KR20070101424A - 발광 다이오드 - Google Patents
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- 도핑되지 않은 질화갈륨층과, n형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지며 상기 질화갈륨층 상에 형성되는 하부 접촉층과, AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 장벽층 및 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지며 상기 하부 접촉층의 소정영역 상에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며 p형 AlxGayInZN(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어지는 상부 접촉층과, 상기 하부 접촉층에 있어서 상기 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 상기 상부 접촉층 상에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지되,상기 질화갈륨층 또는 상기 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 질화갈륨층 및 상기 n형 하부 접촉층은 광결정 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 III-V 질화물계 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조는 무기물 또는 유기물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조는 포토닉 밴드갭이 형성되는 직사각형 배열 또는 육각형 배열인 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조에 있어서 홀의 모양은 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 광결정 구조가 상기 하부 접촉층 상에 형성되는 경우 그 광결정 구조 상에 바로 상기 활성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드.
- 제 1항에 있어서, 상기 질화갈륨층은 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 III-V 질화갈륨 발광 다이오드.
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