KR20080068821A - Ｍｅｍｓ 장치 및 해당 장치용의 접속부 - Google Patents

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KR20080068821A
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알란 쥐. 루이스
매니쉬 코타리
존 베이티
테루오 사사가와
밍-하우 텅
그레고리 디. 유런
스티븐 지
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퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크.
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Abstract

마이크로 전자 기계 시스템 장치는 해당 장치 내에 이동층(14) 및 전극(16) 중 적어도 하나와 상기 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부를 가진다. 상기 전기 접속부의 적어도 일부는 상기 장치의 전극(14)과 기계적 층(92) 사이에 전도층으로서 동일한 재료로 형성되어 있다. 일 실시형태에 있어서, 이 전도층은 전극(16)과 이동층(14) 사이에 공동부(19)를 형성하기 위해 그 후에 제거되는 희생층(60)이다. 상기 희생층(60)은 몰리브덴, 도핑된 규소, 텅스텐 또는 티탄으로 형성되는 것이 바람직하다. 다른 실시형태에 따르면, 상기 전도층은 바람직하게는 알루미늄을 포함하는 이동 반사층(14)이다.
마이크로 전자 기계 시스템 장치, 전극, 이동층, 전도층, 전기 접속부.

Description

ＭＥＭＳ 장치 및 해당 장치용의 접속부{MEMS DEVICE AND INTERCONNECTS FOR SAME}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2005년 9월 30일자로 출원된 미국 가특허 출원 제60/723,540호의 우선권을 주장한다.
기술분야
본 발명은 MEMS(microelectromechanical system: 마이크로 전자 기계 시스템)에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 간섭 변조기(interferometric modulator) 및 해당 변조기용의 전기 접속부를 제조하는 방법에 관한 것이다.
마이크로 전자 기계 시스템(MEMS)은 마이크로 기계 부품, 액추에이터 및 전자 기기를 포함한다. 마이크로 기계 부품은 기판 및/또는 증착된 재료층의 일부를 에칭해내거나 층을 추가하여 전기 및 전자 기계 장치를 형성하는 증착, 에칭 및/또는 다른 미세기계가공(micromachining) 공정들을 이용하여 형성될 수도 있다. MEMS 장치의 한 형태로는 간섭 변조기가 있다. 본 명세서에서 사용된 것처럼, 간섭 변조기 또는 간섭 광 변조기(interferometric light modulator)라는 용어는 광학적 간섭 원리를 이용하여 광을 선택적으로 흡수 및/또는 반사하는 장치를 의미한 다. 소정의 실시형태에 있어서, 간섭 변조기는 한 쌍의 도전판을 포함할 수도 있는 데, 상기 한 쌍의 도전판의 어느 하나 또는 양쪽 모두가 전체 또는 부분적으로 투과형 및/또는 반사형일 수도 있고 적절한 전기 신호의 인가시 상대 운동을 할 수 있다. 특별한 실시형태에 있어서, 하나의 도전판은 기판에 증착된 고정층을 포함할 수도 있고, 다른 하나의 도전판은 에어 갭(air gap)에 의해 고정층과 분리된 금속막을 포함할 수도 있다. 본 명세서에서 보다 더 상세히 설명하는 바와 같이, 도전판들의 상대적 위치에 의해서 간섭 변조기로 입사되는 광의 광학적 간섭은 변경될 수 있다. 이러한 장치들의 사용 범위는 광범위한데, 기존의 제품들을 향상시키는 데 있어서, 그리고 아직 개발되지 않은 새로운 제품들을 만들어내는 데 있어서 이러한 유형의 장치 특성들이 사용될 수 있도록 이들 장치들의 특징들을 이용 및/또는 변경하는 것은 해당 기술 분야에서 유용할 것이다.
본 발명의 시스템, 방법 및 장치는 각각 수개의 측면들을 가지고 있으며, 상기 각각의 어느 하나만이 단독으로 그것의 목적으로 하는 속성의 원인이 되지는 않는다. 본 발명의 범위를 한정하는 일없이, 본 발명의 더욱 뛰어난 특징들은 지금부터 간단하게 논의될 것이다. 이 논의를 고려한 후에, 그리고 특히 "실시예"라는 제목의 부분을 읽은 후에, 사람들은 본 발명의 특징들이 어떻게 다른 디스플레이 장치에 비해 장점을 제공하는지 이해할 수 있을 것이다.
일 실시형태는 마이크로 전자 기계 시스템 장치를 제공한다. 상기 장치는 전극, 이동층, 상기 이동층 위에 있는 기계적 층(mechanical layer), 상기 전극과 상기 이동층 사이에 있는 공동부(cavity), 상기 전극과 상기 기계적 층 사이에 있는 전도층, 및 상기 장치 외부의 회로와 상기 전극과 상기 이동층 중 적어도 하나 사이에 있는 전기 접속부를 포함한다. 상기 전기 접속부의 적어도 일부와 전도층은 동일한 재료로 형성된다.
다른 실시형태에 따르면, 다음과 같은 마이크로 전자 기계 시스템 장치를 형성하는 방법이 제공된다. 구체적으로는, 이 방법에 의하면, 전극이 제공되고, 상기 전극 위에 전도층을 형성하며, 이어서, 상기 장치 내의 상기 전극 및 제2전극 중 적어도 하나와 상기 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부를 형성하기 위해 상기 전도층을 패터닝하고, 상기 전도층을 패터닝한 후, 상기 전도층 위에 기계적 층을 형성한다.
또 다른 실시형태에 따르면, 이하의 마이크로 전자 기계 시스템 장치를 형성하는 방법이 제공된다. 구체적으로는, 이 방법에 의하면, 기판 위에 형성된 전극이 제공되고, 상기 전극 위에 이동층을 형성하고, 상기 이동층 위에 기계적 층을 형성하며, 상기 전극과 상기 기계적 층 사이에 전도층을 증착시킨다. 또, 상기 전도층의 일부는 상기 전극 및 이동층 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부의 적어도 일부를 형성한다.
다른 실시형태에 있어서, 마이크로 전자 기계 시스템 장치가 제공된다. 이 장치는, 전극, 이동층, 상기 이동층 위에 있는 기계적 층, 상기 전극과 상기 이동층 사이에 있는 공동부, 및 상기 전극과 상기 이동층 중 적어도 하나와 상기 장치 외부의 회로 사이에 있는 전기 접속부를 포함한다. 또, 상기 전기 접속부의 적어도 일부와 상기 이동층은 동일한 재료로 형성되어 있다.
다른 실시형태에 따르면, 마이크로 전자 기계 시스템 장치를 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 전극이 제공되고, 상기 전극 위에 전도성 재료를 증착하고, 상기 전도층 위에 이동층을 증착하고, 상기 이동층 위에 기계적 층을 증착한다. 또, 상기 전도성 재료는 상기 전극과 상기 이동층 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부의 적어도 일부를 형성한다. 상기 기계적 층을 증착시킨 후, 광학 공동부를 형성하기 위해 상기 전도성 재료를 선택적으로 제거한다.
도 1은 제1간섭 변조기의 이동 반사층이 이완 위치에 있고, 제2간섭 변조기의 이동 반사층이 작동 위치에 있는 간섭 변조기 디스플레이의 일 실시예의 일부를 나타낸 등각 투상도;
도 2는 3×3 간섭 변조기 디스플레이를 내장한 전자 장치의 일 실시예를 예시한 시스템 블록도;
도 3은 도 1의 간섭 변조기의 예시적인 일 실시예에 대해 이동 미러(movable mirror)의 위치 대 인가된 전압을 나타낸 선도;
도 4는 간섭 변조기 디스플레이를 구동하는 데 사용될 수 있는 1세트의 행방향(row) 전압 및 열방향(column) 전압을 나타낸 도면;
도 5a 및 도 5b는 도 2의 3×3 간섭 변조기 디스플레이에 대해서 표시 데이터의 프레임(frame)을 쓰는(write) 데 이용될 수 있는 행방향 신호 및 열방향 신호 의 하나의 예시적인 타이밍 선도를 나타낸 도면;
도 6a 및 도 6b는 복수개의 간섭 변조기를 포함하는 비쥬얼 디스플레이(visual display) 장치의 일 실시예를 나타낸 시스템 블록도;
도 7a는 도 1의 장치의 단면도;
도 7b는 간섭 변조기의 대안적인 실시예의 단면도;
도 7c는 간섭 변조기의 다른 대안적인 실시예의 단면도;
도 7d는 간섭 변조기의 또 다른 대안적인 실시예의 단면도;
도 7e는 간섭 변조기의 추가적이고 대안적인 실시예의 단면도;
도 8a 내지 도 8l은 간섭 변조기의 일 실시예를 제작하는 공정을 나타낸 단면도;
도 9는 도 8a 내지 도 8l에 나타낸 간섭 변조기의 일 실시예의 단면도 및 평면도;
도 10은 간섭 변조기의 다른 실시예의 단면도 및 평면도;
도 11a 내지 도 11k는 간섭 변조기의 다른 실시예를 제작하는 공정을 나타낸 단면도;
도 12a 내지 도 12i는 간섭 변조기의 또 다른 실시예를 제조하는 공정을 나타낸 단면도.
이하의 상세한 설명은 본 발명의 어떤 특정 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명은 다양한 방법들로 구현될 수 있다. 본 설명에 있어서, 전체적으로 동일한 구성 요소들은 동일한 참조 번호들로 표기된 도면을 참조한다. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 실시예들은 동영상(예를 들어, 비디오)인지 또는 정지 영상(예를 들어, 스틸 이미지(still image))인지, 그리고 문자인지 그림인지의 여부에 따라 영상을 표시하도록 구성되는 장치이면 어떠한 장치에서도 구현될 수도 있다. 더욱 상세하게는, 휴대폰, 무선 장치, PDA(personal data assistant), 초소형 또는 휴대용 컴퓨터, GPS 수신기/네비게이션, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔(game console), 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비젼 모니터, 평면 패널 표시 장치, 컴퓨터 모니터, 자동차 표시 장치(예를 들어, 주행 기록계 디스플레이 등), 콕핏 제어기(cockpit control) 및/또는 디스플레이, 카메라 뷰 디스플레이(예를 들어, 차량의 리어 뷰(rear view) 카메라의 디스플레이), 전자 사진, 전자 광고판 또는 사인(sign), 프로젝터, 건축 구조물, 포장물 및 미술 구조물(예를 들어 보석류에 대한 이미지의 디스플레이)을 포함하지만 이에 한정되지는 않는 다양한 전자 장치들로 또는 그 다양한 전자 장치들과 관련되어 구현될 수 있는 것을 고려할 수 있다. 여기에서 설명하는 것들과 유사한 구조체의 MEMS 장치는 또한 전자 스위치 장치에서와 같이 디스플레이 장치가 아닌 응용품에 사용될 수 있다.
본 명세서에 기재된 실시예에 따르면, 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS) 장치가 제공된다. 이 장치는 상기 장치 내의 전극 및 이동 반사층 중 적어도 하나와 상기 장치 외부의 회로 사이에 있는 전기 접속부를 포함한다. 상기 전기 접속부의 적어도 일부는 상기 장치의 전극과 상기 기계적 층 사이에 전도층과 동일한 재료로 형성된다. 일 실시예에 있어서, 이 전도층은 상기 전극과 상기 이동 반사층 사이 에 공동부를 형성하기 위해 그 후에 상기 MEMS 장치의 영역으로부터 제거되는 희생층이다. 상기 희생층은 바람직하게는 몰리브덴, 도핑된 규소, 텅스텐 또는 티탄으로 이루어져 있다. 다른 실시형태에 따르면, 상기 전도층은 바람직하게는 알루미늄을 포함하는 이동 반사층이다.
간섭계 MEMS 표시 소자를 포함하는 간섭 변조기 디스플레이의 일 실시예가 도 1에 예시되어 있다. 이들 장치에 있어서, 화소들은 밝은 상태 또는 어두운 상태이다. 밝은("온(on) 또는 "열린") 상태에서, 표시 소자는 입사되는 가시 광선의 많은 부분을 사용자에게 반사시킨다. 어두운("오프(off)" 또는 "닫힌") 상태에서, 표시 소자는 입사되는 가시 광선을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. 본 실시예에 따르면, "온" 및 "오프" 상태의 광 반사 특성은 역전될 수도 있다. MEMS 화소들은 선택된 색깔에서 우선적으로 반사하도록 구성되어 흑백 표시 외에도 컬러 표시를 가능하게 한다.
도 1은 비쥬얼 디스플레이의 일련의 화소에 있어서 두 개의 인접한 화소들을 나타낸 등각 투상도인 데, 여기서 각 화소는 MEMS 간섭 변조기를 포함한다. 몇몇 실시예에서, 간섭 변조기 디스플레이는 이들 간섭 변조기의 행/열 어레이를 포함한다. 각각의 간섭 변조기는 서로 간에 가변적이고 제어 가능한 거리에 위치된 1쌍의 반사층을 포함하여 적어도 하나의 가변 치수를 가진 공진 광학 공동부(resonant optical cavity)를 형성한다. 일 실시예에 있어서, 반사층들 중 하나는 두 위치 사이에서 움직일 수도 있다. 여기서 이완 위치를 의미하는 제1위치에서, 이동 반사층은 고정된 부분 반사층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치한다. 여기서 작동 위치를 의미하는 제2위치에서, 이동 반사층은 상기 부분 반사층에 더 가까이 인접하여 위치한다. 두 반사층에서 반사된 입사광은 이동 반사층의 위치에 따라서 보강 간섭 또는 소멸 간섭하여 각 화소에 대해 전체 반사 상태 또는 비반사 상태를 생성한다.
도 1에 있어서 화소 어레이의 도시된 부분은 두 개의 인접한 간섭 변조기(12a), (12b)를 포함한다. 왼쪽에 위치한 간섭 변조기(12a)에는 부분 반사층을 포함하는 광학 적층부(optical stack)(16a)로부터 소정 거리 떨어진 이완 위치에 이동 반사층(14a)이 예시되어 있다. 오른쪽에 위치한 간섭 변조기(12b)에는 광학 적층부(16b)에 인접한 작동 위치에 이동 반사층(14b)이 예시되어 있다.
여기서 참조기호로 표시된 광학 적층부(16a), (16b)(일괄해서 광학 적층부(16)라 표기함)는 전형적으로 수 개의 융합층(fused layer)을 포함하는 데, 이들 융합층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide: ITO)과 같은 전극층, 크롬과 같은 부분 반사층 및 투명 유전체를 포함할 수 있다. 따라서, 광학 적층부(16)는 전도성이고, 부분적으로 투명하며, 부분적으로 반사성이고, 예를 들어 하나 이상의 상기 층들을 투명 기판(20) 위에 증착함으로써 제조될 수 있다. 부분 반사층은 다양한 금속류, 반도체류 및 유전체류와 같은 부분 반사성인 다양한 재료들로 형성될 수 있다. 부분 반사층은 하나 이상의 재료 층으로 형성될 수 있는 데, 각각의 층은 단일 재료 또는 조합된 재료로 형성될 수 있다.
이하에 더욱 설명되는 바와 같이, 몇몇 실시예에서, 광학 적층부(16)의 층들은 평행 스트립(strip)들로 패터닝되고, 디스플레이 장치 내에서 행방향 전극들을 형성할 수도 있다. 이동 반사층(14a), (14b)은 기둥(18) 사이에 증착되는 중재 희생 재료 및 기둥들(18)의 상부면에 증착된 증착 금속층 또는 증착 금속층들(광학 적층부(16a), (16b)의 횡방향 전극에 직교)로 이루어진 일련의 평행 스트립들로서 형성될 수도 있다. 희생 재료를 에칭하여 제거했을 때, 이동 반사층(14a), (14b)은 광학 적층부(16b), (16b)로부터 소정의 갭(19) 만큼 분리된다. 알루미늄과 같은 고 전도성·반사성 재료가 반사층(14)으로 사용될 수 있고, 이들 스트립들은 디스플레이 장치에서 열방향 전극들을 형성할 수도 있다.
도 1에 있어서 화소(12a)로 표시된 바와 같이, 전압이 인가되지 않을 경우, 이동 반사층(14a)은 기계적으로 이완 상태인 채로, 갭(19)이 이동 반사층(14a)과 광학 적층부(16a) 사이에서 유지된다. 그러나, 선택된 행 및 열에 전위차가 인가될 경우, 대응하는 화소의 행방향 전극과 열방향 전극의 교차점에 형성된 커패시터는 충전되고, 정전기력은 전극들을 함께 당긴다. 전압이 충분히 높다면, 이동 반사층(14)은 변형이 일어나 광학 적층부(16)에 대해서 힘을 가한다. 도 1의 오른쪽에 위치한 화소(12b)로 표시된 바와 같이, 광학 적층부(16) 내의 유전체 층(이 도면에서는 도시 생략)은 단락이 방지되어 층(14)과 층(16) 간의 이격 거리를 조절한다. 이러한 거동은 인가된 전위차의 극성에 상관없이 동일하다. 이와 같이 해서, 반사 화소 상태 대 비 반사 화소 상태를 조절할 수 있는 행/열방향 작동은 종래의 LCD 및 다른 디스플레이 기술에서 사용되는 것과 여러 면에서 유사하다.
도 2 내지 도 5b는 디스플레이 적용에 있어서 간섭 변조기들의 어레이를 사용하기 위한 하나의 예시적 과정 및 시스템을 예시한다.
도 2는 본 발명의 측면들을 포함할 수도 있는 전자 장치의 일 실시예를 예시한 시스템 블록도이다. 예시적 실시예에 있어서, 전자 장치는 프로세서(21)를 포함하는 데, 이 프로세서는 ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA®와 같은 범용 단일 칩 프로세서 또는 멀티 칩 마이크로 프로세서, 또는 디지털 신호 프로세서, 마이크로 제어기와 같은 특수 목적의 마이크로 프로세서, 또는 프로그래밍 가능한 게이트 어레이일 수도 있다. 종래 기술에서와 같이, 상기 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수도 있다. 오퍼레이팅 시스템(operating system)의 실행과 더불어, 상기 프로세서는 웹 브라우저(web browser), 전화 애플리케이션(application), 이메일 프로그램 또는 기타 임의의 소프트웨어 애플리케이션을 비롯한 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 실행하도록 구성될 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 프로세서(21)는 또한 어레이 드라이버(22)와 통신하도록 구성된다. 일 실시예에 있어서, 어레이 드라이버(22)는 디스플레이 어레이 또는 패널(30)에 신호들을 제공하는 행방향 드라이버 회로(24) 및 열방향 드라이버 회로(26)를 포함한다. 도 1에 예시된 어레이의 단면은 도 2의 1-1 라인에 의해 도시된다. MEMS 간섭 변조기에 대해서, 행/열방향 작동 프로토콜은 도 3에 도시된 이들 장치의 히스테리시스(hysteresis) 특성을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 이완 상태에서부터 작동 상태로 이동층을 변형시키기 위해 10 볼트 전위차가 필요할 수도 있다. 그러나, 이러한 값으로부터 전압이 감소될 경우, 전압이 10 볼트 미만 으로 다시 떨어질 때에 이동층은 그 상태를 유지한다. 도 3의 예시적 실시예에 있어서, 전압이 2 볼트 미만으로 떨어질 때까지 이동층은 완전히 이완되지 않는다. 이와 같이 해서, 도 3에 예시된 예에서 약 3 볼트 내지 7 볼트의 인가 전압 창이 존재하는 데, 이 범위 내에서 장치는 이완 또는 작동 상태에서 안정적이다. 이것을 여기서는 "히스테리시스 창" 또는 "안정성 창"이라고 칭한다. 도 3의 히스테리시스 특성을 가지는 디스플레이 어레이에 대해서, 행방향 스트로빙(strobing) 동안 스트로빙된 행에 있는 작동될 화소들이 약 10 볼트의 전압차에 노출되고, 이완될 화소들이 0 볼트에 근접한 전압차에 노출되도록 행/열방향 작동 프로토콜을 설계할 수 있다. 스트로빙 후에, 화소들은 약 5 볼트의 정상 상태 전압차에 노출되므로, 이들은 행방향 스트로빙이 화소들을 어떤 상태에 두었던지 그 상태를 유지하게 된다. 이러한 예에서, 각 화소는, 쓰여진 후에, 3 볼트 내지 7 볼트의 "안정성 창" 내에서 전위차를 보인다. 이러한 특성으로 작동 또는 이완의 기존 상태에서 동일한 인가 전압 조건하에서 도 1에 예시된 화소 설계는 안정화된다. 간섭 변조기의 각 화소는 작동 상태인지 혹은 이완 상태인지에 따라 본질적으로 고정된 이동 반사층에 의해 형성된 커패시터이기 때문에, 이러한 안정한 상태는 전력 손실이 거의 없이 히스테리시스 창 내의 전압에서 유지될 수 있다. 인가된 전위가 고정되어 있다면 화소로 들어가는 전류 흐름은 실질적으로 없다.
전형적인 응용에 있어서, 제1행에 있는 원하는 세트의 작동 화소에 따라 열방향 전극 세트를 어서트(assert)함으로써 표시 프레임을 생성할 수도 있다. 다음에, 행방향 펄스가 제1행의 전극에 인가되어 어서트된 열방향 라인에 대응하는 화 소를 작동시킨다. 그 후, 어서트된 세트의 열방향 전극은 제2행에 있는 원하는 세트의 작동 화소에 대응하도록 변경된다. 이어서, 펄스가 제2행의 전극에 인가되어, 어서트된 열방향 전극들에 따라서 제2행에 있는 적절한 화소들을 작동시킨다. 제1행의 화소들은 제2행 펄스들의 영향을 받지 않고 제1행의 펄스 동안 그들이 설정되었던 상태로 유지된다. 이것은 프레임을 작성하기 위하여 일련의 전체 행들에 대해서 순차적으로 반복될 수도 있다. 일반적으로, 이러한 과정을 초당 원하는 프레임 수만큼 계속적으로 반복함으로써 프레임들은 새로운 표시 데이터로 리프레시(refresh) 및/또는 갱신된다. 더불어, 표시 프레임을 작성하는 화소 어레이의 행방향 전극 및 열방향 전극을 구동하기 위한 매우 다양한 프로토콜은 잘 알려져 있고 본 발명과 관련하여 사용될 수도 있다.
도 4, 도 5a 및 도 5b는 도 2의 3×3 어레이 위에 표시 프레임을 생성하기 위한 하나의 가능한 작동 프로토콜을 예시한다. 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 나타내는 화소를 위해 사용될 수도 있는 가능한 세트의 행방향 전압 레벨들 및 열방향 전압 레벨들을 예시한다. 도 4의 실시예에서, 화소를 작동시키기 위해서는 적절한 열을 -Vbias로 설정하고 적절한 행을 +ΔV로 설정하는 것이 필요한데, -Vbias 및 +ΔV는 각각 -5 볼트 및 +5 볼트에 대응한다. 화소에 대한 볼트 전위차가 0이 되는 동일한 +ΔV로 적절한 행을 설정하고 +Vbias로 적절한 열을 설정함으로써 화소의 이완을 수행한다. 행방향 전압이 0볼트로 유지되는 이들 행에서, 열이 -Vbias이거나 +Vbias인 것에 상관없이, 화소들은 그들의 원래 상태가 어떠하든 그 상태에서 안정하다. 도 4에 또한 예시된 바와 같이, 앞서 설명한 것과 반대 극성의 전압이 사용될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 화소를 작동시키는 것은 적절한 열을 +Vbias로 설정하고 적절한 행을 -ΔV로 설정하는 것을 수반할 수 있다. 본 실시예에 있어서, 화소에 대한 0 볼트 전위차를 생성하는 동일한 -ΔV로 적절한 행을 설정하고 -Vbias로 적절한 열을 설정함으로써 화소의 이완을 수행한다.
도 5b는 도 5a에 예시된 디스플레이 구성으로 되는 도 2의 3×3 어레이에 인가되는 일련의 행방향 신호들 및 열방향 신호들을 나타낸 타이밍도로서, 여기서 작동 화소들은 비반사적이다. 도 5a에 예시된 프레임을 쓰기에 앞서, 화소들은 임의의 상태에 있을 수 있고, 이 예에서, 모든 행들은 0볼트이고 모든 열들은 +5 볼트이다. 이들 인가 전압에 의하면, 화소는 모두 그들의 기존의 작동 또는 이완 상태에서 안정하다.
도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3) 화소들이 작동된다. 이것을 달성하기 위해서, 제1행에 대한 "라인 시간(line time)"동안 제1열과 제2열은 -5볼트로 설정되고, 제3열은 +5볼트로 설정된다. 이것은 임의의 화소들의 상태를 변화시키지 않는 데, 그 이유는 모든 화소들이 3볼트 내지 7볼트 안정성 창에 유지되기 때문이다. 다음에, 제1행은 0볼트에서 5볼트까지 가고 다시 0볼트로 가는 펄스로 스트로빙된다. 이것은 (1,1) 화소 및 (1,2) 화소를 작동시키고 (1,3) 화소를 이완시킨다. 어레이의 다른 화소들은 영향을 받지 않는다. 원하는 제2행을 설정하기 위하여, 제2열을 -5볼트로 설정하고 제1열 및 제3열을 +5볼트로 설정 한다. 다음에, 제2행에 인가된 동일한 스트로브(strobe)는 (2,2) 화소를 작동시키고 (2,1) 및 (2,3) 화소를 이완시킬 것이다. 재차, 어레이의 다른 화소들은 영향받지 않는다. 제3행은 제2열 및 제3열을 -5볼트로 설정하고 제1열을 +5볼트로 설정함으로써 마찬가지로 설정된다. 제3행의 스트로브는 도 5a에 도시된 바와 같이 제3행의 화소들을 설정한다. 프레임을 쓴 후에, 행방향 전위들은 0이고 열방향 전위들은 +5볼트 또는 -5볼트로 유지될 수 있게 되어 디스플레이는 도 5a의 배열에서 안정하다. 수십 또는 수백 개의 행과 열들을 가진 어레이들에 대해서 동일한 과정을 이용할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 행 및 열을 작동시키는 데 사용되는 타이밍, 수순 및 전압 레벨들은 상기의 일반적인 원리 범위 안에서 매우 다양할 수 있고, 상기 예는 다만 예시적인 것에 불과하며, 다른 작동 전압 방법이 여기에서 설명되는 시스템 및 방법과 함께 사용될 수 있다는 것을 또한 이해할 수 있을 것이다.
도 6a 및 도 6b는 디스플레이 장치(40)의 실시예를 예시한 시스템 블록도이다. 예를 들어, 디스플레이 장치(40)는 이동 전화기 또는 휴대 전화기일 수 있다. 그러나, 디스플레이 장치(40)의 동일한 구성 요소들 또는 그것의 약간의 변형으로는 또한 텔레비전 및 휴대용 미디어 플레이어와 같은 다양한 유형의 디스플레이 장치를 들 수 있다.
디스플레이 장치(40)는 하우징(housing)(41), 디스플레이(30), 안테나(43), 스피커(45), 입력 장치(48) 및 마이크(46)를 포함한다. 일반적으로 하우징(41)은 사출 성형 및 진공 성형을 비롯한 당업자들에게 잘 알려진 다양한 제조 과정들 중 의 어떤 것으로 형성된다. 또한, 하우징(41)은 플라스틱, 금속, 유리, 고무 및 세라믹, 또는 이들의 조합을 포함하지만, 이들로 한정되지 않는 다양한 재료 중의 어떤 것으로 만들어질 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 하우징(41)은 다른 색깔을 가지거나 다른 로고, 그림 또는 기호를 포함하는 분리 가능한 부분들과 호환될 수도 있는 분리 가능한 부분(도시 생략)을 포함한다.
예시적인 디스플레이 장치(40)의 디스플레이(30)는 여기에서 설명되는 바와 같이, 쌍안정(bi-stable) 디스플레이를 비롯한 다양한 디스플레이들 중의 어떤 것일 수도 있다. 다른 실시예에 있어서, 당업자들에게 잘 알려진 바와 같이, 디스플레이(30)는 앞서 설명한 바와 같은 TFT LCD, 플라즈마, EL, OLED, 또는 STN LCD와 같은 평면 패널 디스플레이, 또는 CRT나 다른 종류의 관(tube) 장치와 같은 비평면 패널 디스플레이를 포함한다. 그러나, 본 실시예를 설명할 목적으로, 상기 디스플레이(30)는 여기에서 설명하는 바와 같이 간섭 변조기를 포함한다.
예시적 디스플레이 장치(40)의 일 실시예의 구성 요소들은 도 6b에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 예시적 디스플레이 장치(40)는 하우징(41)을 포함하고 적어도 그 속에 부분적으로 수용된 추가적인 구성 요소들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 있어서, 예시적 디스플레이 장치(40)는 트랜스시버(transceiver)(47)에 결합된 안테나(43)를 포함하는 네트워크 인터페이스(27)를 포함한다. 트랜스시버(47)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning hardware)(52)에 연결된 프로세서(21)에 접속된다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 신호를 조절(예를 들어, 신호를 필터링)하도록 구성될 수도 있다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 스피커(45) 및 마이크(46)에 연결된다. 프로세서(21)는 입력 장치(48) 및 드라이버 제어기(29)에도 연결된다. 드라이버 제어기(29)는 프레임 버퍼(frame buffer)(28)에 그리고 어레이 드라이버(22)에 결합되고, 어레이 드라이버(22)는 이어서 디스플레이 어레이(30)에 결합된다. 전력 공급 장치(50)는 특정한 예시적 디스플레이 장치(40) 설계에 요구되는 바와 같이 모든 구성 요소들에 전력을 제공한다.
네트워크 인터페이스(27)는 예시적 디스플레이 장치(40)가 네트워크를 통해 하나 이상의 장치와 통신할 수 있도록 안테나(43) 및 트랜스시버(47)를 포함한다. 일 실시예에 있어서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)의 요건을 경감할 수 있는 몇몇 처리 능력도 가질 수 있다. 안테나(43)는 신호들을 송수신하기 위해, 당업자들에게 알려진 소정의 안테나이다. 일 실시예에 있어서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b) 또는 (g)를 비롯한 IEEE 802.11 표준에 따라서 RF 신호들을 송수신한다. 다른 실시예에 있어서, 안테나는 블루투스(BLUETOOTH) 표준에 따라서 RF 신호들을 송수신한다. 이동 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS 또는 무선 이동 전화 네트워크 내에서 통신하기 위해 사용되는 기타 공지된 신호들을 수신하도록 설계되어 있다. 트랜스시버(47)는 안테나(43)로부터 수신된 신호들을 미리 처리하여 이들 신호가 프로세서(21)에 의해 수신되고 나아가 조작될 수도 있다. 트랜스시버(47)는 프로세서(21)로부터 수신된 신호들도 처리하여 이들 신호가 안테나(43)를 경유하여 예시적 디스플레이 장치(40)로부터 전송될 수 있게 한다.
대안적인 실시예에 있어서, 트랜스시버(47)는 수신기로 대체될 수 있다. 또 다른 대안적인 실시예에 있어서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)에 보내 질 이미지 데이터를 저장하고 생성할 수 있는 이미지 소스(image source)로 대체될 수 있다. 예를 들어, 이미지 소스는 이미지 데이터를 포함하는 디지털 비디오 디스크(DVD: digital video disc)나 하드 디스크 드라이브, 또는 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈일 수 있다.
프로세서(21)는 일반적으로 예시적 디스플레이 장치(40)의 전체적인 동작을 제어한다. 프로세서(21)는 네트워크 인터페이스(27) 또는 이미지 소스로부터의 압축된 이미지 데이터와 같은 데이터를 수신하고, 해당 데이터를 원천 이미지 데이터(raw image data)로 또는 원천 이미지 데이터로 즉시 처리할 수 있는 포맷으로 처리한다. 그 후, 프로세서(21)는 처리된 데이터를 드라이버 제어기(29)로 또는 저장을 위해 프레임 버퍼(28)로 보낸다. 원천 데이터는 전형적으로 이미지 내의 각각의 위치에서 이미지 특성들을 식별하는 정보를 의미한다. 예를 들어, 이러한 이미지 특성들은 색깔, 색의 순도(saturation), 계조 레벨(gray scale level)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 프로세서(21)는 마이크로 제어기, CPU, 또는 예시적 디스플레이 장치(40)의 동작을 제어하는 논리 유닛을 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 일반적으로 신호들을 스피커(45)에 전송하기 위해, 그리고 마이크(46)로부터 신호들을 수신하기 위해 증폭기들 및 필터들을 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 예시적 디스플레이 장치(40) 내에 있는 별도의 구성 요소일 수도 있거나 프로세서(21) 혹은 기타 구성 요소들 내에 내장되어 있을 수도 있다.
드라이버 제어기(29)는 프로세서(21)에서 생성된 원천 이미지 데이터를 프로 세서(21)로부터 혹은 프레임 버퍼(28)로부터 직접 취하여 어레이 드라이버(22)로 고속 전송하기 위해 원천 이미지 데이터를 적절하게 재포맷한다. 특히, 드라이버 제어기(29)는 원천 이미지 데이터를 래스터 유사 포맷(raster like format)을 가진 데이터 흐름으로 재포맷하여 디스플레이 어레이(30)에 걸쳐 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가진다. 다음에, 드라이버 제어기(29)는 포맷된 정보를 어레이 드라이버(22)에 보낸다. 비록 LCD 제어기와 같은 드라이버 제어기(29)가 독립형 집적 회로(stand-alone Integrated Circuit(IC))로서 시스템 프로세서(21)와 종종 관련되지만, 이러한 제어기들은 다양한 방법들로 구현될 수도 있다. 이들은 프로세서(21) 내에 하드웨어로서 삽입될 수 있거나, 소프트웨어로서 프로세서 내에 삽입될 수도 있거나, 또는 어레이 드라이버(22)와 함께 하드웨어에 완전히 일체화될 수도 있다.
전형적으로, 어레이 드라이버(22)는 포맷된 정보를 드라이버 제어기(29)로부터 입수하고 디스플레이의 x-y 매트릭스 화소들로부터 나온 수백, 때로는 수천개의 인출선에 초당 여러번 인가되는 병렬 세트의 파형들로 비디오 데이터를 재포맷한다.
일 실시예에 있어서, 드라이버 제어기(29), 어레이 드라이버(22) 및 디스플레이 어레이(30)는 여기서 설명하는 디스플레이들의 유형 중 어느 것에나 적합하다. 예를 들어, 일 실시예에 있어서, 드라이버 제어기(29)는 종래의 디스플레이 제어기 또는 쌍안정 디스플레이 제어기(예를 들어, 간섭 변조기 제어기)이다. 다른 실시예에 있어서, 어레이 드라이버(22)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플 레이 드라이버(예를 들어, 간섭 변조기 드라이버)이다. 일 실시예에 있어서, 드라이버 제어기(29)는 어레이 드라이버(22)와 일체형이다. 이러한 일 실시예는 이동 전화기, 시계 및 기타 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에 있어서 일반적이다. 또 다른 실시예에 있어서, 디스플레이 어레이(30)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예를 들어, 간섭 변조기들의 어레이를 포함하는 디스플레이)이다.
입력 장치(48)는 사용자로 하여금 예시적 디스플레이 장치(40)의 동작을 제어하도록 한다. 일 실시예에 있어서, 입력 장치(48)는 QWERTY 키보드 또는 전화기 키패드와 같은 키패드, 버튼, 스위치, 터치 센스 스크린, 또는 감압 또는 감열 막을 포함한다. 일 실시예에 있어서, 마이크(46)는 예시적 디스플레이 장치(40)에 대한 입력 장치이다. 이 장치에 데이터를 입력하기 위해 마이크(46)가 사용되는 경우, 음성 명령들이 사용자들에 의해 제공되어 예시적 디스플레이 장치(40)의 동작들을 제어할 수도 있다.
전력 공급 장치(50)는 당업계에 잘 알려져 있는 다양한 에너지 저장 장치들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에 있어서, 전력 공급 장치(50)는 니켈-카드뮴 배터리 또는 리듐 이온 배터리와 같은 충전용 배터리이다. 다른 실시예에 있어서, 전력 공급 장치(50)는 재생 가능 에너지 원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지, 태양 전지 페인트를 비롯한 태양 전지이다. 다른 실시예에 있어서, 전력 공급 장치(50)는 벽에 붙은 콘센트에서 전력을 받도록 구성된다.
몇몇 실시예에 있어서, 제어 프로그램은 앞서 설명한 바와 같이 전자 디스플 레이 시스템 안의 몇몇 장소에 위치될 수 있는 드라이버 제어기 내에서 존재한다. 몇몇 실시예에 있어서, 제어 프로그램은 어레이 드라이버(22) 내에 존재한다. 당업자들은 앞서 설명한 최적화들을 다수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성 요소들 및 다양한 형태로 구현할 수도 있음을 인식할 것이다.
앞서 설명한 원리들에 따라서 작동되는 간섭 변조기의 상세한 구조는 매우 다양할 수 있다. 예를 들어, 도 7a 내지 도 7e는 이동 반사층(14) 및 그의 지지 구조체들의 다섯 개의 서로 다른 실시예를 나타낸다. 도 7a는 도 1의 실시예의 단면도인데, 여기서 금속 재료(14)의 스트립은 직교로 연장된 지지부(18) 상에 증착된다. 상기 지지부(18)는 독립된 기둥 혹은 연속된 벽으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 지지부(18)는 기계 또는 이동 재료의 횡단 스트립을 지지하는 선형 레일, 및/또는 독립된 기둥을 포함할 수 있다. 일례에 있어서, 레일은 주로 지지부를 제공하고, 각 공동부 내의 기둥들은 기계적 층을 강화시키는 작용을 한다.
도 7b에 있어서, 이동 반사층(14)은 줄(tether)(32) 상에 단지 가장자리에서 지지부에 부착된다. 도 7c에 있어서, 이동 반사층(14)은 가요성 금속을 포함할 수도 있는 변형가능한 기계적 층(34)으로부터 매달려 있다. 변형가능한 기계적 층(34)은 해당 변형가능한 기계적 층(34) 주변의 기판(20)에 직접적으로 혹은 간접적으로 연결된다. 여기서, 이들 연결부를 지지 구조체 또는 지지부(18)라 칭한다. 도 7d에 나타낸 실시예는 변형가능한 기계적 층(34)이 안착되는 기둥 플러그(42)를 포함하는 지지부(18)를 가진다. 이동 반사층(14)은 도 7a 내지 도 7c에 있어서와 마찬가지로 갭 위에 매달린 채 있지만, 기계적 층(34)은 해당 기계적 층(34)과 광 학 적층부(16) 사이의 구멍들을 채움으로써 지지 기둥을 형성하지 않는다. 오히려, 지지부(18)는 기계적 층(34) 밑에 분리해서 증착되어 있다. 도 7e에 나타낸 실시예는 도 7d에 나타낸 실시예에 의거한 것이지만, 도 7a 내지 도 7c에 나타낸 실시예뿐만 아니라 도시하지 않은 추가적인 실시예의 어느 것과 함께 작용하도록 적합화될 수도 있다. 도 7e에 나타낸 실시예에 있어서, 금속 또는 기타 전도성 재료의 필요 이상의 층은 버스 구조체(44)를 형성하는 데 이용되었다. 이것에 의해 신호가 간섭 변조기의 이면을 따라 송신될 수 있고, 그렇지 않으면 기판(20) 상에 형성될 수도 있는 다수의 전극을 제거할 수 있다.
도 7a 내지 도 7e에 나타낸 것과 같은 실시예에 있어서, 간섭 변조기는 직시형(direct-view) 장치로서 기능하는 데, 여기서 이미지들은 투명 기판(20)의 앞면으로부터 보이고 그 반대편에는 변조기들이 배열되어 있다. 이들 실시예에 있어서, 반사층(14)은 변형가능한 기계적 층(34)을 비롯한, 기판(20)의 반대편의 반사층 쪽에 있는 간섭 변조기의 일부를 광학적으로 차단한다. 이것에 의해 차단된 영역은 화질에 나쁜 영향을 미치는 일없이 구성되고 작동될 수 있게 된다. 이러한 차단은 도 7e의 버스 구조체(44)를 가능하게 하여, 어드레싱(addressing) 및 그 어드레싱에 기인한 움직임과 같은 조절 장치의 전자 기계적 특성들로부터 상기 변조기의 광학적 특성들을 분리할 수 있는 능력을 제공한다. 이 분리 가능한 변조기 구조체로 인해 해당 변조기의 광학적 측면들 및 전자 기계적 측면들에 대해 사용되는 재질들 및 구조 설계가 선택되어 서로 독립적으로 기능하게 된다. 더욱이, 도 7c 내지 도 7e에 도시된 실시예는 변형가능한 기계적 층(34)에 의해 수행되는, 기 계적 특성들로부터 반사층(14)의 광학적 특성들을 분리함으로써 얻어지는 추가적인 장점들을 가진다. 이로 인해 반사층(14)에 사용되는 구조 설계 및 재질들이 광학적 특성에 대해서 최적화되고, 변형가능한 층(34)에 사용되는 구조 설계 및 재질들이 원하는 기계적 특성에 대해서 최적화된다.
층, 재료 및/또는 다른 구조적 요소들은 본 명세서에서 다른 구조적 요소들과 관계하여 "~위에(위쪽에)", "~보다 위에", "~사이에" 등으로서 설명되고 있다. 본 명세서에서 사용된 것처럼, 이들 용어는 직접적 또는 간접적으로, 다양한 형태의 중간층, 재료, 및/또는 다른 구조적 요소가 여기에서 설명된 구조적 요소들 사이에서 놓일 수 있는 것과 같이, ~위에, ~위쪽에, ~보다 위에, ~사이에 등을 의미할 수 있다. 마찬가지로, 기판이나 층과 같이 본 명세서에서 설명된 구조적 요소는 단일 구성 요소 구조체 또는 다수의 구성 요소 구조체(예를 들어, 부가적인 재료의 층들이 있거나 또는 없는, 인용된 재료의 복수층을 포함하는 적층물(laminate))를 포함할 수 있다. 대상 또는 요소에 대하여 용어 "하나 또는 그 이상의"의 사용은 어쨌든 해당 용어가 사용되지 않는 대상 혹은 요소의 잠재적인 복수의 배열의 부재를 의미하지 않는다. "마이크로 전자 기계 장치"라는 용어는 본 명세서에서 사용되는 바와 같이 일반적으로 임의의 제조 단계에 있는 그러한 임의의 장치를 의미한다.
본 명세서에 개시된 방법은 말단 전기 접속부 또는 루팅부(routing)를 동시에 형성하도록 MEMS 어레이에서 이용하기 위한 전도층의 증착을 이용한다. 도 7a에 나타낸 실시예의 것과 같은 마이크로 전자 기계 시스템(예를 들어, 간섭 변조 기)을 형성하기 위한 몇몇 선택사항에 있어서, 변형가능한 기계적 층(34) 및/또는 광학 적층부(16)의 전극을 형성하는 증착은 디스플레이의 주변에서 전기 접속부 및 루팅부를 제공하는 데 이용될 수도 있고, 여기서, 상기 접속부는 어레이 외부의 회로(예를 들어, 접촉 패드에서의 드라이버 칩으로부터의 출력)와 어레이 내의 전극(행, 열 또는 바이어스 전극) 사이에 있다. 그러나, 기계적 층(34) 및 광학 적층부(16)의 전극에 전형적으로 사용되는 재료는 일반적으로 MEMS 장치용으로 최적화되어 있고, 또한 전기 접속 목적을 위해 반드시 이상적일 필요는 없다. 몇몇 실시예에 있어서 니켈층을 포함하는 기계적 층(34), 그리고 인듐 주석 산화물(ITO) 및 해당 ITO 위쪽의 몰리브덴 크롬(MoCr) 또는 크롬(Cr)으로 이루어질 수도 있는 광학 적층부(16)의 전극은, 예를 들어 습도 등의 환경 조건에 노출된 경우 열화(부식 또는 브리징(bridging))에 민감하고/하거나 상대적으로 낮은 전도도를 가진다. 예를 들어, 기계적 층(34)은 뒤판(backplate) 또는 시일(seal)에 의해 보호되지 않은 간섭 변조기 어레이의 주변 둘레의 어레이 유리의 상부면에서 수분에 노출될 수도 있다. 적절한 재료의 부가층은 그것을 주변 환경으로부터 보호하기 위해 기계적 층(34) 위쪽에 증착되는 것이 바람직하다. 광학 적층부(16)의 전극은, 유전체 재료로 대부분 보호되어 있지만, 상기 환경, 특히 이들이 디스플레이의 에지에서 절단선(scribe line) 또는 파단선을 횡단하는 장소에 노출될 수도 있다. 절단선은, 개별의 IC 칩이 보다 큰 웨이퍼로부터 다이싱되는 바와 같은 방식으로, 개별의 MEMS 장치 또는 어레이가 보다 큰 기판에 동시에 제작되는 다른 것으로부터 분리되는 장소이다.
기계적 층(34) 및 광학 적층부(16)의 전극에 전형적으로 사용되는 재료의 시트 저항(sheet resistance)은 비교적 높을 경우가 많고, 저항을 감소시키는 것은 전형적으로 간섭 변조기의 광학적 혹은 전자기계적 특성의 열화를 초래하게 된다. 금속 기계적 층(34)의 시트 저항 특성은 일반적으로 디스플레이의 주변에서 사용될 수 있는 최소 선폭을 제한시킴으로써, 접속부 밀도를 제한하고 디스플레이 주변 폭의 하한치를 설정한다. 디스플레이 크기가 증대함에 따라 또한 갱신 속도가 증대함에 따라, 저저항 접속부 재료가 더욱더 바람직하다.
전형적으로, IC 또는 MEMS 기술에 있어서, 상부 금속 접속층은 금속 층을 피복하는, 이산화 규소 혹은 질화 규소 등의 유전체 재료로 형성된 패시베이션 층(passivation layer)에 의해 보호된다. 패시베이션 층의 첨가는 일반적으로 추가의 증착 단계 및 마스킹 단계를 필요로 하고, 이에 따라 장치의 제조 비용 및 복잡성이 부가된다. 대안적으로는, 유기 재료(예를 들어, 폴리이미드)가 접속 영역 위쪽에 스크린-인쇄되거나 그렇지 않으면 증착 및 패터닝될 수 있다. 유기 상부 피복(top coat)을 가진 이러한 구조체에 있어서, 오염물은 하부 층 밑에 포획되어 장기간에 걸쳐 손상을 끼칠 수 있고, 상기 유기 상부 피복층은 일반적으로 변함없는 환경 보호를 제공함에 있어 무기 패시베이션 층보다 덜 효과적이다.
간섭 변조기의 제작 동안, 뒤판을 투명 기판에 부착시키기 위해 시일을 적용시킨 후(예를 들어, 도 7a 내지 도 7e에서의 기판(20)), 간섭 변조기 구조체는 기계적으로 혹은 레이저 절단될 수 있거나 또는 그렇치 않으면 개별의 간섭 변조기 패키지 구조체 또는 어레이로 분할하기 위해 제조될 수도 있다. 제조 동안 정전 방전(ESD: electro-static discharge)에 의해 초래된 손상에 대한 보호를 위해서 단락 봉(shorting bar)에 어레이 전극을 접속시키는 데 적절한 전도성 재료를 사용하는 것은 통상 실시되고 있다. 단락 봉 또는 단락 봉들은 전형적으로 최종 조립 전에 제거되고, 이것은 어레이로부터 절단선의 반대쪽 상에 위치될 경우가 있다. 따라서, 유리판이 개별 패널로 절단될 경우, 단락 봉(들)은 자동적으로 어레이로부터 제거된다. 광학 적층부(16)의 전극에 이용되는 재료는 어레이 전극을 단락봉(들)에 접속하는 데 이용될 수도 있다. 이것은 어레이 주변부에 있는 광학 적층부 유전체(17)(예를 들어, 도 8l) 및 기둥 유전체(또는 유전체층)(62)(예를 들어, 도 8l)에 의해 보호되는 것이 바람직하지만, 유리의 절단된 혹은 절삭 에지에서 노출된다. 상기 절단된 에지에서의 광학 적층부(16)의 전극은 제작 공정의 최종 조립 단계 동안 적절한 재료(예를 들어, 에폭시)를 도포함으로써 보호될 수도 있다. 대안적으로는, 환경적으로 안정한 도체는 전극의 전도성 재료가 노출되는 경우에 사용될 수도 있다. 이러한 환경적으로 안정한 도체의 예로는 예를 들어 내열성 금속(예를 들어, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈)이 있다. 이하에 더욱 상세히 설명하는 바와 같이, 이러한 전도성 재료는 희생 재료로서도 사용될 수 있다.
도 8a 내지 도 8l은 공동부 및 접속 구조체를 형성하기 위해 전도성 재료의 단일 증착층을 이용하는 장치를 제조하는 방법의 일례를 기술한다. 각 도면은 행방향 전극의 길이를 따른 장치의 단면도(상부 단면도) 및 열방향 전극의 길이를 따른 다른 단면도(하부 단면도)를 나타낸다. 도 8a를 참조하면, 간섭 변조기를 형성하기 위해서, 일 실시예에 있어서의 투명 기판(20)은 ITO로 피복되어 있다. 당업 자라면, 투명 기판(20) 위에 증착되기 전에, 다크 마스크(dark mask)의 층(2)(예를 들어, MoCr)을 증착, 마스킹 및 에칭함으로써 다크 매트릭스 증착(dark matrix deposition)을 수행할 수 있는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이 층은 광학적 간섭에 의해 저반사 구조체를 작성하기 위해 간섭 변조기의 제1전극을 형성하는 ITO 및 MoCr, 그리고 증착된 유전체 재료(4)와 함께 작용한다. 따라서, 이 구조체는 화소의 언스위치된(unswitched) 부분으로부터의 반사를 최소화하는 데 사용될 수 있다. 도 8a에 나타낸 바와 같이, 다크 매트릭스 증착이 수행되는 경우, 이산화 규소(SiO2) 등의 유전체 재료(4)는 ITO가 증착되기 전에 상기 구조체 위쪽에 증착된다.
ITO는 화학적 기상 증착(CVD) 또는 스퍼터링을 비롯한 표준 증착 수법에 의해 증착될 수 있다. MoCr 또는 Cr의 비교적 얇은 층은 바람직하게는 ITO 위쪽에 증착된다. 다음에, ITO 및 MoCr 또는 Cr은 도 8b에 나타낸 바와 같이 광학 적층부(16)의 전극을 형성하기 위해 에칭되어 행방향으로 패터닝된다. 광학 적층부(16)는, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 행방향 전극들과 이어서 증착된 열방향 전극들 사이의 동작 동안 절연을 제공하기 위하여 유전체층(17)(예를 들어, 이산화 규소(SiO2))을 포함한다. 대안적으로는, 이산화 규소는 제조 수순에서 나중에 수행되는 이형 에칭(release etch)으로부터 보호하기 위해 산화 알루미늄(Al2O3) 캡 층(cap layer)으로 피복될 수 있다. 유전체층(17)(예를 들어, SiO2 또는 산화 규소층 및 산화 알루미늄층)은 소정 영역(예를 들어, 도 8d의 (31)을 통해)에서 패터닝 및 에칭되어, 도 8e에 나타낸 바와 같이 희생층(후술하는 바와 같이, 나중에 증착됨)도 형성하는 전도성 재료(또는 전도성 재료층)(60)가 광학 적층부(16)의 ITO와 접촉할 수 있도록 한다.
도 8e에 나타낸 바와 같이, 바람직하게는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 전도성 재료 층(60)은 상기 구조체 위쪽에 증착된다(그리고 나중에 부분적으로 제거된다). 이 재료 층(60)은 전기 접속 구조체의 적어도 일부를 작성하고 또한 광학 적층부(16)의 전극과 이동층(14)(도 8i 내지 도 8l에 대해서 이하에 설명하는 바와 같이 증착될 것임) 사이에 적어도 하나의 공진 광학 공동부(19)(도 8k 및 도 8l)를 형성하는 데 이용된다. 이하에 더욱 상세하게 설명하는 바와 같이, 상기 접속 구조체는 행방향 전극(예를 들어, 광학 적층부(16)의 ITO) 또는 이동층(14) 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두와 함께 어레이 외부의 접촉 패드 상에 회로를 전기 접속한다. 다른 실시예에 있어서, 이 전도성 재료 층(60)은 예를 들어 도핑된 규소, 텅스텐(W) 또는 티탄(Ti)을 포함할 수 있다. 당업자라면 전도성 재료층(60)은 바람직하게는 유전체(17) 및 간섭 변조기의 다른 노출된 금속에 대해서 상대적으로 선택적으로 에칭가능한 것임을 이해할 수 있을 것이다. 대안적으로, 규소는 전도성 재료층(60)으로서 증착될 수 있고, 접속 영역에 있어서 전도성을 위해 도핑된다. 당업자라면 규소가 희생 재료로서 사용될 수 있지만, 바람직하게는 전기 접속/루팅 목적을 위해 도핑되는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 본 실시예와 관련해서 사용되는 바와 같이, "전도성 재료"란 용어는 나중에 제거되는 "희생층"을 형성하는 데 이용되는 재료를 의미하고, 또한, "희생층"을 형성하는 "전도성 재료"의 일부분만 이 이형 에칭시 선택적으로 제거되는 것임을 이해할 수 있을 것이다.
전술한 바와 같이, 간섭 변조기는 투명 기판을 통해 광을 반사하도록 구성되고, 이동층(14)과 같은 이동 부분을 포함한다. 따라서, 이러한 이동 부분을 이동시키기 위해서, 갭 또는 공동부(19)(도 8k에 도시됨)는 바람직하게는 공동부(19)를 작성하기 위한 이미지(또는 "어레이" 또는 "디스플레이") 영역 내에 희생층을 형성하는 전도성 재료층(60)을 선택적으로 제거함으로써 광학 적층부(16)의 전극과 이동층(14) 사이에 작성되며, 이에 대해서는 이하에 더욱 상세히 설명한다. 갭 또는 공동부(19)로 인해, 간섭 변조기의 이동층(14) 등의 기계적 부분이 이동가능하게 된다.
전도성 재료층(60)은 도 8f에 나타낸 바와 같이 바람직하게는 전극(16) 위쪽에 패터닝·에칭된다. 전도성 재료층(60)은 도 8f에 나타낸 바와 같이 상기 장치의 디스플레이 또는 이미지 영역에 있어서 지지 구조체(그의 증착은 후술됨)용의 경유로를 형성하기 위해 패터닝·에칭된다. 동시에, 전도성 재료층(60)은 도 8f에 나타낸 바와 같이 접속부 혹은 루팅부를 형성하기 위해 주변 영역에 패터닝된다.
전도성 재료층(60)을 패터닝 및 에칭한 후, 바람직하게는 이산화 규소(SiO2) 등의 절연 재료로 이루어진 지지층(62)이 도 8g에 나타낸 바와 같이 전체 구조체 위쪽에 증착된다. 다음에, 지지층(62)은 도 8h에 나타낸 바와 같이 패터닝 및 에칭되어 어레이 영역 내에 지지 구조체 혹은 기둥을 형성한다. 당업자라면 지지층(62)의 일부가 루팅/접속 영역 내에서 전도성 재료층(60)을 덮고, 이하에 더욱 상세히 설명하는 이형 에칭으로부터 주변부에 있어서 전도성 재료층(60)을 피복 및 보호하는 보호층으로서 작용하는 것을 이해할 수 있을 것이다. "패드" 부분에 있어서, 지지층(62)이 패터닝되어 도 8h의 왼쪽에 도시된 바와 같이 접촉 개구부를 형성한다. 당업자라면 이들 접촉부는 후술하는 이형 에칭 전 또는 후에 형성될 수 있음을 인지할 수 있을 것이다.
도 8i에 나타낸 바와 같이, 가동 금속층(14)은 전체 구조체 위쪽에 증착되어 간섭 변조기의 이동 전극/기계적 층(14)을 형성한다. 상기 설명한 바와 같이, 예시된 이동층(14)은 알루미늄 위쪽에 니켈로 형성되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 이동층은 알루미늄으로 형성되어 있다. 이 이동층(14)은 광학 적층부(16)의 행방향 전극에 직교하는 열방향으로 증착·패터닝되어 전술한 행/열 어레이를 작성한다. 상기 이동층(14)은 도 8j에 나타낸 바와 같이 패터닝 및 에칭된다. 당업자라면 작은 구멍들(도시 생략)은 바람직하게는 이형 에칭(이미지 또는 디스플레이 영역에서)에 의해 제거될 몰리브덴 전도성 재료층(60)을 포함하는 희생층의 영역에 걸쳐 있는 이동층(14)의 부분에서 에칭되는 것임을 인식할 수 있을 것이다. 상기 이동층(14)은 또한 "패드" 영역 내의 전도성 재료층(60)을 통해 광학 적층부(16)의 ITO에 접촉부를 형성하는 데 이용되는 것임을 이해할 수 있을 것이다.
(이동층(14)의) 알루미늄 내지 (광학 적층부(16)의 전극의) ITO 전기 접속 구조체는 알루미늄과 ITO 사이에 전도성 재료층(60)(예를 들어, 몰리브덴, 텅스텐 또는 탄탈, 또는 적절한 합금) 등의 내열성 금속으로 이루어진 장벽(barrier)을 부가함으로써 안정하고 신뢰성 있게 제작될 수 있다. 전형적으로, 장벽 금속의 두께 는 적어도 40 ㎚이다. 당업자라면 장벽 금속은 간섭 변조기의 광학 적층부(16) 내에서 ITO 위쪽의 Cr 또는 MoCr 층이 전형적으로 단지 약 7㎚ 두께이고 접촉 절삭부(31)(도 8d)를 형성하는 처리 공정 동안 전체적으로 제거될 수도 있기 때문에 바람직한 것임을 이해할 수 있을 것이다. 그대로 잔존하더라도, 너무 두꺼우면 적절한 장기간 신뢰성을 제공할 수 없게 된다. 당업자라면 장벽을 형성하는 이 내열성 금속 재료는 또한 이하에 더욱 상세히 설명하는 바와 같이 희생층뿐만 아니라 전기 접속부를 위해 사용될 수 있는 것임을 인식할 수 있을 것이다.
희생층(60)의 노광 영역은 이형 에칭 시 제거되고, 이동층(14)이 형성된 후, 도 8k에 나타낸 바와 같이 디스플레이 또는 이미지 영역 내에서 광학 적층부(16)의 상기 고정된 전극과 이동층(14) 사이에 광학 공동부(19)를 작성한다. 표준 이형 기술이 희생층(60)을 제거하는 데 이용될 수도 있다. 특수한 이형 기술은 제거될 재료에 따라 좌우될 것이다. 예를 들어, 이불화 제논(XeF2)은 몰리브덴(도시됨), 텅스텐 또는 규소 희생층을 제거하는 데 이용될 수도 있다.
예컨대 몰리브덴 등의 전도성 재료로 이루어진 층(60)은 이미지 영역 바로 외부의 이동층(14)과 광학 적층부(16)의 전극 사이에서 장벽층으로서 역할할 뿐만 아니라 전기 접속부로서 제공된다. 부가적으로, 예시된 이동층(14)의 하부의 반사성 알루미늄층은 예시된 광학 적층부(16)의 ITO와의 불량하고 신뢰할 수 없는 전기 접촉부를 형성하고, 예시된 희생 재료(60)(몰리브덴)는 접촉 저항과 신뢰성의 양쪽 모두를 향상시킨다. 몰리브덴은 절단 에지를 통한 전기 접촉부용으로 이용될 수도 있고, 또한 내부식성이 충분하여 상기 에지에서 노출된 채로 있을 수도 있다. 전도성 재료층(60)은 바람직하게는 약 150 내지 200 ㎚이고, 낮은 시트 저항, 바람직하게는 이동층(14)의 시트 저항과 같거나 낮은 시트 저항을 가진다.
본 실시예에 따르면, 당업자라면 몰리브덴 주변 루팅부/접속부(60)가 바람직하게는 전술한 바와 같이 광학 공동부(19)를 형성하기 위해 이형 에칭으로부터 피복 및 보호되어 있는 것임을 인식할 수 있을 것이다. 몰리브덴 주변 루팅부(60)를 이형 에칭으로부터 보호하기 위해, 적절한 재료(예를 들어, 이산화 규소 또는 질화 규소)가 지지 구조체(62)를 위해 사용되고, 몰리브덴 주변 루팅부(60)를 이형 에칭으로부터 보호하기 위해 동시에 패터닝된다. 도 8k에 나타낸 바와 같이, 몰리브덴 주변 루팅부(60)(즉, 접속 및 패드 영역 내)는 이동층(14)과 지지 구조체 재료(62)의 부분에 의해 피복되어 있으므로 이형 에칭으로부터 보호된다. 당업자라면 이형 에칭제는 지지 구조체 재료(62)와 이동층(14)이 이형 에칭에 의해 제거되지 않도록 선택적으로 채택되는 것임을 인식할 수 있을 것이다. 도 8k에 나타낸 바와 같이, 몰리브덴(60)은 주변 루팅부/접속부를 형성하기 위해 피복되어 있는 영역에서 잔류하고, 디스플레이 또는 이미지 영역 내에서 노출되는 광학 공동부(19)를 형성하도록 에칭된다. 예시된 실시예에 있어서, 접속부/루팅부의 몰리브덴 층(60)의 두께는 접속부/루팅부 및 희생층이 전도성 재료(60)의 단일 증착층으로부터 형성됨에 따라 광학 공동부(19)의 높이에 일부 대응을 가지는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 그러나, 공동부 높이는 지지 구조체(62)에 의해 영향받는 런치 각도(launch angle)에 의해 부가된 추가의 높이 등의 고려 사항으로 인해 상기 접속부 내의 몰 리브덴(60)의 두께와 동일하지 않게 될 것이다.
당업자라면 지지 구조체 재료(62) 내의 임의의 핀-홀은 이형 에칭 동안 루팅부/접속부의 몰리브덴(60)의 에칭을 초래할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 루팅부/접속부의 몰리브덴(60)의 에칭 가능성을 줄이기 위해서, 지지 구조체 재료(62)는 핀홀 형성을 최소화하도록 두껍게 작성될 수 있다. 대안적으로, 다른 실시예에 있어서, 무기 재료의 지지 구조체(62)는 그 사이에 적절한 세정 단계를 가진 두 단계로 증착될 수도 있다. 본 실시예에 있어서의 두 층은 함께 패터닝된다. 당업자라면, 본 실시예에 있어서, 두 층 내의 임의의 핀 홀이 일치하거나 정렬되지 않을 수도 있으므로, 이형 에칭 동안 루팅부/접속부의 몰리브덴(60)이 에칭될 위험성을 최소화하는 것임을 인식할 수 있을 것이다. 또 다른 실시예에 있어서, 다른 층은 루팅부/접속부의 몰리브덴(60) 위쪽에서 별도로 증착·패터닝되어서 지지층(62) 대신에 주변 영역에 있어서 이형 에칭으로부터 추가의 보호를 제공할 수도 있다.
이형 에칭 후, 뒤판(80)은 시일(90)을 사용해서 투명 기판(20)에 시일링되어 간섭 변조기의 디스플레이 영역을 보호한다. 도 8l에 나타낸 바와 같이, 시일(90)은 몰리브덴 주변 루팅부/접속부(60)의 영역 내에 있고, 전도성 재료(60)는 시일(90) 하에 뻗어, 행/열 방향 드라이버가 장착되는 "패드" 영역 내에 접촉 패드로 된다. 당업자라면 이동층(14)으로부터 전도성 재료(60)로 그리고 전도성 재료(60)로부터 광학 적층부(16)의 ITO로의 접촉부들이 뒤판(80) 아래의 어레이의 시일링 영역에 있음을 인식할 수 있을 것이다.
상기 뒤판(80)은 환경 중에서 유해한 요소들로부터 MEMS 장치를 보호한다. 마찬가지로, 시일(90)은 바람직하게는 수증기 및 기타 오염물이 패키지에 진입하여 MEMS 장치를 손상시키는 것을 방지하기에 충분한 장벽을 제공한다. 당업자라면 투명 기판(20)이 박막을 가질 수 있는 소정의 투명한 물질일 수 있고, 그 위에 MEMS 장치가 설치되는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 이러한 투명한 물질로는 유리, 플라스틱 및 투명 폴리머 등을 들 수 있지만 이들로 제한되는 것은 아니다. 이미지는 상기 투명 기판(20)을 통해 표시된다.
도 9는 전술한 바와 같이 예컨대 몰리브덴 등의 희생 재료로 이루어진 접속부/루팅부를 가진 간섭 변조기의 일 실시예의 광학 적층부(16)로 패터닝된 행방향의 길이를 따른 단면도 및 상기 일 실시예의 평면도를 나타내고 있다. 절단선(95)은 도 9에 표시되어 있다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 광학 적층부(16) 및 이동층(14)은 절단선(95)을 교차하지 않으므로, 해당 절단선(95)에서 노출되지 않는다. 시일(90) 외부로 뻗는 몰리브덴 접속부/루팅부(60)는 절단선(95)을 교차한다. 비교를 위해, 도 10은 이동층(14) 및 광학 적층부(16)의 전극이 루팅부/접속부를 형성하는 간섭 변조기의 일 실시예의 미러층(14)으로 패터닝된 열방향의 길이를 따른 단면도 및 상기 일 실시예의 평면도를 나타낸다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 광학 적층부(16)의 전극은 절단선(95)을 교차하므로 노출된다. 유리하게는, 도 9의 노출된 내열성 금속 접속부(60)는 도 10의 노출된 광학 적층부(16)보다 노출에 더욱 잘 견딘다. 명확하게 하기 위해 도 9 및 도 10의 평면도에 있어서, 뒤판(80) 및 지지 구조체 재료(62) 등의 소정의 특징부들은 도시되어 있지 않음을 이해할 수 있 을 것이다.
도 11a 내지 도 11k는 공동부 및 접속 구조체를 형성하기 위해 전도성 재료의 단일 증착층을 이용하는 장치를 제조하는 기타 예시적인 공정을 설명한다. 각 도면은 행방향 전극의 길이를 따른 장치의 단면도(상부 단면도) 및 열방향 전극의 길이를 다른 다른 단면도(하부 단면도)를 예시하고 있다. 본 실시예에 따르면, 광학 적층부(16)의 절연층은 전도성 재료(60)의 증착 전에 패터닝·에칭되지 않는다. 도 11a에 나타낸 바와 같이, 다크 매트릭스(2) 형성은 바람직하게는 다크 마스크의 층(예를 들어, MoCr)을 증착, 마스킹 및 에칭함으로써 수행되어, 투명 기판(20) 위쪽의 화소의 언스위치된 부분으로부터의 반사를 최소화한다. 다크 매트릭스 증착은 (광학 적층부(16)의) ITO 층이 증착되기 전에 상기 구조체 위쪽에 예컨대 이산화 규소 (SiO2) 등의 유전체 재료(4)를 증착하는 단계를 포함한다.
비교적 얇은 MoCr 또는 Cr층이 바람직하게는 ITO 위쪽에 증착된다. 다음에, ITO 및 MoCr 또는 Cr은 도 11b에 나타낸 바와 같이 광학 적층부(16)의 전극을 형성하기 위해 행방향으로 에칭·패터닝된다. 바람직하게는 이산화 규소(SiO2)로 형성된 유전체층(17)은 바람직하게는 도 11c에 나타낸 바와 같이 상기 구조체 위쪽에 형성된다. 대안적으로, 이산화 규소는 후속의 이형 에칭으로부터 이산화 규소를 보호하는 산화 알루미늄(Al2O3) 캡 층 또는 유사한 정지 층으로 피복될 수도 있다. 본 실시예에 따르면, 유전체층(17)은 희생층(60)이 증착되기 전에 패터닝되지 않으므로, 처리 흐름으로부터 하나의 마스킹 단계 및 하나의 에칭 공정을 생략할 수 있 다.
도 11d에 나타낸 바와 같이, 바람직하게는 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 전도성 재료층(60)이 광학 적층부(16)의 전극과 이동층(14)(후술하는 바와 같이 증착될) 사이에 접속 구조체를 작성할 뿐만 아니라 공진 광학 공동부(19)(도 11j 및 도 11k 참조)를 작성하기 위해 상기 구조체 위쪽에 증착된다(그리고 몇몇 개소로부터 나중에 제거된다). 또, 도 11d에 나타낸 바와 같이, 반사 재료 층(61)(예를 들어, 알루미늄)은 전도층(60) 위쪽에 증착된다.
전도층(60)과 반사층(61)은 바람직하게는 도 11e에 나타낸 바와 같이 전극(16) 위쪽에서 패터닝·에칭된다. 또, 전도층(60)과 반사층(61)은 장치의 이미지 또는 디스플레이 영역 내에 지지 구조체(그의 증착은 후술함)를 위한 경유로를 형성하기 위해 함께 패터닝·에칭된다. 전도성 재료(60)는 바람직하게는 도 11e에 나타낸 바와 같이 접속부 및 루팅부를 형성하기 위해 패턴 내의 주변 영역에 남아 있다. 전도층(60) 및 반사층(61)의 에지는 정렬된 것으로 도시되어 있지만, 이들은 반드시 정렬되어 있을 필요가 없음을 이해할 수 있을 것이다. 당업자라면 다른 전도층이 접속 영역 내에서 전도층(60) 및 반사층(61)의 적층부에 부가될 수도 있고, 또 이러한 전도층의 각종 조합이 이용될 수 있음도 이해할 수 있을 것이다.
예시된 실시예에 있어서, 전도성 재료(60)와 반사층(61)의 양쪽 모두는 동시에 패터닝·에칭된다. 그러나, 본 실시예에 있어서, 유전체층(17)은 희생 재료의 증착 전에 패터닝·에칭되지 않기 때문에, 전도층(60)과 광학 적층부(16)의 ITO 사이에 직접 접속은 없다.
전도층(60)과 반사층(61)의 패터닝 및 에칭 후, 바람직하게는 이산화 규소(SiO2) 또는 질화 규소로 이루어진 유전체층(62)이 도 11f에 나타낸 바와 같이 전체 구조체 위쪽에 증착된다. 다음에, 상기 유전체층(62)은 도 11g에 나타낸 바와 같이 지지 구조체 혹은 기둥을 형성하기 위해 또한 접촉 절삭부(31)를 작성하기 위해 패터닝·에칭된다. 당업자라면 SiO2 유전체(62)의 일부가 루팅/접속 영역 내에서 Mo 전도성 재료(60) 및 반사층(61)을 피복하는 것을 인식할 수 있을 것이다. 유전체(62)와 상부면 반사층(61)의 조합은 이하에 상세히 설명하는 후속의 이형 에칭 동안 Mo 접속 재료를 보호하는 역할을 한다.
도 11h에 나타낸 바와 같이, 이동 또는 기계적 층(14)은 전체 구조체 위쪽에 증착된다. 본 실시예에 따르면, 이동층(14)은 바람직하게는 니켈로 형성되어 있다. 이 이동층(14)은 광학 적층부(16)의 전극에 직교하는 열방향으로 증착·패터닝되어 전술한 행/열 어레이를 작성한다. 상기 이동층(14)은 도 11i에 도시한 바와 같이 패터닝·에칭된다. 도 11j의 상부에 도시된 바와 같이, 이동층(14)의 부분은 전도성 재료(60)에 의해 형성된 접속부에 광학 적층부(16)의 행방향 전극을 연결하는 역할을 한다.
전도성 재료(60)를 포함하는 희생층은 이형 에칭 시 제거되고, 바람직하게는 이동층(14)이 형성된 후, 도 11j에 나타낸 바와 같이 디스플레이 영역 내에서 상기 고정된 광학 적층부(16)의 전극과 이동층(14) 사이에 광학 공동부(19)를 작성한다. 전술한 바와 같이, 표준 이형 기술은 이미지 영역 내에서 희생층(60)을 제거하는 데 사용될 수도 있다.
이형 에칭이 수행될 경우, 희생층을 형성하는 전도성 재료(60)는 화소(이미지 또는 디스플레이 영역)에서 공동부(19)를 형성하기 위해 제거되지만, 바람직한 반사층(61)의 알루미늄은 잔존한다. 루팅/접속 영역에 있어서, 알루미늄 반사층(61)도 전도성 재료(60) 위쪽에 잔존하여, 이형 에칭으로부터 보호되어 루팅부/접속부를 형성한다. 도 11j에 나타낸 바와 같이, 루팅/접속 영역 내의 전도성 재료(60)는 지지 구조체 재료(62) 및 알루미늄 반사층(61)의 일부분에 의해 피복된다. 당업자라면 반사층(61)의 알루미늄도 루팅/접속 영역에 있어서 몰리브덴 라인 상에 보다 높은 전도성 스트랩을 제공함으로써, 접속 내성을 낮추는 것을 인식할 수 있을 것이다. 본 실시예에 있어서, 광학 적층부(16)의 전극에의 전기 전도도는 바람직하게는 니켈로 이루어진 이동 금속층(14)에 의해 제공된다. 본 실시예에 있어서, 몰리브덴 접속 재료(60)의 상부면은 알루미늄 층과 유전체 지지 구조체 재료의 양쪽 모두에 의해 보호된다. 몰리브덴 접속부의 측벽은 유전체 지지 구조체 재료 단독에 의해 보호된다.
본 실시예에 따르면, 당업자라면 몰리브덴 주변 루팅부/접속부(60)는 전술한 바와 같이 바람직하게는 피복되어 광학 공동부(19)를 형성하기 위한 이형 에칭으로부터 보호되는 것을 알 수 있을 것이다. 몰리브덴 주변 루팅부(60)를 이형 에칭으로부터 보호하기 위해서, 무기 재료(예를 들어, 이산화 규소 또는 질화 규소)는 바람직하게는 몰리브덴 주변 루팅부(60)가 이형 에칭으로부터 보호되도록 지지 구조체(62)에 이용된다. 도 11i에 나타낸 바와 같이, 몰리브덴 주변 루팅부(60)는 무 기 재료의 지지 구조체(62) 및 이동층(14)의 일부분에 의해 피복되므로, 이형 에칭으로부터 보호된다. 당업자라면 무기 재료의 지지 구조체(62) 및 이동층(14)이 이형 에칭에 의해 제거되지 않을 것임을 인식할 수 있을 것이다. 도 11j에 나타낸 바와 같이, 몰리브덴(60)은 주변 루팅부/접속부를 형성하기 위해 피복되어 있는 영역에 있어서 남아 있고, 디스플레이 영역에 노출되는 광학 공동부(19)를 형성하기 위해 에칭된다. 당업자라면, 기술된 제1실시예에 비해서 본 실시예에서는 유전체층(17)의 마스킹 및 패터닝 단계(도 8d에 나타낸 바와 같이)는 생략되는 것을 이해할 수 있을 것이다.
이형 에칭 후, 뒤판(80)은 바람직하게는 시일(90)을 이용해서 투명 기판(20)에 시일링되고, 바람직하게는 밀폐되어, 간섭 변조기의 이미지 혹은 디스플레이 영역을 더욱 보호한다. 도 11k에 나타낸 바와 같이, 시일(90)은 몰리브덴 주변 루팅부/접속부(60)의 영역에 있다. 상기 뒤판(80) 및 시일(90)은 환경 내 유해한 요소들로부터 간섭 변조기를 보호한다.
전술한 바와 같이, MEMS 장치, 특히 간섭 변조기의 소정의 실시예는 기계 또는 변형층(예를 들어, 도 7c 내지 도 7e)으로부터 부분적으로 분리된 반사층을 포함하는 이동층을 포함한다. 이하, 다른 예시적인 방법에 대해 도 12a 내지 도 12i를 참조해서 설명한다. 도 12a 내지 도 12i는 장치의 행방향 전극의 단면도를 나타내는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 본 실시예에 따르면, 주변 루팅부/접속부는 MEMS 장치 내에 이동층 중의 반사층(예를 들어, 알루미늄 미러) 등과 같은 전도층을 형성하는 데 이용되는 동일한 재료로부터 형성된다.
도 12a에 나타낸 바와 같이, 반사층(90)은 주변 접속 영역 내, 그리고 이미지 영역에 있어서의 패터닝 희생층(82) 위쪽에 증착된다. 도 12a에 예시한 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 희생층(82)은 이미지(또는 "어레이" 또는 "디스플레이") 영역에만 잔류하도록 패터닝된다. 희생 재료(82)는 바람직하게는 광학 적층부(16) 위쪽에서 증착(및 나중에 선택적으로 제거)되어, 광학 적층부(16)와 이하에 상세히 설명하는 바와 같이 증착될 이동층 사이에 공진 광학 공동부(19)(도 12i)를 규정하는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 또, 희생층(82)은 증착되고 나서 패터닝되는 다수의 층을 포함할 수 있으므로, RGB 디스플레이 시스템용의 적색, 녹색 및 청색 등의 다수의 상이한 색을 생성하도록 다수의 두께를 가진 희생층(82)을 형성하는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 도 12a에 나타낸 바와 같이, 희생층(82)은 다양한 두께를 가진다. 당업자라면 이들 다양한 두께는 후술하는 바와 같이 희생층(82)이 제거될 경우 형성되는 공동부(19)(도 12i)의 다양한 높이에 대응하는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 3개의 상이한 높이를 형성하는 과정에 있어서, 희생층의 3개의 예시된 부분의 가장 얇은 곳은 단일의 증착층으로부터 형성되고; 중간 두께는 2회의 증착으로부터 형성되며; 가장 두꺼운 부분은 3회의 증착으로부터 형성된다. 에칭 정지 층은 증착 사이에 광학적으로 개입될 수 있다. 예시적인 실시예에 있어서, 가장 큰 높이를 가진 공동부(가장 두꺼운 두께를 가진 희생층에 의해 형성됨)를 지닌 변조기는 적색 광을 반사하고, 중간 높이를 가진 공동부(중간 높이를 가진 희생층에 의해 형성됨)를 지닌 변조기는 녹색 광을 반사하며, 가장 작은 높이를 가진 공동부(가장 적은 두께를 가진 희생층에 의해 형성됨)를 지닌 변조기 는 청색 광을 반사한다.
단, 희생층(82)은 광학 적층부(16) 등의 하부 구조에 있어서의 파상부(undulation)(도시 생략)의 결과로서 도시한 바와 같은 파상부를 지닐 수도 있다. 광학 적층부(16)는 도면에서 단지 개략적으로 표시되어 있다.
반사층(90)은 바람직하게는 알루미늄 또는 알루미늄 합금 등의 전도성 재료로 형성된다. 소정의 실시예에 따르면, 반사층(90)은 단일의 반사 재료층을 포함한다. 다른 실시예에 있어서, 반사층(90)은 얇은 반사 재료층을 포함하고, 그 얇은 반사 재료층 위에는 더욱 강성의 재료 층(도시 생략)이 놓일 수 있다. 본 실시예의 반사층은 이미지 영역 내에 있어서 위에 있는 기계적 층(도 12i)으로부터 부분적으로 분리될 것이기 때문에, 상기 반사층(90)은 바람직하게는 부분적으로 분리된 경우에도 광학 적층부(16)에 대해서 실질적으로 평탄한 위치에 잔류하도록 충분히 강성을 가지며, 광학 적층부로부터 떨어져서 위치된 반사층의 측면 상에 강직성 층(stiffening layer)을 포함하는 것은 원하는 강성을 제공하는 데 이용될 수 있다.
도 12b에 있어서, 도 12a의 반사층(90)은 패터닝되어, 이미지 영역 내에 패터닝된 미러층(200)을 형성한다. 동시에, 반사층(90)은 디스플레이의 주변부에 있어서 접속 혹은 루팅부(202)를 형성하도록 주변 접속 영역에서 패터닝되며, 이때 접속부는 어레이 외부의 회로와 어레이 내부의 전극 사이에 위치된다.
도 12c에 예시한 바와 같이, 제2희생층(196)은 전체 구조체 위쪽에, 이미지 영역 내의 패터닝된 미러층(200)뿐만 아니라 접속부(202) 위쪽의 양쪽 모두에 증착 된다. 바람직하게는, 제2희생층(196)은 제1희생층(82)과 동일한 재료로 형성되거나, 또는 대안적으로는, 제1희생층(82)과 동일한 에칭액에 의해 주변 재료에 대해서 선택적으로 에칭될 수 있다. 본 명세서에서 "제2" 희생층(196)으로서 지칭되고 있으나, 사실상 3개의 공동부 높이를 규정하도록 3회의 증착을 이용하는 것에 의해 희생 재료의 4회째의 증착을 나타낼 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 12d에 있어서, 제2희생층(196)이 패터닝된다. 접속 영역에 있어서, 제2희생층(196)은 접속부(202)의 일부분 위쪽에 잔류한다. 도 12d에 나타낸 바와 같이, 테이퍼링된 개구부(86)가 형성되고, 제2희생층(196)과 제1희생층(82)의 양쪽 모두를 통해서 연장됨으로써, 희생층(196), (82)을 패터닝한다.
도 12e에 나타낸 바와 같이, 기둥형상 산화물 재료(210)는 전체 구조체 위쪽에 증착된다. 기둥형상 산화물 재료(210)는 바람직하게는 무기 재료(예를 들어, SiO2)를 포함하는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 도 12f에 나타낸 바와 같이, 이 기둥형상 산화물 재료(210)는 이어서 패터닝되어 이미지 또는 디스플레이 영역 내에서 장치 용의 지지부(18)를 형성한다. 또, 개구부(208)가 패터닝된 미러층(200) 위에 놓인 제2희생층(196)의 일부분에 형성되어, 패터닝된 미러층(200)의 적어 일부를 노출시키는 것은 도 12f로부터도 알 수 있다. 접속 영역에 있어서, 기둥형상 산화물 재료(210)는 패터닝되어, 후술하는 바와 같이 접촉부를 형성하도록 접속부(202)의 일부분을 노출시킨다. 당업자라면 기둥형상 산화물 재료(210)는 또한 패터닝되어 접속부/루팅부(202)를 패시베이션시킬 수 있음을 인지할 수 있을 것이 다.
도 12g에 나타낸 바와 같이, 기계적 층(92)이 상기 패터닝된 기둥형상 산화물 재료(210) 위에 증착되고, 패터닝된 미러층(200)의 일부를 노출시킨다. 바람직한 실시예에 따르면, 기계적 층(92)은 니켈로 형성된다. 특히, 기계적 층(92)은 개구부(208)(도 12f)를 적어도 일부 충전하므로, 기계적 층(92)과 패터닝된 미러층(200)을 접속하는 접속기 부분(204)이 형성되는 것을 알 수 있다. 도 12g에 나타낸 바와 같이, 기계적 층(92)은 기둥형상 산화물 재료(210)가 제거되는 노출된 영역에서 접속 영역 내의 접속부(202)를 접촉시킨다(도 12f). 도 12h에 나타낸 바와 같이, 기계적 층(92)은 이어서 패터닝되어 전술한 바와 같은 열방향 전극을 형성한다. 당업자라면 작은 구멍(도시 생략)은 바람직하게는 기계적 층(92)에 있어서 에칭되어, 희생층(82), (196)을 후술하는 이형 에칭제를 이용한 이형 에칭에 의해 제거시킬 수 있음을 인지할 수 있을 것이다.
도 12i에 있어서, 이형 에칭은 제1희생층(82)과 제2희생층(196)의 양쪽 모두를 제거하도록 수행됨으로써, 패터닝된 미러층(200)과 광학 적층부(16) 사이에 광학 갭 혹은 공동부(19)를 형성한다. 이와 같이 해서, 패터닝된 미러층(200)이 매달린 기계적 층(92)을 구비한 이동층을 포함하는 광학 MEMS 장치가 형성되고, 여기서 패터닝된 미러층(200)은 기계적 층(92)으로부터 부분적으로 분리된다. 기둥형상 산화물 재료(210)는 이형 에칭으로부터 접속부/루팅부(202)를 보호하는 것을 도 12i에 있어서 알 수 있다. 예시된 실시예에 있어서, 접속부/루팅부(202)의 몰리브덴층(60)의 두께는, 접속부/루팅부(202) 및 패터닝된 미러층(200)이 단일의 증착된 반사층(90)으로부터 형성되므로, 패터닝된 미러층(200)의 두께에 일부 대응성을 가지는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 이 MEMS 장치도 전기 접속부/루팅부(202)를 포함하고, 이것은 반사층(20)을 패터닝함으로써 형성된 어레이 내의 전극과 함께 어레이 외부의 회로를 전기 접속한다. 본 실시예에 있어서, 패터닝된 미러층(200)을 형성하는 데 이용되는 동일한 재료는 전기 접속부/루팅부(202)를 형성하는 데 이용되는 것임을 이해할 수 있을 것이다. 이 광학 MEMS 장치는 예를 들어 도 7c 및 본 출원의 어느 곳에선가 설명된 것과 같은 간섭 변조기일 수도 있다. 당업자라면, 비광학적 MEMS 장치에 있어서, 매달린 상부 전극은 반드시 반사성일 필요가 없는 것임을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에 기재된 실시예에 있어서, 전도성 재료는 광학 적층부의 전극과 상부 전극 형성부의 기계적 층 사이에 증착되고, 전도성 재료의 동일 층이 전기 접속부 또는 루팅부에 사용되는 것도 이해할 수 있을 것이다. 일 실시예에 있어서, 전기 접속부/루팅부는 이동층 또는 반사 미러와 동일한 재료로 형성된다. 다른 실시예에 있어서, 전기 접속부/루팅부는 장치 내에 광학 공동부를 작성하는 데 사용되는 희생층의 하나와 동일한 재료로 형성된다. 단, 도 12a 내지 도 12i의 실시예는 미러 증착 대신에 접속부 형성 또는 스트랩핑에 이용될 수 있는 4회의 가능한 희생층 증착을 예시한다.
앞서의 상세한 설명에서는 다양한 실시예들에 적용된 본 발명의 신규한 특징들을 제시하여 설명하고 나타내었지만, 예시된 장치 또는 방법의 형태 및 상세 사항에 있어서 다양한 생략, 대체 및 변경이 본 발명의 사상을 벗어나는 일없이 당업 자들에 의해 행해질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 발명은, 일부 특징들이 다른 특징들과 별도로 사용되거나 실시될 수도 있는 바와 같이, 본 명세서에서 설명한 특징들 및 이익들을 모두 제공하지 않는 형태 내에서 구현될 수도 있다는 것을 인지할 수 있을 것이다.

Claims (45)

  1. 전극;
    이동층;
    상기 이동층 위에 있는 기계적 층(mechanical layer);
    상기 전극과 상기 기계적 층 사이에 있는 전도층; 및
    상기 전극과 상기 이동층 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 있는 전기 접속부를 포함하되,
    상기 전기 접속부의 적어도 일부와 상기 전도층은 동일한 재료로 형성되어 있는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극과 상기 이동층 사이에 공동부를 더 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전도층은 상기 공동부를 작성하는 데 이용되는 희생층인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전기 접속부는 몰리브덴, 도핑된 규소, 텅스텐 및 티탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 형성된 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 희생 재료는 상기 이동층과 상기 전극 사이에 접촉부를 형성하는 재료로 이루어져 있는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전도층은 상기 이동층인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 이동층은 알루미늄을 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 장치는 간섭 변조기(interferometric modulator)인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 이동층은 상기 기계적 층으로부터 매달린 반사층인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 전기 접속부와 상기 전도층 사이에 보호 재료가 있고, 상기 전도층 및 상기 전기 접속부의 적어도 일부를 형성하는 재료는 상기 보호 재료에 대해서 선택적으로 에칭가능한 것인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    디스플레이;
    상기 디스플레이와 전기 통신되고, 이미지 데이터를 처리하도록 구성된 프로세서; 및
    상기 프로세서와 전기 통신되는 메모리 장치를 더 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 디스플레이에 하나 이상의 신호를 보내도록 구성된 드라이버 회로를 더 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 이미지 데이터의 적어도 일부를 상기 드라이버 회로로 보내도록 구성된 제어기를 더 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 이미지 데이터를 상기 프로세서에 보내도록 구성된 이미지 소스 모듈을 더 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 이미지 소스 모듈은 수신기, 트랜스시버(transceiver) 및 송신기 중 하나 이상을 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  16. 제11항에 있어서, 상기 입력 데이터를 수신해서 해당 입력 데이터를 상기 프로세서에 전달하는 입력 장치를 더 포함하는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  17. 전극을 제공하는 단계;
    상기 전극 위에 전도층을 형성하는 단계;
    장치 내의 상기 전극 및 제2전극 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부의 적어도 일부를 형성하기 위해 상기 전도층을 패터닝하는 단계; 및
    상기 전도층의 패터닝 후에 상기 전도층 위에 기계적 층을 형성하는 단계를 포함하는, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2전극은 이동층인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 전도층은 이동층인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 전도층은 알루미늄을 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 전도층은 몰리브덴, 도핑된 규소, 텅스텐 및 티탄으 로 이루어진 군으로부터 선택된 재료를 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 전도층을 패터닝한 후 상기 전극과 상기 기계적 층 사이에 공동부를 작성하는 단계를 더 포함하는, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 공동부를 작성하는 단계는 상기 전도층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 전도층을 선택적으로 제거하기 위해 이불화 제논(xenon difluoride)을 이용하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 공동부를 작성하는 동안 상기 전기 접속부를 에칭으로부터 보호하기 위해 상기 전도층을 패터닝한 후 보호 재료를 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 전도층은 보호 재료에 관하여 선택적으로 에칭될 수 있는 것인 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  26. 제17항에 있어서, 상기 장치는 간섭 변조기인 마이크로 전자 기계 시스템 장 치의 형성방법.
  27. 기판 위에 형성된 전극을 제공하는 단계;
    상기 전극 위에 이동층을 형성하는 단계;
    상기 이동층 위에 기계적 층을 형성하는 단계; 및
    상기 전극과 상기 기계적 층 사이에 전도층을 증착시키는 단계를 포함하되,
    상기 전도층의 일부는 상기 전극 및 이동층 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부의 적어도 일부를 형성하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 장치는 간섭 변조기인 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  29. 제27항에 있어서, 상기 장치 내에 적어도 하나의 공동부를 작성하기 위해 상기 전도층을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  30. 제27항에 있어서, 상기 전기 접속부를 형성하는 단계는 상기 전도층을 패터닝하는 단계를 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  31. 제27항에 있어서, 상기 전도층의 일부는 상기 이동층을 형성하되, 상기 이동층은 알루미늄을 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  32. 제27항에 있어서, 상기 전도층은 몰리브덴, 도핑된 규소, 텅스텐 및 티탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료를 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  33. 제27항에 있어서, 전기 접속부를 형성하는 단계는 실리콘을 포함하는 층을 증착하는 단계; 및 상기 전기 접속부를 형성하기 위하여 상기 실리콘을 도핑하는 단계를 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  34. 전극;
    이동층;
    상기 이동층 위에 있는 기계적 층;
    상기 전극과 상기 이동층 사이에 있는 공동부; 및
    상기 전극 및 상기 이동층 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 있는 전기 접속부를 포함하되, 상기 이동층과 상기 전기 접속부의 적어도 일부는 동일한 재료로 형성되어 있는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 전기 접속부의 적어도 일부 및 상기 이동층을 형성하 는 데 이용되는 재료는 알루미늄을 포함하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  36. 제34항에 있어서, 상기 이동층은 상기 전극에 직교하는 행방향으로 형성된 것인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  37. 제34항에 있어서, 상기 장치는 간섭 변조기인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  38. 제34항에 있어서, 상기 전극은 인듐 주석 산화물을 포함하는 것인 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  39. 제34항에 있어서, 상기 이동층은 상기 기계적 층으로부터 매달려 있는 마이크로 전자 기계 시스템 장치.
  40. 전극을 제공하는 단계;
    상기 전극 위에 전도성 재료를 증착시키는 단계;
    상기 전도층 위에 이동층을 형성하는 단계;
    상기 이동층 위에 기계적 층을 증착시키는 단계; 및
    상기 기계적 층을 증착시킨 후 공동부를 형성하기 위해 상기 전도성 재료를 선택적으로 제거하는 단계를 포함하되,
    상기 전도성 재료는 상기 전극과 상기 이동층 중 적어도 하나와 장치 외부의 회로 사이에 전기 접속부의 적어도 일부를 형성하는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  41. 제40항에 있어서, 상기 장치는 간섭 변조기인 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  42. 제40항에 있어서, 상기 전도성 재료는 몰리브덴, 도핑된 규소, 텅스텐 및 티탄으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  43. 제40항에 있어서, 상기 전도성 재료는 이불화 제논에 의해 선택적으로 제거되는 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  44. 제40항에 있어서, 상기 전극을 제공하는 단계는 투명 기판 위에 상기 전극을 행방향으로 형성하는 단계를 포함하고, 상기 이동층을 형성하는 단계는 상기 행방향에 직교하는 열방향으로 상기 이동층을 형성하는 것인 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
  45. 제40항에 있어서, 상기 이동층을 형성하기 전에 보호 재료를 증착시키는 단계를 더 포함하고, 상기 전도성 재료는 상기 보호 재료에 대해 선택적으로 에칭가능한 것인, 마이크로 전자 기계 시스템 장치의 형성방법.
KR1020087010045A 2005-09-30 2006-09-29 Ｍｅｍｓ 장치 및 해당 장치용의 접속부 KR20080068821A (ko)

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