KR20080024037A - 평판표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

평판표시소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20080024037A
KR20080024037A KR1020060088308A KR20060088308A KR20080024037A KR 20080024037 A KR20080024037 A KR 20080024037A KR 1020060088308 A KR1020060088308 A KR 1020060088308A KR 20060088308 A KR20060088308 A KR 20060088308A KR 20080024037 A KR20080024037 A KR 20080024037A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adjustment layer
substrate
range
display device
flat panel
Prior art date
Application number
KR1020060088308A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100855489B1 (ko
Inventor
이호년
김창남
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020060088308A priority Critical patent/KR100855489B1/ko
Publication of KR20080024037A publication Critical patent/KR20080024037A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100855489B1 publication Critical patent/KR100855489B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

본 발명은 금속을 포함하는 기판, 및 기판 상에 형성된 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층을 포함하고, 제 1 조정층이 형성된 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<10㎚, 0<Rp -v<100㎚ 범위인 평판표시소자를 제공한다.
평판표시소자, 표면 조도, 플렉시블(Flexible)

Description

평판표시소자 및 그 제조방법{Flat display Device and method for manufacturing thereof}
도 1a는 종래 플렉서블(flexible) 평판표시소자에 적용되는 기판의 표면을 광학 현미경(LM; Light Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도.
도 1b는 종래 플렉서블(flexible) 평판표시소자에 적용되는 기판의 표면을 원자간력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도와 기판의 표면을 원자간력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도 및 관련 그래프.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자가 전계발광 표시장치에 적용되는 경우의 소자 구조를 도시한 모식도.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판에 변형이 발생한 상태를 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판의 변형된 실시예를 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도 및 기판의 표면을 원자간력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope)으로 관 찰하여 나타낸 확대도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 설명*
110, 210, 310, 410, 510: 금속 기판
212, 312, 412, 512: 제 1 조정층
314, 514 : 제 2 조정층
416, 516 : 제 3 조정층
본 발명은 평판표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 평판표시장치(FPD: Flat Panel Display)는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display : LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display: FED), 전계발광 표시장치(Light Emitting Display) 등과 같은 여러 가지의 평면형 디스플레이가 실용화되고 있다.
이들 중, 액정 표시장치(LCD)는 음극선관에 비하여 시인성이 우수하고, 평균소비전력 및 발열량이 작다는 장점이 있다. 전계발광 표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광을 함에 따라 광시야각이 넓다는 장점으로 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다.
한편, 플렉서블(flexible)한 평판표시장치에 대한 요구가 크게 증가함에 따라 그에 적용될 수 있는 평판표시소자의 개발 필요성이 대두되었다. 더불어 휘어지는 기판에 대한 연구가 다 방면에서 이뤄지고 있다.
휘어지는 기판으로 적용될 수 있는 물질은 크게 배리어 필름(barrier film)을 형성한 플라스틱 필름과 금속 박판(metal sheet)으로 구분될 수 있다.
플라스틱 필름의 경우, 배리어 필름에 대한 기술이 안정화되지 않아 아직 연구 개발 단계에 있다. 반면, 금속 박판의 경우, 휘어지는 기판으로서 구현은 가능하나 표면 조도가 우수하지 않아 그 위에 형성한 박막트랜지스터의 TFT특성 또는 전계발광소자의 수명 및 I-V특성 등이 크게 떨어지는 문제가 발생하였다.
도 1a는 종래 플렉서블(flexible) 평판표시소자에 적용되는 기판의 구조를 도시한 단면도 및 기판의 표면을 광학 현미경(LM; Light Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도이다.
도 1b는 종래 플렉서블(flexible) 평판표시소자에 적용되는 기판의 구조를 도시한 단면도 및 기판의 표면을 원자간력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도이다.
일반적으로 휘어질 정도의 얇은 두께로 금속 기판을 제조하는 방식은 압연이기 때문에 압연시 사용되는 롤(roll) 및 하판의 표면 상태에 따라 기판의 표면 조도 및 형상이 바뀌게 된다. 도 1a를 참조하면, 금속 기판(110)의 표면에 한쪽 방향으로 롤자국이 형성되어 있는 것을 볼 수 있다.
도 1b를 참조하면, AFM을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 금속 기판(110)의 표면을 관측한 결과, 표면 조도의 거칠기 값인 Rms값이 20㎚~30㎚, Rp -v값이 200㎚~300nm 정도의 값으로 나타났다.
이때, 10㎛×10㎛의 스캔 범위는 AFM(Atomic Force Microscope)으로 관측된 금속 기판(110)의 일부 표면을 지정한 범위를 말한다.
이상과 같은 종래 금속 기판(110)은 표면 거칠기의 편차가 크므로, 박막트랜지스터가 형성될 경우, TFT특성이 크게 저하되었으며, 전극이 금속 기판(110)상에 형성될 때 굴곡된 기판(110)의 표면에 의해 전극의 특성이 저하되거나 국부적으로 휘도의 편차가 발생하여 생산수율이 떨어지는 문제점이 발생하였다.
이상과 같은 문제점들을 해결하기 위하여 본 발명은 생산수율을 향상시킬 수 있는 평판표시소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 금속을 포함하는 기판, 및 기판 상에 형성된 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층을 포함하고, 제 1 조정층이 형성된 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<10㎚, 0<Rp -v<100㎚ 범위인 평판표시소자를 제공한다.
기판의 두께는 0.05㎜ 내지 1㎜의 범위로 형성될 수 있다.
기판은 Ti, Ni, Invar, SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
기판의 열팽창 계수와 제 1 조정층의 열팽창 계수 간의 차이는 0 내지 5ppm/℃의 범위 내일 수 있다.
한편, 기판의 열팽창 계수와 제 1 조정층의 열팽창 계수가 0 내지 2ppm/℃ 이하의 범위로 차이날 때 제 1 조정층은 500㎚ 내지 150,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 기판의 열팽창 계수와 제 1 조정층의 열팽창 계수가 2ppm/℃ 이상 5ppm/℃ 이하의 범위로 차이날 때 상기 제 1 조정층은 500㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
이상의 제 1 조정층을 포함하는 평판표시소자는 기판 상에 유기물을 포함하는 제 2 조정층을 추가로 포함할 수 있다.
이때, 제 1 조정층 상에 제 2 조정층이 형성되고, 제 2 조정층 상에 무기 보호막이 형성되며, 제 2 조정층이 형성된 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<5 ㎚, 0<Rp -v<50㎚ 범위일 수 있다.
제 2 조정층은 100㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 제 2 조정층은 폴리이미드(Polyimide)계, 벤조싸이클로부텐(BCB)계, 포토아크릴(Photo acryl)계, 폴리실리젠(Polysilizane)계, 규소(Si)계 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 유기물을 포함할 수 있다.
이상의 제 1 조정층을 포함하는 평판표시소자는 기판 상에 무기물을 포함하는 제 3 조정층을 추가로 포함할 수 있다.
이때, 제 1 조정층 상에 제 3 조정층이 형성되며, 제 3 조정층이 형성된 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<5㎚, 0<Rp -v<50㎚ 범위일 수 있다.
제 3 조정층은 10㎚ 내지 3,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 제 3 조정층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 탄탈륨 산화물(TaOx)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
다른 측면에서 이상의 제 1 조정층을 포함하는 평판표시소자는 기판 상에 유기물을 포함하는 제 2 조정층 및 무기물을 포함하는 제 3 조정층을 추가로 포함할 수 있다.
이때, 제 1 조정층 상에 제 2 조정층 및 제 3 조정층을 포함하되, 최상위에 제 3 조정층이 형성되며, 최상위에 제 3 조정층이 형성된 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<5㎚, 0<Rp -v<50㎚ 범위일 수 있다.
이상의 평판표시소자는 기판 상에 두 개의 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 픽셀부를 포함할 수 있다.
발광층은 유기물을 포함할 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도와 기판의 표면을 원자간력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도 및 관련 그래프이다.
도 2를 참조하면, 금속 기판(210) 상에 표면 조도 개선을 목적으로 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층(212)이 형성된다.
금속 기판(210)은 휘어질 수 있는 성질을 갖도록 압연과정을 통해 0.05㎜ 내지 1.0㎜ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
한편, 제 1 조정층(212)의 형성과정을 살펴보면 다음과 같다.
유리 성분을 포함하는 막이 green sheet 형태로 형성된다. 이때, 금속 기판(210)은 100℃로 가열되고, 동시에 100℃로 가열된 롤 라미네이터(roll laminator)에 의해 금속 기판(210) 상에 전술한 green sheet 형태의 유리 성분을 포함하는 막이 라미네이팅된다. 이후, Box furnace를 이용하여 5℃/min의 승온 속도로 365℃까지 온도를 올린 후 30분 유지하고, 계속해서 5℃/min의 승온 속도로 570℃까지 온도를 올린 후 다시 30분 유지하고 로냉하여 제 1 조정층(212)을 형성한다.
도 2에 첨부된 부분 확대도와 그래프를 참조하면, 이상과 같은 과정을 거쳐 제 1 조정층(212)이 형성된 기판(210)의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측한 결과를 볼 수 있다.
상세하게는, 시편 전체에 걸쳐 약 60㎚ 크기의 돌기들이 균일하게 퍼져 있음을 알 수 있다. 또한, 도 1a 및 도 1b에 도시된 종래 기판(110)의 표면 조도와 비교해보면, Ra 및 Rp -v 값이 1/3이하로 감소하여 표면 조도가 0<Rms<10㎚, 0<Rp -v<100㎚ 범위 이내로 조정되었음을 알 수 있다.
이러한 표면 조도의 수치적 변화는 예를 들어, 기판(210, 212)상에 박막트랜지스터가 형성될 경우, TFT특성의 저하를 방지할 수 있고, 전극 및 발광층이 형성될 때 굴곡된 기판(210, 212)의 표면에 의해 발생할 수 있는 I-V 특성의 저하 및 국부적인 휘도의 편차를 방지할 수 있는 수율 조건에 부합함을 의미한다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 조정층(212)이 형성된 금속 기판(210)은 평판표시소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판(210, 212) 상에는 제 1 전극과 발 광층 및 제 2 전극이 형성되어 평판표시소자가 완성되며, 발광 방식에 따라 LCD, OLED를 포함하는 다양한 구조의 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자가 전계발광 표시장치에 적용되는 경우의 소자 구조를 도시한 모식도이다.
도 3을 참조하면, 기판(210, 212) 상에 제 1 전극(222)이 형성된다. 이때, 제 1 전극(222)은 일함수가 높은 ITO, IZO 등의 투명 도전막으로 패터닝 될 수 있다.
제 1 전극(222) 상에는 발광층(224)이 형성된다. 발광층(224)은 유기물로 형성될 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 발광층 중 어느 하나 또는 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
발광층(224) 상에는 제 2 전극(226)이 형성된다. 제 2 전극(226)은 일함수가 낮은 Al, Ag, Mg 중 어느 하나 또는 어느 하나 이상을 포함하도록 형성할 수 있으며, 상부 발광형(Top-Emission type)의 경우, 얇은 금속 전극 또는 얇은 금속과 투명 도전막이 적용되어 투과 전극으로 형성될 수도 있다.
한편, 도면에 도시되지는 않았지만, 제 1 전극(222)과 발광층(224) 사이에는 정공의 수송을 원활하게 하기 위한 정공 주입/전달층이 개재될 수 있다. 그리고, 발광층(224)과 제 2 전극(226) 사이에는 전자 주입/전달층이 개재될 수 있다.
이상 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자의 구조를 설명함에 있어, 제 1 전극(222)을 애노드로 제 2 전극(226)을 캐소드로 형성한 경우로 예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판표시소자의 구조는 이에 국한되 지 않는다. 따라서, 기판(210, 212) 상의 애노드와 캐소드의 위치는 바뀔 수 있으며, 구동 방식에 따라 하나 이상의 박막트랜지스터가 어느 하나의 전극과 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판에 변형이 발생한 상태를 도시한 단면도이다. 또한, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판의 변형된 실시예를 도시한 단면도이다.
도 2의 단면도와 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 이상 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판(210, 212)에서 금속 기판(210)과 제 1 조정층(212) 간의 열팽창 계수의 차이는 0 내지 5ppm/℃의 범위 내로 조정되어야 한다.
만약, 금속 기판(210)의 열팽창 계수(T1)와 제 1 조정층(212)의 열팽창 계수(T2)의 차이가 5ppm/℃를 초과하게 될 경우, 도 4a 및 도 4b에 도시한 바와 같이 기판(210, 212)이 휘는 문제가 발생하기 때문이다.
도 4a를 참조하면, 금속 기판(210)의 열팽창 계수(T1)가 제 1 조정층(212)의 열팽창 계수(T2)보다 큰 경우(T1>T2)로, 제 1 조정층(212)이 압축 응력을 받아 도시한 바와 같이 기판(210, 212)이 휘게 된다.
도 4b를 참조하면, 금속 기판(210)의 열팽창 계수(T1)가 제 1 조정층(212)의 열팽창 계수(T2)보다 작은 경우(T1<T2)로, 제 1 조정층(212)이 인장 응력을 받아 도시한 바와 같이 기판(210, 212)이 휘게 된다.
이상과 같이 금속 기판(210)과 제 1 조정층(212) 간의 열팽창 계수의 차이에 의해 기판(210, 212)이 휘는 문제는 금속 기판(210)과 제 1 조정층(212) 간의 점착 력(adhesion) 측면에서도 문제를 야기할 수 있다.
따라서, 이상과 같은 문제들을 해결하기 위해서는 제 1 조정층(212)의 두께를 조절함으로써 열팽창 계수의 차이를 줄이거나, 도 5에 도시한 바와 같이, 금속 기판(210)의 양 측면에 제 1 조정층(212)을 형성하는 방법이 있다.
위에서 설명한 바와 같이 제 1 조정층(212)을 형성할 경우, 금속 기판(210)의 열팽창 계수(T1)와 제 1 조정층(212)의 열팽창 계수(T2)가 0 내지 2ppm/℃ 이하의 범위로 차이날 때 제 1 조정층은 500㎚ 내지 150,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
또한, 금속 기판(210)의 열팽창 계수(T1)와 제 1 조정층(212)의 열팽창 계수(T2)가 2ppm/℃ 이상 5ppm/℃ 이하의 범위로 차이날 때 제 1 조정층은 500㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도 및 기판의 표면을 원자간력 현미경(AFM; Atomic Force Microscope)으로 관찰하여 나타낸 확대도이다.
도 6을 참조하면, 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층(312)이 형성된 금속 기판(310) 상에 표면 조도 개선을 목적으로 유기물을 포함하는 제 2 조정층(314)이 추가로 형성된다.
금속 기판(310)은 휘어질 수 있는 성질을 갖도록 압연과정을 통해 0.05㎜ 내지 1.0㎜ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 제 1 조정층(312)은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 조정층(212)과 동일한 원리 및 방법에 따라 형성된다.
또한, 제 2 조정층(314)은 제 1 조정층(312)과의 점착력(adhesion)을 고려하여, 100㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
이러한 제 2 조정층(314)은 스핀 코팅, 딥 코팅, 플로우 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, sol-gel법으로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 방법으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
또한, 제 2 조정층(314)은 폴리이미드(Polyimide)계, 벤조싸이클로부텐(BCB)계, 포토아크릴(Photo acryl)계, 폴리실리젠(Polysilizane)계, 규소(Si)계 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 유기물을 포함할 수 있다.
도 6의 확대도를 참조하면, 제 2 조정층(314)이 형성된 기판(310)의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측한 결과로, 제 2 조정층(314)이 형성된 기판(310, 312, 314)의 표면 조도는 0<Rms<5, 0<Rp -v<50㎚ 범위 이내로 조정되었음을 알 수 있다.
이러한 기판(310, 312)의 표면 조도의 범위는 예를 들어, 기판(310, 312)상에 박막트랜지스터가 형성될 경우, TFT특성의 저하를 방지할 수 있고, 전극 및 발광층이 형성될 때 굴곡된 기판(310, 312)의 표면에 의해 발생할 수 있는 I-V 특성의 저하 및 국부적인 휘도의 편차를 방지할 수 있는 수율 조건에 부합한다. 따라서, 본 발명의 제 2 실시예에 따라 제 1 조정층(312) 및 제 2 조정층(314)이 형성 된 금속 기판(310)은 평판표시소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판(310, 312, 314)의 최상위에는 외기의 수분 또는 산소와 제 2 조정층(314)의 접촉을 방지하기 위한 무기 보호막이 형성될 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층(412)이 형성된 금속 기판(410) 상에 표면 조도 개선을 목적으로 무기물을 포함하는 제 3 조정층(416)이 추가로 형성된다.
금속 기판(410)은 휘어질 수 있는 성질을 갖도록 압연과정을 통해 0.05㎜ 내지 1.0㎜ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 제 1 조정층(412)은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 조정층(212)과 동일한 원리 및 방법에 따라 형성된다.
한편, 제 3 조정층(416)은 소자의 I-V특성을 저하시킬 수 있는 영향력을 최소화하기 위해 절연특성이 좋은 산화물 또는 질화물이 적용 가능하며, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 탄탈륨 산화물(TaOx)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
또한, 제 3 도전층(416)은 기판(410)의 휘어지는 특성에 따라 크랙(crack)방 지를 위해 10㎚ 내지 3,000㎚ 범위의 두께로 형성할 수 있다. 이는 제 3 도전층(416)이 10㎚ 이상의 두께로 형성될 때 충분한 표면 조도의 개선 효과가 있고, 3000㎚ 이하의 두께로 형성되어야 기판(410)이 휘어질 때 작용하는 응력에 의한 크랙이 방지되기 때문이다.
이상의 제 3 조정층(416)은 스퍼터링(Sputtering), 진공증착(Evaporation), 화학기상증착(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 스프레이(Plasma spray)로 이루어지는 군에서 선택된 하나의 무기막 형성 방법으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
본 발명의 제 3 실시예는 본 발명의 제 2 실시예와 같은 원리로 제 1 조정층(412)이 형성된 금속 기판(410)의 표면의 공극을 제 3 조정층(416)이 메워주는 효과가 있어, 표면 조도를 0<Rms<5, 0<Rp -v<50㎚ 범위로 개선할 수 있다.
이러한 기판(410, 416)의 표면 조도의 범위는 예를 들어, 기판(410, 416)상에 박막트랜지스터가 형성될 경우, TFT특성의 저하를 방지할 수 있고, 전극 및 발광층이 형성될 때 굴곡된 기판(410, 416)의 표면에 의해 발생할 수 있는 I-V 특성의 저하 및 국부적인 휘도의 편차를 방지할 수 있는 수율 조건에 부합한다. 따라서, 본 발명의 제 3 실시예에 따라 제 3 조정층(416)이 추가로 형성된 기판(410, 412, 416)은 평판표시소자의 생산 수율을 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 평판표시소자의 기판의 구조를 도시한 단면도이다.
도 8을 참조하면, 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층(512)이 형성된 금속 기판(510) 상에 표면 조도 개선을 목적으로 유기물을 포함하는 제 2 조정층(514) 및 무기물을 포함하는 제 3 조정층(516)이 추가로 형성된다.
금속 기판(510)은 휘어질 수 있는 성질을 갖도록 압연과정을 통해 0.05㎜ 내지 1.0㎜ 범위의 두께로 형성될 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 제 1 조정층(512)은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 제 1 조정층(212)과 동일한 원리 및 방법에 따라 형성된다.
제 2 조정층(514)은 제 1 조정층(512)과의 점착력(adhesion)을 고려하여, 100㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성될 수 있다. 이는 제 2 조정층(514)이 100㎚이상의 두께로 형성될 때, 충분한 표면 조도의 개선효과가 나타나며, 30,000㎚ 이하의 두께로 형성되어야 기판(510)이 휘어질 때 작용하는 응력에 의해 발생할 수 있는 각 조정층 간의 계면이 들뜨는 현상을 방지할 수 있기 때문이다.
이상의 제 2 조정층(514)은 폴리이미드(Polyimide)계, 벤조싸이클로부텐(BCB)계, 포토아크릴(Photo acryl)계, 폴리실리젠(Polysilizane)계, 규소(Si)계 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 유기물을 포함할 수 있다.
이상의 제 3 조정층(516)은 소자의 I-V특성을 저하시킬 수 있는 영향력을 최소화하기 위해 절연특성이 좋은 산화물 또는 질화물이 적용 가능하며, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 탄탈륨 산화물(TaOx)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
이상 본 발명의 제 4 실시예에 따른 제 3 조정층(516)은 유기물을 포함하는 제 2 조정층(514)을 덮도록 기판(410) 상의 최상위에 형성되어 외기의 수분 및 산소가 제 2 조정층(514)과 반응하는 것을 방지한다.
또한, 제 3 조정층(516)은 기판(510)의 휘어지는 특성에 따라 크랙(crack)방지를 위해 10㎚ 내지 3,000㎚ 범위의 두께로 형성할 수 있다. 이는 제 3 도전층(516)이 10㎚ 이상의 두께로 형성될 때 충분한 표면 조도의 개선 효과가 있고, 3000㎚ 이하의 두께로 형성되어야 기판(510)이 휘어질 때 작용하는 응력에 의한 크랙이 방지되기 때문이다.
이상과 같은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판(510, 512, 514, 516)은 본 발명의 제 2 실시예 및 제 3 실시예와 동일한 원리로 표면 조도가 0<Rms<5, 0<Rp-v<50㎚ 범위로 개선된다.
이상 본 발명의 제 4 실시예에서는 제 1 조정층(512)과 제 2 조정층(514) 및 제 3 조정층(516)이 각각 한층 씩 존재하는 경우로 예를 들어 설명하였으나, 본 발명에 따른 기판의 구조는 이에 국한되지 않으며, 제 2 조정층 및 제 3 조정층은 각각 하나 이상씩 존재할 수 있다.
또한, 본 발명의 제 4 실시예에서는 제 1 내지 제 3 조정층(512, 514, 516)이 기판(510) 상에 순차적으로 형성된 경우로, 기판의 구조를 설명하였으나, 본 발 명에 따른 기판의 구조는 이에 국한되지 않는다. 따라서, 제 1 조정층 상에 제 2 및 제 3 조정층이 각각 두 층 이상씩 존재할 수 있고, 제 2 조정층과 제 3 조정층이 교번하여 적층될 수도 있으며, 제 2 조정층이 최상위에 위치할 때는 제 2 조정층을 덮는 무기 보호막이 추가로 형성될 수도 있다.
이상 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 기판 상에는 두 개의 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 픽셀부가 형성될 수 있으며, 발광방식에 따라 OLED, LCD를 포함한 다양한 형태의 디스플레이가 모두 적용될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 생산수율을 향상시킬 수 있는 평판표시소자를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 금속을 포함하는 기판; 및
    상기 기판 상에 형성된 유리 성분을 포함하는 제 1 조정층을 포함하고, 상기 제 1 조정층이 형성된 상기 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<10㎚, 0<Rp -v<100㎚ 범위인 평판표시소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 두께는 0.05㎜ 내지 1㎜의 범위로 형성된 평판표시소자.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 기판은 Ti, Ni, Invar, SUS(Steel Use Stainless)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 평판표시소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 열팽창 계수와 상기 제 1 조정층의 열팽창 계수 간의 차이는 0 내지 5ppm/℃의 범위 내인 평판표시소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 열팽창 계수와 상기 제 1 조정층의 열팽창 계수가 0 내지 2ppm/℃ 이하의 범위로 차이날 때 상기 제 1 조정층은 500㎚ 내지 150,000㎚ 범위의 두께로 형성된 평판표시소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 기판의 열팽창 계수와 상기 제 1 조정층의 열팽창 계수가 2ppm/℃ 이상 5ppm/℃ 이하의 범위로 차이날 때 상기 제 1 조정층은 500㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성된 평판표시소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상에 유기물을 포함하는 제 2 조정층을 추가로 포함하는 평판표시소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제 1 조정층 상에 상기 제 2 조정층이 형성되고, 상기 제 2 조정층 상에 무기 보호막이 형성되며, 상기 제 2 조정층이 형성된 상기 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<5㎚, 0<Rp -v<50㎚ 범위인 평판표시소자.
  9. 제 7항 또는 제 8항에 있어서,
    상기 제 2 조정층은 100㎚ 내지 30,000㎚ 범위의 두께로 형성된 평판표시소자.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 2 조정층은 폴리이미드(Polyimide)계, 벤조싸이클로부텐(BCB)계, 포토아크릴(Photo acryl)계, 폴리실리젠(Polysilizane)계, 규소(Si)계 물질로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 유기물을 포함하는 평판표시소자의 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상에 무기물을 포함하는 제 3 조정층을 추가로 포함하는 평판표시소자.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제 1 조정층 상에 상기 제 3 조정층이 형성되며, 상기 제 3 조정층이 형성된 상기 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<5㎚, 0<Rp -v<50㎚ 범위인 평판표시소자.
  13. 제 11항 또는 제 12항에 있어서,
    상기 제 3 조정층은 10㎚ 내지 3,000㎚ 범위의 두께로 형성된 평판표시소자.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제 3 조정층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 탄탈륨 산화물(TaOx)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 무기물을 포함하는 평판표시소자.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상에 유기물을 포함하는 제 2 조정층 및 무기물을 포함하는 제 3 조정층을 추가로 포함하는 평판표시소자.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제 1 조정층 상에 상기 제 2 조정층 및 상기 제 3 조정층을 포함하되, 최상위에 상기 제 3 조정층이 형성되며, 최상위에 상기 제 3 조정층이 형성된 상기 기판의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 10㎛×10㎛의 스캔 범위로 관측할 때 표면 조도가 0<Rms<5㎚, 0<Rp -v<50㎚ 범위인 평판표시소자.
  17. 제 1항에 있어서,
    상기 기판 상에 두 개의 전극 사이에 개재된 발광층을 포함하는 픽셀부를 포함하는 평판표시소자.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 발광층은 유기물을 포함하는 평판표시소자.
KR1020060088308A 2006-09-12 2006-09-12 평판표시소자 및 그 제조방법 KR100855489B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060088308A KR100855489B1 (ko) 2006-09-12 2006-09-12 평판표시소자 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060088308A KR100855489B1 (ko) 2006-09-12 2006-09-12 평판표시소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080024037A true KR20080024037A (ko) 2008-03-17
KR100855489B1 KR100855489B1 (ko) 2008-09-01

Family

ID=39412560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060088308A KR100855489B1 (ko) 2006-09-12 2006-09-12 평판표시소자 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100855489B1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012008683A2 (ko) 2010-07-13 2012-01-19 포항공과대학교 산학협력단 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
WO2012043971A2 (ko) 2010-09-29 2012-04-05 포항공과대학교 산학협력단 롤 형상의 모기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
KR20160021579A (ko) 2014-08-18 2016-02-26 서울대학교산학협력단 고탄성 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자
KR20170120892A (ko) 2016-04-22 2017-11-01 포항공과대학교 산학협력단 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
KR20170121371A (ko) 2016-04-22 2017-11-02 포항공과대학교 산학협력단 표면에너지 조절층을 이용한 플렉서블 금속 필름의 제조 방법
KR20170121372A (ko) 2016-04-22 2017-11-02 포항공과대학교 산학협력단 실링 라인을 이용한 플렉서블 금속 필름의 제조 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751443B (zh) * 2011-04-19 2016-02-10 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置及其制作方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1495153B1 (de) * 2002-04-15 2008-10-15 Schott Ag Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
KR20040102853A (ko) * 2003-05-29 2004-12-08 알파디스플레이 (주) 유기이엘용 아이티오(ito) 기판 및 그 제조방법
DE10327897B4 (de) * 2003-06-20 2010-04-01 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung glatter Indium-Zinn-Oxidschichten auf Substraten, sowie Substratbeschichtung aus Indium-Zinn-Oxid und organische Leuchtdiode

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012008683A2 (ko) 2010-07-13 2012-01-19 포항공과대학교 산학협력단 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
WO2012043971A2 (ko) 2010-09-29 2012-04-05 포항공과대학교 산학협력단 롤 형상의 모기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
KR20160021579A (ko) 2014-08-18 2016-02-26 서울대학교산학협력단 고탄성 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자
KR20170120892A (ko) 2016-04-22 2017-11-01 포항공과대학교 산학협력단 전자소자용 금속 기판의 제조 방법
KR20170121371A (ko) 2016-04-22 2017-11-02 포항공과대학교 산학협력단 표면에너지 조절층을 이용한 플렉서블 금속 필름의 제조 방법
KR20170121372A (ko) 2016-04-22 2017-11-02 포항공과대학교 산학협력단 실링 라인을 이용한 플렉서블 금속 필름의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100855489B1 (ko) 2008-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10312470B2 (en) Flexible organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
WO2018072283A1 (zh) Oled显示器及其制作方法
KR102180037B1 (ko) 가요성 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI271113B (en) Active matrix type organic electroluminescent display and method of manufacturing the same
KR101108166B1 (ko) 실리콘 산화물막과 실리콘 리치 실리콘 질화물막을 포함하는 배리어층을 포함하는 유기 발광 장치
TWI231153B (en) Organic electroluminescence display device and its fabrication method
KR100855489B1 (ko) 평판표시소자 및 그 제조방법
US9947736B2 (en) Manufacture method of AMOLED back plate and structure thereof
US8729538B2 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
US20110143079A1 (en) Substrate section for flexible display device, method of manufacturing substrate section, and method of manufacturing organic light emitting display device including substrate
WO2018113007A1 (zh) Oled封装方法与oled封装结构
US20070262299A1 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same
KR20140139710A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20210083225A1 (en) Display panel and manufacturing method thereof
TWI239790B (en) Organic light-emitting device and fabrication method thereof
KR101446952B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP2007529864A (ja) 可撓性有機電子装置およびその作製方法
KR101257927B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
WO2019051959A1 (zh) 一种oled器件制作方法及相应的oled器件
US20050184650A1 (en) [organic electro-luminescent device and fabricating method thereof]
US8026520B2 (en) Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the thin film transistor
KR20080095540A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법, 이를 포함하는평판표시장치
CN109638021B (zh) 柔性tft基板的制作方法及柔性oled面板的制作方法
KR20130061471A (ko) 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법
KR100761124B1 (ko) 전계 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130619

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150728

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160712

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170713

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190723

Year of fee payment: 12