WO2019051959A1 - 一种oled器件制作方法及相应的oled器件 - Google Patents

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tft
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郭天福
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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Definitions

  • the present invention relates to the field of display, and in particular, to a method for fabricating an OLED device and a corresponding OLED device.
  • OLED display is a promising flat panel display technology with self-illumination, simple structure, ultra-thin, fast response, wide viewing angle, low power consumption and flexible display. And other characteristics.
  • OLED displays have been favored by major display manufacturers, and become the third generation display after CRT (Cathode Ray Tube) display and liquid crystal display (LCD).
  • CRT Cathode Ray Tube
  • LCD liquid crystal display
  • OLEDs are extremely sensitive to water oxygen.
  • OLEDs commonly used in OLEDs often use top-emitting luminescence, so the TFE water-blocking oxygen on the surface is extremely high.
  • many patents propose how to improve the water-blocking oxygen performance of the upper layer TFE.
  • water and oxygen will not only invade from the top, but also invade into the interior of the OLED through the underlying substrate. Therefore, how to avoid water and oxygen intrusion from the bottom of the OLED substrate is also very important.
  • OLED substrates are often required to have flexibility, resistance to bending, high temperature resistance, etc.
  • PI polyimide
  • the film itself is resistant to high temperature (up to 400 ° C) and has a small thermal expansion coefficient ( ⁇ 10). It is often selected as the substrate substrate of the flexible OLED, but the water resistance of the PI substrate is poor, so the external water vapor easily passes through the PI. The substrate enters the interior of the OLED device, thereby shortening the lifetime of the OLED.
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a method for fabricating an OLED device and a corresponding OLED device, which can improve the water-blocking oxygen performance of the substrate in the OLED device.
  • an aspect of an embodiment of the present invention provides a method for fabricating an OLED device, including the following steps:
  • the glass substrate is peeled off from the base substrate, and a protective layer is attached to a side of the base substrate away from the TFT layer.
  • the step of preparing a TFT layer on the base substrate further includes:
  • a TFT layer is formed on the inorganic barrier layer.
  • the step of preparing a TFT layer on the substrate substrate further includes:
  • a TFT layer is formed on the second substrate layer.
  • the step of coating the polyimide material on the glass substrate to form the substrate substrate is specifically as follows:
  • the polyimide substrate to which the material having the water absorbing property is doped is applied onto the glass substrate by a coater, followed by high temperature baking, and ultraviolet curing to obtain the base substrate.
  • the material for water absorption and oxygen performance comprises at least one of CaO, BaO, NaOH, CaCl 2 and MgCl 2 .
  • an OLED device comprising:
  • a substrate comprising a material having water vapor absorbing properties
  • a TFT layer disposed on an upper side of the base substrate
  • An OLED device layer disposed on the TFT layer
  • a thin film encapsulation layer disposed on the OLED device layer, the thin film encapsulation layer completely covering the OLED device layer.
  • a protective layer is attached to a side of the base substrate away from the TFT layer.
  • an inorganic barrier layer is further provided between the base substrate and the TFT layer.
  • An inorganic barrier layer disposed on the substrate
  • the substrate substrate comprising a material having water vapor absorbing properties
  • the TFT layer is disposed on the second substrate substrate layer.
  • the material for water absorption and oxygen performance comprises at least one of CaO, BaO, NaOH, CaCl 2 and MgCl 2 .
  • an OLED device including:
  • a substrate comprising a material having water absorbing properties, wherein the material for absorbing oxygen properties comprises at least one of CaO, BaO, NaOH, CaCl 2 , and MgCl 2 ;
  • a TFT layer disposed on an upper side of the base substrate
  • An OLED device layer disposed on the TFT layer
  • a thin film encapsulation layer disposed on the OLED device layer, the thin film encapsulation layer completely covering the OLED device layer.
  • a protective layer is attached to a side of the base substrate away from the TFT layer.
  • an inorganic barrier layer is further provided between the base substrate and the TFT layer.
  • An inorganic barrier layer disposed on the substrate
  • the substrate substrate comprising a material having water vapor absorbing properties
  • the TFT layer is disposed on the second substrate substrate layer.
  • materials utilizing water-absorbing oxygen properties tend to have better water-oxygen absorption properties, and doping an appropriate amount of metal oxide in the polyimide solution through the polyacyl group.
  • the imide liquid coating technology prepares a base substrate layer containing a metal oxide having extremely strong water absorption property, thereby improving the water-blocking oxygen performance of the substrate substrate layer;
  • the water-blocking oxygen performance of the conventional base substrate can be greatly improved by selecting and adjusting the type of the water-blocking oxygen-containing material doped into the polyimide liquid and the doping ratio, and does not change.
  • the other properties of the base substrate do not affect other process conditions of the back substrate based on the substrate. Therefore, the preparation of the substrate by the method is simple and feasible, does not add an additional process, and is extremely feasible.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a main flow of an embodiment of a method for fabricating an OLED device according to the present invention
  • FIG. 2 is a schematic structural view of an OLED device in the manufacturing process involved in FIG. 1;
  • FIG. 3 is a schematic structural view of an embodiment of an OLED device structure provided by the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic structural view of another embodiment of an OLED device structure provided by the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic structural view of still another embodiment of an OLED device structure provided by the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a main flow of an embodiment of a method for fabricating an OLED device according to the present invention; in this embodiment, the method includes the following steps:
  • Step S10 coating a polyimide material (PI liquid) on the glass substrate to form a base substrate (PI layer), the PI layer containing a material having water absorbing properties, wherein the water absorbing material may be For a metal oxide (such as CaO or BaO), it may also be NaOH, CaCl 2 , MgCl 2 , etc.; in some embodiments, the weight ratio of the water-absorbing oxygen material to the PI liquid is not more than 5%, so that Will affect the process of PI liquid.
  • a polyimide material PI liquid
  • the PI layer containing a material having water absorbing properties, wherein the water absorbing material may be For a metal oxide (such as CaO or BaO), it may also be NaOH, CaCl 2 , MgCl 2 , etc.; in some embodiments, the weight ratio of the water-absorbing oxygen material to the PI liquid is not more than 5%, so that Will affect the process of PI liquid.
  • Step S11 preparing a TFT layer on the PI layer, and forming an array of TFT devices thereon;
  • Step S12 forming an OLED device layer on the TFT layer.
  • the OLED device layer can be formed by vacuum evaporation
  • Step S13 preparing a thin film encapsulation layer on the OLED device layer, so that the thin film encapsulation layer completely covers the OLED device layer; the OLED device structure obtained through the step is as shown in FIG. 2, wherein, in some embodiments
  • the thin film encapsulation layer can be prepared by CVD (Chemical Vapor Deposition) / ALD (Atomic Layer Deposition) / IJP (Ink Jet Printing);
  • step S14 the most glass substrate is peeled off from the PI layer, and the protective layer is attached on the side of the PI layer away from the TFT layer, so that a flexible OLED device can be obtained (see FIG. 3).
  • step S11 specifically includes:
  • An inorganic barrier layer is formed on the PI layer, and the inorganic barrier layer may be an inorganic film layer such as SiN, SiO 2 or SiON to further improve water-blocking oxygen performance;
  • the TFT layer is formed on the inorganic barrier layer.
  • step S11 specifically includes:
  • the second substrate substrate layer comprises a material having water absorption and oxygen properties
  • the TFT layer is formed on the second substrate layer.
  • step S10 the step of coating the polyimide material on the glass substrate to form the substrate substrate in step S10 is specifically as follows:
  • the PI liquid for preparing the PI layer is doped with an appropriate amount of material having water absorption oxygen property, and the material for water absorption and oxygen performance includes at least one of CaO, BaO, NaOH, CaCl 2 , and MgCl 2 ; the specific doping ratio may be Determining, as needed, in some embodiments, the water-absorbing oxygen property material accounts for less than 5% of the total weight of the PI liquid;
  • the PI liquid doped with the water absorbing material was coated on a glass substrate by a coater, and then subjected to high temperature baking and ultraviolet curing to obtain a PI layer excellent in water vapor barrier properties.
  • step of coating the polyimide material on the inorganic barrier layer to form the second substrate substrate layer is the same as the above steps.
  • another aspect of the present invention also provides an OLED device which can be obtained by an OLED device fabrication method as described above.
  • the OLED device includes:
  • a base substrate 200 comprising a material having water absorbing properties
  • the material for absorbing oxygen properties may be a metal oxide (such as CaO or BaO), or may be NaOH or CaCl 2 , MgCl 2 or the like; in some embodiments, the water-absorbing oxygen property of the material accounts for no more than 5% by weight of the PI layer;
  • TFT layer 300 disposed on the substrate substrate 200
  • the OLED device layer 400 disposed on the TFT layer 300;
  • a thin film encapsulation layer 500 disposed on the OLED device layer 400 completely covers the OLED device layer 400.
  • FIG. 4 there is shown a schematic structural view of another embodiment of an OLED device provided by the present invention, which is different from the embodiment shown in FIG. 3 in this embodiment in that it is on the uppermost layer.
  • An inorganic barrier layer 201 is further disposed between the PI layer 200 and the TFT layer 300.
  • the inorganic barrier layer 201 may be an inorganic film layer such as SiN, SiO 2 or SiON to further improve water-blocking oxygen performance. It can be understood that in some embodiments, the barrier layer 101 and the inorganic barrier layer 201 can be made of the same material.
  • FIG. 5 there is shown a schematic structural view of still another embodiment of an OLED device provided by the present invention, which in this embodiment is different from the embodiment shown in FIG. 3 in that Further disposed between the base substrate 200 and the TFT layer 300 is:
  • the TFT layer 300 is disposed on the second substrate substrate layer 210.
  • the second substrate substrate layer 210 can be obtained by the same process as the substrate substrate 200, and the material composition and properties thereof can be identical.
  • materials utilizing water-absorbing oxygen properties tend to have better water-oxygen absorption properties, and doping an appropriate amount of metal oxide in the polyimide solution through the polyacyl group.
  • the imide liquid coating technology prepares a base substrate layer containing a metal oxide having extremely strong water absorption property, thereby improving the water-blocking oxygen performance of the substrate substrate layer;
  • the water-blocking oxygen performance of the conventional base substrate can be greatly improved by selecting and adjusting the type of the water-blocking oxygen-containing material doped into the polyimide liquid and the doping ratio, and does not change.
  • the other properties of the base substrate do not affect other process conditions of the back substrate based on the substrate. Therefore, the preparation of the substrate by the method is simple and feasible, does not add an additional process, and is extremely feasible.

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Abstract

本发明公开了一种OLED器件制作方法，包括步骤：在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在衬底基板上面制备TFT层；在TFT层上制作OLED器件层；在OLED器件层上制备薄膜封装层，使薄膜封装层完全覆盖OLED器件层；将玻璃基板从衬底基板上剥离，并在衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。本发明还公开了相应的OLED器件。本发明可以提高OLED器件中的聚酰亚胺材料的阻水氧性能，提高OLED器件寿命。

Description

一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件
本申请要求于2017年9月18日提交中国专利局、申请号为201710841649.X、发明名称为“一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件”的中国专利申请的优先权，上述专利的全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及显示领域，特别涉及一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性。目前OLED显示器得到了各大显示器厂家的青睐，并成为继CRT(Cathode Ray Tube)显示器与液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)之后的第三代显示器。
但是，OLED对水氧极为敏感，目前常用的OLED常采用顶发光，因此对其表面的TFE阻水氧要求极高，目前也有很多专利提出如何完善上层TFE的阻水氧性能。但是对于OLED而言，水氧不仅会从顶部入侵，也会通过下层基板入侵进入OLED期间内部，因此，如何避免水氧从OLED基板底部入侵也是尤为重要的事。
柔性OLED对基板性能要求较高，为了满足后期工艺制备及产品性能需求，OLED基板往往要求具有柔性，耐饶曲，耐高温等性能，目前OLED行业中，因为聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜自身耐高温(可高达400℃)，热膨胀系数小(<10)等优点，常常被选定为柔性OLED的基板衬底，但PI基板阻水氧性能较差，因此外界水汽容易透过PI基板进入OLED器件内部，从而缩短OLED的使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件，可以提高OLED器件中衬底基板的阻水氧性能。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供一种OLED器件制作方法，包括如下步骤：
在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
在所述衬底基板上制备TFT层；
在TFT层上制作OLED器件层；
在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；
将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。
其中，在所述衬底基板上制备TFT层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上制作TFT层。
其中，在所述衬底基板上面制备TFT层的步骤进一步包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层，所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；
在所述第二衬底基板层上制作TFT层。
其中，在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5％；
通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的聚酰亚胺液涂布至所述玻璃基板上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得所述衬底基板。
其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一个。
相应地，本发明的另一方面，还提供一种OLED器件，包括：
衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
设置于所述衬底基板上侧的TFT层；
设置于所述TFT层上的OLED器件层；
设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。
其中，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。
其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。
其中，所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：
设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；
设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。
其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种。
相应地，本发明实施例的再一方面，还提供一种OLED器件，包括：
衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种；
设置于所述衬底基板上侧的TFT层；
设置于所述TFT层上的OLED器件层；
设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。
其中，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。
其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。
其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：
设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；
设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明实施例中，利用吸水氧性能的材料(如金属氧化物CaO，BaO等)往往具有较好的水氧吸收性能，在聚酰亚胺液中掺杂适量的金属氧化物，通过聚酰亚胺液涂布技术，制备出含吸水性能极强的金属氧化物的衬底基板层，从而提升衬底基板层的阻水氧性能；
在本发明中，通过选择调整掺杂到聚酰亚胺液中的阻水氧性能材料种类和掺杂比例，可使传统的衬底基板的阻水氧性能得到极大提升，且不会改变衬底基板的其他性能，也不会影响后段基于衬底基板的其他的工艺制程条件，故通过该方法制备衬底基板简单可行，不会增加额外工艺制程，可行性极高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明提供的一种OLED器件制作方法的一个实施例的主流程示意图；
图2是图1中涉及的制作过程中的一种OLED器件的结构示意图；
图3是本发明提供的一种OLED器件结构的一个实施例的结构示意图；
图4是本发明提供的一种OLED器件结构的另一个实施例的结构示意图；
图5是本发明提供的一种OLED器件结构的再一个实施例的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做 出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
如图1所示，是本发明提供的一种OLED器件制作方法的一个实施例的主流程示意图；在该实施例中，该方法包括如下步骤：
步骤S10，在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料(PI液)形成衬底基板(PI层)，所述PI层包含有吸水氧性能的材料，其中，所述吸水氧性能的材料可以为金属氧化物(如CaO或BaO)，也可以为NaOH、CaCl2、MgCl2等；在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI液的重量比不高于5％，这样不会影响到PI液的工艺。
步骤S11，在PI层上面制备TFT层，在上面形成阵列排布的TFT器件；
步骤S12，在TFT层上制作OLED器件层，例如在一个实施例中，可以通过真空蒸镀的方式制作OLED器件层；
步骤S13，在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；经过该步骤所获得的OLED器件结构如图2所示，其中，在一些实施例中，可以通过CVD(化学气相淀积)/ALD(原子层淀积)/IJP(喷墨打印)等方式来制备薄膜封装层；
步骤S14，将最所述玻璃基板从PI层上剥离，并在PI层远离TFT层的一侧贴覆保护层，从而可以获得柔性OLED器件(可参见图3所示)。
可以理解的是，在本发明的另一个实施例中，所述步骤S11具体包括：
在PI层制作一层无机阻挡层，所述无机阻挡层可以采用是SiN、SiO2、SiON等无机膜层，进一步提高阻水氧性能；
在所述无机阻挡层上制作所述TFT层。
可以理解的是，在本发明的再一个实施例中，可以出现两层或两层以上PI层。具体地，在一个例子中，所述步骤S11具体包括：
在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层(PI层)， 所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；
在所述第二衬底基板层上制作所述TFT层。
可以理解的是，在本发明的实施例中步骤S10中在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
向用于制作PI层的PI液中掺杂适量具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种；具体的掺杂比例可以根据需要确定，在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI液总体重量的5％以内；
通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的PI液涂布在玻璃基板之上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得阻水氧性能优异的PI层。
可以理解的是，在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层的步骤与上述步骤相同。
相应地，本发明的另一方面还提供了一种OLED器件，其可以通过前述介绍的一种OLED器件制作方法获得。
如图3所示，示出了本发明提供的一种OLED器件一个实施例的结构示意图，在该实施例中，该OLED器件包括：
阻挡层101；
衬底基板200(PI层)，所述衬底基板200包含有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料可以为金属氧化物(如CaO或BaO)，也可以为NaOH、CaCl2、MgCl2等；在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI层的重量比不高于5％；
设置于衬底基板200上面的TFT层300；
设置于TFT层300上的OLED器件层400；
设置于所述OLED器件层400上的薄膜封装层500，所述薄膜封装层500完全覆盖所述OLED器件层400。
如图4所示，示出了本发明提供的一种OLED器件的另一个实施例的结构示意图，在该实施例中，其与图3示出的实施例的不同之处在于，在最上层PI层200与所述TFT层300之间，进一步设有一层无机阻挡层201，所述无机阻挡层201可以采用是SiN、SiO2、SiON等无机膜层，进一步提高阻 水氧性能。可以理解的是，在一些实施例中，所述阻挡层101和无机阻挡层201可以采用相同的材料。
如图5所示，示出了本发明提供的一种OLED器件的再一个实施例的结构示意图，在该实施例中，其与图3示出的实施例的不同之处在于，在所述衬底基板200与所述TFT层300之间进一步设置有：
设置于所述衬底基板200上的无机阻挡层201；
设置于所述无机阻挡层201的第二衬底基板层210，所述第二衬底基板层210包含有吸水氧性能的材料；
其中，所述TFT层300设置于所述第二衬底基板层210上。
其中，第二衬底基板层210可以采用与衬底基板200相同的工艺获得，其材料组份以及性能可以完全相同。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明实施例中，利用吸水氧性能的材料(如金属氧化物CaO，BaO等)往往具有较好的水氧吸收性能，在聚酰亚胺液中掺杂适量的金属氧化物，通过聚酰亚胺液涂布技术，制备出含吸水性能极强的金属氧化物的衬底基板层，从而提升衬底基板层的阻水氧性能；
在本发明中，通过选择调整掺杂到聚酰亚胺液中的阻水氧性能材料种类和掺杂比例，可使传统的衬底基板的阻水氧性能得到极大提升，且不会改变衬底基板的其他性能，也不会影响后段基于衬底基板的其他的工艺制程条件，故通过该方法制备衬底基板简单可行，不会增加额外工艺制程，可行性极高。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同 要素。

Claims (17)

  1. 一种OLED器件制作方法，包括如下步骤：
    在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
    在所述衬底基板上制备TFT层；
    在所述TFT层上制作OLED器件层；
    在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；
    将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。
  2. 如权利要求1所述的一种OLED器件制作方法，其中，在所述衬底基板上制备TFT层的步骤进一步包括：
    在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
    在所述无机阻挡层上制作TFT层。
  3. 如权利要求1所述的一种OLED器件制作方法，其中，在所述衬底基板上面制备TFT层的步骤进一步包括：
    在所述衬底基板上制作无机阻挡层；
    在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层，所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；
    在所述第二衬底基板层上制作TFT层。
  4. 如权利要求2所述的一种OLED器件制作方法，其中，在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
    向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5％；
    通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的聚酰亚胺液涂布至所述玻璃基板上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得所述衬底基板。
  5. 如权利要求4所述的一种OLED器件制作方法，其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一个。
  6. 如权利要求3所述的一种OLED器件制作方法，其中，在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：
    向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5％；
    通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的聚酰亚胺液涂布至所述玻璃基板上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得所述衬底基板。
  7. 如权利要求6所述的一种OLED器件制作方法，其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一个。
  8. 一种OLED器件，包括：
    衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
    设置于所述衬底基板上侧的TFT层；
    设置于所述TFT层上的OLED器件层；
    设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。
  9. 如权利要求8所述的一种OLED器件，其中，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。
  10. 如权利要求8所述的一种OLED器件，其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。
  11. 如权利要求8所述的一种OLED器件，其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：
    设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；
    设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；
    其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。
  12. 如权利要求10所述的一种OLED器件，其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种。
  13. 如权利要求11所述的一种OLED器件，其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种。
  14. 一种OLED器件，其中，包括：
    衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种；
    设置于所述衬底基板上侧的TFT层；
    设置于所述TFT层上的OLED器件层；
    设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。
  15. 如权利要求14所述的一种OLED器件，其中，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。
  16. 如权利要求15所述的一种OLED器件，其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。
  17. 如权利要求15所述的一种OLED器件，其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：
    设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；
    设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧 性能的材料；
    其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。
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