KR20070083121A - 전자 방출 표시 디바이스 - Google Patents

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KR20070083121A
KR20070083121A KR1020060016413A KR20060016413A KR20070083121A KR 20070083121 A KR20070083121 A KR 20070083121A KR 1020060016413 A KR1020060016413 A KR 1020060016413A KR 20060016413 A KR20060016413 A KR 20060016413A KR 20070083121 A KR20070083121 A KR 20070083121A
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진성환
박철호
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Abstract

본 발명은 제1 기판과 제2 기판의 온도 차이를 최소화하여 스페이서 주위의 이상 발광을 억제할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다. 본 발명에 따른 전자 방출 표시 디바이스는 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되는 복수의 전극들과, 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 스페이서들을 포함하며, 복수의 전극들 중 스페이서들과 접촉하는 일 전극이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질로 이루어짐과 동시에 그 일부가 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치한다.
진공용기, 밀봉부재, 스페이서, 구동전극, 캐소드전극, 게이트전극, 집속전극, 형광층, 애노드전극

Description

전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 제1 기판과 밀봉 부재의 평면도이다.
도 3은 도 2의 A 부위를 확대하여 나타낸 부분 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 제1 기판과 밀봉 부재의 평면도이다.
본 발명은 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제1 기판과 제2 기판의 온도 차이를 최소화하여 스페이서 주위의 이상 발광을 억제할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극(hot cathode)을 이용하는 방식과 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.
여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.
전자 방출 소자는 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 흑색층 및 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 제2 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.
전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 구동 전극들을 구비하여 화소 단위로 제2 기판을 향해 의도한 양의 전자들을 방출시키고, 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.
상기 전자 방출 표시 디바이스에서 제1 기판과 제2 기판은 밀봉 부재에 의해 가장자리가 일체로 접합된 다음 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성한다. 진공 용기는 내부와 외부의 압력 차이에 의해 강한 압축력을 인가받으며, 이 압축력은 화면 사이즈에 비례하여 커진다.
따라서 통상의 전자 방출 표시 디바이스는 진공 용기 내부에 스페이서들을 설치하여 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 제1 기판과 제2 기판의 간격을 일정하게 유지시키고 있다. 스페이서는 주로 유리 또는 세라믹과 같은 유전체로 제작되며, 형광층을 침범하지 않도록 흑색층에 대응하여 위치한다.
그런데 전자 방출 표시 디바이스를 장시간 구동하면 구동 전극들에 많은 전류가 흐름으로 인해 전자 방출부가 위치하는 제1 기판에 열이 발생하여 제1 기판과 제2 기판 사이에 온도 차이가 발생하게 된다. 이러한 두 기판의 온도 차이는 두 기판 사이에 배치되는 스페이서들에 영향을 미쳐 제2 기판을 향한 스페이서 상단과 제1 기판을 향한 스페이서 하단에 온도 차이가 발생한다.
스페이서의 위치별 온도 차이는 스페이서의 국부적인 비저항값 차이를 유발하여 스페이서의 높이 방향을 따라 표면 전위를 변화시킨다. 이로써 스페이서 주위를 진행하는 전자빔은 스페이서를 향해 끌리거나 스페이서로부터 밀려나는 등 경로가 왜곡되며, 그 결과 스페이서 주위의 형광층이 과대 발광하거나 과소 발광하여 화면 상에 스페이서 자리가 보이는 표시 불량으로 이어진다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 제1 기판과 제2 기판의 온도 차이를 최소화하여 스페이서 주위의 이상 발광을 억제할 수 있는 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되는 복수의 전극들과, 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛과, 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 스페이서들을 포함하며, 복수의 전극들 중 스페이서들과 접촉하는 일 전극이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함하고 그 일부가 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.
상기 일 전극은 제1 금속층과 제1 금속층 상부의 제2 금속층으로 구성되고, 제2 금속층이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 기판에 제공되어 전자 방출부들의 전자 방출을 제어하는 복수의 구동 전극들과, 구동 전극들과 절연 상태로 구동 전극들 상부에 위치하는 집속 전극과, 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛과, 집속 전극과 접촉하면서 제1 기판과 제2 기판 사이에 설치되는 복수의 스페이서들을 포함하며, 집속 전극이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함하고 그 일부가 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.
상기 집속 전극은 제1 금속층과 제1 금속층 상부의 제2 금속층으로 구성되고, 제2 금속층이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다.
상기 집속 전극은 밀봉 부재 외측으로 적어도 일측 가장자리를 연장 형성할 수 있다. 다른 한편으로 집속 전극은 적어도 일측 가장자리에 복수의 방열 돌기들을 형성하고, 방열 돌기들의 단부가 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치할 수 있다.
상기 구동 전극들은 제1 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들과 게이트 전극들을 포함하며, 상기 전자 방출부들은 캐소드 전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 집속 전극은 제2 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 및 게이트 전극들 상부에 위치하며, 집속 전극과 제2 절연층이 밀봉 부재 외측으로 적어도 일측 가장자리를 연장 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스 중 제1 기판과 밀봉 부재의 평면도이다. 도 3은 도 2의 A 부위를 확대하여 나타낸 부분 분해 사시도이다.
도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(10)과 제2 기판(12)을 포함한다. 제1 기판(10)과 제2 기판(12)의 가장자리에는 밀봉 부재(14)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 및 밀봉 부재 (14)가 진공 용기를 구성한다.
상기 제1 기판(10) 중 제2 기판(12)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(10)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(12) 및 제2 기판(12)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.
먼저, 제1 기판(10) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(16)이 제1 기판(10)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(16)을 덮으면서 제1 기판(10) 전체에 제1 절연층(18)이 형성된다. 제1 절연층(18) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(20)이 캐소드 전극(16)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.
캐소드 전극들(16)과 게이트 전극들(20)의 교차 영역을 하나의 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(16) 위로 각 화소 영역마다 전자 방출부들(22)이 형성된다. 그리고 제1 절연층(18)과 게이트 전극들(20)에는 각 전자 방출부(22)에 대응하는 개구부(181,201)가 형성되어 제1 기판(10) 위에 전자 방출부(22)가 노출되도록 한다.
전자 방출부(22)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터(nm) 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(22)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 훌러렌(C60), 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있 다. 다른 한편으로 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.
도면에서는 원형의 전자 방출부들(22)이 캐소드 전극(16)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였으나, 전자 방출부(22)의 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
또한, 상기에서는 게이트 전극들(20)이 제1 절연층(18)을 사이에 두고 캐소드 전극들(16) 상부에 위치하는 구조에 대해 설명하였으나, 게이트 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 하부에 위치하는 경우도 가능하다. 이 경우 전자 방출부는 제1 절연층 위에서 캐소드 전극의 측면에 형성될 수 있다.
그리고 게이트 전극들(20)과 제1 절연층(18) 위로 제3 전극인 집속 전극(24)이 형성된다. 집속 전극(24) 하부에는 제2 절연층(26)이 위치하여 게이트 전극들(20)과 집속 전극(24)을 절연시키며, 집속 전극(24)과 제2 절연층(26)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(241,261)가 마련된다.
집속 전극(24)은 전자 방출부(22)마다 이에 대응하는 하나의 개구부를 형성하여 각 전자 방출부(22)에서 방출되는 전자들을 개별로 집속하거나, 화소 영역마다 하나의 개구부(241)를 형성하여 하나의 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다. 도 3에서는 두번째 경우를 도시하였다.
다음으로, 제1 기판(10)에 대향하는 제2 기판(12)의 일면에는 형광층(28), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(28R,28G,28B)이 서로간 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(28) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(30)이 형성된다. 형광층(28)은 제1 기판(10)에 설정되는 화소 영역에 한가지 색의 형광층이 대응하도록 배치된다.
그리고 형광층(28)과 흑색층(30) 위로 알루미늄(Al)과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(32)이 형성된다. 애노드 전극(32)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받아 형광층(28)을 고전위 상태로 유지시키며, 형광층(28)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(10)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(12) 측으로 반사시켜 화면의 휘도를 높인다.
한편 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(12)을 향한 형광층(28)과 흑색층(30)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 금속막과 투명 도전막을 같이 형성하는 구조도 가능하다.
그리고 제1 기판(10)과 제2 기판(12) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(34)이 배치된다. 스페이서들(34)은 형광층(28)을 침범하지 않도록 흑색층(30)에 대응하여 위치하고, 주로 유리나 세라믹과 같은 유전체로 제작된다. 스페이서들(34)은 진공 용기 내부에서 하측 일단이 집속 전극(24)과 접촉하며 위치한다.
본 실시예에서 집속 전극(24)은 열전도율이 우수한 금속, 일례로 금(Au), 백금(Pt) 또는 이 금속들 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 합금으로 이루어진다.
다른 실시예로서 도 4에 도시한 바와 같이 집속 전극(24')은 제1 금속층(36)과 열전도율이 우수한 제2 금속층(38)의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 제1 금속 층(36)은 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있으며, 제2 금속층(38)은 금, 백금 또는 이 금속들 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 합금으로 이루어진다.
상기 집속 전극(24)은 그 일부가 밀봉 부재(14) 외측으로 연장되어 대기 중에 노출되며, 대기 중에 노출된 부위가 제1 기판(10)에서 발생하는 열을 외부로 발산시키는 역할을 한다.
이를 위하여 집속 전극(24)은 적어도 일측 가장자리가 밀봉 부재(14) 외측으로 연장되어 대기 중에 노출될 수 있다. 도 2에서는 집속 전극(24)의 두 장변측 가장자리와 하나의 단변측 가장자리가 밀봉 부재(14) 외측으로 연장되어 위치하는 경우를 도시하였다.
다른 한편으로, 도 5에 도시한 바와 같이 집속 전극(24")은 그 가장자리에 다수의 방열 돌기(40)를 형성하고, 방열 돌기(40)의 끝단을 밀봉 부재(14) 외측으로 연장시켜 대기 중에 노출시킬 수 있다. 도면에서는 방열 돌기들(40)이 사각 톱니 모양인 경우를 도시하였으나, 방열 돌기(40)의 형상은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.
집속 전극(24)의 일부를 밀봉 부재(14) 외측으로 노출시키기 위해서는 제2 절연층(26) 또한 밀봉 부재(14) 외측으로 연장시켜 집속 전극(24)을 지지하도록 한다. 밀봉 부재(14) 외측의 제1 기판(10) 위에는 도 2에 도시한 바와 같이 캐소드 전극들(16)로부터 연장된 캐소드 리드선들(42)과, 게이트 전극들(20)로부터 연장된 게이트 리드선들(44)과, 집속 전극(24)으로부터 연장된 집속 전극 리드선들(46)이 위치한다.
전술한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(16), 게이트 전극들(20), 집속 전극(24) 및 애노드 전극(32)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다.
일례로 캐소드 전극들(16)과 게이트 전극들(20) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(24)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(32)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.
그러면 캐소드 전극(16)과 게이트 전극(20)의 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(22) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(24)의 개구부(241)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(32)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 화소의 형광층(28)에 충돌하여 이를 발광시킨다.
전술한 구동 과정에 있어서, 전자 방출부(22)가 위치하는 제1 기판(10)은 캐소드 전극들(16)과 게이트 전극들(20)의 전류 흐름으로 인해 열이 발생하게 되고, 제1 기판(10)과 제2 기판(12)의 온도 차이를 유발하게 된다.
이때 제1 기판(10) 전체에 걸쳐 형성되는 집속 전극(24)이 높은 열전도율을 갖는 금속으로 이루어지고 그 일부가 대기 중으로 노출되어 위치함에 따라, 제1 기판(10)에서 발생하는 열을 신속하게 대기 중으로 방출시켜 제1 기판(10)과 제2 기 판(12)의 온도 차이를 감소시킨다.
따라서 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서(34)의 높이 방향에 따른 국부적인 비저항값 변화 및 이에 따른 표면 전위 변화를 최소화하고, 그 결과 스페이서(34) 주위의 전자빔 경로 왜곡을 억제하여 스페이서(34) 주위의 이상 발광을 예방할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 제1 기판과 제2 기판의 온도 차이를 최소화하여 스페이서의 높이 방향을 따라 비저항값 차이를 유발하지 않는다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 스페이서 주위의 전자빔 경로 왜곡을 억제하여 화면 상에 스페이서 자리가 보이는 표시 불량을 예방할 수 있다.

Claims (12)

  1. 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과;
    상기 제1 기판에 제공되는 복수의 전극들과;
    상기 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛; 및
    상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 배치되는 복수의 스페이서들을 포함하며,
    상기 복수의 전극들 중 상기 스페이서들과 접촉하는 일 전극이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함하고, 그 일부가 상기 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 일 전극이 제1 금속층과 제1 금속층 상부의 제2 금속층으로 구성되고,
    상기 제2 금속층이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 일 전극이 상기 밀봉 부재 외측으로 적어도 일측 가장자리를 연장 형성하는 전자 방출 표시 디바이스.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 일 전극이 적어도 일측 가장자리에 복수의 방열 돌기들을 형성하고, 방열 돌기들의 단부가 상기 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  5. 밀봉 부재와 함께 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판과;
    상기 제1 기판 위에 형성되는 전자 방출부들과;
    상기 제1 기판에 제공되어 상기 전자 방출부들의 전자 방출을 제어하는 복수의 구동 전극들과;
    상기 구동 전극들과 절연 상태로 구동 전극들 상부에 위치하는 집속 전극과;
    상기 제2 기판의 일면에 형성되는 발광 유닛; 및
    상기 집속 전극과 접촉하면서 상기 제1 기판과 제2 기판 사이에 설치되는 복수의 스페이서들을 포함하며,
    상기 집속 전극이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함하고, 그 일부가 상기 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 집속 전극이 제1 금속층과 제1 금속층 상부의 제2 금속층으로 구성되고, 제2 금속층이 금, 백금, 금 합금 및 백금 합금 중 어느 하나의 물질을 포함하 는 전자 방출 표시 디바이스.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 집속 전극이 상기 밀봉 부재 외측으로 적어도 일측 가장자리를 연장 형성하는 전자 방출 표시 디바이스.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 집속 전극이 적어도 일측 가장자리에 복수의 방열 돌기들을 형성하고, 방열 돌기들의 단부가 상기 밀봉 부재 외측으로 연장되어 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 구동 전극들이 제1 절연층을 사이에 두고 서로 교차하는 방향을 따라 형성되는 캐소드 전극들 및 게이트 전극들을 포함하고,
    상기 전자 방출부들이 상기 캐소드 전극들에 전기적으로 연결되는 전자 방출 표시 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 집속 전극이 제2 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 및 게이트 전극들 상부에 위치하며,
    상기 집속 전극과 제2 절연층이 상기 밀봉 부재 외측으로 적어도 일측 가장자리를 연장 형성하는 전자 방출 표시 디바이스.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, 훌러렌(C60) 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.
  12. 제1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 발광 유닛이 형광층들 및 흑색층과, 형광층들과 흑색층의 일면에 위치하는 애노드 전극을 포함하며,
    상기 스페이서들이 상기 흑색층에 대응하여 위치하는 전자 방출 표시 디바이스.
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