KR20080056925A - 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 균일한 백색광을 발광할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 발광 소자 패키지에 있어서, 패키지 바디와; 상기 패키지 바디 상의 적어도 일측면에 형성되는 전극과; 상기 패키지 바디 상에 장착되는 발광 소자와; 상기 발광 소자를 균일한 두께로 감싸는 형광체층을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

발광 소자, 전극, 패키지, 형광체, LED.

Description

발광 소자 패키지 및 그 제조방법{LED package and method of manufacturing the same}

도 1은 일반적인 백색 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 발광 소자 패키지의 제조 과정을 나타내는 도로서,

도 2는 기판 상에 전극을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.

도 3은 기판 상에 반사막을 형성한 예를 나타내는 단면도이다.

도 4는 기판 상에 장착된 발광 소자에 형광체층을 형성한 상태를 나타내는 단면도이다.

도 5는 본 발명의 발광 소자 패키지를 이용한 발광 유닛의 일례 나타내는 단면도이다.

도 6은 본 발명의 발광 소자 패키지를 이용한 발광 유닛의 다른 예를 나타내는 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>

10 : 기판 20 : 전극

21 : 상부전극 22 : 하부전극

23 : 연결전극 30 : 반사막

40 : 발광 소자 50 : 형광체층

100 : 발광 소자 패키지 110 : 렌즈

본 발명은 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 균일한 백색광을 발광할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광 소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화 된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다.

이러한 LED에 의해 방출되는 광의 파장은 LED를 제조하는데 사용되는 반도체 재료에 따른다. 이는 방출된 광의 파장이 가전자대(valence band) 전자들과 전도대(conduction band) 전자들 사이의 에너지 차를 나타내는 반도체 재료의 밴드갭(band-gap)에 따르기 때문이다.

질화 갈륨 화합물 반도체(Gallium Nitride: GaN)는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭(0.8 ~ 6.2eV)에 의해 고출력 전자소자 개발 분야에서 많은 주목을 받아왔다. 이에 대한 이유 중 하나는 GaN이 타 원소들(인듐(In), 알루미늄(Al) 등)과 조합되어 녹색, 청색 및 백색광을 방출하는 반도체 층들을 제조할 수 있기 때문이다.

이와 같이 방출 파장을 조절할 수 있기 때문에 특정 장치 특성에 맞추어 재료의 특징들에 맞출 수 있다. 예를 들어, GaN를 이용하여 광기록에 유익한 청색 LED와 백열등을 대치할 수 있는 백색 LED를 만들 수 있다.

이러한 백색 광원을 만드는 방법에는 적색, 녹색, 및 청색의 빛의 삼원색의 광을 발광하는 LED를 사용하는 방법과, 단일광의 LED와 형광체(phosphor)를 이용하는 방법이 있다.

상기 형광체를 이용하는 방법에는 청색 LED와 황색 형광체를 이용하여 백색 광원을 제작할 수 있는데, 이는 청색 LED에서 발광된 청색광과, 이 청색광에 의하여 여기되어 발광하는 황색 형광체의 황색광의 혼합에 의하여 백색광이 만들어진다.

마찬가지로, 청색 LED와 녹색 및 적색 형광체, 자외선(UV) LED와 적색, 녹색, 및 청색 형광체를 이용하여 백색 광원을 만들 수 있다.

이러한 백색 광원을 만들기 위한 방법들 중에서 청색 LED와 황색 형광체를 이용하는 방법은, 상술한 바와 같이, 형광체에 의하여 흡수(absorb)되어 발광되는 청색광의 정도에 따라 적색과 녹색광이 발광되며, 이는 흡수되지 않은 청색광과 혼합되어 관찰자에게 백색 광으로 보이게 된다.

이러한 청색 LED와 황색 형광체를 사용하여 백색 광원을 만드는 방법은 컬러 표현(Color rendering)이 우수할 뿐 아니라, 안정성(stability)과 신뢰성(reliability)이 매우 우수하여 널리 사용되고 있다.

도 1에서는 이러한 LED와 형광체를 이용하여 백색 광원을 만드는 LED 램프를 나타내고 있다.

즉, 이러한 LED 램프는, 반사컵(1)에 스택(2)에 결합된 청색 LED(3)를 위치시키고, 그 상측에 실리콘 젤이나 에폭시에 형광체(4)가 혼합된 충진재(5)가 충진되어 있고, 이러한 충진재(5) 상에는 글래스(6)가 위치한다.

그러나, 이러한 LED 램프 구조는 LED(3)를 감싸고 있는 충진재(5)의 두께가 균일하지 않으므로 인하여 LED(3)에서 방출된 빛이 글래스(6) 표면에 도달할 때까지의 경로(a, b) 차이가 발생한다.

따라서, 빛의 경로에 따라 LED(3)의 청색광에 반응하는 형광체(4)의 양에 차이가 발생하여 균일한 광을 구할 수 없는 문제점이 있다.

또한 충진재(5) 내에 포함된 형광체 입자들(phosphor grains)의 불균일한 분포로 인하여 색 재현성이 저하되는 문제점이 있었다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 발광 소자로부터 발광되는 빛의 광경로의 차이가 크지 않게 외부 매질을 통과하면서 방출될 수 있도록 함으로써, 균일한 백색광을 방출할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위해, 본 발명은, 발광 소자 패키지에 있어서, 패키지 바디와; 상기 패키지 바디 상의 적어도 일측면에 형성되는 전극과; 상기 패키지 바디 상에 장착되는 발광 소자와; 상기 발광 소자를 균일한 두께로 감싸는 형 광체층을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.

이때, 상기 발광 소자의 상면에 형성된 형광체층의 두께와 상기 발광 소자의 측면에 형성된 형광체층의 두께는 동일한 것이 바람직하다.

상기 발광 소자는, 상기 전극에 플립칩 본딩되어, 발광면이 평평한 면이 되도록 하는 것이 좋으나, 수직형 발광 소자를 이용할 수도 있다.

상술한 바와 같이, 형광체층은 발광 소자를 균일한 두께로 감싸게 되므로, 상기 형광체층의 외형은 발광 소자의 형상과 유사한 직육면체 형상이 될 수 있다.

또한, 상기 형광체층의 가로폭은 상기 패키지 바디의 가로폭과 동일할 수 있다.

한편, 상기 전극은, 상기 패키지 바디의 상면에 형성되는 상부전극과; 상기 패키지 바디의 하면에 형성되며 상기 상부전극과 연결되는 하부전극을 포함하여 구성될 수 있다.

이때, 상기 상부전극과 상기 하부전극은, 상기 패키지 바디에 형성된 관통홀을 통하여 서로 연결될 수 있다.

한편, 상기 발광 소자 패키지 전체를 감싸는 렌즈를 더 포함할 수 있다.

상기 기술적 과제를 이루기 위한 다른 관점으로서, 본 발명은, 발광 소자 패키지의 제조방법에 있어서, 기판 상에 다수의 쌍의 전극을 형성하는 단계와; 상기 기판 상에 상기 각 쌍의 전극과 연결되도록 다수의 발광 소자를 접합하는 단계와; 상기 발광 소자가 접합된 기판의 상측에 형광체층을 형성하는 단계와; 상기 기판과 형광체층을 패키지 구분 단위로 절삭하는 단계를 포함하여 구성되는 것이 바람직하 다.

이때, 상기 패키지 구분 단위로 절삭하는 단계는, 상기 발광 소자의 상면에 형성된 형광체층의 두께와, 상기 절삭에 의하여 드러나는 상기 발광 소자의 측면에 형성된 형광체층의 두께가 동일하도록 할 수 있다.

또한, 상기 다수의 발광 소자의 간격은, 상기 발광 소자의 상면에 형성되는 형광체층의 두께의 두 배이거나, 여기에 상기 절삭 과정에서 제거되는 두께를 더한 길이일 수 있다.

한편, 상기 다수의 쌍의 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상면에 위치하는 상부전극과, 상기 상부전극과 연결되며 상기 기판의 하면에 위치하는 하부전극을 형성하는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.

동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 도면들에서 층들 및 영역들의 치수는 명료성을 위해 과장되어있다. 또한 여기에서 설명되는 각 실시예는 상보적인 도전형의 실시예를 포함한다.

층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으 로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 표면과 같은 구성 요소의 일부가 '내부(inner)'라고 표현된다면 이것은 그 요소의 다른 부분들 보다도 소자의 외측으로부터 더 멀리 있다는 것을 의미한다고 이해할 수 있을 것이다.

나아가 '아래(beneath)' 또는 '중첩(overlies)'과 같은 상대적인 용어는 여기에서는 도면에서 도시된 바와 같이 기판 또는 기준층과 관련하여 한 층 또는 영역과 다른 층 또는 영역에 대한 한 층 또는 영역의 관계를 설명하기 위해 사용될 수 있다.

이러한 용어들은 도면들에서 묘사된 방향에 더하여 소자의 다른 방향들을 포함하려는 의도라는 것을 이해할 수 있을 것이다. 마지막으로 '직접(directly)'라는 용어는 중간에 개입되는 어떠한 요소가 없다는 것을 의미한다. 여기에서 사용되는 바와 같이 '및/또는'이라는 용어는 기록된 관련 항목 중의 하나 또는 그 이상의 어느 조합 및 모든 조합을 포함한다.

비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할것이다.

이러한 용어들은 단지 다른 영역, 층 또는 지역으로부터 어느 하나의 요소, 성분, 영역, 층 또는 지역들을 구분하기 위해 사용되는 것이다. 따라서 아래에서 논의된 제1 영역, 층 또는 지역은 제2 영역, 층 또는 지역이라는 명칭으로 될 수 있다.

본 발명의 발광 소자 패키지의 제작은, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 먼저, 기판(10)에 쌍을 이루는 전극(20)을 형성한다.

이러한 전극(20)은 추후 공정에서 발광 소자가 전기적 및 구조적 강도를 가지며 결합되기 위한 상부전극(front side electrode; 21)과, PCB 기판과 같은 외부 전원 공급을 위한 구조에 전기적 및 구조적 강도를 가지고 결합되기 위한 하부전극(back side electrode; 22)으로 이루어질 수 있다.

이러한 상부전극(21)과 하부전극(22)은 기판(10)에 벌크 식각(bulk etching) 법에 의하여 형성된 관통홀(through hole; 11)에 형성된 연결전극(23)에 의하여 서로 연결되도록 할 수 있다.

이러한 기판(10) 상에 전극(20)을 형성하는 공정은 먼저, 기판(10) 상에 마스크 층(mask layer; 미도시)을 형성하거나 이미 마스크 층이 형성된 기판을 이용하여 관통홀(11)이 형성될 영역의 벌크 식각(bulk etching)에 필요한 마스크 패턴(mask pattern)을 형성한다.

그리고 이러한 마스크 패턴을 이용하여 상기 기판(10)를 벌크 식각(벌크 마이크로머시닝)하여 관통홀(11)을 형성한다.

이러한 기판(10)으로는 실리콘(silicon) 기판 또는 알루미늄(aluminum), 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride; AlN), 알루미늄 옥사이드(aluminum oxide; AlO_x), PSG(photo sensitive glass), Al₂O₃, BeO, PCB 기판 등을 사용할 수 있다.

또한, 관통홀(11)을 형성하기 위한 벌크식각 방법으로는 습식식각(wet etching) 방법, 건식식각(dry etching) 방법, 또는 레이저 드릴링(laser drilling) 방법 등을 이용하여 관통홀(11)을 형성 할 수 있다.

상기의 건식식각 방법의 대표적인 방법으로는 딥 반응성 이온 식각(deep reactive ion etching) 방법이 있다.

또한, 관통홀(11)를 형성하기 위한 식각 공정은 식각될 부분과 식각으로부터 보호해야 하는 부분을 구분하기 위하여 마스크 층(미도시)이 필요한데, 이때 사용하는 마스크 층은 건식 또는 습식식각을 수행할 때 장시간 동안 마스크로 사용할 수 있는 물질 이어야 하며, 실리콘 질화막(silicon nitride film)이나 실리콘산화막(silicon oxide film)이 사용될 수 있다.

한편, 상부전극(21)과 하부전극(22)을 각각 전기적으로 연결하기 위한 관통홀(11)은 각 전극(21, 22)을 양 전극과 음 전극을 분리하기 위하여 양 전극용 관통홀과 음 전극용 관통홀로 구분하여 두 개의 관통홀(11)을 형성하는 것이 더욱 바람직하다.

그 다음, 전기적 절연을 위한 절연층(insulation layer; 미도시)을 기판(10)의 전면에 형성한다. 본 실시예에서는 절연층 형성을 위하여 상기의 관통홀(11) 형성을 위하여 사용된 마스크층(미도시)을 제거하고, 열적 산화(thermal oxidation) 방법에 의하여 절연 특성이 우수한 실리콘 산화막(silicon oxide film)을 기판(10) 전면에 형성한다.

상기 방법 이외의 절연층 형성방법으로는 LPCVD 방법 또는 PECVD 방법 등에 의하여 실리콘 질화막(silicon nitride film)을 증착하여 절연층(미도시)으로 사용할 수 있다.

한편, 기판(10)으로서 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride)(AlN), 알루미늄 옥사이드(aluminum oxide)(AlO_x)와 같은 절연 기판을 사용하는 경우에는 절연층 형성을 생략하여도 무방하다.

다음에는, 관통홀(11)이 형성된 상기의 구조물에 전극(21, 22)을 패터닝(patterning)하여 형성한다.

상기의 전극(20)을 형성하는 방법으로는, 먼저, 기판(10)의 전면 또는 후면에 포토 레지스트를 도포하고 노광, 현상하여 전극(21, 22)을 좌우로 서로 분리시키고, 관통홀(11)을 통하여 기판(10)의 전면에 형성된 상부전극(21)과 기판(10)의 후면에 형성된 하부전극(22)이 상호 연결되도록 패터닝하거나, 연결전극(23)에 의하여 서로 연결되도록 한다.

그 후에, 스퍼터링 방법 또는 E-beam 증착법(evaporation) 등으로 기판(10)의 전면 또는 후면에 전극 형성을 위한 금속을 증착한다. 이러한 금속을 증착하기 전에 결합금속(seed metal)을 먼저 증착할 수도 있다.

다음에, 상기 증착된 금속을 리프트 오프(lift-off)하여 전면 또는 후면의 전극(50)을 형성한다.

그리고 상기 금속이 증착된 반대면에 결합금속(도시되지 않음)을 증착한 후 포토 레지스터를 도포하고 노광, 현상하여 양 전극과 음 전극이 서로 분리되도록 한다.

이후, 상기 기판(10)의 상부전극(21) 또는 하부전극(22)과 관통홀(11)을 통하여 연결되도록 패터닝하여 전기도금 또는 무전해 도금 방법으로 상부전극(21)와 하부전극(22)이 관통홀(11)에 형성된 연결전극(23)에 의하여 전기적으로 연결되도록 형성한다.

한편, 상기 전극(21, 22)이 좌우로 전기적으로 서로 분리되어 전극 쌍을 이루도록 결합금속을 식각(etching)하여 형성할 수 있다. 이러한 결합금속은 전기적 특성이 우수할 뿐만 아니라 절연막과 접착력(adhesion)도 우수하여야 하며, 일반적으로 절연막으로 많이 사용되고 있는 실리콘 산화막과 접착력이 우수한 타이타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta) 등을 접착층(adhesion layer)으로 사용할 수 있다.

또한, 전기적 특성이 좋으면서 반도체 공정으로 쉽게 증착할 수 있는 전극 금속의 대표적인 물질로써 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al)을 이용할 수도 있다.

이러한 전극 형성을 위한 금속은 후 공정 중 모듈의 부품을 결합할 때 고온에 노출되는데 이때, 접착층(adhesion layer)인 Ti나 Cr이 Au로 확산(diffusion) 되어 Au의 전기적 특성이 감소할 수 잇으므로 이를 방지 하고자 Ti, Cr의 접착층과 Au 사이에 백금(Pt), 니켈(Ni) 등의 확산방지층(diffusion barrier layer; 도시되지 않음)을 사용하여 Ti/Pt/Au 또는 Cr/Ni/Au, Cr/Cu/Ni/Au 구조(structure)의 전극(20)을 형성 할 수 있다.

그 다음, 전극(20)을 형성한 후 추후 장착될 발광 소자에서 방출되는 광의 추출 효율을 향상시키기 위하여 기판(10)의 상측면에 반사막(reflective layer; 30)을 형성할 수도 있다.

이러한 반사막(30)을 위한 물질로는 반사도가 우수한 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 사용할 수 있다.

그 형성 방법으로는, 먼저 전면에 포토 레지스트를 코팅하고, 노광, 현상하여 발광 소자가 장착될 기판(10)의 바닥면에 스퍼터링 방법 또는 E-beam 증착법과 같은 방법으로 반사막(30) 금속을 증착한 후에 리프트 오프하여 형성할 수 있다.

또한, 전면에 반사막(30) 금속을 증착하고 패터닝 후 불필요한 부분을 식각하는 공정으로 반사막(30)을 형성할 수 있다.

이때, 반사막(30) 형성을 위한 금속은 한 쌍의 전극(20)에 동시에 연결되거나 겹쳐지지 않게 형성하여 전기적으로 단락이 발생하지 않게하여야 하며, 발광 소자의 전극과 접합하기 위하여 전극(30) 상에 솔더(solder) 또는 Au 스터드 펌프(stud pump; 41; 도 4 참고)가 형성되는 영역에는 반사막(30) 금속이 형성되지 않도록 하는 것이 더욱 바람직하다.

이하, 상기 반사막(30)이 형성되지 않은 상태에서 이후 과정을 설명한다.

다음에는, 도 4에 도시되는 바와 같이, 전도성 솔더(solder) 또는 Au 스터드(41) 본딩과 같은 방법에 의하여 각 쌍의 전극(20) 상에 복수의 발광 소자(40)를 전기적으로 연결되도록 접합한다.

도 4에서는 발광 소자(40)가 플립칩 본딩된 상태를 도시하고 있으나, 경우에 따라, 수평형 또는 수직형 발광 소자가 와이어 본딩되어 접합될 수도 있다.

이후, 이러한 발광 소자(40)가 접합된 기판(10)의 상측에는 다수의 발광 소 자(40)를 전체적으로 연결하여 덮는 형광체층(50)을 균일하게 형성한다.

이러한 형광체층(50)은 투광성 매질에 형광체 파우더가 포함된 재료를 이용하여 형성될 수 있고, 이러한 투광성 매질은 에폭시, 실리콘 젤 등의 수지를 이용할 수 있다.

또한, 이러한 형광체 파우더는 발광 소자(40)로부터 방출되는 광을 흡수하여 그보다 낮은 에너지의 광을 방출하는 형광체일 수 있으며, 그 일례로, 황색광이 발광되는 황색 형광체일 수 있다. 또한, 발광 소자(40)는 청색광을 발광하는 발광 소자(40)일 수 있으며, 따라서, 이러한 청색 발광 소자(40)와 황색 형광체의 광이 혼합되어 백색 광을 방출할 수 있다.

이때, 이러한 형광체층(50)은 발광 소자(40)의 상측면에 일정 두께(W1)를 이루도록 평탄하게 충진하고, 발광 소자(40)의 상면과 측면과 같은 발광면에 균일한 두께의 형광체막(W1 = W2 = W3)이 형성 될 수 있도록 접합되는 각 발광 소자(40)와 발광 소자(40) 사이의 접합 간격(W4)을 조절한다.

이러한 발광 소자(40)와 발광 소자(40)간의 접합 간격(W4)은 기판(10)과 형광체층(50)을 포함하는 패키기 구조를 각 패키지 단위(10)로 절삭(dicing) 하였을 때, 절삭되는 기판(10)과 형광체층(50)의 폭(D1)을 고려할 수 있다.

따라서, 이러한 발광 소자(40) 사이의 간격(W4)은 개개의 발광 소자 패키지의 발광 소자(40)와 형광체층(50) 외부면 사이의 거리(W2 = W3)의 두 배에 절삭되는 기판(10)과 형광체층(50)의 폭(D1)을 더한 거리일 수 있다(W4 = W2 + W3 + D1).

그러나, 절삭되는 기판(10)과 형광체층(50)의 폭(D1)이 무시할 수 있을 정도 라면, 대략적으로, 이러한 발광 소자(40) 사이의 간격(W4)은 개개의 발광 소자 패키지의 발광 소자(40)와 형광체층(50) 외부면 사이의 거리(W2 = W3)의 두 배가 될 수 있다.

한편, 상술한 바와 같이, 상기 형광체층(50)은 실리콘 젤(silicon gel)이나 투광성이 우수한 에폭시(epoxy)와 형광체 파우더가 혼합되어 이루어질 수 있다.

또한, 발광 소자(40)를 접합하기 위한 솔더 물질로는 골드틴(AuSn), 레드틴(PbSn), 인듐(In) 등을 E-빔 증착법(E-beam evaporation)과 같은 방법으로 형성할 수 있다.

그 다음, 도 5에 도시하는 바와 같이, 상기 웨이퍼 단위의 발광 소자 패키지를 상면 및 하면의 발광 소자(40) 발광면에 균일한 두께의 형광체층(W1 = W2 = W3)이 형성 될 수 있도록 개개의 패키지(100)로 절삭한다.

이와 같이 절삭되어 제조된 개개의 패키지(100)는, 백 라이트 유닛 또는 조명등과 같은 다양한 용도로 이용하기 위하여 PCB 기판(200)에 전기적 및 구조적 결합 강도를 갖도록 접합하여 이용할 수 있다.

또한, 필요에 따라 도 6에 도시하는 바와 같이, 발광 소자(40)에서 방출된 빛의 분포를 제어하기 위하여 도안된 형상을 갖거나 또는 광 효율 향상을 위한 렌즈(110)를 형성하여 패키징 할 수 있다.

상기 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구체적으로 설명하기 위한 일례로서, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 다양한 형태의 변형이 가능하고, 이러한 기술적 사상의 여러 실시 형태는 모두 본 발명의 보호범위에 속함은 당연하 다.

이상과 같은 본 발명은, 발광 소자의 광이 방사되는 모든 면에 균일하게 형광체층을 형성함으로써, 형광체층을 통과한 광의 색 분포가 균일하며, 재현성이 우수한 광원을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 웨이퍼 레벨로 형광체층을 구현함으로써, 대량 생산에 적합한 발광 소자 패키지를 제작할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (11)

1. 발광 소자 패키지에 있어서,

   패키지 바디와;

   상기 패키지 바디 상의 적어도 일측면에 형성되는 전극과;

   상기 패키지 바디 상에 장착되는 발광 소자와;

   상기 발광 소자를 균일한 두께로 감싸는 형광체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
2. 제 1항에 있어서, 상기 발광 소자의 상면에 형성된 형광체층의 두께와 상기 발광 소자의 측면에 형성된 형광체층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
3. 제 1항에 있어서, 상기 발광 소자는, 상기 전극에 플립칩 본딩된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
4. 제 1항에 있어서, 상기 형광체층의 외형은 직육면체 형상인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
5. 제 1항에 있어서, 상기 형광체층의 가로폭은 상기 패키지 바디의 가로폭과 동일한 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
6. 제 1항에 있어서, 상기 발광 소자 패키지 전체를 감싸는 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
7. 제 1항에 있어서, 상기 전극은,

   상기 패키지 바디의 상면에 형성되는 상부전극과;

   상기 패키지 바디의 하면에 형성되며 상기 상부전극과 연결되는 하부전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
8. 제 7항에 있어서, 상기 상부전극과 상기 하부전극은, 상기 패키지 바디에 형성된 관통홀을 통하여 서로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
9. 발광 소자 패키지의 제조방법에 있어서,

   기판 상에 다수의 쌍의 전극을 형성하는 단계와;

   상기 기판 상에 상기 각 쌍의 전극과 연결되도록 다수의 발광 소자를 접합하는 단계와;

   상기 다수의 발광 소자가 접합된 기판의 상측에, 상기 다수의 발광 소자와 연결되는 형광체층을 형성하는 단계와;

   상기 발광 소자의 상면에 형성된 형광체층의 두께와, 상기 절삭에 의하여 드 러나는 상기 발광 소자의 측면에 형성된 형광체층의 두께가 동일하도록, 상기 기판과 형광체층을 패키지 구분 단위로 절삭하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
10. 제 9항에 있어서, 상기 다수의 발광 소자의 간격은, 상기 발광 소자의 상면에 형성되는 형광체층의 두께의 두 배인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.
11. 제 9항에 있어서, 상기 다수의 발광 소자의 간격은, 상기 발광 소자의 상면에 형성되는 형광체층의 두께의 두 배에 상기 절삭 과정에서 제거되는 두께를 더한 길이인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법.

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