KR20080057374A - 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 - Google Patents
실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20080057374A KR20080057374A KR1020060130540A KR20060130540A KR20080057374A KR 20080057374 A KR20080057374 A KR 20080057374A KR 1020060130540 A KR1020060130540 A KR 1020060130540A KR 20060130540 A KR20060130540 A KR 20060130540A KR 20080057374 A KR20080057374 A KR 20080057374A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon wafer
- oxide film
- cleaning
- ozone
- present
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
Abstract
Description
Claims (7)
- 수산화암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수(H2O)를 포함하는 SC-1 용액을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면을 세정하는 단계;염산(HCl), 과산화수소(H2O2) 및 탈이온수(H2O)를 포함하는 SC-2 용액을 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면을 세정하는 단계; 및오존수를 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면을 세정하는 단계를 포함하여,상기 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오존수에 의해 상기 산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 1ppm ~ 20ppm의 범위 내의 오존 농도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 100Å 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막의 두께는 30Å 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 오존수를 이용한 단계는 10∼30℃ 내에서 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 10초∼10분 내로 상기 실리콘 웨이퍼를 상기 오존수에 담가 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060130540A KR100841994B1 (ko) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060130540A KR100841994B1 (ko) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080057374A true KR20080057374A (ko) | 2008-06-25 |
KR100841994B1 KR100841994B1 (ko) | 2008-06-27 |
Family
ID=39803156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060130540A KR100841994B1 (ko) | 2006-12-20 | 2006-12-20 | 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100841994B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160145600A (ko) * | 2014-04-24 | 2016-12-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 soi 웨이퍼의 제조방법 |
KR20200036220A (ko) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
CN112204712A (zh) * | 2018-05-29 | 2021-01-08 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的清洗方法 |
US11646209B2 (en) | 2020-09-22 | 2023-05-09 | Senic Inc. | Method of cleaning wafer and wafer with reduced impurities |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3575859B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置 |
KR0161851B1 (ko) * | 1995-12-05 | 1999-02-01 | 문정환 | 산화막 형성방법 |
JPH11233476A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の処理方法 |
KR20030052817A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 게이트 산화막 전처리 방법 |
-
2006
- 2006-12-20 KR KR1020060130540A patent/KR100841994B1/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160145600A (ko) * | 2014-04-24 | 2016-12-20 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 soi 웨이퍼의 제조방법 |
CN112204712A (zh) * | 2018-05-29 | 2021-01-08 | 信越半导体株式会社 | 硅晶圆的清洗方法 |
KR20200036220A (ko) * | 2018-09-28 | 2020-04-07 | 에스케이실트론 주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 |
US11646209B2 (en) | 2020-09-22 | 2023-05-09 | Senic Inc. | Method of cleaning wafer and wafer with reduced impurities |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100841994B1 (ko) | 2008-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100931196B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 세정 방법 | |
JP4951625B2 (ja) | シリコン表面の調製 | |
US20080156349A1 (en) | Method for cleaning silicon wafer | |
US9136104B2 (en) | Method for cleaning silicon wafer and apparatus for cleaning silicon wafer | |
KR100220926B1 (ko) | 소수성 실리콘 웨이퍼의 세정방법 | |
KR19990083075A (ko) | 에스씨-2 베이스 예열처리 웨이퍼 세정공정 | |
JPH06314679A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP3679216B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液及びこれを使用する洗浄方法 | |
TW201301378A (zh) | Iii-v族化合物半導體晶圓及其清洗方法 | |
KR100841994B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 산화막 제조 방법 | |
WO2007010619A1 (ja) | Simoxウェーハの製造方法及びその方法で製造されたsimoxウェーハ | |
US5803980A (en) | De-ionized water/ozone rinse post-hydrofluoric processing for the prevention of silicic acid residue | |
JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
CN110718448A (zh) | 半导体晶片的洗涤方法、及使用该洗涤方法的半导体晶片的制造方法 | |
JPH08264498A (ja) | シリコンウエーハの清浄化方法 | |
JP2006073747A (ja) | 半導体ウェーハの処理方法およびその装置 | |
US20040266191A1 (en) | Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer | |
KR100830750B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 세정방법 | |
KR100914606B1 (ko) | 습식 게이트 산화막 형성 방법 | |
KR100712733B1 (ko) | 산화막 제조 장치 및 그 방법 | |
KR20070001745A (ko) | 게이트 산화막의 전처리 세정방법 | |
KR20010089238A (ko) | 개선된 예비-게이트 세척을 포함하는 방법 | |
CN116936348B (zh) | 一种晶片表面的清洗方法 | |
JPH09190994A (ja) | ケイ酸残留物の生成を防止のためのフッ酸処理後の脱イオン水/オゾン洗浄 | |
KR100786521B1 (ko) | 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 세정 방법, 이 방법을 이용한실리콘 에피택셜 웨이퍼 제조방법 및 이 방법에 의해제조된 실리콘 에피택셜 웨이퍼 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130327 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140325 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160401 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170328 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180319 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190325 Year of fee payment: 12 |