KR100778443B1 - Organic light emitting display - Google Patents

Organic light emitting display Download PDF

Info

Publication number
KR100778443B1
KR100778443B1 KR1020060064410A KR20060064410A KR100778443B1 KR 100778443 B1 KR100778443 B1 KR 100778443B1 KR 1020060064410 A KR1020060064410 A KR 1020060064410A KR 20060064410 A KR20060064410 A KR 20060064410A KR 100778443 B1 KR100778443 B1 KR 100778443B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
formed
emitting region
layer
Prior art date
Application number
KR1020060064410A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
치바야스히로
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020060064410A priority Critical patent/KR100778443B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100778443B1 publication Critical patent/KR100778443B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/3246Banks, i.e. pixel defining layers
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays
    • H01L27/3248Connection of the pixel electrode to the TFT
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5203Electrodes
    • H01L51/5206Anodes, i.e. with high work-function material
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5203Electrodes
    • H01L51/5221Cathodes, i.e. with low work-function material
    • H01L51/5228Cathodes, i.e. with low work-function material combined with auxiliary electrodes

Abstract

An organic light emitting display device is provided to prevent a second electrode of a light emitting region from being damaged from a high temperature in a forming process of a sub electrode by not forming the sub electrode on the light emitting region. An organic light emitting display device includes a substrate(110) and a light emitting unit(70). The substrate has a plurality of pixels which are divided into a light emitting region and a non-light emitting region near to the light emitting region. The light emitting unit is formed on the light emitting region of the substrate and emits a light based on a driving signal of a driving circuit unit. The light emitting unit includes a first electrode(710), an organic layer(720), a second electrode(730) and a sub electrode(740). The first electrode is electrically connected to the driving circuit unit. The organic layer is formed on the first electrode and is arranged on the light emitting region. The second electrode covers the organic layer and is arranged on the light emitting region and the non-light emitting region. The sub electrode is formed on the second electrode in the non-light emitting region. The driving circuit unit includes a gate electrode(155), an inter-insulation layer(160), a source electrode(176) and a drain electrode(177). The gate electrode is formed on the substrate. The inter-insulation layer covers the gate electrode. The source electrode and the drain electrode are formed on the inter-insulation layer. The first electrode is electrically connected to the drain electrode.

Description

유기 발광 표시 장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY} OLED display {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 레이아웃이다. 1 is a layout of the organic light emitting display according to the first embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 도시한 단면도이다. Figure 2 is a sectional view along the line Ⅱ-Ⅱ of FIG.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 레이아웃이다. 3 is a layout of the organic light emitting display according to the second embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 도시한 단면도이다. Figure 4 is a sectional view along the Ⅳ Ⅳ-line in Fig.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Description of the Related Art

10 : 제1 박막 트랜지스터 20: 제2 박막 트랜지스터 10: first TFT 20: second thin film transistor

70 : 발광부 80 : 축전 소자 70: Light-emitting unit 80: storage device

110 : 기판 120 : 버퍼층 110: substrate 120: a buffer layer

132 : 반도체층 140 : 게이트 절연막 132: semiconductor layer 140: a gate insulating film

151 : 게이트 라인 155 : 게이트 전극 151: gate line 155: gate electrode

158 : 하부 전극 160 : 층간 절연막 158: lower electrode 160: interlayer insulating film

171 : 데이터 라인 172 : 공통 전원 라인 171: Data lines 172: a common power supply line

176 : 소스 전극 177 : 드레인 전극 176: source electrode 177: drain electrode

178 : 상부 전극 180 : 평탄화막 178: upper electrode 180: leveling film

190 : 화소 정의막 710 : 제1 전극 190: the pixel defining layer 710: first electrode

720 : 유기층 730 : 제2 전극 720: organic layer 730: second electrode

740 : 보조 전극 740: auxiliary electrode

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조 과정에서 불량의 발생을 억제한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly to manufacturing an organic light emitting display device suppressing the generation of defects in the.

근래에 음극선관(cathode ray tube, CRT)의 단점을 극복하여 경량화 및 소형화가 가능한 평판 표시 장치가 차세대 표시 장치로 각광 받고 있다. Recently a cathode ray tube (cathode ray tube, CRT) flat panel display device to overcome the defects as possible the weight reduction and miniaturization is spotlighted as a next generation display device. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로 플라즈마 디스플레이 패널(plama display panel, PDP), 액정 표시 장치(liguid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic luminescent display) 등이 있다. Typical examples of such flat panel display devices include plasma display panel (plama display panel, PDP), liquid crystal display (liguid crystal display, LCD), an organic light emitting display device (organic luminescent display).

유기 발광 표시 장치는 유기 화합물을 발광시켜 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치로서, 다른 평판 표시 장치에 비해 넓은 시야각 확보가 가능하며 고해상도 실현이 가능하다. The OLED display device is an emissive display device to the light-emitting character for the organic compounds to display an image, a wide viewing angle can be secured compared to other flat panel display devices, and it is possible to realize high resolution. 유기 발광 표시 장치는 구동 방법에 따라 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치와 수동 구동(passive matrix, PM)형 유기 발광 표시 장치로 구분될 수 있으며, 발광 형식에 따라 전면 발광형, 배면 발광형 및 양면 발광형으로 구분될 수 있다. OLED display according to the driving method of the active matrix (active matrix, AM) type organic light emitting display device and a passive matrix (passive matrix, PM) can be divided into type OLED display, the top emission type according to the light emission type, It may be divided into a bottom emission type and a double-side emission type.

이 중에서 능동 구동형 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소(화면을 표시하는 최소 단위를 말한다)를 구비하며, 각각의 화소는 화상을 표시하는 발광부와 발광부를 구동하는 회로부를 포함하는 것이 일반적이다. Among them, active matrix organic light emitting display device is provided with a (refer to the smallest unit that displays a screen) a plurality of pixels, each pixel is generally a light emitting portion and the light-emitting parts of the driving circuit unit for displaying an image.

회로부는 통상적으로 두개의 이상의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 포함한다. The circuitry typically includes two or more thin-film transistor (thin film transistor, TFT) and a power storage device (capacitor). 두개의 박막 트랜지스터 중에서 하나는 복수의 화소들 중에서 발광시키고자 하는 화소의 발광부를 선택하는 작용을 하는 스위칭 소자의 기능을 한다. One of the two thin-film transistor functions as a switching element for the light emitting portion serves to select a pixel to emit light from a plurality of pixels and character. 그리고 다른 하나의 박막 트랜지스터는 선택된 발광부의 유기층을 발광시키기 위한 구동 전원을 인가하는 구동 소자의 기능을 한다. And the other of the thin-film transistor functions as a drive element which applies a drive power for emitting a selected light-emitting portion organic layer.

발광부는 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)라고도 불리며, 이는 정공 주입 전극인 양(+)극과, 전자 주입 전극인 음(-)극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조를 갖는다. Gajyeoseo the light emitting portion diode characteristics, also called OLED (Organic Light Emitting Diode), which the hole injection electrode, positive electrode and an electron injection electrode, negative containing the organic layer disposed between the electrode and the electrodes () It has the following structure.

한편, 상기한 능동 구동형 유기 발광 표시 장치 중에서 전면 발광 방식의 표시 장치는 유기층에서 발광된 빛이 디스플레이되는 방향에 배치되는 전극(예컨대 음극)을 얇은 금속 박막으로 형성하고, 이를 보조하기 위해 보조 전극을 함께 형성한 경우가 있었다. On the other hand, the display apparatus of top emission method in the above-described active matrix OLED display is to form the electrode (e.g. cathode) is disposed in the direction that the light emitted from the organic layer to be displayed as a thin metal film, the auxiliary electrode to assist them there was a case of forming together.

그러나 이러한 구조의 유기 발광 표시 장치는 금속 박막으로 형성된 전극이 상기 보조 전극을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인해 손상되는 문제점이 있었다. However, the OLED display having such a structure there is a problem in the electrode formed of a metal thin film from being damaged due to the high temperature in the process of forming the auxiliary electrode. 이에, 유기 발광 표시 장치의 발광부가 정상적으로 작동하지 않는 불량이 발생될 수 있다. Thus, there can be a defect does not operate properly, the light emitting portion of the organic light emitting display device occurs.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제조 과정에서 불량의 발생을 억제한 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다. The present invention for solving the above problems, and to provide an organic light emitting display device suppressing the generation of defects during the manufacturing process.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 상기 발광 영역 주변의 비발광 영역으로 구분되는 화소가 복수개 구비되는 기판, 및 상기 기판 상의 발광 영역에 형성되며 구동 회로부의 구동 신호에 따라 발광하는 발광부를 포함하며, 상기 발광부는 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되며, 상기 발광 영역에 배치된 유기층, 상기 유기층을 덮으며, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역에 배치된 제2 전극, 그리고 상기 비발광 영역에서 상기 제2 전극 상에 형성된 보조 전극을 포함한다. Driving of the OLED display is formed on a substrate, and a light-emitting area on the substrate that is provided with a plurality of pixels that are separated by a non-light emitting region surrounding the light-emitting region and the light emission region driving circuit according to the present invention in order to achieve the above objects includes light emission emits light in response to the signal portion, the light-emitting portion is formed on the first electrode, the first electrode connected to the driving circuit unit and electrical and covers the organic layer, the organic layer disposed on the light emitting region, the light-emitting region in the second electrode disposed on the non-emitting region, and the non-emitting region comprises an auxiliary electrode formed on the second electrode.

상기 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 제2 전극 아래에 배치된 화소 정의막을 더 포함하며, 상기 유기층은 상기 화소 정의막의 개구부에 형성되고, 상기 보조 전극은 상기 화소 정의막 상에 형성될 수 있다. Has an opening corresponding to the light emitting region, and further comprising a film of the pixel defining disposed under the second electrode, the organic layer is formed on the pixel defining layer opening, the auxiliary electrode may be formed on the film defining the pixel .

상기 제2 전극은 금속 박막으로 형성될 수 있다. The second electrode may be formed of a thin metal film.

상기 보조 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 투광성으로 만들어질 수 있다. The auxiliary electrode can be made by a light transmitting comprises a transparent conductive material.

상기 보조 전극은 불투명한 도전성 물질을 포함하여 비투광성으로 만들어질 수 있다. The auxiliary electrode may be, including an opaque conductive material is made of polarization cucurbit.

상기 구동 회로부는 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연막, 상기 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. The driving circuit includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the interlayer insulating film, the interlayer insulating film covering the gate electrode formed on the substrate, the first electrode may be connected to the drain electrode.

상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 컨택홀을 갖는 평탄화막을 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 평탄화막 위에 형성되며 상기 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결될 수 있다. Covers the the source electrode and the drain electrode, and further comprising planarizing film having a contact hole exposing a portion of the drain electrode, the first electrode may be connected with the drain electrode is formed on the planarization layer through said contact hole have.

다른 예로, 상기 제1 전극은 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성될 수 있다. As another example, the first electrode may be formed in the same layer extends from the drain electrode.

이에, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제조 과정에서 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있다. Therefore, the OLED display according to an embodiment of the present invention can minimize the defects occur during the manufacturing process.

이하에서 본 발명의 여러 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. Reference to the accompanying drawings, an organic light emitting display device according to various embodiments of the present invention will be described in detail below. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다. However, the invention is not to be implemented in many different forms and limited to the embodiments set forth herein.

첨부 도면에서는, PMOS 구조의 박막 트랜지스터를 포함한 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있다. In the accompanying drawings, there is shown an organic light emitting display device including a thin film transistor of a PMOS structure. 그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터에도 모두 적용될 수 있다. However, the present invention may be not limited to this, both applied to the transistor of the NMOS structure or a CMOS structure.

또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. In the accompanying drawings, two thin film transistor (thin film transistor, TFT) and a power storage device (capacitor) 2Tr-1Cap structure, the active matrix (active matrix, AM) type organic light emitting display device that includes a one pixel While the illustrated, but the invention is not limited to this. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. Therefore, the OLED display may be provided with more than one power storage device with three or more TFTs in one pixel, a separate wiring is further formed may be formed to have various structures.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. Parts not related to the description in order to clearly describe the present invention was omitted, so as to put the same reference numerals for the same or similar elements throughout the specification.

또한, 설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다. In addition, prior to the description, according to various embodiments, the are assigned to the elements having the same configurations and described in the first embodiment representatively using the same symbols, and other embodiments described only the different configuration in the first embodiment It will be.

또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. In addition, it is shown on an enlarged scale, a thickness to clearly express various layers and regions in the drawings. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. Layer, film, region, when there is "on" another part "on" portion of the plate or the like, which, as well as if the "just above" the other part also includes the case that the other element or intervening. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. Conversely, when any part of the other part says, "just above" it means that there is no other part in the middle.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 화소를 갖는 유기 발광 표시 장치에서 하나의 화소를 개략적으로 도시한 레이아웃이다. Figure 1 is a schematic illustration of the layout of one pixel in the organic light emitting display device having a plurality of pixels according to the first embodiment of the present invention. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 을 따라 도시한 단면도이다. Figure 2 is a sectional view along the line Ⅱ-Ⅱ of FIG.

도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다. With reference to Figure 1 will be described in the first embodiment of the present invention.

본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110)(도 2에 도시) 상에 형성된 화소를 복수개 구비하며, 상기 화소를 이용하여 화면을 형성한다. OLED display 100 according to the first embodiment of the present invention is provided with a plurality of pixels formed on a substrate 110 (shown in Figure 2), to form a screen by using the pixel. 여기서, 복수의 화소는 각각 구동 회로부(10, 20, 80)와 발광부(70)를 포함한다. Here, the plurality of pixels each including a drive circuit section (10, 20, 80) and the light emission part 70. 또한, 복수의 화소는 각각 실제 화상을 표시하는 발광 영역과, 발광 영역 주변의 비발광 영역으로 구분된다. Further, the plurality of pixels are respectively separated by a light-emitting region and a non-light emitting region surrounding the light-emitting section that displays the actual image.

즉, 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역과 비발광 영역으로 구분되는 기판(110)과, 기판(110) 상에 형성된 구동 회로부(10, 20, 80)와, 구동 회로부(10, 20, 80)와 전기적으로 연결된 발광부(70)를 포함한다. That is, the OLED display 100 and the substrate 110 are separated by a light-emitting region and the non-light emitting region, a drive formed on the substrate 110, circuit portion (10, 20, 80), a drive circuit (10, 20, 80) and is electrically connected including a light emitting portion (70). 그리고 유기 발광 표시 장치(100)는 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. And to the OLED display 100 further includes gate lines 151, a gate line 151, data lines 171 and common power lines 172 which cross and insulation disposed along one direction.

여기서, 구동 회로부는 제1 박막 트랜지스터(10), 제2 박막 트랜지스터(20), 그리고 축전 소자(80)를 포함한다. Here, the driving circuit portion includes a first thin film transistor 10, a second thin film transistor 20, and capacitor 80.

발광부(70)는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다. The light emitting unit 70 includes an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED). 유기 발광 다이오드는 정공 주입 전극인 양(+)극, 전자 주입 전극인 음(-)극, 양(+)극과 음(-)극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조를 가지며, 각 전극으로부터 각각 정공과 전자를 유기층 내부로 주입시켜 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다. The organic light emitting diode is a hole injection electrode, positive electrode, an electron injecting electrode or negative (-) electrode, positive electrode and negative (-) has a structure including an organic layer disposed between the electrode, from the electrode each exciton (exiton) holes and electrons injected into the organic layer by the injected holes and electrons are combined is made as light-emitting time to fall to the ground state from the excited state.

여기서, 양극은 제2 박막 트랜지스터(20)에 연결된 제1 전극(710)이며, 음극은 제2 전극(730)(도 2에 도시)과 보조 전극(740)이 된다. Here, the positive electrode has a second and a first electrode 710 connected to the thin film transistor 20, the anode is the second electrode 730 (shown in Figure 2) and the auxiliary electrode (740).

그리고 발광 영역은 유기층(720)(도 2에 도시)이 형성되는 영역을 말하며, 비발광 영역은 발광 영역의 주변 영역을 말한다. And a light emitting region refers to a region where the organic layer 720 (shown in FIG. 2) is formed, a non-light emitting zone means the peripheral region of the emission region.

또한, 음극을 이루는 제2 전극(730)은 발광 영역과 비발광 영역 모두에 걸쳐 형성되며, 음극을 이루는 또 다른 전극인 보조 전극(740)은 비발광 영역에만 형성된다. In addition, the second electrode 730 forming the cathode are formed over the both light-emitting region and the non-light emitting region and the other electrode of the auxiliary electrode (740) forming the cathode is formed only in the non-light emitting region.

이와 같은 구조에 따라, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. In accordance with the above structure, it is possible to prevent the second electrode 730 on the light emitting area altered in the course of forming the auxiliary electrode (740). 즉, 발광 영역에는 보조 전 극(740)을 형성하지 않음으로써, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. That is, the light emitting area by not forming the auxiliary electrode 740, thereby preventing the result in the process of forming the auxiliary electrode 740 at a high temperature damage to the second electrode 730 on the light emitting region. 이에, 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다. Thus, the second electrode 730 on the light emitting region is damaged it is possible to prevent the pixel defect occurs.

축전 소자(80)는 층간 절연막을 사이에 두고 배치된 하부 전극(158)과 상부 전극(178)을 포함한다. The capacitor 80 includes a lower electrode 158 and upper electrode 178 disposed across the interlayer insulating film.

제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극(152, 155), 소스 전극(173, 176), 드레인 전극(174, 177) 및 반도체층(131, 132)을 갖는다. A first thin film transistor 10 and the second thin film transistor 20 has a gate electrode (152, 155), source electrodes (173, 176), drain electrodes (174, 177) and the semiconductor layer (131, 132) .

제1 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. A first thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel to emit light. 제1 박막 트랜지스터(10)의 제1 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)과 전기적으로 연결되고, 제1 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)과 연결되며, 제1 드레인 전극(176)은 축전 소자(80)의 하부 전극(158)과 연결된다. A first gate electrode 152 of the thin film transistor 10 is electrically connected to the gate line 151, the first source electrode 173 is connected to the data line 171, the first drain electrode (176 ) it is connected to the lower electrode 158 of the capacitor 80.

제2 박막 트랜지스터(20)는 선택된 발광부(70)의 유기층을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. A second thin film transistor 20 applies a driving power for light emission and the organic layer of the selected light-emitting portion 70 to the first electrode 710. 제2 박막 트랜지스터(20)의 제2 게이트 전극(155)은 축전 소자(80)의 하부 전극(158)과 연결되고, 제2 소스 전극(176)은 공통 전원 라인(172)과 연결된다. The second gate electrode 155 of the second thin film transistor 20 is connected to the lower electrode 158 of the capacitor 80, the second source electrode 176 is connected to the common power line 172. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)의 제2 드레인 전극(177)은 평탄화막(180)(도 2에 도시)을 사이에 두고 컨택홀(181)을 통해 발광부(70)의 제1 전극(710)과 연결된다. And the second thin-film second drain electrode 177 are planarized film 180 interposed between the (in Fig. 2 the first electrode 710 of the light emitting part 70 through the contact hole 181 of the transistor 20 ) it is connected to. 여기서, 제1 전극(710)은 발광부(70)의 양극이 된다. Here, the first electrode 710 becomes an anode of the light emitting portion (70). 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 발광부(70)의 음극이 될 수도 있 다. However, the present invention can be is not limited thereto, it may be a cathode of the OLED display 100 first electrode 710, the light emitting section 70 according to the driving method.

이와 같은 구조에 의하여, 제1 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 구동되어 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 제2 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. In this role, by such structure, the first thin film transistor 10 is driven by a gate voltage applied to the gate lines 151 transfer a data voltage applied to the data line 171, the second thin film transistor 20 and the. 공통 전원 라인(172)으로부터 제2 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 제1 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 제2 박막 트랜지스터(20)를 통해 발광부(70)로 흘러 발광부(70)가 발광하게 된다. The voltage corresponding to the difference between the data voltage transmitted from the common power line 172 from the common voltage to the first thin film transistor 10 is applied to the second thin film transistor 20 is stored in the power storage element 80, power storage device a 80 a current corresponding to the voltage across the second TFT 20 flows into the light emitting portion 70, light emitting section 70 is stored in the light emission.

또한, 도 1에 도시하지는 않았으나, 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 각각의 화소를 정의하는 화소 정의막(190)(도 2에 도시)을 더 포함한다. Further, although not shown in Figure 1, further it includes a pixel defining layer 190 (shown in Figure 2) to define each pixel has an opening corresponding to the light emitting region. 화소 정의막(190)은 제2 전극(730) 아래에 배치되며, 화소 정의막(190)의 개구부에는 유기층(720)(도 2에 도시)이 배치된다. The pixel defining layer 190 is disposed under the second electrode 730, the opening of the pixel defining layer 190 is arranged in the organic layer 720 (shown in Figure 2). 그리고 보조 전극(740)은 화소 정의막(190) 상에 형성된다. And the auxiliary electrode 740 is formed on the pixel defining layer 190.

도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 대해 구체적으로 설명한다. Figure will be described in detail the structure of the OLED display 100 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 2는 제2 박막 트랜지스터(20) 및 발광부(70)를 중심으로 도시하고 있다. Figure 2 shows mainly the second thin film transistor 20 and the light emitting portion (70). 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(20)를 중심으로 박막 트랜지스터의 구조에 대해 설명한다. The following describes the structure of the thin film transistors around the second thin film transistor (20). 제1 박막 트랜지스터(10)는 그 구조가 제2 박막 트랜지스터(20)와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다. A first thin film transistor 10, so that the structure is the same as that of the second thin film transistor 20, a detailed description thereof will be omitted.

도 2에 도시한 바와 같이, 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판 또는 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성되는 기판(110) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 2, the buffer layer 120 is formed on the substrate 110 formed of a metallic substrate made of glass, quartz, ceramic, plastic, or an insulating substrate made of stainless steel or the like. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. Buffer layer 120 may be formed from a variety of materials which by that act to prevent the penetration of impure elements and flattening the surface, to perform these roles. 그러나 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다. However, the buffer layer 120 is not necessary and may be omitted according to types and process conditions of the substrate 110.

버퍼층(120) 위에는 반도체층(132)이 형성된다. A semiconductor layer 132 is formed on the buffer layer 120. 반도체층(132)은 다결정 규소로 형성될 수 있다. Semiconductor layer 132 may be formed of polycrystalline silicon. 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. The semiconductor layer 132 includes a source region 136 and drain region 137 is p + doped formed by the sides of the channel region 135 and channel region 135, which impurities are not doped. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B 2 H 6 이 사용된다. At this time, the ion material is doped is a P-type impurity such as boron (B), it is mainly used the B 2 H 6. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다. Here, these impurities will vary depending on the type of thin film transistor.

반도체층(132) 위에는 규소 산화물 또는 규소 질화물로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성된다. Above the semiconductor layer 132, a gate insulating film 140 formed of silicon oxide or silicon nitride is formed. 게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. The gate wiring is formed including a gate insulating film 140, gate electrode 155 on top. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 게이트 배선은 게이트 라인(151)(도 1에 도시), 하부 전극(158)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. And although not shown in Figure 2, the gate wiring and the gate line 151 (shown in Figure 1), the lower electrode 158, a wiring more (Fig. 1) and its outside. 이 때, 게이트 전극(155)은 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다. At this time, the gate electrode 155 is formed to overlap with at least a portion, particularly the channel region 135 of the semiconductor layer 132.

도 2에서 도시한 바와 달리, 게이트 배선은 다중층으로 형성될 수 있다. Unlike shown in FIG. 2, the gate wiring may be formed in multiple layers. 일예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 하부층으로 사용하고 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 상부층으로 사용하는 것이다. To use a tungsten nitride in the top layer - for example, using aluminum or an aluminum alloy as the lower layer and a molybdenum-tungsten or molybdenum. 이는 하부층으로 배선저항에 의한 신호저항을 막기 위해 비저항이 작은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용하고, 상부층으로 화학약품에 의한 내식성이 약하며 쉽게 산화되어 단선이 발생되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 단점을 보완하기 위해 화학약품에 대한 내식성이 강한 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 사용하는 것이다. It uses a small specific resistance of aluminum or aluminum alloy to prevent the signal resistance due to the wiring resistance to the underlying layer, and the corrosion resistance due to the chemicals in the top layer weak and easily oxidized chemicals to compensate for the disadvantages of aluminum or an aluminum alloy which disconnection occurs, the corrosion resistance to strong chemicals molybdenum-tungsten or molybdenum-is to use the tungsten nitride. 근래에는 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 등이 배선재료로 각광받고 있다. In recent years there has been a molybdenum, aluminum, titanium, tungsten, etc. attention as a wiring material.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 전극(155)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성된다. An interlayer insulating film 160 covering the gate insulating layer 140 formed on the gate electrode 155 is formed. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀들(166, 167)을 가지고 있다. A gate insulating film 140 and the interlayer insulating film 160 may have to expose the source region 136 and drain region 137 of the semiconductor layer 132, contact holes 166 and 167. 여기서, 소스 영역(136)을 드러내는 컨택홀을 제1 컨택홀(166)이라하고, 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀을 제2 컨택홀(167)이라 한다. Here, it is referred to as a contact hole exposing the source region 136, a first contact hole 166 is referred to, and the second contact hole 167, a contact hole exposing the drain region 137.

층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. The data wiring is formed including source electrodes 176 and drain electrode 177 formed on the interlayer insulating film 160. The 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 데이터 배선은 데이터 라인(171)(도 1에 도시), 공통 전원 라인(172)(도 1에 도시), 상부 전극(178)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. And although not shown in Figure 2, the data line is data line 171 (shown in FIG. 1), common power line 172 (shown in Figure 1), the upper electrode 178 (shown in Figure 1) and the outside further comprises a wire. 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀들(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다. Here, the connection and the source electrode 176 and drain electrode 177 includes a source region 136 and drain region 137 of the semiconductor layer 132 through each of the contact holes (166, 167).

또한, 데이터 배선은, 게이트 배선과 마찬가지로, 서로 다른 이종의 재질로 만들어진 다중층으로 형성하여 각 재질이 갖는 단점을 보완할 수 있다. In addition, the data line is, as the gate wiring, it is possible to compensate for this disadvantage with each material to form a multi-layer made of a material of different two kinds.

또한, 게이트 배선 및 데이터 배선의 구조는 본 실시예에 반드시 한정되는 것은 아니다. In addition, the structure of the gate line and the data line is not necessarily limited to this embodiment. 따라서 박막 트랜지스터(10, 20) 및 기타 회로 배선의 구조에 따라 다양하게 변형될 수 있다. Thus it may be variously modified depending on the structure of the thin film transistors 10 and 20 and other circuit wiring. 즉, 게이트 라인, 데이터 라인, 공통 전원 라인 및 그 밖의 구성이 본 실시예와 다른 층에 형성될 수도 있다. That is, the gate line, a data line, a common power supply line and the other structures can also be formed in this embodiment and the other layer.

이와 같이 형성된 반도체층(132), 게이트 전극(155), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)을 포함하여 박막 트랜지스터(20)가 만들어진다. Thus created is formed a semiconductor layer 132, gate electrode 155, the thin film transistor 20 includes a source electrode 176 and drain electrode 177.

층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(180)이 형성된다. A planarization film 180 that covers the data line formed on the interlayer insulating film 160 is formed. 평탄화막(180)은 그 위에 형성될 발광부(70)의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. Planarization layer 180 serves to eliminate the flattening step to increase the luminous efficiency of the light emitting portion 70 is formed thereon. 또한, 평탄화막(180)은 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 컨택홀(181)을 갖는다. In addition, the planarization layer 180 has a contact hole 181 that exposes a portion of the drain electrode 177. 이하에서 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 컨택홀(181)은 제3 컨택홀이라 한다. Contact hole 181 exposing a portion of the drain electrode 177 is hereinafter referred to as the third contact hole.

이러한 평탄화막(180)은 평탄화 특성이 우수한 폴리아미드(polyamide)를 포함한 소재로 만들어진다. The planarization film 180 is made of a material containing a polyamide (polyamide) having excellent planarization characteristics. 이와 같이, 폴리아미드를 사용하여 평탄화막(180)의 평탄화 특성을 향상시킴으로써, 평탄화막(180) 상에 형성될 유기층(720)이 고른 두께를 갖도록 형성할 수 있게 된다. Thus, by improving the leveling characteristics of the planarization film 180 by using the polyamide, so that the organic layer 720 is formed on the planarization film 180 it can be formed to have a uniform thickness. 따라서 균일한 휘도를 갖도록 유기층(720)을 형성할 수 있어 발광 효율을 높일 수 있다. Therefore, to have a uniform luminance can be formed and the organic layer 720 can improve the light emission efficiency. 또한, 평탄화막(180) 상에 형성될 여러 도전층의 단선 및 단락과 같은 불량의 발생을 예방할 수 있다. Further, it is possible to prevent the occurrence of defects such as disconnection and short-circuiting of the multiple conductive layer to be formed on the planarization film 180.

평탄화막(180) 위에는 제1 전극(710)이 형성된다. A first electrode 710 formed on the planarization film 180 is formed. 제1 전극(710)은 제3 컨택홀(181)을 통하여 드레인 전극(177)과 연결된다. The first electrode 710 is connected to the drain electrode 177 through the third contact hole (181).

그리고 평탄화막(180) 상에는 화소 정의막(190)이 형성된다. And the pixel defining layer 190 is formed on the planarization film 180 is formed. 화소 정의 막(190)은 제1 전극(710)을 노출시키는 개구부를 갖는다. The pixel defining layer 190 has an opening exposing the first electrode 710. 그리고 개구부 내의 제1 전극(710) 상에는 유기층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기층(720)상에는 제2 전극(730)이 형성된다. And the organic layer 720 formed on the first electrode 710 in the opening is formed, a second electrode 730 formed on the pixel defining layer 190 and organic layers 720 are formed. 이와 같이, 화소 정의막(190)의 개구부 내에 유기층(720)이 형성되므로, 화소 정의막(190)의 개구부는 실질적으로 발광 영역이 된다. In this way, since the organic layer 720 it is formed in the opening of the pixel defining layer 190, the opening of the pixel defining layer 190 is a substantially light-emitting region. 즉, 화소 정의막(190)은 발광 영역에 대응하는 개구부를 갖는다. That is, the pixel defining layer 190 has an opening corresponding to the light emitting region.

또한, 비발광 영역에서 제2 전극(730) 바로 위에 보조 전극(740)이 형성된다. In addition, the second electrode 730 in the non-light emitting region is formed directly on the auxiliary electrode (740). 즉, 보조 전극(740)은 화소 정의막(190) 상에 형성된다. That is, the auxiliary electrode 740 is formed on the pixel defining layer 190.

이와 같이, 제1 전극(710), 유기층(720), 제2 전극(730) 및 보조 전극(740)은 발광부(70)인 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 형성한다. In this manner, the first electrode 710, an organic layer 720, the second electrode 730 and the auxiliary electrode 740 is formed of an OLED (organic light emitting diode, OLED), light emitting unit 70.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형으로 제1 전극(710)은 반사형 물질로 형성된다. In addition, the OLED display 100 according to the first embodiment of the present invention includes a first electrode 710, a top emission type is formed of a reflective material. 반사형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 등의 물질을 사용할 수 있다. A reflective material, lithium (Li), calcium (Ca), lithium fluoride / calcium (LiF / Ca), lithium fluoride / aluminum (LiF / Al), aluminum di (Al), silver (Ag), magnesium ( materials such as Mg) may be used.

그리고 제2 전극(730)은 도전성이 뛰어난 얇은 금속 박막으로 형성된다. And a second electrode 730 is formed of a thin metallic thin film with excellent electrical conductivity. 즉, 제2 전극(730)은 유기층(720)에서 발광되는 빛이 제2 전극을 통과해 표시될 수 있을 만큼 얇은 두께를 갖는다. That is, the second electrode 730 has a thin thickness enough to be displayed by the light emitted from the organic layer 720 passes through the second electrode. 하지만, 얇은 두께로 인하여 단락 등의 불량이 발생할 수 있다. However, it is due to a small thickness may cause defects such as short circuit. 이에, 제2 전극(730) 위에 보조 전극(740)을 형성하여 제2 전극(730)을 보완한다. Thus, the formation of the auxiliary electrode (740) on the second electrode 730 will be complementary to the second electrode 730.

보조 전극(740)은 투명한 도전성 물질로 형성한다. The auxiliary electrode 740 is formed of a transparent conductive material. 이에, 보조 전극은 투광 성을 갖는다. Thus, the auxiliary electrode has a light-transmitting property. 투명한 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In 2 O 3 (Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다. A transparent conductive material may be a material such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO ( zinc oxide) or In 2 O 3 (Indium Oxide) .

그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. However, the present invention is not necessarily limited thereto. 따라서 보조 전극(740)은 불투명한 도전성 물질로 형성할 수 있으며, 이 때에는 보조 전극(740)이 비투광성을 갖는다. Therefore, the auxiliary electrode 740 may be formed of a non-transparent conductive material, at this time has the auxiliary electrode 740. The light-cucurbit. 불투명한 도전성 물질로는 제1 전극(710) 또는 제2 전극(730)과 동일한 소재나, 그 밖에 금속성 물질, 또는 도전성 플라스틱 등이 사용될 수 있다. Opaque with a conductive material may be used the same material and, besides a metallic material, or a conductive plastic, and the first electrode 710 or second electrode 730.

그리고 보조 전극(740)은 비발광 영역에만 형성한다. And the auxiliary electrode 740 is formed only on the non-light emitting region. 따라서 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. Therefore, in the process of forming the auxiliary electrode 740 prevents the damage to the second electrode 730 on the light emitting region.

유기층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. The organic layer 720 may be formed of a low molecular organic material or a polymer organic material. 이러한 유기층(720)은 유기 발광층을 포함하며, 유기 발광층을 이루는 물질에 따라 이의 주위에 형성된 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 정공 저지층(hole blocking layer), 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 전자 주입층(electron-injection layer, EIL), 전자 저지층(electron blocking layer, EBL) 등을 더 포함할 수 있다. The organic layer 720 includes an organic light-emitting layer, preventing the hole injection layer (hole-injection layer, HIL), a hole transport layer (hole-transporting layer, HTL) formed around thereof in accordance with the material of the organic light emitting layer, a hole layer ( a hole blocking layer), an electron transporting layer (electron-transportiong layer, ETL), an electron injection layer (electron-injection layer, EIL), an electron blocking layer (electron blocking layer, EBL), etc. may be further included.

또한, 도 2에는 도시하지 않았으나, 제2 전극(730) 위로 봉지 부재가 더 형성될 수 있다. Further, Fig. 2, although not shown, has the second electrode 730 over the bag member can be further formed.

이와 같은 구성에 의하여, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. Thus, by such a configuration, in the process of forming the auxiliary electrode 740 can be prevented from damaging the second electrode 730 on the light emitting region. 즉, 발광 영역에는 보조 전극(740)을 형성하지 않음으로써, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. That is, the light emitting area by not forming the auxiliary electrode 740, thereby preventing the result in the process of forming the auxiliary electrode 740 at a high temperature damage to the second electrode 730 on the light emitting region. 이에, 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다. Thus, the second electrode 730 on the light emitting region is damaged it is possible to prevent the pixel defect occurs.

따라서 유기 발광 표시 장치의 제조 과정에서 불량의 발생을 최소화할 수 있다. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of defects during the manufacturing process of the OLED display.

도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다. 3 and 4 will be described in the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 제2 박막 트랜지스터(20) 및 발광부(70)를 중심으로 하여 제1 실시예와 다른 구성을 위주로 설명한다. The first organic light emitting display device according to the second embodiment 200 of the invention will be described for the second thin film transistor 20 and the other configuration of the first embodiment and around the light emitting portion 70 is oriented. 본 발명의 제2 실시예에 따른 설명에서 특별하게 언급되지 않은 내용은 제1 실시예와 동일하다. Details are not specifically mentioned in the description according to the second embodiment of the present invention are the same as in the first embodiment.

기판(110) 위에 버퍼층(120)이 형성되고, 버퍼층(120) 위에 반도체층(132)이 형성된다. The buffer layer 120 is formed over the substrate 110, the semiconductor layer 132 is formed on the buffer layer 120. 여기서, 버퍼층(120)은 생략될 수 있다. Here, the buffer layer 120 may be omitted. 반도체층(132) 위에는 게이트 절연막(40)이 형성되고, 게이트 절연막(40) 위에 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. A gate insulating film 40 above the semiconductor layer 132 is formed, a gate wiring including the gate insulating film 40, gate electrode 155 is formed on top. 이 때, 게이트 전극(155)은 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다. At this time, the gate electrode 155 is formed to overlap with at least a portion, particularly the channel region 135 of the semiconductor layer 132.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 배선을 덮는 층간 절연막(160)이 형성된다. An interlayer insulating film 160 covering the gate wire formed on the gate insulating film 140 is formed. 여기서, 층간 절연막(160)은 평탄화 특성이 우수한 물질로 만들어진다. Here, the interlayer insulating film 160 is made of a material having excellent planarization characteristics. 이에, 층간 절연막(160)은 층간 절연막(160) 아래의 여러 막들을 형성하는 과정에서 발생한 단차를 없애어 층간 절연막(160) 상에 형성될 여러 배선의 단선 및 단락을 방지한다. Thus, the interlayer insulating film 160 to prevent disconnection and short-circuiting of the multiple wiring be formed on the interlayer insulation film 160 interlayer insulation film 160, the step to get rid of air generated in the course of forming various films below. 또한, 층간 절연막(160) 상에 형성될 발광부(70)의 발광 효율을 높일 수 있다. In addition, it is possible to increase the luminous efficiency of the light emitting portion 70 is formed on the dielectric interlayer 160. The 이는 발광부(70)의 유기층(720)이 평탄한 면에 골고루 형성되어 안정적으로 발광될 수 있기 때문이다. This is because it can be stably emit light is uniformly formed on this flat surface an organic layer 720 of the light emitting portion (70).

게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀들(166, 167)을 가지고 있다. A gate insulating film 140 and the interlayer insulating film 160 may have to expose the source region 136 and drain region 137 of the semiconductor layer 132, contact holes 166 and 167.

층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. The data wiring is formed including source electrodes 176 and drain electrode 177 formed on the interlayer insulating film 160. The 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다. Here, the connection and the source electrode 176 and drain electrode 177 includes a source region 136 and drain region 137 of the semiconductor layer 132 through the respective contact hole (166, 167).

또한, 발광부(70)의 제1 전극(710)이 데이터 배선, 특히 제2 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)과 동일한 층에 형성되어 연결된다. In addition, the first electrode 710 of the light emitting part 70 is connected is formed in the same layer as the data line, in particular the drain electrode 177 of the second thin film transistor (20). 즉, 제2 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)은 발광부(70)의 제1 전극(710)에서 일체로 연장 형성된다. That is, the drain electrode 177 of the second thin film transistor 20 is formed integrally extending from the first electrode 710 of the light emitting portion (70).

층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선을 덮는 화소 정의막(190)이 형성된다. The pixel defining layer 190 that covers the data line formed on the interlayer insulating film 160 is formed. 화소 정의막(190)은 발광부(70)의 제1 전극(710)을 노출시키는 개구부를 갖는다. The pixel defining layer 190 has an opening exposing the first electrode 710 of the light emitting portion (70). 그리고 개구부 내의 제1 전극(710) 상에는 유기층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기층(720)상에는 제2 전극(730)이 형성된다. And the organic layer 720 formed on the first electrode 710 in the opening is formed, a second electrode 730 formed on the pixel defining layer 190 and organic layers 720 are formed. 즉, 유기층(720)은 화소 정의막(190)의 개구부 내에서 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이에 배치된다. That is, the organic layer 720 is disposed between the first electrode 710 and second electrode 730 in the opening of the pixel defining layer 190.

이와 같이, 화소 정의막(190)의 개구부 내에 유기층(720)이 형성되므로, 화소 정의막(190)의 개구부는 실질적으로 발광 영역이 된다. In this way, since the organic layer 720 it is formed in the opening of the pixel defining layer 190, the opening of the pixel defining layer 190 is a substantially light-emitting region. 즉, 화소 정의막(190)은 발광 영역에 대응하는 개구부를 갖는다. That is, the pixel defining layer 190 has an opening corresponding to the light emitting region.

또한, 비발광 영역에서 제2 전극(730) 바로 위에 보조 전극(740)이 형성된다. In addition, the second electrode 730 in the non-light emitting region is formed directly on the auxiliary electrode (740). 즉, 보조 전극(740)은 화소 정의막(190) 상에 형성된다. That is, the auxiliary electrode 740 is formed on the pixel defining layer 190.

여기서, 발광 영역은 제1 전극(710)과 유기층(720)이 상호 중첩되는 영역을 말하며, 비발광 영역은 발광 영역의 주변 영역을 말한다. Here, the light emitting region includes a first electrode 710 and organic layer 720 means a region in which the mutually overlapping, non-light emitting region means a peripheral region of the emission region.

이와 같이, 발광부(70)의 제1 전극(710)이 별도의 층을 이루지 않고, 데이터 배선, 특히 제2 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)과 동일한 층에서 드레인 전극(177)과 일체로 형성되므로, 유기 발광 표시 장치(100)의 구조를 더욱 단순화 시킬 수 있다. In this manner, the first electrode 710 is not form a separate layer, the data line, in particular, the second thin film a drain electrode 177 on the same layer as the drain electrode 177 of the transistor 20 of the light emitting portion 70 and the is formed integrally, it is possible to further simplify the structure of the OLED display 100.

또한, 이와 같은 구성에 의하여도, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. Further, this also can be by the structure, preventing the second electrode 730 on the light emitting area altered in the course of forming the auxiliary electrode (740). 즉, 발광 영역에는 보조 전극(740)을 형성하지 않음으로써, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. That is, the light emitting area by not forming the auxiliary electrode 740, thereby preventing the result in the process of forming the auxiliary electrode 740 at a high temperature damage to the second electrode 730 on the light emitting region. 이에, 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다. Thus, the second electrode 730 on the light emitting region is damaged it is possible to prevent the pixel defect occurs.

따라서 유기 발광 표시 장치의 제조 과정에서 불량의 발생을 최소화할 수 있다. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of defects during the manufacturing process of the OLED display.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다. It has been described, as described before the present invention, one, those who engage in the art that various modifications and variations may be made without departing from the spirit and scope of the claims set forth in the following will be understood easily.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제조 과정에서 불량의 발생을 최소화할 수 있다. The organic light emitting display device according to the present invention as described above can minimize the occurrence of defects during the manufacturing process.

즉, 발광 영역에는 보조 전극을 형성하지 않음으로써, 보조 전극을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다. That is, the light emitting region may be, by not forming the auxiliary electrode, because in the process of forming the auxiliary electrode to a temperature preventing the damage to the second electrode on the light emitting region.

따라서 발광 영역 상의 제2 전극이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다. Therefore, the damage to the second electrode on the light emitting region can be suppressed that a pixel defect occurs.

Claims (8)

  1. 발광 영역과 상기 발광 영역 주변의 비발광 영역으로 구분되는 화소가 복수개 구비되는 기판, 및 The substrate on which the pixel is divided into a light-emitting region and the non-light emitting region surrounding the light emitting region having a plurality, and
    상기 기판 상의 발광 영역에 형성되며 구동 회로부의 구동 신호에 따라 발광하는 발광부 Forming a light emitting region on the substrate and the light emitting portion for emitting light in accordance with a drive signal of the drive circuit
    를 포함하며, It includes,
    상기 발광부는, The light-emitting unit,
    상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 제1 전극, A first electrode electrically connected with the drive circuit,
    상기 제1 전극 상에 형성되며, 상기 발광 영역에 배치된 유기층, Said first formed on the first electrode, an organic layer disposed on the light emitting region,
    상기 유기층을 덮으며, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역에 배치된 제2 전극, 그리고 It covers the organic layer, a second electrode disposed on the light emitting region and the non-emitting region, and
    상기 비발광 영역에서 상기 제2 전극 상에 형성된 보조 전극을 포함하며, In the non-emitting region, and an auxiliary electrode formed on the second electrode,
    상기 구동 회로부는, The driving circuit part,
    상기 기판상에 형성된 게이트 전극, A gate electrode formed on said substrate,
    상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연막, An interlayer insulating film covering the gate electrode,
    상기 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극 A source electrode and a drain electrode formed on the interlayer insulating film
    을 포함하며, It includes,
    상기 제1전극은 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 발광 표시 장치. The first electrode is electrically connected to the organic light emitting display device and the drain electrode.
  2. 제1항에서, In claim 1,
    상기 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 제2 전극 아래에 배치된 화소 정의막을 더 포함하며, Has an opening corresponding to the light emitting region further includes a pixel defining film arranged below the second electrode,
    상기 유기층은 상기 화소 정의막의 개구부에 형성되고, 상기 보조 전극은 상기 화소 정의막 상에 형성된 유기 발광 표시 장치. The organic layer is formed in the opening of the pixel defining layer, the auxiliary electrode of the organic light emitting display device formed on the pixel definition film.
  3. 제2항에서, In claim 2,
    상기 제2 전극은 금속 박막으로 형성된 유기 발광 표시 장치. The second electrode is an organic light emitting display device formed of a thin metal film.
  4. 제2항에서, In claim 2,
    상기 보조 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 투광성으로 만들어진 유기 발광 표시 장치. The auxiliary electrode is made of the transparent organic light emitting display device including a transparent conductive material.
  5. 제2항에서, In claim 2,
    상기 보조 전극은 불투명한 도전성 물질을 포함하여 비투광성으로 만들어진 유기 발광 표시 장치. The auxiliary electrode is made of the OLED display polarization cucurbit including an opaque conductive material.
  6. 삭제 delete
  7. 제1항에서, In claim 1,
    상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 컨택홀을 갖는 평탄화막을 더 포함하고, It covers the the source electrode and the drain electrode, and further comprising planarizing film having a contact hole exposing a portion of the drain electrode;
    상기 제1 전극은 상기 평탄화막 위에 형성되며 상기 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결된 유기 발광 표시 장치. The first electrode is an organic light emitting display device is formed on the planarization layer coupled to the drain electrode through the contact hole.
  8. 제1항에서, In claim 1,
    상기 제1 전극은 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성된 유기 발광 표시 장치. The first electrode is an organic light emitting display formed on the same layer extends from the drain electrode.
KR1020060064410A 2006-07-10 2006-07-10 Organic light emitting display KR100778443B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060064410A KR100778443B1 (en) 2006-07-10 2006-07-10 Organic light emitting display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060064410A KR100778443B1 (en) 2006-07-10 2006-07-10 Organic light emitting display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100778443B1 true KR100778443B1 (en) 2007-11-21

Family

ID=39080451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060064410A KR100778443B1 (en) 2006-07-10 2006-07-10 Organic light emitting display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100778443B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281402A (en) 2003-03-13 2004-10-07 Eastman Kodak Co Top face emission type organic light emitting diode (oled) display
KR20050017539A (en) * 2003-08-14 2005-02-22 엘지전자 주식회사 Organic electroluminescence device and Fabrication method of the same
JP2006059796A (en) 2004-07-22 2006-03-02 Sharp Corp Organic light-emitting element, display device equipped with the same, and manufacturing method of organic lightemitting element

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281402A (en) 2003-03-13 2004-10-07 Eastman Kodak Co Top face emission type organic light emitting diode (oled) display
KR20050017539A (en) * 2003-08-14 2005-02-22 엘지전자 주식회사 Organic electroluminescence device and Fabrication method of the same
JP2006059796A (en) 2004-07-22 2006-03-02 Sharp Corp Organic light-emitting element, display device equipped with the same, and manufacturing method of organic lightemitting element

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1503422B1 (en) Flat panel display
CN101055887B (en) Organic electroluminescence display device
US6724149B2 (en) Emissive display device and electroluminescence display device with uniform luminance
US8158989B2 (en) Organic light emitting diode display
US7067973B2 (en) Organic light-emitting display device
KR100689933B1 (en) Display device
JP3940738B2 (en) Electroluminescent display device
US8890406B2 (en) Flat panel display and method of fabricating the same
US9312316B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
EP1587154B1 (en) Organic electro-luminescent display device and method of manufacturing the same
KR100661439B1 (en) Display device and method of manufacturing the same
US8809838B2 (en) Organic light emitting diode display
KR100527029B1 (en) Electro luminescence display device
US7279708B2 (en) Electroluminescence display device and method of manufacturing the same
US8093585B2 (en) Organic electro-luminescent display apparatus
JPH11231805A (en) Display device
KR20040025383A (en) Organic electro luminescence display device and manufacturing of the same
JP2001109404A (en) El display device
US9136502B2 (en) Organic light emitting diode display
US20040263072A1 (en) Flat panel display
CN1516531A (en) Organic electroluminescent device and mfg. method thereof
KR101407587B1 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US7619244B2 (en) Organic light emitting display apparatus
EP2157610B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
EP2390939B1 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121102

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141030

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171101

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 12