KR20080000961A - 유기막을 채용한 전사필름 및 이를 이용한 금속막 형성방법 - Google Patents

유기막을 채용한 전사필름 및 이를 이용한 금속막 형성방법 Download PDF

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Abstract

유기막을 채용한 전사필름 및 이를 이용한 금속막 형성방법이 개시된다.
개시된 전사필름은, 용매를 사용하여 제거할 수 있는 유기막; 상기 유기막 위에 형성된 금속막;을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 개시된 금속막 형성방법은, (가)제1기판 위에, 유기막을 형성하는 단계와 상기 유기막 위에 금속막을 형성하는 단계를 포함하여, 전사필름을 형성하는 단계와; (나)상기 전사필름을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계와; (다)제2기판 위에, 상기 분리된 전사필름을 상기 금속막이 상기 제2기판을 향하도록 결합하는 단계; 및 (라)용매를 사용하여 상기 유기막을 상기 금속막으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

유기막을 채용한 전사필름 및 이를 이용한 금속막 형성방법{Transfer film having organic polymer and method for formation of metal thin layer using the transfer film}
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 전사필름을 보인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 의한 전사필름을 보인 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1실시예에 의한 금속막 형성방법을 보인 도면들이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제2실시예에 의한 금속막 형성방법을 보인 도면들이다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제3실시예에 의한 금속막 형성방법을 보인 도면들이다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제4실시예에 의한 금속막 형성방법을 보인 도면들이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제5실시예에 의한 금속막 형성방법을 보인 도면들이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10,15...제1기판 22...친수성 폴리머층
24...소수성 폴리머층 26...금속막
30,35,35'...전사필름 40,45...제2기판
50...형광층 60...접착층
본 발명은 전사필름 및 이를 이용한 금속막 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 유기막을 채용한 전사필름 및 이 전사필름을 이용한 전사방법을 사용하여 표면상태가 양호한 금속막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
금속막의 형성은 다양한 분야에서 이용된다. 예를 들면, 음극선관(CRT)이나 전계방출소자(FED)등의 화상표시장치에서는 형광층의 일면에 Al 금속막을 형성하는 메탈백 방식이 널리 채용되며, 이 경우 고품질의 금속막 형성이 중요한 과제가 된다. 이 메탈백 방식은 전자원으로부터의 전자에 의해 여기된 형광층으로부터 금속막 쪽을 향하여 발생된 빛을 반사하여, 보다 효율적으로 스크린의 전방면에 발광 에너지를 보내는 것과, 형광층에 도전성을 부여하여 전극의 역할을 하는 것을 목적으로 한 것이다. 따라서, 얇게 형성할 수 있으면서도 반사특성이 좋도록 표면상태가 우수한 금속막의 형성이 필요하다.
이러한 금속막을 형성하는 방법으로, 형광층 위에 평평한 금속막을 올리기 위해 유기고분자층을 형광층 위에 코팅하고 건조한 후 그 위에 금속막을 올리고, 다시 소성(firing)하여 상기 유기고분자층을 제거하는 방법이 사용되어 왔다. 그러 나 이러한 방법은 소성 과정에서 다량의 유기물을 발생시켜 금속막을 파괴시키고, 이에 따라 금속막이 불균일해진다는 문제점이 있다. 특히, 메탈백을 이루는 금속막이 불균일해지는 경우 고전압 구동시 아크방전이 발생되어 형광층을 열화시키게 된다.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 전사방식을 이용한 금속막 형성방법이 연구되고 있으나, 이러한 방법에서도 소성공정에 의해 유기고분자층을 제거하고 있어 이에 의해 금속막이 파괴되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 금속막을 손상시키지 않고 유기막의 제거가 가능한 유기막과 금속막으로 된 전사필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 기판에 이러한 전사필름을 형성하고 전사필름을 필요한 곳에 전사한 후 유기막을 제거함으로써 양질의 금속막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 전사필름은, 용매를 사용하여 제거할 수 있는 유기막과; 상기 유기막 위에 형성된 금속막;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 금속막 형성방법은, (가)제1기판을 준비하는 단계; (나)제1기판 위에, 유기막과 금속막을 적층하여 전사필름을 형성하는 단계; (다)상기 전사필름을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단 계; (라)제2기판 위에, 상기 분리된 전사필름을 상기 금속막이 상기 제2기판을 향하도록 결합하는 단계; 및 (마)용매를 사용하여 상기 유기막을 상기 금속막으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 금속막 형성방법은, (가)제1기판을 준비하는 단계; (나)제1기판 위에, 유기막과 금속막을 적층하여 전사필름을 형성하는 단계; (다)상기 전사필름을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계; (라)제2기판 위에 형광층을 형성하는 단계; (마)상기 제2기판 위에, 상기 분리된 전사필름을 상기 금속막이 상기 형광층 을 향하도록 결합하는 단계; 및 (바)용매를 사용하여 상기 유기막을 상기 금속막으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전사필름 및 이를 이용한 금속막 형성방법을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전사필름을 보이는 단면도이다. 전사필름(30)은 소수성폴리머층(24)과 소수성폴리머층(24) 위에 형성된 금속막(26)을 포함한다. 소수성폴리머층(24)은 예를 들면, poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 등과 같은 소수성 폴리머(hydrophobic polymer) 패밀리(family) 중 한가지로 구성될 수 있다. 이러한 전사필름(30)은, 금속막(26)을 필요로 하는 곳에 전사된 후, 유기용매를 사용하여 소수성폴리머층(24)이 제거되므로, 금속막(26)이 손상되지 않아 표면상태가 좋은 금속막(26)을 필요한 곳에 제공할 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전사필름을 보이는 단면도이다. 전사필름(35)은 친수성폴리머층(22)과, 친수성폴리머층(22) 위에 형성된 소수성폴리머층(26)과, 소수성폴리머층(26) 위에 형성된 형성된 금속막(26)을 포함한다. 친수성폴리머층(22)은 예를 들면, poly alkyl(acrylic) acid, poly acrylamide, poly ethylene glycol, poly ethylene oxide, poly methyl vinyl ether, poly styrensulfonic acid, poly ethylene imine와 같은 친수성 폴리머(hydrophilic polymer)로 패밀리 중 한가지로 이루어질 수 있고, 소수성폴리머층(24)은 예를 들면, poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 등과 같은 소수성 폴리머(hydrophobic polymer) 패밀리(family) 중 한가지로 구성될 수 있다.
이러한 전사필름(35)은 금속막(26)을 필요로 하는 곳에 전사된 후, 물 및 유기용매를 사용하여 친수성폴리머층(22)과 소수성폴리머층(24)이 각각 제거될 수 있어 금속막(26)이 손상되지 않아 표면상태가 좋은 금속막(26)을 필요한 곳에 제공할 수 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제1실시예에 따른 금속막 형성방법을 보이는 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 제1기판(10) 위에 전사필름(30)을 형성한다. 전사필 름(30)은 소수성 폴리머층(24)과 금속막(26)을 포함하여 이루어진다. 소수성폴리머층(24)은 예를 들어, poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 등과 같은 소수성 폴리머(hydrophobic polymer) 패밀리(family) 중 한가지로 이루어질 수 있다. 전사필름(30)의 형성방법은 다음과 같다. 먼저 제1기판(10) 위에 소수성폴리머층(24)을 형성한다. 예를 들어, 용매를 테르피네올(terpineol)로 하여 농도가 대략 3~5% 인 PIBMA (polyisobutylmetaacrylate) 용액을 스핀 코팅하고 건조시킴으로써 소수성폴리머층(24)을 형성한다. 다음에, 소수성폴리머층(24) 위에 Al과 같은 금속막(26)을 스퍼터나 전자빔장비를 이용한 증착방법에 의해 형성한다. 여기서, 제1기판(10)은 제1기판(10) 위에 형성된 전사필름(30)이 제1기판(10)으로부터 잘 분리될 수 있도록 표면이 친수성(hydrophilic)이며, 또한 플렉서블(flexible)한 기판인 것이 좋다.
도 3b를 참조하면, 소수성폴리머층(24)과 금속막(26)으로 이루어진 전사필름(30)을 화살표방향을 따라 제1기판(10)으로부터 분리한다.
도 3c를 참조하면, 제2기판(40)위에 상기 분리된 전사필름(30)을 금속막(26)이 제2기판(40)을 향하도록 결합한다. 여기서 제2기판(40)은 금속막(26)을 최종적으로 형성하고자 하는 곳으로, 열에 안정하지 않아 스퍼터나 전자빔 장비를 이용하여 직접적으로 금속막을 형성하기 어려운 기판이다. 전사필름(35)을 제2기판(40)에 결합하기 전에, 금속막(26)이 제2기판(40)에 잘 밀착되도록 제2기판(40) 위에 접착층(60)을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
다음에, 용매를 사용하여 소수성폴리머층(24)을 제거한다. 용매로는, 예를 들면 아세톤과 같은 유기용매가 사용될 수 있다. 소수성폴리머층(24)의 제거 후 도 3d와 같이 금속막(26)이 완성된다.
상기 방법에 따라 제2기판(40) 상에 형성된 금속막(26)은 금속막(26)을 불균일하게 만드는 소성공정이 행해지지 않아 제1기판(10)에 형성되었을 때와 동일하게 매끈한 표면상태를 유지할 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 제2실시예에 따른 금속막 형성방법을 보이는 도면들이다.
도 4a를 참조하면, 제1기판(15) 위에 전사필름(35)을 형성한다. 전사필름(35)은 친수성폴리머층(22)과, 친수성폴리머층(22) 위에 형성된 소수성폴리머층(24)과, 소수성폴리머층(24) 위에 형성된 금속막(26)을 포함한다. 친수성폴리머층(22)은 예를 들어, poly alkyl(acrylic) acid, poly acrylamide, poly ethylene glycol, poly ethylene oxide, poly methyl vinyl ether, poly styrensulfonic acid, poly ethylene imine와 같은 친수성 폴리머(hydrophilic polymer)로 패밀리 중 한가지로 이루어질 수 있다. 또한, 소수성폴리머층(24)은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 등과 같은 소수성 폴리머(hydrophobic polymer) 패밀리(family) 중 한가지로 이루어질 수 있다. 전사필름(35)의 형성과정은 다음과 같다. 먼저, 제1기판(15)에 친수성폴리머층(22)을 형성한다. 예를 들어, 제1기판(15) 위에 농도가 대략 5~10%인 PVA (polyvinylalchol) 수용액을 스핀 코팅한 후 건조시 킴으로써, 친수성폴리머층(22)을 형성한다. 다음에, 친수성폴리머층(22) 위에 소수성폴리머층(24)을 형성한다. 예를 들어, 용매를 테르피네올(terpineol)로 하여 농도가 대략 3~5% 인 PIBMA (polyisobutylmetaacrylate) 용액을 스핀 코팅하고 건조시킨다. 다음, 소수성폴리머층(24) 위에 Al과 같은 금속막(26)을 스퍼터나 전자빔장비를 이용한 증착방법에 의해 형성한다. 제1기판(15)은 전사필름(35)이 제1기판(15)으로부터 잘 분리될 수 있도록 표면이 소수성(hydrophobic)이고 또한 플렉서블(flexible)한 기판인 것이 좋다.
도 4b를 참조하면, 전사필름(35)을 제1기판(15)으로부터 화살표방향을 따라분리한다.
도 4c를 참조하면, 제2기판(40) 위에 상기 분리된 전사필름(35)을 금속막(26)이 제2기판(40)을 향하도록 결합한다. 여기서 제2기판(40)은 금속막(26)을 최종적으로 형성하고자 하는 곳으로, 열에 안정하지 않아 스퍼터나 전자빔 장비를 이용하여 직접적으로 금속막의 형성이 어려운 경우이다. 전사필름(35)을 제2기판(40)에 결합하기 전에, 금속막(26)이 제2기판(40)에 잘 밀착되도록 제2기판(40) 위에 접착층(60)을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
다음에, 유기용매를 사용하여 소수성폴리머층(24)을 제거하고, 물을 이용하여 친수성폴리머층(22)을 제거한다. 유기용매로는 예를 들면 아세톤이 사용될 수 있다. 친수성폴리머층(22)과 소수성폴리머층(24)의 제거 후 도 4d와 같이 금속막(26)이 완성된다.
상기 방법에 따라 제2기판(40) 상에 형성된 금속막(26)은 금속막(26)을 불균 일하게 만드는 소성공정이 행해지지 않아 제1기판(15)에 형성되었을 때와 동일하게 매끈한 표면상태를 유지할 수 있다.
도 5a 내지 도 5g는 본 발명의 제3실시예에 의한 금속막 형성방법을 보이는 도면들이다. 제3실시예는 소정 형상을 가진 금속막을 형성하는 방법에 대한 것이다.
도 5a를 참조하면, 제1기판(15) 위에 친수성 폴리머층(22)을 형성하고, 친수성폴리머층(22) 위에 소수성폴리머층(24)을 형성한다.
다음에, 소수성폴리머층(24)을 패터닝하여, 도 5b와 같이, 소정 형상을 갖는 소수성폴리머층(24')을 형성한다. 패터닝되는 소수성폴리머층(24')의 형상은 형상은 제조하고자 하는 금속막의 형상에 따른다. 즉, 도시된 소수성폴리머층(24')의 형상은 예시적인 것이며, 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 친수성 폴리머층(22)과 상기 패터닝 된 소수성 폴리머층(24')위에 금속막(26)을 형성함으로써 제1기판(15)으로부터 분리될 전사필름(35')을 완성한다.
다음에, 도 5d와 같이, 제1기판(15)으로부터 전사필름(35')을 화살표방향을 따라 제1기판(15)으로부터 분리한다.
다음에, 도 5e와 같이 제2기판(40)에 상기 분리된 전사필름(35')을 상기 금속막(26)이 제2기판(40)을 향하도록 올려놓는다. 전사필름(35')을 제2기판(40)에 결합하기 전에, 금속막(26)이 제2기판(40)에 잘 밀착되도록 제2기판(40) 위에 접착층(60)을 형성하는 과정을 더 포함할 수 있다.
다음에, 용매를 사용하여 친수성폴리머층(22)과 소수성폴리머층(24)을 제거한다. 먼저, 물을 사용하여 친수성폴리머층(22)을 제거하는데, 이 때, 금속막(26)중에서 소수성 폴리머층(24')이 형성되어 있지 않은 부분의 금속막 부분이 함께 제거된다. 도 5f는 친수성 폴리머층(22)과 금속막(26)의 일부가 제거되어 소정 형상으로 패터닝 된 금속막(26')과 소수성 폴리머층(24)이 남은 형상을 보인다. 다음에, 유기용매를 사용하여 소수성 폴리머층(24')이 제거되면, 도 5g와 같이 패턴된 금속막(26')이 완성된다.
도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 제4실시예에 의한 금속막 형성방법이다. 제4실시예는, 제1실시예를 화상표시소자의 전면패널에 채용되는 메탈백의 형성에 응용한 것으로 제1실시예와 차이나는 부분을 중심으로 설명하기로 한다.
도 6a 내지 도 6b는 도 3a 내지 도 3b의 단계와 동일하다. 즉, 제1기판(10) 위에 소수성 폴리머층(24)과 금속막(26)을 포함하는 전사필름(30)을 형성한 후, 전사필름(30)을 제1기판(10)으로부터 분리한다.
도 6c를 참조하면, 제2기판(45)에 형광층(50)을 형성한다. 제2기판(45)은 예를 들면, FED와 같은 화상표시소자의 전면패널로 사용되는 것으로 글래스기판이 사용될 수 있다. 이 때, 형광층(50)이 형성되는 면적은 제조하고자 하는 패널의 액티브 영역을 고려하여 적절히 결정된다.
도 6d를 참조하면, 제1기판(10)으로부터 분리된 전사필름(30)을 금속막(26)이 형광층(50)을 향하도록 제2기판(45) 위에 결합한다. 전사필름(30)을 제2기판(45) 위에 결합하기 전에, 형광층(50) 주위로 접착층(60)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 접착층(60)의 높이를 형광층(50)의 높이보다 높게 형성하여, 형광층(50)과 금속막(26) 사이에 소정의 간격(g)이 생기도록 할 수 있다. 또한, 접착력을 적절히 조절하여, 상기 간격이 0이 되도록 할 수도 있다. 이렇게 함으로써, 금속막(26)을 형광층(50) 위에 접착시키는 과정에서 생길 수 있는 형광층(50)의 손상을 줄일 수 있게 된다.
다음에, 유기용매를 사용하여 소수성 폴리머층(24)을 제거하면 도 6e와 같이 형광층(50) 위에 형성된 금속막(26)이 완성된다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제5실시예에 의한 금속막 형성방법이다. 제5실시예는 제2실시예를 화상표시소자의 전면패널에 채용되는 메탈백의 형성에 응용한 것으로서 제2실시예와 차이나는 부분을 중심으로 설명하기로 한다.
도 7a 내지 도 7b는 도 4a 내지 도 4b의 단계와 동일하다. 즉, 제1기판(15) 위에 친수성폴리머층(22)과, 소수성폴리머층(24) 및 금속막(26)을 포함하는 전사필름(35)을 형성한 후, 전사필름(35)을 제1기판(15)으로부터 분리한다.
도 7c를 참조하면, 제2기판(45)에 형광층(50)을 형성한다.
도 7d를 참조하면, 제1기판(15)으로부터 분리된 전사필름(35)을 금속막(26)이 형광층(50)을 향하도록 제2기판(45) 위에 결합한다. 전사필름(30)을 제2기판(45) 위에 결합하기 전에, 형광층(50) 주위로 형광층(50)의 높이보다 높게 접착층(60)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 접착력을 적절히 조절함으로써, 형광층(50)과 금속막(26) 사이에 소정의 간격(g)이 생기게 하거나, 상기 간격이 0이 되도록 할 수 있다.
다음에, 물 및 유기용매를 사용하여 친수성폴리머층(22)과 소수성 폴리머층(24)을 순차적으로 제거하면, 도 7e와 같이 형광층(50) 위에 형성된 금속막(26)이 완성된다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 실시예는, 용매를 사용하여 제거할 수 있는 유기막과 금속막을 포함하는 전사필름으로써, 금속막을 손상시키지 않고 유기막을 제거할 수 있어, 양질의 금속막을 형성할 수 있게 한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 금속막 형성방법은 본 발명의 실시예의 전사필름을 이용하는 것으로서, 다음과 같은 이점을 가진다.
첫째, 금속막 위에 형성된 친수성 폴리머층 또는 소수성 폴리머층은 각각 물또는 유기용매를 사용하여 깨끗이 제거될 수 있으므로, 소성공정이 필요하지 않아 금속막이 파괴될 염려가 없다.
둘째, 이러한 방법은 직접적인 방법으로 금속막의 형성이 어려운 기판에 금속막을 형성해야 하는 경우 편리하게 이용 가능하다.
셋째, 화상표시장치의 형광층의 메탈백 형성에 사용된 경우, 표면상태가 좋아 반사효과가 높고 내전압 특성이 좋은 금속막이 제공되므로 고품질의 화상표시장치를 가능하게 한다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위 내에서 정해져야만 할 것이다.

Claims (29)

  1. 용매를 사용하여 제거할 수 있는 유기막;
    상기 유기막 위에 형성된 금속막;을 포함하는 전사필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기막은 소수성폴리머층인 것을 특징으로 하는 전사필름.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 소수성폴리머층은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine와 같은 소수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사필름.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기막은,
    친수성폴리머층과;
    상기 친수성폴리머층 위에 형성된 소수성폴리머층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 전사필름.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 소수성폴리머층은 소정 형상으로 패터닝 된 것을 특징으로 하는 전사필름.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 친수성폴리머층은 poly alkyl(acrylic) acid, poly acrylamide, poly ethylene glycol, poly ethylene oxide, poly methyl vinyl ether, poly styrensulfonic acid, poly ethylene imine 와 같은 친수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지고,
    상기 소수성폴리머층은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 와 같은 소수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사필름.
  7. (가)제1기판을 준비하는 단계
    (나)제1기판 위에, 유기막과 금속막을 적층하여 전사필름을 형성하는 단계;
    (다)상기 전사필름을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계;
    (라)제2기판 위에, 상기 분리된 전사필름을 상기 금속막이 상기 제2기판을 향하도록 결합하는 단계; 및
    (마)용매를 사용하여 상기 유기막을 상기 금속막으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, (라)단계는,
    상기 제2기판과 상기 유기막 사이에 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 유기막은 소수성폴리머층인 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 소수성폴리머층은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 와 같은 소수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1기판은 표면이 친수성인 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (마)단계는,
    상기 소수성 폴리머층을 유기용매를 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  13. 제7항에 있어서, 상기 유기막은,
    친수성폴리머층과, 상기 친수성폴리머층 위에 형성된 소수성폴리머층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 친수성폴리머층은 poly alkyl(acrylic) acid, poly acrylamide, poly ethylene glycol, poly ethylene oxide, poly methyl vinyl ether, poly styrensulfonic acid, poly ethylene imine 와 같은 친수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지고,
    상기 소수성폴리머층은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 와 같은 소수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 (나)단계는,
    상기 소수성폴리머층을 소정 형상을 갖도록 패터닝하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1기판은 표면이 소수성인 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  17. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 (마)단계는,
    상기 친수성 폴리머층을 물을 이용하여 제거하는 단계;
    상기 소수성 폴리머층을 유기용매를 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 (마)단계는,
    물을 이용하여, 상기 친수성 폴리머층과 상기 금속막 중 상기 친수성 폴리머층에 접해 있는 부분을 제거하는 단계;
    유기용매를 이용하여, 상기 소수성 폴리머층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  19. (가)제1기판을 준비하는 단계;
    (나)제1기판 위에, 유기막과 금속막을 적층하여 전사필름을 형성하는 단계;
    (다)상기 전사필름을 상기 제1기판으로부터 분리하는 단계;
    (라)제2기판 위에 형광층을 형성하는 단계;
    (마)상기 제2기판 위에, 상기 분리된 전사필름을 상기 금속막이 상기 형광층 을 향하도록 결합하는 단계; 및
    (바)용매를 사용하여 상기 유기막을 상기 금속막으로부터 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 유기막은 소수성폴리머층인 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 소수성폴리머층은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 와 같은 소수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 제1기판은 표면이 친수성인 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  23. 제19항에 있어서, 상기 (바)단계는,
    상기 소수성 폴리머층을 유기용매를 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  24. 제19항에 있어서, 상기 유기막은,
    친수성폴리머층과 상기 친수성폴리머층 위에 형성된 소수성폴리머층을 포함 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 친수성폴리머층은 poly alkyl(acrylic) acid, poly acrylamide, poly ethylene glycol, poly ethylene oxide, poly methyl vinyl ether, poly styrensulfonic acid, poly ethylene imine 와 같은 친수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지고,
    상기 소수성폴리머층은 poly alkyl acrylate, polydiene, polyolefin, poly acetone lactide, polysiloxane, polyoxirane, polystyrene, polypyridine 와 같은 소수성폴리머 패밀리 중 어느 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  26. 제24항에 있어서,
    상기 제1기판은 표면이 소수성인 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  27. 제24항에 있어서, 상기 (바)단계는,
    상기 친수성 폴리머층을 물을 이용하여 제거하는 단계;
    상기 소수성 폴리머층을 유기용매를 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  28. 제19항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (마)단계는,
    상기 제2기판과 유기막 사이에 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
  29. 제28항에 있어서, (마)단계는,
    상기 접착층을 상기 형광층 주위로 상기 형광층이 형성된 높이보다 높게 형성하고, 상기 금속막과 상기 접착층과의 접착력을 조절하여 상기 금속막과 상기 형광층 사이에 소정 거리가 형성되도록 상기 전사필름을 상기 제2기판 위에 결합하는 것을 특징으로 하는 금속막 형성방법.
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