KR20160021579A - 고탄성 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자 - Google Patents

고탄성 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자소자용 유연성 기판에 관한 것으로서, 기판의 재질이 비정질 합금 재질인 고탄성 비정질 합금 유연성 기판인 것을 특징으로 한다.
이때, 기판소재로 사용되는 비정질 합금은 대량 연속생산에 적합한 상용합금 기지 고탄성(resilience) 비정질 합금 시스템인 IIA 족 Mg 계와 Ca 계, IIIA 족 Al 계, 그리고 전이 금속인 Ti 계, Zr 계, Hf 계, Fe계, Co계, Ni 계 그리고 Cu계 비정질 합금 중에서 선택된 하나의 재질로, 공정가능온도를 결정하는 결정화 온도가 200℃ 이상인 것이 바람직하다.
그리고 기판의 탄성력 값이 1.5 MJ/m3 이상인 것이 바람직하고, 전자소자와의 계면 특성 향상을 위해 열팽창 계수(CTE)가 1~20ppm/℃ 작은 범위인 것인 것이 좋다.
본 발명은, 유연성 기판의 소재로서 고탄성 비정질 합금 재질을 사용함으로써, 고분자 재질과 금속 재질 기존 유연성 기판의 단점은 해소하고 장점만을 갖는 유연성 기판을 제공할 수 있는 효과가 있다.

Description

고탄성 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자{flexible metallic glass substrate with high resilience, manufacturing methode of the same and electronic device by using the same}
본 발명은 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 탄성 (resilience)이 뛰어나고 공정 한계 온도가 높아 피로특성이 우수한 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 전자소자에 관한 것이다.
최근에는 전자제품 또는 전자소자의 기판으로서 휘어지는 유연성 기판(flexible substrate)을 이용하려는 노력이 계속되고 있다. 유연성 기판을 적용하는 경우에는 종래의 불연속적인 공정을 대신하여 롤투롤(roll to roll) 공정과 같은 연속공정을 적용할 수 있는 장점이 있다. 또한, 전자제품 자체가 휘어질 수 있는 성질을 갖는 전자제품(flexible electronics)에 대한 요구도 증가하면서 유연성 기판 및 이를 이용한 전자소자에 대한 관심이 높아지고 있다.
현재는 유연성 기판으로서 고분자 재질과 스텐레스 스틸(SUS) 같은 철계 금속 재질이 많이 사용되고 있다.
고분자는 무게가 가볍고 뛰어난 연성을 나타내고, 탄성 한계 또한 2% 이상으로 상대적으로 높으며, 형태와 두께의 제한도 거의 없기 때문에 유연성 기판으로서 적합하다. 그러나 고분자 재질은 녹는점(Tm), 유리화천이온도(Tg) 등 상변화 온도가 낮기 때문에 전자소자를 제조하는 공정에서 허용되는 공정 가능 온도가 100~300℃에 불과하여 전자소자 제조 공정에 제한이 많고, 내구성 특히 산소 및 수분에 취약한 특성이 있어서 내구성 확보를 위해 별도의 수분침투 방지층을 형성해야하는 단점이 있다.
반면 SUS와 같은 결정질 금속 포일의 경우는 고온에서 안정하여 최대 1000℃ 범위의 공정 가능 온도를 가지며, 열팽창계수가 상대적으로 작아서 전자소자와 양호한 계면 형성에 유리하며, 수분과 산소의 투과도가 없고 내충격성이 좋아서 내구력이 뛰어난 장점이 있다. 반면에, 유연기판에 사용되는 15~150㎛ 두께의 후막 금속기판은 그 제조 방법상 수백nm 이상의 표면 거칠기를 갖게 된다. 예를 들어, 압연을 통해 제작된 금속 후막의 경우 압연 흔이 존재하며 결정성 재료의 특성상 결정립계 등의 표면거칠기를 유발하는 결함을 피할 수 없으며, 유리 기판 상에 증착을 통해 형성된 금속 후막의 경우도 두께가 두꺼워짐에 따라 표면 거칠기가 비례하여 증가하기 때문에 증착방법 및 조건에 따라 표면 거칠기가 변하여 작은 표면거칠기를 갖도록 제작하는데 어려움이 있다. 또한, 탄성 한계가 0.5% 이하로 낮아서 작은 휨에도 소성 변형을 통해 표면에 주름 등 표면결함이 발생하여 표면거칠기가 나빠지는 단점이 있다. 금속 재질 기판의 표면을 평탄하게 하고 절연성을 부여하기 위하여 표면에 고분자 수지층을 도포하여 사용하는 기술이 개발되었으나, 이는 결정질 결함영역의 존재로 고분자 층을 상대적으로 두껍게 쌓아야 하는 단점과 탄성 한계가 0.5% 이하로 낮아서 작은 휨에도 소성 변형을 통해 표면에 주름 등 표면결함이 발생하는 근본적인 문제를 안고 있다. 다른 방법으로서, 금속 기판의 표면을 평탄화하기 위하여 연마하거나 제조 공정을 변화하려는 노력도 계속되고 있으나, 이 또한 결정질 재료가 가진 물리적 한계에 봉착하여 아직까지 만족할만한 수준의 결과를 얻지 못하고 있는 실정이다.
대한민국 공개특허공보 제2009-0114195호 대한민국 공개특허공보 제2006-0134934호 대한민국 공개특허공보 제2004-0097228호 대한민국 공개특허공보 제2008-0024037호 대한민국 공개특허공보 제2009-0123164호 대한민국 공개특허공보 제2008-0065210호 대한민국 등록특허공보 제1271864호 대한민국 공개특허공보 제2013-0026007호
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서 기존 고분자 재질 및 결정질 금속 재질 유연성 기판의 장점을 두루 갖춘 고탄성(resilience) 비정질 합금 유연성 기판과 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 유연성 기판은, 전자소자에 사용되는 유연성 기판으로서, 상기 기판의 재질이 비정질 합금 재질인 고탄성(resilience) 비정질 합금 유연성 기판이다.
이때, 기판소재로 사용되는 비정질 합금은 공정가능온도를 결정하는 결정화 온도가 200℃ 이상인 것이 바람직하며, 특히 대량 연속생산에 적합한 상용합금 기지 고탄성(resilience) 비정질 합금 시스템인 IIA 족 Mg 계와 Ca 계, IIIA 족 Al 계, 그리고 전이 금속인 Ti 계, Zr 계, Hf 계, Fe계, Co계, Ni 계 그리고 Cu계 비정질 합금 중에서 선택된 하나의 재질이 가능하다.
그리고 비정질 합금 기판의 두께는 전자소자를 지지하기 위한 최소 두께 조건인 1㎛ 이상과 두께에 의한 연성-취성 천이현상(Ductile-Brittle transition)을 피하기 위한 500㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다.
또한, 고탄성(resilience)으로 기판의 탄성회복력을 극대화하기 위하여, 기판은 항복 변형률(yield strain)이 1.5% 이상이고, 강도가 0.3~5GPa 범위이며, 탄성률(elastic modulus)이 30~250 GPa 범위인 것이 좋다. 이러한 물성에 의해서 기판의 탄성력(resilience) 값이 1.5 MJ/m3 이상인 것이 바람직하다.
전자소자와의 계면 특성 향상을 위해, 기판의 열팽창 계수(CTE)가 상대적으로 작은 범위인 1~20ppm/℃ 범위인 것이 좋으며, 기판의 굽힘 피로 변형율의 한계가 0.5% 이상인 것이 바람직하다.
상기 목적을 달성하기 위한 유연성 기판의 제조방법은 비정질 합금의 조성에 맞추어 원료를 준비하는 단계; 및 상기 원료를 이용하여 리본 형태의 박판 비정질 합금을 형성하는 단계를 포함한다.
이때, 리본 형태의 비정질 합금을 감아 롤(roll) 형태로 만드는 권취 단계를 포함하여 향후 롤투롤 공정 적용 및 운반과 보관이 용이하도록 할 수 있다.
그리고 면적이 작은 리본 형태의 비정질 합금을 비정질 재료간 혹은 이종 재료간 접합하여 대면적화하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 대면적화하는 단계는 열 가소 성형(thermo-plastic forming) 공정으로 리본 형태의 비정질 합금을 접합하여 수행될 수 있다.
다른 형태의 유연성 기판의 제조방법은 비정질 합금의 조성에 맞추어 원료를 준비하는 단계; 상기 원료를 이용하여 벌크형태의 비정질 합금 모재를 형성하는 단계; 상기 비정질 합금 모재를 박판으로 성형하는 단계를 포함한다.
벌크형태의 비정질 합금 모재를 기판에 적합하도록 박판화하는 방법은 열 가소 성형(thermo-plastic forming) 공정으로 수행되는 것이 바람직하다.
또한 상기한 방법으로 제조된 비정질 합금 유연성 기판의 표면을 평탄화하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 두께 증가 시에 취성을 나타내는 비정질 합금의 특성을 반영하여 비정질 합금 유연성 기판의 두께를 500㎛ 이하로 제조하는 것이 바람직하다.
나아가 상기 목적을 달성하기 위한 전자소자는 상기한 비정질 합금 유연성 기판을 사용하여 제조된 것을 특징으로 하며, 이러한 전자소자는 유연성 소자일 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 전자 소자용 유연성 기판은, 유연성 기판의 소재로서 상용합금 기지 비정질 합금 재질을 사용함으로써, 고분자 재질과 금속 재질의 단점은 해소하고 장점만을 갖는 고탄성(resilience) 유연성 기판을 제공할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 Zr 계 비정질 합금과 타 경량 합금의 경도와 비강도를 비교한 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 비정질 합금 유연기판과 기존 SUS 유연기판의 응력(Stress)-변형률(Strain) 곡선을 비교한 모식도이다.
도 3은 본 실시예에 따라 제조된 광폭 비정질 합금 기판의 굽힘 거동을 보여주는 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 Zr 계 비정질 합금 기판의 굽힘 피로시험을 통해 얻어진 변형률(Strain)-피로수명(Fatigue lifetime) 결과이다. 삽입된 그림은 기판 재료의 굽힘 피로시험시 피로응력을 받는 범위를 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 비정질 합금 기판의 열팽창계수와 인장탄성율(Tensile modulus)과의 상관관계를 플라스틱, 일반적인 결정질 금속재료, 인바(Invar) 및 석영(quartz)과 비교한 그림이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 Zr 계 비정질 합금 기판에 대한 DSC 분석 결과이다.
첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 비정질 합금 유연성 기판을 상세히 설명한다.
본 발명은 전자소자에 사용되는 고탄성 유연성 기판(flexible substrate with high resilience)으로서 대량 연속생산이 용이한 상용 합금계 비정질 합금 재질을 사용하는 것을 특징으로 한다.
비정질 합금은 일반적인 금속 또는 합금이 상온에서 결정구조, 즉 미세한 결정들의 집합체인 것에 비하여, 원자들이 규칙적인 배열을 하지 못하고 무질서하게 배열된 상태의 고체이다. 결국 비정질 금속이란 구조적인 면에서 액체상태의 원자 위치를 그대로 동결시킨 것이라 할 수 있으며, 보통 금속을 가열하여 액체 상태로 만든 후, 105~106 K/sec 이상의 빠른 냉각 속도로 급랭하여 고체화하는 방법으로 제조된다. 이러한 비정질 합금은 결정질 합금과는 다른 구조적 차이로 인해 같은 조성이라고 하더라도 물리적 성질에서 차이가 있으며, 본 발명의 발명자는 유연성 기판에서 요구되는 특성 중 기존 폴리머 기판과 결정질 금속기판의 장ㅇ단점을 바탕으로 상용 합금계 고탄성(resilience) 비정질 합금을 유연성 기판의 원료 물질로 사용하는 본 발명을 발명하게 되었다.
우선적으로 비정질 합금은 비정질을 형성할 수 있는 능력인 비정질 형성능을 높이기 위하여 2원계 이상의 다원계, 주로 3원계 이상의 다양한 원소를 사용한 합금 형태인 것이 일반적이며, 원자 분율(atomic percent) 기준으로 가장 다량으로 포함된 원소들을 기준으로 "Zr 계 비정질 합금(Zr-based metallic glass)"등과 같이 표현된다.
이러한 주원소와 구성원소에 따라 비정질 합금의 특성화 온도인 유리천이온도, 결정화온도, 용융온도 등이 바뀌게 되며, 특히 비정질의 특성을 유지하면서도 다양한 고온공정을 가능하도록 하는 최대 온도인 결정화 온도가 비정질 합금의 경우 고분자 유연기판에 비해 상대적으로 높기 때문에 기존 전자소자 제조공정의 개선이나 신 공정의 개발 없이도 전자소자를 용이하게 제조하는 것이 가능하도록 한다. 이러한, 유연성 기판소재로 사용되는 비정질 합금은 대량 연속생산에 적합한 상용합금 기지 고탄성(resilience) 비정질 합금 시스템으로 IIA 족 Mg 계와 Ca 계, IIIA 족 Al 계, 그리고 Transition Metal인 Ti 계, Zr 계, Hf 계, Fe계, Co계, Ni 계 그리고 Cu계 비정질 합금 중에서 선택된 하나의 재질일 수 있다.
본 발명에 따른 고탄성(resilience) 비정질 합금 유연성 기판의 특징을 설명하면 다음과 같다.
우선, 비정질 합금은 결정질 금속이 가지고 있는 결정립계 등의 결함영역이 없기 때문에 재료가 가지고 있는 이론 강도에 상대적으로 가까운 커다란 강도 값 (0.3 GPa~5 GPa)을 가지게 되며, 도 1에 나타낸 바와 같이 상대적으로 향상된 강도 특성으로 중금속인 Zr 계 합금도 비정질화시 Mg 계, Al 계, Ti 계의 다양한 경량 결정질 합금들에 비해 상대적으로 큰 비강도 (강도/밀도비) 값을 가지게 된다. 이렇듯 재료가 비강도 값이 크다는 것은 주어진 제품의 요구 하중 값을 더 얇은 두께로도 만족할 수 있다는 것을 의미하며 이는 플렉시블 기판소재로 적용하기에 더 적합한 소재 특성이다.
또한, 본 발명의 비정질 합금 유연성 기판은 도 2에 나타낸 바와 같이 기존 결정질 SUS 금속 기판의 0.5% 이하의 항복 변형률(yield strain) 보다 월등히 우수한 1.5% 이상의 항복변형률 값을 가져 고분자 재질 기판 수준의 변형이 가능하며, 탄성률(elastic modulus)이 30~250 GPa 범위로 기존 결정질 SUS 금속 기판의 약 250 GPa 보다 상대적으로 작은 값을 가진다. 상기 기계적 특성 값을 바탕으로 재료가 탄성변형시 흡수 또는 방출 가능한 에너지량인 탄성 (resilience, U=σy 2/2E) 값 계산을 통해 탄성변형 후 빠른 회복력을 비교하는 것이 가능하며, 도 2에서 얻어진 응력-변형률 (stress-strain) 곡선 아래 영역의 넓이차를 통해 알 수 있는 바와 같이, 확연히 본 발명의 비정질 합금의 경우가 기존 SUS 재질보다 큰 탄성 값을 가져 탄성변형 후 빠른 회복력을 가짐을 알 수 있다.
도 3은 본 발명의 비정질 합금 기판을 인위적으로 변형하였을 때의 형상 변화 및 표면 형상을 나타내는 것으로서, 앞서 상술한 바와 같이 고탄성(resilience) 특성으로 인하여, 큰 변형 시에도 탄성 영역을 유지하기 때문에 표면 결함 등이 발생하지 않아 기존의 미려한 표면 조건을 유지하는 것을 확인 수 있다.
이를 보다 구체적으로 확인하기 위해 본 발명의 지르코늄 계 비정질 기판 재질을 도 4에 첨부한 그림에 있는 것처럼 굽힘 피로 시험을 행한 결과, 모두 0.5% 이상의 변형율 피로 한계 값을 가져서 SUS 기판의 탄성한계 이상의 변형이 주기적으로 반복되는 경우에도 피로한계 이하의 변형으로 변형이 전혀 일어나지 않아 고탄성(resilience) 및 우수한 피로특성의 지속가능성을 가지는 것을 확인할 수 있다.
그리고 본 발명의 비정질 합금 유연성 기판은 도 5 에 나타낸 바와 같이 열팽창 계수(CTE)가 1~20ppm/℃ 범위로 상대적으로 작은 값을 가져서 기존 SUS 기판이나 폴리머 기판에 비해 우수한 전자소자 제조공정 안정성을 가져 제조과정의 수율 및 사용 환경에서 지속가능성이 높아지도록 할 수 있다.
나아가 본 발명의 비정질 합금 유연성 기판은 공정 가능 온도가 200℃ 이상이다. 공정 가능 온도는 유연성 기판을 이용하여 전자소자를 제조하는 과정에서 허용되는 온도 범위를 말하며, 본 발명의 유연성 기판은 전자소자 제조과정에서 사용되는 대부분의 공정을 추가적인 개선없이 적용할 수 있는 200℃ 이상의 공정 가능 온도를 갖는다. 비정질 합금의 공정 가능 온도 상한은 도 6에 나타낸 본 발명의 지르코늄 계 비정질 합금 기판의 시차열분석 곡선에서 나타나는 것과 같이, 가열시 열량 방출 개시 온도인 결정화 온도(Tx)에 의해서 결정되기 때문에 재료의 조성에 따라 다르며, 디바이스 제조 과정에서 높은 온도의 공정이 요구되는 경우에는 높은 결정화 온도를 갖는 비정질 합금 재료를 선택하여 기판으로 적용함으로써 문제를 해결할 수 있다.
이상에서 살펴본 것과 같이, 본 발명의 고탄성(resilience) 비정질 합금 유연성 기판은 기존 소재들의 단점은 해결하고, 장점은 모두 갖추고 있는 뛰어난 효과를 나타낸다. 이를 정리하여 간단히 표로 나타내면 다음과 같다.
Plastic SUS 비정질 합금
강도 <0.1 GPa ~0.3 GPa 0.3~5 GPa
두께 수십㎛~수㎜ ~수십㎛ 수㎛~수백㎛
Yield strain 2% < < 0.5% 1.5% <
Elastic Modulus 2~4GPa ~250GPa 30~250GPa
CTE ~25ppm/℃ ~20ppm/℃ 1~20ppm/℃
공정 온도 100~300℃ ~1000℃ 200~800 ℃
이하에서는 본 발명의 비정질 합금 유연성 기판을 제조하는 방법을 설명한다.
본 발명의 비정질 합금 유연성 기판을 제조하는 방법은 비정질 합금을 제조하는 모든 방법들이 제한없이 적용될 수 있으며, 예를 들어 멜트스피닝법(melt-spinning), 사출주조법(injection casting), thermal plastic forming, 물 급랭법(water quenching method), 고압주조법(high pressure die casting), 구리 몰드 캐스팅(copper mold casting), 캡 캐스팅(cap-casting), 석션 캐스팅(suction-casting), 스퀴즈 캐스팅(squeeze-casting), 아크 멜팅법(arc-melting method), 존 멜팅법(zone melting method), (싱글 또는 트윈) 롤 캐스팅((single or twin) roll casting) 및 기계적 합금화법(mechanical alloying) 등의 방법을 적용할 수 있다.
다만, 비정질 합금을 제조하는 방법은 크게 리본 형태의 비정질 합금을 제조하는 방법과 벌크 형태의 비정질 합금을 제조하는 방법으로 구분할 수 있으며, 비정질 합금을 리본 형태로 제조한 경우에는 제조된 비정질 합금의 두께가 얇지만 벌크 형태로 제조된 경우에는 비정질 합금을 얇은 박판 형태로 성형해야 한다. 이와 같은 방법으로 제조된 비정질 합금 유연성 기판은 전자소자를 지지하기 위한 최소 두께 조건인 1㎛ 이상과 두께에 의한 연성-취성 천이현상(Ductile-Brittle transition)을 피하기 위한 500㎛ 이하의 두께로 제조되는 것이 바람직하다.
리본 형태로 제조된 비정질 합금은 향후 롤투롤 공정 적용 및 운반과 보관이 용이하도록 권취하는 공정을 포함할 수 있으며, 제조된 리본의 면적이 좁을 경우 비정질 합금재들의 측면을 접합하거나 이종재료와 접합하여 대면적화하는 공정을 수행한다.
벌크 형태의 비정질 합금재를 박판 형태로 성형하는 방법과 리본 형태의 비정질 합금재를 대면적화하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 가능한 모든 방법이 적용될 수 있으며, 대표적인 방법으로는 비정질 합금의 특성화 온도 구간인 과냉각액체영역을 활용한 열 가소 성형(thermo-plastic forming) 공정을 적용할 수 있다.
열 가소 성형은 유리화천이온도 이상 결정화온도 이하의 과냉각액체 온도영역에서 짧은 시간동안 예열을 가한 뒤에 가압하는 방법으로 재료의 비정질 상태를 유지하면서 외관을 성형 가공하는 방법이며, 벌크 형태의 비정질 합금재를 압착하여 박판 형태로 성형할 수 있다.
또한, 리본 형태의 비정질 합금재의 측면 일부 혹은 이종재료를 겹쳐 배치한 상태에서 압력을 가함으로써 리본 형태의 비정질 합금재를 접합하여 대면적화 할 수도 있다.
한편, 이상의 방법으로 제조된 비정질 합금 유연성 기판은 도 3에서 나타낸 것처럼 종래의 금속 재질의 유연성 기판에 비하여 표면이 매끄럽지만, 더욱 매끄러운 표면이 필요한 경우라면 표면을 평탄화하는 공정을 수행할 수 있다.
마지막으로 본 발명의 전자소자는 상기한 비정질 합금 유연성 기판을 사용하여 제조된 것을 특징으로 한다.
이러한 전자소자는 특별히 제한되지 않고, 가능한 모든 전자소자에 적용될 수 있다. 구체적으로 조명소자, 디스플레이소자, 박막 트랜지스터, 마이크로프로세서 또는 태양전지 등일 수 있으며, 특히 전자소자 자체가 휘어질 수 있는 유연성 전자소자에 적합하다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 통하여 설명하였는데, 상술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화가 가능함은 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 보호범위는 특정 실시예가 아니라 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술적 사상도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 전자소자에 사용되는 유연성 기판으로서,
    상기 기판의 재질이 비정질 합금 재질인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 비정질 합금이 IIA 족인 Mg 계와 Ca 계, IIIA 족인 Al 계, 그리고 전이 금속인 Ti 계, Zr 계, Hf 계, Fe계, Co계, Ni 계 및 Cu계 비정질 합금 중에서 선택된 하나의 재질인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은, 강도가 0.3~5GPa 범위이고, 탄성률(elastic modulus)이 30~250 GPa 범위이며, 항복 변형률(yield strain)이 1.5% 이상인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 기판은,
    탄성력(resilience) 값이 1.5 MJ/m3 이상인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 비정질 합금이 결정화 온도가 200℃ 이상인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 두께가 1~500㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 열팽창 계수(CTE)가 1~20ppm/℃ 범위인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 굽힘 피로 변형률 한계가 0.5% 이상인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판.
  9. 고탄성(resilience) 유연성 기판의 제조방법으로서,
    고탄성 비정질 합금의 조성에 맞추어 원료를 준비하는 단계; 및
    상기 원료를 이용하여 리본 형태의 비정질 합금을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 리본 형태의 비정질 합금을 권취하는 권취 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 리본 형태의 비정질 합금을 접합하여 대면적화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 대면적화하는 단계가 열 가소 성형(thermo-plastic forming) 공정으로 리본 형태의 비정질 합금 간 혹은 이종재료와 접합하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  13. 전자소자에 사용되는 유연성 기판의 제조방법으로서,
    고탄성 비정질 합금의 조성에 맞추어 원료를 준비하는 단계;
    상기 원료를 이용하여 벌크형태의 비정질 합금 모재를 형성하는 단계;
    상기 비정질 합금 모재를 박판으로 성형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 성형하는 단계가 열 가소 성형(thermo-plastic forming) 공정으로 수행 되는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  15. 청구항 9 내지 청구항 14 중에 한 항에 있어서,
    상기 기판의 표면을 평탄화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  16. 청구항 9 내지 청구항 14 중에 한 항에 있어서,
    상기 기판의 두께가 1~500㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 고탄성 비정질 합금 유연성 기판의 제조방법.
  17. 청구항 1 내지 청구항 8 중에 하나의 비정질 합금 유연성 기판을 사용하여 제조된 것을 특징으로 하는 전자소자.
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