc plated indium oxide layer or indium tin oxide layer is patterned, A method of forming the sacrificial pattern layer 214 may be used.

일반적으로, 가요성 기판(220) 위에 능동 매트릭스 어레이 공정을 진행할 때, 비전도성 가요성 기판(220)에는 전하 누적이 발생하여, 능동 매트릭스 어레이 기판의 수율이 떨어질 수 있다. 하지만 기판 모듈(200)에 따르면, 희생패턴층(214)이 인듐 주석 산화물나 인듐 아연 산화물 등 전도성 재질이기 때문에, 가요성 기판(220) 위에 전하가 누적되지 않는다. 이 밖에도, 가요성 기판(220)과 경질 기판(230) 사이의 접합성이 양호하기 때문에, 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시할 때, 가요성 기판(220)이 미끄럽지 않다. 다시 말해, 본 실시예의 기판 모듈(200)은 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율 향상에 도움이 된다. In general, when the active matrix array process is performed on the flexible substrate 220, charge accumulation may occur in the non-conductive flexible substrate 220, so that the yield of the active matrix array substrate may decrease. However, according to the substrate module 200, since the sacrificial pattern layer 214 is a conductive material such as indium tin oxide or indium zinc oxide, electric charges do not accumulate on the flexible substrate 220. In addition, since the bonding property between the flexible substrate 220 and the rigid substrate 230 is good, the flexible substrate 220 is not slippery when the active matrix array process is performed. In other words, the substrate module 200 of the present embodiment helps to improve the manufacturing yield of the flexible active matrix array substrate.

본 실시예에 따르면, 희생패턴층(214)과 제1 실시예의 희생 미립자(114)는 비슷한 성질을 가지고 있어, 희생패턴층(214)에 일정량의 광원을 조사하면 기화가 일어나 점착층(210)에 보이드(214a)를 형성시킨다. 따라서 가요성 기판(220)과 경질 기판(230)이 쉽게 분리되며, 가요성 기판(220)이 경질 기판(230)과 분리되는 과정에서 쉽게 손상이 발생하지 않는다. According to the present exemplary embodiment, the sacrificial pattern layer 214 and the sacrificial fine particles 114 of the first embodiment have similar properties, and when the sacrificial pattern layer 214 is irradiated with a predetermined amount of light source, vaporization occurs to form the adhesive layer 210. The void 214a is formed in the. Therefore, the flexible substrate 220 and the rigid substrate 230 are easily separated, and damage is not easily generated in the process of separating the flexible substrate 220 from the rigid substrate 230.

제1 실시예와 제2 실시예에서, 점착층(110, 210)은 가요성 기판(120, 220)과 경질 기판(130, 230)이 양호하게 접착되어, 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시할 때, 오정렬이 발생하지 않도록 한다. 또한, 희생 미립자(114)와 희생패턴층(214)은 광원을 조사받은 후 기화되거나 일부 기화되어, 점착층(110, 210)에 보이드(114a, 214a)가 형성되어, 능동 매트릭스 어레이 공정을 완성한 후, 가요성 기판(120, 220)과 경질 기판(130, 230)이 쉽게 분리될 수 있다. 따라서 본 발명의 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판 제조공정과 기판 모듈(100, 200) 중 희생체(희생 미립자(114), 희생패턴층(214))를 이용하는 설계가 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율을 높일 수 있다. 지적해야할 것은, 본 발명 중 희생체의 설계가 기타 형식으로 점착층(110, 210)에 위치할 수 있으며, 상기 실시예에서 언급한 희생 미립자(114)와 희생패턴층(214)에 국한되지 않는다는 점이다. 예를 들어, 본 발명의 희생체가 상기 희생 미립자(114)와 희생패턴층(214)의 조합일 수도 있다.In the first and second embodiments, the adhesive layers 110 and 210 have a good adhesion between the flexible substrates 120 and 220 and the hard substrates 130 and 230, and when the active matrix array process is performed, Avoid misalignment. In addition, the sacrificial fine particles 114 and the sacrificial pattern layer 214 are vaporized or partially vaporized after being irradiated with a light source to form voids 114a and 214a in the adhesive layers 110 and 210 to complete the active matrix array process. Afterwards, the flexible substrates 120 and 220 and the rigid substrates 130 and 230 may be easily separated. Therefore, the manufacturing process of the flexible active matrix array substrate of the present invention and the design using the sacrificial material (sacrificial particles 114, the sacrificial pattern layer 214) of the substrate module (100, 200) manufacturing yield of the flexible active matrix array substrate Can increase. It should be pointed out that the design of the sacrificial body of the present invention may be located in the adhesive layers 110 and 210 in other forms, and is not limited to the sacrificial fine particles 114 and the sacrificial pattern layer 214 mentioned in the above embodiment. Is the point. For example, the sacrificial body of the present invention may be a combination of the sacrificial fine particles 114 and the sacrificial pattern layer 214.

제3 실시예Third embodiment

도 3A 내지 도 3C는 본 발명의 제3 실시예 중 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정을 도시한 도면이다. 본 실시예의 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판 제조과정은 제1 실시예 및 제2 실시예와 거의 비슷하며, 차이점은 본 실시예 의 점착층(310)에는 콜로이드(312)와 콜로이드(312) 속에 섞인 전도성 미립자(314)가 포함된다는 것이다(도 3A 참조). 전도성 미립자(314)에는 산화물 미립자와 비결정성 실리콘 미립자, 또는 금속 미립자가 포함되며, 이 중, 금속 미립자의 재질에는 금, 은, 동, 산화 티탄, 또는 이들의 조합이 포함된다. 이 밖에도, 전도성 미립자(314)의 입경은 0.01 내지 10마이크로미터이다.3A to 3C illustrate a manufacturing process of a flexible active matrix array substrate in a third embodiment of the present invention. The manufacturing process of the flexible active matrix array substrate of this embodiment is almost similar to that of the first and second embodiments, and the difference is that the adhesive layer 310 of the present embodiment has a conductive mixture mixed in the colloid 312 and the colloid 312. Particulates 314 are included (see FIG. 3A). The conductive fine particles 314 include oxide fine particles, amorphous silicon fine particles, or metal fine particles, among which metal fine particles include gold, silver, copper, titanium oxide, or a combination thereof. In addition, the particle diameter of the conductive fine particles 314 is 0.01 to 10 micrometers.

기판 모듈(300)에 따르면, 전도성 미립자(314)는 제2 실시예의 희생패턴층(214)과 비슷하여, 모두 가요성 기판(320) 위에 전하가 누적되는 것을 방지할 수 있다. 이 밖에도 전도성 미립자(314)가 점착층(310)의 점성을 떨어뜨리지 않아서 능동 매트릭스 어레이 공정을 진행할 때, 가요성 기판(320)이 미끄러워 공정이 실패하는 일이 없다. 따라서 본 실시예의 기판 모듈(300)은 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율을 향상시키는데 도움이 된다. According to the substrate module 300, the conductive fine particles 314 are similar to the sacrificial pattern layer 214 of the second embodiment, and thus, all of the conductive particles 314 may be prevented from accumulating charges on the flexible substrate 320. In addition, when the conductive fine particles 314 do not lower the viscosity of the adhesive layer 310 and proceed with the active matrix array process, the flexible substrate 320 is slippery and the process does not fail. Therefore, the substrate module 300 of the present embodiment helps to improve the manufacturing yield of the flexible active matrix array substrate.

또한, 점착층(310) 중 콜로이드(314)에 일정량의 광원을 조사하면(도 3B), 점성이 떨어지기 때문에, 가요성 기판(320)과 경질 기판(330)이 쉽게 분리된다(도 3C). In addition, when the colloid 314 of the adhesive layer 310 is irradiated with a predetermined amount of light source (FIG. 3B), since the viscosity decreases, the flexible substrate 320 and the hard substrate 330 are easily separated (FIG. 3C). .

요컨대, 기판 모듈(300)은 능동 매트릭스 제조공정에서 불필요한 전하 누적을 방지하는 것 외에도, 가요성 기판(320)과 경질 기판(330)이 쉽게 분리되지 않아 가요성 기판(320) 위에서 능동 매트릭스가 손상되는 문제를 예방할 수 있다. In other words, in addition to preventing unnecessary charge accumulation in the active matrix fabrication process, the substrate module 300 is not easily separated from the flexible substrate 320 and the rigid substrate 330, thereby damaging the active matrix on the flexible substrate 320. Prevent problems.

상기 각 실시예에서, 콜로이드의 두께는 1 내지 50마이크로미터일 수 있다. In each of the above embodiments, the colloid may have a thickness of 1 to 50 micrometers.

본 발명의 실시예를 나열했지만, 본 발명에만 국한되어 사용되는 것은 아니며, 본 발명이 속한 기술범위에 대한 일반적인 지식을 가진 사람은 본 발명의 정신 및 범위 내에서 약간의 수정을 가할 수 있다. 따라서 본 발명의 보호범위는 다음의 특허청구범위에 의하여 결정된다. Although the embodiments of the present invention have been listed, it is not limited to the present invention and used by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains may make slight modifications within the spirit and scope of the present invention. Therefore, the protection scope of the present invention is determined by the claims.

종합하여보면, 본 발명의 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판 제조 방법과 기판 모듈은 적어도 다음과 같은 장점을 가진다.Taken together, the flexible active matrix array substrate manufacturing method and the substrate module of the present invention have at least the following advantages.

1. 본 발명의 기판 모듈과 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 과정에서, 가요성 기판과 경질 기판 사이의 접착성이 양호하기 때문에, 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시할 때, 능동 매트릭스 중 각 막층에 오정렬이 발생할 가능성이 낮다. 1. In the manufacturing process of the substrate module and the flexible active matrix array substrate of the present invention, since the adhesion between the flexible substrate and the rigid substrate is good, when performing the active matrix array process, misalignment is performed on each film layer of the active matrix. This is unlikely to occur.

2. 본 발명의 희생체는 광원을 조사받은 후 기화되어 점착층에 보이드를 형성시켜, 가요성 기판이 경질 기판과 쉽게 분리되는 것은 물론, 어레이 공정이 완성된 후 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판이 손상될 가능성이 낮다. 또한 콜로이드에 일정량의 광원을 조사하면, 점성이 떨어져 유사한 효과를 내게 된다. 따라서 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 수율도 크게 향상된다.2. The sacrificial body of the present invention is vaporized after irradiating the light source to form voids in the adhesive layer, so that the flexible substrate is easily separated from the hard substrate, and the flexible active matrix array substrate is damaged after the array process is completed. Is unlikely to be. In addition, when the colloid is irradiated with a certain amount of light source, the viscosity is reduced to give a similar effect. Thus, the manufacturing yield of the flexible active matrix array substrate is also greatly improved.

3. 본 발명의 기판 모듈과 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판 제조공정에서, 전도성 미립자와 희생패턴층의 설계가 가요성 기판 위에 전하 누적이 발생하는 것을 방지하기 때문에, 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 특성을 향상시키는 효과가 있다. 3. In the manufacturing process of the substrate module and the flexible active matrix array substrate of the present invention, since the design of the conductive fine particles and the sacrificial pattern layer prevents charge accumulation from occurring on the flexible substrate, the characteristics of the flexible active matrix array substrate are improved. It is effective to improve.

Claims (13)

가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법에 있어서,In the method of manufacturing a flexible active matrix array substrate, 콜로이드와 희생체를 포함한 점착층을 이용하여 가요성 기판과 경질 기판을 접착시키는 단계와, Bonding the flexible substrate to the rigid substrate using an adhesive layer including a colloid and a sacrificial material, 상기 경질 기판 위에 접착된 상기 가요성 기판에 대하여 능동 매트릭스 어레이 공정을 실시하는 단계와, Performing an active matrix array process on the flexible substrate adhered on the rigid substrate; 광원을 상기 점착층에 조사하는 단계, 및Irradiating a light source to the adhesive layer, and 상기 가요성 기판을 상기 경질 기판에서 분리하는 단계를 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법.Separating the flexible substrate from the rigid substrate. 제1항에 있어서, 상기 희생체는 희생패턴층을 포함하며, 콜로이드와 가요성 기판의 사이에 위치하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial material includes a sacrificial pattern layer and is positioned between the colloid and the flexible substrate. 제2항에 있어서, 상기 희생패턴층은 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 또는 이 둘의 조합을 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of claim 2, wherein the sacrificial pattern layer comprises indium tin oxide, indium zinc oxide, or a combination thereof. 제2항에 있어서, 상기 희생패턴층을 형성하는 방법은 스퍼터링 공정, 증착 공정, 또는 이 두 가지의 조합을 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of claim 2, wherein the method of forming the sacrificial pattern layer comprises a sputtering process, a deposition process, or a combination of the two. 제2항에 있어서, 상기 희생패턴층의 두께는 약 0.1 내지 5마이크로미터인 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of claim 2, wherein the sacrificial pattern layer has a thickness of about 0.1 to 5 micrometers. 제1항에 있어서, 상기 희생체는 여러 개의 미립자를 포함하며, 상기 콜로이드 속에 섞여 있는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the sacrificial material comprises a plurality of fine particles and is mixed in the colloid. 제6항에 있어서, 상기 미립자는 여러 개의 산화물 미립자, 여러 개의 비결정성 실리콘 미립자, 여러 개의 금속 미립자, 또는 이들의 조합을 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of manufacturing a flexible active matrix array substrate according to claim 6, wherein the fine particles comprise several oxide fine particles, several amorphous silicon fine particles, several metal fine particles, or a combination thereof. 제7항에 있어서, 상기 금속 미립자는 금, 은, 동, 산화 티탄, 또는 이들의 조합을 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법.8. The method of claim 7, wherein the metal fine particles comprise gold, silver, copper, titanium oxide, or a combination thereof. 제6항에 있어서, 상기 미립자의 입경은 0.01 내지 10마이크로미터인 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the particle diameter of the fine particles is 0.01 to 10 micrometers. 제1항에 있어서, 상기 능동 매트릭스 어레이 공정은 비결정성 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정 또는 폴리실리콘 박막 트랜지스터 어레이 공정을 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the active matrix array process comprises an amorphous silicon thin film transistor array process or a polysilicon thin film transistor array process. 제1항에 있어서, 상기 광원은 레이저 광원 또는 자외 광원을 포함하는 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the light source comprises a laser light source or an ultraviolet light source. 제1항에 있어서, 상기 광원의 파장은 200 내지 700나노미터인 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the wavelength of the light source is 200 to 700 nanometers. 제1항에 있어서, 상기 광원의 파장은 200 내지 400나노미터인 가요성 능동 매트릭스 어레이 기판의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the wavelength of the light source is 200 to 400 nanometers.
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