KR20080004769A

KR20080004769A - 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지감지 방법

Info

Publication number: KR20080004769A
Application number: KR1020060063480A
Authority: KR
Inventors: 민동기; 홍승범
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-07-06
Filing date: 2006-07-06
Publication date: 2008-01-10
Also published as: US7821680B2; US20080007804A1; JP2008017486A; CN101102388B; KR100793369B1; CN101102388A

Abstract

본 발명은 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지를 감지하기 위한 광전 변환 반도체 소자의 분해능을 변화시키기 않으면서 이미지의 분해능을 향상시키는 효과를 가지는 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명의 분해능이 향상되는 이미지 센서는 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, 평면상에서 이동 가능한 스캐너부; 상기 스캐너부 상에 고정되어 장착되고, 전면에 배열된 다수의 화소를 가지는 광전 변환 반도체 소자; 및 상기 광전 변환 반도체 소자 상에 상기 화소에 대응하여 배열된 컬러 필터 어레이를 포함한다.

본 발명에 의하면 종래에 사용되는 광전 변환 반도체 소자를 그대로 사용하면서 종래에는 감지될 수 없었던 이미지의 데이터까지 감지하여 원가의 상승이나 성능의 저하 없이 이미지의 분해능이 향상되는 효과가 있다.

화소, 스캐너부, 광전 변환, 반도체 소자, 컬러 필터, 마이크로렌즈

Description

분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법{Image sensor for improving the resolution and method of sensing the image for improving it}

도1은 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 종래의 이미지 센서의 사시도.

도2는 종래의 이미지 센서에서 광전 변환 반도체 소자의 분해능을 증가시키기 위하여 광전 변환 반도체 소자의 화소 수를 증가시키는 방식을 설명하는 도면.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분해능이 향상되는 이미지 센서의 사시도.

도4는 도3에 보인 본 발명에 의한 분해능이 향상되는 이미지 센서의 부분 단면도.

도5는 본 발명의 일 실시예에 따라 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법을 순서대로 도시한 순서도.

도6은 본 발명에 의한 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법의 결과를 보여주기 위한 그래프.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

10, 110 : 광전 변환 반도체 소자

20, 120 : 컬러 필터 어레이

30, 130 : 마이크로렌즈 어레이

100 : 스캐너부

121, 122, 123 : 컬러 필터

본 발명은 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지를 감지하기 위한 광전 변환 반도체 소자의 분해능을 변화시키기 않으면서 이미지의 분해능을 향상시키는 효과를 가지는 분해능이 향상되는 이미지 센서 및 이를 이용한 이미지 감지 방법에 관한 것이다.

이미지 센서(image sensor)는 1차원 또는 2차원 이상의 광학 정보를 전기신호로 변환하는 장치이다. 이미지 센서의 종류는 크게 나누어 촬상관과 고체 촬상 소자로 분류된다. 촬상관은 텔레비전을 중심으로 하여 화상 처리기술을 구사한 계측, 제어, 인식 등에서 널리 상용되며 응용 기술이 발전되어 왔다. 고체 촬상 소자는 반도체 기판을 이용하여 광학적 이미지를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환 반도체 소자로서 모스(MOS, metal oxide semiconductor)형과 시시디(CCD, charge coupled device)형의 2종류가 있다.

CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하여 광학적 이미지를 전기적 신 호로 변환시키는 소자로서, 화소 수만큼의 모스 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력을 검출하는 스위치 방식을 채용하고 있다. CMOS 이미지 센서는 종래에 널리 사용되고 있는 시시디 이미지 센서에 비하여 구동 방식이 편리하고, 다양한 스캐닝 방식의 구현이 가능하며, 신호처리 회로를 단일 칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능한 장점이 있다.

최근에 휴대폰이나 PDA(personal digital assistant) 등 다양한 멀티미디어 기기에서 이미지를 촬영하거나 디스플레이 하는 장치들이 장착되어 사용되고 있는데, 이미지 입력 장치로서 소형 카메라 모듈이 사용되고 있다. 이러한 기기에서 좀더 고품질의 이미지를 요구하는 소비자의 욕구에 의해서 이미지 입력 장치로 사용되는 이미지 센서의 분해능을 높이려는 노력이 요구되고 있다.

도1은 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 종래의 이미지 센서의 사시도이다.

도1에 도시된 바와 같이, 종래의 이미지 센서는 광전 변환 반도체 소자(10), 컬러 필터 어레이(color filter array, 20) 및 마이크로렌즈(microlens) 어레이(30)를 포함한다.

광전 변환 반도체 소자(10)는 스캐너 상부에 고정되어 장착된 것으로, 전면에 다수의 화소가 배열되어 있다. 광전 변환 반도체 소자(10)의 화소는 수광부로서 각각의 화소에 대응하여 각 화소에 입사된 빛의 강도에 대응하는 신호 전하를 발생시킨다.

컬러 필터 어레이(20)는 컬러 디지털 이미지들을 형성하기 위한 것으로, 광 전 변환 반도체 소자(10)의 화소에 일대일로 대응하여 각 화소에 대하여 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 필터 중의 하나가 배열되어 있고, 광전 변환 반도체 소자(10)의 수광부 상부에 리소그래피 공정 등에 의해서 형성되어 있다.

마이크로렌즈 어레이(30)는 컬러 필터 어레이(20) 상부에 2차원으로 배열된 다수의 렌즈로서 예를 들어, 반구 형상의 마이크로렌즈(31)로 적층되고, 광전 변환 반도체 소자(10)의 수광부에 입사되는 광량을 증가시키도록 각각의 화소에 대응하여 상기 컬러 필터 어레이(20)와 함께 배치된다.

이러한 구조를 가지는 종래의 이미지 센서에서 분해능을 향상시키기 위해서는 광전 변환 반도체 소자(10)의 화소를 증가시키는 것이 필요했다.

도2는 종래의 이미지 센서에서 광전 변환 반도체 소자의 분해능을 증가시키기 위하여 광전 변환 반도체 소자의 화소 수를 증가시키는 방식을 설명하는 도면이다.

도2에 도시된 바와 같이, 종래의 이미지 센서에서 분해능을 향상시키기 위하여 광전 변환 반도체 소자(10)에서 화소(11)의 수를 증가시키는 경우 광전 변환 반도체 소자(10)의 크기가 커지거나 각 화소(11)의 크기를 감소시켜서 화소 수를 증가시키는 방법이 있다.

그런데 화소의 크기를 유지하면서 화소의 수를 증가시키는 경우 광전 변환 반도체 소자(10)의 칩 크기가 같은 비율로 증가하여 비용이 증가하는 문제가 있다. 그리고 칩 크기가 증가하면 수율이 감소하기 때문에 그 비용의 증가는 더욱 커지는 문제가 있다.

또한 광전 변환 반도체 소자(10)의 칩 크기를 유지하면서 화소의 수를 증가시키는 경우에는, 화소(11)의 크기가 작아지기 때문에 제작에 어려움 발생하고, 화소의 감도가 저하되어 노이즈에 더욱 민감해져서 성능이 저하되는 문제가 있기 때문에 실제로 적용하기에 어려움이 있다.

따라서 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 종래에 사용되는 광전 변환 반도체 소자를 그대로 사용하면서 감지되는 이미지의 분해능을 향상시켜서, 원가의 상승이나 성능의 저하 없이 분해능이 향상되는 이미지 센서를 제공하는데 있다.

또한, 본 발명은 분해능이 향상되는 이미지 센서에 의해서 감지되는 이미지의 분해능을 용이하게 향상시킬 수 있는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법을 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 분해능이 향상되는 이미지 센서는 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, 평면상에서 이동 가능한 스캐너부; 상기 스캐너부 상에 고정되어 장착되고, 전면에 배열된 다수의 화소를 가지는 광전 변환 반도체 소자; 및 상기 광전 변환 반도체 소자 상에 상기 화소에 대응하여 배열된 컬러 필터 어레이를 포함한다.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 화소에 대응하여 상기 컬러 필터 어레이 상부에 형성되어 빛을 집광하는 마이크로렌즈 어레이를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 스캐너부는 상기 평면상에서 수평 및 수직 방향으로 이동 가능하고, 상기 스캐너부는 상기 화소 사이의 거리보다 작은 간격으로 이동 가능한 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법은 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, 정지된 스캐너부 상에 장착된 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 이미지가 감지되는 단계; 상기 광전 변환 반도체 소자를 통하여 감지된 상기 이미지의 데이터가 저장되는 단계; 상기 스캐너부가 평면상에서 이동되는 단계; 이동된 위치에서 상기 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 다른 이미지가 감지되는 단계; 상기 다른 이미지의 데이터가 저장되는 단계; 및 상기 이미지의 데이터와 상기 다른 이미지의 데이터를 비교 분석하여 분해능이 향상된 결과 이미지의 데이터가 형성되는 단계를 포함한다.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 스캐너부가 이동한 거리는 서로 인접한 상기 화소 사이의 거리 보다 작고, 상기 스캐너부는 상기 평면상에서 수평 또는 수직 방향으로 이동한 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법은 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 것으로서, a) 정지된 스캐너부 상에 장착된 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 이미지가 감지되는 단계; b) 상기 광전 변환 반도체 소자를 통하여 감지된 상기 이미지의 데이터가 저장되는 단계; c) 상기 스캐너부가 평면상에서 이동되는 단계; d) 이동된 위치에서 상기 광전 변환 반도체 소자의 다 수의 화소를 통하여 다른 이미지가 감지되는 단계; e) 상기 다른 이미지의 데이터가 저장되는 단계; f) 상기 스캐너부의 위치를 이동하여 상기 (c)단계 내지 상기 (e)단계를 반복 실시하는 단계; 및 g) 상기 광전 변환 반도체 소자의 위치에 따라 저장된 상기 데이터를 비교 분석하여 분해능이 향상된 결과 이미지의 데이터가 형성되는 단계를 포함한다.

바람직한 실시예에 있어서, 상기 스캐너부가 이동한 거리는 서로 인접한 상기 화소 사이의 거리 보다 작은 것을 특징으로 한다.

상기 스캐너부가 상기 평면상에서 수평 또는 수직 방향으로 이동되고, 상기 스캐너부가 상기 평면상에서 이동하는 방향은 직전의 이동 방향과 다른 것을 특징으로 한다.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 분해능이 향상되는 이미지 센서의 사시도이고, 도4는 도3에 보인 본 발명에 의한 분해능이 향상되는 이미지 센서의 부분 단면도이다.

도3 및 도4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 분해능이 향상되는 이미지 센서는 스캐너부(100), 광전 변환 반도체 소자(110) 및 컬러 필터 어레이(color filter array, 120)를 포함한다. 이때 상기 컬러 필터 어레이(120) 상부에는 마이크로렌즈(microlens) 어레이(130)가 형성되어 있는 것이 바람직하다.

스캐너부(100)는 하나의 평면상에서 이동하는 지지부로서, 그 상부에 광전 변환 반도체 소자(110)를 고정시켜서 장착할 수 있는 지지대 역할을 하며, 외부의 제어부에 연결되어 소프트웨어 방식에 의해서 정해진 거리만큼 수평 또는 수직 방향으로 이동 될 수 있는 것이 바람직하다.

이때 스캐너부(100)가 이동하는 거리는 광전 변환 반도체 소자(110)의 서로 인접한 화소 사이의 거리보다 작은 간격으로 이동할 수 있는 정도의 정밀도를 가져서, 스캐너부(100)의 이동에 의해서 상기 광전 변환 반도체 소자(110)가 수평 또는 수직 방향으로 화소 사이의 거리보다 작은 거리를 이동하는 것이 바람직하다.

상기 광전 변환 반도체 소자(110)는 스캐너 상부에 고정되어 장착된 것으로, 전면에 다수의 화소가 배열되어 있다. 광전 변환 반도체 소자(110)의 화소는 수광부(111)로서 각각의 화소에 대응하여 각 화소에 입사된 빛의 강도에 대응하는 신호 전하를 발생시킨다. 광전 변환 반도체 소자(110)로서는 고체 촬상 소자로서 모스(MOS, metal oxide semiconductor)형과 시시디(CCD, charge coupled device)형이 사용될 수 있다.

컬러 필터 어레이(120)는 컬러 디지털 이미지들을 형성하기 위한 것으로, 광전 변환 반도체 소자(110)의 화소에 일대일로 대응하여 각 화소에 대하여 예를 들어, 적색, 녹색 및 청색 필터(121, 122, 123) 중의 하나가 배열되어 있고, 광전 변환 반도체 소자(110)의 수광부 상부에 리소그래피 공정 등에 의해서 형성되어 있다.

마이크로렌즈 어레이(130)는 컬러 필터 어레이(120) 상부에 2차원으로 배열된 다수의 렌즈로서 예를 들어, 반구 형상의 마이크로렌즈(131)로 적층되고, 광전 변환 반도체 소자(110)의 수광부에 입사되는 광량을 증가시키도록 각각의 화소에 대응하여 상기 컬러 필터 어레이(120)와 함께 배치된다.

본 발명에서 분해능이 향상되는 이미지 센서는 스캐너부(100)의 상부에 고정 장착된 광전 변환 반도체 소자(110)의 위치를 스캐너부(100)에 의해서 이동시킴으로서, 고정된 광전 변환 반도체 소자(110)에서 얻어지는 이미지 데이터와 이동된 위치에서 얻어진 다른 이미지 데이터들을 이미지 프로세싱에 의해서 결합 수정함으로써, 분해능이 향상된 결과의 이미지를 얻을 수 있다. 이때 스캐너부(100)에 의해서 이동된 광전 변환 반도체 소자(110)의 거리는 화소 사이의 거리보다 작게 함으로써, 종래의 이미지 센서로는 감지하지 않았던 위치에서 다른 이미지 데이터를 추가로 감지하게 된다.

이하에서 본 발명의 분해능이 향상되는 이미지 센서에 의해서 분해능을 향상시키는 효과가 있는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법에 대하여 설명한다.

도5는 본 발명의 일 실시예에 따라 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법을 순서대로 도시한 순서도이다.

도5에 도시된 바와 같이, 광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법에 따라서 정지된 스캐너부 상에 장착된 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 제1 이미지가 감지된다(S110). 이때 제1 이미지의 데이터는 광전 변환 반도체 소자의 수광부에 입사된 빛의 강도(광신호의 크기)가 전기적 신호로 변경된 것으로, 컬러 필터 어레이에 의해서 컬러 데이터와 함께 얻어진다.

이렇게 얻어진 제1 이미지의 데이터는 외부의 제어부에 의해서 예를 들어, 디지털 카메라 등과 같은 이미지 촬영 기기의 데이터 저장부에 저장된다(S120).

이어서 상부에 광전 변환 반도체 소자가 장착된 스캐너부가 동일한 평면상에서 이동된다(S130). 이때 상기 스캐너부는 평면상에서 수평 또는 수직 방향으로 이동하고, 스캐너부가 이동되는 거리는 화소 사이의 거리보다 작은 것이 바람직하다.

이렇게 스캐너부가 광전 변환 반도체 소자의 화소 사이 보다 작은 거리를 이동하면, 이동된 위치에서 각 화소의 중심은 이동전의 각 화소의 중심 위치 사이로 변화하게 된다. 이때 스캐너부가 이동된 거리는 예를 들어, 화소 사이의 거리의 1/2 또는 1/3 등으로 화소 사이의 거리가 스캐너부 이동 거리의 정수배가 되도록 하는 것이 바람직하다.

예를 들어, 수평 또는 수직 방향으로 이동된 스캐너부의 이동 거리가 화소 사이의 거리의 1/2 인 경우에, 이동된 위치에서 광전 변환 반도체 소자의 화소는 각각 수평 또는 수직 방향에 대하여 이동전의 각 화소의 중심 위치 사이의 중앙에 위치하게 된다,

스캐너부가 이동된 위치에서 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 제2 이미지가 감지되고(S140), 스캐너가 이동된 위치에서 얻어진 제2 이미지는 이동전에 얻은 제1 이미지의 데이터가 저장된 상기 데이터 저장부에 저장된다(S150).

결과적으로 이때 상기에 저장된 제1 이미지의 데이터와 제2 이미지의 데이터는 스캐너부가 이동하기 전에 화소의 중심에서 감지된 데이터와 화소 사이의 중심의 위치에서 감지된 데이터에 대응하는 것으로서, 이들의 데이터를 결합하면 스캐너부가 이동하기 전에 각 화소 사이의 중심의 위치에 대등한 다른 화소가 있는 것 과 같은 효과의 데이터를 얻게 된다.

다음에 상기 데이터 저장부에 저장된 제1 이미지의 데이터와 제2 이미지 데이터를 이미지 프로세싱에 의해서 서로 비교 분석하고, 이들의 데이터를 결합하면 분해능이 향상된 결과 이미지의 데이터가 얻어진다(S160).

또한 상기 결과 이미지의 분해능을 더 향상시키기 위하여 제2 이미지의 데이터가 상기 데이터 저장부에 저장된 후에, 상기 스캐너부의 위치를 상기 평면상에서 다시 이동시키고, 다시 이동된 위치에서 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 이동된 위치의 제3 이미지가 감지되어, 제3 이미지의 데이터가 데이터 저장부에 추가로 저장되는 과정을 반복하는 것이 바람직하다.

이때 스캐너부가 다시 이동하는 방향은 직전의 이동 방향과 다른 방향, 예를 들어, 수평 방향으로 이전에 이동하였으면, 수직 방향으로 이동하는 것이 바람직하다. 물론 스캐너부가 수직 방향으로 이전에 이동하였으면, 다음에는 수평 방향으로 이동하는 것이 바람직하다.

또한 분해능을 더욱 향상시키기 위하여, 수평 또는 수직 방향으로 이동된 스캐너부의 이동 거리가 화소 사이의 거리의 1/2 이하 예를 들어 1/3 또는 1/4 인 경우에, 스캐너부는 화소 사이의 거리에서 1/3과 2/3 또는 1/4, 2/4과 3/4 위치로 이동하고, 각각의 위치에 대한 이미지의 데이터를 계속 감지하여 저장하는 것이 가능하다. 이때 이동하는 방향은 스캐너부는 평면상에서 수평 또는 수직 방향으로 이동하고, 순서에 상관없이 가능한 모든 위치로 이동하여 각 위치에서 광전 변환 반도체 소자에 의해서 감지된 이미지의 데이터가 계속 저장된다.

이렇게 스캐너부의 이동 위치별로 얻어진 이미지의 데이터에 대하여 이미지 프로세싱에 의해서 서로 비교 분석하고, 이들의 데이터를 결합하면 더욱 분해능이 향상된 결과 이미지의 데이터가 얻어지게 된다.

본 발명의 분해능이 향상되는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법의 결과를 설명하면 다음과 같다.

도6은 본 발명에 의한 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법의 결과를 보여주기 위한 그래프이다.

도6을 참조하여 설명하면, 도6의 그래프에서 세로축은 광전 변환 반도체 소자의 각 화소에서 감지되는 광신호의 상대적 크기를 표시한 것이고, 가로축은 각 화소의 위치를 표시한 것으로 예를 들어, X1, X2, X3 및 X4 등은 이동전의 화소의 위치이고, Y1, Y2, Y3 및 Y4는 스캐너부에 의해서 이동된 후의 화소의 위치로 한다.

이렇게 스캐너부를 이동하여 이미지를 감지하는 경우 도6에서 보인 것과 같이 이동전의 위치에서 감지될 수 없는 광신호의 미세한 크기 변화를 감지할 수 있기 때문에, 이들의 이미지 데이터를 결합하여 이미지 프로세싱을 하는 경우에 분해능이 향상된 결과 이미지를 얻을 수 있다.

이상에서, 본 발명의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상 및 특허청구 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과를 달성한다.

본 발명의 분해능이 향상되는 이미지 센서는 스캐너부에 고정된 광전 변환 반도체 소자를 이동시키면서 이미지를 감지함으로써, 종래에 사용되는 광전 변환 반도체 소자를 그대로 사용하면서 종래에는 감지될 수 없었던 이미지의 데이터까지 감지하여 원가의 상승이나 성능의 저하 없이 이미지의 분해능이 향상되는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법은 이동될 수 있는 스캐너부가 형성된 이미지 센서를 이용하여 화소 사이의 여러 위치에서 감지된 이미지 데이터를 추가로 확보함으로써, 이미지 센서에 의해서 감지되는 이미지의 분해능을 용이하게 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

Claims

광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 이미지 센서에서,

평면상에서 이동 가능한 스캐너부;

상기 스캐너부 상에 고정되어 장착되고, 전면에 배열된 다수의 화소를 가지는 광전 변환 반도체 소자; 및

상기 광전 변환 반도체 소자 상에 상기 화소에 대응하여 배열된 컬러 필터 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 분해능이 향상되는 이미지 센서.
제1항에 있어서,

상기 화소에 대응하여 상기 컬러 필터 어레이 상부에 형성되어 빛을 집광하는 마이크로렌즈 어레이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분해능이 향상되는 이미지 센서.
제1항에 있어서,

상기 스캐너부는 상기 평면상에서 수평 및 수직 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 분해능이 향상되는 이미지 센서.
제1항에 있어서,

상기 스캐너부는 상기 화소 사이의 거리보다 작은 간격으로 이동 가능한 것 을 특징으로 하는 분해능이 향상되는 이미지 센서.
광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법에서,

정지된 스캐너부 상에 장착된 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 이미지가 감지되는 단계;

상기 광전 변환 반도체 소자를 통하여 감지된 상기 이미지의 데이터가 저장되는 단계;

상기 스캐너부가 평면상에서 이동되는 단계;

이동된 위치에서 상기 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 다른 이미지가 감지되는 단계;

상기 다른 이미지의 데이터가 저장되는 단계; 및

상기 이미지의 데이터와 상기 다른 이미지의 데이터를 비교 분석하여 분해능이 향상된 결과 이미지의 데이터가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.
제5항에 있어서,

상기 스캐너부가 이동한 거리는 서로 인접한 상기 화소 사이의 거리 보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.
제5항에 있어서,

상기 스캐너부는 상기 평면상에서 수평 또는 수직 방향으로 이동한 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.
광전 변환을 통하여 이미지를 감지하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법에서,

a) 정지된 스캐너부 상에 장착된 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 이미지가 감지되는 단계;

b) 상기 광전 변환 반도체 소자를 통하여 감지된 상기 이미지의 데이터가 저장되는 단계;

c) 상기 스캐너부가 평면상에서 이동되는 단계;

d) 이동된 위치에서 상기 광전 변환 반도체 소자의 다수의 화소를 통하여 다른 이미지가 감지되는 단계;

e) 상기 다른 이미지의 데이터가 저장되는 단계;

f) 상기 스캐너부의 위치를 이동하여 상기 (c)단계 내지 상기 (e)단계를 반복 실시하는 단계; 및

g) 상기 광전 변환 반도체 소자의 위치에 따라 저장된 상기 데이터를 비교 분석하여 분해능이 향상된 결과 이미지의 데이터가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.
제8항에 있어서,

상기 스캐너부가 이동한 거리는 서로 인접한 상기 화소 사이의 거리 보다 작은 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.
제8항에 있어서,

상기 스캐너부가 상기 평면상에서 수평 또는 수직 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.
제8항 또는 제10항에 있어서,

상기 스캐너부가 상기 평면상에서 이동하는 방향은 직전의 이동 방향과 다른 것을 특징으로 하는 이미지 센서에 의한 이미지 감지 방법.