KR20080023922A - 전자 방출 디스플레이 - Google Patents

Abstract

본 발명은 진공 용기 내부의 아킹을 억제할 수 있는 전자 방출 디스플레이에 관한 것이다. 본 발명의 전자 방출 디스플레이는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 위에 배치되는 전자 방출 유닛, 제2 기판의 일면에 위치하는 발광 유닛, 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판과 제2 기판을 접합시키는 밀봉 부재, 발광 유닛으로부터 제2 기판의 일측 가장자리로 인출되어 밀봉 부재의 내측과 외측에 걸쳐 위치하는 애노드 리드선을 포함하며, 애노드 리드선은 적어도 2개의 리드부로 분할 구성되고, 이 리드부들은 인덕터에 의해 전기적으로 연결된다.

진공용기, 기판, 전자방출유닛, 발광유닛, 밀봉부재, 애노드리드선, 인덕터

Description

전자 방출 디스플레이 {ELECTRON EMISSION DISPLAY}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이를 개략적으로 도시한 부분 단면도이다.

도 2는 도 1에 도시한 전자 방출 디스플레이 중 제2 기판의 부분 평면도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이를 개략적으로 도시한 부분 단면도이다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 디스플레이의 부분 분해 사시도이다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 디스플레이의 부분 단면도이다.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 디스플레이의 부분 단면도이다.

본 발명은 전자 방출 디스플레이에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용 기 내부의 아킹을 억제할 수 있는 전자 방출 디스플레이에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emission Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

상기 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 세부적인 구조와 전자 방출 원리가 상이하지만, 기본적으로 전자 방출부와 전자 방출부의 전자 방출량을 제어하는 구동 전극을 구비하여 전자 방출부로부터 전자들을 방출시킨다.

통상적으로 전자 방출 디스플레이는 제1 기판 위에 상기한 전자 방출 소자의 어레이를 갖는 전자 방출 유닛을 형성하고, 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛을 상기 제1 기판을 향한 제2 기판의 일면에 배치하여 구성된다.

상기 전자 방출 디스플레이에서 서로 대향하는 제1 기판과 제2 기판은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합된 후 내부가 배기되어 진공 용기를 구성한다.

전술한 구성의 전자 방출 디스플레이에서 애노드 전극은 밀봉 부재의 내측과 외측에 걸쳐 형성되는 애노드 리드선을 통해 외부의 구동 회로부와 연결되어 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받는다.

그런데 애노드 리드선은 구동 회로부에서 제공되는 고전압을 그대로 애노드 전극에 전달하므로, 구동 회로부에서 순간적인 대전류가 공급될 경우, 이 순간적인 대전류를 애노드 전극에 전달하여 아킹(arcing)을 발생시킨다. 그에 따라 종래의 전자 방출 디스플레이는 애노드 전극과 형광층들이 손상되어 디스플레이의 수명이 단축되고, 구동이 불안정해지는 문제가 있어왔다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공 용기 내부의 아킹을 억제하여 내부 구조물의 손상을 억제하고, 보다 안정적인 구동 환경을 제공할 수 있는 전자 방출 디스플레이를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 위에 배치되는 전자 방출 유닛, 제2 기판의 일면에 위치하는 발광 유닛, 제1 기판과 제2 기판의 가장자리에 배치되어 제1 기판과 제2 기판을 접합시키는 밀봉 부재, 발광 유닛으로부터 제2 기판의 일측 가장자리로 인출되어 밀봉 부재의 내측과 외측에 걸쳐 위치하는 애노드 리드선을 포함하며, 애노드 리드선이 적어도 2개의 리드부로 분할 구성되고, 이 리드부들이 인덕터에 의해 전기적으로 연결되는 전자 방출 디스플레이를 제공한다.

상기 애노드 리드선은 애노드 전극과 연결되는 제1 리드부와, 구동 회로부와 연결되는 제2 리드부로 분할될 수 있고, 이때 인덕터는 애노드 전극 및 구동 회로부와 직렬로 연결될 수 있다.

상기 인덕터는 박막 인덕터로 형성될 수 있으며, 스파이럴형 또는 솔레노이 드형 인턱터로 이루어질 수 있다.

또한, 애노드 리드선은 제1 리드부, 제2 리드부, 제3 리드부를 포함할 수 있으며, 제1 리드부와 제2 리드부는 인덕터에 의해 전기적으로 연결되고, 제2 리드부와 제3 리드부는 저항층에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.

이때 제1 리드부는 애노드 전극과 연결되고, 제3 리드부는 구동 회로부와 연결되며, 인덕터와 저항층은 제2 리드부에 의해 직렬로 연결될 수 있다.

상기 밀봉 부재는 리드부들 중 어느 한 리드부를 가로지르며 형성될 수 있다.

상기 전자 방출 유닛은 전계 방출 어레이형, 표면 전도 에미션형, 금속-절연층-금속형 및 금속-절연층-반도체형 전자 방출 소자 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이의 부분 단면도와 부분 평면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 디스플레이는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(6)가 배치되어 두 기판을 접합시키게 되는 바, 이 로 인해 제1 기판(2)과 제2 기판(4)은 내부 공간을 갖는 용기를 구성하게 된다. 이 용기는 그 내부 공간을 대략 10^-6 Torr의 진공도로 배기시키게 되므로 진공 용기로서 구성된다.

상기에서 제2 기판(4)을 대향하는 제1 기판(2)의 일면에는 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 소자들을 포함하는 전자 방출 유닛(100)이 제공되고, 제1 기판(2)을 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 발광 유닛(110)이 제공된다.

전자 방출 유닛(100)은 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속 절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 중 어느 하나의 전자 방출 소자들로 이루어지며, 전자 방출부와 구동 전극들을 구비하여 화소 단위로 제2 기판(4)을 향해 임의의 전자들을 방출시킨다.

다음으로 발광 유닛(110)은 형광층, 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들과, 이 형광층들을 고전위 상태로 유지시키는 애노드 전극을 구비한다. 형광층은 해당 화소에서 방출된 전자들에 의해 여기되어 전자 방출량에 상응하는 세기의 가시광을 방출시킨다.

밀봉 부재(6)는 그 전체가 프릿 바(frit bar)로 이루어지거나, 서포트 프레임과 접착층의 적층 구조로 이루어질 수 있다.

그리고 애노드 리드선(8)은 밀봉 부재(6)의 내측과 외측에 걸쳐 발광 유닛(110)으로부터 제2 기판(4)의 일측 가장자리로 인출되고, 외부의 구동 회로부(50)와 연결되어 애노드 전극으로 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가한다.

애노드 리드선(8)은 제2 기판(4)의 일측 단변에 한 쌍으로 구비될 수 있으며, 통상 수백 내지 수천 볼트의 직류 전압이 인가되므로 내부 저항을 줄일 수 있도록 비교적 큰 폭으로 형성된다. 애노드 리드선(8)은 전기 전도도가 우수한 금속층, 일례로 크롬(Cr)층으로 이루어질 수 있다.

애노드 리드선(8)은 적어도 2개의 리드부로 분할 구성되며, 이 리드부들은 리드부들 사이에 위치하는 인덕터(10)에 의해 전기적으로 연결된다.

본 실시예의 애노드 리드선(8)은 제1 리드부(81)와 제2 리드부(82)를 포함한다. 제1 리드부(81)는 발광 유닛(110)과 인덕터(10)를 전기적으로 연결시키고, 제2 리드부(82)는 인덕터(10)와 구동 회로부(50)를 전기적으로 연결시킨다.

인덕터(10)는 제1 리드부(81)와 제2 리드부(82) 사이에서 발광 유닛(110)과 구동 회로부(50)에 직렬로 연결되며, 애노드 리드선(8)을 통과하는 전류의 변화를 제어하여 발광 유닛(110)에 과도한 전류가 인가되는 것을 억제한다.

인덕터(10)는 박막 인덕터, 일례로 스파이럴형이나 솔레노이드형 인덕터로 형성될 수 있다.

한편, 밀봉 부재(6)는 제1 리드부(81) 또는 제2 리드부(82)를 가로지르며 형성될 수 있다. 도면에서는 밀봉 부재(6)가 제1 리드부(81)와 교차하며 형성되는 것을 도시하였다.

이와 같이 본 실시예의 애노드 리드선(81)은 발광 유닛(110)에 순간적인 대전류가 인입되는 것을 억제하여 이에 따른 아킹 발생을 최소화함으로써 발광 유닛(110)의 손상을 방지하고, 전자 방출 디스플레이의 구동 안정성을 높이는 효과가 있다.

다음으로 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 디스플레이의 부분 단면도이다.

본 실시예에서는 연속적인 대전류의 흐름을 제어하기 위하여 인덕터(10’)와 구동 회로부(50’) 사이에 인덕터(10’)와 전기적으로 연결되는 저항층(12)를 더욱 형성한다.

본 실시예의 애노드 리드선(8’)은 제1 리드부(81’)와 제2 리드부(82’) 및 제3 리드부(83’)를 포함한다. 제1 리드부(81’)는 발광 유닛(110’)과 인덕터(10’)를 전기적으로 연결시키고, 제2 리드부(82’)는 인덕터(10’)와 저항층(12)을 전기적으로 연결시키며, 제3 리드부(83’)는 저항층(12)과 구동 회로부(50’)를 전기적으로 연결시킨다.

저항층(12)은 인덕터(10’)와 직렬로 연결되며, 구동 회로부(50’)로부터 연속적인 대전류가 인가될 때, 전압 강하를 유발하여 순간적으로 애노드 전압을 낮춤으로써 아킹 발생을 억제한다.

한편, 밀봉 부재(6’)는 제1 리드부(81’)와 제2 리드부(82’) 및 제3 리드부(83’) 중 어느 한 리드부를 가로지르며 위치할 수 있다. 도면에서는 제1 리드부(81’)와 교차하며 형성되는 것을 도시하였다.

또한 도시하지는 않았지만, 인덕터와 저항층은 그 사이에 리드부를 위치시키지 않고 직접 연결될 수 있다. 이 경우 애노드 리드선은 두 개의 리드부를 형성하게 된다.

이와 같이 본 실시예에 따른 애노드 리드선(8’)은 순간적인 대전류 제어뿐만 아니라 연속적인 대전류 제어에도 용이한 장점이 있으며, 그에 따라 아킹 발생을 억제하는 효과가 있다.

상기한 구성의 전자 방출 디스플레이는 전자 방출 소자의 종류에 따라 전계 방출 어레이(FEA)형, 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 중 어느 한가지 형으로 이루어진다.

도 4와 도 5를 참고하여 전술한 조건의 애노드 리드선을 구비한 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 디스플레이에 대해 설명하고, 도 6을 참고하여 전술한 조건의 애노드 리드선을 구비한 표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 디스플레이에 대해 설명한다.

도 4와 도 5를 참고하면, 전계 방출 어레이형 전자 방출 디스플레이에서 전자 방출 유닛(101)은 제1 절연층(14)을 사이에 두고 서로 직교하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들(16) 및 게이트 전극들(18)과, 캐소드 전극(16)에 형성되는 전자 방출부들(20)을 포함한다.

본 실시예에서 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극들(16) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(20)가 형성된다. 제1 절연층(14)과 게이트 전극(18)에는 전자 방출부(20)에 대응하는 개구부(141,181)가 형성되어 제1 기판(21) 상에 전자 방출부(20)가 노출되도록 한다.

도 4에서는 하나의 화소 영역에 대해 복수의 전자 방출부(20)가 일렬로 배열 되며, 제1 절연층(14)의 개구부(141) 및 게이트 전극(18)의 개구부(181)가 이에 대응하여 형성되는 것을 도시하였다.

전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 훌러렌(fullerene(C₆₀)), 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다.

다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.

그리고 게이트 전극들(18)과 제1 절연층(14) 위로 제3 전극인 집속 전극(22)이 형성된다. 집속 전극(22) 하부에는 제2 절연층(24)이 위치하여 게이트 전극(18)과 집속 전극(22)을 절연시키며, 집속 전극(22)과 제2 절연층(24)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(221,241)가 마련된다.

집속 전극(22)은 전자 방출부(20)마다 이에 대응하는 개구부를 형성하여 각 전자 방출부(20)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속하거나, 화소 영역마다 하나의 개구부를 형성하여 하나의 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다. 도 4에서는 두 번째 경우를 도시하였다.

다음으로 상기한 발광 유닛(111)에 대해 설명하면, 제2 기판(41)의 일면에는 형광층(26), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(26R,26G,26B)이 서로간에 임 의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(26) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(28)이 형성된다. 본 실시예에서 형광층(26)은 하나의 화소 영역에 한 가지 색의 형광층(26R,26G,26B)이 대응하도록 배치된다.

그리고 형광층(26)과 흑색층(28) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(30)이 형성된다. 애노드 전극(30)은 진공 용기의 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(26)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(26)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(21)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(41) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.

한편 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(41)을 향한 형광층(26)과 흑색층(28)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 금속막과 투명 도전막을 동시에 형성하는 구조도 가능하다.

그리고 제1 기판(21)과 제2 기판(41) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력에 대항하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(32;도 5 참고)이 배치된다. 스페이서들(32)은 형광층(26)을 침범하지 않도록 흑색층(28)에 대응하여 위치한다.

그리고 발광 유닛(111)의 일측 가장자리로는 전술한 조건의 애노드 리드선(8)이 형성된다. 애노드 리드선(8)의 구성은 전술한 구성과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

전술한 구성의 전계 방출 어레이형 전자 방출 디스플레이는 외부로부터 캐소 드 전극들(16), 게이트 전극들(18), 집속 전극(22) 및 애노드 전극(30)에 소정의 전압이 공급되는 것으로 구동될 수 있다.

일례로 캐소드 전극들(16)과 게이트 전극들(18) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다.

그리고 집속 전극(22)은 전자빔의 집속에 필요한 전압, 일례로 0 볼트(V) 또는 수 내지 수십 볼트(V)의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(30)은 전자빔의 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트(V)의 양의 직류 전압을 인가받는다.

그러면 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(18)의 전압 차가 임계치 이상인 화소 영역들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(22)의 개구부(221)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(30)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 화소 영역의 형광층(26)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

도 6을 참고하면, 표면 전도 에미션(SCE)형 전자 방출 디스플레이에서 전자 방출 유닛(101’)은 제1 기판(21’) 위에 서로 이격되어 위치하는 제1 전극들(34) 및 제2 전극들(36)과, 제1 전극(34)과 제2 전극(36) 위에 각각 형성되며 서로 근접하여 위치하는 제1 도전 박막들(38) 및 제2 도전 박막들(40)과, 제1 도전 박막(38)과 제2 도전 박막(40) 사이에 형성되는 전자 방출부들(42)을 포함한다.

상기 제1 전극(34)과 제2 전극(36)은 도전성을 갖는 다양한 재료가 사용 가 능하며, 제1 도전 박막(38)과 제2 도전 박막(40)은 니켈(Ni), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd) 등의 도전성 재료를 이용한 미립자 박막으로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(42)는 제1 도전 박막(38)과 제2 도전 박막(40) 사이에 제공된 미세 균열로 이루어지거나, 흑연형 탄소 또는 탄소 화합물 등으로 이루어질 수 있다.

다음으로, 발광 유닛(111’)은 형광층들(26)과 흑색층(28) 및 애노드 전극(30)을 포함한다. 발광 유닛(111’)의 구성은 전술한 전계 방출 어레이형 전자 방출 디스플레이의 발광 유닛 구성과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

그리고 발광 유닛(111’)의 일측 가장자리로는 전술한 조건의 애노드 리드선(8)이 형성된다. 애노드 리드선(8)의 구성은 전술한 일 실시예의 구성과 동일하므로 자세한 설명은 생략한다.

전술한 구조에서, 제1 전극들(34)과 제2 전극들(36)에 각각 전압을 인가하면, 제1 도전 박막(38)과 제2 도전 박막(40)을 통해 전자 방출부(42)의 표면과 수평한 방향으로 전류가 흐르면서 표면 전도형 전자 방출이 이루어지고, 방출된 전자들은 애노드 전극(12)에 인가된 고전압에 이끌려 제2 기판(41’)으로 향하면서 대응하는 형광층(26)에 충돌하여 이를 발광시킨다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 디스플레이는 애노드 리드선과 인덕터를 전기적으로 연결하여 순간적인 대전류 인입에 의한 아킹 발생을 억제한다. 따라서 본 발명의 전자 방출 디스플레이는 아킹에 의한 애노드 전극과 형광층의 손상을 억제하고, 구동 안정성을 높이는 효과가 있다.

Claims (8)

1. 제1 기판 및 제2 기판;

   상기 제1 기판 위에 배치되는 전자 방출 유닛;

   상기 제2 기판의 일면에 위치하는 발광 유닛;

   상기 제1 기판과 상기 제2 기판의 가장자리에 배치되어 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 접합시키는 밀봉 부재; 및

   상기 발광 유닛으로부터 상기 제2 기판의 일측 가장자리로 인출되어 상기 밀봉 부재의 내측과 외측에 걸쳐 위치하는 애노드 리드선

   을 포함하며, 상기 애노드 리드선이 적어도 2개의 리드부로 분할 구성되고, 이 리드부들이 인덕터에 의해 전기적으로 연결되는 전자 방출 디스플레이.
2. 제1항에 있어서,

   상기 애노드 리드선이 상기 애노드 전극과 연결되는 제1 리드부와, 구동 회로부와 연결되는 제2 리드부로 분할되고, 상기 인덕터가 상기 애노드 전극 및 상기 구동 회로부와 직렬로 연결되는 전자 방출 디스플레이.
3. 제1항에 있어서,

   상기 인덕터가 박막 인덕터인 전자 방출 디스플레이.
4. 제3항에 있어서,

   상기 인덕터가 스파이럴형 또는 솔레노이드형 인덕터인 전자 방출 디스플레이.
5. 제1항에 있어서,

   상기 애노드 리드선이 제1 리드부, 제2 리드부, 제3 리드부를 포함하고,

   상기 제1 리드부와 상기 제2 리드부는 상기 인덕터에 의해 전기적으로 연결되고, 상기 제2 리드부와 상기 제3 리드부는 저항층에 의해 전기적으로 연결되는 전자 방출 디스플레이.
6. 제5항에 있어서,

   상기 제1 리드부가 상기 애노드 전극과 연결되고, 상기 제3 리드부가 상기 구동 회로부와 연결되며, 상기 인덕터와 상기 저항층이 상기 제2 리드부에 의해 직렬로 연결되는 전자 방출 디스플레이.
7. 제1항에 있어서,

   상기 밀봉 부재가 상기 리드부들 중 어느 한 리드부를 가로지르며 형성되는 전자 방출 디스플레이.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 전자 방출 유닛이 전계 방출 어레이형, 표면 전도 에미션형, 금속-절연층-금속형 및 금속-절연층-반도체형 전자 방출 소자 중 어느 하나인 전자 방출 디스플레이.

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