KR20070056611A - 전자 방출 표시 디바이스 - Google Patents

전자 방출 표시 디바이스 Download PDF

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KR20070056611A
KR20070056611A KR1020050115513A KR20050115513A KR20070056611A KR 20070056611 A KR20070056611 A KR 20070056611A KR 1020050115513 A KR1020050115513 A KR 1020050115513A KR 20050115513 A KR20050115513 A KR 20050115513A KR 20070056611 A KR20070056611 A KR 20070056611A
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Abstract

본 발명은 스페이서 대전에 의한 전자빔 경로 왜곡을 보정할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되어 전자 방출부들의 전자 방출량을 제어하는 구동 전극들과, 구동 전극들과 절연을 유지하며 구동 전극들 상부에 위치하고 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 집속 전극과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들과, 제1 기판과 제2 기판 사이에서 이 기판들의 일 방향과 나란하게 배치되는 스페이서들을 포함한다. 이때 집속 전극은 기판들의 일 방향을 따라 위치하는 개구부들 어레이를 사이에 두고 스페이서와 마주하는 영역에 개구 영역을 형성하며, 개구 영역 내측에 편향 전극이 집속 전극과 이격되어 위치한다.
진공용기, 스페이서, 캐소드전극, 게이트전극, 전자방출부, 집속전극, 편향전극

Description

전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}
도 1과 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 전자 방출 디바이스의 부분 평면도이다.
도 4는 종래 기술에 의한 전자 방출 표시 디바이스의 작용 중 상태를 설명하기 위해 도시한 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 작용 중 상태를 설명하기 위해 도시한 부분 단면도이다.
도 6은 종래 기술에 의한 전자 방출 표시 디바이스의 작용 중 상태를 설명하기 위해 도시한 부분 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 작용 중 상태를 설명하기 위해 도시한 부분 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 평면도이다.
본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 진공 용기 내부에 설치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하는 스페이서들을 구비한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.
전자 방출 소자는 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 제2 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.
상기 전자 방출 표시 디바이스에서 제1 기판과 제2 기판은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합된 다음 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성한다. 진공 용기는 내부와 외부의 압력 차이에 의해 강한 압축력을 인가받으며, 이 압축력은 화면 사이즈에 비례하여 커진다.
따라서 제1 기판과 제2 기판 사이에 다수의 스페이서를 설치하여 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 기술이 개발되어 사용되고 있다. 이때 스페이서는 형광층을 침범하지 않도록 흑색층에 대응하여 위치한다.
그런데 통상의 전자 방출 표시 디바이스는 제1 기판의 전자 방출부에서 방출된 전자들이 제2 기판을 향할 때 소정의 발산각을 가지고 퍼지며 진행하는 경향이 있다. 이러한 전자빔 퍼짐으로 인해 스페이서 표면에 전자가 충돌하게 되고, 전자가 충돌한 스페이서는 재료 특성(유전상수, 2차전자 방출계수 등)에 따라 그 표면이 양 또는 음의 전위로 대전된다.
대전된 스페이서는 스페이서 주위를 진행하는 전자빔 경로를 왜곡시키므로 제2 기판에 도달하는 전자빔 스폿은 스페이서를 향해 끌리거나 스페이서로부터 밀려나게 된다. 그 결과 스페이서와 이웃한 단위 화소와 그렇지 않은 단위 화소 사이에 발광 균일도가 저하되고, 화면에 스페이서 자리가 보이는 표시 불량 문제가 발생한다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 스페이서 대전에 의한 전자빔 경로 왜곡을 보정하여 발광 균일도를 높이고, 화면에 스페이서 자리가 보이는 것을 방지할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되어 전자 방출부들의 전자 방출량을 제어하는 구동 전극들과, 구동 전극들과 절연을 유지하며 구동 전극들 상부에 위치하고 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 집속 전극과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들과, 제1 기판과 제2 기판 사이에서 이 기판들의 일 방향과 나란하게 배치되는 스페이서들을 포함하며, 집속 전극이 상기 기판들의 일 방향을 따라 위치하는 개구부들 어레이를 사이에 두고 스페이서와 마주하는 영역에 개구 영역을 형성하고, 개구 영역 내측에 집속 전극과 이격된 편향 전극이 위치하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.
상기 개구 영역과 편향 전극은 각각의 스페이서마다 스페이서의 양측에 한 쌍으로 배치된다.
상기 스페이서는 긴 막대 형상으로 이루어져 상기 기판들의 일 방향을 따라 집속 전극 전체를 가로지르며 위치할 수 있다. 이 경우 상기 개구 영역과 편향 전극은 일정한 폭을 가지면서 스페이서와 나란하게 위치할 수 있다.
다른 한편으로, 상기 스페이서는 짧은 막대 형상으로 이루어져 상기 기판들의 일 방향을 따라 서로가 임의의 거리를 두고 위치할 수 있다. 이 경우 개구 영역은 각 스페이서마다 이 스페이서의 양측에 배치되는 주 개구 영역과, 주 개구 영역보다 작은 폭을 가지면서 주 개구 영역들을 연결하는 보조 개구 영역으로 이루어질 수 있다. 그리고 편향 전극은 주 개구 영역에 위치하는 편향부와, 보조 개구 영역에 위치하며 편향부보다 작은 폭을 가지면서 편향부들을 연결하는 연결부로 이루어 질 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1과 도 2는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시한 전자 방출 디바이스의 부분 평면도로서, 일례로 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스를 도시하였다.
도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(12)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.
상기 제1 기판(10) 중 제2 기판(12)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(10)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(12) 및 제2 기판(12)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.
먼저, 제1 기판(10) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(14)이 제1 기판(10)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(14)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 제1 절연층(16)이 형성된다. 제1 절연층(16) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(18)이 캐소드 전극(14)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.
상기 캐소드 전극들(14)과 게이트 전극들(18)의 교차 영역이 하나의 단위 화소(sub-pixel)를 이루며, 캐소드 전극들(14) 위로 각 단위 화소마다 전자 방출부들(20)이 형성된다. 그리고 제1 절연층(16)과 게이트 전극들(18)에는 각 전자 방출부(20)에 대응하는 개구부(161,181)가 형성되어 제1 기판(10) 상에 전자 방출부(20)가 노출되도록 한다.
전자 방출부(20)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(20)는 탄소 나노튜브(CNT), 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본(DLC), C60, 실리콘 나노와이어 및 이들의 조합 물질을 포함할 수 있다. 다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.
도면에서는 원형의 전자 방출부들(20)이 캐소드 전극(14)의 길이 방향을 따라 일렬로 위치하는 구성을 도시하였으나, 전자 방출부(20)의 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
또한, 상기에서는 게이트 전극들(18)이 제1 절연층(16)을 사이에 두고 캐소드 전극들(14) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 구조도 가능하다. 이 경우 전자 방출부는 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다.
그리고 게이트 전극들(18)과 제1 절연층(16) 위로 제3 전극인 집속 전극(22)이 형성된다. 집속 전극(22) 하부에는 제2 절연층(24)이 위치하여 게이트 전극들(18)과 집속 전극(22)을 절연시키며, 집속 전극(22)과 제2 절연층(24)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(221,241)가 형성된다. 이 개구부(221,241)는 각 전자 방출부(20)마다 하나씩 형성되거나 단위 화소마다 하나씩 형성될 수 있으며, 도면에서는 두 번째 경우를 도시하였다.
다음으로, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(12)의 일면에는 형광층(26), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(26R,26G,26B)이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(26) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(28)이 형성된다. 형광층(26)은 제1 기판(10)에 설정되는 단위 화소에 한가지 색의 형광층(26R,26G,26B)이 대응하도록 배치된다.
그리고 형광층(26)과 흑색층(28) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(30)이 형성된다. 애노드 전극(30)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(26)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(26)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.
한편 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있으며, 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(12)을 향한 형광층(26)과 흑색층(28)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막을 동시에 형성하는 구조도 가능하다.
그리고 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(32)이 배치된다. 본 실시예에서 스페이서(32)는 긴 막대 형상으로 이루어지며, 형광층(26)을 침범하지 않도록 흑색층(28)에 대응하여 위치한다.
상기 스페이서(32)는 집속 전극(22) 위에서 제1 기판(10)의 일 방향, 일례로 게이트 전극(18)의 길이 방향(도면의 x축 방향)을 따라 전자 방출 디바이스(100)를 가로지르며 위치하고, 캐소드 전극(14)의 길이 방향(도면의 y축 방향)을 따라 서로가 임의의 거리를 두고 복수개로 배치된다. 스페이서(32)는 유리, 세라믹 또는 강화유리 등으로 제작되며, 그 표면에 하나 또는 그 이상의 기능성 코팅층이 위치할 수 있다.
또한 본 실시예에서 집속 전극(22)은 하나의 집속 전극 개구부들(221) 어레이를 사이에 두고 스페이서(32)와 마주하는 영역에 제2 절연층(24) 표면을 노출시키는 개구 영역(222)을 형성한다. 이 개구 영역(222) 내측에는 편향 전극(34)이 집속 전극(22)과 일정한 거리를 두고 위치한다. 도 3에서 Vf는 집속 전극(22)에 인가되는 집속 전압을 나타내고, Vp는 편향 전극(34)에 인가되는 편향 전압을 나타낸다.
집속 전극(22)의 개구 영역(222)은 단위 화소들 사이 영역에 대응하며, 개구 영역(222)과 편향 전극(34)은 일정한 폭을 가지면서 스페이서(32)의 길이 방향(도면의 x축 방향)을 따라 이와 나란하게 위치한다. 이때 도시는 생략하였으나 제2 절 연층(24)은 집속 전극(22)과 편향 전극(34) 사이 부위에 추가 개구부를 형성하여 제1 절연층(16)과 게이트 전극들(18)이 노출되도록 할 수 있다.
이로써 스페이서(32)를 사이에 두고 한 쌍의 편향 전극(34)이 스페이서(32)의 양측에 대칭으로 위치하며, 각각의 편향 전극(34)은 외부의 구동 회로부(도시하지 않음)와 전기적으로 연결되어 이로부터 전자빔 편향에 필요한 전압을 인가받는다. 편향 전극(34)은 스페이서(32) 대전으로 인한 전자빔 왜곡을 보정하는 역할을 한다.
전술한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(14), 게이트 전극들(18), 집속 전극(22), 편향 전극(34) 및 애노드 전극(30)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.
일례로 캐소드 전극들(14)과 게이트 전극들(18) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(22)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(30)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.
그러면 캐소드 전극(14)과 게이트 전극(18)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(20) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(22)의 개구부(221)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(30)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(26)에 충돌 함으로써 이를 발광시킨다.
전술한 구동 과정에서 집속 전극(22)의 집속 작용에도 불구하고 전자빔 다발의 주변부로 발산하는 전자들이 존재하며, 이 전자들의 일부가 스페이서(32) 표면에 충돌하여 스페이서(32) 표면을 대전시킨다. 이때 스페이서(32) 표면이 양의 전위로 대전되는 경우, 편향 전극(34)은 스페이서(32)를 향해 끌리는 전자들을 수직하게 편향시킬 수 있도록 양의 전압을 인가받는다.
도 4는 편향 전극을 구비하지 않은 비교예의 전자 방출 표시 디바이스를 도시한 부분 단면도이고, 도 5는 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스를 도시한 부분 단면도이다.
먼저 도 4를 참고하면, 비교예의 전자 방출 표시 디바이스에서는 스페이서(32') 표면이 양의 전위로 대전될 때 스페이서(32')와 이웃한 단위 화소들에서 방출된 전자들이 스페이서(32')를 향해 끌려가는 전자빔 왜곡이 발생한다. 이로써 스페이서(32') 주위로 형광층(26)이 과대 발광하여 화면 상에 스페이서(32') 자리가 밝게 보이는 표시 불량이 일어난다. 도면에서 부호 36이 집속 전극을 나타낸다.
반면 도 5를 참고하면, 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스에서는 스페이서(32) 표면이 양의 전위로 대전되더라도 스페이서(32) 양측에 위치하는 편향 전극(34)이 양의 전위를 유지하고 있으므로 스페이서(32)를 향해 끌려가는 전자들을 다시 편향 전극(34) 방향으로 끌어당긴다. 따라서 이 전자들은 대응하는 단위 화소의 형광층(26)을 향해 수직하게 진행하며, 스페이서(32) 주위로 이상 발광이 발생하지 않는다.
다른 한편으로, 전술한 구동 과정에서 스페이서(32) 표면은 음의 전위로 대전될 수 있다. 이 경우 편향 전극(34)은 스페이서(32)로부터 멀어지는 전자들을 수직하게 편향시킬 수 있도록 음의 전압을 인가받으며, 바람직하게 집속 전압보다 낮은 전압을 인가받는다.
도 6은 편향 전극을 구비하지 않은 비교예의 전자 방출 표시 디바이스를 도시한 부분 단면도이고, 도 7은 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스를 도시한 부분 단면도이다.
먼저 도 6을 참고하면, 비교예의 전자 방출 표시 디바이스에서는 스페이서(32') 표면이 음의 전위로 대전될 때 스페이서(32')와 이웃한 단위 화소들에서 방출된 전자들이 스페이서(32')로부터 밀려나는 전자빔 왜곡이 발생한다. 이로써 스페이서(32') 주위로 형광층(26)이 과소 발광하여 화면 상에 스페이서(32') 자리가 어둡게 보이는 표시 불량이 일어난다.
반면 도 7을 참고하면, 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스에서는 스페이서(32) 표면이 음의 전위로 대전되더라도 스페이서(32) 양측에 위치하는 편향 전극(34)이 음의 전위를 유지하고 있으므로 스페이서(32)로부터 밀려나는 전자들을 다시 스페이서(32)를 향해 밀어낸다. 따라서 이 전자들은 대응하는 단위 화소의 형광층(26)을 향해 수직하게 진행하며, 스페이서(32) 주위로 이상 발광이 발생하지 않는다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.
도면을 참고하면, 본 실시예에서 스페이서(38)는 짧은 막대 형상으로 이루어지며, 이 스페이서들(38)이 집속 전극(40) 위에서 제1 기판의 일 방향, 일례로 게이트 전극의 길이 방향(도면의 x축 방향)을 따라 서로가 임의의 거리를 두고 위치한다.
집속 전극(40)은 하나의 집속 전극 개구부들(401) 어레이를 사이에 두고 스페이서(38)와 마주하는 영역에 스페이서들(38)의 배열 방향을 따라 개구 영역(402)을 형성하고, 이 개구 영역(402) 내측에 편향 전극(42)이 집속 전극(40)과 일정한 거리를 두고 위치한다.
개구 영역(402)은 각 스페이서(38)에 대응하여 스페이서(38)의 양측에 위치하는 주 개구 영역(403)과, 주 개구 영역(403)보다 작은 폭을 가지면서 주 개구 영역들(403)을 연결하는 보조 개구 영역(404)으로 이루어질 수 있다. 편향 전극(42)은 주 개구 영역(403)에 위치하는 편향부(421)와, 보조 개구 영역(404)에 위치하며 편향부(421)보다 작은 폭을 가지면서 편향부들(421)을 연결하는 연결부(422)로 이루어질 수 있다.
이로써 스페이서(38)를 사이에 두고 한 쌍의 편향부(421)가 스페이서(38)의 양측에 대칭으로 위치하며, 편향 전극(42)은 외부의 구동 회로부(도시하지 않음)와 전기적으로 연결되어 이로부터 전자빔 편향에 필요한 전압을 인가받는다. 이때 연결부(422)가 편향부(421)보다 작은 폭으로 형성됨에 따라, 스페이서(38)와 이웃하지 않는 단위 화소들에서 편향 전극(42)으로 인해 전자빔 경로가 변화하는 것을 억제할 수 있다.
편향 전극(42)은 스페이서(38) 표면이 양의 전위로 대전될 때 양의 전압을 인가받아 스페이서(38)로 향하는 전자들을 편향부로 끌어당겨 전자빔 왜곡을 보정한다. 또한 편향 전극(42)은 스페이서(38) 표면이 음의 전위로 대전될 때 집속 전압보다 낮은 음의 전압을 인가받아 스페이서(38)로부터 밀려나는 전자들을 스페이서(38)를 향해 밀어내어 전자빔 왜곡을 보정한다.
상기에서는 전계를 이용하여 전자 방출부로부터 전자들을 방출시키는 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 FEA형에 한정되지 않고, 스페이서를 구비하는 다른 타입의 전자 방출 표시 디바이스, 일례로 표면 전도 에미션(SCE)형, 금속-절연층-금속(MIM)형 및 금속-절연층-반도체(MIS)형 전자 방출 표시 디바이스에 모두 적용 가능하다.
또한, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서 주위에 편향 전극을 배치하여 스페이서 대전으로 인한 전자빔 경로 왜곡을 보정한다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서 주위가 과대 발광하거나 과소 발광하는 이상 발광이 발생하지 않으며, 스페이서 자리가 화면에 보이지 않아 우수한 표시 품질을 구현할 수 있다.

Claims (10)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과;
    상기 제1 기판에 제공되어 상기 전자 방출부들의 전자 방출량을 제어하는 구동 전극들과;
    상기 구동 전극들과 절연을 유지하며 구동 전극들 상부에 위치하고, 전자빔 통과를 위한 개구부들을 형성하는 집속 전극과;
    상기 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들; 및
    상기 제1 기판과 제2 기판 사이에서 이 기판들의 일 방향과 나란하게 배치되는 스페이서들을 포함하며,
    상기 집속 전극이 상기 일 방향을 따라 위치하는 개구부들 어레이를 사이에 두고 상기 스페이서와 마주하는 영역에 개구 영역을 형성하고,
    상기 개구 영역 내측에 상기 집속 전극과 이격된 편향 전극이 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 개구 영역과 편향 전극이 상기 각각의 스페이서마다 스페이서의 양측에 한 쌍으로 배치되는 전자 방출 표시 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서가 상기 기판들의 일 방향을 따라 상기 집속 전극 전체를 가로지르며 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 개구 영역과 편향 전극이 일정한 폭을 가지면서 상기 스페이서와 나란하게 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스페이서들이 상기 기판들의 일 방향을 따라 서로가 임의의 거리를 두고 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 개구 영역과 편향 전극이 가변되는 폭을 가지면서 상기 스페이서들의 배열 방향을 따라 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 개구 영역이 상기 각 스페이서마다 이 스페이서의 양측에 배치되는 주 개구 영역과, 주 개구 영역보다 작은 폭을 가지면서 주 개구 영역들을 연결하는 보조 개구 영역을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 편향 전극이 상기 주 개구 영역에 위치하는 편향부와, 상기 보조 개구 영역에 위치하며 편향부보다 작은 폭을 가지면서 편향부들을 연결하는 연결부를 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 구동 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들을 포함하고,
    상기 집속 전극이 제2 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 및 게이트 전극들 상부에 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 집속 전극이 상기 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 하나의 개구부를 형성하는 전자 방출 표시 디바이스.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103716373A (zh) * 2013-11-28 2014-04-09 苏州佳世达电通有限公司 一种更新服务器升级资讯的方法和系统

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