KR20080051765A - 광 트랜시이버 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들을 전기 신호들로 변환하여 제2측으로 출력하고, 제2측으로부터의 복수 채널들의 전기 신호들을 광 신호들로 변환하여 제1측으로 출력하는 광 트랜시이버로서, 케이스, 각각의 단채널 수광 조립체, 및 각각의 단채널 발광 조립체를 포함한다. 케이스의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체에는 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들 각각을 감지하는 수광 소자들 각각이 내장된다. 케이스의 내부에 위치한 각각의 단채널 발광 조립체에는 제2측으로부터의 복수 채널들의 전기 신호들 각각에 의하여 구동되는 발광 소자들 각각이 내장된다.

Description

광 트랜시이버{Optical transceiver}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광 트랜시이버를 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1의 광 트랜시이버의 외형을 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 광 트랜시이버가 사용될 회로 장치의 예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 광 트랜시이버의 내부를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 4의 A 방향에서 바라본 측면도이다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 광 트랜시이버를 보여주는 블록도이다.
도 7은 도 6의 광 트랜시이버의 실제 내부를 보여주는 평면도이다.
도 8은 도 7의 A 방향에서 바라본 측면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 6...광 트랜시이버, 13, 63...회로 기판,
TOSA 1 내지 TOSA 8...단채널 발광 조립체들,
ROSA 1 내지 ROSA 8...단채널 수광 조립체들,
51, TxIC 1 내지 TxIC 8...송신 버퍼들,
RxIC 1 내지 RxIC 8...수신 버퍼들,
41T, 71T...송신 광섬유 라인들, 41R, 71R...수신 광섬유 라인들,
13C, 63C...전기 커넥터, 15...케이스,
11T, 11R, 61..광섬유 커넥터,
15S...가이드 슬롯부, 3...회로 장치,
31...가이드 레일부, 33S...커넥터-슬롯,
42, 62...리드.
본 발명은, 광 트랜시이버에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들을 전기 신호들로 변환하여 제2측으로 출력하고, 상기 제2측으로부터의 복수 채널들의 전기 신호들을 광 신호들로 변환하여 상기 제1측으로 출력하는 광 트랜시이버에 관한 것이다.
상기와 같은 복수 채널들의 광 트랜시이버에 있어서, 통상적인 광 트랜시이버 예를 들어, 일본 특허출원공개번호 2002-311310호의 광 트랜시이버에서는, 복수 채널들의 광섬유 어레이의 단부들이 수광 소자 어레이와 발광 소자 어레이에 대향되도록 정렬되어 있다.
상기와 같은 통상적인 광 트랜시이버에 의하면, 수광 소자 어레이와 발광 소 자 어레이를 사용함에 따라, 다음과 같은 문제점들이 있다.
첫째, 인접 채널들 사이의 광학적 간섭(Crosstalk)이 일어난다.
둘째, 수광 소자 어레이와 발광 소자 어레이에 연결되는 전기선들 사이의 간격이 좁혀져야 하므로, 인접 채널들 사이의 전기적 간섭(Crosstalk)도 일어난다.
셋째, 제조 공정에서 광섬유 어레이의 단부들이 수광 소자 어레이와 발광 소자 어레이에 정확하게 대향되도록 정렬하는 데에 어려움이 있다. 이에 따라 제조 비용이 높다.
본 발명의 목적은, 복수 채널들의 광 트랜시이버에 있어서, 인접 채널들 사이의 광학적 간섭 및 전기적 간섭을 방지하고, 제조 비용을 줄일 수 있는 광 트랜시이버를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들을 전기 신호들로 변환하여 제2측으로 출력하고, 상기 제2측으로부터의 복수 채널들의 전기 신호들을 광 신호들로 변환하여 상기 제1측으로 출력하는 광 트랜시이버로서, 케이스, 각각의 단채널 수광 조립체, 및 각각의 단채널 발광 조립체를 포함한다.
상기 케이스의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체에는 상기 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들 각각을 감지하는 수광 소자들 각각이 내장된다. 상기 케이스의 내부에 위치한 각각의 단채널 발광 조립체에는 상기 제2측으로부터 의 복수 채널들의 전기 신호들 각각에 의하여 구동되는 발광 소자들 각각이 내장된다.
본 발명의 상기 광 트랜시이버에 의하면, 상기 케이스의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체 및 각각의 단채널 발광 조립체 안에서 광전 변환 및 전광 변환이 수행된다. 이에 따라, 다음과 같은 효과들을 얻을 수 있다.
첫째, 인접 채널들 사이의 광학적 간섭(Crosstalk)이 일어나지 않는다.
둘째, 각각의 단채널 수광 조립체 및 각각의 단채널 발광 조립체에 전기선들 사이의 간격이 넓어질 수 있으므로, 인접 채널들 사이의 전기적 간섭(Crosstalk)도 줄어들 수 있다.
셋째, 제조 공정에서 광섬유들의 단부들이 수광 소자들과 발광 소자들에 대향되도록 정렬할 필요가 없다. 이에 따라 제조 비용이 줄어들 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광 트랜시이버(1)를 보여준다. 도 2는 도 1의 광 트랜시이버(1)의 외형을 보여준다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 광 트랜시이버(1)는, 제1측 예를 들어, 서버(Server)측으로부터의 8 채널들의 광 신호들(SOPIN 1 내지 SOPIN 8)을 전기 신호들(SEDOUT 1 내지 SEDOUT 8)로 변환하여 제2측 예를 들어, 클라이언트(Client)측으로 출력하고, 제2측으로부터의 8 채널들의 전기 신호들(SEDIN 1 내지 SEDIN 8)을 광 신호들(SOPOUT 1 내지 SOPOUT 8)로 변환하여 제1측으로 출력한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 광 트랜시이버(1)는 케이스(15), 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 8), 및 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 8)를 포함한다. 여기에서, 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 8)로서 잘 알려진 ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)가 사용된다. 또한, 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 8)로서 잘 알려진 TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)가 사용된다.
케이스(15)의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 8)에는 제1측으로부터의 8 채널들의 광 신호들(SOPIN 1 내지 SOPIN 8) 각각을 감지하는 수광 소자들 각각이 내장된다. 또한, 케이스(15)의 내부에 위치한 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 8)에는 제2측으로부터의 8 채널들의 전기 신호들(SEDIN 1 내지 SEDIN 8) 각각에 의하여 구동되는 발광 소자들 각각이 내장된다.
즉, 케이스(15)의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 8) 및 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 8) 안에서 광전 변환 및 전광 변환이 수행된다.
케이스(15)의 제1측 방향의 측부에는 제1 광섬유 커넥터(11T)와 제2 광섬유 커넥터(11R)가 설치된다. 이에 따라, 단채널 발광 조립체들(TOSA 1 내지 TOSA 8) 각각으로부터의 광 신호들(SOPOUT 1 내지 SOPOUT 8)이 제1 광섬유 커넥터(11T)를 통하여 제1측으로 출력된다. 또한, 제1측으로부터의 광 신호들(SOPIN 1 내지 SOPIN 8)이 제2 광섬유 커넥터(11R)를 통하여 단채널 수광 조립체들(ROSA 1 내지 ROSA 8) 각각으로 입력된다.
케이스(15)의 내부에는 회로 기판(13) 설치된다. 회로 기판(13)에는 송신 버퍼들(TxIC 1 내지 TxIC 8) 및 수신 버퍼들(RxIC 1 내지 RxIC 8)이 실장된다. 또한, 케이스(15)의 제2측 방향의 측부 즉, 회로 기판(13)의 일 단부에는 전기 커넥터(13C)가 형성된다.
단채널 수광 조립체들(ROSA 1 내지 ROSA 8)로부터의 전기 신호들(SEDOUT 1 내지 SEDOUT 8)은 수신 버퍼들(RxIC 1 내지 RxIC 8) 및 전기 커넥터(13C)를 통하여 제2측으로 출력된다. 또한, 제2측으로부터의 전기 신호들(SEDIN 1 내지 SEDIN 8)이 전기 커넥터(13C) 및 송신 버퍼들(TxIC 1 내지 TxIC 8)을 통하여 단채널 발광 조립체들(TOSA 1 내지 TOSA 8)에 입력된다.
케이스(15)의 길이 방향의 양쪽 측부들에는 가이드 슬롯부(15S)가 구비된다. 이와 관련된 기술이 도 3을 참조하여 설명된다.
도 3은 도 2의 광 트랜시이버(1)가 사용될 회로 장치(3)의 예를 보여준다.
도 2 및 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예의 광 트랜시이버(1)가 사용될 회로 장치(3)는 상기 제2측에 해당되는 시스템 예를 들어, 클라이언트(Client) 시스템에 포함된다. 이 회로 장치(3)에는 가이드 레일부(31)와 커넥터-슬롯(33S)이 형성되어 있다. 즉, 회로 장치(3)의 가이드 레일부(31)는 광 트랜시이버(1)의 가 이드 슬롯부(15S)에 상응하도록 형성되고, 회로 장치(3)의 커넥터-슬롯(33S)은 광 트랜시이버(1)의 전기 커넥터(13C)에 상응하도록 형성된다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예의 광 트랜시이버(1)는 회로 장치(3)에 쉽게 삽입 및 설치될 수 있다.
도 4는 도 2의 광 트랜시이버(1)의 내부를 보여주는 평면도이다. 도 5는 도 4의 A 방향에서 바라본 측면도이다. 도 4 및 5에서 도 1 및 2와 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 4 및 5에서 참조 부호 41T는 송신 광섬유 라인들을, 41R은 수신 광섬유 라인들을, 42는 리드(lead)를, 그리고 51은 송신 버퍼들(도 1의 TxIC 1 내지 TxIC 8)을 각각 가리킨다.
도 4 및 5를 참조하면, 회로 기판(13)의 저면에 수신 버퍼들(RxIC 1 내지 RxIC 8) 및 송신 버퍼들(51, TxIC 1 내지 TxIC 8)이 부착된다. 또한, 회로 기판의 상면에 단채널 수광 조립체들(ROSA 1 내지 ROSA 8) 및 단채널 발광 조립체들(TOSA 1 내지 TOSA 8)이 배열된다.
도 1, 2, 4, 및 5를 참조하면, 상기한 바와 같이, 케이스(15)의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 8) 및 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 8) 안에서 광전 변환 및 전광 변환이 수행된다. 이에 따라, 다음과 같은 효과들을 얻을 수 있다.
첫째, 인접 채널들 사이의 광학적 간섭(Crosstalk)이 일어나지 않는다.
둘째, 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 8) 및 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 8)에 전기선들 예를 들어, 리드들(42) 사이의 간격이 넓어질 수 있으므로, 인접 채널들 사이의 전기적 간섭(Crosstalk)도 줄어들 수 있다.
셋째, 제조 공정에서 광섬유들(41T, 41R)의 단부들이 수광 소자들과 발광 소자들에 대향되도록 정렬할 필요가 없다. 이에 따라 제조 비용이 줄어들 수 있다.
도 6은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 광 트랜시이버(6)를 보여준다. 도 6의 광 트랜시이버(1)의 외형은 도 2의 것의 축소 형상이라 할 수 있으므로, 이와 관련된 설명이 생략된다. 도 7은 도 6의 광 트랜시이버(6)의 실제 내부를 보여주는 평면도이다. 도 8은 도 7의 A 방향에서 바라본 측면도이다. 도 6 내지 8에서 도 1과 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다. 도 7에서 참조 부호 62는 전기적 리드(lead)를 가리킨다.
도 6 내지 8을 참조하면, 본 발명의 또다른 실시예에 의한 광 트랜시이버(6)는, 제1측 예를 들어, 서버(Server)측으로부터의 4 채널들의 광 신호들(SOPIN 1 내지 SOPIN 4)을 전기 신호들(SEDOUT 1 내지 SEDOUT 4)로 변환하여 제2측 예를 들어, 클라이언트(Client)측으로 출력하고, 제2측으로부터의 4 채널들의 전기 신호들(SEDIN 1 내지 SEDIN 4)을 광 신호들(SOPOUT 1 내지 SOPOUT 4)로 변환하여 제1측으로 출력한다.
본 발명의 또다른 실시예에 의한 광 트랜시이버(6)는 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 4), 및 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 4)를 포함한다. 여기에서, 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 4)로서 잘 알 려진 ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)가 사용된다. 또한, 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 4)로서 잘 알려진 TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)가 사용된다.
각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 4)에는 제1측으로부터의 4 채널들의 광 신호들(SOPIN 1 내지 SOPIN 4) 각각을 감지하는 수광 소자들 각각이 내장된다. 또한, 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 4)에는 제2측으로부터의 4 채널들의 전기 신호들(SEDIN 1 내지 SEDIN 4) 각각에 의하여 구동되는 발광 소자들 각각이 내장된다.
즉, 각각의 단채널 수광 조립체(ROSA 1 내지 ROSA 4) 및 각각의 단채널 발광 조립체(TOSA 1 내지 TOSA 4) 안에서 광전 변환 및 전광 변환이 수행된다.
단채널 발광 조립체들(TOSA 1 내지 TOSA 4) 각각으로부터의 광 신호들(SOPOUT 1 내지 SOPOUT 4)은 광섬유 커넥터(61)을 통하여 제1측으로 출력된다. 또한, 제1측으로부터의 광 신호들(SOPIN 1 내지 SOPIN 4)도 광섬유 커넥터(61)를 통하여 단채널 수광 조립체들(ROSA 1 내지 ROSA 4) 각각으로 입력된다.
회로 기판(63)에는 송신 버퍼들(TxIC 1 내지 TxIC 4) 및 수신 버퍼들(RxIC 1 내지 RxIC 4)이 실장된다. 또한, 회로 기판(63)의 일 단부에는 전기 커넥터(63C)가 형성된다.
단채널 수광 조립체들(ROSA 1 내지 ROSA 4)로부터의 전기 신호들(SEDOUT 1 내 지 SEDOUT 4)은 수신 버퍼들(RxIC 1 내지 RxIC 4) 및 전기 커넥터(63C)를 통하여 제2측으로 출력된다. 또한, 제2측으로부터의 전기 신호들(SEDIN 1 내지 SEDIN 4)이 전기 커넥터(63C) 및 송신 버퍼들(TxIC 1 내지 TxIC 4)을 통하여 단채널 발광 조립체들(TOSA 1 내지 TOSA 4)에 입력된다.
회로 기판(63)의 저면에는 수신 버퍼들(RxIC 1 내지 RxIC 4) 및 송신 버퍼들(TxIC 1 내지 TxIC 4)이 부착된다. 또한, 회로 기판의 상면에는 단채널 수광 조립체들(ROSA 1 내지 ROSA 4) 및 단채널 발광 조립체들(TOSA 1 내지 TOSA 4)이 배열된다.
이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 광 트랜시이버에 의하면, 케이스의 내부에 위치한 각각의 단채널 수광 조립체 및 각각의 단채널 발광 조립체 안에서 광전 변환 및 전광 변환이 수행된다. 이에 따라, 다음과 같은 효과들을 얻을 수 있다.
첫째, 인접 채널들 사이의 광학적 간섭(Crosstalk)이 일어나지 않는다.
둘째, 각각의 단채널 수광 조립체 및 각각의 단채널 발광 조립체에 전기선들 사이의 간격이 넓어질 수 있으므로, 인접 채널들 사이의 전기적 간섭(Crosstalk)도 줄어들 수 있다.
셋째, 제조 공정에서 광섬유들의 단부들이 수광 소자들과 발광 소자들에 대향되도록 정렬할 필요가 없다. 이에 따라 제조 비용이 줄어들 수 있다.
본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다.

Claims (6)

  1. 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들을 전기 신호들로 변환하여 제2측으로 출력하고, 상기 제2측으로부터의 복수 채널들의 전기 신호들을 광 신호들로 변환하여 상기 제1측으로 출력하는 광 트랜시이버에 있어서,
    케이스;
    상기 케이스의 내부에 위치하고, 상기 제1측으로부터의 복수 채널들의 광 신호들 각각을 감지하는 수광 소자들 각각이 내장된 각각의 단채널 수광 조립체; 및
    상기 케이스의 내부에 위치하고, 상기 제2측으로부터의 복수 채널들의 전기 신호들 각각에 의하여 구동되는 발광 소자들 각각이 내장된 각각의 단채널 발광 조립체를 포함한 광 트랜시이버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 단채널 수광 조립체로서 ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly)가 사용되고,
    상기 단채널 발광 조립체로서 TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)가 사용된 광 트랜시이버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 케이스의 상기 제1측 방향의 측부에 제1 광섬유 커넥터와 제2 광섬유 커넥터가 설치되고,
    상기 단채널 발광 조립체들 각각으로부터의 광 신호들이 상기 제1 광섬유 커넥터를 통하여 상기 제1측으로 출력되고,
    상기 제1측으로부터의 상기 광 신호들이 상기 제2 광섬유 커넥터를 통하여 상기 단채널 수광 조립체들 각각으로 입력되는 광 트랜시이버.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 케이스의 상기 제2측 방향의 측부에 전기 커넥터가 설치되고,
    상기 단채널 수광 조립체들로부터의 전기 신호들이 수신 버퍼들 및 상기 전기 커넥터를 통하여 상기 제2측으로 출력되고,
    상기 제2측으로부터의 전기 신호들이 상기 전기 커넥터 및 송신 버퍼들을 통하여 상기 단채널 발광 조립체들에 입력되는 광 트랜시이버.
  5. 제4항에 있어서,
    회로 기판이 상기 케이스의 내부에 설치되고,
    상기 회로 기판의 저면에 상기 수신 버퍼들 및 상기 송신 버퍼들이 부착되며,
    상기 회로 기판의 상면에 상기 단채널 수광 조립체들 및 상기 단채널 발광 조립체들이 배열된 광 트랜시이버.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 회로 기판의 일 단부에서 상기 전기 커넥터가 형성된 광 트랜시이버.
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