KR20080020762A - 콘택홀 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
건식 식각공정을 수행하여 콘택홀을 형성할 때, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 효과적으로 제거할 수 있는 콘택홀 세정액 조성물 및 이를 이용한 콘택홀 세정방법이 개시되어 있다. 상기 세정액 조성물은 TEMPO 유도체 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는다. 이러한 조성을 갖는 콘택홀 세정액 조성물은 콘택홀의 세정공정시 라디칼이 생성되어 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 하부 막질의 손상 없이 보다 용이하게 제거할 수 있다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택홀 세정방법을 나타내는 공정 흐름도이다.
도 2는 도 1의 세정공정으로 수행된 콘택홀 세정상태를 나타내는 SEM사진이다.
본 발명은 콘택홀 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 장치의 콘택홀 형성시, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 제거하기 위한 콘택홀 세정액 조성물 및 이를 이용한 콘택홀 세정 방법에 관한 것이다.
급속도로 발전하는 정보화 사회에 있어서 대량의 정보를 보다 빠르게 처리하게 위해 데이터 전송속도가 높은 반도체 소자가 요구되고 있다. 반도체 소자의 데이터 전송속도를 높이기 위해서는 하나의 칩(chip)상에 고집적도로 셀(cell)들을 집적시켜야한다.
따라서, 반도체 소자에 셀들을 집적시키기 위해 디자인 룰(design rule)을 축소시키는 작업이 활발하게 진행되고 있다. 상기와 같은 디자인 룰의 축소 작업으로 콘택홀 크기 및 콘택홀 사이의 간격이 줄어들게 된다. 이에 따라, 미세한 콘택홀을 형성하기 위한 건식 식각 조건이 강화되고, 패턴 및 콘택홀의 식각시 사용되는 기체의 조성과 애싱 공정 조건에 따른 식각 가스들로 인해 발생하는 부산물인 폴리머의 강도 또한 강화되었다. 결국, 잔류 폴리머는 세정액에 의해 쉽게 제거되지 않는 변형된 형태로 남게 되고, 제거되지 않은 잔류 폴리머로 인해 발생한 오염이 제품의 수율과 신뢰성에 큰 영향을 미치므로, 세정 공정의 중요성은 더욱 증대되고 있다.
종래에는 금속 부식이 없으면서 잔류 폴리머를 세정할 수 있는 세정액의 부재로 인해 환원성과 강력한 친핵성을 갖는 히드록실아민을 사용하거나 강염기성의 알칸올 아민 또는 산화막 식각능력이 뛰어난 불화 화합물 등을 주성분으로 하는 유기 세정을 사용하고 있는 실정이다.
그러나, 이러한 종래의 염기성 세정액은 산화막에 대한 제거력이 낮고, 산화막에 대한 제거력이 우수한 불화물을 포함한 유기 세정액은 절연막에 심한 손상을 주는 단점을 가지고 있으므로, 폴리머 제거력이 우수하면서 동시에, 절연막을 손상시키지 않는 세정액이 요구되고 있다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 건식 식각공정을 수행하여 콘택홀을 형성할 때, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 효과적으 로 제거할 수 있는 콘택홀 세정액 조성물을 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 세정액을 이용하여 상기 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 효과적으로 제거할 수 있는 콘택홀 세정방법을 제공하는데 있다.
따라서, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택홀 세정액 조성물은 2,2,6,6,-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical 유도체(이하, TEMPO 유도체라 함) 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함한다.
일 예로서, 상기 TEMPO 유도체는 4-Hydroxy-TEMPO, 4-Hydroxy-TEMPO benzoate, 4-Hydroxy-TEMPO-d17, 4-Methoxy-TEMPO, 4-Amino-TEMP0, 4-(2-Iodoacetamino)-TEMPO, 4-Carboxy-TEMPO ,4-Oxo-TEMPO, 4-Oxo-TEMPO-d16-1-15N, 4-Cyano-TEMPO , 4-Maleimido-TEMPO 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따른 콘택홀 세정액 조성물은 상기 TEMPO 유도체 1 내지 5중량%를 함유하고, 상기 불화암모늄염 0.05 내지 0.1중량%를 함유하고, 상기 음이온 계면활성제 0.001 내지 0.005중량%를 함유하고, 상기 금속 부식방지제 0.5 내지 1중량% 및 여분의 물을 포함한다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택홀 세정방법은 TEMPO 유도체 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이 온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함하는 세정액을 마련한다. 이어서, 건식식각 공정으로 콘택홀이 형성된 기판에 상기 세정액을 제공하여 상기 콘택홀 형성 시, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 제거한다.
따라서, 본 발명에 따른 콘택홀 세정액 조성물은 콘택홀의 세정시 수용액 상에서 라디칼이 생성되어, 건식 식각공정을 수행하여 콘택홀을 형성할 때, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 하부 막질의 손상 없이 보다 용이하게 제거할 수 있다.
이하, 본 발명의 콘택홀 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법을 상세하게 설명한다.
콘택홀 세정액 조성물
본 발명의 따른 콘택홀 세정액 조성물은 건식 식각공정을 수행하여 콘택홀을 형성할 때, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 효과적으로 제거하는 세정공정에 적용된다. 상기 세정액은 TEMPO 유도체 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함하는 조성을 갖는다. 상기 세정액 조성물에 포함되어 있는 TEMPO 유도체는 과산화수소 등의 강력한 산화력을 지닌 라디칼과는 다르게 수용액에서 N-0ㅇ의 안정한 라디칼을 형성하여 유기성 폴리머의 제거뿐 아니라, 금속의 산화와 부식에 의한 문제없이 안정적인 활성을 기대할 수 있다. 또한, TEMPO 유도체의 파라(para-)위치의 관능기는 입체효과(steric effect)를 제공하여 유기 금속 성 폴리머를 제거하고, 불화암모늄염 및 라디칼이 작용하기 적절한 pH 환경을 조성해주는 반응체(reactant)로서의 역할을 수행한다. 따라서, 상기 TEMPO 유도체는 산소 라디칼 및 반응체(reactant)로서의 역할을 동시에 수행하는 양기능 화학물질(bi-functional chemical)로 작용하는 특징을 갖는다.
상기 TEMPO 유도체의 예로서는, 4-Hydroxy-TEMPO, 4-Hydroxy-TEMPO benzoate, 4-Hydroxy-TEMPO-d17, 4-Methoxy-TEMPO, 4-Amino-TEMP0, 4-(2-Iodoacetamino)-TEMPO, 4-Carboxy-TEMPO ,4-Oxo-TEMPO, 4-Oxo-TEMPO-d16-1-15N, 4-Cyano-TEMPO, 4-Maleimido-TEMPO 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 실시예의 상기 세정액 조성물에 포함된 TEMPO 유도체는 4-Hydroxy-TEMPO이다.
상기 TEMPO 유도체의 함량이 0.5중량% 미만이면, 상기 세정액에 의한 세정력이 떨어지고, TEMPO 유도체의 함량이 5중량%를 초과하면, 세정장비 및 반도체 장치에 도입된 금속의 부식을 초래할 수 있다. 따라서, 상기 세정액은 0.5 내지 5중량%의 TEMPO 유도체를 포함하고, 바람직하게는 1 내지 5중량%를 포함한다.
상기 세정액 조성물에 포함되어 있는 불화암모늄염의 함량이 0.01중량% 미만일 경우, 산화막 및 금속 실리사이드막의 식각 속도를 조절하는 완충제 역할을 수행하기 어려운 문제점이 초래된다. 반면에, 불화암모늄의 함량이 1중량%를 초과할 경우에는 유기성, 산화성, 금속성 폴리머들을 용이하게 제거할 수 있으나, 과도한 식각 능력으로 인하여 하부 막질에 손상을 초래한다. 따라서, 상기 세정액은 0.01 내지 1중량%의 불화암모늄염을 포함하고, 바람직하게는 0.05 내지 0.1중량%를 포함한다.
상기 불화암모늄염의 예로서는, 불화암모늄(NH4F) 또는 중불화암모늄(NH4FㅇHF)을 사용할 수 있고, 본 실시예의 상기 세정액 조성물에 포함된 불화암모늄염은 중불화암모늄이다.
상기 세정액 조성물에 포함되어 있는 음이온 계면활성제는 표면에 균일 층을 이루어 분포하여 표면을 보호하는 기능을 하며 특히, 분자량이 큰 상기 물질들이 어스펙드 비(aspect ratio)가 작은 콘택홀 내부에 균일하게 작용하여 안정적인 성능을 낼 수 있도록 도움을 주는 역할을 한다.
상기 음이온 계면활성제의 예로서는, 음이온 인산염 불소계면활성제(anionic phosphate fluorosurfactant: (RfCH2CH2O)xP(O)(ONH4)3-x), 음이온 리튬 카르복실염 불소계면활성제(anionic lithium carboxylate fluoro surfactant:RfCH2CH2SCH2CH2COOLi), 암모늄 라우릴 계면활성제(ammonium lauryl sulfate:CH3(CH2)10CH20S03NH4) 등을 들 수 있다.(x 및 y는 각각 1이상의 정수이고, Rf는 F(CF2CF2)a이고, a는 3 내지 8의 정수이다.) 이들은 단독 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 실시예의 상기 세정액 조성물에 포함된 음이온 계면활성제는 음이온 인산염 불소계면활성제이다.
상기 음이온 계면활성제의 함량이 0.0001중량% 미만일 경우 산화막의 식각 균일도가 나빠져 상기 산화막에 과도한 식각이 발생한다. 반면에, 음이온 계면활성제의 함량이 0.01중량%를 초과하면, 음이온 계면 활성제의 기능은 수렴하며 오히려 웨이퍼 막질 표면에 잔류하여 표면 상태를 변화시키고, 세정능력을 떨어뜨리는 경향이 있다. 따라서, 상기 세정액은 0.0001 내지 0.01중량%의 음이온 계면활성제를 포함하고, 바람직하게는 0.001 내지 0.005중량%(1 내지 50ppm)을 포함한다.
상기 세정액 조성물에 포함되어 있는 금속 부식방지제는 금속 착화합물을 사용하며, 구체적인 예로서는, 펜타메틸디에틸렌트리아민(PMDETA), 테트라메틸에틸렌디아민(TMEDA), 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA), 디에틸렌드리아민펜타아세트산(DTPA), 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산(EDTMPA), 디에틸렌드리아민펜타메틸렌포스폰산(DTPMPA), 헥사메틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산(HDTMPA) 및 그 염 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 실시예의 상기 세정액 조성물에 포함된 금속 부식방지제는 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA)이다.
상기 금속 부식방지제의 함량이 0.1중량% 미만일 경우 금속의 부식을 방지하는 효과가 감소하여 하부막질의 손상(부식)이 초래되고, 금속 부식방지제의 함량이 5중량%를 초과하면 금속의 부식을 방지할 수 있으나 그 효과는 계속 증가하지 않고, 일정한 범위 내에서 수렴된다. 따라서, 상기 세정액은 0.1 내지 5중량%의 금속 부식방지제를 포함하고, 바람직하게는 0.5 내지 1중량%를 포함한다.
콘택홀의
세정방법
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 콘택홀 세정방법을 나타내는 공정 흐름도이고, 도 2는 도 1의 세정공정으로 수행된 콘택홀 세정상태를 나타내는 SEM사진이다.
도 1을 참조하면, 기판에 형성된 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 제거하기 위한 콘택홀 세정액 조성물을 마련한다(단계 S110).
상기 세정액 조성물은 TEMPO 유도체 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함한다.
상기 세정액 조성물에 대한 설명은 상술한 바와 동일하기 때문에 더 이상의 설명은 생략한다.
이어서, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 하부막질의 손상 없이 제거하기 위해 상기 콘택홀이 형성된 기판에 상기 세정액 조성물을 제공한다(단계 S120).
이어서, 상기 세정액 조성물을 이용한 세정공정을 수행하여 상기 콘택홀의 측벽, 하단 및 상부에 흡착되어 있는 폴리머들을 제거한다(단계 S130).
구체적으로, 상기 콘택홀 세정은 약 25 내지 50℃ 에서 약 10 내지 20분 동안 수행되며, 세정시간과 세정온도는 제거하고자 하는 폴리머의 잔류량 또는 막질의 특성을 고려하여 상기 시간 및 온도의 범위 내에서 조절 가능하다. 또한, 상기 세정액 조성물에 포함된 TEMPO 유도체는 상기 콘택홀의 측벽 및 하단에 흡착되어 있는 유기성 폴리머를 제거할 수 있고, 상기 불화암모늄염은 상기 콘택홀의 상부에 흡착되어 있는 금속성 폴리머를 제거할 수 있다.
이어서, 상기 폴리머들이 제거된 콘택홀이 형성된 기판을 린스하여 상기 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들 및 세정액 조성물을 모두 제거한다(단계 S140).
이어서, 상기 폴리머들이 제거된 기판에 존재하는 물을 제거하기 위해 건조 공정을 수행한다(단계 S150).
상술한 단계를 포함하는 콘택홀 세정방법은 상기 콘택홀 세정액 조성물을 이용하여, 건식 식각공정을 수행하여 콘택홀을 형성할 때, 콘택홀 내에 존재하는 폴리머들을 하부막질의 손상 없이 효과적으로 제거할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되지 않고 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 인지해야 할 것입니다.
<실시예 1>
세정액 조성물 100중량%에 대하여 TEMPO 유도체(4-Hydroxy-TEMPO) 5중량%, 불화암모늄염(중불화암모늄) 0.1중량%, 금속 부식방지제(에틸렌다이아민테트라아세트산) 1중량%, 음이온 계면활성제(음이온 인산염 불소계면활성제) 0.05중량% 및 여분의 물을 혼합하여 반도체 콘택홀 세정액 조성물을 제조하였다.
<비교예 1>
세정액 조성물 100중량%에 대하여 TEMPO 유도체(4-Hydroxy-TEMPO) 5중량%, 불화암모늄염(중불화암모늄) 0.1중량%, 금속 부식방지제(에틸렌다이아민테트라아세트산) 1중량% 및 여분의 물을 혼합하여 반도체 콘택홀 세정액 조성물을 제조하였 다.
<비교예 2>
세정액 조성물 100중량%에 대하여 TEMPO 유도체(4-Hydroxy-TEMPO) 5중량%, 불화암모늄염(중불화암모늄) 0.1중량% 및 여분의 물을 혼합하여 반도체 콘택홀 세정액 조성물을 제조하였다.
<비교예 3>
세정액 조성물 100중량%에 대하여 TEMPO 유도체(4-Hydroxy-TEMPO) 5중량% 및 여분의 물을 혼합하여 반도체 콘택홀 세정액 조성물을 제조하였다.
<비교예 4>
세정액 조성물 100중량%에 대하여 TEMPO 5중량% 및 여분의 물을 혼합하여 반도체 콘택홀 세정액 조성물을 제조하였다.
표 1
| 구분 | TEMPO | TEMPO유도체 | 불화암모늄염 | 금속 부식방지제 | 음이온 계면활성제 | 물 |
| 실시예1 | 5 | 0.1 | 1 | 0.005 | 93.895 | |
| 비교예1 | 5 | 0.1 | 1 | 93.9 | ||
| 비교예2 | 5 | 0.1 | 94.9 | |||
| 비교예3 | 5 | 95 | ||||
| 비교예4 | 5 | 95 |
<실험예>
콘택홀에 대한 폴리머의 제거력 평가
상기 실시예 1 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 각각의 세정액 조성물을 이용하여, 콘택홀이 형성된 기판을 25℃에서 10분 동안 세정한 후 상기 콘택홀 상부, 측면 및 하단에 잔류하는 폴리머들의 제거력을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타나있다.
이때, 하기 표 2에서 폴리머들의 제거력 평가는 상기 콘택홀 상부, 측면 및 하단에 잔류 폴리머들의 수가 0개 또는 이소(iso)주변에 잔류하면, O로 표시하였고, 잔류 폴리머들의 수가 1~20개 잔류하면, △로 표시하였고, 잔류 폴리머들의 수가 21~35개 잔류하면, X로 표시하였다.
하부막질 손상방지 유무 평가
상기 실시예1 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 각각의 세정액 조성물에 알루미늄막이 형성된 실리콘 기판을 25℃에서 10분 동안 침지한 후, 상기 알루미늄막의 손상 방지 유무를 평가하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타나 있다.
이때, 하기 표 2에서 금속막인 알루미늄막의 손상방지 유무는 상기 알루미늄막이 20nm미만으로 식각될 때 ◎로 나타내고, 상기 알루미늄막이 20 내지 30nm로 식각될 때 O로 나타내고, 상기 알루미늄막이 30nm초과로 식각될 때, X로 표시한다.
표 2
| 구분 | 폴리머 제거력 | 하부막질 손상방지유무 | ||
| 상부 | 측벽 | 하단 | ||
| 실시예1 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 비교예1 | ○ | ○ | ○ | ○ |
| 비교예2 | ○ | △ | ○ | X |
| 비교예3 | X | △ | ○ | X |
| 비교예4 | X | X | △ | X |
* 결과 평가 : 우수; ◎, 양호; ○, 보통; △, 불량; X
평가 결과 본원 발명의 실시예 1에 따른 세정액 조성물은 상기 표 2에 나타난 바와 같이 하부막질의 손상 없이, 콘택홀의 상부, 측벽 및 바닥의 폴리머들을 우수하게 제거함을 알 수 있다.
즉, 비교예 3과 비교예 4를 비교하면, 파라(para)-관능기를 가진 TEMPO 유도체는 수용액에서 N-0ㅇ의 안정한 산소라디칼 및 반응체(reactant)로서의 이중효과로 인하여 콘택홀 측벽 및 하단의 폴리머 제거력이 양호해짐을 알 수 있다. 또한, 비교예 2와 비교예 3을 비교하면, 불화암모늄염의 첨가로 인해 콘택홀 상부의 폴리머도 제거됨을 알 수 있다. 그리고 실시예 1과 비교예 1을 비교하면, 음이온 계면활성제의 첨가로 인해 조성물을 분산시킴으로써 화학적 효과(chemical effect)를 극대화시켜 콘택홀의 상부, 측벽 및 하단의 제거력이 더욱 향상되었음을 알 수 있다.
또한, 금속 부식방지제 및 음이온 계면활성제를 포함하는 실시예 1의 세정액은 비교예 1 내지 4의 세정액에 비하여 하부 막질의 식각량이 작은 것을 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 콘택홀 세정액 조성물은 콘택홀 세정시 수용액 상에서 라디칼을 이용하여, 건식 식각공정을 수행하여 콘택홀을 형성할 때, 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 하부 막질의 손상 없이 보다 용이하게 제거할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (9)
- TEMPO(2,2,6,6,-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical) 유도체 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함하는 콘택홀 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 TEMPO유도체는 4-Hydroxy-TEMPO, 4-Hydroxy-TEMPO benzoate, 4-Hydroxy-TEMPO-d17, 4-Methoxy-TEMPO, 4-Amino-TEMP0, 4-(2-Iodoacetamino)-TEMPO, 4-Carboxy-TEMPO ,4-Oxo-TEMPO, 4-Oxo-TEMPO-d16-1-15N, 4-Cyano-TEMPO 및 4-Maleimido-TEMPO로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 불화암모늄염은 불화암모늄(NH4F) 또는 중불화암모늄(NH4FㅇHF)인 것을 특징으로 하는 콘택홀 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 음이온 계면활성제는 음이온 인산염 불소계면활성제(anionic phosphate fluorosurfactant: (RfCH2CH2O)xP(O)(ONH4)3-x), 음이온 리튬 카르복실염 불소계면활성제(anionic lithium carboxylate fluoro surfactant:RfCH2CH2SCH2CH2COOLi) 및 암모늄 라우릴 계면활성제(ammonium lauryl sulfate:CH3(CH2)10CH20S03NH4)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 세정액 조성물.(x 및 y는 각각 1이상의 정수이고, Rf는 F(CF2CF2)a이고, a는 3 내지 8의 정수이다.)
- 제1항에 있어서, 상기 금속 부식방지제는 펜타메틸디에틸렌트리아민(PMDETA), 테트라메틸에틸렌디아민(TMEDA), 에틸렌다이아민테트라아세트산(EDTA), 디에틸렌드리아민펜타아세트산(DTPA), 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산(EDTMPA), 디에틸렌드리아민펜타메틸렌포스폰산(DTPMPA), 헥사메틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산(HDTMPA) 및 그 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 세정액 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 TEMPO(2,2,6,6,-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical) 유도체 1 내지 5중량%를 함유하고, 상기 불화암모늄염 0.05 내지 0.1중량%를 함유하고, 상기 음이온 계면활성제 0.001 내지 0.005중량%를 함유하고, 상기 금속 부식방지제 0.5 내지 1중량% 및 여분의 물을 포함하는 콘택홀 세정액 조성물.
- TEMPO(2,2,6,6,-tetramethylpiperidine-1-oxyl free radical)유도체 0.5 내지 5중량%, 불화암모늄염 0.01 내지 1중량%, 음이온 계면활성제 0.0001 내지 0.01중량%, 금속 부식방지제 0.1 내지 5중량% 및 여분의 물을 포함하는 세정액을 마련하는 단계; 및건식식각 공정으로 콘택홀이 형성된 기판에 상기 세정액을 이용한 콘택홀 세정공정을 수행하여 상기 콘택홀 내에 잔류하는 폴리머들을 제거하는 단계를 포함하는 콘택홀 세정 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 콘택홀 세정은 25 내지 50℃ 에서 수행하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 세정 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 콘택홀 세정은 10 내지 20분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 콘택홀 세정 방법.
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| KR1020060084030A KR20080020762A (ko) | 2006-09-01 | 2006-09-01 | 콘택홀 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
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| WO2020131313A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Entegris, Inc | Compositions and methods for post-cmp cleaning of cobalt substrates |
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2006
- 2006-09-01 KR KR1020060084030A patent/KR20080020762A/ko not_active Application Discontinuation
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| WO2020131313A1 (en) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Entegris, Inc | Compositions and methods for post-cmp cleaning of cobalt substrates |
| KR20210094124A (ko) * | 2018-12-21 | 2021-07-28 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 코발트 기판의 cmp-후 세정을 위한 조성물 및 방법 |
| CN113195698A (zh) * | 2018-12-21 | 2021-07-30 | 恩特格里斯公司 | 用于化学机械研磨后(post-cmp)钴衬底的清洗的组合物和方法 |
| US11845917B2 (en) | 2018-12-21 | 2023-12-19 | Entegris, Inc. | Compositions and methods for post-CMP cleaning of cobalt substrates |
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