KR20070115176A - 나노막대제조용 화학증착장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 챔버내에 기체화된 반도체재료를 주입하여 기판(21)상에 나노막대들(42)을 형성하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)에 있어서,상기 장치(200)는반응원료 기체를 포함한 반응개스들이 반응을 일으키도록 하기 위한 열원을 공급하는 혼합가스반응 열원부(11) 및 상기 기판(21)상에 상기 반응개스들을 통해 나노막대들을 성장시키기 위하여 베이스로서 나노입자를 성장시키는 위한 열원을 공급하는 나노물질형성 열원부(12)를 포함하여 이루어지며,상기 챔버는 상기 각각의 열원부(11,12)의해 영향을 받는 혼합가스반응 영역(C2) 및 나노물질형성 영역(C3)으로 구분된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서, 상기 반응원료 기체는 반응원료를 기체화시키기 위한 영역(C1)에 열원을 공급하는 반응원료기체화 열원부(10)를 더 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서, 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원의 온 도는 상기 혼합가스반응 열원부(11)에 의해 공급된 열원의 온도보다 낮은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 성장되는 과정은 상압(대기압)에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 열원이 공급되어 상기 반응개스들의 분압이 포화상태가 됨으로써 성장과정중 소결과정(sintering process)이 진행되어 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 성장되는 과정은 상압-100torr의 압력범위내에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원에 의해 상기 반응개스들의 분압이 포화상태가 되도록 열처리과정(annealing process)이 진행되어 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 저항가열 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 유도가열 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반응원료는 Ga금속인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반응원료는 TMGa(Trimethyl Gallium)금속 혹은 TMGa(Trimethyl Gallium)기체인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)은 상기 나노물질형성 열원부(12)에 위치된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200).
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