KR20080003361A - 형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자 - Google Patents

형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자 Download PDF

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스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤
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Abstract

형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자가 제공된다. 형광체는 다음 식 (1) 로 표시되는 화합물을 함유한다.
M1 3 (1-x)Eu3xM2 mM3 nO3+m+2n … (1)
M1 은 Ba, Sr 및 Ca 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개, M2 는 Mg 및 Zn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개, M3 은 Si 및 Ge 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개이고, m, n 및 x 는, 0.9 ≤ m ≤ 1.1, 1.8 ≤ n ≤ 2.2, 및 0.00016 ≤ x < 0.003 을 만족한다. 형광체 페이스트는 형광체 및 임의의 유기 바인더, 용제를 함유한다. 발광 소자는 형광체 및 임의의 형광체의 여기원을 함유한다.
형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자

Description

형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자{PHOSPHOR, PHOSPHOR PASTE AND LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자에 관한 것이다.
형광체는, 브라운관 (CRT), 필드 에미션 디스플레이 (FED), 표면 전계 디스플레이 (SED) 와 같은 전자선 여기 발광 소자, 액정 디스플레이용 백라이트, 3 파장형 형광 램프, 고부하 형광 램프와 같은 자외선 여기 발광 소자, 플라즈마 디스플레이 패널 (PDP), 희가스 램프와 같은 진공 자외선 여기 발광 소자 등에 사용되고 있다. 전자선 여기 발광 소자, 자외선 여기 발광 소자 및 진공 자외선 여기 발광 소자는, 기판, 형광체층 및 형광체층을 여기하여 발광시키는 여기원 (勵起源) 으로 이루어지고, 통상적으로, 형광체층은 형광체, 유기 바인더 및 용제를 혼합하여 형광체 페이스트를 얻고, 이것을 기판에 도포하여 고온 (예를 들어, 500℃) 으로 열처리함으로써 형성된다.
형광체로서 Me3MgSi2O8 : Eu〔Me 는 알칼리 토금속이다〕와 같이 각종 화합물이 알려져 있다 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2004-026922호).
그러나, 발광 소자의 성능 향상이라는 관점에서 발광 특성 (예를 들어, 충분 한 휘도를 나타내고, 또한 열처리를 경유하여 형광체층을 형성했을 때, 휘도 저하가 적다) 을 개량한 형광체가 요망되고 있었다.
본 발명의 목적은, 충분한 휘도를 나타내고, 또한 열처리를 경유하여 형광체층을 형성했을 때 휘도 저하가 적은 형광체를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 고휘도의 형광체층을 형성하는 형광체 페이스트를 제공하고, 나아가 고휘도의 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 형광체에 대해서 예의 연구한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 식 (1) 로 표시되는 화합물을 함유하는 형광체를 제공한다.
M1 3 (1-x)Eu3xM2 mM3 nO3+m+2n … (l)
식 (1) 중, M1 은 Ba, Sr 및 Ca 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개, M2 는 Mg 및 Zn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개, M3 는 Si 및 Ge 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개이고, m, n 및 x 는,
0.9 ≤ m ≤ 1.1,
1.8 ≤ n ≤ 2.2, 및
0.00016 ≤ x <0.003 을 만족한다.
본 발명은, 상기 형광체를 함유하는 형광체 페이스트를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 형광체를 함유하는 발광 소자를 제공한다.
도 1 은 형광체 1 ∼ 5 및 8 ∼ 10 으로 얻어진 형광체의 상대 휘도와 형광체의 Eu 량〔식 (1) 에 있어서의 x 의 값〕의 관계를 나타낸다. (○ : 형광체층의 상대 휘도, ● : 형광체의 상대 휘도)
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
형광체
본 발명의 형광체는, 상기 식 (1) 로 표시되는 화합물을 함유한다.
식 (1) 중, M1 은 바륨 (Ba) 단독, 스트론튬 (Sr) 단독, 칼슘 (Ca) 단독, Ba와 Sr 의 조합, Ba 와 Ca 의 조합, Sr 과 Ca 의 조합, Ba, Sr 및 Ca 의 조합으로 이루어진다. M1 은, 바람직하게는 Ba, Sr 및 Ca 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2 개, 즉, Ba 와 Sr 의 조합, Ba 와 Ca 의 조합, Sr 과 Ca 의 조합, Ba, Sr 및 Ca 의 조합으로 이루어지고, 더욱 바람직하게는 Ba 와 Sr 의 조합, Sr 과 Ca 의 조합, Ba, Sr 및 Ca 의 조합으로 이루어진다.
M2 는 마그네슘 (Mg) 단독, 아연 (Zn) 단독, Mg 와 Zn 의 조합으로 이루어지고, 바람직하게는 Mg 로 이루어진다.
M3 은 규소 (Si) 단독, 게르마늄 (Ge) 단독, Si 와 Ge 의 조합으로 이루어지 고, 바람직하게는 Si 로 이루어진다.
m 은 0.9 이상, 바람직하게는 0.93 이상, 더욱 바람직하게는 0.96 이상이고, 1.1 이하, 바람직하게는 1.08 이하, 더욱 바람직하게는 1.05 이하이다.
n 은 1.8 이상, 바람직하게는 1.9 이상, 더욱 바람직하게는 1.95 이상이고, 2.2 이하, 바람직하게는 2.1 이하, 더욱 바람직하게는 2.05 이하이다.
x 는 0.00016 이상, 바람직하게는 0.00033 이상, 더욱 바람직하게는 0.0007 이상이고, 0.003 미만, 바람직하게는 0.0027 이하, 더욱 바람직하게는 0.002 이하이다.
식 (1) 로 표시되는 화합물 중, M1 이 Ba 와 Sr의 조합, M2 가 Mg, M3 가 Si로 이루어지고, 식 (2) 로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(Ba3 -a-3 xSraEu3x)MgSi2O8 … (2)
식 (2) 중, a 는 통상적으로 1.5 이상, 더욱 바람직하게는 2.0 이상, 더더욱 바람직하게는 2.2 이상이고, 통상적으로 2.7 이하, 더욱 바람직하게는 2.65 이하, 더더욱 바람직하게는 2.6 이하이다. x 는 상기 식 (1) 의 x 와 동일하다.
식 (1) 로 표시되는 화합물 중, M1 이 Ba, Sr 및 Ca 의 조합, M2 가 Mg, M3 이 Si 로 이루어지고, 식 (3) 으로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(Ba3 -a-b-3 xSraCabEU3x)MgSi2O8 … (3)
식 (3) 중, a 는 통상적으로 1.5 이상, 바람직하게는 1.8 이상, 더욱 바람직 하게는 2.0 이상이고, 통상적으로 2.7 이하, 바람직하게는 2.6 이하, 더욱 바람직하게는 2.5 이하이다. b 는 통상적으로 0 을 초과하고, 바람직하게는 0.03 이상, 더욱 바람직하게는 0.08 이상이고, 통상적으로 0.4 이하, 바람직하게는 0.35 이하, 더욱 바람직하게는 0.25 이하이다. x 는 상기 식 (1) 의 x 와 동일하다. 또한, a, b, x 는 a + b + 3x < 3 을 만족한다.
또한, 식 (1) 로 표시되는 화합물 중, M1 이 Sr 과 Ca 의 조합, M2 가 Mg, M3 가 Si 로 이루어지고, 식 (4) 로 표시되는 화합물이 바람직하다.
(Sr3 -c-3 xCacEu3x)MgSi2O8 … (4)
식 (4) 중, c 는 통상 0 을 초과하고, 바람직하게는 0.00016 이상, 더욱 바람직하게는 0.03 이상이고, 통상적으로 0.9 이하, 바람직하게는 0.8 이하, 더욱 바람직하게는 0.6 이하이다. x 는 상기 식 (1) 의 x 와 동일하다.
형광체는, 또한 알루미늄 (Al), 스칸듐 (Sc), 이트륨 (Y), 란탄 (La), 가돌리늄 (Gd), 세륨(Ce), 프라세오디뮴 (Pr), 네오디뮴 (Nd), 사마륨(Sm), 테르븀 (Tb), 디스프로슘 (Dy), 홀뮴 (Ho), 에르븀 (Er), 툴륨 (Tm), 이테르븀 (Yb), 루테튬 (Lu), 비스무트 (Bi) 또는 망간 (Mn) 을 함유해도 된다. 이들은 단독, 또는 2 이상 함유해도 된다. 이들의 함유량은, 형광체 전체 중량에 대해서 통상적으로 약 100ppm 이상, 약 50000ppm 이하이다.
본 발명의 형광체는, 소성에 의해서 식 (1) 로 표시되는 화합물 및 상기 부활제를 함유하는 형광체로 이루어지는 금속 화합물의 혼합물을 소성함으로써 제조 하면 되고, 예를 들어, 금속 화합물을 칭량하여, 형광체 중의 금속 원소의 몰비를 만족하는 혼합물을 얻고, 이어서 혼합물을 소성하면 된다.
금속 화합물은 Ca, Sr, Ba, Mg, Zn, Si, Ge, Eu, Al, Sc, Y, La, Gd, Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi, Mn 의 화합물이고, 예를 들어, 산화물, 또는 고온에서 분해 또는 산화물이 되는 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염이면 된다. 후술하는 바와 같이 플럭스로서 할로겐화물을 첨가하는 대신에 금속 화합물로서 금속 할로겐화물, 더욱 바람직하게는 금속 불화물, 금속 염화물을 사용해도 된다.
형광체는 소성에 의해서 식 (1) 로 표시되는 화합물로 이루어지는 금속 화합물의 혼합물을 소성함으로써 제조하면 되고, 예를 들어, 금속 화합물을 칭량하고 혼합하여 형광체의 금속 원소의 비율과 동일한 금속 화합물의 혼합물을 얻고, 금속 화합물의 혼합물을 소성함으로써 제조하면 된다. 예를 들어, 식 (Ba0.495Sr2.5Eu0.005)MgSi2O8 로 표시되는 화합물은 BaCO3, SrCO3, MgO, SiO2, Eu2O3 를 Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.495 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 금속 화합물의 혼합물을 얻고, 금속 화합물의 혼합물을 소성하면 된다.
Sr2 .895Ca0 .1Eu0 .005MgSi2O8 로 표시되는 화합물은, SrCO3, CaCO3, MgO, SiO2, Eu2O3 을 Sr : Ca : Mg : Si : Eu 의 몰비가 2.895 : 0.1 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 금속 화합물의 혼합물을 얻고, 금속 화합물의 혼합물을 소성하면 된다.
또한, Ba0 .995Sr2Eu0 .005MgSi2O8 로 표시되는 화합물은, BaCO3, SrCO3, MgO, SiO2, Eu2O3 을 Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.995 : 2.0 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 금속 화합물의 혼합물을 얻고, 금속 화합물의 혼합물을 소성하면 된다.
혼합은, 예를 들어 볼밀, V형 혼합기, 교반기와 같은 장치를 사용하여 실시하면 된다. 금속 화합물의 혼합물이, 고온에서 분해 또는 산화되어 산화물이 되는 금속의 수산화물, 탄산염, 질산염, 할로겐화물, 옥살산염을 함유하는 경우, 소성 전에 혼합물을 예비 소성하여도 된다. 예비 소성는 약 400℃ 이상, 약 1200 ℃ 미만, 바람직하게는 1100℃ 미만에서 실시하면 되고, 예비 소성는 불활성 가스 분위기 하, 산화성 분위기 하, 환원성 분위기 하 중 어디에서 실시해도 된다. 또한 예비 소성된 혼합물을 분쇄해도 된다.
소성은 예를 들어, 다음의 조건으로 실시하면 된다.
온도 : 약 900℃ 이상, 바람직하게는 약 1100℃ 이상, 약 1500℃ 이하, 바람직하게는 약 1400℃ 이하,
유지 시간 : 약 0.5 시간 이상, 약 100 시간 이내,
분위기 : 수소를 약 0.1 ∼ 약 10 체적％ 함유하는 질소, 수소를 약 0.1 ∼ 약 10 체적％ 함유하는 아르곤 등의 환원성 가스.
본 제조 방법에서는 소성 전에 금속 화합물의 혼합물에 탄소를 첨가해도 된다. 탄소를 첨가함으로써, 소성은 더욱 강한 환원 분위기에서 실시된다. 또한, 소성 전에 금속 화합물의 혼합물에 플럭스를 첨가해도 된다. 플럭스를 첨가함으로써, 고결정성의 형광체 또는 평균 직경이 큰 형광체를 얻을 수 있다. 플럭스는, 예를 들어, LiF, NaF, KF, LiCl, NaCl, KCl, Li2CO3, Na2CO3, K2CO3, NaHCO3, NH4Cl, NH4I, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2, MgCl2, CaCl2, SrCl2, BaCl2, MgI2, CaI2, SrI2, BaI2 이다. 소성은 통상적으로 1 회 실시하면 되는데, 2 회 이상 실시해도 된다.
형광체는 분쇄, 세정 또는 분급해도 된다. 분쇄, 분급은 형광체의 입도를 조정할 수 있는 장치로 실시하면 되고, 예를 들어, 분쇄는 볼밀, 제트밀에 의해 서 실시하면 되고, 분급은 체, 사이클론으로 실시하면 된다.
상기 형광체는 전자선, 자외선 또는 진공 자외선의 조사 하에서 충분한 휘도의 청색을 발광하고, 또한 형광체층을 형성했을 때, 휘도 저하가 적고 높은 휘도의 형광체층을 얻을 수 있으므로, CRT, FED, SED 와 같은 전자선 여기 발광 소자, 액정 디스플레이용 백라이트, 3 파장형 형광 램프, 고부하 형광 램프와 같은 자외선 여기 발광 소자, PDP, 희가스 램프와 같은 진공 자외선 여기 발광 소자에 바람직하게 사용된다. 또한, 형광체는 충분한 휘도를 나타내므로 백색 LED 에 사용해도 된다.
형광체 페이스트
본 발명의 형광체 페이스트는 상기 형광체를 함유하고, 통상적으로 형광체 및 바인더, 용제와 같은 유기물을 함유한다.
바인더는 예를 들어, 셀룰로오스계 수지 (에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 아세틸셀룰로오스, 셀룰로오스프로피오네이트, 히드록시프로필 셀룰로오스, 부틸셀룰로오스, 벤질셀룰로오스, 변성 셀룰로오스 등), 아크릴계 수지 (아크릴산, 메타크릴산, 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 이소프로필 아크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 페녹시아크릴레이트, 페녹시메타크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트, 이소보르닐메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 스티렌, α-메틸스티렌아크릴아미드, 메타아크릴아미드, 아크릴로니트릴, 메타아크릴로니트릴 등의 단량체 중 적어도 1 종의 중합체), 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐알코올, 프로필렌글리콜, 폴리에틸렌옥사이드, 우레탄계 수지, 멜라민계 수지, 페놀 수지이다.
바인더의 양은 형광체 100 중량부에 대해서 통상적으로 약 0.01 중량부 이상, 바람직하게는 약 0.1 중량부 이상, 더욱 바람직하게는 1 중량부 이상이고, 통상적으로 약 100 중량부 이하, 바람직하게는 약 80 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 약 50 중량부 이하이다.
용제는 예를 들어, 1 가 알코올 중 고비점의 것 ; 에틸렌글리콜이나 글리세린으로 대표되는 디올이나 트리올 등의 다가 알코올 ; 알코올을 에테르화 또는 에스테르화시킨 화합물 (에틸렌글리콜모노알킬에테르, 에틸렌글리콜디알킬에테르, 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트, 디에 틸렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜모노알킬에테르, 프로필렌글리콜디알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬아세테이트) 이다.
용제의 양은 형광체 100 중량부에 대해서 통상적으로 약 80 중량부 이상, 바람직하게는 약 100 중량부 이상이고, 통상적으로 약 400 중량부 이하, 바람직하게는 300 중량부 이하이다.
형광체 페이스트는 다른 형광체를 함유해도 된다. 다른 형광체로서는, 적색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 또한 상기 형광체 이외의 청색 발광 형광체를 들 수 있다.
적색 발광 형광체는, 자외선과 같은 광 조사 하에서 적색을 발광하는 것이면 되고, 예를 들어, 3 가의 유로퓸 부활 산화이트륨 (Y2O3 : Eu), 3 가의 유로퓸 부활 산황화이트륨 (Y2O2S : Eu) 을 들 수 있다.
녹색 발광 형광체는, 광 조사 하에서 녹색을 발광하는 것이면 되고, 예를 들어, 세륨, 테르븀 부활 인산란탄 (LaPO4 : Ce, Tb), 테르븀 부활 세륨·테르븀·마그네슘·알루미늄 ((CeTb)MgAl11O19 : Tb), 테르븀 부활 붕산이트륨 (YBO3 : Tb), 망간 부활 규산아연 (Zn2SiO4 : Mn) 을 들 수 있다.
다른 청색 발광 형광체는, 광 조사 하에서 청색을 발광하는 것이면 되고, 예를 들어, 유로퓸 부활 스트론튬인산염 Sr5(PO4)3Cl : Eu, 유로퓸 부활 스트론튬·바륨·칼슘인산염 (Sr, Ca, Ba)5(PO4)3Cl : Eu, 유로퓸 부활 바륨·마그네슘·알루미 늄 BaMg2Al16O27 : Eu, BaMgAl10O17 : Eu 를 들 수 있다.
형광체 페이스트는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평10-255671호에 기재된바와 같이, 형광체, 바인더 및 용제를 혼련하는 방법에 의해서 제조하면 된다. 혼련은 예를 들어, 볼밀이나 3 롤을 사용하여 실시하면 된다.
형광체 페이스트는 고휘도를 나타내는 형광체층의 형성에 사용된다.
형광체층은 예를 들어, 다음의 공정 (i) 및 (ii) 를 포함하는 방법에 따라 형성하면 된다.
(i) 형광체 페이스트를 기판에 도포하는 공정,
(ii) 얻어지는 기판을 열처리하는 공정.
기판은, 예를 들어, 재질이 유리, 수지 필름이고, 형상이 판상, 용기상, 또는 플렉시블이어도 된다.
도포는 예를 들어, 스크린 인쇄법, 잉크젯법을 사용하여 실시하면 된다.
열처리는, 형광체 페이스트 중의 유기물이 휘발, 연소 또는 분해되고, 또한 형광체의 특성 (발광 성능 등) 이 손상되지 않는 조건에서 실시하면 되고, 통상적으로 약 300℃ ∼ 약 600℃ 에서 가열하면 된다. 도포 후, 열처리 전에 기판을 실온 (약 25℃) ∼ 약 300℃ 에서 건조시켜도 된다.
상기의 형광체 페이스트는 전자선, 자외선 또는 진공 자외선의 조사 하에서 고휘도를 나타내는 형광체층을 제공하므로, 전자선 여기 발광 소자, 자외선 여기 발광 소자, 진공 자외선 여기 발광 소자에 바람직하게 사용된다.
발광 소자
본 발명의 발광 소자는, 상기의 형광체를 포함하고, 통상적으로 형광체와 형광체를 여기하는 여기원을 포함한다.
발광 소자는, 예를 들어, CRT, FED, SED 와 같은 전자선 여기 발광 소자; 액정 디스플레이용 백라이트, 3 파장형 형광 램프, 고부하 형광 램프와 같은 자외선 여기 발광 소자; PDP, 희가스 램프와 같은 진공 자외선 여기 발광 소자, 바람직하게는 진공 자외선 여기 발광 소자이다.
전자선 여기 발광 소자에서는 여기원은 전자총 또는 전자 방출부이고, 자외선 여기 발광 소자나 진공 자외선 여기 발광 소자에서는 전압이 인가되는 방전 공간부이다.
고부하 형광 램프 (램프 관벽의 단위 면적 당의 소비 전력이 큰 소형 형광 램프) 는, 예를 들어, 일본 공개특허공보 평10-251636호에 기재된 바와 같이, 공정 (a-1) ∼ (a-7) 을 포함하는 방법으로 제조하면 된다.
(a-1) 적색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체 및 상기의 청색 발광 형광체를 발광 소자의 발광색으로서 요구되는 색 (예를 들어, 백색) 이 되도록 칭량하고, 이들과 용매 (예를 들어, 폴리에틸렌옥사이드 수용액) 를 혼합하여 도포액을 얻는 공정,
(a-2) 도포액을 유리 밸브의 내면에 도포하는 공정,
(a-3) 얻어진 유리 밸브를 약 300℃ ∼ 약 600℃ 에서 열처리하여 형광체층을 형성하는 공정,
(a-4) 유리 밸브의 단부에 전극을 장착·봉지(封止)하는 공정,
(a-5) 밸브 내를 배기하여, 저압의 희가스 (Ar, Kr, Ne 등) 및 수은을 봉입(封入) 하는 공정
(a-6) 배기관을 봉절(封切) 하여 방전 공간을 형성하는 공정,
(a-7) 구금을 장착하는 공정.
고부하 형광 램프 이외의 자외선 여기 발광 소자 (예를 들어, 액정 디스플레이용 백라이트) 에 대해서도, 예를 들어 일본 공개특허공보 2005-068403호에 기재된 방법에 따라서 동일하게 제조하면 된다.
PDP는 일본 공개특허공보 평10-195428호에 기재된 바와 같이, 공정 (b-1) ∼ (b-4) 를 포함하는 방법에 따라서 제조하면 된다.
(b-1) 녹색 발광용 형광체, 적색 발광용 형광체 및 상기의 청색 발광용 형광체에 대해서, 각각, 형광체, 바인더 및 용매를 혼합하여, 형광체 페이스트을 제조하는 공정,
(b-2) 배면 기판 내면의 격벽으로 나누어져, 주소 전극을 구비한 스트라이프형의 기판 표면과 격벽면에, 청색 발광용 형광체 페이스트, 적색 발광용 형광체 페이스트 및 녹색 발광용 형광체 페이스트를, 각각 (스크린 인쇄 등에 의해서) 도포하고, 약 300℃ ∼ 약 600℃ 의 온도 범위에서 소성시켜 형광체층을 형성하는 공정,
(b-3) 얻어진 형광체층에 직교하는 방향의 투명 전극 및 버스 전극을 구비하고, 내면에 유전체층과 보호층을 형성한 표면 유리 기판을 겹쳐서 접착하는 공정,
(b-4) 배면 기판과 표면 유리 기판에 둘러싸인 내부를 배기하고 감압의 희가스 (Xe, Ne 등) 을 봉입하여 방전 공간을 형성하는 공정.
희가스 램프도 원료로서 상기의 형광체 페이스트을 사용하는 것 이외에, 공지된 방법과 동일한 조작에 따라서 제조하면 된다.
FED 는 예를 들어, 일본 공개특허공보 2002-138279호에 기재된 바와 같이 공정 (c-1) ∼ (c-4) 를 포함하는 방법에 의해서 제조하면 된다.
(c-1) 녹색 형광체, 적색 형광체 및 상기의 청색 형광체에 대해서, 각각 형광체, 바인더 및 용매를 혼합하여 형광체 페이스트을 제조하는 공정,
(c-2) 유리 기판 위에 각 액을 도포, 건조시키고, 각각 형광체층을 형성해 페이스 플레이트를 제작하는 공정,
(c-3) 페이스 플레이트와 다수의 전자 방출부를 형성하거나 리어 플레이트를 지지범위를 통하여 조립하는 공정,
(c-4) 페이스 플레이트와 리어 플레이트의 간극을 진공 배기하여 봉지(封止)하는 공정.
SED 는, FED 와 동일하게 제조하면 되는데, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2002-83537호의 단락 번호 0182 ∼ 0189 에 개시된 방법으로 제조하면 된다.
또한, 발광 소자는 형광체와 LED 를 함유하는 백색 LED 이어도 된다. LED는 형광체의 여기원으로서, 예를 들어, 파장 200 ㎚ ∼ 410 ㎚ 의 광을 발하는 자외 LED, 파장 410 ∼ 550 ㎚ 의 광을 발하는 청색 LED 이고, 바람직하게는 청색 LED 이다. LED 는 시판품을 사용하면 된다.
백색 LED 는 예를 들어, 형광체와 수지 (에폭시 수지, 폴리카보네이트, 실리콘 고무와 같은 투명성 수지) 를 혼합하여 얻어진 형광체가 분산된 수지로 LED 를 포위하는 방법 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평5-152609호, 일본 공개특허공보 평7-99345호), LED를 수지 (에폭시 수지와 같은 투명성 수지) 로 봉지(封止)하고, 그 위에 형광체를 고정시키는 방법 (예를 들어, 일본 공개특허공보 평11-31845호, 일본 공개특허공보 2002-226846호) 에 의해서 제조하면 된다.
실시예
본 발명을 실시예에 의해서 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
형광체 페이스트의 제조 : 형광체 33 중량부, 에틸셀룰로오스 7 중량부, 및, 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르와 디에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르아세테이트의 혼합물 60 중량부를 혼련하여 형광체 페이스트를 조제하였다.
형광체층의 형성 : 유리 기판 상에 형광체 페이스트를 도포하고, 100℃ 에서 건조, 이어서 대기 분위기 하, 500℃ 에서 30 분간 열처리하여 두께 약 20 ㎛ 의 형광체층을 형성하였다.
휘도의 측정 : 형광체 (또는 형광체층이 형성된 유리 기판) 를 6.7Pa (5 × 10-2torr) 이하의 진공조 내에 두고, 146 ㎚ 램프 (우시오 전기사 제조, H0012형) 를 사용하고 진공 자외선을 조사하여 발광 휘도를 분광 방사계 (주식회사 톱콘 제조 SR-3) 를 사용하여 측정하였다.
형광체의 소성 분석 : GD-MS 분석 장치 (글로우 방전 질량 분석 장치, 장치명 VG9000, VG Elemental 사 제조) 를 사용하여 형광체의 조성을 구하였다.
참조예 1
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상) 과 탄산 스트론튬 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상) 과 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상) 과 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 와 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 을 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.4999 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.0001 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98 체적％ 질소 - 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2 시간 소성하여, (Ba0 .4999Sr2 .5Eu0 .0001)MgSi2O8 로 표시되는 화합물로 이루어지는 형광체 1 을 얻었다. 형광체 1 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
실시예 1
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.4995 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.0005 로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여, (Ba0 .4995Sr2 .5Eu0 .0005)MgSi2O8 로 표시되는 화합물로 이루어지는 형광체 2 를 얻었다. 형광체 2 의 평가 결과를 표 1 에 나타내었다.
실시예 2
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.499 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.001 로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 3 을 얻었다. 형광체 3 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
실시예 3
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.497 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.003 으로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 4 를 얻었다. 형광체 4 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
실시예 4
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.495 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.005 로 변경한한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 5 를 얻었다. 형광체 5 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
실시예 5
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.495 : 2.5 : 1.05 : 2.0 : 0.005 로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 6 을 얻었다. 형광체 6 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
실시예 6
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.495 : 2.5 : 0.98 : 1.97 : 0.005 로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 7 을 얻었다. 형광체 7 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
실시예 7
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.492 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.008 로 변경한 한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 8 을 얻었다. 형광체 8 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
비교예 2
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.49 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.01 로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 9 를 얻었다. 형광체 9 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
비교예 3
Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.48 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.02 로 변경한 것 이외에, 참조예 1 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 10 을 얻었다. 형광체 10 의 모든 물성을 표 1 에 나타내었다.
Figure 112007075676710-PCT00001
실시예 8
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 탄산 칼슘 (우베 마테리얼즈 주식회사 제조 : 순도 99.9％), 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％, 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 을 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Ca : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.995 : 2.0 : 0 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98 체적％ 질소 - 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2시간 소성하여 형광체 11 을 얻었다. 형광체 11 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다.
실시예 9
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 탄산 스트론튬 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％, 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 를 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.995 : 2.0 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98 체적％ 질소- 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2 시간 소성하여 형광체 12 를 얻었다. 형광체 12 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다.
실시예 10
탄산 칼슘 (우베 마테리얼즈 주식회사 제조 : 순도 99.9％), 탄산 스트론튬 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％, 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 을 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Sr : Ca : Mg : Si : Eu 의 몰비가 2.895 : 0.1 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98 체적％ 질소 - 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2시간 소성하여 형광체 13 을 얻었다. 형광체 13 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다.
실시예 11
Ba : Ca : Mg : Si : Eu 의 몰비를 2.895 : 0.1 : 1.0 : 2.0 : 0.005 로 변경한 것 이외에, 실시예 8 과 동일한 조작을 실시하여 형광체 14 를 얻었다. 형광체 14 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다.
실시예 12
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 탄산 칼슘 (우베 마테리얼즈 주식회사 제조 : 순도 99.9％), 탄산 스트론튬 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％, 산화 유로퓸 (신에츠화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 를 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Sr : Ca : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.395 : 2.5 : 0.1 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣고, 98 체적％ 질소 - 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2 시간 소성하여 형광체 15 를 얻었다. 형광체 15 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다.
실시예 13
Ba : Sr : Ca : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.295 : 2.5 : 0.2 : 1.0 : 2.0 :
0.005 로 변경한 것 이외에, 실시예 12 와 동일한 조작을 실시하여 형광체 16 을 얻었다.
실시예 14
Ba : Sr : Ca : Mg : Si : Eu 의 몰비를 0.495: 2.1 : 0.4 : 1.0 : 2.0 : 0.005 로 변경한 이외에, 실시예 12 와 동일한 조작을 실시하여 형광체 17 을 얻었다.
실시예 15
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 염화 스트론튬 6수화물 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.9％), 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사제조 : 순도 99.99％), 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 를 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Sr : Mg : Si : Eu 의 몰비가 0.495 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.005 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98 체적％ 질소 - 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2 시간 소성하여 형광체 18 을 얻었다. 형광체 18 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다. 또한, 형광체 18 의 Cl 함유량은 전체 중량에 대해서 900 ppm 이었다.
실시예 16
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 염화 스트론튬 6 수화물 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.9％), 염기성 탄산 마그네슘 (쿄와 화학공업주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％), 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％), 산화 이트륨 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％) 를 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Sr : Mg : Si : Eu : Y 의 몰비가 0.495 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.005 : 0.01 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98체적％ 질소 -2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2 시간 소성하여 형광체 19 를 얻었다. 형광체 19 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다. 또한, 형광체 19 의 Y 함유량은 전체 중량에 대해서 1800ppm 이었다.
실시예 17
탄산 바륨 (닛폰 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 염화 스트론튬 6 수화물 (사카이 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.9％), 염기성 탄산마그네슘 (쿄와 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상), 이산화 규소 (닛폰 아에로질 주식회사 제조 : 순도 99.99％), 산화 유로퓸 (신에츠 화학공업 주식회사 제조 : 순도 99.99％), 수산화 알루미늄 (스미토모 화학 주식회사 제조 : 순도 99％ 이상) 을 칭량하고, 건식 볼밀로 4 시간 혼합하여, Ba : Sr : Mg : Si : Eu : Al 의 몰비가 0.495 : 2.5 : 1.0 : 2.0 : 0.005 : 0.02 인 혼합물을 얻고, 혼합물을 알루미나 보트에 넣어, 98 체적 ％ 질소 - 2 체적％ 수소의 혼합 가스로 이루어지는 환원 분위기 하, 1200℃ 에서 2시간 소성하여 형광체 20 을 얻었다. 형광체 20 의 모든 물성을 표 2 에 나타내었다. 또한, 형광체 20 의 Al 함유량은 전체 중량에 대해서 1100ppm 이었다
Figure 112007075676710-PCT00002
본 발명의 형광체는 충분한 휘도를 나타내고, 또한 열처리를 경유하여 형광 체층을 형성하였을 때 고휘도의 형광체층을 얻을 수 있으므로, 전자선 여기 발광 소자, 자외선 여기 발광 소자, 진공 자외선 여기 발광 소자에 바람직하게 사용된다.

Claims (14)

  1. 다음 식 (1) 로 표시되는 화합물을 함유하는 형광체로서,
    M1 3 (1-x)Eu3xM2 mM3 nO3+m+2n … (1)
    M1 은 Ba, Sr 및 Ca 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상,
    M2 는 Mg 및 Zn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상,
    M3 는 Si 및 Ge 로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상이고,
    m, n 및 x 는,
    0.9 ≤ m ≤ 1.1,
    1.8 ≤ n ≤ 2.2, 및
    0.00016 ≤ x < 0.003 을 만족하는 형광체.
  2. 제 1 항에 있어서, M1 이 Ba, Sr 및 Ca 로 이루어지는 군에서 선택되는 2종 이상인 형광체.
  3. 제 1 항에 있어서, M2 가 Mg 인 형광체.
  4. 제 1 항에 있어서, M3 이 Si 인 형광체.
  5. 제 1 항에 있어서, 다음 식 (2) 로 표시되는 화합물을 함유하는 형광체로서,
    (Ba3 -a-3 xSraEu3x)MgSi2O8 … (2)
    a 및 x 는,
    1.5 ≤ a ≤ 2.7, 및
    0.00016 ≤ x < 0.003 을 만족하는 형광체.
  6. 제 1 항에 있어서, 다음 식 (3) 으로 표시되는 화합물로 이루어지는 형광체로서,
    (Ba3 -a-b-3 xSraCabEU3x)MgSi2O8 … (3)
    a, b 및 x 는,
    1.5 ≤ a ≤ 2.7,
    0 < b ≤ 0.4,
    0.00016 ≤ x < 0.003, 및
    a + b + 3x < 3 을 만족하는 형광체.
  7. 제 1 항에 있어서, 다음 식 (4) 로 표시되는 화합물을 함유하는 형광체로서,
    (Sr3 -c-3 xCacEu3x)MgSi2O8 … (4)
    c 및 x 는,
    0 < c ≤ 0.9, 및
    0.00016 ≤ x <0.003 을 만족하는 형광체.
  8. 제 1 항에 있어서, Al, Sc, Y, La, Gd, Ce, Pr, Nd, Sm, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Bi 및 Mn 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상을 추가로 함유하는 형광체.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 형광체를 함유하는 형광체 페이스트.
  10. 제 9 항에 있어서, 유기 바인더 및 용제를 추가로 함유하는 형광체 페이스트.
  11. (i) 형광체 페이스트를 기판에 도포하는 공정, 및
    (ii) 얻어진 기판을 열처리하는 공정을 포함하는 형광체층의 형성 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 형광체를 함유하는 발광 소자.
  13. 제 12 항에 있어서, 형광체의 여기원 (勵起源) 을 추가로 함유하는 발광 소자.
  14. 제 12 항에 있어서, 전자선 여기 발광 소자, 자외선 여기 발광 소자, 진공 자외선 여기 발광 소자 및 백색 LED 에서 선택되는 발광 소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100846483B1 (ko) * 2007-03-30 2008-07-17 삼성전기주식회사 Ｂａ-Ｓｒ-Ｃａ 함유 화합물 및 이를 포함한 백색 발광소자
JP2008297505A (ja) * 2007-06-04 2008-12-11 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 電子線励起用白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
JP2009040944A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、及び、画像表示装置
KR100958700B1 (ko) 2009-09-21 2010-05-18 금호전기주식회사 산질화물 형광체, 그 제조방법 및 발광장치
WO2011129397A1 (ja) * 2010-04-14 2011-10-20 宇部マテリアルズ株式会社 ケイ酸塩系青色発光蛍光体及びその製造方法
JP5770205B2 (ja) * 2010-11-22 2015-08-26 宇部マテリアルズ株式会社 高い発光特性と耐湿性とを示すケイ酸塩蛍光体及び発光装置
KR20140016909A (ko) * 2011-02-28 2014-02-10 우베 마테리알즈 가부시키가이샤 청색 발광 형광체 및 그 청색 발광 형광체를 사용한 발광 장치
JP5736272B2 (ja) * 2011-08-09 2015-06-17 宇部マテリアルズ株式会社 青色発光蛍光体及び該青色発光蛍光体を用いた発光装置
US9011718B2 (en) 2012-09-25 2015-04-21 Ube Material Industries, Ltd. Blue light-emitting phosphor and light-emitting device using the blue light-emitting phosphor
CN104403668B (zh) * 2014-12-10 2017-02-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种硅酸盐绿色荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1353354A4 (en) * 2001-10-23 2007-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd PLASMA SCREEN COMPONENT
TWI290329B (en) * 2001-10-30 2007-11-21 Hitachi Ltd Plasma display device, luminescent device and image and information display system using the same
JP4122752B2 (ja) * 2001-10-30 2008-07-23 株式会社日立製作所 発光装置
CN101420004B (zh) * 2002-02-15 2012-07-04 三菱化学株式会社 光发射器件及使用其的照明器

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