KR20070102927A - 고체촬상장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, MOS형 고체촬상장치에 있어서, 제조공정에서의 주입마스크 어긋남에 의한 흰 점(white spot)의 증가, 잔상전자 수의 증가 및 포화전자 수의 감소 등 특성열화를 억제한다.
P웰(201) 내부에, 광을 전하로 변환시켜 축적하는 N형 신호축적부(202)가 형성된다. 신호축적부(202) 위쪽의 P웰(201) 표면부에 P형 표면실드층(206)이 형성된다. 신호축적부(202)와 인접하도록 P웰(201) 상에 게이트전극(204)이 형성된다. 게이트전극(204)에서 보아 표면실드층(206)과는 반대쪽의 P웰(201) 표면부에 N형 드레인영역(205)이 형성된다. 표면실드층(206) 한 끝에 인접하도록 게이트전극(204) 아래쪽의 P웰(201) 표면부에 P형 판독제어층(208)이 추가로 형성된다.
고체촬상장치, 잔상전자, 포화전자, 표면실드층, 판독제어부
Description
도 1은, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치인 MOS이미지센서에서 2화소의 광전변환부 및 신호판독부의 구조를 나타낸 상면도.
도 2는, 도 1 MOS이미지센서의 A1-A2선 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치의 제조공정을 나타낸 단면도.
도 4는 종래 MOS이미지센서의 1화소 광전변환부 및 신호판독부 구조를 나타낸 상면도.
도 5는 도 4 MOS이미지센서의 Y1-Y2선 단면도.
[도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명]
101, 201 : 웰 102, 202 : 신호축적부(포토다이오드)
103, 203 : 게이트산화막 104, 204 : 게이트전극
105, 205 : 드레인영역 106, 206 : 표면실드층
107, 207 : 소자분리부(Shallow Trench Isolation)
208 : 판독제어층 209 : 화소분리층
210 : 오프리크방지층 211 : 레지스트
본 발명은 고체촬상장치에 관한 것이며, 특히 미세프로세스에 있어서 포토다이오드 등의 광전변화부로부터 신호전하를 판독하기 위한 판독트랜지스터 부분의 구조에 관한 것이다.
고체촬상장치 분야에 있어서, CCD이미지센서와 비교해 저 소비전력이며, 같은 CMOS프로세스를 사용함으로써 센서부분과 주변회로의 통합이 용이한 증폭형 MOS이미지센서 구조에 관한 많은 기술이 제안되었다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하면서, 특허문헌 1(일특개 2000-150847호 공보)에 개시된 MOS이미지센서 구조의 일례에 대해 설명한다. 도 4는 종래 MOS이미지센서의 광전변환부 및 신호판독부를 나타낸 상면도이며, 도 5는 도 4의 Y1-Y2선 단면도이다.
도 4 및 도 5에 나타낸 바와 같이, P웰(101) 내부에, 광을 전하로 변환시켜 축적하는 N형 확산층으로 이루어진 신호축적부(포토다이오드)(102)가 형성된다. 또 신호축적부(102)와 인접하도록 P웰(101) 상에 게이트산화막(103)을 개재하고 게이트전극(104)이 형성된다.
그리고 게이트전극(104)에서 보아 신호축적부(102)와는 반대쪽의 P웰(101) 표면부에 N형 확산층으로 이루어진 드레인영역(105)이 형성된다. 또 신호축적부(102) 위쪽의 P웰(101) 표면부에 P형 확산층으로 이루어지는 표면실드층(106)이 형성된다. 그리고 기판을 파 내려간 STI(Shallow Trench Isolation)로 이루어진 소 자분리부(107)가, 신호축적부(102), 드레인영역(105) 및 표면실드층(106)을 둘러싼다.
[특허문헌 1 : 일본특허공개공보 2000-150847호]
그러나 특허문헌 1에 개시된 고체촬상장치는, 전극이나 불순물영역의 위치어긋남에 기인하는 흰 점(white spot) 노이즈의 증가, 잔상전자 수의 증가 및 포화전자 수의 감소 등 특성열화의 변동이 크다는 문제점을 갖고 있다.
상기에 감안하여 본 발명은, 흰 점 노이즈의 증가, 잔상전자 수의 증가 및 포화전자 수의 감소 등의 특성열화를 방지할 수 있는 고체촬상장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 관한 고체촬상장치는, 제 1 도전형의 반도체기판 또는 웰 내부에 형성되고 또 광전변환시켜 얻어진 신호전하를 축적하는 제 2 도전형의 신호축적부와, 상기 신호축적부 위쪽의 상기 반도체기판 또는 상기 웰 표면부에 형성된 제 1 도전형의 표면실드층과, 상기 신호축적부의 적어도 한끝과 인접하도록 상기 반도체기판 또는 상기 웰 상에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극에서 보아 상기 표면실드층과는 반대쪽의 상기 반도체기판 또는 상기 웰 표면부에 형성된 제 2 도전형의 드레인영역을 구비하며, 상기 표면실드층의 한 끝과 인접하도록 상기 게이트전극 아래쪽의 상기 반도체기판 또는 상기 웰 표면부에 제 1 도전형 판독제어층이 추가로 형성된다.
그리고 본 발명의 고체촬상장치에 있어서, 상기 판독제어층의 불순물농도는 상기 반도체기판 또는 상기 웰보다 높으면서 상기 표면실드층보다 낮은 것이 보다 바람직하다.
또, 본 발명의 고체촬상장치에 있어서, 상기 드레인영역의 측면 및 저면을 피복하도록 제 1 도전형의 오프리크 방지층이 형성되는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 고체촬상장치가 상기 오프리크 방지층을 구비했을 경우, 상기 오프리크 방지층은 상기 게이트전극 끝단부 아래쪽까지 이어지는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 고체촬상장치가 상기 오프리크 방지층을 구비했을 경우, 상기 오프리크 방지층의 불순물농도는 4×1016atom/㎤ 이상인 것이 보다 바람직하다.
또, 본 발명의 고체촬상장치에 있어서, 상기 신호축적부는 상기 게이트전극 전체와 중첩되는 동시에 상기 드레인영역 아래쪽까지 이어지는 것이 보다 바람직하다.
그리고 본 발명에 관한 고체촬상장치의 제조방법은 상기 본 발명의 고체촬상장치를 제조하기 위한 방법이며, 상기 표면실드층 및 상기 신호축적부 중, 적어도 한쪽을, 이온주입마스크를 이용하여 형성한다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해질 것이다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치 및 그 제조방법에 대해 도면을 참조하면서 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 MOS이미지센서의 구조를 나타낸 상면도이며, 도 2는 도 1에서의 A1-A2선 단면도이다. 또 도 1에서 신호축적부(202)의 드레인영역(205) 쪽 단부를 파선으로 나타낸다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, P웰(201) 내부에, 광을 전하로 변환시켜 축적하는 N형 확산층으로 이루어진 신호축적부(포토다이오드)(202)가 형성된다. 또 신호축적부(202)와 인접하도록 P웰(201) 상에 게이트산화막(203)을 개재하여 게이트전극(204)이 형성된다.
또한, 신호축적부(202) 위쪽의 P웰(201) 표면부에 P형 확산층으로 이루어지는 표면실드층(206)이 형성된다. 또, 게이트전극(204)에서 보아 표면실드층(206)과는 반대쪽의 P웰(201) 표면부에 N형 확산층으로 이루어진 드레인영역(205)이 형성된다. 즉, P웰(201) 표면부에서의 게이트전극(204) 한 측방에는 표면실드층(206)이 형성됨과 동시에, P웰(201) 표면부에서의 게이트전극(204) 다른 측방에는 드레인영역(205)이 형성된다. 그리고 기판을 파 내려간 STI(Shallow Trench Isolation)로 이루어진 소자분리부(207)가, 신호축적부(202), 드레인영역(205) 및 표면실드층(206)을 둘러싼다.
또, 1개의 게이트전극(204)과 1개의 신호축적부(202)와 1개의 드레인영역(205)에 의해 1개의 MOS트랜지스터가 구성된다. 또한 표면실드층(206)에 의해, 신호축적부(202) 위쪽 기판표면부의 P형 불순물 농도, 즉 홀 농도가 높아지며, 그 결과 계면 준위에 기인하는 리크전류를 삭감할 수 있고, 이로써 노이즈를 저감할 수 있다.
그런데, 표면실드층(206)을 게이트전극(204)의 단부 아래쪽까지 확대시킨 경우에는, 게이트전극(204) 아래쪽의 P형 불순물농도가 높아지므로, 신호축적부(202)에 축적된 전자의 전송경로에 장벽이 형성된다. 이 때문에 2.5V 정도에서 3V 정도까지의 전압을 게이트전극(204)에 인가했다하더라도, 신호축적부(202)에 축적된 전자를 드레인영역(205)으로 완전하게는 전송할 수 없게 된다. 그래서 본 실시예에서는 표면실드층(206)을 게이트전극(204) 단부 아래쪽에는 형성하지 않는다.
또 본 실시예에서, 표면실드층(206)은 게이트전극(204) 단부에 대해 틈새없이 인접하도록 형성된다. 또 드레인영역(205)의 측면 및 저면을 피복하도록, P형 불순물농도가 높은 오프리크 방지층(210)이 형성된다. 여기서, 오프리크 방지층(210)은 게이트전극(204)의 단부 아래쪽까지 이어져도 된다. 또, 표면실드층(206)의 한 끝에 인접하도록 P웰(201) 표면부의 게이트전극(204) 아래쪽에, P웰(201)보다 불순물농도가 높으며 또 표면실드층(206)보다 불순물농도가 낮은 P형 판독제어층(208)이 형성된다. 이 판독제어층(208)의 P형 불순물농도를 제어함으로써, 게이트전극(204) 아래쪽 부근의 계면준위나 스트레스에 기인하는 리크전류를 삭감할 수 있으며, 이로써 노이즈(white spot)를 저감 할 수 있다. 또 동시에, 게이트전극(204) 아래쪽 부근의 불순물농도가 지나치게 높아 잔상전자 수가 증가되는 사태를 저지할 수 있다. 그리고 오프리크 방지층(210)의 P형 불순물농도는 판독제어층(208)의 P형 불순물농도보다 높다. 또, 판독제어층(208)의 P형 불순물농도에 대해서는, 신호축적부(202)를 형성하기 위한 이온주입에 기인하여 P웰(201)의 P형 불순 물농도보다 낮아질 경우가 있다.
여기서, STI에 의해 형성된 소자분리부(207)의 깊이는, 예를 들어 0.35㎛ 이상이며, 신호축적부(202)에서의 깊이방향 불순물농도 피크위치는, STI로 형성된 소자분리부(207)의 깊이 이하인, 예를 들어 0.17㎛∼0.35㎛ 정도가 바람직하다. 이로써 인접한 신호축적부(202)끼리를 용이하게 분리시킬 수 있다.
또, 본 실시예에 있어서, 신호축적부(202)에 축적된 전자를 드레인영역(205)으로 전송할 때, 게이트전극(204)에 인가되는 전압은 4V 정도 이상인 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 2.5V 정도에서 3V 정도까지의 전압을 게이트전극(204)에 인가한 경우에 비해, 신호축적부(202)에 축적된 전자를 용이하게 드레인영역(205)으로 전송할 수 있다.
이상 설명한 본 실시예의 고체촬상장치를 제조함에 있어서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 게이트전극(204)과 부분적으로 겹치도록 레지스트(211)를 도포 형성하고, 레지스트(211) 및 게이트전극(204)을 이온주입마스크로서 이용함으로써, 표면실드층(206)을 게이트전극(204)에 대해 자기정합적으로 형성할 수 있다. 이로써 제조공정에서의 주입마스크 어긋남에 의해 표면실드층(206)과 게이트전극(204)의 위치관계가 변하는 일이 없다.
따라서, 본 실시예에 의하면, 제조공정에서 표면실드층(206)을 형성하기 위한 주입마스크가 어긋났다하더라도, 게이트전극(204) 단부 근방의 홀 농도가 감소하는 일도, 역으로 게이트전극(204) 아래쪽의 P형 불순물농도가 높아지는 일도 없으므로, 흰 점 노이즈의 증가나 잔상전자 수의 증가를 억제할 수 있다.
그리고 본 실시예에서, 도 3에 나타낸 이온주입공정에서 주입마스크로서 레지스트(211)를 이용하나, 레지스트마스크 대신, 예를 들어 패터닝한 무기막을 마스크로 이용할 수도 있다.
또, 본 실시예에서, 게이트전극(204)은 신호축적부(202)의 적어도 한끝과 중첩되면 되나, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 신호축적부(202)를 게이트전극(204) 전체와 겹치며 또 드레인영역(205) 아래쪽까지 이어지도록 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이와 같이 하면 신호축적부(202)에 축적된 전자를 드레인영역(205)으로 용이하게 전송할 수 있다.
또한, 신호축적부(202)를 게이트전극(204) 전체와 겹치며 또 드레인영역(205) 아래쪽까지 이어지도록 형성하는 경우에는, 오프리크 방지층(210)의 불순물농도가 4×1016atom/㎤ 이상인 것이 보다 바람직하다. 그 이유는, 게이트전극(204)에 전압을 인가하지 않을 때, 신호축적부(202)에 축적된 전자가 드레인영역(205)으로 펀치스루 효과에 의해 전송되지 않도록 하기 위함이다.
이상 설명한, 신호축적부(202)를 게이트전극(204) 전체와 겹치며 또 드레인영역(205) 아래쪽까지 이어지도록 형성하는 구조는, 본 실시예의 고체촬상장치를 제조할 때에 신호축적부(202)를 형성하기 위한 주입마스크가 어긋났다하더라도, 다음과 같은 이유에서 실현 가능하다. 즉, 신호축적부(202)를 게이트전극(204) 전체와 겹치도록 크게 형성하므로, 주입마스크가 어긋나도 신호축적부(202)가 게이트전극(204) 전체와 겹친 구조를 실현하기는 가능하다. 또 드레인영역(205)은 게이트전극(204)에 대해 자기정합적으로 형성되므로, 신호축적부(202)가 게이트전극(204) 전체와 중첩되어 있으면, 신호축적부(202)가 드레인영역(205) 아래쪽까지 이어지는 구조를 실현하기가 가능하다. 그리고 본 실시예의 고체촬상장치의 제조에 있어서는, 게이트전극(204) 형성 전에 신호축적부(202)를 형성하고, 게이트전극(204) 형성 후에 드레인영역(205)을 형성한다.
따라서, 본 실시예에 의하면, 제조공정에서 신호축적부(202)를 형성하기 위한 주입마스크가 어긋났다하더라도, 신호축적부(202)와 드레인영역(205)의 거리는 변하지 않으므로, 잔상전자 수의 증가나 포화전자 수의 감소를 억제할 수 있다. 또 신호축적부(202)를 크게 형성하므로, 포화전자 수를 증대시킬 수 있다는 효과도 발생한다. 이는 특히, 미세화에 따라 신호축적부의 면적이 감소한 경우에 유용하다.
여기서 본 실시예에 있어서, 신호축적부(202)를 형성하기 위한 주입마스크로는, 레지스트마스크만이 아닌, 예를 들어 패터닝한 무기막을 마스크로 이용할 수도 있다.
또 본 실시예에서는, 1개의 게이트전극(204)과 1개의 신호축적부(202)와 1개의 드레인영역(205)에 의해 1개의 MOS트랜지스터가 구성되나, 이 때 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 드레인영역(205)이 2개의 MOS트랜지스터에 의해 공유되는 것이 미세화 관점에서 보다 바람직하다.
또한, 복수의 MOS트랜지스터, 즉 복수의 화소에 의해 드레인영역(205)을 공유하는 경우, 각 화소의 신호축적부(202) 서로간의 거리가 짧아지므로, 각 화소의 신호축적부(202) 사이에 P형 확산층으로 이루어진 화소분리층(209)을 형성하는 것 이 바람직하다. 그리고 화소분리층(209)의 P형 불순물농도는 P웰(201)의 P형 불순물농도보다 높으며 또 오프리크 방지층(210)의 P형 불순물농도보다 낮다.
이와 같이 하면, 신호축적부(202)간 분리가 용이해져, 재생화면상에서 혼색 등의 문제를 방지할 수 있다. 이는, 특히 미세화에 따라 신호축적부간 거리가 짧아지는 경우에 유용하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 예를 들어 표면실드층(206)을 형성하기 위한 주입마스크가 게이트전극(204)의 반대쪽(주입마스크와 게이트전극(204)의 중첩범위가 증가하는 방향)으로 어긋났다하더라도, 표면실드층(206)을 게이트전극(204)에 대해 자기정합적으로 형성할 수 있으므로, 표면실드층(206)이 게이트전극(204)으로부터 떨어지는 일이 없다. 이로써 게이트전극(204) 단부 근방의 홀 농도가 저하되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 계면준위나 스트레스에 기인하는 리크전류가 증가하여 재생화면상에서 흰 점 노이즈가 발생한다는 특성열화를 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 「표면실드층(206)을 형성하기 위한 주입마스크가 게이트전극(204)의 반대쪽(주입마스크와 게이트전극(204)의 중첩범위가 증가하는 방향)으로 어긋나고, 이에 따라 표면실드층(206)이 게이트전극(204)으로부터 떨어지며, 그 결과, 게이트전극(204) 단부 근방의 홀 농도가 저하됨으로써 계면준위나 스트레스에 기인하는 리크전류가 증가하여 재생화면상에서 흰 점 노이즈가 발생한다」는 사태를 저지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 예를 들어 표면실드층(206)을 형성하기 위한 주입마스크가 게이트전극(204) 쪽(주입마스크와 게이트전극(204)의 중첩범위가 감소하는 방향)으로 어긋났다하더라도, 표면실드층(206)을 게이트전극(204)에 대해 자기정합적으로 형성할 수 있으므로, 표면실드층(206)이 게이트전극(204) 아래쪽에 형성되는 일이 없다. 이로써 게이트전극(204) 아래쪽의 P형 불순물농도가 높아지는 일이 없으므로, 신호축적부(202)에 축적된 전자 드레인영역(205)으로의 전송경로에 장벽이 발생하는 일도 없다.
따라서, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 게이트전극(204)에 예를 들어 2.5V 정도에서 3V 정도까지의 전압을 인가한 경우에, 신호축적부(202)에 축적된 전자가 드레인영역(205)으로 전송되지 않고 잔상전자 수가 증가한다는 특성열화를 막을 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 「표면실드층(206)을 형성하기 위한 주입마스크가 게이트전극(204) 쪽(주입마스크와 게이트전극(204)의 중첩범위가 감소하는 방향)으로 어긋남에 따라 표면실드층(206)이 게이트전극(204) 아래쪽에 형성되고, 그 결과, 게이트전극(204) 아래쪽의 P형 불순물농도가 높아짐으로써, 신호축적부(202)에서 드레인영역(205)까지의 전자 전송경로에 장벽이 발생하기 때문에, 예를 들어 2.5V 정도에서 3V 정도까지의 전압을 게이트전극(204)에 인가해도 신호축적부(202)에 축적된 전자를 드레인영역(205)으로 전송하기가 어려워져 잔상전자 수가 증가한다」는 사태를 저지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 예를 들어 신호축적 부(202)를 형성하기 위한 주입마스크가 드레인영역(205) 반대쪽(드레인영역(205)의 형성영역에서 멀어지는 방향)으로 어긋났다하더라도, 그 전체가 신호축적부(202)와 중첩되는 게이트전극(204)에 대해 드레인영역(205)을 자기정합적으로 형성하므로, 신호축적부(202)가 드레인영역(205)으로부터 떨어지는 일이 없다.
따라서, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 게이트전극(204)에, 예를 들어 2.5V 정도에서 3V 정도까지의 전압을 인가한 경우에, 신호축적부(202)에 축적된 전자가 드레인영역(205)으로 전송되지 않고 잔상전자 수가 증가한다는 특성열화의 발생을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 「신호축적부(202)를 형성하기 위한 주입마스크가 드레인영역(205) 반대쪽(드레인영역(205)의 형성영역에서 멀어지는 방향)으로 어긋나고, 이에 따라 신호축적부(202)가 드레인영역(205)으로부터 떨어지며, 그 결과, 예를 들어 2.5V 정도에서 3V 정도까지의 전압을 게이트전극(204)에 인가해도 신호축적부(202)에 축적된 전자를 드레인영역(205)으로 전송하기가 어려워져 잔상전자 수가 증가한다는 특성열화가 발생한다」는 사태를 저지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 예를 들어 신호축적부(202)를 형성하기 위한 주입마스크가 드레인영역(205)쪽(드레인영역(205)의 형성영역에 가까워지는 방향 또는 당해 영역과 더욱 중첩되는 방향)으로 어긋났다하더라도, 그 전체가 신호축적부(202)와 중첩되는 게이트전극(204)에 대해 드레인영역(205)을 자기정합적으로 형성하므로, 신호축적부(202)가 드레인영역(205)에 수평방 향으로 더욱 가까워지는 일이 없다.
따라서, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치에 의하면, 펀치스루에 기인하여 포화전자 수가 감소한다는 특성열화가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예에 관한 고체촬상장치의 제조방법에 의하면, 「신호축적부(202)를 형성하기 위한 주입마스크가 드레인영역(205)쪽(드레인영역(205)의 형성영역에 가까워지는 방향 또는 당해 영역과 더욱 중첩되는 방향)으로 어긋나고, 이에 따라 신호축적부(202)가 드레인영역(205)에 가까워져 펀치스루가 일어나기 쉽게 되며, 그 결과, 포화전자 수가 감소되는 특성열화가 발생한다」는 사태를 저지할 수 있다.
여기서, 본 실시예에 있어서, P웰(201)은 P형 반도체기판이라도 된다. 또 각 구성요소의 도전형을 각각 본 실시예의 반대 도전형으로 치환해도 본 실시예와 마찬가지 효과가 얻어진다.
본 발명의 고체촬상장치에 의하면, 판독제어층에 의해 게이트전극 아래쪽 부근의 불순물농도를 조정할 수 있으므로, 흰 점 노이즈를 억제하면서 잔상전자 수도 억제할 수 있다. 또한, 제조공정에서의 주입마스크 어긋남에 의해 표면실드층과 게이트전극과의 거리가 변하는 일이 없으므로, 제조공정에서의 주입마스크 어긋남에 기인하는 흰 점 노이즈의 증가, 잔상전자 수의 증가, 및 포화전자 수의 감소 등의 특성열화를 억제할 수 있다.
Claims (7)
- 제 1 도전형의 반도체기판 또는 웰 내부에 형성되며 또 광전변환시켜 얻어진 신호전하를 축적하는 제 2 도전형 신호축적부와, 상기 신호축적부 위쪽의 상기 반도체기판 또는 상기 웰 표면부에 형성된 제 1 도전형의 표면실드층과, 상기 신호축적부의 적어도 한끝과 인접하도록 상기 반도체기판 또는 상기 웰 상에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극에서 보아 상기 표면실드층과는 반대쪽의 상기 반도체기판 또는 상기 웰 표면부에 형성된 제 2 도전형의 드레인영역을 구비하며,상기 표면실드층의 한 끝과 인접하도록 상기 게이트전극 아래쪽의 상기 반도체기판 또는 상기 웰 표면부에 제 1 도전형의 판독제어층이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 판독제어층의 불순물농도는 상기 반도체기판 또는 상기 웰보다 높으면서 상기 표면실드층보다 낮은 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 청구항 1에 있어서,상기 드레인영역의 측면 및 저면을 피복하도록 제 1 도전형의 오프리크 방지층이 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 청구항 3에 있어서,상기 오프리크 방지층은 상기 게이트전극의 끝단부 아래쪽까지 이어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 청구항 3에 있어서,상기 오프리크 방지층의 불순물농도는 4×1016atom/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,상기 신호축적부는 상기 게이트전극 전체와 중첩되는 동시에 상기 드레인영역 아래쪽까지 이어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
- 청구항 1 기재의 고체촬상장치의 제조방법에 있어서,상기 표면실드층 및 상기 신호축적부 중, 적어도 한쪽을, 이온주입마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치의 제조방법.
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