KR20080041437A - Organic light emitting diode display - Google Patents

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KR20080041437A
KR20080041437A KR1020060109537A KR20060109537A KR20080041437A KR 20080041437 A KR20080041437 A KR 20080041437A KR 1020060109537 A KR1020060109537 A KR 1020060109537A KR 20060109537 A KR20060109537 A KR 20060109537A KR 20080041437 A KR20080041437 A KR 20080041437A
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light emitting
organic light
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particles
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KR1020060109537A
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구원회
김훈
정진구
최정미
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삼성전자주식회사
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Abstract

An organic light emitting diode display is provided to prevent display quality of the organic light emitting diode display from being deteriorated by forming a heat radiation pattern including thermal conductive particles on an exterior surface of a substrate surrounding a display element. An organic light emitting diode display(1) includes a first substrate(100), a display element(150), a second substrate(200), and a heat radiation pattern(400). The display element includes a pixel electrode, a light emitting layer, and a common electrode. The pixel electrode, the light emitting layer, and the common electrode are sequentially formed on the first substrate. One surface of the second substrate is opposed to the display element. The heat radiation pattern is formed on the other surface of the second substrate and includes a sealing resin and thermal conductive particles dispersed in the sealing resin.

Description

유기 발광 표시 장치{Organic light emitting diode display}Organic light emitting diode display

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 사시도이다. 1 is a perspective view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ'선으로 자른 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of the organic light emitting diode display of FIG. 1.

도 3은 도 2의 A부분을 확대한 부분 확대 단면도이다. 도 4는 도 2의 B부분을 확대한 부분 확대 단면도이다.3 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion A of FIG. 2. 4 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion B of FIG. 2.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.5 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.6 is a plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 Ⅶ-Ⅶ'선을 따라 자른 단면도이다.7 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 6 taken along the line 'VIII'.

도 8은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 Ⅷ-Ⅷ'선을 따라 자른 단면도이다.8 is a cross-sectional view of the organic light emitting diode display of FIG. 6 taken along the line 'VIII'.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

1, 2: 유기 발광 표시 장치 22: 게이트선1, 2: organic light emitting display 22: gate line

26a: 제1 제어 전극 26b: 제2 제어 전극26a: first control electrode 26b: second control electrode

27: 유지 전극 30: 게이트 절연막27 sustain electrode 30 gate insulating film

40a: 제1 반도체 40b: 제2 반도체40a: first semiconductor 40b: second semiconductor

62a: 데이터선 62b: 구동 전압선62a: data line 62b: driving voltage line

84: 연결 부재 65a: 제1 입력 전극84: connecting member 65a: first input electrode

65b: 제2 입력 전극 66a: 제1 출력 전극65b: second input electrode 66a: first output electrode

66b: 제2 출력 전극 70: 보호막66b: second output electrode 70: protective film

88, 86a, 86b: 콘택홀 82: 화소 전극88, 86a, 86b: contact hole 82: pixel electrode

90: 격벽 91: 개구부90: partition 91: opening

92: 발광층 100: 제1 기판92: light emitting layer 100: first substrate

150: 표시 소자 110: 공통 전극150: display element 110: common electrode

150: 표시 소자 200: 제2 기판150: display element 200: second substrate

300: 봉지 부재 400: 열방출 패턴300: sealing member 400: heat dissipation pattern

410: 밀봉 수지 420: 열전도성 입자410: sealing resin 420: thermally conductive particles

422: 제1 입자 424: 제2 입자422: first particle 424: second particle

426: 제3 입자 Qs: 스위칭 트랜지스터426: third particle Qs: switching transistor

Qd: 구동 트랜지스터 LD: 유기 발광 다이어드Qd: driving transistor LD: organic light emitting diode

Vss: 공통 전압 Cst: 스토리지 커패시터Vss: Common Voltage Cst: Storage Capacitor

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to an organic light emitting display device.

최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러 한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다.Recently, there is a demand for weight reduction and thinning of a monitor or a television, and a cathode ray tube (CRT) is being replaced by a liquid crystal display (LCD) according to the demand.

그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 많은 문제점이 있다.However, the liquid crystal display device requires not only a separate backlight as a light emitting device, but also has many problems in response speed and viewing angle.

이러한 문제점을 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목 받고 있다.As a display device capable of overcoming such a problem, an organic light emitting diode display (OLED display) has attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극 및 그 사이에 위치하는 발광층을 포함한다. 유기 발광 표시 장치는 공통 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 화소 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 자체 발광한다. 따라서 별도의 광원이 필요 없기 때문에 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.The organic light emitting diode display includes a pixel electrode, a common electrode, and a light emitting layer disposed therebetween. In the organic light emitting diode display, electrons injected from the common electrode and holes injected from the pixel electrode are combined in the emission layer to form excitons, and the excitons emit energy while emitting energy. Therefore, there is no need for a separate light source, which is advantageous in terms of power consumption, and also excellent in response speed, viewing angle, and contrast ratio.

그러나 유기 발광 표시 장치는 외부로부터 수분이나 공기가 유입된다. 외부로부터 수분이나 공기가 지속적으로 유입되면 화소 전극, 공통 전극 또는 발광층에 열화 현상이 발생한다.However, in the organic light emitting diode display, moisture or air is introduced from the outside. If moisture or air continuously flows from the outside, deterioration occurs in the pixel electrode, the common electrode, or the light emitting layer.

또한 유기 발광 표시 장치는 자체 발광 과정에서 빛뿐만 아니라 열이 많이 발생한다. 발생된 열로 인해 온도가 증가하면 열에 취약한 화소 전극, 공통 전극 또는 발광층의 열화 현상을 더욱 가속시킨다.In addition, the organic light emitting display generates not only light but also heat in the self-emission process. The increase in temperature due to the generated heat further accelerates the degradation of the pixel electrode, the common electrode, or the light emitting layer, which is susceptible to heat.

이러한 열화 현상으로 인해 유기 발광 표시 장치의 표시 성능은 저하되고 제품 수명이 단축되는 문제점이 있다.Due to such deterioration, display performance of the organic light emitting diode display is deteriorated and product life is shortened.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 표시 소자 구동 시에 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting display device capable of effectively dissipating heat generated when driving a display element.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 제1 기판과, 상기 제1 기판 상에 순차적으로 형성된 화소 전극, 발광층 및 공통전극을 포함하는 표시 소자와, 일면이 상기 표시 소자와 대향하도록 배치된 제2 기판과, 상기 제2 기판의 타면에 형성되고, 밀봉 수지 및 상기 밀봉 수지에 분산된 열전도성 입자를 포함하는 열방출 패턴을 포함한다.According to an aspect of the present invention, an organic light emitting diode display includes a first substrate, a display element including a pixel electrode, a light emitting layer, and a common electrode sequentially formed on the first substrate, and one surface. And a heat dissipation pattern including a second substrate disposed to face the display element and a second surface of the second substrate and including a sealing resin and thermally conductive particles dispersed in the sealing resin.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도 면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. In the drawings, the size and relative size of layers and regions may be exaggerated for clarity.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When elements or layers are referred to as "on" or "on" of another element or layer, intervening other elements or layers as well as intervening another layer or element in between. It includes everything. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on" indicates that no device or layer is intervened in the middle. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It may be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. Spatially relative terms are to be understood as including terms in different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the figures.

본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.Embodiments described herein will be described with reference to plan and cross-sectional views, which are ideal schematic diagrams of the invention. Accordingly, shapes of the exemplary views may be modified by manufacturing techniques and / or tolerances. Accordingly, the embodiments of the present invention are not limited to the specific forms shown, but also include variations in forms generated by the manufacturing process. Thus, the regions illustrated in the figures have schematic attributes, and the shape of the regions illustrated in the figures is intended to illustrate a particular form of region of the device, and not to limit the scope of the invention.

이하 도 1 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 8.

우선 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 방열구조에 대하여 자세히 설명한다. 여기서 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 사시도이다. 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치를 Ⅱ-Ⅱ'선으로 자른 단면도이다. 도 3은 도 2의 A부분을 확대한 부분 확대 단면도이다. 도 4는 도 2의 B부분을 확대한 부분 확대 단면도이다.First, a heat dissipation structure of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4. 1 is a perspective view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of the organic light emitting diode display of FIG. 1. 3 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion A of FIG. 2. 4 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating an enlarged portion B of FIG. 2.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 개재된 봉지 부재(300)를 포함한다.1 and 2, the organic light emitting diode display 1 may include a first member 100, a second substrate 200, and an encapsulation member interposed between the first substrate 100 and the second substrate 200. 300.

제1 기판(100)은 바람직하게, 투명한 기판을 포함한다. 예를 들어, 제1 기판(100)은 투명한 유리 또는 투명한 플라스틱과 같은 절연 기판을 포함한다. 제1 기판(100)은 예를 들어 직육면체 플레이트 형상을 가질 수 있다.The first substrate 100 preferably comprises a transparent substrate. For example, the first substrate 100 includes an insulating substrate such as transparent glass or transparent plastic. The first substrate 100 may have, for example, a rectangular parallelepiped plate shape.

제1 기판(100) 상에는 영상을 표시하기 위한 표시 소자(150)가 형성되어 있다. 표시 소자(150)는 예를 들어, 유기 전계 발광 소자이다.The display element 150 for displaying an image is formed on the first substrate 100. The display element 150 is, for example, an organic electroluminescent element.

제2 기판(200)은 표시 소자(150)와 마주보도록 제1 기판(100) 상에 배치된다. 제2 기판(200)은 표시 소자(150)를 손상시키는 수분 및/또는 산소가 표시 소자(150)에 직접 접촉하는 것을 방지한다. 수분 및/또는 산소가 표시 소자(150)에 닿는 경우 표시 소자(150)의 전기적 특성 및 화학적 특성이 열화되어 표시 소 자(150)의 수명은 단축된다.The second substrate 200 is disposed on the first substrate 100 to face the display element 150. The second substrate 200 prevents moisture and / or oxygen damaging the display element 150 from directly contacting the display element 150. When moisture and / or oxygen come into contact with the display element 150, the electrical and chemical properties of the display element 150 may deteriorate, thereby shortening the lifespan of the display element 150.

제2 기판(200)은 제1 기판(100)과 실질적으로 동일할 수 있다. 또는 제2 기판(200)으로는 예를 들어, 소다라임 유리기판(soda-lime glass substrate), 보로 실리케이트 유리 기판(boro-silicate glass substrate), 실리케이트 유리 기판(silicate glass substrate) 또는 납유리 기판(lead glass substrate) 등이 사용될 수 있다.The second substrate 200 may be substantially the same as the first substrate 100. Alternatively, the second substrate 200 may be, for example, a soda-lime glass substrate, a boro-silicate glass substrate, a silicate glass substrate, or a lead glass substrate. glass substrate) and the like can be used.

수분 및 산소와 같은 열화물질이 제2 기판(200)을 통하여 표시 소자(150)로 침투되는 것이 억제하기 위해, 제2 기판(200)의 두께는 예를 들어, 0.1㎜ ∼ 10㎜ 사이의 두께를 가질 수 있다. 바람직하게는 제2 기판(200)은 1㎜ ∼ 10㎜ 사이의 두께를 가질 수 있다. 제2 기판(200)의 두께는 수분 및/또는 산소와 및 표시 소자(150) 사이의 상호 화학 반응 방지, 제2 기판(200)의 내충격성, 및 유기 발광 표시 장치(1) 전체의 무게를 고려하여 변경될 수 있다. 표시 소자(150)가 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)의 사이에 배치될 경우, 수분 및/또는 산소는 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)의 사이의 이격 공간을 통해서 표시 소자(150)와 접촉하게 된다.The thickness of the second substrate 200 may be, for example, between 0.1 mm and 10 mm in order to suppress deterioration of deteriorated materials such as moisture and oxygen into the display element 150 through the second substrate 200. It can have Preferably, the second substrate 200 may have a thickness between 1 mm and 10 mm. The thickness of the second substrate 200 may prevent the mutual chemical reaction between moisture and / or oxygen and the display element 150, the impact resistance of the second substrate 200, and the weight of the entire organic light emitting display device 1. It may be changed in consideration. When the display element 150 is disposed between the first substrate 100 and the second substrate 200, moisture and / or oxygen may be spaced apart between the first substrate 100 and the second substrate 200. In contact with the display element 150 through.

두 기판의 이격 공간을 통해서 수분 및/또는 산소가 표시 소자(150)와 접촉하는 것을 방지하기 위해 표시 소자(150)는 봉지 부재(300)에 의하여 밀봉된다. 또한 봉지 부재(300)는 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)을 상호 결합하는 역할을 할 수 있다. 또한 봉지 부재(300)는 제1 기판(100) 및/또는 제2 기판(200)의 처짐을 방지할 수 있다.The display element 150 is sealed by the encapsulation member 300 to prevent moisture and / or oxygen from contacting the display element 150 through the spaces between the two substrates. In addition, the encapsulation member 300 may serve to couple the first substrate 100 and the second substrate 200 to each other. In addition, the encapsulation member 300 may prevent sagging of the first substrate 100 and / or the second substrate 200.

봉지 부재(300)는 예를 들어, 유기물로 이루어질 수 있다. 봉지 부재(300)에 포함된 유기물은 수분 및/또는 산소와 결합함으로써 수분 및/또는 산소가 표시 소자(150)와 접촉하는 것을 방지하고, 따라서 표시 소자(150)의 수명을 크게 향상시킬 수 있다. 봉지 부재(300)는 열에 의하여 경화되는 열 경화성 수지 또는 광, 예를 들면, 자외선 등에 의하여 경화되는 광 경화성 물질을 포함할 수 있다. 수분 및/또는 산소가 표시 소자(150)와 접촉하는 것을 방지하기 위해, 봉지 부재(300)는 수분 및/또는 산소에 대하여 화학 반응하는 물질, 예를 들면, 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 산화 칼슘(CaO) 또는 산화 바륨(BaO) 등을 더 포함할 수 있다. 또한 유기 발광 표시 장치(1)의 효과적인 열방출을 위하여 봉지 부재(300)는 열방출 패턴(400)과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The encapsulation member 300 may be made of, for example, an organic material. The organic material included in the encapsulation member 300 may prevent moisture and / or oxygen from contacting the display element 150 by combining with moisture and / or oxygen, thereby greatly improving the life of the display element 150. . The encapsulation member 300 may include a thermosetting resin cured by heat or a photocurable material cured by light, for example, ultraviolet rays. In order to prevent moisture and / or oxygen from coming into contact with the display element 150, the encapsulation member 300 may be formed of a chemically reacted material such as calcium (Ca) or barium (Ba). It may further include calcium oxide (CaO) or barium oxide (BaO). In addition, the encapsulation member 300 may be formed of substantially the same material as the heat dissipation pattern 400 for effective heat dissipation of the organic light emitting diode display 1.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 예를 들어, 표시 소자(150)가 형성된 제1 기판(100)을 통하여 빛이 방출되는 배면 발광 방식을 채용할 수 있다.The organic light emitting diode display 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may adopt, for example, a bottom emission method in which light is emitted through the first substrate 100 on which the display element 150 is formed.

열방출 패턴(400)은 표시 소자(150)로부터 발생된 열이 봉지 부재(300) 및 제2 기판(200)을 거쳐 외부로 방출되는 것이 촉진시키는 역할을 한다. 열방출 패턴(400)은 표시 소자(150)로부터 빛이 방출되는 방향과 반대쪽에 배치된 제2 기판(200) 상에 형성될 수 있다. 표시 소자(150)와 마주보는 제2 기판(200)의 일면에는 봉지 부재(300)가 형성되고, 공기 중에 노출된 제2 기판(200)의 타면에는 열방출 패턴(400)이 형성될 수 있다.The heat dissipation pattern 400 serves to promote the heat generated from the display element 150 to be discharged to the outside through the encapsulation member 300 and the second substrate 200. The heat emission pattern 400 may be formed on the second substrate 200 disposed opposite to the direction in which light is emitted from the display element 150. An encapsulation member 300 may be formed on one surface of the second substrate 200 facing the display element 150, and a heat dissipation pattern 400 may be formed on the other surface of the second substrate 200 exposed in the air. .

열방출 패턴(400)은 열방출 효율을 최대화하기 위하여 열전도성 입자 및 이 를 둘러싼 밀봉 수지로 이루어질 수 있다. 열방출 패턴(400)은 서로 분리된 도트 패턴으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 열방출 패턴(400)은 매트릭스 형태로 배열된 다수의 반구 또는 반타원구로 이루어질 수 있다.The heat dissipation pattern 400 may be made of thermally conductive particles and a sealing resin surrounding the heat dissipation pattern in order to maximize heat dissipation efficiency. The heat dissipation pattern 400 may be formed of a dot pattern separated from each other. For example, the heat dissipation pattern 400 may be formed of a plurality of hemispheres or semi-ellipse spheres arranged in a matrix form.

열방출 패턴(400)은 스크린 프린트용 마스크(미도시)를 이용하여 형성될 수 있다. 구체적으로 마스크는 다수의 개구부가 형성된 메쉬(mesh)타입으로 형성되어 있다. 우선 제2 기판(200) 상부에 마스크를 근접 배치시킨다. 마스크의 각 개구부에 열방출 패턴용 수지를 충전(充塡)시킨 후 마스크의 상면으로부터 블레이드를 이동시키면서 개구부에 충전된 열방출 패턴용 수지를 가압한다. 그 결과 열방출 패턴용 수지가 마스크로부터 분리되어 제2 기판(200) 상에 적하되어 열방출 패턴(400)이 형성된다. 열방출 패턴(400)에 대한 구체적인 특성은 이후에 설명한다.The heat dissipation pattern 400 may be formed using a screen printing mask (not shown). Specifically, the mask is formed in a mesh type having a plurality of openings. First, a mask is closely disposed on the second substrate 200. After the resin for the heat dissipation pattern is filled in each opening of the mask, the resin for the heat dissipation pattern filled in the opening is pressed while moving the blade from the upper surface of the mask. As a result, the heat dissipation pattern resin is separated from the mask and dropped on the second substrate 200 to form the heat dissipation pattern 400. Specific characteristics of the heat dissipation pattern 400 will be described later.

이하 도 3을 참조하여 표시 소자(150)에 대하여 자세히 설명한다.Hereinafter, the display element 150 will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3을 참조하면, 표시 소자(150)는 제1 기판(100) 상에 순차적으로 형성된 화소 전극(82), 발광층(92) 및 공통 전극(110)을 포함한다. 구체적으로 화소 전극(82)은 제1 기판(100) 상에 형성되고, 공통 전극(110)은 화소 전극(82)과 대향하여 배치되고, 발광층(92)은 화소 전극(82) 및 공통 전극(110)의 사이에 개재된다.Referring to FIG. 3, the display element 150 includes a pixel electrode 82, a light emitting layer 92, and a common electrode 110 sequentially formed on the first substrate 100. In detail, the pixel electrode 82 is formed on the first substrate 100, the common electrode 110 is disposed to face the pixel electrode 82, and the emission layer 92 is the pixel electrode 82 and the common electrode ( Interposed between 110).

화소 전극(82)은 일함수(work function)가 높은 금속 또는 금속 산화물로 이루어져 표시 소자(150)의 애노드 전극(anode electrode)을 이룰 수 있다. 예를 들어 화소 전극(82)은 투명한 도전성 물질인 ITO(Indium Tin Oxide film), IZO(Indium Zinc Oxide film) 또는 아몰퍼스 ITO(amorphous Indium Tin Oxide film) 등으로 이루어질 수 있다. 화소 전극(82)이 투명하기 때문에, 제1 기판(100) 의 통과하여 발광하는 배면 발광형 유기 발광 표시 장치에 바람직하게 사용될 수 있다. 화소 전극(82)은 화소별로 전기적으로 서로 분리되어 있으며, 각 화소 전극(82)은 적어도 하나의 스위칭 소자(미도시), 예를 들어 박막 트랜지스터에 의해 독립적으로 구동된다.The pixel electrode 82 may be formed of a metal or a metal oxide having a high work function to form an anode electrode of the display element 150. For example, the pixel electrode 82 may be made of an indium tin oxide film (ITO), an indium zinc oxide film (IZO), or an amorphous indium tin oxide film (ITO) that is a transparent conductive material. Since the pixel electrode 82 is transparent, the pixel electrode 82 can be preferably used for a bottom emission type organic light emitting display device that emits light through the first substrate 100. The pixel electrodes 82 are electrically separated from each other by pixel, and each pixel electrode 82 is independently driven by at least one switching element (eg, a thin film transistor).

발광층(92)은 화소 전극(82)의 위에 화소 전극(82)과 오버랩되어 형성된다. 발광층(92)은 격벽(90)에 의해 각 화소별로 서로 분리되어 있다.The light emitting layer 92 overlaps with the pixel electrode 82 on the pixel electrode 82. The light emitting layers 92 are separated from each other by the partition walls 90 for each pixel.

발광층(92) 위에는 공통 전극(110)이 형성되어 있다. 공통 전극(110)은 일함수가 낮은 물질로 이루어져 표시 소자(150)의 캐소드 전극(cathode electrode)을 이룰 수 있다. 예를 들어 공통 전극(110)으로는 반사성이 높은 칼슘, 바륨, 마그네슘, 은, 구리, 알루미늄 또는 이들의 합금 등과 같은 금속 박막 등으로 이루어질 수 있다. 예를 들어 공통 전극(110)으로는 MgAg, CaAl 등이 예시될 수 있다. 공통 전극(110)은 화소 전극(82)과는 달리 화소의 구별없이 동일한 전압이 인가될 수 있다.The common electrode 110 is formed on the emission layer 92. The common electrode 110 may be made of a material having a low work function to form a cathode electrode of the display element 150. For example, the common electrode 110 may be formed of a metal thin film such as calcium, barium, magnesium, silver, copper, aluminum, or an alloy thereof having high reflectivity. For example, MgAg, CaAl, or the like may be exemplified as the common electrode 110. Unlike the pixel electrode 82, the common electrode 110 may be applied with the same voltage without distinguishing pixels.

나아가, 도면에는 도시하지 않았지만, 화소 전극(82)과 발광층(92) 사이에는 정공 수송층(미도시)이 더 형성될 수 있고, 필요에 따라 화소 전극(82)과 정공 수송층 사이에 정공 주입층(미도시)이 더 형성될 수 있다. 마찬가지로, 공통 전극(110)과 발광층(92) 사이에는 전자 수송층(미도시)이 더 형성될 수 있으며, 필요에 따라 공통 전극(110)과 전자 수송층 사이에 전자 주입층(미도시)이 더 형성될 수 있다.Further, although not shown in the drawing, a hole transport layer (not shown) may be further formed between the pixel electrode 82 and the light emitting layer 92, and a hole injection layer may be formed between the pixel electrode 82 and the hole transport layer as necessary. Not shown) may be further formed. Similarly, an electron transport layer (not shown) may be further formed between the common electrode 110 and the light emitting layer 92, and an electron injection layer (not shown) is further formed between the common electrode 110 and the electron transport layer as necessary. Can be.

표시 소자(150)의 화소 전극(82)과 공통 전극(110)에 전압이 인가되면, 화소 전극(82)으로부터 정공이, 공통 전극(110)으로부터 전자가 각각 발광층(92) 측으로 수송된다. 수송된 정공 및 전자는 발광층(92) 내에서 재결합하면서 여기 상태(excited state)의 분자가 생성된다. 이러한 여기 상태의 분자가 기저 상태(ground state)의 분자로 변하면서 소정의 에너지 차에 해당하는 빛이 생성된다. 발광층(92)으로부터 생성된 빛은 사방으로 방출되는데, 화소 전극(82) 측으로 입사된 빛은 화소 전극(82)을 투과하여 방출되고, 공통 전극(110) 측으로 입사된 빛은 반사성이 높은 공통 전극(110)에 반사되어 다시 화소 전극(82) 측으로 방출된다. 화소 전극(82)을 투과한 빛은 다시 제1 기판(100)을 경유하여 외부로 방출되며, 화상으로 시인된다.When voltage is applied to the pixel electrode 82 and the common electrode 110 of the display element 150, holes are transported from the pixel electrode 82 and electrons are transported from the common electrode 110 to the light emitting layer 92. The transported holes and electrons recombine in the light emitting layer 92 to produce molecules in an excited state. As the molecules in this excited state change to molecules in the ground state, light corresponding to a predetermined energy difference is generated. Light generated from the emission layer 92 is emitted in all directions, and light incident on the pixel electrode 82 is transmitted through the pixel electrode 82, and light incident on the common electrode 110 is reflected on the common electrode. The light is reflected by 110 and is emitted to the pixel electrode 82. Light transmitted through the pixel electrode 82 is emitted to the outside via the first substrate 100 again, and is recognized as an image.

이하 도 4를 참조하여 열방출 패턴(400)에 대하여 자세히 설명한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 열방출 패턴(400)은 열전도성 입자(420) 및 이를 둘러싼 밀봉 수지(410)를 포함한다.Hereinafter, the heat dissipation pattern 400 will be described in detail with reference to FIG. 4. As shown in FIG. 4, the heat dissipation pattern 400 includes the thermally conductive particles 420 and the sealing resin 410 surrounding the heat dissipation pattern 400.

열전도성 입자(420)는 예를 들어 알루미나 입자로 이루어질 수 있다. 여기서 알루미나 입자의 열전도율이 10W/mK 내지 35W/mK이다. 여기서 W는 일률의 단위인 watt이며, m은 길이의 단위인 meter이며, K은 절대온도의 단위인 kalvin이다. 알루미나로 이루어진 열전도성 입자(420)는 예를 들어 구형으로 형성될 수 있다.The thermally conductive particles 420 may be made of, for example, alumina particles. Herein, the thermal conductivity of the alumina particles is 10 W / mK to 35 W / mK. Where W is watt, a unit of power, m is a meter, a unit of length, and K is kalvin, a unit of absolute temperature. The thermally conductive particles 420 made of alumina may be formed in a spherical shape, for example.

알루미나로 이루어진 구형 열전도성 입자(420)는 크기가 가장 큰 제1 입자(422), 그 다음으로 큰 제2 입자(424) 및 크기가 가장 작은 제3 입자(426)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(422)의 지름은 5㎛ 내지 100㎛일 수 있으며, 제2 입자(424)의 지름은 2㎛ 내지 20㎛일 수 있으며, 제3 구형 입자(426)의 지름은 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.The spherical thermally conductive particles 420 made of alumina may include the largest first particles 422, the next largest second particles 424, and the smallest third particles 426. For example, the diameter of the first particle 422 may be 5 μm to 100 μm, the diameter of the second particle 424 may be 2 μm to 20 μm, and the diameter of the third spherical particle 426 may be 0.1 μm to 5 μm.

각 입자(422, 424, 426)는 밀봉 수지(410) 내에서 불규칙적으로 분산되어 있다. 분산된 각 입자(422, 424, 426)의 총 부피는 밀봉 수지(410)의 적정 밀봉력을 고려하면서도 후술할 열 전도 효율, 수분 또는 공기 침투 차단 효율을 고려하여 밀봉 수지(410) 전체 부피의 5% 내지 75% 인 것이 바람직하다.Each particle 422, 424, 426 is irregularly dispersed in the sealing resin 410. The total volume of each of the dispersed particles 422, 424, and 426 is determined by considering the proper sealing force of the sealing resin 410, while considering the heat conduction efficiency, moisture, or air penetration blocking efficiency, which will be described later. It is preferred that it is 5% to 75%.

한편, 알루미나 입자는 구형이 아니라 다른 형상을 가져도 무방하다. 또한 알루미나 입자는 지름이 다른 2개의 구형 입자 또는 지름이 다른 4개 이상의 구형 입자를 포함하여도 무방하다. 또한 알루미나 입자는 동일한 지름의 구형 입자로 이루어질 수도 있다.On the other hand, the alumina particles may have other shapes instead of spherical shape. In addition, the alumina particles may include two spherical particles having different diameters or four or more spherical particles having different diameters. The alumina particles may also consist of spherical particles of the same diameter.

또한 열전도성 입자(420)는 예를 들어 흑연 입자로 이루어질 수 있다. 여기서 흑연 입자의 열전도율은 약 100 내지 200W/mK이다. 흑연으로 이루어진 열전도성 입자(420)는 예를 들어 판상으로 형성될 수 있다.In addition, the thermally conductive particles 420 may be formed of, for example, graphite particles. Here, the thermal conductivity of the graphite particles is about 100 to 200 W / mK. The thermally conductive particles 420 made of graphite may be formed in a plate shape, for example.

흑연으로 이루어진 판상 열전도성 입자(420)는 크기가 가장 큰 제1 입자(432), 그 다음으로 큰 제2 입자(434) 및 크기가 가장 작은 제3 입자(436)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(432)의 장변 길이는 5㎛ 내지 100㎛일 수 있으며, 제2 입자(434)의 장변 길이는 2㎛ 내지 20㎛일 수 있으며, 제3 입자(436)의 장변 길이는 0.1㎛ 내지 5㎛일 수 있다.The plate-shaped thermally conductive particles 420 made of graphite may include the largest first particles 432, the next largest second particles 434, and the smallest third particles 436. For example, the long side length of the first particle 432 may be 5 μm to 100 μm, the long side length of the second particle 434 may be 2 μm to 20 μm, and the long side of the third particle 436. The length may be 0.1 μm to 5 μm.

한편, 흑연 입자는 판상이 아니라 다른 형상을 가져도 무방하다. 또한 흑연 입자는 장변 길이가 다른 2개의 판상 입자 또는 장변 길이가 다른 4개 이상의 판상 입자를 포함하여도 무방하다. 또한 흑연 입자는 동일한 장변 길이의 판상 입자로 이루어질 수도 있다.On the other hand, the graphite particles may not have a plate shape but may have other shapes. In addition, the graphite particles may include two plate particles having different long sides or four or more plate particles having different long sides. In addition, the graphite particles may be composed of plate-like particles of the same long side length.

밀봉 수지(410)는 자외선 경화제 및 열 경화제 중 적어도 어느 하나를 함유할 수 있다. 밀봉 수지(410)는 폴리아세틸렌 (polyacetylene), 폴리이미드 (polyimide), 에폭시 수지 중 적어도 어느 하나로 이루어질 수 있다. 밀봉 수지(410)는 흡습제 등의 보조 입자를 포함할 수도 있다. 이러한 밀봉 수지(410)의 평균 열전도율은 약 0.3 내지 9 W/mK일 수 있다.The sealing resin 410 may contain at least one of an ultraviolet curing agent and a thermal curing agent. The sealing resin 410 may be made of at least one of polyacetylene, polyimide, and epoxy resin. The sealing resin 410 may contain auxiliary particles, such as a moisture absorbent. The average thermal conductivity of the sealing resin 410 may be about 0.3 to 9 W / mK.

도 2 및 도 4를 참조하면, 열방출 패턴(400)을 구성하는 다수의 반구 또는 반타원구의 지름(D)은 약 10 내지 1,000㎛일 수 있다. 또한 다수의 반구 또는 반타원구 사이의 이격 거리(L)은 약 10 내지 1,000㎛일 수 있다. 이와 같은 열방출 효율을 높이기 위하여 반구 또는 반타원구의 지름(D) 및 이격 거리(L)가 작을수록 열방출 패턴(400)의 표면적이 늘어나기 때문에 바람직하다. 또한 열방출 효율을 높이기 위하여 열방출 패턴(400)의 높이가 높을수록 열방출 패턴(400)의 표면적이 늘어나기 때문에 바람직하다.2 and 4, the diameters D of the plurality of hemispheres or semi-elliptic spheres constituting the heat dissipation pattern 400 may be about 10 μm to about 1,000 μm. In addition, the separation distance L between a plurality of hemispheres or semi-elliptic spheres may be about 10 to 1,000 μm. In order to increase the heat dissipation efficiency, the smaller the diameter D and the separation distance L of the hemisphere or the semi-elliptic sphere, the surface area of the heat dissipation pattern 400 is preferred. In addition, in order to increase the heat dissipation efficiency, the higher the height of the heat dissipation pattern 400 is, the more preferable the surface area of the heat dissipation pattern 400 is.

스크린 프린팅을 이용하여 열방출 패턴(400)을 형성할 때 열방출 패턴(400)의 점도는 예를 들어 5,000 내지 500,000 cP일 수 있다. 열방출 패턴(400)의 점도가 5,000 cP보다 작은 경우 반구 또는 반타원구와 같은 볼록 형상을 만들기가 어려우며, 점도가 500,000 cP보다 큰 경우 볼록 형상을 만들기는 쉬우나 스크린 프린팅을 하기가 어려울 수 있다.When the heat dissipation pattern 400 is formed using screen printing, the viscosity of the heat dissipation pattern 400 may be, for example, 5,000 to 500,000 cP. When the viscosity of the heat dissipation pattern 400 is less than 5,000 cP, it is difficult to make convex shapes such as hemispheres or semi-elliptic spheres, and when the viscosity is greater than 500,000 cP, it is easy to make convex shapes, but screen printing may be difficult.

이하 도 1, 도 2 및 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)에서 효율적으로 열을 방출하는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of efficiently dissipating heat in the organic light emitting diode display 1 according to the exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 4.

유기 발광 표시 장치(1)가 자발광을 하는 경우 표시 소자(150)에서 열이 발생한다. 발생한 열은 전도에 의해 봉지 부재(300) 및 제2 기판(200)을 통과하여 열방출 패턴(400)에 전달된다. 열방출 패턴(400)에 전달된 열은 열방출 패턴(400)의 표면을 통하여 외부로 방출되게 된다.When the organic light emitting diode display 1 emits light, heat is generated in the display element 150. The generated heat passes through the encapsulation member 300 and the second substrate 200 by conduction and is transferred to the heat dissipation pattern 400. The heat transferred to the heat dissipation pattern 400 is discharged to the outside through the surface of the heat dissipation pattern 400.

열방출 패턴(400) 내에 알루미나 입자 또는 흑연 입자로 이루어진 열전도성 입자(420)가 적절히 분산되어 있으면 제2 기판(200)을 통과한 열이 열전도율이 뛰어난 열전도성 입자(420)를 거쳐 외부로 신속히 배출되게 된다. 따라서 자발광 과정에서 발생한 열에 의해 표시 소자(150)의 과도한 온도 상승을 방지할 수 있다. If the thermally conductive particles 420 made of alumina particles or graphite particles are properly dispersed in the heat dissipation pattern 400, the heat passing through the second substrate 200 may be rapidly transferred to the outside through the thermally conductive particles 420 having excellent thermal conductivity. Will be discharged. Therefore, excessive temperature rise of the display device 150 may be prevented by heat generated during the self-luminescence process.

여기서 분산된 열전도성 입자(420)는 균일한 크기를 가질 수 있으나, 서로 다른 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 즉 본 실시예와 같이 열전도성 입자(420)가 서로 다른 크기를 갖는 3 종류의 제1, 제2 및 제3 입자(422, 424, 426)로 구성되면 밀봉 수지(410) 내에서 큰 제1 입자(422) 사이에 보다 작은 제2 및 제3 입자(424, 426)가 쉽게 분산 배치될 수 있다. 따라서 열전도성 입자(420) 간의 접촉 면적이 증가하여 표시 소자(150)로부터 발생된 열이 제2 기판(200)으로부터 유기 발광 표시 장치(1)의 외부로 더욱 효율적으로 전달될 수 있다.The dispersed thermally conductive particles 420 may have a uniform size, but are preferably formed in different sizes. That is, when the thermally conductive particles 420 are composed of three kinds of first, second and third particles 422, 424, and 426 having different sizes as in the present embodiment, the first large particles in the sealing resin 410 are included. Smaller second and third particles 424, 426 can be easily dispersed and disposed between the particles 422. Therefore, the contact area between the thermally conductive particles 420 increases, so that heat generated from the display element 150 can be more efficiently transferred from the second substrate 200 to the outside of the organic light emitting display device 1.

나아가 봉지 부재(300)가 열방출 패턴(400)과 실질적으로 동일한 물질로 형성되는 경우, 동일한 작용 및 효과에 의해 더욱 효율적으로 표시 소자(150)로부터 발생된 열이 외부로 방출될 수 있다.Furthermore, when the encapsulation member 300 is formed of substantially the same material as the heat dissipation pattern 400, heat generated from the display element 150 may be more efficiently emitted to the outside by the same effect and effect.

이하 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 표시 소자에 대하여 자세히 설명한다. Hereinafter, display elements of the organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 8.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다. 5 is an equivalent circuit diagram of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(22, 62a, 62b)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함한다.Referring to FIG. 5, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of signal lines 22, 62a, and 62b, and a plurality of pixels connected to the plurality of signal lines 22, 62a, and 62b, and arranged in a substantially matrix form. do.

신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(22), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(62a) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(62b)을 포함한다. 게이트선(22)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 실질적으로 평행하고 데이터선(62a)과 구동 전압선(62b)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 실질적으로 평행하다.The signal line includes a plurality of gate lines 22 for transmitting a gate signal (or scan signal), a plurality of data lines 62a for transmitting a data signal, and a plurality of driving voltage lines for transmitting a driving voltage. (driving voltage line) 62b. The gate lines 22 extend substantially in the row direction and are substantially parallel to each other, and the data line 62a and the driving voltage line 62b extend substantially in the column direction and are substantially parallel to each other.

각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 스토리지 커패시터(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.Each pixel PX includes a switching transistor Qs, a driving transistor Qd, a storage capacitor Cst, and an organic light emitting diode OLED. It includes.

스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(22)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(62a)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(22)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(62a)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.The switching transistor Qs has a control terminal, an input terminal and an output terminal. The control terminal is connected to the gate line 22, and the input terminal is a data line 62a. ) And the output terminal is connected to the driving transistor Qd. The switching transistor Qs transfers the data signal applied to the data line 62a to the driving transistor Qd in response to the scan signal applied to the gate line 22.

구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(62b)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.The driving transistor Qd also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal being connected to the switching transistor Qs, the input terminal being connected to the driving voltage line 62b, and the output terminal being the organic light emitting diode. It is connected to (LD). The driving transistor Qd flows an output current ILD whose magnitude varies depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.The capacitor Cst is connected between the control terminal and the input terminal of the driving transistor Qd. The capacitor Cst charges the data signal applied to the control terminal of the driving transistor Qd and maintains it even after the switching transistor Qs is turned off.

유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.The organic light emitting diode LD has an anode connected to the output terminal of the driving transistor Qd and a cathode connected to the common voltage Vss. The organic light emitting diode LD displays an image by emitting light having a different intensity depending on the output current ILD of the driving transistor Qd.

스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.The switching transistor Qs and the driving transistor Qd are n-channel field effect transistors (FETs). However, at least one of the switching transistor Qs and the driving transistor Qd may be a p-channel field effect transistor. In addition, the connection relationship between the transistors Qs and Qd, the capacitor Cst, and the organic light emitting diode LD may be changed.

그러면 도 5에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 6 내지 도 8을 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.Next, detailed structures of the organic light emitting diode display illustrated in FIG. 5 will be described in detail with reference to FIGS. 6 to 8.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이고, 도 7은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 Ⅶ-Ⅶ'선을 따라 자른 단면도이고, 도 8은 도 6의 유기 발광 표시 장치를 Ⅷ-Ⅷ'선을 따라 자른 단면도이다.6 is a plan view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line 'VIII' of FIG. 6, and FIG. 8 is an organic light emitting display of FIG. 6. Sectional view taken along line VII-VII '.

제1 기판(100) 위에는 제1 제어 전극(control electrode)(26a)을 포함하는 복수의 게이트선(22) 및 복수의 제2 제어 전극(26b)을 포함하는 복수의 게이트 도전체(gate conductor)가 형성되어 있다.A plurality of gate conductors including a plurality of gate lines 22 including a first control electrode 26a and a plurality of second control electrodes 26b on the first substrate 100. Is formed.

제1 기판(100)은 표시 영역과 표시 영역 외곽의 비표시 영역을 가지며, 투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진다.The first substrate 100 has a display area and a non-display area outside the display area, and is made of transparent glass or plastic.

게이트선(22)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(22)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(미도시)을 포함할 수 있으며, 제1 제어 전극(26a)은 게이트선(22)으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 제1 기판(100) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(22)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The gate line 22 transmits a gate signal and mainly extends in a horizontal direction. Each gate line 22 may include a wide end portion (not shown) for connection with another layer or an external driving circuit, and the first control electrode 26a extends upward from the gate line 22. . When a gate driving circuit (not shown) generating a gate signal is integrated on the first substrate 100, the gate line 22 may extend to be directly connected to the gate driving circuit.

제2 제어 전극(26b)은 게이트선(22)과 분리되어 있으며, 아래 방향으로 뻗다가 오른쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 길게 뻗은 유지 전극(storage electrode)(27)을 포함한다.The second control electrode 26b is separated from the gate line 22 and includes a storage electrode 27 extending downward and briefly changing to the right and extending upward.

게이트 도전체(22, 26b)는 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티 타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 따위로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 도전체(22, 26b)는 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 이 중 한 도전막은 게이트 도전체(22, 26b)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어진다. 이와는 달리, 다른 도전막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진다. 이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 및 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트 도전체(22, 26b)는 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.The gate conductors 22 and 26b may be made of aluminum-based metals such as aluminum (Al) and aluminum alloys, silver-based metals such as silver (Ag) and silver alloys, copper-based metals such as copper (Cu) and copper alloys, and molybdenum ( Mo) and molybdenum alloys such as molybdenum-based metal, it may be made of chromium (Cr), titanium (Ti), tantalum (Ta). In addition, the gate conductors 22 and 26b may have a multilayer structure including two conductive layers (not shown) having different physical properties. One of the conductive films is made of a low resistivity metal such as an aluminum-based metal, a silver-based metal, or a copper-based metal so as to reduce the signal delay or voltage drop of the gate conductors 22 and 26b. In contrast, the other conductive layer is made of a material having excellent contact properties with other materials, particularly indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO), such as molybdenum-based metals, chromium, titanium, tantalum and the like. A good example of such a combination is a chromium bottom film and an aluminum top film and an aluminum bottom film and a molybdenum top film. However, the present invention is not limited thereto, and the gate conductors 22 and 26b may be made of various metals and conductors.

게이트 도전체(22, 26b)의 측면은 제1 기판(100) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30° 내지 약 80°인 것이 바람직하다.Side surfaces of the gate conductors 22 and 26b are inclined with respect to the surface of the first substrate 100, and the inclination angle is preferably about 30 degrees to about 80 degrees.

게이트 도전체(22, 26b) 위에는 질화 규소 또는 산화 규소 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(30)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 30 made of silicon nitride or silicon oxide is formed on the gate conductors 22 and 26b.

게이트 절연막(30) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 제1 반도체(40a)와 복수의 제2 반도체(40b)가 형성되어 있다. 제1 반도체(40a)는 제1 제어 전극(26a) 위에 위치하며, 제2 반도체(40b)는 제2 제어 전극(26b) 위에 위치한다.On the gate insulating film 30, a plurality of first semiconductors 40a and a plurality of second semiconductors 40b made of hydrogenated amorphous silicon (amorphous silicon is abbreviated as a-Si) or polysilicon, etc. ) Is formed. The first semiconductor 40a is positioned on the first control electrode 26a and the second semiconductor 40b is positioned on the second control electrode 26b.

제1 및 제2 반도체(40a, 40b) 위에는 각각 복수 쌍의 제1 저항성 접촉 부 재(ohmic contact)(55a, 56a)와 복수 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(55b, 56b)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(55a, 55b, 56a, 56b)는 섬 모양이며, 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다. A plurality of pairs of first ohmic contacts 55a and 56a and a plurality of pairs of second ohmic contacts 55b and 56b are formed on the first and second semiconductors 40a and 40b, respectively. The ohmic contacts 55a, 55b, 56a, and 56b have an island shape and may be made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which n-type impurities such as phosphorus (P) are heavily doped, or made of silicide. have.

저항성 접촉 부재(55a, 55b, 56a, 56b) 및 게이트 절연막(30) 위에는 복수의 데이터선(62a), 복수의 구동 전압선(62b) 및 복수의 제1 및 제2 출력 전극(output electrode)(66a, 66b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.The plurality of data lines 62a, the plurality of driving voltage lines 62b, and the plurality of first and second output electrodes 66a are disposed on the ohmic contacts 55a, 55b, 56a, and 56b and the gate insulating layer 30. , A plurality of data conductors (66b) are formed.

데이터선(62a)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(22)과 교차한다. 각 데이터선(62a)은 제1 제어 전극(26a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 입력 전극(input electrode)(65a)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(미도시)을 포함할 수 있다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)가 제1 기판(100) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(62a)이 연장되어 데이터 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.The data line 62a transmits a data signal and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 22. Each data line 62a has a wide end portion (not shown) for connecting a plurality of first input electrodes 65a extending toward the first control electrode 26a with another layer or an external driving circuit. ) May be included. When a data driving circuit (not shown) generating a data signal is integrated on the first substrate 100, the data line 62a may be extended to be directly connected to the data driving circuit.

구동 전압선(62b)은 구동 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(22)과 교차한다. 각 구동 전압선(62b)은 제2 제어 전극(26b)을 향하여 뻗은 복수의 제2 입력 전극(65b)을 포함한다. 구동 전압선(62b)은 유지 전극(27)과 중첩한다.The driving voltage line 62b transmits the driving voltage and mainly extends in the vertical direction to cross the gate line 22. Each driving voltage line 62b includes a plurality of second input electrodes 65b extending toward the second control electrode 26b. The driving voltage line 62b overlaps the sustain electrode 27.

제1 및 제2 출력 전극(66a, 66b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(62a) 및 구동 전압선(62b)과도 분리되어 있다. 제1 입력 전극(65a)과 제1 출력 전극(66a)은 제1 제어 전극(26a)을 중심으로 서로 마주보고, 제2 입력 전극(65b)과 제2 출력 전극(66b)은 제2 제어 전극(26b)을 중심으로 서로 마주한다.The first and second output electrodes 66a and 66b are separated from each other and also separated from the data line 62a and the driving voltage line 62b. The first input electrode 65a and the first output electrode 66a face each other with respect to the first control electrode 26a, and the second input electrode 65b and the second output electrode 66b are the second control electrode. Facing each other with reference to (26b).

데이터 도전체(62a, 62b, 66a, 66b)는 알루미늄, 크롬, 몰리브덴, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 물질로 구성된 단일막 또는 다층막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 데이터 도전체(62a, 62b, 66a, 66b)는 크롬, 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속 따위의 하부막(미도시)과 그 위에 위치한 저저항 물질 상부막(미도시)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다. 다층막 구조의 예로는 앞서 설명한 크롬 하부막과 알루미늄 상부막 또는 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막의 이중막 외에도 몰리브덴막-알루미늄막-몰리브덴막의 삼중막을 들 수 있다.The data conductors 62a, 62b, 66a, and 66b may be formed of a single film or a multilayer film made of one or more materials selected from the group consisting of aluminum, chromium, molybdenum, tantalum, and titanium. For example, the data conductors 62a, 62b, 66a, and 66b may be made of refractory metals such as chromium, molybdenum-based metals, tantalum, and titanium, and may be disposed on an underlayer (not shown) of the refractory metal and the like. It may have a multilayer structure consisting of a low resistance material upper layer (not shown). Examples of the multilayer film structure include a triple film of molybdenum film, aluminum film, and molybdenum film in addition to the above-described double film of chromium lower film and aluminum upper film or aluminum lower film and molybdenum upper film.

게이트 도전체(22, 26b)와 마찬가지로 데이터 도전체(62a, 62b, 66a, 66b) 또한 그 측면이 제1 기판(100) 면에 대하여 30° 내지 80° 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.Like the gate conductors 22 and 26b, the data conductors 62a, 62b, 66a, and 66b also preferably have their side surfaces inclined at an inclination angle of about 30 ° to 80 ° with respect to the first substrate 100 surface.

데이터 도전체(62a, 62b, 66a, 66b), 노출된 반도체(40a, 40b) 부분 및 게이트 절연막(30) 위에는 보호막(passivation layer)(70)이 형성되어 있다. A passivation layer 70 is formed on the data conductors 62a, 62b, 66a, and 66b, the exposed portions of the semiconductors 40a and 40b, and the gate insulating layer 30.

보호막(70)은 질화규소 또는 산화규소로 이루어진 무기물, 폴리아크릴(poly acryl) 등과 같이 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기물 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등으로 이루어진다. 또한, 보호막(70)을 유기 물질로 형성하는 경우에는 반도체(40a, 40b)의 노 출된 부분에 보호막(70)의 유기 물질이 접촉하는 것을 방지하기 위하여, 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2)로 이루어진 하부 무기막과 상부 유기막의 이중막 구조를 가질 수 있다.The passivation layer 70 is formed of an organic material or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) having excellent planarization characteristics such as inorganic material made of silicon nitride or silicon oxide, poly acryl, and the like and having photosensitivity. It consists of low dielectric constant insulating materials, such as a-Si: C: O and a-Si: O: F. In the case where the protective film 70 is formed of an organic material, silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO) is used to prevent the organic material of the protective film 70 from contacting the exposed portions of the semiconductors 40a and 40b. It may have a double film structure of the lower inorganic film and the upper organic film consisting of 2 ).

보호막(70)에는 제1 및 제2 출력 전극(66a, 66b)을 각각 드러내는 복수의 콘택홀(contact hole)(86a, 86b)이 형성되어 있으며, 보호막(70)과 게이트 절연막(30)에는 제2 입력 전극(26b)을 드러내는 복수의 콘택홀(88)이 형성되어 있다.A plurality of contact holes 86a and 86b exposing the first and second output electrodes 66a and 66b are formed in the passivation layer 70, and the passivation layer 70 and the gate insulating layer 30 are formed of a plurality of contact holes 86a and 86b. A plurality of contact holes 88 exposing the two input electrodes 26b are formed.

보호막(70) 위에는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 도전물질로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(82) 및 복수의 연결 부재(connecting member)(84)가 형성되어 있다.A plurality of pixel electrodes 82 and a plurality of connecting members 84 formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are formed on the passivation layer 70. It is.

화소 전극(82)은 콘택홀(86b)을 통하여 제2 출력 전극(66b)과 물리적·전기적으로 연결되어 있다.The pixel electrode 82 is physically and electrically connected to the second output electrode 66b through the contact hole 86b.

연결 부재(84)는 콘택홀(88, 86a)을 통하여 제2 제어 전극(26b) 및 제1 출력 전극(66a)과 연결되어 있다.The connecting member 84 is connected to the second control electrode 26b and the first output electrode 66a through the contact holes 88 and 86a.

보호막(70) 위에는 격벽(partition)(90)이 형성되어 있다. 격벽(90)은 화소 전극(82) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(91)를 정의한다. 격벽(90)은 아크릴 수지(acrylic resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 따위의 내열성 및 내용매성을 가지는 유기 절연물 또는 산화규소(SiO2), 산화티탄(TiO2) 따위의 무기 절연물로 이루어질 수 있으며, 2층 이상일 수 있다. 또한 격벽(90)은 검정색 안료를 포함하는 감광재로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(90) 은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.A partition 90 is formed on the passivation layer 70. The partition wall 90 surrounds the edge of the pixel electrode 82 like a bank to define an opening 91. The partition wall 90 may be made of an organic insulator such as an acrylic resin, a polyimide resin, or an inorganic insulator such as silicon oxide (SiO 2 ) or titanium oxide (TiO 2 ). It may be two or more layers. In addition, the partition wall 90 may be made of a photosensitive material including a black pigment. In this case, the partition wall 90 serves as a light blocking member and the forming process is simple.

격벽(90)이 정의하는 화소 전극(82) 위의 개구부(91)에는 빛을 내는 발광층(92)이 형성되어 있다. A light emitting layer 92 emitting light is formed in the opening 91 on the pixel electrode 82 defined by the partition wall 90.

발광층(92) 외에 발광층(92)의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(미도시)이 더 형성될 수 있다.In addition to the light emitting layer 92, an auxiliary layer (not shown) may be further formed to improve light emission efficiency of the light emitting layer 92.

발광층(92)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층(92)에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.The light emitting layer 92 is made of an organic material or a mixture of organic and inorganic materials that uniquely emits light of any one of primary colors such as three primary colors of red, green, and blue, and a polyfluorene derivative, (Poly) paraphenylenevinylene derivatives, polyphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole, polythiophene derivatives or the like Perylene pigments, coumarin pigments, laumine pigments, rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetra Compounds doped with phenylbutadiene (tetraphenylbutadiene), nile red (Nile red), coumarin (coumarin), quinacridone (quinacridone) and the like may be included. The organic light emitting diode display displays a desired image by using a spatial sum of the primary color light emitted from the emission layer 92.

부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등 이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다. 정공 수송층 및 정공 주입층은 화소 전극(82)과 발광층(92)의 중간 정도의 일 함수(work function)를 가지는 재료로 만들어지고, 전자 수송층과 전자 주입층은 공통 전극(110)과 발광층(92)의 중간 정도의 일 함수를 가지는 재료로 만들어진다. 예컨대 정공 수송층 또는 정공 주입층으로는 폴리에틸렌디옥시티오펜과 폴리스티렌술폰산의 혼합물(poly-(3,4-ethylenedioxythiophene: polystyrenesulfonate, PEDOT: PSS) 따위를 사용할 수 있다. The auxiliary layer includes an electron transport layer (not shown) and a hole transport layer (not shown) for balancing electrons and holes, and an electron injection layer for enhancing the injection of electrons and holes ( electron injecting layer (not shown) and hole injecting layer (hole injecting layer) (not shown), and the like, and may include one or two or more layers selected from them. The hole transporting layer and the hole injection layer are made of a material having a work function that is approximately intermediate between the pixel electrode 82 and the light emitting layer 92, and the electron transporting layer and the electron injection layer are the common electrode 110 and the light emitting layer 92. It is made of a material with a medium work function of). For example, a mixture of polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid (poly- (3,4-ethylenedioxythiophene: polystyrenesulfonate, PEDOT: PSS)) may be used as the hole transport layer or the hole injection layer.

발광층(92) 위에는 불투명한 금속인 알루미늄, 마스네슘과 은의 합금 또는 칼슘과 은의 합금 등으로 이루어진 공통 전극(common electrode)(110)이 형성되어 있다. 공통 전극(110)은 제1 기판(100) 위의 전면(全面)에 형성되어 있으며, 화소 전극(82)과 쌍을 이루어 발광층(92)에 전류를 흘려 보낸다.On the light emitting layer 92, a common electrode 110 made of an opaque metal, an alloy of magnesium and silver, or an alloy of calcium and silver, is formed. The common electrode 110 is formed on the entire surface of the first substrate 100, and pairs with the pixel electrode 82 to send a current to the light emitting layer 92.

이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(22)에 연결되어 있는 제1 제어 전극(26a), 데이터선(62a)에 연결되어 있는 제1 입력 전극(65a) 및 제1 출력 전극(66a)은 제1 반도체(40a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 입력 전극(65a)과 제1 출력 전극(66a) 사이의 제1 반도체(40a)에 형성된다. 제1 출력 전극(66a)에 연결되어 있는 제2 제어 전극(26b), 구동 전압선(62b)에 연결되어 있는 제2 입력 전극(65b) 및 화소 전극(82)에 연결되어 있는 제2 출력 전극(66b)은 제2 반도체(40b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 입력 전극(65b)과 제2 출력 전극(66b) 사이의 제2 반도 체(40b)에 형성된다.In the organic light emitting diode display, the first control electrode 26a connected to the gate line 22, the first input electrode 65a and the first output electrode 66a connected to the data line 62a may be formed. 1 together with the semiconductor 40a, a switching TFT Qs is formed, and a channel of the switching TFT Qs is formed between the first input electrode 65a and the first output electrode 66a. 1 is formed in the semiconductor 40a. The second control electrode 26b connected to the first output electrode 66a, the second input electrode 65b connected to the driving voltage line 62b, and the second output electrode connected to the pixel electrode 82 ( 66b forms a driving TFT Qd together with the second semiconductor 40b, and a channel of the driving TFT Qd is formed between the second input electrode 65b and the second output electrode 66b. It is formed in the second semiconductor 40b.

또한, 본 실시예에서는 스위칭 박막 트랜지스터 1개와 구동 박막 트랜지스터 1개만을 도시하였지만 이들 외에 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 이를 구동하기 위한 복수의 배선을 더 포함함으로써, 장시간 구동하여도 유기 발광 다이오드(LD) 및 구동 트랜지스터(Qd)가 열화되는 것을 방지하거나 보상하여 유기 발광 표시 장치의 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다.In addition, although only one switching thin film transistor and one driving thin film transistor are shown in the present embodiment, at least one thin film transistor and a plurality of wirings for driving the same are further included, so that the organic light emitting diode LD and It is possible to prevent or compensate the deterioration of the driving transistor Qd to prevent the lifespan of the organic light emitting diode display from being shortened.

화소 전극(82), 발광층(92) 및 공통 전극(110)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(82)이 애노드(anode), 공통 전극(110)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(82)이 캐소드, 공통 전극(110)이 애노드가 된다. 또한 서로 중첩하는 유지 전극(27)과 구동 전압선(62b)은 스토리지 커패시터(storage capacitor)(Cst)를 이룬다. The pixel electrode 82, the light emitting layer 92, and the common electrode 110 form an organic light emitting diode LD, and the pixel electrode 82 is an anode and the common electrode 110 is a cathode or vice versa. The pixel electrode 82 is a cathode and the common electrode 110 is an anode. In addition, the storage electrode 27 and the driving voltage line 62b overlapping each other form a storage capacitor Cst.

한편, 반도체(40a, 40b)가 다결정 규소인 경우에는, 제어 전극(26a, 26b)과 마주보는 진성 영역(intrinsic region)(도시하지 않음)과 그 양쪽에 위치한 불순물 영역(extrinsic region)(도시하지 않음)을 포함한다. 불순물 영역은 입력 전극(65a, 65b) 및 출력 전극(66a, 66b)과 전기적으로 연결되며, 저항성 접촉 부재(55a, 55b, 56a, 56b)는 생략할 수 있다.On the other hand, when the semiconductors 40a and 40b are polycrystalline silicon, an intrinsic region (not shown) facing the control electrodes 26a and 26b and an impurity region (extrinsic region) located on both sides thereof (not shown) Not included). The impurity region is electrically connected to the input electrodes 65a and 65b and the output electrodes 66a and 66b, and the ohmic contacts 55a, 55b, 56a and 56b may be omitted.

또한, 제어 전극(26a, 26b)을 반도체(40a, 40b) 위에 둘 수 있으며 이때에도 게이트 절연막(30)은 반도체(40a, 40b)와 제어 전극(26a, 26b) 사이에 위치한다. 이때, 데이터 도전체(62a, 62b, 65b, 66b)는 게이트 절연막(30) 위에 위치하고 게이트 절연막(30)에 뚫린 콘택홀(도시하지 않음)을 통하여 반도체(40a, 40b)와 전기 적으로 연결될 수 있다. 이와는 달리 데이터 도전체(62a, 62b, 65b, 66b)가 반도체(40a, 40b) 아래에 위치하여 그 위의 반도체(40a, 40b)와 전기적으로 접촉할 수 있다.In addition, the control electrodes 26a and 26b may be placed on the semiconductors 40a and 40b, and the gate insulating layer 30 is also positioned between the semiconductors 40a and 40b and the control electrodes 26a and 26b. In this case, the data conductors 62a, 62b, 65b, and 66b may be disposed on the gate insulating layer 30 and electrically connected to the semiconductors 40a and 40b through a contact hole (not shown) that is drilled through the gate insulating layer 30. have. Alternatively, the data conductors 62a, 62b, 65b, and 66b may be positioned below the semiconductors 40a and 40b to be in electrical contact with the semiconductors 40a and 40b thereon.

한편, 도 2 및 도 3에 도시한 표시 소자(150)는 제1 기판(100)의 표시 영역에 형성되어 있는 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd) 및 유기 발광 다이오드(LD)를 말한다.Meanwhile, the display device 150 illustrated in FIGS. 2 and 3 includes a switching TFT Qs and a driving TFT Qd formed in the display area of the first substrate 100. And an organic light emitting diode (LD).

이하 도 9를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다. 여기서 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다. 설명의 편의상, 이전 실시예의 도면(도 1 내지 도 8)에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략한다. 본 실시예의 유기 발광 표시 장치는, 도 9에 나타낸 바와 같이, 이전 실시예의 유기 발광 표시 장치와 다음을 제외하고는 기본적으로 동일한 구조를 갖는다. Hereinafter, an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 9. 9 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to another exemplary embodiment of the present invention. For convenience of description, members having the same functions as the members shown in the drawings (FIGS. 1 to 8) of the previous embodiment are denoted by the same reference numerals, and therefore description thereof is omitted. As shown in FIG. 9, the organic light emitting diode display according to the present exemplary embodiment has a structure that is basically the same as the organic light emitting diode display of the previous embodiment except for the following.

즉, 도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)는 봉지 부재(300)가 표시 소자(150)에 밀착되어 있는 것이 아니라 표시 소자(150)의 주위, 즉 제1 기판(100)의 비표시 영역을 따라 형성되어 있으며, 제2 기판(200)의 가장 자리만이 봉지 부재(300)에 부착되어 있다.That is, as shown in FIG. 9, in the organic light emitting diode display 2 according to another exemplary embodiment, the encapsulation member 300 is not in close contact with the display element 150, but the periphery of the display element 150. That is, the second substrate 200 is formed along the non-display area of the first substrate 100, and only the edge of the second substrate 200 is attached to the encapsulation member 300.

이에 따라 표시 소자(150)와 제2 기판(200) 사이에는 밀폐된 공간부(500)가 형성되며, 공간부(500) 내에는 외부로부터 수분 또는 공기의 침투를 방지하기 위한 질소나 비활성 기체 등이 충전(充塡)되어 있다.Accordingly, an enclosed space 500 is formed between the display element 150 and the second substrate 200, and nitrogen or an inert gas, etc., is used in the space 500 to prevent infiltration of moisture or air from the outside. It is charged.

도 9에 도시한 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(2)에 의 하면 표시 소자(150)를 통해 방출된 열이 질소나 비활성 기체 등으로 충전된 공간부(500)를 대류를 통해 제2 기판(200)으로 이동하게 된다. 이 열은 제2 기판(200)에 형성된 열방출 패턴(400)에 의해 외부로 효율적으로 방출된다. According to the organic light emitting diode display 2 according to another exemplary embodiment illustrated in FIG. 9, heat emitted through the display element 150 may convection a space 500 filled with nitrogen or an inert gas. It moves to the second substrate 200 through. This heat is efficiently released to the outside by the heat dissipation pattern 400 formed on the second substrate 200.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술일 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to the above embodiments but may be manufactured in various forms, and having ordinary skill in the art to which the present invention pertains. It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치에 의하면, 표시 소자를 둘러싼 기판의 외면에 열전도성 입자가 포함된 열방출 패턴을 형성함으로써 표시 소자로부터 발생된 열을 외부롤 신속히 방출할 수 있다. 따라서 열에 의해 유기 발광 표시 장치의 표시 성능 저하를 방지할 수 있다.As described above, according to the organic light emitting diode display according to the present invention, heat generated from the display element can be quickly released to the outside by forming a heat emission pattern including thermal conductive particles on the outer surface of the substrate surrounding the display element. Accordingly, the display performance of the organic light emitting diode display may be prevented by heat.

Claims (17)

제1 기판;A first substrate; 상기 제1 기판 상에 순차적으로 형성된 화소 전극, 발광층 및 공통전극을 포함하는 표시 소자;A display device including a pixel electrode, a light emitting layer, and a common electrode sequentially formed on the first substrate; 일면이 상기 표시 소자와 대향하도록 배치된 제2 기판; 및A second substrate having one surface facing the display element; And 상기 제2 기판의 타면에 형성되고, 밀봉 수지 및 상기 밀봉 수지에 분산된 열전도성 입자를 포함하는 열방출 패턴을 포함하는 유기 발광 표시 장치.And a heat dissipation pattern formed on the other surface of the second substrate and including a sealing resin and thermally conductive particles dispersed in the sealing resin. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 열방출 패턴은 도트 패턴으로 이루어진 유기 발광 표시 장치.The heat emission pattern may include a dot pattern. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 도트 패턴은 매트릭스 형태로 배열된 다수의 반구 또는 반타원구로 이루어진 유기 발광 표시 장치.The dot pattern is formed of a plurality of hemispheres or semi-ellipse spheres arranged in a matrix form. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 도트 패턴의 지름은 10 내지 1000㎛인 유기 발광 표시 장치.The dot pattern has a diameter of 10 to 1000㎛ organic light emitting display device. 제2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 도트 패턴 사이의 이격 거리는 10 내지 1000㎛인 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting display device having a distance of 10 to 1000 μm from the dot pattern. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 표시 소자는 상기 제1 기판을 통하여 빛을 발산하는 유기 발광 표시 장치.The display device emits light through the first substrate. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 열전도성 입자는 알루미나 입자를 포함하는 유기 발광 표시 장치.The thermally conductive particles include alumina particles. 제7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 열전도성 입자의 열전도율은 10W/mK 내지 35 W/mK인 유기 발광 표시 장치.The thermal conductivity of the thermally conductive particles is 10W / mK to 35 W / mK. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 열전도성 입자는 흑연 입자를 포함하는 유기 발광 표시 장치.The thermally conductive particles include graphite particles. 제9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 열전도성 입자의 열전도율은 100W/mK 내지 200W/mK인 유기 발광 표시 장치.The thermal conductivity of the thermally conductive particles is 100W / mK to 200W / mK. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 열전도성 입자는 적어도 2개의 서로 다른 크기를 갖는 입자들로 이루어진 유기 발광 표시 장치.The thermally conductive particles are formed of particles having at least two different sizes. 제11 항에 있어서, The method of claim 11, wherein 상기 열전도성 입자는 5㎛ 내지 100㎛ 크기의 제1 입자, 2㎛ 내지 20㎛ 크기의 제2 입자 및 0.1㎛ 내지 5㎛ 크기의 제3 입자로 이루어진 유기 발광 표시 장치.The thermally conductive particles include first particles having a size of 5 μm to 100 μm, second particles having a size of 2 μm to 20 μm, and third particles having a size of 0.1 μm to 5 μm. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 열전도성 입자가 차지하는 부피는 상기 밀봉 수지 전체 부피의 5% 내지 75%인 유기 발광 표시 장치.The volume of the thermally conductive particles is 5% to 75% of the total volume of the sealing resin. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 개재된 봉지 부재를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.And an encapsulation member interposed between the first substrate and the second substrate. 제14 항에 있어서, The method of claim 14, 상기 봉지 부재는 상기 표시 소자를 밀봉하도록 상기 표시 소자 위에 형성된 유기 발광 표시 장치.And the encapsulation member is formed on the display element to seal the display element. 제14 항에 있어서, The method of claim 14, 상기 봉지 부재는 상기 표시 소자의 주위에 형성되고, 상기 표시 소자와 상기 제2 기판 사이에 밀폐된 공간부가 형성되는 유기 발광 표시 장치.And the encapsulation member is formed around the display element, and a sealed space portion is formed between the display element and the second substrate. 제14 항에 있어서, The method of claim 14, 상기 봉지 부재는 상기 열방출 패턴과 실질적으로 동일한 물질로 이루어진 유기 발광 표시 장치.The encapsulation member is formed of a material substantially the same as the heat emission pattern.
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